JPH1081754A - 金属錯体ポリマー - Google Patents
金属錯体ポリマーInfo
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- JPH1081754A JPH1081754A JP23668596A JP23668596A JPH1081754A JP H1081754 A JPH1081754 A JP H1081754A JP 23668596 A JP23668596 A JP 23668596A JP 23668596 A JP23668596 A JP 23668596A JP H1081754 A JPH1081754 A JP H1081754A
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 可視光にも光導電性を示し、製膜性に優れ、
且つ耐光性の高い光導電性材料を提供すること。 【解決手段】 下記式（Ｉ）で表される金属錯体ポリマ
ー。 【化１】 （式中、Ｅは、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＳｎを表し、Ｍは、
遷移金属原子を表し、Ｌは、配位子を表し、Ｒは有機基
を表し、ｍは０〜３の整数を表し、ｎは１〜４の整数を
表し、ｘは１〜６の整数を表し、ｙは１０〜１００の整
数を表し、ｚは１０以上の整数であって、ｙ：ｚが０．
１：０．９〜０．５：０．５の範囲である。）
且つ耐光性の高い光導電性材料を提供すること。 【解決手段】 下記式（Ｉ）で表される金属錯体ポリマ
ー。 【化１】 （式中、Ｅは、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＳｎを表し、Ｍは、
遷移金属原子を表し、Ｌは、配位子を表し、Ｒは有機基
を表し、ｍは０〜３の整数を表し、ｎは１〜４の整数を
表し、ｘは１〜６の整数を表し、ｙは１０〜１００の整
数を表し、ｚは１０以上の整数であって、ｙ：ｚが０．
１：０．９〜０．５：０．５の範囲である。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な金属錯体ポ
リマーに関し、より詳しくは光導電性材料として使用さ
れる金属錯体ポリマーに関する。
リマーに関し、より詳しくは光導電性材料として使用さ
れる金属錯体ポリマーに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光導電性材料としては、下記式
【０００３】
【化２】 （式中、ｐは数十〜数万の整数を表す）で表されるよう
なπ共役高分子系の材料や、下記式
なπ共役高分子系の材料や、下記式
【０００４】
【化３】 （式中、Ｅは、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＳｎを表し、ｑは数
百〜数万の整数を表す）で表されるσ共役高分子系の材
料が提案されている。
百〜数万の整数を表す）で表されるσ共役高分子系の材
料が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記π共役高分子系の
材料は、可視光により光導電性を示すが、効率が低いた
め、通常はフラーレンなどの電子受容性の化合物を添加
して使用せざるを得ない。また、π共役高分子系の材料
は有機溶媒に対する溶解性が悪いため、製膜法が限られ
ているという問題があった。一方、σ共役高分子系の材
料は、ホール移動度は大きいが、可視領域に吸収がな
く、紫外光にしか光導電性を示さないという問題があっ
た。また、光に対する耐久性が低いため、実用性に乏し
かった。従って、本発明は可視光にも光導電性を示し、
製膜性に優れ、且つ耐光性の高い光導電性材料を提供す
ることを目的とする。
材料は、可視光により光導電性を示すが、効率が低いた
め、通常はフラーレンなどの電子受容性の化合物を添加
して使用せざるを得ない。また、π共役高分子系の材料
は有機溶媒に対する溶解性が悪いため、製膜法が限られ
ているという問題があった。一方、σ共役高分子系の材
料は、ホール移動度は大きいが、可視領域に吸収がな
く、紫外光にしか光導電性を示さないという問題があっ
た。また、光に対する耐久性が低いため、実用性に乏し
かった。従って、本発明は可視光にも光導電性を示し、
製膜性に優れ、且つ耐光性の高い光導電性材料を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、
【０００７】
【化４】
