JPH108243A - 磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法Info
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- JPH108243A JPH108243A JP16347596A JP16347596A JPH108243A JP H108243 A JPH108243 A JP H108243A JP 16347596 A JP16347596 A JP 16347596A JP 16347596 A JP16347596 A JP 16347596A JP H108243 A JPH108243 A JP H108243A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜の磁気特性を劣化させることなく、高性
能な薄膜の作製を可能にした磁気記録媒体用低透磁率ス
パッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法を提供する
こと。 【解決手段】 ＣＯ−Ｃｒ−Ｔａ系合金のガスアトマイ
ズ粉末を金属製の容器に充填・封入し、これを加圧圧縮
用金型内で高温高圧プレスして固化成形した後、容器を
除去し該金属成形材部分を取り出し、８００〜１２５０
℃の温度範囲で低透磁率化のための熱処理を行い、冷却
し、所定の形状に機械加工することを特徴とする磁気記
録媒体用低透磁率スパッタリングＣｏ系ターゲット材の
製造方法。
能な薄膜の作製を可能にした磁気記録媒体用低透磁率ス
パッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法を提供する
こと。 【解決手段】 ＣＯ−Ｃｒ−Ｔａ系合金のガスアトマイ
ズ粉末を金属製の容器に充填・封入し、これを加圧圧縮
用金型内で高温高圧プレスして固化成形した後、容器を
除去し該金属成形材部分を取り出し、８００〜１２５０
℃の温度範囲で低透磁率化のための熱処理を行い、冷却
し、所定の形状に機械加工することを特徴とする磁気記
録媒体用低透磁率スパッタリングＣｏ系ターゲット材の
製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として磁気記録
媒体用スパッタリングターゲット材の製造方法に関し、
特に低透磁率のスパッタリングＣｏ系ターゲット材の製
造方法に関するものである。
媒体用スパッタリングターゲット材の製造方法に関し、
特に低透磁率のスパッタリングＣｏ系ターゲット材の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器材料の分野のなかでもコ
ンピューターのハードディスクなどの磁気記録媒体用薄
膜の需要は急激な増加の傾向にあり、使用される薄膜の
記録密度もますます高密度化しつつあり、Ｃｏ−Ｃｒ系
合金に加えてＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｐｔ系合
金およびＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金薄膜が使用されつつあ
る。このような磁気記録媒体用薄膜の作製には、主とし
てスパッタリング工法が用いられている。このスパッタ
リングに使用されるターゲット材は、従来鋳造、鋳造→
圧延等の工法により成形され、切り出した後、所望の形
状および表面状態に機械加工をし、また必要に応じてバ
ッキングプレートにインジウムなどでろう付けして完成
品とされる。
ンピューターのハードディスクなどの磁気記録媒体用薄
膜の需要は急激な増加の傾向にあり、使用される薄膜の
記録密度もますます高密度化しつつあり、Ｃｏ−Ｃｒ系
合金に加えてＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｐｔ系合
金およびＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金薄膜が使用されつつあ
る。このような磁気記録媒体用薄膜の作製には、主とし
てスパッタリング工法が用いられている。このスパッタ
リングに使用されるターゲット材は、従来鋳造、鋳造→
圧延等の工法により成形され、切り出した後、所望の形
状および表面状態に機械加工をし、また必要に応じてバ
ッキングプレートにインジウムなどでろう付けして完成
品とされる。
【０００３】さらに、一部には粉末冶金法によっても均
一性に優れた高品位のスパッタリングターゲット材の製
造が試みられている。このようなスパッタリングによる
磁気記録媒体用薄膜の製造においては、工業的にはマグ
ネトロン方式のスパッタリング装置が主として使用さ
れ、そのスパッタリング効果を高め、低コストでの薄膜
製造を目的として、スパッタリングターゲット材の低透
磁率化への試みが種々行われてきている。
一性に優れた高品位のスパッタリングターゲット材の製
造が試みられている。このようなスパッタリングによる
磁気記録媒体用薄膜の製造においては、工業的にはマグ
ネトロン方式のスパッタリング装置が主として使用さ
