JPH1082364A - 半導体工程用の真空システム - Google Patents
半導体工程用の真空システムInfo
- Publication number
- JPH1082364A JPH1082364A JP9074914A JP7491497A JPH1082364A JP H1082364 A JPH1082364 A JP H1082364A JP 9074914 A JP9074914 A JP 9074914A JP 7491497 A JP7491497 A JP 7491497A JP H1082364 A JPH1082364 A JP H1082364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- process chamber
- vacuum pump
- high vacuum
- rough
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
- F04B37/06—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means
- F04B37/08—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means by condensing or freezing, e.g. cryogenic pumps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の製造工程が遂行される工程チャ
ンバーの内部にクライオトラップを設置して、短時間内
に、真空状態を要望する水準に設定することにある。 【解決手段】 本発明は、ラフ真空ポンプ(Rough Vacuu
m Pump) と高真空ポンプ(High Vacuum Pump)とが設置さ
れて、工程チャンバーの内部を真空状態に設定及び維持
させる半導体工程用の真空システムにおいて、前記工程
チャンバー２０の内部にクライオトラップ(Cryo Trap)
３２が設置されることによって、直接冷却及び凝縮方式
によって、前記工程チャンバー２０内部の真空状態を設
定するように構成されることを特徴とする。
ンバーの内部にクライオトラップを設置して、短時間内
に、真空状態を要望する水準に設定することにある。 【解決手段】 本発明は、ラフ真空ポンプ(Rough Vacuu
m Pump) と高真空ポンプ(High Vacuum Pump)とが設置さ
れて、工程チャンバーの内部を真空状態に設定及び維持
させる半導体工程用の真空システムにおいて、前記工程
チャンバー２０の内部にクライオトラップ(Cryo Trap)
３２が設置されることによって、直接冷却及び凝縮方式
によって、前記工程チャンバー２０内部の真空状態を設
定するように構成されることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体工程用の真
空システムに関するもので、より詳細には半導体装置の
製造工程が遂行される工程チャンバーの内部にクライオ
トラップを設置して、短時間内に真空状態を要望する水
準に設定することができるように改善された半導体工程
用の真空システムに関する。
空システムに関するもので、より詳細には半導体装置の
製造工程が遂行される工程チャンバーの内部にクライオ
トラップを設置して、短時間内に真空状態を要望する水
準に設定することができるように改善された半導体工程
用の真空システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体装置を製造する設備には、
工程遂行またはチャンバー内部の高清浄度の設定のため
に、真空システムが多く設置されている。半導体製造工
程に必要な条件の中で、真空度は最も重要な条件であ
り、特に、近年、半導体装置が高集積化されて行くほ
ど、その重要度が高まっている。
工程遂行またはチャンバー内部の高清浄度の設定のため
に、真空システムが多く設置されている。半導体製造工
程に必要な条件の中で、真空度は最も重要な条件であ
り、特に、近年、半導体装置が高集積化されて行くほ
ど、その重要度が高まっている。
【０００３】半導体装置を製造する工程チャンバーの内
部を真空状態に設定させるためには、２つ方法の真空ポ
ンプが利用されている。まず、第１番目は、工程チャン
バー内部の気体を強制的に真空反応室の外に排出する方
法であり、このような方法を利用したのが機械式ポンプ
及び拡散ポンプである。次に、第２番目は、気体分子等