【０００８】（式中、Ｅは、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＳｎを
表し、Ｍは、遷移金属原子を表し、Ｌは、配位子を表
し、Ｒは有機基を表し、ｍは０〜３の整数を表し、ｎは
１〜４の整数を表し、ｘは１〜６の整数を表し、ｙは１
０〜１００の整数を表し、ｚは１０以上の整数であっ
て、ｙ：ｚが０．１：０．９〜０．５：０．５の範囲で
ある金属錯体ポリマーに関する。
表し、Ｍは、遷移金属原子を表し、Ｌは、配位子を表
し、Ｒは有機基を表し、ｍは０〜３の整数を表し、ｎは
１〜４の整数を表し、ｘは１〜６の整数を表し、ｙは１
０〜１００の整数を表し、ｚは１０以上の整数であっ
て、ｙ：ｚが０．１：０．９〜０．５：０．５の範囲で
ある金属錯体ポリマーに関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】Ｍで表される遷移金属原子の例と
しては、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆ
ｅ、Ｃｕ等が挙げられる。但し、合成の簡便さ、熱及び
光耐久性、並びに耐酸化性などの観点から、Ｒｕが好ま
しい。Ｌで表される配位子の例としては、ビピリジン、
ホスフィン、フェナントレンカルボニル等が挙げられ
る。Ｒで表される有機基の例としては、未置換または置
換された脂肪族アルキル基、未置換または置換された脂
環式基、未置換または置換された芳香族基が挙げられ
る。未置換または置換された脂肪族アルキル基は、例え
ば、炭素原子数１〜１０個、好ましくは１〜６個の低級
アルキル基、特に好ましくは３〜４個の炭素原子を有す
るアルキル基ものである。その例として、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル、ｎ−ヘキシルが挙げられる。芳香族基は、好ましく
は６〜１２個、特に６個の炭素原子を有するものであ
る。その例として、フェニル基、ナフチル、トルイル、
ペンタフルオロフェニルが挙げられる。
しては、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆ
ｅ、Ｃｕ等が挙げられる。但し、合成の簡便さ、熱及び
光耐久性、並びに耐酸化性などの観点から、Ｒｕが好ま
しい。Ｌで表される配位子の例としては、ビピリジン、
ホスフィン、フェナントレンカルボニル等が挙げられ
る。Ｒで表される有機基の例としては、未置換または置
換された脂肪族アルキル基、未置換または置換された脂
環式基、未置換または置換された芳香族基が挙げられ
る。未置換または置換された脂肪族アルキル基は、例え
ば、炭素原子数１〜１０個、好ましくは１〜６個の低級
アルキル基、特に好ましくは３〜４個の炭素原子を有す
るアルキル基ものである。その例として、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチ
ル、ｎ−ヘキシルが挙げられる。芳香族基は、好ましく
は６〜１２個、特に６個の炭素原子を有するものであ
る。その例として、フェニル基、ナフチル、トルイル、
ペンタフルオロフェニルが挙げられる。
【００１０】ｍは遷移金属イオンのイオン価であり、遷
移金属の種類に応じて０〜３の整数を表す。ｎは遷移金
属イオンに配位する配位子の数であり、遷移金属のイオ
ン価と配位子の種類に応じて１〜４の整数である。ｘは
１〜６、好ましくは２〜６、特に２〜４の整数を表す。
ｙは１０〜１００の整数を表す。ｚは１０以上の整数で
あって、ｙ：ｚの比に応じて変化する。また、ｙ：ｚの
比は、０．１：０．９〜０．５：０．５の範囲であり、
好ましくは０．３：０．７〜０．４：０．６の範囲であ
る。ｘ及びｙ：ｚの比によりポリマー中に含まれる遷移
金属イオンの割合が変化する。本発明の金属錯体ポリマ
ーの数平均分子量（Ｍｎ）は、約1,000 〜100,000 の範
囲であり、各種溶媒に対する溶解性という観点から、好
ましくは１〜２万の範囲である。本発明の金属錯体ポリ
マーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、約1,000 〜100,000
の範囲であり、溶解性、製膜性という観点から、好まし
くは１〜２万である。
移金属の種類に応じて０〜３の整数を表す。ｎは遷移金
属イオンに配位する配位子の数であり、遷移金属のイオ
ン価と配位子の種類に応じて１〜４の整数である。ｘは
１〜６、好ましくは２〜６、特に２〜４の整数を表す。
ｙは１０〜１００の整数を表す。ｚは１０以上の整数で
あって、ｙ：ｚの比に応じて変化する。また、ｙ：ｚの
比は、０．１：０．９〜０．５：０．５の範囲であり、
