JPH1079561A - Wiring board and forming method thereof - Google Patents

Wiring board and forming method thereof

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JPH1079561A
JPH1079561A JP23480596A JP23480596A JPH1079561A JP H1079561 A JPH1079561 A JP H1079561A JP 23480596 A JP23480596 A JP 23480596A JP 23480596 A JP23480596 A JP 23480596A JP H1079561 A JPH1079561 A JP H1079561A
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JP
Japan
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resin layer
wiring
wiring board
photosensitive resin
film resistor
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP23480596A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiro Takahashi
良郎 高橋
Yutaka Karasuno
ゆたか 烏野
Minoru Nakakuki
穂 中久木
Satoru Itaya
哲 板谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
OKI PURINTETSUDO CIRCUIT KK
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
OKI PURINTETSUDO CIRCUIT KK
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable wiring to be lessened in transmission loss through its routing part and enhanced in adhesive strength by a method, wherein the surface of an insulating resin layer where a thin-film resistor is formed is set rougher than that of the insulating resin layer where a wiring is formed. SOLUTION: An insulating photosensitive resin layer 13 is formed on a base 11, then exposed to light, and developed into a shape conforming to a wiring board. Then, the insulating photosensitive resin layer 13 is exposed to light through a mask 21. This exposure is carried out under such conditions that the thin-film resistor forming a predetermined regions 13b of the insulating photosensitive resin layer 13 is further improved in resistance with respect to a roughening process than the other region of the photosensitive resin layer 13. Then, the photosensitive resin layer 13 is subjected to a roughening process, so as to improve a wiring in adhesion to it. By this setup, the thin-film resistor forming predetermined region 13b of the insulating photosensitive resin layer 13 can be made smaller than the other region of the photosensitive resin layer 13, so that the region 13b is more slowly roughened than the other region, and thus the surface of the thin-film resistor forming predetermined region 13b is roughened less.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、絶縁性樹脂層を
有しかつ該絶縁性樹脂層上に配線および薄膜抵抗体を有
した配線基板と、この配線基板の形成に用いて好適な方
法とに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board having an insulating resin layer and having a wiring and a thin-film resistor on the insulating resin layer, and a method suitable for forming the wiring board. It is about.

【0002】[0002]

【従来の技術】高密度実装に対応した配線基板としてビ
ルドアップ法により形成された配線基板がある(例えば
文献I:電子材料,1995年10月(工業調査会),p.84
)。この種の配線基板の形成方法は例えば文献Iの第8
6頁に記載されている。この形成方法は、下地(両面銅
張り積層板または下層配線)上に絶縁性感光性樹脂層を
形成する工程と、この感光性樹脂層を配線基板に即した
形状となるよう露光・現像する工程と、この露光・現像
済みの感光性樹脂層表面を粗化する工程と、この粗化が
済んだ感光性樹脂層上に銅配線等の配線構成成分を形成
する工程とを含むものであった。ここで上記粗化処理
は、感光性樹脂層に対する銅配線の密着強度を確保する
ため該樹脂層表面を粗す目的で行なわれるものであっ
た。また、この種の配線基板分野においては、前記樹脂
層上に前記銅配線と共に薄膜抵抗体を予め形成すること
が行なわれるようになってきている。高密度実装ができ
かつ回路機能が付与された配線基板が実現できるからで
ある。その場合は、前記粗化処理が終了した樹脂層の所
定部分上に薄膜抵抗体が好適な方法により形成される。
2. Description of the Related Art There is a wiring board formed by a build-up method as a wiring board compatible with high-density mounting (for example, Document I: Electronic Materials, October 1995 (Industrial Research Council), p.84).
). This type of wiring board forming method is described in, for example,
It is described on page 6. This forming method includes a step of forming an insulative photosensitive resin layer on a base (double-sided copper-clad laminate or lower wiring), and a step of exposing and developing the photosensitive resin layer to have a shape conforming to a wiring board. And a step of roughening the surface of the exposed and developed photosensitive resin layer, and a step of forming wiring components such as copper wiring on the roughened photosensitive resin layer. . Here, the roughening treatment was performed for the purpose of roughening the surface of the resin layer in order to secure the adhesion strength of the copper wiring to the photosensitive resin layer. In the field of this type of wiring board, a thin film resistor is preliminarily formed on the resin layer together with the copper wiring. This is because a wiring board that can be mounted at a high density and has a circuit function can be realized. In that case, a thin film resistor is formed by a suitable method on a predetermined portion of the resin layer on which the roughening process has been completed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来技術では、以下に説明するような問題が生じることが
この出願に係る発明者の研究で明らかになった。
However, it has been clarified by the inventor of the present application that the above-mentioned prior art has the following problems.

【0004】既に説明したように感光性樹脂層に対する
銅配線の密着性を高めるために樹脂層表面は粗化され
る。この粗化は、一般には、樹脂層表面に1〜2μmの
凹凸(最大粗さは5μm程度の凹凸)が形成できる程度
に行なわれる。すると従来技術では、薄膜抵抗体もこの
ように粗化された樹脂層表面に形成されることになる。
しかしこのような凹凸のある樹脂層表面に薄膜抵抗体を
形成した場合、前記凹凸の影響から、薄膜抵抗体の抵抗
値は所望の値になりにくい。特に高抵抗の薄膜抵抗体を
作製する場合程、薄膜抵抗体の幅が狭くされまたは厚さ
が薄くされるため上記凹凸の影響を受けるので、薄膜抵
抗体の抵抗値は所望の値になりにくい。そこで、別途に
レーザなどを用いて薄膜抵抗体の幅や膜厚を調整して所
望の抵抗値の薄膜抵抗体を得る工程が必要となる。その
ため従来技術では、工程の増加、製造歩留の低下、配線
基板コストの上昇という問題が生じる。また、粗化の程
度を小さく(弱く)すると、今度は銅配線が樹脂層から
剥離するという問題が生じる。これらを回避する為に、
粗化の済んだ樹脂層の薄膜抵抗体形成予定領域上に、別
途に樹脂層を形成する方法も考えられる。しかしそうし
たとしてもさほど抵抗値再現性の改善はえられず、かえ
って製造工程数のさらなる増加という問題も生じる。
As described above, the surface of the resin layer is roughened in order to increase the adhesion of the copper wiring to the photosensitive resin layer. This roughening is generally performed to such an extent that irregularities of 1 to 2 μm (maximum roughness of approximately 5 μm) can be formed on the surface of the resin layer. Then, in the prior art, the thin film resistor is also formed on the resin layer surface thus roughened.
However, when a thin film resistor is formed on the surface of the resin layer having such irregularities, the resistance value of the thin film resistor hardly becomes a desired value due to the influence of the irregularities. Particularly, when a high-resistance thin-film resistor is manufactured, the width of the thin-film resistor is reduced or the thickness thereof is reduced, so that the above-mentioned unevenness is affected. Therefore, the resistance value of the thin-film resistor is less likely to be a desired value. . Therefore, a step of separately adjusting the width and the film thickness of the thin film resistor using a laser or the like to obtain a thin film resistor having a desired resistance value is required. Therefore, in the related art, there are problems that the number of processes increases, the manufacturing yield decreases, and the cost of the wiring board increases. Further, when the degree of the roughening is made small (weak), there arises a problem that the copper wiring is peeled off from the resin layer. To avoid these,
It is also conceivable to separately form a resin layer on the roughened resin layer on the region where the thin film resistor is to be formed. However, even if it does so, the improvement of the reproducibility of the resistance value cannot be obtained so much, and the problem that the number of manufacturing steps is further increased occurs.

