JPH108238A - 真空装置 - Google Patents
真空装置Info
- Publication number
- JPH108238A JPH108238A JP8184139A JP18413996A JPH108238A JP H108238 A JPH108238 A JP H108238A JP 8184139 A JP8184139 A JP 8184139A JP 18413996 A JP18413996 A JP 18413996A JP H108238 A JPH108238 A JP H108238A
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- Japan
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- vacuum
- vacuum chamber
- spare
- chamber
- chambers
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空装置において真空室内のメンテナンスに
伴う非稼動時間を大幅に短縮できる構造をもつ真空装置
を提供する。 【解決手段】 複数の真空室１が連結された構成をもつ
真空装置において予備の真空室を真空装置と分離した未
接続の状態で有し、予備の真空室を含め各真空室１はゲ
ートバルブ２，ガラス基板３，シャワープレート４，ヒ
ーター５，真空排気ポンプ６，大気パージ口７，連結部
８，ガス供給ライン９，排気口ライン１０を備えてい
る。従ってメンテナンスが必要となった真空室を簡単に
真空装置より外し、予備の真空室を代わって接続でき
る。
伴う非稼動時間を大幅に短縮できる構造をもつ真空装置
を提供する。 【解決手段】 複数の真空室１が連結された構成をもつ
真空装置において予備の真空室を真空装置と分離した未
接続の状態で有し、予備の真空室を含め各真空室１はゲ
ートバルブ２，ガラス基板３，シャワープレート４，ヒ
ーター５，真空排気ポンプ６，大気パージ口７，連結部
８，ガス供給ライン９，排気口ライン１０を備えてい
る。従ってメンテナンスが必要となった真空室を簡単に
真空装置より外し、予備の真空室を代わって接続でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体や液晶表示
装置の製造装置に用いられる薄膜堆積装置や薄膜ドライ
エッチング装置など複数の真空室をもつ真空装置に関す
るものである。
装置の製造装置に用いられる薄膜堆積装置や薄膜ドライ
エッチング装置など複数の真空室をもつ真空装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造プロセスに見られるよ
うに製品の高微細化、またそれに伴う高クリーンプロセ
ス化が進んでおり真空装置を用いた真空技術プロセスが
ますます盛んに取り入れられている。
うに製品の高微細化、またそれに伴う高クリーンプロセ
ス化が進んでおり真空装置を用いた真空技術プロセスが
ますます盛んに取り入れられている。
【０００３】そして真空装置を用いたプロセスで重要と
なるのは、第１に高い装置スループットを実現し生産性
を確保することである。その解決策としては複数の真空
室を直列的に連結し真空排気，温度安定，薄膜形成など
の加工処理、冷却，大気パージなどの個々のプロセスを
機能分担した連続した装置構成を有しているのが一般的
である。第２には真空装置内のパーティクルを低減安定
化し、高い製品品質としての歩留まりを確保することで
ある。このために定期的な真空装置内の解放清掃を実施
を実施するのが一般的である。
なるのは、第１に高い装置スループットを実現し生産性
を確保することである。その解決策としては複数の真空
室を直列的に連結し真空排気，温度安定，薄膜形成など
の加工処理、冷却，大気パージなどの個々のプロセスを
機能分担した連続した装置構成を有しているのが一般的
である。第２には真空装置内のパーティクルを低減安定
化し、高い製品品質としての歩留まりを確保することで
ある。このために定期的な真空装置内の解放清掃を実施
を実施するのが一般的である。
【０００４】以下に半導体装置の製造で用いられる真空
薄膜堆積装置について従来の一例を用いて説明する。図
２はガラス基板に半導体素子を作成する液晶表示装置の
製造装置の１つで、直列に連結された複数の真空反応室