れ、そのスパッタリング効果を高め、低コストでの薄膜
製造を目的として、スパッタリングターゲット材の低透
磁率化への試みが種々行われてきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この透磁率の低いター
ゲット材の製造には、目的組成の合金の溶解時に、低透
磁率化を達成するために、主成分以外の元素を添加させ
る方法があるが、スパッタリングにより作製した薄膜の
本質的な特性であるところの記録および再生特性に対し
て好影響を与えることなく、劣化させる可能性を含んで
いることから望ましくない。
ゲット材の製造には、目的組成の合金の溶解時に、低透
磁率化を達成するために、主成分以外の元素を添加させ
る方法があるが、スパッタリングにより作製した薄膜の
本質的な特性であるところの記録および再生特性に対し
て好影響を与えることなく、劣化させる可能性を含んで
いることから望ましくない。
【０００５】これに対してターゲット材に冷間加工時あ
るいは熱間加工時に機械的に歪みを加え、透磁率の低減
を行うという方法は、薄膜の磁気特性を劣化させること
なく有効であるが、鋳造法で作製した鋳塊から切り出し
たターゲット材はその凝固時に生じる凝固偏析を避ける
ことができず、プレス機などにより機械的な歪みを加え
る際には成分の不均一に起因するところの機械的強度の
劣化に基づく割れなどの問題点を生じ易い。
るいは熱間加工時に機械的に歪みを加え、透磁率の低減
を行うという方法は、薄膜の磁気特性を劣化させること
なく有効であるが、鋳造法で作製した鋳塊から切り出し
たターゲット材はその凝固時に生じる凝固偏析を避ける
ことができず、プレス機などにより機械的な歪みを加え
る際には成分の不均一に起因するところの機械的強度の
劣化に基づく割れなどの問題点を生じ易い。
【０００６】さらにはターゲット材に与える歪み量のコ
ントロールは難しく、工業的に安定かつ容易な方法とは
言えがたい。この不均一な歪みの導入はろう付け時の際
の加熱時あるいはスパッタリング中にターゲットに加わ
る熱により、ターゲット本体に反りなどの機械的な寸法
変化を生じさせるなどの問題点がある。本発明はこのよ
うな状況の下でなされたものであって、その目的とする
ところは、従来技術に見られる種々の問題点を発生させ
ることなく、高性能な薄膜の作製を可能にする低透磁率
ターゲットの作製の実現を提供することにある。
ントロールは難しく、工業的に安定かつ容易な方法とは
言えがたい。この不均一な歪みの導入はろう付け時の際
の加熱時あるいはスパッタリング中にターゲットに加わ
る熱により、ターゲット本体に反りなどの機械的な寸法
変化を生じさせるなどの問題点がある。本発明はこのよ
うな状況の下でなされたものであって、その目的とする
ところは、従来技術に見られる種々の問題点を発生させ
ることなく、高性能な薄膜の作製を可能にする低透磁率
ターゲットの作製の実現を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決した
本発明の方法の要旨とするところは、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ
系合金のガスアトマイズ粉末を金属製の容器に充填・封
入し、これを加圧圧縮用金型内で高温高圧プレスして固
化成形した後、容器を除去し該合金成形材部分を取り出
し、８００℃〜１２５０℃の温度範囲で低透磁率化のた
めの熱処理を行い、冷却し、所定の形状に機械加工する
ことを特徴とするもので、この方法は従来の機械的に歪
みを導入する方法とは異なり、特に熱処理により金属組
織学的に構成相をコントロールすることにより低透磁率
化を実現することを特徴とするものである。
本発明の方法の要旨とするところは、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ
系合金のガスアトマイズ粉末を金属製の容器に充填・封
入し、これを加圧圧縮用金型内で高温高圧プレスして固
化成形した後、容器を除去し該合金成形材部分を取り出
し、８００℃〜１２５０℃の温度範囲で低透磁率化のた
めの熱処理を行い、冷却し、所定の形状に機械加工する
ことを特徴とするもので、この方法は従来の機械的に歪
みを導入する方法とは異なり、特に熱処理により金属組
織学的に構成相をコントロールすることにより低透磁率
化を実現することを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明における熱処理によるター
ゲット材の低透磁率化は、所望の熱処理中にＣｏＣｒ相
つまりσ相が析出するとともに、マトリックス中のＣｏ
量が減少し、その結果として透磁率が低下することによ
る。本発明において熱処理温度の下限を８００℃に限定
した理由は、８００℃未満では元素の拡散が遅く、Ｃｏ
Ｃｒ相の析出に長時間を要し実用的でないことによる。
上限温度を１２５０℃に限定した理由は、平衡状態図か
らもＣｏＣｒ相つまりσ相は１２８０℃まで分解するこ
とはないが、必要以上の高温までの加熱は、結晶粒を粗
大化させるなどの問題点が生じるので実質的には１２５