好ましくは０．３：０．７〜０．４：０．６の範囲であ
る。ｘ及びｙ：ｚの比によりポリマー中に含まれる遷移
金属イオンの割合が変化する。本発明の金属錯体ポリマ
ーの数平均分子量（Ｍｎ）は、約1,000 〜100,000 の範
囲であり、各種溶媒に対する溶解性という観点から、好
ましくは１〜２万の範囲である。本発明の金属錯体ポリ
マーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、約1,000 〜100,000
の範囲であり、溶解性、製膜性という観点から、好まし
くは１〜２万である。
【００１１】金属錯体ポリマーの製法 本発明の金属錯体ポリマーは、下記の方法により合成さ
れ得る。 （Ａ） 出発物質の製造 下記の反応式に従い、出発物質(II)を製造する。
れ得る。 （Ａ） 出発物質の製造 下記の反応式に従い、出発物質(II)を製造する。
【００１２】
【化５】 （式中、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｅ，Ｒ，及びｘは上
記式（Ｉ）で定義した意味を表す） （Ｂ） 出発物質(II)を用い、触媒の存在下、脱ハロゲ
ン化カップリング反応を行うことにより、下記式で表さ
れるポリマーを製造する。
記式（Ｉ）で定義した意味を表す） （Ｂ） 出発物質(II)を用い、触媒の存在下、脱ハロゲ
ン化カップリング反応を行うことにより、下記式で表さ
れるポリマーを製造する。
【００１３】
【化６】 （式中、Ｅ，Ｒ，及びｘは上記式（Ｉ）で定義した意味
を表し、ｗは１０〜１００の整数を表す）
を表し、ｗは１０〜１００の整数を表す）
【００１４】触媒としては、ニッケル、パラジウムを使
用し得る。溶媒としては、ＴＨＦ、ＤＭＦ等を使用し得
る。反応温度は、通常５０〜１００℃の範囲であり、溶
媒としてＴＨＦを用いる場合６０〜６６℃の範囲、特に
６６℃であり、溶媒としてＤＭＦを用いる場合７０〜９
０℃の範囲、特に８０℃である。反応時間は、通常２〜
６時間、好ましくは２〜３時間時間である。 （Ｃ） （Ｂ）で得られたポリマーを、適当な溶媒中、
還流下で遷移金属錯体と反応させることにより、式
（Ｉ）の金属錯体ポリマーが得られる。
用し得る。溶媒としては、ＴＨＦ、ＤＭＦ等を使用し得
る。反応温度は、通常５０〜１００℃の範囲であり、溶
媒としてＴＨＦを用いる場合６０〜６６℃の範囲、特に
６６℃であり、溶媒としてＤＭＦを用いる場合７０〜９
０℃の範囲、特に８０℃である。反応時間は、通常２〜
６時間、好ましくは２〜３時間時間である。 （Ｃ） （Ｂ）で得られたポリマーを、適当な溶媒中、
還流下で遷移金属錯体と反応させることにより、式
（Ｉ）の金属錯体ポリマーが得られる。
【００１５】
【化７】 （式中、Ｅ，Ｍ，Ｌ，Ｒ，ｍ，ｎ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚは、
上記で定義した意味を表す） 溶媒としては、1,2-ジクロロエタン、塩化メチレン、エ
タノール、トルエン等を使用し得る。反応温度は、通常
２０〜１１０℃、好ましくは７０〜１１０℃の範囲であ
る。反応時間は、通常１〜２４時間、好ましくは５〜１
０時間の範囲である。
上記で定義した意味を表す） 溶媒としては、1,2-ジクロロエタン、塩化メチレン、エ
タノール、トルエン等を使用し得る。反応温度は、通常
２０〜１１０℃、好ましくは７０〜１１０℃の範囲であ
る。反応時間は、通常１〜２４時間、好ましくは５〜１
０時間の範囲である。
【００１６】この反応において、反応に用いる遷移金属
錯体を変えることにより、異なる遷移金属が配位された
金属錯体ポリマーを得ることができ、これにより、可視
光領域、近赤外領域の波長にも対応させることが可能に
なる。例えばルテニウム、白金を配位させた場合には、
400 〜500 nm付近、オスミウムを配位させた場合には50
0 〜700nm 付近の波長の光に対応し得る光導電性材料を
得ることができる。また、各種レーザー (半導体レーザ
ー等) に対応し得る光導電性材料を得ることもできる。
種々の遷移金属を配位した金属錯体ポリマーの合成例を
下記の反応式にまとめて示す。
錯体を変えることにより、異なる遷移金属が配位された
金属錯体ポリマーを得ることができ、これにより、可視
光領域、近赤外領域の波長にも対応させることが可能に
なる。例えばルテニウム、白金を配位させた場合には、
400 〜500 nm付近、オスミウムを配位させた場合には50
0 〜700nm 付近の波長の光に対応し得る光導電性材料を
得ることができる。また、各種レーザー (半導体レーザ