からなる熱化学気相反応を用いた真空薄膜堆積装置の一
般的な概略図である。
薄膜堆積装置について従来の一例を用いて説明する。図
２はガラス基板に半導体素子を作成する液晶表示装置の
製造装置の１つで、直列に連結された複数の真空反応室
からなる熱化学気相反応を用いた真空薄膜堆積装置の一
般的な概略図である。
【０００５】図２において真空室１は隣接する真空室１
とゲートバルブ２で仕切られておりガラス基板３はこの
ゲートバルブ２より搬出入する。真空室１において材料
ガスはシャワープレート４より均一に導入され、ガラス
基板３と材料ガスはヒーター５にて所望の温度に調整さ
れ、材料ガスは分解し化学気相反応を起こし、その反応
生成物は真空室１内の全体に拡散し、ガラス基板３を含
めた真空室１全体の内部に薄膜が形成される。このとき
真空排気ポンプ６により排気を行うことで真空室は一定
圧力に保たれている。
とゲートバルブ２で仕切られておりガラス基板３はこの
ゲートバルブ２より搬出入する。真空室１において材料
ガスはシャワープレート４より均一に導入され、ガラス
基板３と材料ガスはヒーター５にて所望の温度に調整さ
れ、材料ガスは分解し化学気相反応を起こし、その反応
生成物は真空室１内の全体に拡散し、ガラス基板３を含
めた真空室１全体の内部に薄膜が形成される。このとき
真空排気ポンプ６により排気を行うことで真空室は一定
圧力に保たれている。
【０００６】前記真空薄膜堆積装置において、複数枚の
ガラス基板３の処理を進めていくと、薄膜はガラス基板
３以外の真空室１の内壁にも累積して堆積していく。そ
して内壁に付着した薄膜は内壁との付着力に負け剥離し
始める。これが粒状物としてガラス基板３に付着し、製
品の品質歩留まりを著しく低下させる。従って規定枚数
を処理した後、内壁からの薄膜剥離が発生する前に一時
生産処理を停止して、真空室１を大気解放し真空室内の
薄膜の除去作業及び薄膜付着部材の交換作業といったメ
ンテナンスをするのが一般的である。
ガラス基板３の処理を進めていくと、薄膜はガラス基板
３以外の真空室１の内壁にも累積して堆積していく。そ
して内壁に付着した薄膜は内壁との付着力に負け剥離し
始める。これが粒状物としてガラス基板３に付着し、製
品の品質歩留まりを著しく低下させる。従って規定枚数
を処理した後、内壁からの薄膜剥離が発生する前に一時
生産処理を停止して、真空室１を大気解放し真空室内の
薄膜の除去作業及び薄膜付着部材の交換作業といったメ
ンテナンスをするのが一般的である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、以上のような
従来の構成ではメンテナンスが開始できるまで真空室の
温度降下待ち時間，薄膜除去及び部材交換作業時間，メ
ンテナンス後の高真空排気時間，ヒーター温度の安定時
間といった装置全体の長い非稼動時間が必要となる。従
って他の設備とのラインバランスからいってもこのメン
テナンスに伴う非稼動時間をいかに短くするかというこ
とが重要な課題となっている。
従来の構成ではメンテナンスが開始できるまで真空室の
温度降下待ち時間，薄膜除去及び部材交換作業時間，メ
ンテナンス後の高真空排気時間，ヒーター温度の安定時
間といった装置全体の長い非稼動時間が必要となる。従
って他の設備とのラインバランスからいってもこのメン
テナンスに伴う非稼動時間をいかに短くするかというこ
とが重要な課題となっている。
【０００８】本発明は上記課題に鑑み、真空室のメンテ
ナンスに伴う装置全体の非稼動時間を大幅に低減する真
空装置を提供するものである。
ナンスに伴う装置全体の非稼動時間を大幅に低減する真
空装置を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は複数の真空室を
接続した真空装置とは分離した予備の真空室を真空装置
と未接続の状態で具備し、この予備の真空室を必要なメ
ンテナンス作業，高真空排気，ヒーター温度安定を済ま
せた状態で待機させ、そして、特定の真空室がメンテナ
ンスを必要とするときに、その特定の真空室を真空装置
より切り離して前記した待機状態の予備の真空室と取り
換え装着するようにしたものである。
接続した真空装置とは分離した予備の真空室を真空装置
と未接続の状態で具備し、この予備の真空室を必要なメ
ンテナンス作業，高真空排気，ヒーター温度安定を済ま
せた状態で待機させ、そして、特定の真空室がメンテナ
ンスを必要とするときに、その特定の真空室を真空装置