０℃以下が好ましいからである。アトマイズにおいては
粉末は急速凝固により作製されるため、組成的には鋳造
材と比較して格段に優れており、また熱間での固化成形
時にも均一化されるため、熱処理時の均熱後実質的には
３０分でその効果は現れることを確認した。
ゲット材の低透磁率化は、所望の熱処理中にＣｏＣｒ相
つまりσ相が析出するとともに、マトリックス中のＣｏ
量が減少し、その結果として透磁率が低下することによ
る。本発明において熱処理温度の下限を８００℃に限定
した理由は、８００℃未満では元素の拡散が遅く、Ｃｏ
Ｃｒ相の析出に長時間を要し実用的でないことによる。
上限温度を１２５０℃に限定した理由は、平衡状態図か
らもＣｏＣｒ相つまりσ相は１２８０℃まで分解するこ
とはないが、必要以上の高温までの加熱は、結晶粒を粗
大化させるなどの問題点が生じるので実質的には１２５
０℃以下が好ましいからである。アトマイズにおいては
粉末は急速凝固により作製されるため、組成的には鋳造
材と比較して格段に優れており、また熱間での固化成形
時にも均一化されるため、熱処理時の均熱後実質的には
３０分でその効果は現れることを確認した。
【０００９】
実施例１ Ｃｏ−Ｃｒ12−Ｔａ4 の合金粉末をガスアトマイズ法で
作製し、金属製の容器に充填・ロータリー式真空ポンプ
で脱気後、押出し装置により１２００℃で径２１０ｍ
ｍ、長さ１５０ｍｍの成形材を作製し、一旦室温まで冷
却した。径２１０ｍｍ、長さ１００ｍｍ（Ａ部）と径２
１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ（Ｂ部）を切り出し、８００
℃、２時間熱処理を行い、水冷し、機械加工を経てター
ゲット材に作製した。同一の成形材から透磁率測定用試
料を切り出し、透磁率を測定し、図１に示すように熱処
理を行っていないＢ部の透磁率と比較し、透磁率が１０
％低減していることを確認した。すなわち、図１はＣｏ
−Ｃｒ−Ｔａの場合の熱処理温度と透磁率との変化を示
す図であり、熱処理なしを１００とした時の磁場１ｋＯ
ｅにおける透磁率の相対値として表している。また、図
２はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａの場合の熱処理温度とＣｏＣｒ相
の析出に伴うＸ線の回析強度の変化を示す図である。こ
れにより熱処理条件の違いによりＸ線相対強度に変化が
あることが判る。
作製し、金属製の容器に充填・ロータリー式真空ポンプ
で脱気後、押出し装置により１２００℃で径２１０ｍ
ｍ、長さ１５０ｍｍの成形材を作製し、一旦室温まで冷
却した。径２１０ｍｍ、長さ１００ｍｍ（Ａ部）と径２
１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ（Ｂ部）を切り出し、８００
℃、２時間熱処理を行い、水冷し、機械加工を経てター
ゲット材に作製した。同一の成形材から透磁率測定用試
料を切り出し、透磁率を測定し、図１に示すように熱処
理を行っていないＢ部の透磁率と比較し、透磁率が１０
％低減していることを確認した。すなわち、図１はＣｏ
−Ｃｒ−Ｔａの場合の熱処理温度と透磁率との変化を示
す図であり、熱処理なしを１００とした時の磁場１ｋＯ
ｅにおける透磁率の相対値として表している。また、図
２はＣｏ−Ｃｒ−Ｔａの場合の熱処理温度とＣｏＣｒ相
の析出に伴うＸ線の回析強度の変化を示す図である。こ
れにより熱処理条件の違いによりＸ線相対強度に変化が
あることが判る。
【００１０】実施例２ Ｃｏ−Ｃｒ14−Ｔａ6 の合金粉末をガスアトマイズ法で
作製し、金属製の容器に充填・ロータリー式真空ポンプ
で脱気後、押出し装置により１２００℃で径２１０ｍ
ｍ、長さ１００ｍｍの成形材を作製し、一旦室温まで冷
却した。径２１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ（Ａ部）と径２１
０ｍｍ、長さ５０ｍｍ（Ｂ部）を切り出し、１０００
℃、２時間熱処理を行い、油冷し、機械加工を経てター
ゲット材に作製した。同一の成形材から透磁率測定用試
料を切り出し、透磁率を測定し、図１に示すように熱処
理を行っていないＢ部の透磁率と比較し、透磁率が１５
％低減していることを確認した。
作製し、金属製の容器に充填・ロータリー式真空ポンプ
で脱気後、押出し装置により１２００℃で径２１０ｍ
ｍ、長さ１００ｍｍの成形材を作製し、一旦室温まで冷
却した。径２１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ（Ａ部）と径２１
０ｍｍ、長さ５０ｍｍ（Ｂ部）を切り出し、１０００
℃、２時間熱処理を行い、油冷し、機械加工を経てター
ゲット材に作製した。同一の成形材から透磁率測定用試
料を切り出し、透磁率を測定し、図１に示すように熱処
理を行っていないＢ部の透磁率と比較し、透磁率が１５
％低減していることを確認した。
【００１１】実施例３ Ｃｏ−Ｃｒ14−Ｐｔ8 の合金粉末をガスアトマイズ法で
作製し、金属製の容器に充填・ロータリー式真空ポンプ
で脱気後、押出し装置により１２００℃で径１６０ｍ
ｍ、長さ１００ｍｍの成形材を作製し、一旦室温まで冷
