JPH108242A - Vacuum deposition equipment - Google Patents
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- JPH108242A JPH108242A JP15530396A JP15530396A JPH108242A JP H108242 A JPH108242 A JP H108242A JP 15530396 A JP15530396 A JP 15530396A JP 15530396 A JP15530396 A JP 15530396A JP H108242 A JPH108242 A JP H108242A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多層膜の形成に対応でき、また、蒸着源物質
が蒸発する蒸発面と基板の蒸着面の距離の変化を少なく
した真空蒸着装置を提供すること。
【解決手段】 基板面に薄膜を形成する蒸着源物質３２
を収納し、円周方向Ｙに回転するリング状るつぼ２５
と、蒸着源物質３２に電子ビーム３１を照射する電子ビ
ーム源と、リング状るつぼ２５、および、電子ビーム源
を収納した真空槽とを具備している。
(57) [Problem] To provide a vacuum vapor deposition apparatus capable of coping with the formation of a multilayer film and reducing a change in a distance between an evaporation surface where a deposition source material evaporates and a deposition surface of a substrate. SOLUTION: An evaporation source material 32 for forming a thin film on a substrate surface.
And a ring-shaped crucible 25 that rotates in the circumferential direction Y
And an electron beam source for irradiating the evaporation source material 32 with the electron beam 31, a ring-shaped crucible 25, and a vacuum chamber containing the electron beam source.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板面に薄膜を形
成する真空蒸着装置に関する。The present invention relates to a vacuum deposition apparatus for forming a thin film on a substrate surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】真空蒸着装置を用いて、基板面に薄膜を
例えば多層に形成する場合、蒸発源の蒸着源物質に対し
複数回に分けて電子ビームを照射し、蒸着源物質を順に
蒸発させている。そして、蒸発した順番に蒸着源物質を
基板面に付着させ、薄膜を多層に形成する方法がとられ
る。2. Description of the Related Art When a vacuum deposition apparatus is used to form a thin film on a substrate surface in, for example, a multi-layered structure, an electron beam is irradiated on the evaporation source material in a plurality of times to evaporate the evaporation source material in order. ing. Then, a vapor deposition source material is adhered to the substrate surface in the order of evaporation to form a thin film in multiple layers.
【０００３】ここで、従来の真空蒸着装置に用いられる
蒸発源について図４を参照して説明する。符号４１はカ
バーで、その一部に開口４２が形成されている。カバー
４１の下方には円板状の移動テーブル４３が設けられて
いる。移動テーブル４３は軸４３ａを中心に回転する構
造になっている。また、移動テーブル４３上には軸４３
ａから等距離に複数のるつぼ４４が配置され、るつぼ４
４内には薄膜を形成するための蒸着源物質が収納されて
いる。なお、薄膜が２種類以上の物質によって多層に形
成される場合は、複数種類の蒸着源物質がるつぼ４４ご
とに分けて収納される。そして、移動テーブル４３を回
転させ、薄膜を形成するための蒸着源物質が収納された
１つのるつぼ４４が移動テーブル４３の開口４２部分に
位置するようにしている。なお、カバー４１の近くには
電子ビームを発生する電子ビーム源（図示せず）が配置
されている。Here, an evaporation source used in a conventional vacuum evaporation apparatus will be described with reference to FIG. Reference numeral 41 denotes a cover, and an opening 42 is formed in a part thereof. Below the cover 41, a disk-shaped moving table 43 is provided. The moving table 43 is structured to rotate about a shaft 43a. In addition, a shaft 43 is provided on the moving table 43.
a plurality of crucibles 44 are arranged equidistantly from a.
4 stores an evaporation source material for forming a thin film. In the case where the thin film is formed in multiple layers by two or more kinds of materials, a plurality of kinds of evaporation source materials are stored separately for each crucible 44. Then, the moving table 43 is rotated so that one crucible 44 in which an evaporation source material for forming a thin film is stored is located at the opening 42 of the moving table 43. An electron beam source (not shown) for generating an electron beam is arranged near the cover 41.