ー等) に対応し得る光導電性材料を得ることもできる。
種々の遷移金属を配位した金属錯体ポリマーの合成例を
下記の反応式にまとめて示す。
【００１７】
【化８】
【００１８】本発明の金属錯体ポリマーは、有機溶媒に
対する溶解性に優れており、キャスティング、スピンコ
ーティング、ディッピング等の方法により容易に製膜し
得る。従って、光導電素子、フォトダイオード、フォト
トランジスタ、太陽電池、電子写真用感光材料等の光電
変換素子等として、幅広く利用され得る。
対する溶解性に優れており、キャスティング、スピンコ
ーティング、ディッピング等の方法により容易に製膜し
得る。従って、光導電素子、フォトダイオード、フォト
トランジスタ、太陽電池、電子写真用感光材料等の光電
変換素子等として、幅広く利用され得る。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいてさらに説明
する。製造実施例：ポリ（テトラプロピルジシラニレン−２，
２’−ビピリジン−５，５’−ジイル）のルテニウム錯
体の製造 A) 1,2-ビス (2-ブロモ-5- ピリジル) テトラプロピル
ジシランの合成
する。製造実施例：ポリ（テトラプロピルジシラニレン−２，
２’−ビピリジン−５，５’−ジイル）のルテニウム錯
体の製造 A) 1,2-ビス (2-ブロモ-5- ピリジル) テトラプロピル
ジシランの合成
【００２０】
【化９】
【００２１】2,5-ジブロモピリジン (12.1g)と1.7mol/l
のn-ブチルリチウム溶液(30ml)を、ジエチルエーテル(1
50ml) 中、−７８℃で反応させて、2-ブロモ-5- リチオ
ピリジンを得た。これに、ジエチルエーテル10mlに溶解
させた1,2-ジクロロ-1,1,2,2- テトラプロピルジシラン
(7.24g) を加え、−７８℃で反応させて、1,2-ビス (2-
ブロモ-5- ピリジル) テトラプロピルジシラン(7.59g)
を得た (収率58%)。B) ポリ（テトラプロピルジシラニレン−２，２’−ビ
ピリジン−５，５’−ジイル）の合成
のn-ブチルリチウム溶液(30ml)を、ジエチルエーテル(1
50ml) 中、−７８℃で反応させて、2-ブロモ-5- リチオ
ピリジンを得た。これに、ジエチルエーテル10mlに溶解
させた1,2-ジクロロ-1,1,2,2- テトラプロピルジシラン
(7.24g) を加え、−７８℃で反応させて、1,2-ビス (2-
ブロモ-5- ピリジル) テトラプロピルジシラン(7.59g)
を得た (収率58%)。B) ポリ（テトラプロピルジシラニレン−２，２’−ビ
ピリジン−５，５’−ジイル）の合成
【００２２】
【化１０】
【００２３】Ni(PPh3)2Br(0.87g, 1.17mmol), 亜鉛粉末
(1.50g, 22.9mmol) 及びEt4NI (1.53g, 5.95mmol) を二
首フラスコに入れた。アルゴン下、5 mlの乾燥THF を、
シリンジを介してゴム製セプタム（隔壁）を通して添加
した。得られた混合物を室温で10分間攪拌した後、THF
(10ml)中のA)で得られた1,2-ビス(2- ブロモ-5- ピリジ
ル) テトラプロピルジシラン (6.40g, 11.8 mmol) の溶
液をシリンジを介して添加した。得られた反応混合物
を、還流下で２時間加熱し、その後濾過した。濾液をア
ンモニア水溶液に注いだ。有機層を抽出し、溶媒を留去
した後、反応混合物を再沈殿により、純粋な標記ポリマ
ー2.92 g (収率65%)が得られた。GPC によるMw=11000,
Mn=7000, ポリスチレン標準。該ポリマーは、一般的な
溶媒、例えばジクロロメタン、クロロホルム、ベンゼ
ン、及びTHF に非常に良く溶けた。
(1.50g, 22.9mmol) 及びEt4NI (1.53g, 5.95mmol) を二
首フラスコに入れた。アルゴン下、5 mlの乾燥THF を、
シリンジを介してゴム製セプタム（隔壁）を通して添加
した。得られた混合物を室温で10分間攪拌した後、THF
(10ml)中のA)で得られた1,2-ビス(2- ブロモ-5- ピリジ
ル) テトラプロピルジシラン (6.40g, 11.8 mmol) の溶
液をシリンジを介して添加した。得られた反応混合物
を、還流下で２時間加熱し、その後濾過した。濾液をア
ンモニア水溶液に注いだ。有機層を抽出し、溶媒を留去
した後、反応混合物を再沈殿により、純粋な標記ポリマ
ー2.92 g (収率65%)が得られた。GPC によるMw=11000,
Mn=7000, ポリスチレン標準。該ポリマーは、一般的な
溶媒、例えばジクロロメタン、クロロホルム、ベンゼ