【0005】絶縁性樹脂層上に配線と薄膜抵抗体とを有
した配線基板であって所望の抵抗値を得易い構造の配線
基板と、そのような配線基板を簡易に形成できる方法と
が望まれる。
It is desired to provide a wiring board having a wiring and a thin-film resistor on an insulating resin layer and having a structure in which a desired resistance value is easily obtained, and a method for easily forming such a wiring board. It is.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】そこでこの出願の配線基
板の発明によれば、絶縁性樹脂層と該絶縁性樹脂層上に
設けられた配線および薄膜抵抗体とを具える配線基板に
おいて、絶縁性樹脂層における薄膜抵抗体が形成されて
いる部分の表面粗度が、該絶縁性樹脂層における配線が
形成されている部分の表面粗度に比べて小さくなってい
る(平坦性が良くなっている)ことを特徴とする。
According to the invention of the wiring board of the present application, a wiring board having an insulating resin layer and wiring and a thin film resistor provided on the insulating resin layer is provided with an insulating substrate. The surface roughness of the portion where the thin film resistor is formed in the conductive resin layer is smaller than the surface roughness of the portion where the wiring is formed in the insulating resin layer (the flatness is improved). ).

【0007】この発明の配線基板によれば、薄膜抵抗体
は表面粗度が小さい下地部分上に設けられているので、
そうでない場合に比べ、膜厚が均一でかつ縁部の形状も
所望の形状となった薄膜抵抗体になる。
According to the wiring board of the present invention, since the thin film resistor is provided on the base portion having a small surface roughness,
Compared with the case where it is not the case, the thin film resistor has a uniform film thickness and a desired shape of the edge.

【0008】なおこの発明の実施にあたり、前記絶縁性
樹脂層における配線の引き回し部分が形成されている領
域の表面粗度を、配線の外部部品接続部分が形成されて
いる領域の表面粗度に比べて小さくしておくのが好適で
ある。こうしておくと、高速信号を扱う場合でも配線の
引き回し部分での該信号伝送損失の悪化を低減でき、し
かも、配線における外部部品接続部分たとえば配線のハ
ンダ付け用の部分の樹脂層に対する密着強度が確保され
た配線基板が得られる。
In practicing the present invention, the surface roughness of the region of the insulating resin layer where the wiring routing portion is formed is compared with the surface roughness of the region where the external component connection portion of the wiring is formed. It is preferable to keep it small. In this way, even when handling high-speed signals, it is possible to reduce the deterioration of the signal transmission loss in the routing of the wiring, and to secure the adhesion strength of the external component connection part in the wiring, for example, the wiring soldering part to the resin layer. The obtained wiring board is obtained.

【0009】またこの発明の配線基板の形成方法によれ
ば、下地上に絶縁性感光性樹脂層を形成する工程と、該
感光性樹脂層を配線基板に即した形状となるよう露光・
現像する工程と、前記露光・現像済みの感光性樹脂層表
面を粗化する工程と、前記粗化が済んだ感光性樹脂層上
に配線構成成分(例えば配線、薄膜抵抗体等)を形成す
る工程とを含む配線基板の形成方法において、前記粗化
工程の前に、前記感光性樹脂層の一部領域に対し、該一
部領域の前記粗化工程に対する耐性を他の領域と違える
ための選択的な露光を実施することを特徴とする。ただ
し、複数の一部領域に対しそれぞれ異なる露光条件で露
光する場合も、この発明は含む。
Further, according to the method of forming a wiring board of the present invention, a step of forming an insulating photosensitive resin layer on a base, and exposing and exposing the photosensitive resin layer to a shape suitable for the wiring board.
Developing, roughening the exposed and developed photosensitive resin layer surface, and forming wiring components (for example, wiring, thin film resistor, etc.) on the roughened photosensitive resin layer. In the method of forming a wiring board including the step of, before the roughening step, for a partial region of the photosensitive resin layer, to make the resistance of the partial region to the roughening step different from other regions It is characterized in that selective exposure is performed. However, the present invention includes a case where a plurality of partial regions are exposed under different exposure conditions.

【0010】この発明の配線基板の形成方法によれば、
粗化工程を終えると樹脂層には少なくとも2種類の表面
粗度を有した領域が形成される。すなわち1回の粗化工
程で樹脂層には少なくとも2種類の表面粗度を有した領
域が形成される。またこの発明において複数の一部領域
に対しそれぞれ異なる露光条件で露光する場合であれ
ば、1回の粗化工程で樹脂層には少なくとも3種類の表
面粗度を有した領域が形成される。したがって、この発
明の方法は、例えば樹脂層の薄膜抵抗体形成予定領域の
表面粗度や、樹脂層の配線形成予定領域の表面粗度を制
御する技術として利用できる。具体的には次のような方
法として利用できる。
According to the method of forming a wiring board of the present invention,
After the roughening step, regions having at least two types of surface roughness are formed in the resin layer. That is, regions having at least two types of surface roughness are formed in the resin layer in one roughening step. In the present invention, when a plurality of partial regions are exposed under different exposure conditions, regions having at least three types of surface roughness are formed in the resin layer in one roughening step. Therefore, the method of the present invention can be used, for example, as a technique for controlling the surface roughness of a region where a thin film resistor is to be formed in a resin layer or the surface roughness of a region where a wiring is to be formed in a resin layer. Specifically, it can be used as the following method.