【０００４】上記した構成において、カバー４１の開口
４２部分を通してるつぼ４４に向け電子ビームが照射さ
れる。電子ビームが照射されるとるつぼ４４内の蒸着源
物質が加熱され蒸発し、蒸発した蒸着源物質が基板面
（図示せず）に付着し薄膜が形成される。In the above configuration, an electron beam is applied to the crucible 44 through the opening 42 of the cover 41. When the electron beam is irradiated, the evaporation source material in the crucible 44 is heated and evaporated, and the evaporated evaporation source material adheres to a substrate surface (not shown) to form a thin film.
【０００５】なお、薄膜を多層に形成する場合は、蒸着
源物質の蒸発と基板面への付着が層の数に応じて繰り返
される。また、１つのるつぼ４４内の蒸着物質がなくな
った場合、あるいは、他の蒸着源物質を蒸発させる場合
は、蒸着源物質が満たされたるつぼ４４や、蒸発させよ
うとする蒸着源物質が入ったるつぼ４４がカバー４１の
開口４２部分に位置するように適宜、移動テーブル４３
が回転される。When a thin film is formed in multiple layers, evaporation of the evaporation source material and adhesion to the substrate surface are repeated according to the number of layers. Further, when the evaporation material in one crucible 44 is exhausted or when another evaporation source material is evaporated, the crucible 44 filled with the evaporation source material or the evaporation source material to be evaporated is contained. The moving table 43 is appropriately set so that the crucible 44 is positioned at the opening 42 of the cover 41.
Is rotated.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従来の真空蒸着装置の
場合、電子ビームの照射によってるつぼ４４内の蒸着源
物質が蒸発する。このとき、蒸着源物質の種類によって
は、るつぼ４４内の蒸着源物質が一様に蒸発せず、図５
に示すように、るつぼ５１の中央部Ｍが局所的に蒸発す
ることがある。例えば、二酸化チタニウム（ＴｉＯ2 ）
などの蒸着源物質は全体が一様に減少する。しかし、二
酸化珪素（ＳｉＯ2 ）などの蒸着源物質は電子ビームの
照射されたところが局所的に減少する。このように、蒸
着源物質が局所的に減少すると次のような問題が発生す
る。In the case of a conventional vacuum evaporation apparatus, the evaporation source material in the crucible 44 evaporates due to the irradiation of the electron beam. At this time, depending on the type of the evaporation source material, the evaporation source material in the crucible 44 does not evaporate uniformly, and FIG.
As shown in the figure, the central portion M of the crucible 51 may be locally evaporated. For example, titanium dioxide (TiO 2 )
The evaporation source material such as is uniformly reduced as a whole. However, the evaporation source material such as silicon dioxide (SiO 2 ) locally decreases at the position irradiated with the electron beam. As described above, when the deposition source material is locally reduced, the following problem occurs.
【０００７】１）長時間または繰り返しの電子ビームの
照射でるつぼの底面が露出しやすく、電子ビームの照射
によってるつぼが溶けることがある。このため、１つの
るつぼを使用できる時間や回数が限られる。したがっ
て、薄膜を多層に形成する場合は、多くのるつぼが必要
となるが、るつぼを設置できる場所に限界があり、多層
膜の形成に対応できなくなる。[0007] 1) The bottom surface of the crucible is easily exposed by prolonged or repeated electron beam irradiation, and the crucible may be melted by the electron beam irradiation. Therefore, the time and the number of times that one crucible can be used are limited. Therefore, when a thin film is formed in multiple layers, many crucibles are required. However, there is a limit to a place where the crucible can be installed, and it is impossible to cope with the formation of a multilayer film.
【０００８】２）蒸着源物質の局所的な減少で、蒸着源
物質の表面から薄膜を形成する基板面までの距離が長＜
なる。このため、蒸着源物質の蒸発面と基板の蒸着面の
距離が変化し、薄膜を形成する際の蒸着源物質の充填率
や薄膜の屈折率が変化する。2) The distance from the surface of the deposition source material to the surface of the substrate on which the thin film is formed is long due to the local decrease of the deposition source material.