却した。径１６０ｍｍ、長さ５０ｍｍ（Ａ部）と径１６
０ｍｍ、長さ５０ｍｍ（Ｂ部）を切り出し、１０５０
℃、１時間熱処理を行い、油冷し、機械加工を経てター
ゲット材に作製した。同一の成形材から透磁率測定用試
料を切り出し、透磁率を測定し、図１に示すように熱処
理を行っていないＢ部の透磁率と比較し、透磁率が２０
％低減していることを確認した。
作製し、金属製の容器に充填・ロータリー式真空ポンプ
で脱気後、押出し装置により１２００℃で径１６０ｍ
ｍ、長さ１００ｍｍの成形材を作製し、一旦室温まで冷
却した。径１６０ｍｍ、長さ５０ｍｍ（Ａ部）と径１６
０ｍｍ、長さ５０ｍｍ（Ｂ部）を切り出し、１０５０
℃、１時間熱処理を行い、油冷し、機械加工を経てター
ゲット材に作製した。同一の成形材から透磁率測定用試
料を切り出し、透磁率を測定し、図１に示すように熱処
理を行っていないＢ部の透磁率と比較し、透磁率が２０
％低減していることを確認した。
【００１２】実施例４ Ｃｏ−Ｃｒ13−Ｔａ3 −Ｐｔ13の合金粉末をガスアトマ
イズ法で作製し、金属製の容器に充填・ロータリー式真
空ポンプで脱気後、押出し装置により１２００℃で径２
１０ｍｍ、長さ２００ｍｍの成形材を作製し、一旦室温
まで冷却した。径２１０ｍｍ、長さ１００ｍｍ（Ａ部）
と径２１０ｍｍ、長さ１００ｍｍ（Ｂ部）を切り出し、
１０５０℃、１時間熱処理を行い、油冷し、機械加工を
経てターゲット材に作製した。同一の成形材から透磁率
測定用試料を切り出し、透磁率を測定し、図１に示すよ
うに熱処理を行っていないＢ部の透磁率と比較し、透磁
率が２０％低減していることを確認した。
イズ法で作製し、金属製の容器に充填・ロータリー式真
空ポンプで脱気後、押出し装置により１２００℃で径２
１０ｍｍ、長さ２００ｍｍの成形材を作製し、一旦室温
まで冷却した。径２１０ｍｍ、長さ１００ｍｍ（Ａ部）
と径２１０ｍｍ、長さ１００ｍｍ（Ｂ部）を切り出し、
１０５０℃、１時間熱処理を行い、油冷し、機械加工を
経てターゲット材に作製した。同一の成形材から透磁率
測定用試料を切り出し、透磁率を測定し、図１に示すよ
うに熱処理を行っていないＢ部の透磁率と比較し、透磁
率が２０％低減していることを確認した。
【００１３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によるスパッ
タリングにより作製された薄膜の磁気特性を劣化させる
ことなく、ターゲット材の透磁率は実質１０〜２０％低
減された。この低透磁率化されたターゲットは機械的な
歪みが導入されておらず、ろう付け時の加熱によって
も、またスパッタリング中にもターゲット材に反りが発
生することなく、効率良く薄膜を作製することができる
ようになった。
タリングにより作製された薄膜の磁気特性を劣化させる
ことなく、ターゲット材の透磁率は実質１０〜２０％低
減された。この低透磁率化されたターゲットは機械的な
歪みが導入されておらず、ろう付け時の加熱によって
も、またスパッタリング中にもターゲット材に反りが発
生することなく、効率良く薄膜を作製することができる
ようになった。
【図１】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａの場合の熱処理温度と透磁率
との変化を示す図である。
との変化を示す図である。
【図２】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａの場合の熱処理温度とＣｏＣ
ｒ相の析出に伴うＸ線の回析強度との変化を示す図であ
る。
ｒ相の析出に伴うＸ線の回析強度との変化を示す図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｈ０１Ｆ 41/18 (72)発明者 田中 義和 兵庫県姫路市飾磨区中島字一文字3007番地 山陽特殊製鋼株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金のガスアトマイ
ズ粉末を金属製の容器に充填・封入し、これを加圧圧縮
用金型内で高温高圧プレスして固化成形し、一旦室温ま
で冷却した後、８００℃〜１２５０℃の温度で低透磁率
化のための熱処理を行い、冷却し、所定の形状に機械加
工することを特徴とする磁気記録媒体用低透磁率スパッ
タリングＣｏ系ターゲット材の製造方法。 - 【請求項２】 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金のガスアトマイ
ズ粉末を金属製の容器に充填・封入し、これを加圧圧縮
用金型内で高温高圧プレスして固化成形した後、冷却途
中にて８００℃〜１２５０℃の温度で低透磁率化のため
の熱処理を行ってから、室温まで冷却し、所定の形状に
機械加工することを特徴とする磁気記録媒体用低透磁率
スパッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法。 - 【請求項３】 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金のガスアトマイ
ズ粉末を金属製の容器に充填・封入し、これを加圧圧縮