【0011】すなわち、下地上に絶縁性感光性樹脂層を
形成する工程と、該感光性樹脂層を配線基板に即した形
状となるよう露光・現像する工程と、前記露光・現像済
みの感光性樹脂層表面を粗化する工程と、前記粗化が済
んだ感光性樹脂層上に配線および薄膜抵抗体を形成する
工程とを含む配線基板の形成方法において、前記粗化工
程の前に、前記感光性樹脂層における薄膜抵抗体形成予
定領域の前記粗化工程に対する耐性が他の領域より向上
するように前記感光性樹脂層に選択的な露光をする工程
を含む方法である。この具体的な配線基板の形成方法に
よれば、粗化工程が済むと、絶縁性感光性樹脂層の薄膜
抵抗体形成予定領域の粗化具合は他の領域に比べ小さく
なる。よって表面粗度が所望の通りに低い部分を簡易に
形成出来る。表面粗度が小さい領域上に形成される薄膜
抵抗体は、表面粗度が大きい領域に形成される場合より
均一な膜厚のものになる。また、表面粗度が小さい領域
上に形成される薄膜抵抗体をパターニングする場合の方
が、表面粗度が大きい領域に形成される薄膜抵抗体をパ
ターニングする場合より、精度良くパターニングでき
る。
That is, a step of forming an insulating photosensitive resin layer on a base, a step of exposing and developing the photosensitive resin layer so as to have a shape conforming to a wiring board, and a step of exposing and developing the photosensitive resin layer In a method for forming a wiring board including a step of roughening a resin layer surface and a step of forming a wiring and a thin film resistor on the roughened photosensitive resin layer, before the roughening step, A method including a step of selectively exposing the photosensitive resin layer to a region where a thin-film resistor is to be formed in the photosensitive resin layer so that the resistance to the roughening step is higher than that of other regions. According to this specific method for forming a wiring board, after the roughening step is completed, the degree of roughening of the region where the thin-film resistor is to be formed in the insulating photosensitive resin layer is smaller than in other regions. Therefore, a portion having a low surface roughness as desired can be easily formed. A thin film resistor formed on a region having a small surface roughness has a more uniform thickness than that formed on a region having a large surface roughness. Further, the patterning of the thin film resistor formed on the region having the small surface roughness can be more accurately performed than the patterning of the thin film resistor formed on the region having the large surface roughness.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、この発明の
配線基板および配線基板の形成方法の各発明の実施の形
態について併せて説明する。なお説明に用いる各図はこ
の発明を理解出来る程度に各構成成分の寸法、形状およ
び配置関係を概略的に示してあるにすぎない。また、各
図において同様の構成成分については同一の番号を付し
て示しその重複する説明を省略することもある。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view of a wiring board and a method of forming a wiring board according to an embodiment of the present invention; The drawings used in the description merely show the dimensions, shapes, and arrangements of the components so that the present invention can be understood. Also, in each of the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof may be omitted.

【0013】1.第1の実施の形態 ビルドアップ法と称される配線基板形成法に本発明を適
用する例を説明する。図1〜図3はその説明に供する製
造工程図である。これら図において完成された配線基板
は、図3に示してある。また図3中の平面図を除く各図
はいずれも断面図によって示してある。
1. First Embodiment An example in which the present invention is applied to a wiring board forming method called a build-up method will be described. 1 to 3 are manufacturing process diagrams for explanation thereof. The finished wiring board in these figures is shown in FIG. In addition, all the figures except the plan view in FIG. 3 are shown by cross-sectional views.

【0014】まず、下地11上に絶縁性感光性樹脂層1
3を形成する(図1(A))。ここで下地11は、コア
基板、或は下層配線が既に形成されている配線基板中間
体等、種々のものとできる。絶縁性感光性樹脂層13
は、ここではネガ型のかつアルカリ現像型の感光性エポ
キシ樹脂を下地11上に塗布しさらに乾燥することで形
成している。
First, an insulating photosensitive resin layer 1 is formed on a base 11.
3 (FIG. 1A). Here, the underlayer 11 can be various types such as a core substrate or a wiring substrate intermediate in which the lower layer wiring is already formed. Insulating photosensitive resin layer 13
Is formed by applying a negative-type and alkali-developable photosensitive epoxy resin on the base 11, followed by drying.

【0015】次に、この絶縁性感光性樹脂層13を配線
基板に即した形状となるよう露光・現像する。ここでは
この樹脂層13にヴィアホールを形成する例を考える。
そのため、絶縁性感光性樹脂層13のヴィアホール形成
予定領域13aを遮光でき、かつ、他の領域を露光でき
るマスク15により、該樹脂層13を覆った後、この絶
縁性感光性樹脂層13を紫外線(UV)17によって露
光する(図1(B))。
Next, the insulating photosensitive resin layer 13 is exposed and developed so as to have a shape conforming to the wiring board. Here, an example in which a via hole is formed in the resin layer 13 is considered.
Therefore, after covering the resin layer 13 with the mask 15 that can shield the via-hole formation region 13a of the insulating photosensitive resin layer 13 and expose other regions, the insulating photosensitive resin layer 13 is removed. Exposure is performed with ultraviolet rays (UV) 17 (FIG. 1B).

【0016】露光の終了した試料を炭酸ナトリウム溶液
等を用い現像する。すると絶縁性感光性樹脂層13の未
露光部分が除去されてヴィアホール19が形成される
(図1(C))。
The exposed sample is developed using a sodium carbonate solution or the like. Then, the unexposed portion of the insulating photosensitive resin layer 13 is removed to form a via hole 19 (FIG. 1C).