Become. For this reason, the distance between the evaporation surface of the evaporation source material and the evaporation surface of the substrate changes, and the filling rate of the evaporation source material and the refractive index of the thin film when forming a thin film change.
【０００９】３）蒸着源物質の減少で電子ビームが照射
される蒸着源物質面の熱容量が小さ＜なる。このため、
電子ビームを一定の入力で照射していると、蒸着源物質
の温度が上昇し、この結果、膜の形成される速度が速＜
なったり、膜の充填率や屈折率が変化したりする。3) The heat capacity of the surface of the evaporation source material to be irradiated with the electron beam is smaller than the amount of the evaporation source material. For this reason,
When the electron beam is irradiated at a constant input, the temperature of the deposition source material rises, and as a result, the speed at which the film is formed becomes faster <
Or the filling factor or refractive index of the film changes.
【００１０】なお、図６の矢印Ｙで示すように、蒸着源
物質６１に対して電子ビームが照射される位置を移動さ
せ、蒸着源物質６１を一様に減少させる方法がある。し
かし、小さな蒸着源物質の表面で電子ビームの位置を移
動させることは容易でなく、作業者の熟練が必要とな
る。また、電子ビームの照射位置を変えた場合、蒸着源
物質が蒸発する蒸発面と基板の蒸着面の距離が変化する
という問題もある。As shown by an arrow Y in FIG. 6, there is a method in which the position where the electron beam is irradiated on the deposition source material 61 is moved to uniformly reduce the deposition source material 61. However, it is not easy to move the position of the electron beam on the surface of a small deposition source material, and requires skill of an operator. Further, when the irradiation position of the electron beam is changed, there is a problem that the distance between the evaporation surface on which the evaporation source material evaporates and the evaporation surface of the substrate changes.
【００１１】本発明は、上記した欠点を解決するもの
で、多層膜の形成に対応でき、また、蒸着源物質が蒸発
する蒸発面と基板の蒸着面の距離の変化を少なくした真
空蒸着装置を提供することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned drawbacks, and provides a vacuum evaporation apparatus which can cope with the formation of a multilayer film and has a small change in the distance between the evaporation surface where the evaporation source material evaporates and the evaporation surface of the substrate. The purpose is to provide.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、基板面に薄膜
を形成するための蒸着源物質を収納し、円周方向に回転
するリング状るつぼと、前記蒸着源物質に電子ビームを
照射する電子ビーム源と、前記リング状るつぼ、およ
び、前記電子ビーム源を収納した真空槽とを具備してい
る。SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, there is provided a ring-shaped crucible which accommodates an evaporation source material for forming a thin film on a substrate surface and rotates in a circumferential direction, and irradiates the evaporation source material with an electron beam. An electron beam source, the ring-shaped crucible, and a vacuum chamber containing the electron beam source are provided.
【００１３】また、本発明は、基板面に薄膜を形成する
ための第１の蒸着源物質を収納した複数のるつぼが設け
られた移動テーブルと、前記第１の蒸着源物質に電子ビ
ームを照射する電子ビーム源と、前記基板面に薄膜を形
成するための第２の蒸着源物質を収納し、かつ、前記第
２の蒸着源物質に前記電子ビームが照射される第１の位
置および前記第２の蒸着源物質に前記電子ビームが照射
されない第２の位置間を移動し、円周方向に回転するリ
ング状るつぼと、前記移動テーブル、前記電子ビーム
源、および、前記リング状るつぼを収納した真空槽とを
具備している。Further, the present invention provides a moving table provided with a plurality of crucibles accommodating a first evaporation source material for forming a thin film on a substrate surface, and irradiating the first evaporation source material with an electron beam. An electron beam source, a second deposition source material for forming a thin film on the substrate surface, and a first position at which the second deposition source material is irradiated with the electron beam; The ring-shaped crucible that moves between the second positions where the electron beam is not irradiated to the second evaporation source material and rotates in the circumferential direction, the moving table, the electron beam source, and the ring-shaped crucible are housed. A vacuum chamber.