を排出せず、工程チャンバー内部の表面のある一部分で
凝縮または捕獲する方法であり、低温(Cryogenic)、低
温吸収(Cryosorption)、昇華(Sublimation)、イオンゲ
ッター(Getter-Ion)ポンプ等がその例である。
部を真空状態に設定させるためには、２つ方法の真空ポ
ンプが利用されている。まず、第１番目は、工程チャン
バー内部の気体を強制的に真空反応室の外に排出する方
法であり、このような方法を利用したのが機械式ポンプ
及び拡散ポンプである。次に、第２番目は、気体分子等
を排出せず、工程チャンバー内部の表面のある一部分で
凝縮または捕獲する方法であり、低温(Cryogenic)、低
温吸収(Cryosorption)、昇華(Sublimation)、イオンゲ
ッター(Getter-Ion)ポンプ等がその例である。
【０００４】そして、真空状態は圧力程度によって、ラ
フ真空(Rough Vacuum、1〜10-4Torr)、高真空(High Vac
uum、10-4〜10-8Torr)及び超高真空(Ultrahigh Vacuu
m、10- 8〜10-12Torr)状態とに区分されている。
フ真空(Rough Vacuum、1〜10-4Torr)、高真空(High Vac
uum、10-4〜10-8Torr)及び超高真空(Ultrahigh Vacuu
m、10- 8〜10-12Torr)状態とに区分されている。
【０００５】半導体装置を製造するための工程は、通
常、高真空状態または超高真空状態で多く遂行されてお
り、このために工程チャンバーの内部はまず、ラフ真空
状態に設定されてから、連続されるポンピングによって
高真空または超高真空状態に設定される。従って、従来
の真空システムでは、図２のように、工程チャンバー１
０にラフ真空ポンプ１２と高真空ポンプ１４とが共に設
置されている。
常、高真空状態または超高真空状態で多く遂行されてお
り、このために工程チャンバーの内部はまず、ラフ真空
状態に設定されてから、連続されるポンピングによって
高真空または超高真空状態に設定される。従って、従来
の真空システムでは、図２のように、工程チャンバー１
０にラフ真空ポンプ１２と高真空ポンプ１４とが共に設
置されている。
【０００６】前記ラフ真空ポンプ１２は、初期の真空状
態の設定のために、排気ラインを通じて機械的に工程チ
ャンバー１０内の空気を排出させ、当該空気の排出は排
気ラインに構成されたバルブ１６が開かれながら遂行さ
れる。
態の設定のために、排気ラインを通じて機械的に工程チ
ャンバー１０内の空気を排出させ、当該空気の排出は排
気ラインに構成されたバルブ１６が開かれながら遂行さ
れる。
【０００７】前記ラフ真空ポンプ１２によって、工程チ
ャンバー１０の内部が、ある程度真空度を有するように
なるとバルブ１６が閉じられる。その後にバルブ１８及
び高真空バルブ１９が開かれながら高真空ポンプ１４が
駆動され、それによって工程チャンバー１０の内部は、
要望する水準の高真空状態または超高真空状態に設定さ
れる。
ャンバー１０の内部が、ある程度真空度を有するように
なるとバルブ１６が閉じられる。その後にバルブ１８及
び高真空バルブ１９が開かれながら高真空ポンプ１４が
駆動され、それによって工程チャンバー１０の内部は、
要望する水準の高真空状態または超高真空状態に設定さ
れる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の図２の
ような構成を有する真空システムは、要望する高真空程
度まで到達するために、約２４時間以上の工程時間が所
要された。しかも、近年、半導体装置が漸次的に高集積
化されることによって、工程チャンバーの内部が、より
高い真空度に設定されるように要求されており、真空度
が高いほど工程チャンバーの内部を適正水準に設定する
ための所要時間が長くなり、工程チャンバーの内部を高
い真空度に設定する時間は、漸次的に全体の所要工程時
間に対して占める割合が大きくなった。これによって、
従来の真空システムは、半導体装置の生産性と収率が低
下するという問題点があった。本発明の目的は、半導体
装置の製造工程が遂行される工程チャンバーの内部を短
時間内に要望する水準の高真空または超高真空状態に設
定するための半導体工程用の真空システムを提供するに
ある。
ような構成を有する真空システムは、要望する高真空程
度まで到達するために、約２４時間以上の工程時間が所
要された。しかも、近年、半導体装置が漸次的に高集積
化されることによって、工程チャンバーの内部が、より