より切り離して前記した待機状態の予備の真空室と取り
換え装着するようにしたものである。
【００１０】従って、本発明は上記構成より所望の製品
品質の歩留まりを再現確保しながら前述した真空室メン
テナンスに伴う装置全体の非可動時間を大幅に低減する
ことができるものである。
品質の歩留まりを再現確保しながら前述した真空室メン
テナンスに伴う装置全体の非可動時間を大幅に低減する
ことができるものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】請求項１記載のように、複数の真
空室を接続した真空装置とは分離した予備の真空室を前
記真空装置と未接続の状態で具備し、この予備の真空室
を必要なメンテナンス作業，高真空排気，ヒーター温度
安定を済ませた状態で待機させ、特定の真空室がメンテ
ナンスを必要とするときに、その特定の真空室を真空装
置より切り離して前記した待機状態の予備の真空室と取
り換え装着するようにして本発明を実施することによ
り、メンテナンスのために長時間真空装置を非稼働状態
にすることなく、真空装置による稼働を連続させること
ができる。従って本発明の真空装置は生産性の良いもの
である。
空室を接続した真空装置とは分離した予備の真空室を前
記真空装置と未接続の状態で具備し、この予備の真空室
を必要なメンテナンス作業，高真空排気，ヒーター温度
安定を済ませた状態で待機させ、特定の真空室がメンテ
ナンスを必要とするときに、その特定の真空室を真空装
置より切り離して前記した待機状態の予備の真空室と取
り換え装着するようにして本発明を実施することによ
り、メンテナンスのために長時間真空装置を非稼働状態
にすることなく、真空装置による稼働を連続させること
ができる。従って本発明の真空装置は生産性の良いもの
である。
【００１２】また、請求項２記載のように、本発明の真
空装置は、接続された各真空室も予備の真空室もともに
基板などの加工対象物の搬出入ができるゲートバルブを
設けることができる。
空装置は、接続された各真空室も予備の真空室もともに
基板などの加工対象物の搬出入ができるゲートバルブを
設けることができる。
【００１３】また、請求項３記載のように、隣接する真
空室のゲートバルブ間で閉ざされた空間のみを排気また
は大気パージする機構を備えるようにすることができ
る。
空室のゲートバルブ間で閉ざされた空間のみを排気また
は大気パージする機構を備えるようにすることができ
る。
【００１４】また、請求項４記載のように、隣接する真
空室が互いに接続する方向に対して伸縮可能な機構を備
えるようにすることができる。
空室が互いに接続する方向に対して伸縮可能な機構を備
えるようにすることができる。
【００１５】また、予備の真空室を含め各真空室の接続
または分離が繰り返して自在に行える機構を備えるよう
にすることができる。
または分離が繰り返して自在に行える機構を備えるよう
にすることができる。
【００１６】これらの、請求項２ないし４のいずれかに
記載するように実施することにより、請求項１記載の発
明を効果的に実施できるものである。
記載するように実施することにより、請求項１記載の発
明を効果的に実施できるものである。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を用いた一実施例を前述の熱化
学気相反応を用いた真空薄膜堆積装置に適用して説明す
る。なお、図２に示す従来例と同じ構成部品については
同一符号を付し詳細な説明は省略する。
学気相反応を用いた真空薄膜堆積装置に適用して説明す
る。なお、図２に示す従来例と同じ構成部品については
同一符号を付し詳細な説明は省略する。
【００１８】図１は本発明を用いた真空反応室の構造概
略図である。本真空装置において各真空室１及び予備真
空室１は、隣接真空室との連結部において全て同一構造
である。特定の真空室をメンテナンスする際は、まずゲ
ートバルブ２間の高真空状態に保持されている空間に大
気パージ口７より窒素ガスを導入し大気圧にパージす
る。次にジャバラ構造をもつ連結部８を矢印の方向に縮
め隣接真空室１と切り離す。さらにガス供給ライン９，
排気口ライン１０を分離した上で、真空装置より完全に
切り離し、真空室全体を移動する。そして待機させてお
いた予備真空室を、取り外した真空室と入れ換えて装着
する。このとき入れ換えた予備真空室は既にメンテナン
スを済ませ、高真空状態でヒーターも設定温度まで達し