用金型内で高温高圧プレスして固化成形した後、一旦室
温まで冷却した後、８００℃〜１２５０℃の温度で低透
磁率化のための熱処理を行い、冷却し、所定の形状に機
械加工することを特徴とする磁気記録媒体用低透磁率ス
パッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法。 - 【請求項４】 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金のガスアトマイ
ズ粉末を金属製の容器に充填・封入し、これを加圧圧縮
用金型内で高温高圧プレスして固化成形した後、冷却途
中にて８００℃〜１２５０℃の温度で低透磁率化のため
の熱処理を行い、冷却し、所定の形状に機械加工するこ
とを特徴とする磁気記録媒体用低透磁率スパッタリング
Ｃｏ系ターゲット材の製造方法。 - 【請求項５】 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系合金のガスア
トマイズ粉末を金属製の容器に充填・封入し、これを加
圧圧縮用金型内で高温高圧プレスして固化成形した後、
容器を除去し該合金成形材部分を取り出し、一旦室温ま
で冷却した後、８００℃〜１２５０℃の温度で低透磁率
化のための熱処理を行い、冷却し、所定の形状に機械加
工することを特徴とする磁気記録媒体用低透磁率スパッ
タリングＣｏ系ターゲット材の製造方法。 - 【請求項６】 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系合金のガスア
トマイズ粉末を金属製の容器に充填・封入し、これを加
圧圧縮用金型内で高温高圧プレスして固化成形した後、
容器を除去し該合金成形材部分を取り出し、冷却途中に
て８００℃〜１２５０℃の温度で低透磁率化のための熱
処理を行い、冷却し、所定の形状に機械加工することを
特徴とする磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングＣｏ
系ターゲット材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16347596A JPH108243A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16347596A JPH108243A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002079529A Division JP2002363615A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH108243A true JPH108243A (ja) | 1998-01-13 |
Family
ID=15774586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16347596A Pending JPH108243A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH108243A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001303241A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-10-31 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2001303242A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-10-31 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2003057002A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-26 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | コーティング厚さ検査法 |
| JP2011214039A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Sanyo Special Steel Co Ltd | スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| US8318314B2 (en) | 2004-08-10 | 2012-11-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Barrier film for flexible copper substrate and sputtering target for forming barrier film |
-
1996
- 1996-06-24 JP JP16347596A patent/JPH108243A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031118 |