ン、及びTHF に非常に良く溶けた。
【００２４】該ポリマーのＮＭＲの結果を下記に示す。1 H NMR (CDCl3): δ0.94-1.02 (m, 20H), 1.30-1.40
(m,8H), 7.73-7.76(m,2H), 8.27-8.32(m,2H), 8.53-8.6
5(m,2H); 13 C NMR (CDCl3): δ14.4 (m), 18.1(m), 1
8.7, 123.3(m), 132.9(m), 142.5(m), 154.2(m), 155.9
(m); 29Si NMR :(CDCl3) δ-20.0Ｃ）ポリ（テトラプロピルジシラニレン−２，２’−ビ
ピリジン−５，５’−ジイル）のルテニウム錯体の製造
(m,8H), 7.73-7.76(m,2H), 8.27-8.32(m,2H), 8.53-8.6
5(m,2H); 13 C NMR (CDCl3): δ14.4 (m), 18.1(m), 1
8.7, 123.3(m), 132.9(m), 142.5(m), 154.2(m), 155.9
(m); 29Si NMR :(CDCl3) δ-20.0Ｃ）ポリ（テトラプロピルジシラニレン−２，２’−ビ
ピリジン−５，５’−ジイル）のルテニウム錯体の製造
【００２５】
【化１１】 Ｂ）で製造されたポリ（テトラプロピルジシラニレン-
2,2'-ビピリジン-5,5'-ジイル) １ｇと、次式:
2,2'-ビピリジン-5,5'-ジイル) １ｇと、次式:
【００２６】
【化１２】 で表されるビス（ビピリジン）ルテニウム錯体１ｇを10
mlの1,2-ジクロロエタンに溶解し、終夜加熱環流した。
未反応物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで除去
し、標記のルテニウム錯体ポリマー (1.26g)を得た（収
率６３％）。
mlの1,2-ジクロロエタンに溶解し、終夜加熱環流した。
未反応物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで除去
し、標記のルテニウム錯体ポリマー (1.26g)を得た（収
率６３％）。
【００２７】ＮＭＲの結果を下記に示す。1 H NMR (CD2Cl2): δ0.80-1.43 (m, 28H), 7.30-8.68
(m,11.6H); 13 C NMR(CD2Cl2):δ14.3 (m), 18.1(m), 1
20.1(m), 124.1(m), 128.1(m), 138.0(m), 143.1(m), 1
51.3(m), 153.8(m), 156.2(m); 29Si NMR (CD2Cl2): δ
-19.9(m), -19.4 (m) 。 ＮＭＲの結果より、ｙ：ｚの比が０．３５：０．６５で
あることが明らかである。
(m,11.6H); 13 C NMR(CD2Cl2):δ14.3 (m), 18.1(m), 1
20.1(m), 124.1(m), 128.1(m), 138.0(m), 143.1(m), 1
51.3(m), 153.8(m), 156.2(m); 29Si NMR (CD2Cl2): δ
-19.9(m), -19.4 (m) 。 ＮＭＲの結果より、ｙ：ｚの比が０．３５：０．６５で
あることが明らかである。
【００２８】試験例１：製造実施例のＢ）で製造された
ポリ（テトラプロピルジシラニレン-2,2'-ビピリジン-
5,5'-ジイル) （ポリマー１）と、Ｃ）で製造されたル
テニウム錯体ポリマー（ポリマー２）の吸収スペクトル
（ジクロロメタン中）を調べた。結果を図１に示す。
図中、ポリマー１のスペクトルを１で示し、ポリマー２
のスペクトルを２で示した。ポリマー１及びポリマー２
のいずれも、ビピリジンのπ−π*遷移帯の吸収が300nm
付近に認められた。また、ポリマー２の460nm 付近の
広い吸収は、金属から配位子への電荷移動に由来する。
ポリ（テトラプロピルジシラニレン-2,2'-ビピリジン-
5,5'-ジイル) （ポリマー１）と、Ｃ）で製造されたル
テニウム錯体ポリマー（ポリマー２）の吸収スペクトル
（ジクロロメタン中）を調べた。結果を図１に示す。
図中、ポリマー１のスペクトルを１で示し、ポリマー２
のスペクトルを２で示した。ポリマー１及びポリマー２
のいずれも、ビピリジンのπ−π*遷移帯の吸収が300nm
付近に認められた。また、ポリマー２の460nm 付近の
広い吸収は、金属から配位子への電荷移動に由来する。
【００２９】試験例２：製造実施例１で得られた本発明
の金属錯体ポリマーの耐光性を調べるために、空気中、