安定した状態にしてあるので、装着後は連結部８とガス
供給ライン９の小空間に入った大気を専用の真空排気口
より排気し、またガス供給ライン９については材料ガス
パージをするだけで済む。この作業は対象空間が非常に
小さいことから真空室全体を大気解放する場合よりも著
しく短い時間で済む。
略図である。本真空装置において各真空室１及び予備真
空室１は、隣接真空室との連結部において全て同一構造
である。特定の真空室をメンテナンスする際は、まずゲ
ートバルブ２間の高真空状態に保持されている空間に大
気パージ口７より窒素ガスを導入し大気圧にパージす
る。次にジャバラ構造をもつ連結部８を矢印の方向に縮
め隣接真空室１と切り離す。さらにガス供給ライン９，
排気口ライン１０を分離した上で、真空装置より完全に
切り離し、真空室全体を移動する。そして待機させてお
いた予備真空室を、取り外した真空室と入れ換えて装着
する。このとき入れ換えた予備真空室は既にメンテナン
スを済ませ、高真空状態でヒーターも設定温度まで達し
安定した状態にしてあるので、装着後は連結部８とガス
供給ライン９の小空間に入った大気を専用の真空排気口
より排気し、またガス供給ライン９については材料ガス
パージをするだけで済む。この作業は対象空間が非常に
小さいことから真空室全体を大気解放する場合よりも著
しく短い時間で済む。
【００１９】取り外した真空室は真空装置の生産中に大
気解放し必要なメンテナンスを済ませ、真空排気，ヒー
ター温度安定立ち上げを済ませた状態で次の真空室がメ
ンテナンスになるタイミングまで待機させておく。
気解放し必要なメンテナンスを済ませ、真空排気，ヒー
ター温度安定立ち上げを済ませた状態で次の真空室がメ
ンテナンスになるタイミングまで待機させておく。
【００２０】この際のメンテナンスに伴う時間中、真空
装置は生産を進められるので非稼働時間は著しく短い時
間となる。
装置は生産を進められるので非稼働時間は著しく短い時
間となる。
【００２１】表１に従来例と本発明の実施例における非
稼働時間の比較を示す。
稼働時間の比較を示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】非稼働時間を大きく占める項目として、メ
ンテナンス前の降温待ち時間，真空室内薄膜除去作業，
薄膜付着部品の交換に要するメンテナンス時間，ヒータ
ー温度安定時間を含むメンテナンス後の立ち上げ時間が
あるが、前述した内容からこれらの作業は真空装置と分
離して行うため、非稼働時間とならない。
ンテナンス前の降温待ち時間，真空室内薄膜除去作業，
薄膜付着部品の交換に要するメンテナンス時間，ヒータ
ー温度安定時間を含むメンテナンス後の立ち上げ時間が
あるが、前述した内容からこれらの作業は真空装置と分
離して行うため、非稼働時間とならない。
【００２４】表１により明らかなように、従来例の真空
装置が非稼働時間２２時間を要するのに対し、本発明の
実施例による真空装置は非稼働時間は１時間のみである
ことがわかる。
装置が非稼働時間２２時間を要するのに対し、本発明の
実施例による真空装置は非稼働時間は１時間のみである
ことがわかる。
【００２５】なお、本発明で用いた図中連結部８は片側
のみで説明したが、省略した反対側にも同じ機構を備え
同様の操作により着脱が可能である。
のみで説明したが、省略した反対側にも同じ機構を備え
同様の操作により着脱が可能である。
【００２６】本発明の効果は、前述した液晶表示装置の
製造装置に限定されることなく、複数の真空室が連結し
た形の全ての真空装置においてその効果が発揮されるの
はいうまでもない。
製造装置に限定されることなく、複数の真空室が連結し
た形の全ての真空装置においてその効果が発揮されるの
はいうまでもない。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明は複数の真空室を
もつ真空装置において、メンテナンスすべき真空室をメ
ンテナンスの既に完了した予備の真空室と容易に取り換
える構造をとることにより、メンテナンス時の真空装置
全体の非稼働時間を大幅に短縮するものである。
もつ真空装置において、メンテナンスすべき真空室をメ
ンテナンスの既に完了した予備の真空室と容易に取り換
える構造をとることにより、メンテナンス時の真空装置
全体の非稼働時間を大幅に短縮するものである。
【図１】本発明の一実施例である熱化学気相反応を用い