高い真空度に設定されるように要求されており、真空度
が高いほど工程チャンバーの内部を適正水準に設定する
ための所要時間が長くなり、工程チャンバーの内部を高
い真空度に設定する時間は、漸次的に全体の所要工程時
間に対して占める割合が大きくなった。これによって、
従来の真空システムは、半導体装置の生産性と収率が低
下するという問題点があった。本発明の目的は、半導体
装置の製造工程が遂行される工程チャンバーの内部を短
時間内に要望する水準の高真空または超高真空状態に設
定するための半導体工程用の真空システムを提供するに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求請１記載の第１の発明による真空システムは、
ラフ真空ポンプ(Rough Vacuum Pump)と高真空ポンプ(Hi
gh Vacuum Pump) とが設置されて、工程チャンバーの内
部を真空状態に設定及び維持させる半導体工程用の真空
システムにおいて、前記工程チャンバーの内部に、クラ
イオトラップ(Cryo Trap) が設置されることにより、直
接冷却及び凝縮方式によって、前記の工程チャンバー内
部の真空状態を設定するように構成されることを要旨と
する。従って、半導体装置の製造工程が遂行される工程
チャンバーの内部を短時間内に要望する水準の高真空ま
たは超高真空状態に設定できる。
に、請求請１記載の第１の発明による真空システムは、
ラフ真空ポンプ(Rough Vacuum Pump)と高真空ポンプ(Hi
gh Vacuum Pump) とが設置されて、工程チャンバーの内
部を真空状態に設定及び維持させる半導体工程用の真空
システムにおいて、前記工程チャンバーの内部に、クラ
イオトラップ(Cryo Trap) が設置されることにより、直
接冷却及び凝縮方式によって、前記の工程チャンバー内
部の真空状態を設定するように構成されることを要旨と
する。従って、半導体装置の製造工程が遂行される工程
チャンバーの内部を短時間内に要望する水準の高真空ま
たは超高真空状態に設定できる。
【００１０】請求請２記載の第２の発明は、前記クライ
オトラップは、前記の工程チャンバーがオープンされる
と自動的に再生動作をするように構成されることが好ま
しい。従って、別途の再生動作を遂行させる必要がな
い。
オトラップは、前記の工程チャンバーがオープンされる
と自動的に再生動作をするように構成されることが好ま
しい。従って、別途の再生動作を遂行させる必要がな
い。
【００１１】請求請３記載の第３の発明は、冷却ガスが
チーラー(Chiller)を経由して、前記クライオトラップ
に供給されるように構成され得ることができる。従っ
て、工程チャンバー内部の気体を急速に冷却及び凝縮で
きる。
チーラー(Chiller)を経由して、前記クライオトラップ
に供給されるように構成され得ることができる。従っ
て、工程チャンバー内部の気体を急速に冷却及び凝縮で
きる。
【００１２】請求請４記載の第４の発明は、前記冷却ガ
スとしてはヘリウムが供給されることが好ましい。従っ
て、工程チャンバー内部の気体を急速に冷却及び凝縮で
きる。
スとしてはヘリウムが供給されることが好ましい。従っ
て、工程チャンバー内部の気体を急速に冷却及び凝縮で
きる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１４】図１を参照すると本発明による実施の形態
は、工程チャンバー２０に高真空バルブ２２及び高真空
ポンプ２４が設置されており、工程チャンバー２０と高
真空ポンプ２４とは、配管を通じてラフ真空ポンプ２６
と連結されており、これらの配管には、バルブ２８、３
０がそれぞれ設置されている。
は、工程チャンバー２０に高真空バルブ２２及び高真空
ポンプ２４が設置されており、工程チャンバー２０と高
真空ポンプ２４とは、配管を通じてラフ真空ポンプ２６
と連結されており、これらの配管には、バルブ２８、３
０がそれぞれ設置されている。
【００１５】そして、工程チャンバー２０の内部には、
クライオトラップ３２が設置されており、クライオトラ
ップ３２を構成する管の内部には、ヘリウムが流入され
排出される。前記ヘリウムがクライオトラップ３２に流
入される配管部分にチーラー３４が設置されて、クライ
オトラップ３２に流入されるヘリウムを冷却させるよう
に構成されている。
クライオトラップ３２が設置されており、クライオトラ
ップ３２を構成する管の内部には、ヘリウムが流入され
排出される。前記ヘリウムがクライオトラップ３２に流
入される配管部分にチーラー３４が設置されて、クライ