キセノンランプで４００ｎｍ以上の波長の光を２４時間
照射したところ、吸収スペクトルに変化は認められなか
った。これより、本発明の金属錯体ポリマーが光により
分解されておらず、高い耐光性を有することが明らかで
ある。試験例３： 製造実施例で製造されたルテニウム錯体ポリ
マーの光導電性を、図２に示すサンドイッチ型セルによ
り下記の方法により測定した。上記で得られたルテニウ
ム錯体ポリマーを1,2-ジクロロエタンに溶解し、透明電
極としてＩＴＯ膜３をコートした石英ガラス基板４上に
スピンコートしてルテニウム錯体ポリマーの薄膜５を形
成した。さらに、その上に上部電極６としてアルミニウ
ムを蒸着して素子を作製した。作製した素子に直流電源
を接続して、光導電性を調べた。光を照射しない場合、
ルテニウム錯体ポリマーは絶縁体であった。この素子に
ルテニウム錯体ポリマーの吸収のある４６０ｎｍ付近の
光を透明電極側から照射したところ、光電流が観測され
た。タングステンランプを分光し、光電流強度の波長依
存性を測定した。このスペクトルと、ルテニウム錯体ポ
リマーの吸収スペクトルとを図３のグラフに示した。こ
のグラフより、光電流強度のスペクトルがルテニウム錯
体ポリマーの吸収スペクトルと同様の形状を持ち、光電
流強度が波長依存性であることが明らかである。
の金属錯体ポリマーの耐光性を調べるために、空気中、
キセノンランプで４００ｎｍ以上の波長の光を２４時間
照射したところ、吸収スペクトルに変化は認められなか
った。これより、本発明の金属錯体ポリマーが光により
分解されておらず、高い耐光性を有することが明らかで
ある。試験例３： 製造実施例で製造されたルテニウム錯体ポリ
マーの光導電性を、図２に示すサンドイッチ型セルによ
り下記の方法により測定した。上記で得られたルテニウ
ム錯体ポリマーを1,2-ジクロロエタンに溶解し、透明電
極としてＩＴＯ膜３をコートした石英ガラス基板４上に
スピンコートしてルテニウム錯体ポリマーの薄膜５を形
成した。さらに、その上に上部電極６としてアルミニウ
ムを蒸着して素子を作製した。作製した素子に直流電源
を接続して、光導電性を調べた。光を照射しない場合、
ルテニウム錯体ポリマーは絶縁体であった。この素子に
ルテニウム錯体ポリマーの吸収のある４６０ｎｍ付近の
光を透明電極側から照射したところ、光電流が観測され
た。タングステンランプを分光し、光電流強度の波長依
存性を測定した。このスペクトルと、ルテニウム錯体ポ
リマーの吸収スペクトルとを図３のグラフに示した。こ
のグラフより、光電流強度のスペクトルがルテニウム錯
体ポリマーの吸収スペクトルと同様の形状を持ち、光電
流強度が波長依存性であることが明らかである。
【００３０】
【発明の効果】本発明の金属錯体ポリマーは、可視領
域、近赤外領域にも対応できる。また、有機溶媒に対す
る溶解性に優れており、容易に製膜され得る。さらに、
本発明の金属錯体ポリマーは耐光性にも優れている。従
って、光導電性材料としての性能及び適用性に優れてい
る。
域、近赤外領域にも対応できる。また、有機溶媒に対す
る溶解性に優れており、容易に製膜され得る。さらに、
本発明の金属錯体ポリマーは耐光性にも優れている。従
って、光導電性材料としての性能及び適用性に優れてい
る。
【図１】 製造実施例で製造されたポリ（テトラプロピ
ルジシラニレン-2,2'-ビピリジン-5,5'-ジイル) とルテ
ニウム錯体ポリマーの吸収スペクトルを示すグラフ。
ルジシラニレン-2,2'-ビピリジン-5,5'-ジイル) とルテ
ニウム錯体ポリマーの吸収スペクトルを示すグラフ。
【図２】 製造実施例で製造された金属錯体ポリマーの
試験方法を示す説明図。
試験方法を示す説明図。
【図３】 製造実施例で製造されたルテニウム錯体ポリ
マーの吸収スペクトルと光電流波長依存性スペクトルを
示すグラフ。
マーの吸収スペクトルと光電流波長依存性スペクトルを
示すグラフ。
Claims (5)
- 【請求項１】 下記式（Ｉ）で表される金属錯体ポリマ
ー。 【化１】 （式中、Ｅは、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＳｎを表し、 Ｍは、遷移金属原子を表し、 Ｌは、配位子を表し、 Ｒは有機基を表し、 ｍは０〜３の整数を表し、 ｎは１〜４の整数を表し、 ｘは１〜６の整数を表し、 ｙは１０〜１００の整数を表し、 ｚは１０以上の整数であって、ｙ：ｚが０．１：０．９
〜０．５：０．５の範囲である。） - 【請求項２】 式（Ｉ）中、ＥがＳｉである請求項１記
載の金属錯体ポリマー。 - 【請求項３】 式（Ｉ）中、ＭがＲｕである請求項１ま