た真空薄膜堆積装置としての真空装置の要部説明図
た真空薄膜堆積装置としての真空装置の要部説明図
【図２】従来例における熱化学気相反応を用いた真空薄
膜堆積装置としての真空装置の要部説明図
膜堆積装置としての真空装置の要部説明図
１ 真空室 ２ ゲートバルブ ３ ガラス基板 ４ シャワープレート ５ ヒーター ６ 真空排気ポンプ ７ 大気パージ口 ８ 連結部 ９ ガス供給ライン １０ 排気口ライン
Claims (5)
- 【請求項１】 複数の真空室を接続した真空装置とは分
離した予備の真空室を前記真空装置と未接続の状態で具
備し、前記予備の真空室を必要なメンテナンス作業，高
真空排気，ヒーター温度安定を済ませた状態で待機さ
せ、特定の真空室がメンテナンスを必要とするときは、
その特定の真空室を真空装置より切り離して前記待機状
態の予備の真空室と取り換え装着するようにしたことを
特徴とする真空装置。 - 【請求項２】 接続された各真空室ならびに予備の真空
室それぞれに加工対象物の搬出入ができるゲートバルブ
を設けたことを特徴とする請求項１記載の真空装置。 - 【請求項３】 隣接する真空室のゲートバルブ間で閉ざ
された空間のみを排気または大気パージする機構を備え
たことを特徴とする請求項２記載の真空装置。 - 【請求項４】 隣接する真空室が互いに接続する方向に
対して伸縮可能な機構を備えたことを特徴とする請求項
１ないし３のいずれかに記載の真空装置。 - 【請求項５】 予備の真空室を含め各真空室の接続また
は分離が繰り返して自在に行える機構として結合，分離
が自在なガス供給ラインまたは排気口ラインを備えたこ
とを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の真
空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8184139A JPH108238A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8184139A JPH108238A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH108238A true JPH108238A (ja) | 1998-01-13 |
Family
ID=16148061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8184139A Pending JPH108238A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH108238A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109161867A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-01-08 | 中国科学技术大学 | 可分离式真空互联系统 |
| JP2021050403A (ja) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| CN115279935A (zh) * | 2020-03-26 | 2022-11-01 | 应用材料公司 | 蒸发源、具有蒸发源的沉积设备及其方法 |
-
1996
- 1996-06-24 JP JP8184139A patent/JPH108238A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109161867A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-01-08 | 中国科学技术大学 | 可分离式真空互联系统 |
| CN109161867B (zh) * | 2018-10-11 | 2023-08-08 | 中国科学技术大学 | 可分离式真空互联系统 |
| JP2021050403A (ja) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| CN115279935A (zh) * | 2020-03-26 | 2022-11-01 | 应用材料公司 | 蒸发源、具有蒸发源的沉积设备及其方法 |
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