【0017】次に、絶縁性感光性樹脂層13の、薄膜抵
抗体形成予定領域13bを露光でき、かつ、他の領域を
遮光できるマスク21により、該樹脂層13を覆う(図
2(A))。ただし、このマスク21は、本来の薄膜抵
抗体形成予定領域13bより少し広い領域を露光できる
ように設計したものとするのが良い。こうした方が、露
光の際のマスクずれや、製造工程中で生じる基板の伸長
や縮小などに起因する下地の変形、後に行なう薄膜抵抗
体形成用薄膜のパターニングずれなどがあっても、薄膜
抵抗体を薄膜抵抗体形成予定領域13b内に予定通り形
成できるからである。次に、絶縁性感光性樹脂層13を
マスク21を通し露光する(同じく図2(A))。この
露光は、絶縁性感光性樹脂層13の薄膜抵抗体形成予定
領域13bの粗化工程に対する耐性が他の領域より向上
するような条件で行なう。より詳細には、粗化処理後に
おいても薄膜抵抗体形成予定領域13bの表面粗度が薄
膜抵抗体の抵抗値のバラツキを生じさせる一因に実質的
にならない程度に小さい状態に維持されるような粗化処
理耐性を、該領域13bに与え得る露光条件とする。こ
こでは、絶縁性樹脂層13の薄膜抵抗体形成予定領域1
3bにおける未反応感光基を実質的に完全に架橋させ得
る程度の充分な露光量(例えば数1000mJ/cm
2 )で露光をする。このように充分に露光がされた樹脂
層部分13bの耐薬品性などは、そうしない部分に比べ
て向上する。例えば、後の粗化処理にてアルカリ性処理
液による処理をする際の耐性が向上する。
Next, the resin layer 13 is covered with a mask 21 capable of exposing an area 13b of the insulating photosensitive resin layer 13 where a thin film resistor is to be formed and shielding other areas (FIG. 2A). ). However, it is preferable that the mask 21 be designed so that an area slightly larger than the original thin film resistor forming area 13b can be exposed. In this case, even if there is a mask shift at the time of exposure, deformation of the base due to elongation or shrinkage of the substrate occurring during the manufacturing process, and a patterning shift of the thin film for forming the thin film resistor performed later, the thin film resistor can be used. Can be formed in the thin film resistor formation scheduled area 13b as planned. Next, the insulating photosensitive resin layer 13 is exposed through a mask 21 (also FIG. 2A). This exposure is performed under such a condition that the resistance of the region 13b where the thin film resistor is to be formed of the insulating photosensitive resin layer 13 to the roughening step is improved as compared with the other regions. More specifically, even after the roughening process, the surface roughness of the thin film resistor formation scheduled region 13b is maintained in a state where the surface roughness is small enough not to substantially cause a variation in the resistance value of the thin film resistor. Exposure conditions that can provide the roughening treatment resistance to the region 13b. Here, the region 1 where the thin film resistor is to be formed in the insulating resin layer 13 is to be formed.
3b, a sufficient exposure dose (for example, several thousand mJ / cm) to substantially completely crosslink the unreacted photosensitive group.
2 ) Exposure. The chemical resistance and the like of the resin layer portion 13b that has been sufficiently exposed as described above are improved as compared with the portion that does not. For example, the resistance during the treatment with an alkaline treatment liquid in the subsequent roughening treatment is improved.

【0018】次に、後に形成する配線の、絶縁性感光性
樹脂層13に対する密着性を向上するため、この試料に
対し粗化処理をする。ここでは、アルカリ性処理液で絶
縁性感光性樹脂層13を膨潤させ、さらに過マンガン酸
塩を含むエッチング液でエッチングすることにより表面
粗化を行なう。なお、用いた薬品に対する中和処理も行
なう。この粗化処理では、絶縁性感光性樹脂層13にお
ける薄膜抵抗体形成予定領域13bすなわち先の選択的
に露光した領域は、他の領域に比べ膨潤されにくいため
に粗化の進行が遅くなる。したがって、粗化処理後の、
絶縁性感光性樹脂層13における薄膜抵抗体形成予定領
域13bの表面粗度を、他の領域に比べ小さく(すなわ
ち平坦性が良い状態に)することができる。一方、絶縁
性感光性樹脂層13の、薄膜抵抗体形成予定領域13b
以外の領域は、領域13bに比べてアルカリ性処理液で
の膨潤が多く生じるので粗化の程度も大きくなるから、
後に形成する配線の樹脂層13に対する所望の密着力を
確保するに充分な表面粗度を有した領域になる。これら
の様子を図2(B)に示す。図2(B)中、領域Iは表
面粗度が小さい領域であって後に薄膜抵抗体が形成され
る領域、IIは表面粗度が大きい領域であって後に配線
が形成される領域である。
Next, in order to improve the adhesion of the wiring to be formed later to the insulating photosensitive resin layer 13, the sample is subjected to a roughening treatment. Here, the surface is roughened by swelling the insulative photosensitive resin layer 13 with an alkaline treatment liquid and etching with an etchant containing permanganate. In addition, a neutralization treatment is also performed on the used chemicals. In this roughening process, the thin-film resistor forming region 13b in the insulating photosensitive resin layer 13, that is, the previously selectively exposed region is less likely to swell than other regions, so that the progress of the roughening is slowed down. Therefore, after the roughening treatment,
The surface roughness of the region 13b where the thin-film resistor is to be formed in the insulating photosensitive resin layer 13 can be made smaller (that is, the flatness is better) as compared with other regions. On the other hand, the region 13b of the insulating photosensitive resin layer 13 where the thin film resistor is to be formed is formed.
Since the regions other than the region 13 swell with the alkaline processing liquid more than the region 13b, the degree of roughening is also increased.
This is a region having a surface roughness sufficient to secure a desired adhesion of the wiring to be formed later to the resin layer 13. FIG. 2B shows these states. In FIG. 2B, a region I is a region where the surface roughness is small and a thin film resistor is formed later, and a region II is a region where the surface roughness is large and a wiring is formed later.

【0019】粗化処理の済んだ絶縁性感光性樹脂層13
上に好適な成膜方法により薄膜抵抗体形成用の薄膜23
を形成する。さらにこの薄膜23上に好適な成膜方法に
より配線形成用の薄膜25を形成する(図2(C))。
薄膜23の成膜方法は特に限定されず例えば無電解めっ
き法、蒸着法など任意好適な方法とできる。また、薄膜
25の成膜方法も特に限定されず例えば電解めっき法、
蒸着法など任意好適な方法とできる。また薄膜23の構
成材料は任意好適なものとできる。例えば、Ni(ニッ
ケル)−P(リン)、Ni−W(タングステン)−P、
Ni−Fe(鉄)−P、Ni−B(ホウ素)などは、薄
膜抵抗体形成用の薄膜23の構成材料として用いること
ができる。また薄膜25の構成材料として例えば銅(C
u)を用いる。
Insulating photosensitive resin layer 13 after roughening treatment
The thin film 23 for forming a thin film resistor is formed thereon by a suitable film forming method.
To form Further, a thin film 25 for forming a wiring is formed on the thin film 23 by a suitable film forming method (FIG. 2C).
The method for forming the thin film 23 is not particularly limited, and may be any suitable method such as an electroless plating method and a vapor deposition method. The method for forming the thin film 25 is not particularly limited, and may be, for example, an electrolytic plating method,
Any suitable method such as a vapor deposition method can be used. Also, the constituent material of the thin film 23 can be any suitable material. For example, Ni (nickel) -P (phosphorus), Ni-W (tungsten) -P,
Ni-Fe (iron) -P, Ni-B (boron) or the like can be used as a constituent material of the thin film 23 for forming a thin-film resistor. As a constituent material of the thin film 25, for example, copper (C
u) is used.