たは２記載の金属錯体ポリマー。 - 【請求項４】 式（Ｉ）中、Ｌが2,2'- ビピリジンであ
る請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属錯体ポリマ
ー。 - 【請求項５】 式（Ｉ）中、Ｒが低級アルキル基である
請求項１〜４のいずれか１項に記載の金属錯体ポリマ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23668596A JP3552002B2 (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 金属錯体ポリマー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23668596A JP3552002B2 (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 金属錯体ポリマー |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1081754A true JPH1081754A (ja) | 1998-03-31 |
| JP3552002B2 JP3552002B2 (ja) | 2004-08-11 |
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ID=17004265
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23668596A Expired - Fee Related JP3552002B2 (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 金属錯体ポリマー |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3552002B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001055447A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | アリールシラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子 |
| JP2003060181A (ja) * | 2001-08-16 | 2003-02-28 | Konica Corp | 放射線画像検出器 |
| WO2008081762A1 (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-10 | National Institute For Materials Science | ビス（ターピリジン）化合物金属集積体およびハイブリッドポリマーとその製造方法ならびに用途 |
| JP2010185882A (ja) * | 2010-05-20 | 2010-08-26 | Konica Minolta Holdings Inc | 可搬型放射線画像検出器 |
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| WO2020040026A1 (ja) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 重合体、組成物、エレクトロクロミック素子、調光装置、及び、表示装置 |
-
1996
- 1996-09-06 JP JP23668596A patent/JP3552002B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN112513145A (zh) * | 2018-08-21 | 2021-03-16 | 国立研究开发法人物质·材料研究机构 | 聚合物、组合物、电致变色元件、调光装置和显示装置 |
| JPWO2020040026A1 (ja) * | 2018-08-21 | 2021-08-10 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 重合体、組成物、エレクトロクロミック素子、調光装置、及び、表示装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3552002B2 (ja) | 2004-08-11 |
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