【００１４】また、回転テーブルよりもリング状るつぼ
の方を多層膜が形成される基板に近い側に設けている。In addition, the ring-shaped crucible is provided closer to the substrate on which the multilayer film is formed than the rotary table.
【００１５】また、第１の蒸着源物質が二酸化チタニウ
ムで、第２の蒸着源物質が二酸化珪素となっている。The first deposition source material is titanium dioxide and the second deposition source material is silicon dioxide.
【００１６】上記した構成によれば、蒸着源物質を収納
するるつぼがリング状に形成され、また、円周方向に回
転できるようになっている。１つの蒸着源物質がリング
状るつぼ内に収納されているため、例えば、リング状る
つぼを連続的あるいは間欠的にゆっくり回転させること
によって、蒸着源物質の電子ビームによる照射面が深＜
えぐられる前に、電子ビームの照射面を新しい領域に移
動できる。したがって、蒸着源物質が蒸発する蒸発面と
基板の蒸着面の距離の変化が少なくなる。また、蒸着源
物質がリング状に収納されているため、単体のるつぼに
比べ、多くの蒸着源物質を収納でき多層膜の形成に容易
に対応できる。また、蒸着源物質の局所的な減少が抑え
られ、電子ビーム照射面の熱容量減少による蒸着速度の
変化も少ない。According to the above configuration, the crucible for storing the evaporation source material is formed in a ring shape, and can be rotated in the circumferential direction. Since one evaporation source material is housed in the ring-shaped crucible, for example, by continuously or intermittently slowly rotating the ring-shaped crucible, the irradiation surface of the evaporation source material with the electron beam is deeper <
Before being evacuated, the electron beam irradiation surface can be moved to a new area. Therefore, the change in the distance between the evaporation surface where the evaporation source material evaporates and the evaporation surface of the substrate is reduced. Further, since the evaporation source material is housed in a ring shape, a larger number of evaporation source materials can be housed than in a single crucible, and it is possible to easily cope with the formation of a multilayer film. Further, a local decrease in the evaporation source material is suppressed, and a change in the evaporation rate due to a decrease in the heat capacity of the electron beam irradiation surface is small.
【００１７】また、リング状るつぼを移動する構造にし
ている。複数のるつぼが設けられた回転テーブルを移動
する構造は実現がむずかしく、リング状るつぼを移動す
る構造とすることによって、複数のるつぼに収納された
第１の蒸着源物質とリング状るつぼに収納された第２の
蒸着源物質の切り替えが容易に行える。Further, the ring-shaped crucible is moved. The structure for moving the rotary table provided with a plurality of crucibles is difficult to realize, and the structure for moving the ring-shaped crucible allows the first evaporation source material stored in the plurality of crucibles and the ring-shaped crucible to be stored. Further, it is possible to easily switch the second evaporation source material.
【００１８】また、二酸化チタニウムと二酸化珪素の薄
膜を交互にそして多層に形成する場合、蒸着源物質が局
所的に減少する性質のある二酸化珪素をリング状るつぼ
に収納している。このため、蒸着源物質が蒸発する蒸発
面と基板の蒸着面の距離の変化を少なくすることができ
る。In the case where titanium dioxide and silicon dioxide thin films are formed alternately and in multiple layers, silicon dioxide having a property of locally reducing the deposition source material is contained in a ring-shaped crucible. Therefore, a change in the distance between the evaporation surface on which the evaporation source material evaporates and the evaporation surface of the substrate can be reduced.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態ついて、レ
ーザ発振器用の反射鏡を形成する場合を例にとり図１を
参照して説明する。符号１１は真空蒸着装置を構成する
真空槽で、真空槽１１は排気管１２を通して排気装置
（図示せず）に連結されている。また、真空槽１１はガ
ス導入管１３に連結され、薄膜の形成時に必要なガスが
ガス導入管１３から導入される。そして、真空槽１１内
の上部には凹面をした基板ドーム１４が配置されてい
る。基板ドーム１４は軸１５で支持され、回転できる構
造になっている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 by taking as an example a case where a reflector for a laser oscillator is formed. Reference numeral 11 denotes a vacuum chamber constituting a vacuum evaporation apparatus. The vacuum chamber 11 is connected to an exhaust device (not shown) through an exhaust pipe 12. Further, the vacuum chamber 11 is connected to a gas introduction pipe 13, and a gas necessary for forming a thin film is introduced from the gas introduction pipe 13. A substrate dome 14 having a concave surface is disposed in an upper portion of the vacuum chamber 11. The substrate dome 14 is supported by a shaft 15 and has a structure capable of rotating.