【0020】次に、薄膜抵抗体形成用の薄膜23および
配線形成用の薄膜25それぞれを所定の形状にパターニ
ングする。これは例えば公知のリソグラフィ技術および
エッチング技術により行なえる。これにより、薄膜抵抗
体23aおよび配線25aがそれぞれ形成される(図
3)。図3からも分かるように、薄膜抵抗体23aは絶
縁性樹脂層13における表面粗度が他の領域より小さい
領域上に形成されている。
Next, each of the thin film 23 for forming the thin film resistor and the thin film 25 for forming the wiring is patterned into a predetermined shape. This can be performed by, for example, a known lithography technique and etching technique. Thereby, the thin film resistor 23a and the wiring 25a are formed (FIG. 3). As can be seen from FIG. 3, the thin film resistor 23a is formed on a region of the insulating resin layer 13 where the surface roughness is smaller than other regions.

【0021】なお、ここでは薄膜抵抗体形成用の薄膜2
3および配線形成用の薄膜25を順次に形成し、そして
これらをパターニングする例を説明したが、薄膜抵抗体
形成用の薄膜23を形成した後にまずこのパターニング
をし、その後に配線形成用の薄膜25を形成しそしてそ
のパターニングを行なうようにしても良い。
Here, a thin film 2 for forming a thin film resistor is used.
3 and a thin film 25 for forming a wiring are sequentially formed, and an example of patterning them is described. However, after forming a thin film 23 for forming a thin film resistor, this patterning is performed first, and then a thin film for forming a wiring is formed. 25 may be formed and patterned.

【0022】次に、配線基板の安定化を図るために、絶
縁性感光性樹脂層13の未反応感光性基を反応させるに
充分な露光量で該樹脂層13全面を露光する。その後は
さらに上層の配線を形成する場合であれば、図1(A)
〜図3を用い説明した工程を繰り返す。
Next, in order to stabilize the wiring substrate, the entire surface of the insulating photosensitive resin layer 13 is exposed with an exposure amount sufficient to cause the unreacted photosensitive groups to react. After that, if a further upper wiring is to be formed, FIG.
3 are repeated.

【0023】2.第2の実施の形態 上述の第1の実施の形態では絶縁性感光性樹脂層中に、
粗化処理に対する耐性が異なる2種類の領域を選択的露
光により生じさせる例を説明した。しかし、この発明
は、絶縁性感光性樹脂層中に、粗化処理に対する耐性が
異なる3種類の領域を選択的露光により生じさせること
もできる。ここでは、粗化処理に対する耐性が異なる3
種類の領域を選択的露光により生じさせる例を説明す
る。この説明を図4および図5を参照して行なう。
2. Second Embodiment In the first embodiment, the insulating photosensitive resin layer includes:
The example in which two types of regions having different resistances to the roughening process are generated by the selective exposure has been described. However, according to the present invention, three types of regions having different resistances to the roughening treatment can be formed in the insulating photosensitive resin layer by selective exposure. Here, the resistance to the roughening process is different.
An example in which types of regions are generated by selective exposure will be described. This description will be made with reference to FIGS.

【0024】まず、第1の実施の形態において図1
(A)〜(C)を参照して説明した手順で、下地11上
に絶縁性感光性樹脂層13を形成し、さらに該樹脂層1
3にヴィアホール19を形成する(図4(A))。
First, in the first embodiment, FIG.
(A) to (C), an insulating photosensitive resin layer 13 is formed on a base 11, and the resin layer 1
A via hole 19 is formed in 3 (FIG. 4A).

【0025】次に、この第1の実施の形態と同様に絶縁
性感光性樹脂層13をマスク21により覆い、そして絶
縁性感光性樹脂層13をマスク21を通し露光する(図
4(B))。ここでは、第1の実施の形態同様、絶縁性
樹脂層13の薄膜抵抗体形成予定領域13bにおける未
反応感光基を実質的に完全に架橋させ得る程度の充分な
露光量(例えば数1000mJ/cm2 )で露光をす
る。
Next, as in the first embodiment, the insulating photosensitive resin layer 13 is covered with a mask 21 and the insulating photosensitive resin layer 13 is exposed through the mask 21 (FIG. 4B). ). Here, as in the first embodiment, a sufficient exposure amount (for example, several thousand mJ / cm) enough to substantially completely cross-link unreacted photosensitive groups in the thin-film resistor formation scheduled region 13b of the insulating resin layer 13 is obtained. 2 ) Exposure.

【0026】次に、絶縁性感光性樹脂層13の配線形成
予定領域であってその内の外部部品等接続部分(例えば
ハンダ付け等がされる配線部分)を遮光できるマスク3
1により該樹脂層13を覆い、次に、絶縁性感光性樹脂
層13をこのマスク31を通し露光する(図4
(C))。この際の露光量は、先の薄膜抵抗体形成予定
領域13bを露光した際の露光量よりは少ない所定の露
光量とする。この所定の露光量とは、後に形成される配
線の絶縁性感光性樹脂層13に対する必要最小限の密着
性が確保される程度の表面粗化が後の粗化処理でなされ
る程度に、粗化耐性を樹脂層13に与え得る露光量であ
る。またこの露光に当たって用いるマスク31の遮光部
の面積は、ハンダ付け等がされる配線部分の設計面積よ
り少し大きめにしておくのが良い。こうした方が、露光
の際のマスクずれや、製造工程中で生じる基板の伸長や
縮小などに起因する下地の変形、後に行なう配線形成用
薄膜のパターニングずれなどがあっても、この配線部分
を所定表面粗度の領域内に予定通り形成できるからであ
る。
Next, a mask 3 that can shield light in the connection area of the insulating photosensitive resin layer 13 where wiring is to be formed and in which connection parts such as external parts (for example, wiring parts to be soldered or the like) are to be formed.
1 to cover the resin layer 13, and then expose the insulating photosensitive resin layer 13 through the mask 31 (FIG. 4).
(C)). The exposure amount at this time is a predetermined exposure amount that is smaller than the exposure amount at the time of exposing the thin film resistor formation scheduled area 13b. The predetermined exposure amount is such that the surface is roughened in a later roughening process to secure the necessary minimum adhesion of the wiring formed later to the insulating photosensitive resin layer 13. It is an exposure amount that can provide the resin layer 13 with oxidation resistance. The area of the light-shielding portion of the mask 31 used for this exposure is preferably slightly larger than the design area of the wiring portion to be soldered or the like. In such a case, even if there is a mask shift at the time of exposure, a deformation of a base caused by elongation or shrinkage of a substrate occurring during a manufacturing process, or a patterning shift of a thin film for forming a wiring to be performed later, this wiring portion is determined by a predetermined amount. This is because it can be formed as expected in the region of the surface roughness.