オトラップ３２に流入されるヘリウムを冷却させるよう
に構成されている。
【００１６】前記のとおり、本実施の形態は工程チャン
バー２０の内部を、クライオトラップ３２で直接的に冷
却及び凝縮させる方式により構成されている。
バー２０の内部を、クライオトラップ３２で直接的に冷
却及び凝縮させる方式により構成されている。
【００１７】従って、工程チャンバー２０がオープン(O
pen)というような理由によって大気に露出された後、工
程を遂行するために真空状態に設定されようとすると、
まずラフ真空ポンプ２６によるラフポンピングが遂行さ
れる。この時、ラフポンピングのためにバルブ２８が開
放され、ラフ真空ポンプ２６によって、工程チャンバー
２０内部の空気が機械的にポンピングされ排出される。
前記ラフポンピングとは、高真空ポンピングのための予
備動作で、高真空ポンピングが遂行され得る程度の真空
度で工程チャンバー２０の内部をセッティングするため
のものである。
pen)というような理由によって大気に露出された後、工
程を遂行するために真空状態に設定されようとすると、
まずラフ真空ポンプ２６によるラフポンピングが遂行さ
れる。この時、ラフポンピングのためにバルブ２８が開
放され、ラフ真空ポンプ２６によって、工程チャンバー
２０内部の空気が機械的にポンピングされ排出される。
前記ラフポンピングとは、高真空ポンピングのための予
備動作で、高真空ポンピングが遂行され得る程度の真空
度で工程チャンバー２０の内部をセッティングするため
のものである。
【００１８】一定水準にラフ真空状態へのポンピングが
ラフ真空ポンプ２６によって完了されるとバルブ２８が
閉められ、高真空バルブ２２が開かれながら、工程チャ
ンバー２０は高真空ポンプ２４と連通される。そして、
バルブ３０も開かれる。
ラフ真空ポンプ２６によって完了されるとバルブ２８が
閉められ、高真空バルブ２２が開かれながら、工程チャ
ンバー２０は高真空ポンプ２４と連通される。そして、
バルブ３０も開かれる。
【００１９】この状態で、高真空ポンプ２４のポンピン
グが行われ、高真空ポンプ２４のポンピングと同時に、
クライオトラップ３２に、チーラーで冷却されたヘリウ
ムが供給されながら、工程チャンバー２０内部の気体を
冷却及び凝縮させる。
グが行われ、高真空ポンプ２４のポンピングと同時に、
クライオトラップ３２に、チーラーで冷却されたヘリウ
ムが供給されながら、工程チャンバー２０内部の気体を
冷却及び凝縮させる。
【００２０】前記高真空ポンプ２４は、自装置内にポン
ピング力を有することができない。従って、工程チャン
バー２０の内部及び高真空ポンプ２４の内部に冷却及び
凝縮されたガスは、ラフ真空ポンプ２６によって排出さ
れる。
ピング力を有することができない。従って、工程チャン
バー２０の内部及び高真空ポンプ２４の内部に冷却及び
凝縮されたガスは、ラフ真空ポンプ２６によって排出さ
れる。
【００２１】このような高真空ポンプ２４及びラフ真空
ポンプ２６のポンピングによって、工程チャンバー２０
は要望する真空度に設定され、補助的に工程チャンバー
２０内部のガスが、既に冷却及び凝縮されているので、
高真空ポンプ２４における冷却及び凝縮時間が短縮され
る。
ポンプ２６のポンピングによって、工程チャンバー２０
は要望する真空度に設定され、補助的に工程チャンバー
２０内部のガスが、既に冷却及び凝縮されているので、
高真空ポンプ２４における冷却及び凝縮時間が短縮され
る。
【００２２】従って、短時間内に工程チャンバー２０内
部が要望する真空度に設定され得ることができる。
部が要望する真空度に設定され得ることができる。
【００２３】そして、クライオトラップ３２に供給され
るヘリウムは、チーラー３４によって冷却されて供給さ
れるので、クライオトラップ３２により、工程チャンバ
ー内部の気体が急速に冷却及び凝縮される。
るヘリウムは、チーラー３４によって冷却されて供給さ
れるので、クライオトラップ３２により、工程チャンバ
ー内部の気体が急速に冷却及び凝縮される。
【００２４】また、クライオトラップ３２は、工程チャ
ンバー２０が開放されると自動的に再生を行うように構
成されているので、別途の再生動作を遂行させる必要が
ない。
ンバー２０が開放されると自動的に再生を行うように構
成されているので、別途の再生動作を遂行させる必要が
ない。
【００２５】特に、本発明による実施の形態は、高集積
度を要求する半導体装置を製造するための超高真空また
は高真空設備に適用されて、工程チャンバー内部の真空
状態のセッティング時間を短縮させることによって、半
導体装置の生産性及び収率が向上される。