【００２０】基板ドーム１４には反射鏡を形成する複数
の基板１６が取り付けられている。また、基板ドーム１
４の周囲には基板１６を加熱するヒータ１７が設けられ
ている。そして、基板ドーム１４と対向して、蒸着源物
質をるつぼに収納した蒸発源１８が設けられている。蒸
発源１８の近くには、蒸発源１８の蒸着源物質に点線Ｄ
のように電子ビームに照射する電子ビーム源１９が配置
されている。なお、蒸発源１８の上方にはシャッター２
０が設けられている。A plurality of substrates 16 forming reflecting mirrors are mounted on the substrate dome 14. Also, the substrate dome 1
A heater 17 for heating the substrate 16 is provided around the substrate 4. Further, an evaporation source 18 that accommodates an evaporation source material in a crucible is provided so as to face the substrate dome 14. In the vicinity of the evaporation source 18, a dotted line D indicates the evaporation source material of the evaporation source 18.
An electron beam source 19 for irradiating an electron beam as shown in FIG. The shutter 2 is located above the evaporation source 18.
0 is provided.
【００２１】次に、蒸発源１８の構造の一例について図
２を参照して説明する。Next, an example of the structure of the evaporation source 18 will be described with reference to FIG.
【００２２】符号２１はカバーで、その一部に開口２２
が形成されている。また、カバー２１の下方には円板状
の移動テーブル２３が設けられている。移動テーブル２
３は軸２３ａを中心に回転できる構造になっている。そ
して、移動テーブル２３上には軸２３ａから等距離に複
数のるつぼ２４が配置され、るつぼ２４内には薄膜を形
成するための蒸着源物質、例えば、二酸化チタニウム
（ＴｉＯ2 ）が収納されている。そして、移動テーブル
２３の回転によって１つのるつぼ２４が移動テーブル２
３の開口２２部分に位置するようになっている。Reference numeral 21 denotes a cover, and an opening 22 is formed in a part of the cover.
Are formed. A disc-shaped moving table 23 is provided below the cover 21. Moving table 2
Reference numeral 3 denotes a structure that can rotate around the shaft 23a. A plurality of crucibles 24 are arranged on the moving table 23 at the same distance from the shaft 23a. The crucible 24 contains a deposition source material for forming a thin film, for example, titanium dioxide (TiO 2 ). . Then, the rotation of the moving table 23 causes one crucible 24 to move to the moving table 2.
3 opening 22 part.
【００２３】また、カバー２１と移動テーブル２３に挟
まれる位置に、例えば無端のリング状るつぼ２５が設け
られている。リング状るつぼ２５内には薄膜を形成する
ための蒸着源物質、例えば、二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）が
収納されている。リング状るつぼ２５は軸２５ａを中心
に矢印Ｙのように回転し、また、矢印Ｙ１方向に前進
し、そして、矢印Ｙ２方向に後退する構造になってい
る。例えば、移動テーブル２３上のるつぼ２４の二酸化
チタニウムを蒸発させる場合は、リング状るつぼ２５を
矢印Ｙ２方向に後退させ、１つのるつぼ２４が開口２２
部分と対向するようにする。また、リング状るつぼ２５
内の二酸化珪素を蒸発させる場合は、リング状るつぼ２
５を矢印Ｙ１方向に前進させ、図のようにリング状るつ
ぼ２５の一部が開口２２部分と対向するようにする。An endless ring-shaped crucible 25 is provided between the cover 21 and the moving table 23, for example. The ring-shaped crucible 25 contains a deposition source material for forming a thin film, for example, silicon dioxide (SiO 2 ). The ring-shaped crucible 25 rotates around the axis 25a as shown by the arrow Y, moves forward in the direction of the arrow Y1, and retreats in the direction of the arrow Y2. For example, when evaporating titanium dioxide in the crucible 24 on the moving table 23, the ring-shaped crucible 25 is retracted in the direction of arrow Y2, and one crucible 24 is opened.