【0027】次に、この試料に対し第1の実施の形態に
おいて説明したと同様の手順で粗化処理をする。この粗
化処理では、絶縁性感光性樹脂層13における薄膜抵抗
体形成予定領域13bが最も粗化されにくく、次に、マ
スク31を通して露光した際に遮光されていた部分が粗
化されにくく、次にマスク21を通して露光した際にも
遮光されかつマスク31を通して露光した際にも遮光さ
れていた部分が粗化されにくい(最も粗化され易い)の
で、絶縁性感光性樹脂層13には表面粗度が異なる3種
類の領域が生じる。これらの様子を図5(A)に示す。
図5(A)中、領域Iは表面粗度が小さい領域であって
後に薄膜抵抗体が形成される領域、IIは表面粗度が大
きい領域であって後に配線のうちのハンダ付け等がされ
る部分が形成される領域、III は表面粗度が中程度(配
線の必要最少限の密着性が確保される表面粗度)の領域
であって、後に例えば配線の引き回し部分が形成される
領域である。
Next, this sample is subjected to a roughening treatment in the same procedure as described in the first embodiment. In this roughening treatment, the thin-film resistor forming region 13b in the insulating photosensitive resin layer 13 is most difficult to be roughened. Next, the portion that was shielded when exposed through the mask 31 is hardly roughened. Since the light-shielded portion is hardly roughened when exposed through the mask 21 and the light-shielded portion is hardly roughened even when exposed through the mask 31, the insulating photosensitive resin layer 13 has a rough surface. Three types of regions with different degrees occur. FIG. 5A shows these states.
In FIG. 5A, a region I is a region where the surface roughness is small and a thin film resistor is to be formed later, and a region II is a region where the surface roughness is large and the wiring is later soldered or the like. III is a region where the surface roughness is medium (surface roughness that ensures the minimum required adhesion of the wiring) and, for example, a region where the wiring routing portion is formed later It is.

【0028】粗化処理の済んだ絶縁性感光性樹脂層上に
第1の実施の形態において説明した手順と同様の手順に
より、薄膜抵抗体形成用の薄膜23および配線形成用の
薄膜25を形成し(図5(B))、さらにそれらのパタ
ーニングをして、薄膜抵抗体23aおよび配線25aが
それぞれ形成される(図5(C))。図5(C)からも
分かるように、薄膜抵抗体23aは絶縁性樹脂層13に
おける表面粗度が最も小さい領域上に形成され、配線2
3aのうちのハンダ付けなどがされる部分は絶縁性樹脂
層13における表面粗度が最も大きい領域上に形成さ
れ、配線23aのうちの引き回し部分は絶縁性樹脂層1
3における表面粗度が中程度の領域上に形成されてい
る。
On the roughened insulating photosensitive resin layer, a thin film 23 for forming a thin film resistor and a thin film 25 for forming a wiring are formed by the same procedure as that described in the first embodiment. Then, the thin film resistor 23a and the wiring 25a are respectively formed by patterning them (FIG. 5C). As can be seen from FIG. 5C, the thin film resistor 23a is formed on the region of the insulating resin layer 13 where the surface roughness is the smallest, and the wiring 2
3a is formed on a region of the insulating resin layer 13 where the surface roughness is the highest, and the leading portion of the wiring 23a is formed of the insulating resin layer 1.
3 is formed on a region where the surface roughness is medium.

【0029】次に、配線基板の安定化を図るために、絶
縁性感光性樹脂層13の未反応感光性基を反応させるに
充分な露光量で該樹脂層13を露光する。その後はさら
に上層の配線を形成する場合であれば、図4(A)〜図
5を用い説明した工程を繰り返す。
Next, in order to stabilize the wiring substrate, the insulating photosensitive resin layer 13 is exposed to light at an exposure amount sufficient to cause the unreacted photosensitive groups to react. Thereafter, if a further upper layer wiring is to be formed, the steps described with reference to FIGS. 4A to 5 are repeated.

【0030】この第2の実施の形態の配線形成方法によ
れば、表面粗度が中程度の樹脂層部分上に、配線25a
のうちの引き回し部分を、簡易に形成できる。よって高
速信号を扱う場合でも配線の引き回し部分での伝送損失
が従来に比べ少ない配線基板が得られる。
According to the wiring forming method of the second embodiment, the wiring 25a is formed on the resin layer having a medium surface roughness.
Can be easily formed. Therefore, even when a high-speed signal is handled, a wiring board with less transmission loss at the wiring routing portion than in the related art can be obtained.

【0031】上述においてはこの発明のいくつかの実施
の形態について説明したが、この発明は上述の実施の形
態に限られない。例えば上述の実施の形態では絶縁性感
光性樹脂層としてネガ型でアルカリ現像型のエポキシ樹
脂層を用いる例を説明したが感光性樹脂層は露光量の調
整により粗化工程の耐性が調整できるものであれば他の
ものでも良い。また、配線基板の形成方法に係る発明
は、薄膜抵抗体を有した配線基板の形成に限らず、絶縁
性感光性樹脂層の一部に表面粗度の異なる領域を形成す
る必要がある配線基板の形成に広く適用出来る。
Although some embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in the above-described embodiment, an example is described in which a negative-type and alkali-developable epoxy resin layer is used as the insulating photosensitive resin layer. However, the photosensitive resin layer can adjust the resistance of the roughening step by adjusting the exposure amount If so, other things may be used. Further, the invention according to the method for forming a wiring board is not limited to the formation of a wiring board having a thin film resistor, and it is necessary to form a region having a different surface roughness in a part of an insulating photosensitive resin layer. Widely applicable to the formation of