度を要求する半導体装置を製造するための超高真空また
は高真空設備に適用されて、工程チャンバー内部の真空
状態のセッティング時間を短縮させることによって、半
導体装置の生産性及び収率が向上される。
【００２６】以上において本発明は、記載された具体例
に対してのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲
内で、多様な変形及び修正が可能であることは、当業者
によって明らかなものであり、このような変形及び修正
が、添付された特許請求範囲に属することは当然なもの
である。
に対してのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲
内で、多様な変形及び修正が可能であることは、当業者
によって明らかなものであり、このような変形及び修正
が、添付された特許請求範囲に属することは当然なもの
である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明による
真空システムは、半導体装置を製造するための工程チャ
ンバーの内部を短時間内に高真空または超高シンク状態
に設定することができるので、半導体装置の製造に必要
な工程時間が短縮されて、半導体装置の生産性及び収率
が極大化される効果がある。
真空システムは、半導体装置を製造するための工程チャ
ンバーの内部を短時間内に高真空または超高シンク状態
に設定することができるので、半導体装置の製造に必要
な工程時間が短縮されて、半導体装置の生産性及び収率
が極大化される効果がある。
【００２８】第２の発明は、前記クライオトラップは、
前記の工程チャンバーがオープンされると自動的に再生
動作をするように構成されるので、別途の再生動作を遂
行させる必要がない。
前記の工程チャンバーがオープンされると自動的に再生
動作をするように構成されるので、別途の再生動作を遂
行させる必要がない。
【００２９】第３の発明は、冷却ガスがチーラーを経由
して、前記クライオトラップに供給されるように構成さ
れ得るので、工程チャンバー内部の気体を急速に冷却及
び凝縮できる。
して、前記クライオトラップに供給されるように構成さ
れ得るので、工程チャンバー内部の気体を急速に冷却及
び凝縮できる。
【００３０】第４の発明は、前記冷却ガスとしてはヘリ
ウムが供給されるので、工程チャンバー内部の気体を急
速に冷却及び凝縮できる。
ウムが供給されるので、工程チャンバー内部の気体を急
速に冷却及び凝縮できる。
【図１】本発明による半導体工程用の真空システムの実
施の形態を示すブロック図である。
施の形態を示すブロック図である。
【図２】従来の半導体工程用の真空システムを示すブロ
ック図である。
ック図である。
１０、２０ 工程チャンバー １２、２６ ラフ真空ポンプ １４、２４ 高真空ポンプ １６、１８、２８、３０ バルブ １９、２２ 高真空バルブ ３２ クライオトラップ ３４ チーラー
Claims (4)
- 【請求項１】 ラフ真空ポンプ(Rough Vacuum Pump)と
高真空ポンプ(High Vacuum Pump) とが設置されて、工
程チャンバーの内部を真空状態に設定及び維持させる半
導体工程用の真空システムにおいて、 前記工程チャンバーの内部にクライオトラップ(Cryo Tr
ap) が設置されることによって、直接冷却及び凝縮方式
により、前記工程チャンバー内部の真空状態を設定する
ように構成されることを特徴とする半導体工程用の真空
システム。 - 【請求項２】 前記クライオトラップは、前記工程チャ
ンバーがオープンされると自動的に再生動作するように
構成されることを特徴とする請求項１記載の半導体工程
用の真空システム。 - 【請求項３】 冷却ガスがチーラー(Chiller) を経由し
てから、前記クライオトラップに供給するように構成さ
れることを特徴とする請求項１記載の半導体工程用の真
空システム。 - 【請求項４】 前記冷却ガスは、ヘリウムであることを
特徴とする請求項３記載の半導体工程用の真空システ
ム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960035148A KR19980015712A (ko) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 반도체 공정용 진공시스템 |