So that it faces the part. In addition, the ring-shaped crucible 25
When evaporating the silicon dioxide inside, use a ring-shaped crucible 2
5 is advanced in the arrow Y1 direction so that a part of the ring-shaped crucible 25 faces the opening 22 as shown in the figure.
【００２４】上記した構成において、二酸化珪素や二酸
化チタニウムの薄膜を基板面に交互に、また多層に形成
する場合、図１の基板ドーム１４を回転し、シャッター
２０を開く。そして、リング状るつぼ２５を図２の位置
に設定する。この状態で、蒸発源１８の近くに設けられ
た電子ビーム源１９からリング状るつぼ２５に向け電子
ビームを照射する。電子ビームが照射されると二酸化珪
素が加熱され蒸発する。そして、蒸発した二酸化珪素が
基板ドーム１４の表面に配置され、ヒータ１７で加熱さ
れた複数の基板１６面に付着する。In the above-described configuration, when thin films of silicon dioxide or titanium dioxide are formed alternately or in multiple layers on the substrate surface, the substrate dome 14 in FIG. 1 is rotated and the shutter 20 is opened. Then, the ring-shaped crucible 25 is set at the position shown in FIG. In this state, the electron beam source 19 provided near the evaporation source 18 irradiates the ring-shaped crucible 25 with an electron beam. When the electron beam is irradiated, the silicon dioxide is heated and evaporated. Then, the evaporated silicon dioxide is arranged on the surface of the substrate dome 14 and adheres to the surfaces of the plurality of substrates 16 heated by the heater 17.
【００２５】その後、シャッター２０を閉じ、また、リ
ング状るつぼ２５を後退させ、移動テーブル２３上の１
つのるつぼ２４が移動デーブル２３の開口２２と向かい
合うようにする。そして、シャッター２０を開き、電子
ビームを照射し、るつぼ２４内の二酸化チタニウムを蒸
発させ、基板１６面に先に形成されている二酸化珪素の
薄膜上に二酸化チタニウムの薄膜を形成する。このよう
な操作を繰り返し、二酸化珪素と二酸化チタニウムの薄
膜が交互に位置する多層膜が基板面に形成される。Thereafter, the shutter 20 is closed, and the ring-shaped crucible 25 is retracted, and
The crucible 24 is made to face the opening 22 of the moving table 23. Then, the shutter 20 is opened, the electron beam is irradiated, and the titanium dioxide in the crucible 24 is evaporated to form a titanium dioxide thin film on the silicon dioxide thin film previously formed on the substrate 16 surface. By repeating such operations, a multilayer film in which silicon dioxide and titanium dioxide thin films are alternately formed is formed on the substrate surface.
【００２６】この場合、蒸着源物質が局所的に減少する
性質の二酸化珪素をリング状るつぼ２５に収納してい
る。したがって、リング状るつぼ２５を円周方向（矢印
Ｙ方向）へ少しずつ回転させれば照射面が深＜えぐられ
る前に、電子ビームの照射面を新しい領域に移動する。
このため、蒸着源物質が蒸発する蒸発面と基板の蒸着面
の距離の変化が少なく、また、多層の薄膜形成に対応で
きる。In this case, the ring-shaped crucible 25 contains silicon dioxide having a property that the amount of the evaporation source material is locally reduced. Therefore, if the ring-shaped crucible 25 is gradually rotated in the circumferential direction (the direction of the arrow Y), the irradiation surface of the electron beam is moved to a new area before the irradiation surface is deepened.