【0032】[0032]

【発明の効果】上述した説明から明らかなようにこの出
願の配線基板の発明によれば、絶縁性樹脂層と該絶縁性
樹脂層上に設けられた配線および薄膜抵抗体とを具える
配線基板において、絶縁性樹脂層における薄膜抵抗体が
形成されている部分の表面粗度が、該絶縁性樹脂層にお
ける配線が形成されている部分の表面粗度に比べて小さ
くなっている(平坦性が良くなっている)。そのため膜
厚が均一でかつ縁部の形状も所望の形状となった薄膜抵
抗体を有した配線基板が得られる。また、この配線基板
の発明であって樹脂層における配線の引き回し部分が形
成される領域の表面粗度を、配線の外部部品接続部分が
形成される部分より小さくする構成では、配線の引き回
し部分での信号の伝送損失を低減しつつ、必要な密着強
度も確保された配線基板が得られる。
As is apparent from the above description, according to the invention of the wiring board of the present application, the wiring board including the insulating resin layer, the wiring and the thin film resistor provided on the insulating resin layer In (2), the surface roughness of the portion of the insulating resin layer where the thin film resistor is formed is smaller than the surface roughness of the portion where the wiring is formed in the insulating resin layer (the flatness is low). Better). Therefore, a wiring board having a thin film resistor having a uniform thickness and a desired edge shape can be obtained. Further, in the invention of this wiring board, in the configuration in which the surface roughness of the region where the wiring routing portion is formed in the resin layer is smaller than that of the portion where the external component connection portion of the wiring is formed, the wiring routing portion may be used. Thus, a wiring board is obtained in which the required adhesion strength is secured while reducing the signal transmission loss.

【0033】またこの発明の配線基板の形成方法によれ
ば、下地上に絶縁性感光性樹脂層を形成する工程と、該
感光性樹脂層を配線基板に即した形状となるよう露光・
現像する工程と、前記露光・現像済みの感光性樹脂層表
面を粗化する工程と、前記粗化が済んだ感光性樹脂層上
に配線構成成分を形成する工程とを含む配線基板の形成
方法において、前記粗化工程の前に、前記感光性樹脂層
の一部領域に対し、該一部領域の前記粗化工程に対する
耐性を他の領域と違えるための選択的な露光を実施す
る。そのため1回の粗化工程で樹脂層には少なくとも2
種類の表面粗度を有した領域が形成される。したがっ
て、この発明の形成方法によれば、絶縁性樹脂層の薄膜
抵抗体形成予定領域の表面粗度や該樹脂層の配線形成予
定領域の表面粗度を簡易に制御できる。そのため、表面
粗度が平坦な絶縁性樹脂層部分上に薄膜抵抗体を形成で
きるので、形成される薄膜抵抗体は抵抗値のバラツキが
従来より小さなものとなる。したがって、抵抗値のトリ
ミング作業を不要とすることが可能になり、配線基板の
製造工程の簡素化、製造コストの低減が図れる。
Further, according to the method for forming a wiring board of the present invention, a step of forming an insulating photosensitive resin layer on a base, and a step of exposing the photosensitive resin layer to a shape suitable for the wiring board.
A method of forming a wiring board, comprising: a step of developing; a step of roughening the surface of the exposed and developed photosensitive resin layer; and a step of forming wiring components on the roughened photosensitive resin layer. In the method, prior to the roughening step, selective exposure is performed on a partial region of the photosensitive resin layer so that the partial region has different resistance to the roughening step from other regions. Therefore, at least two resin layers are formed in one roughening step.
Regions having different types of surface roughness are formed. Therefore, according to the formation method of the present invention, the surface roughness of the insulating resin layer in the region where the thin film resistor is to be formed and the surface roughness of the region where the wiring is to be formed in the resin layer can be easily controlled. Therefore, since the thin film resistor can be formed on the insulating resin layer portion having a flat surface roughness, the formed thin film resistor has a smaller variation in resistance value than before. Therefore, it is possible to eliminate the need for trimming the resistance value, thereby simplifying the manufacturing process of the wiring board and reducing the manufacturing cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態の説明図であり、配線基板の
製造工程図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a first embodiment, illustrating a manufacturing process of a wiring board;

【図2】第1の実施の形態の説明図であり、配線基板の
図1に続く製造工程図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of the first embodiment, and is a manufacturing process diagram following the FIG. 1 of the wiring board;

【図3】第1の実施の形態の説明図であり、配線基板の
図2に続く製造工程図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of the first embodiment, and is a manufacturing process diagram subsequent to FIG. 2 of the wiring board;

【図4】第2の実施の形態の説明図であり、配線基板の
製造工程図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of the second embodiment, and is a view illustrating a manufacturing process of a wiring board;

【図5】第2の実施の形態の説明図であり、配線基板の
図4に続く製造工程図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of the second embodiment, and is a manufacturing process diagram following FIG. 4 of the wiring board;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11:下地 13:絶縁性感光性樹脂層 13a:ヴィアホール形成予定領域 13b:薄膜抵抗体形成予定領域 15:マスク 17:紫外線 19:ヴィアホール 21:マスク 23:薄膜抵抗体形成用薄膜 25:配線形成用薄膜 23a:薄膜抵抗体 25a:配線 31:マスク I:表面粗度が小さい領域 II: 表面粗度が大きい領域 III :表面粗度が中程度の領域 11: Base 13: Insulating photosensitive resin layer 13a: Via hole formation planned area 13b: Thin film resistor formation planned area 15: Mask 17: Ultraviolet light 19: Via hole 21: Mask 23: Thin film for forming a thin film resistor 25: Wiring Forming thin film 23a: Thin film resistor 25a: Wiring 31: Mask I: Area with low surface roughness II: Area with high surface roughness III: Area with medium surface roughness

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中久木 穂 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 板谷 哲 新潟県上越市福田町1番地 沖プリンテッ ドサーキット株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor: Ho Nakashiki 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd. Circuit Corporation

