JPS63111172A - タ−ゲツト材の製造方法 - Google Patents
タ−ゲツト材の製造方法Info
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- JPS63111172A JPS63111172A JP25727786A JP25727786A JPS63111172A JP S63111172 A JPS63111172 A JP S63111172A JP 25727786 A JP25727786 A JP 25727786A JP 25727786 A JP25727786 A JP 25727786A JP S63111172 A JPS63111172 A JP S63111172A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、フォトマスク用、磁気記録金属媒体用、磁気
ヘッド用、ミラー用等に、使用されている金属または合
金薄膜用ターゲット材（以下金属ターゲット材と記す）
の改良に関するものである。
ヘッド用、ミラー用等に、使用されている金属または合
金薄膜用ターゲット材（以下金属ターゲット材と記す）
の改良に関するものである。
従来のスパッタリング用金屈ターゲット材は、主に、真
空溶解鋳造法か、粉末焼結法でえられる成形塊（銅塊）
を、所定寸法に切断、切削または研磨等の殿城加工仕上
したものが用いられていた。
空溶解鋳造法か、粉末焼結法でえられる成形塊（銅塊）
を、所定寸法に切断、切削または研磨等の殿城加工仕上
したものが用いられていた。
しかし、真空溶解鋳造法によるものでは結晶粒径の制御
が、困難であったり、また、鋳造欠陥や焼結よる残余空
孔のために、密度も低いものであった。このため従来の
金属ターゲット材では、スパッタ時に、グコー放電の安
定持続が困難となり、その結果として、ターゲット効率
の低下をもたらし、有効利用される部分が少ないという
問題を生じている。
が、困難であったり、また、鋳造欠陥や焼結よる残余空
孔のために、密度も低いものであった。このため従来の
金属ターゲット材では、スパッタ時に、グコー放電の安
定持続が困難となり、その結果として、ターゲット効率
の低下をもたらし、有効利用される部分が少ないという
問題を生じている。
そこで、本発明は、スパッタリングを安定化しかつ無駄
を少なく有効に使用できる金属ターゲット材の製造方法
を提供しようとするものである。
を少なく有効に使用できる金属ターゲット材の製造方法
を提供しようとするものである。
本発明は、金属ターゲット材を製造する工程に、熱間も
しくは冷間塑性加工並びに焼鈍を加えることで、結晶粒
径を制御し、空孔がなく均質な金属ターゲット材を供給
することにより、前記問題点を解決するものである。
しくは冷間塑性加工並びに焼鈍を加えることで、結晶粒
径を制御し、空孔がなく均質な金属ターゲット材を供給
することにより、前記問題点を解決するものである。
すなわち、実施例で述べるように、各種合金系に応じて
、４Ｑｍｍないし７０龍厚みのシートバーを、８ないし
１０朋まで熱間圧延（ただし、Ｎｉ系の場合は、後半の
冷間圧延率５０％）したのち、８００°Ｃないし１１５
０℃に、１０分間ないし３０分間保持し、徐冷（５０℃
／ＨＲ）あるいは、空冷すること等によって、存在する
空孔を除去し、また結晶粒径を小さくするとともに、均
一に制御するものである。
、４Ｑｍｍないし７０龍厚みのシートバーを、８ないし
１０朋まで熱間圧延（ただし、Ｎｉ系の場合は、後半の
冷間圧延率５０％）したのち、８００°Ｃないし１１５
０℃に、１０分間ないし３０分間保持し、徐冷（５０℃
／ＨＲ）あるいは、空冷すること等によって、存在する
空孔を除去し、また結晶粒径を小さくするとともに、均
一に制御するものである。
本発明によれば、ターゲット材が、スパッタされて、表
面から少しずつ減ってゆく過程で、結晶粒の差異が、ス
パッタ面に現われて、成膜の安定を欠くことや、空孔が
スパーク放電を起こさせることが無く、グロー放電の安
定持続が可能である。
面から少しずつ減ってゆく過程で、結晶粒の差異が、ス
パッタ面に現われて、成膜の安定を欠くことや、空孔が
スパーク放電を起こさせることが無く、グロー放電の安
定持続が可能である。
その結果として、ターゲット材の有効利用率が、高くな
る。
る。
〔実施例〕
実施例１．Ｎｉ−Ｆｅターゲット
組成が８２．４％Ｎｉ １７．６％Ｆｅ （ｗｔ％）
、真空誘導炉で溶解・精錬・鋳造した鋼塊を、１１５０
℃に加熱して、１８鶴厚さに熱間圧延し、その後、９鶴