Therefore, a change in the distance between the evaporation surface on which the evaporation source material evaporates and the evaporation surface of the substrate is small, and it is possible to cope with the formation of a multilayer thin film.
【００２７】ここで、リング状るつぼ２５に収納された
蒸着源物質が蒸発する模様を図３で説明する。図３は、
リング状るつぼ２５（図２）の一部分を示し、一部が断
面で示されている。符号２５はリング状るつぼで、矢印
Ｙがリング状るつぼ２５の回転方向、そして、符号３１
が電子ビームで、符号３２が蒸着源物質で、符号３２ａ
が蒸着源物質３２の蒸発した部分である。Here, the manner in which the evaporation source material stored in the ring-shaped crucible 25 evaporates will be described with reference to FIG. FIG.
Fig. 3 shows a part of the ring-shaped crucible 25 (Fig. 2), a part of which is shown in cross section. Reference numeral 25 denotes a ring-shaped crucible, and an arrow Y indicates a rotation direction of the ring-shaped crucible 25 and a reference numeral 31.
Is an electron beam, 32 is a deposition source material, 32a
Is a portion where the evaporation source material 32 has evaporated.
【００２８】上記した実施形態では、移動テーブル２３
上の複数のるつぼ２４に１種類の蒸着源物質、例えば二
酸化チタニウムが収納されている。しかし、多層に形成
される薄膜の物質が多種類の場合は、異なる蒸着物質を
それぞれ、いくつかのるつぼ２４に分けて収納すること
もできる。また、上記の実施形態では、レーザ発振器用
の反射鏡を形成する場合を例にとり、蒸着源物質として
二酸化チタニウムと二酸化珪素が使用されている。しか
し、この発明は、その他の蒸着源物質に対しても適用す
ることができる。In the above embodiment, the moving table 23
One kind of evaporation source material, for example, titanium dioxide is stored in the plurality of crucibles 24 above. However, when there are many kinds of thin film materials formed in multiple layers, different deposition materials can be stored separately in several crucibles 24, respectively. In the above-described embodiment, titanium dioxide and silicon dioxide are used as evaporation source materials, taking as an example a case where a reflecting mirror for a laser oscillator is formed. However, the present invention can be applied to other deposition source materials.
【００２９】[0029]
【発明の効果】この発明によれば、多層膜の形成に対応
でき、また、蒸着源物質が蒸発する蒸発面と基板の蒸着
面の距離の変化を少なくした真空蒸着装置を実現でき
る。According to the present invention, it is possible to realize a vacuum vapor deposition apparatus which can cope with the formation of a multilayer film and which has a small change in the distance between the evaporation surface where the evaporation source material evaporates and the evaporation surface of the substrate.
【図１】本発明の実施形態を説明する概略の構造図であ
る。FIG. 1 is a schematic structural diagram illustrating an embodiment of the present invention.
【図２】本発明に使用される蒸発装置を説明する概略の
構造図である。FIG. 2 is a schematic structural view illustrating an evaporator used in the present invention.
【図３】本発明の実施形態を説明する概略の構造図であ
る。FIG. 3 is a schematic structural diagram illustrating an embodiment of the present invention.
【図４】従来技術で使用される蒸発装置を説明する概略
の構造図である。FIG. 4 is a schematic structural view illustrating an evaporator used in the conventional technique.
【図５】従来技術を説明する概略の構造図である。FIG. 5 is a schematic structural diagram illustrating a conventional technique.
【図６】従来技術を説明する概略の構造図である。FIG. 6 is a schematic structural diagram illustrating a conventional technique.