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁性樹脂層と、該絶縁性樹脂層上に設
けられた配線および薄膜抵抗体とを具える配線基板にお
いて、 絶縁性樹脂層における薄膜抵抗体が形成されている領域
の表面粗度が、該絶縁性樹脂層における配線が形成され
ている領域の表面粗度に比べて小さくなっていることを
特徴とする配線基板。
1. A wiring board comprising an insulating resin layer, and a wiring and a thin film resistor provided on the insulating resin layer, a surface of a region of the insulating resin layer where the thin film resistor is formed. A wiring substrate, wherein the roughness is smaller than the surface roughness of a region of the insulating resin layer where the wiring is formed.
【請求項2】 請求項1に記載の配線基板において、 前記絶縁性樹脂層における薄膜抵抗体が形成されている
領域の表面粗度が、前記薄膜抵抗体の抵抗値のバラツキ
を生じさせる一因に実質的にならない程度に、小さくな
っていることを特徴とする配線基板。
2. The wiring board according to claim 1, wherein the surface roughness of a region of the insulating resin layer where the thin-film resistor is formed causes a variation in the resistance value of the thin-film resistor. A wiring board characterized in that the wiring board is reduced to such an extent that the wiring board is not substantially reduced.
【請求項3】 請求項1に記載の配線基板において、 前記絶縁性樹脂層における配線の引き回し部分が形成さ
れている領域の表面粗度が、該配線の外部部品接続部分
が形成されている領域の表面粗度に比べて小さくなって
いることを特徴とする配線基板。
3. The wiring board according to claim 1, wherein the surface roughness of a region of the insulating resin layer where a wiring routing portion is formed is a region where an external component connection portion of the wiring is formed. A wiring board characterized in that the surface roughness is smaller than the surface roughness of the wiring board.
【請求項4】 請求項1に記載の配線基板において、 前記配線基板は、 前記絶縁性樹脂層に対する前記配線の密着強度を確保で
きる程度に前記絶縁性樹脂層の表面粗度を粗くしたので
はその凹凸に起因して前記薄膜抵抗体の抵抗値精度が低
下してしまう程度に、薄膜抵抗体の膜厚が薄くされてい
る配線基板であることを特徴とする配線基板。
4. The wiring board according to claim 1, wherein the wiring board has roughened the surface roughness of the insulating resin layer to such an extent that the adhesive strength of the wiring to the insulating resin layer can be secured. A wiring board, wherein the thickness of the thin-film resistor is reduced to such an extent that the resistance value accuracy of the thin-film resistor is reduced due to the unevenness.
【請求項5】 請求項1に記載の配線基板において、 前記絶縁性樹脂層がネガ型の感光性樹脂を加工して構成
された絶縁性樹脂層であることを特徴とする配線基板。
5. The wiring board according to claim 1, wherein the insulating resin layer is an insulating resin layer formed by processing a negative photosensitive resin.
【請求項6】 下地上に絶縁性感光性樹脂層を形成する
工程と、該感光性樹脂層を配線基板に即した形状となる
よう露光・現像する工程と、前記露光・現像済みの感光
性樹脂層表面を粗化する工程と、前記粗化が済んだ感光
性樹脂層上に配線構成成分を形成する工程とを含む配線
基板の形成方法において、 前記粗化工程の前に、前記感光性樹脂層の一部領域に対
し、該一部領域の前記粗化工程に対する耐性を他の領域
と違えるための選択的な露光を実施することを特徴とす
る配線基板の形成方法(ただし、複数の一部領域に対し
それぞれ異なる露光条件で露光する場合も含む)。
6. A step of forming an insulative photosensitive resin layer on a lower ground, a step of exposing and developing the photosensitive resin layer so as to have a shape conforming to a wiring board, and a step of exposing and developing the photosensitive resin layer. A method for forming a wiring board, comprising: a step of roughening a surface of a resin layer; and a step of forming wiring components on the roughened photosensitive resin layer. A method for forming a wiring substrate, wherein a selective exposure is performed on a partial region of the resin layer so as to make the partial region resistant to the roughening process different from other regions. (Includes a case where a partial region is exposed under different exposure conditions.)
【請求項7】 下地上に絶縁性感光性樹脂層を形成する
工程と、該感光性樹脂層を配線基板に即した形状となる
よう露光・現像する工程と、前記露光・現像済みの感光
性樹脂層表面を粗化する工程と、前記粗化が済んだ感光
性樹脂層上に配線および薄膜抵抗体を形成する工程とを
含む配線基板の形成方法において、 前記粗化工程の前に、前記感光性樹脂層における薄膜抵
抗体形成予定領域の前記粗化工程に対する耐性が他の領
域より向上するように、前記感光性樹脂層に選択的な露
光をすることを特徴とする配線基板の形成方法。
7. A step of forming an insulative photosensitive resin layer on an underlayer, a step of exposing and developing the photosensitive resin layer to have a shape conforming to a wiring substrate, and a step of exposing and developing the photosensitive resin layer. In a method for forming a wiring board, comprising: a step of roughening a resin layer surface; and a step of forming a wiring and a thin-film resistor on the roughened photosensitive resin layer, wherein before the roughening step, A method for forming a wiring board, comprising: selectively exposing the photosensitive resin layer to a region where a thin-film resistor is to be formed in the photosensitive resin layer so that the resistance to the roughening step is higher than in other regions. .
【請求項8】 請求項7に記載の配線基板の形成方法に
おいて、 前記選択的な露光が、 前記粗化処理後においても前記薄膜抵抗体形成予定領域
の表面粗度が前記薄膜抵抗体の抵抗値のバラツキを生じ
させる一因に実質的にならない程度に小さい状態に維持
されるように、前記形成予定領域に前記粗化処理耐性を
与える露光であることを特徴とする配線基板の形成方
法。
8. The method for forming a wiring board according to claim 7, wherein the selective exposure is performed such that the surface roughness of the thin film resistor formation scheduled area is equal to the resistance of the thin film resistor even after the roughening process. A method for forming a wiring substrate, comprising: performing exposure to impart the roughening treatment resistance to the formation scheduled region so as to be maintained in a small state that does not substantially cause a variation in value.
【請求項9】 請求項6または7に記載の配線基板の形
成方法において、 前記絶縁性感光性樹脂としてネガ型の感光性樹脂を用
い、 前記耐性は、前記ネガ型感光性樹脂での光架橋反応を該
樹脂に対する露光量によって調整することで与えること
を特徴とする配線基板の形成方法。
9. The method for forming a wiring board according to claim 6, wherein a negative photosensitive resin is used as the insulating photosensitive resin, and the resistance is the photo-crosslinking with the negative photosensitive resin. A method for forming a wiring board, wherein the reaction is provided by adjusting the amount of exposure to the resin.
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