| KR1996-35148 | 1996-08-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1082364A true JPH1082364A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=19470556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9074914A Pending JPH1082364A (ja) | 1996-08-23 | 1997-03-27 | 半導体工程用の真空システム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1082364A (ja) |
| KR (1) | KR19980015712A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011075110A1 (en) * | 2008-11-19 | 2011-06-23 | Brooks Automation, Inc. | Process chamber with intergrated pumping |
-
1996
- 1996-08-23 KR KR1019960035148A patent/KR19980015712A/ko not_active Abandoned
-
1997
- 1997-03-27 JP JP9074914A patent/JPH1082364A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980015712A (ko) | 1998-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5513499A (en) | Method and apparatus for cryopump regeneration using turbomolecular pump | |
| KR960003788B1 (ko) | 진공배기 시스템 및 배기방법 | |
| JP5634323B2 (ja) | クライオポンプシステム、クライオポンプのための再生方法 | |
| US20070125112A1 (en) | Method and apparatus for regeneration water | |
| US5231839A (en) | Methods and apparatus for cryogenic vacuum pumping with reduced contamination | |
| JPH1082364A (ja) | 半導体工程用の真空システム | |
| JPH06104178A (ja) | 真空処理方法及び真空処理装置 | |
| US5718029A (en) | Pre-installation of pumping line for efficient fab expansion | |
| US20050274128A1 (en) | Cryopump with enhanced hydrogen pumping | |
| JP3200668B2 (ja) | クライオポンプ及び微細加工装置における排気方式 | |
| US4860546A (en) | Vacuum system with molecular flow line | |
| KR100715934B1 (ko) | 스퍼터링 장치 및 이의 재생방법 | |
| JPH11230034A (ja) | 真空排気システム及びその運転方法 | |
| JP6929601B2 (ja) | クライオポンプ | |
| JP2002001047A (ja) | Ｐｆｃ回収装置及びｐｆｃ回収方法 | |
| US6550256B1 (en) | Alternative backing up pump for turbomolecular pumps | |
| JP3052096B2 (ja) | クライオポンプ | |
| JP3156409B2 (ja) | 真空排気システム | |
| JPH04187873A (ja) | 真空排気装置 | |
| JPH01247772A (ja) | 真空装置 | |
| US3258193A (en) | Vacuum method | |
| TW202523976A (zh) | 低溫泵 | |
| JPH09195976A (ja) | 真空排気装置 | |
| JPH06306601A (ja) | スパッタリング装置の排気機構 | |
| JPH01277687A (ja) | クライオポンプ |