１１…真空槽 １２…排気管 １３…ガス導入管 １４…基板ドーム １５…軸 １６…基板 １７…ヒータ １８…蒸発源 １９…電子ビーム源 ２０…シャッター ２１…カバ− ２２…開口 ２３…移動テーブル ２４…るつぼ ２５…リング状るつぼ ３１…電子ビーム ３２…蒸着源物質 ３２ａ…蒸着源物質の蒸発部分 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Vacuum tank 12 ... Exhaust pipe 13 ... Gas introduction pipe 14 ... Substrate dome 15 ... Shaft 16 ... Substrate 17 ... Heater 18 ... Evaporation source 19 ... Electron beam source 20 ... Shutter 21 ... Cover 22 ... Opening 23 ... Moving table 24 ... crucible 25 ... ring-shaped crucible 31 ... electron beam 32 ... evaporation source material 32a ... evaporation part of evaporation source material
Claims (4)
質を収納し、円周方向に回転するリング状るつぼと、前
記蒸着源物質に電子ビームを照射する電子ビーム源と、
前記リング状るつぼ、および、前記電子ビーム源を収納
した真空槽とを具備した真空蒸着装置。1. A ring-shaped crucible containing a deposition source material for forming a thin film on a substrate surface and rotating in a circumferential direction; an electron beam source for irradiating the deposition source material with an electron beam;
A vacuum deposition apparatus comprising: the ring-shaped crucible; and a vacuum chamber containing the electron beam source.
着源物質を収納した複数のるつぼが設けられた移動テー
ブルと、前記第１の蒸着源物質に電子ビームを照射する
電子ビーム源と、前記基板面に薄膜を形成するための第
２の蒸着源物質を収納し、かつ、前記第２の蒸着源物質
に前記電子ビームが照射される第１の位置および前記第
２の蒸着源物質に前記電子ビームが照射されない第２の
位置間を移動し、円周方向に回転するリング状るつぼ
と、前記移動テーブル、前記電子ビーム源、および、前
記リング状るつぼを収納した真空槽とを具備した真空蒸
着装置。2. A moving table provided with a plurality of crucibles accommodating a first deposition source material for forming a thin film on a substrate surface, and an electron beam source for irradiating the first deposition source material with an electron beam. A first position in which a second deposition source material for forming a thin film on the substrate surface is accommodated, and the second deposition source material is irradiated with the electron beam, and a second deposition source. A ring-shaped crucible that moves between a second position where the substance is not irradiated with the electron beam and rotates in the circumferential direction, the moving table, the electron beam source, and a vacuum chamber containing the ring-shaped crucible; Vacuum evaporation equipment equipped.
が薄膜が形成される基板に近い位置に設けられたことを
特徴とする請求項２記載の真空蒸着装置。3. The vacuum deposition apparatus according to claim 2, wherein the ring-shaped crucible is provided at a position closer to the substrate on which the thin film is formed than the moving table.
で、第２の蒸着源物質が二酸化珪素であることを特徴と
する請求項２記載の真空蒸着装置。4. The vacuum deposition apparatus according to claim 2, wherein the first deposition source material is titanium dioxide, and the second deposition source material is silicon dioxide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15530396A JPH108242A (en) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | Vacuum deposition equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15530396A JPH108242A (en) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | Vacuum deposition equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH108242A true JPH108242A (en) | 1998-01-13 |
Family
ID=15602959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15530396A Pending JPH108242A (en) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | Vacuum deposition equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH108242A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010129180A3 (en) * | 2009-04-28 | 2011-03-31 | Ferrotec (Usa) Corporation | Lift-off deposition system featuring a density optimized hula substrate holder in a conical dep0sition chamber |
-
1996
- 1996-06-17 JP JP15530396A patent/JPH108242A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010129180A3 (en) * | 2009-04-28 | 2011-03-31 | Ferrotec (Usa) Corporation | Lift-off deposition system featuring a density optimized hula substrate holder in a conical dep0sition chamber |
| US8926755B2 (en) | 2009-04-28 | 2015-01-06 | Ferrotec (Usa) Corporation | Lift-off deposition system featuring a density optimized HULA substrate holder in a conical deposition chamber |
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