まで冷間圧延した後、種々の条件で焼鈍し、結晶粒度を
調べた。この結果を表に示す。
、真空誘導炉で溶解・精錬・鋳造した鋼塊を、１１５０
℃に加熱して、１８鶴厚さに熱間圧延し、その後、９鶴
まで冷間圧延した後、種々の条件で焼鈍し、結晶粒度を
調べた。この結果を表に示す。
このうち代表的なミクロ組織写真（Ｘ１００倍）を第１
図に示す。ＡおよびＢはそれぞれ表のＴＰＮｎｌおよび
４によるものであり、木表から焼鈍により結晶粒径の制
御が可能であることが判る。
図に示す。ＡおよびＢはそれぞれ表のＴＰＮｎｌおよび
４によるものであり、木表から焼鈍により結晶粒径の制
御が可能であることが判る。
実施例’１． Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒターゲット組成が、
６２．５％Ｃｏ−３０％Ｎｉ−７，５％Ｃｒ（八Ｔ％）
、真空誘導炉で溶解・精錬・鋳造した鋼塊を、１１００
℃で、３７１１厚さのシートバーに鋳造し、得られたシ
ートバーを１１３０°Ｃに加熱後、１０ｍｍに圧延し、
１１００°Ｃ×１５分間の保持後空冷した。
６２．５％Ｃｏ−３０％Ｎｉ−７，５％Ｃｒ（八Ｔ％）
、真空誘導炉で溶解・精錬・鋳造した鋼塊を、１１００
℃で、３７１１厚さのシートバーに鋳造し、得られたシ
ートバーを１１３０°Ｃに加熱後、１０ｍｍに圧延し、
１１００°Ｃ×１５分間の保持後空冷した。
本実施例によるＭｉ織写真を第２図Ｂに示す。なおＡは
鋳造ままの参考Ｂは焼鈍後のものである。
鋳造ままの参考Ｂは焼鈍後のものである。
実施例３．純クロムターゲット
純クロムターゲット材（９９，９％以上）を、クロム粉
末をカプセルに封入し、旧Ｐでシートバーに焼結し、１
１００°Ｃで、３０分以上加熱保持後、１０ｍ厚さに熱
間圧延して、１０００℃ないし１１５０℃に３０分間保
持後、曲取りをして約５０℃／ＨＲで徐冷して制作した
。
末をカプセルに封入し、旧Ｐでシートバーに焼結し、１
１００°Ｃで、３０分以上加熱保持後、１０ｍ厚さに熱
間圧延して、１０００℃ないし１１５０℃に３０分間保
持後、曲取りをして約５０℃／ＨＲで徐冷して制作した
。
比較のために、鋳造法によるもの（写真Ａ）、粉末焼結
法によるもの（写真Ｂ）、および本発明によるもの（写
真Ｃ）のミクロ組織を第３図に示す。
法によるもの（写真Ｂ）、および本発明によるもの（写
真Ｃ）のミクロ組織を第３図に示す。
また、これらの方法によって作られたクーゲット材の比
重は、それぞれ、Ａ ： ７．１５５． Ｂ ： ７．
１６８゜Ｃ： ７．１８４であり、本発明によるＣは、
ミクロ組織が均質であり、空孔がないことが判る。
重は、それぞれ、Ａ ： ７．１５５． Ｂ ： ７．
１６８゜Ｃ： ７．１８４であり、本発明によるＣは、
ミクロ組織が均質であり、空孔がないことが判る。
上記実施例の他に、Ｃｏ −Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｎｉ系、Ｎ
ｉ−、Ｆｅ−Ｍｏ系およびＦｅ −Ｃｏ系についてテス
トした結果、いずれも本発明の適用が可能であり、かつ
結晶粒径制御が可能で、均質化、空孔発生防止の効果が
顕著であることが確認された。
ｉ−、Ｆｅ−Ｍｏ系およびＦｅ −Ｃｏ系についてテス
トした結果、いずれも本発明の適用が可能であり、かつ
結晶粒径制御が可能で、均質化、空孔発生防止の効果が
顕著であることが確認された。
以上述べたように、本発明はターゲット材の結晶粒径制
？ｌ［ｌ、均質化、空孔の発生防止を可能とし、これに
よりグロー放電を安定化するとともに使用率が向上する
等、高品質のターゲット材の製造を可能とするものであ
る。
？ｌ［ｌ、均質化、空孔の発生防止を可能とし、これに
よりグロー放電を安定化するとともに使用率が向上する
等、高品質のターゲット材の製造を可能とするものであ
る。
第１図は、本発明による１７．６ｗｔ％Ｆｅ−Ｎｉター
ゲット材のミクロ金属組織写真であり、ＡおよびＢはそ
れぞれ表のＴＰＮＩＩ １および２によるもの、第２図
は、本発明の結晶粒径制御効果を説明するミクロ金属組
織写真で、ＡおよびＢはそれぞれ鋳造のままおよび焼鈍
後のもの、第３図は、従来および本発明の製造法による
ミクロ金属組織の比較写真であり、Ａは鋳造法、Ｂは粉
末焼結法、Ｃは本発明によるものである。 第１図 （ｘｌｏｏイ０ 第２図（×／ρ０イ幻
ゲット材のミクロ金属組織写真であり、ＡおよびＢはそ
れぞれ表のＴＰＮＩＩ １および２によるもの、第２図
は、本発明の結晶粒径制御効果を説明するミクロ金属組
織写真で、ＡおよびＢはそれぞれ鋳造のままおよび焼鈍
後のもの、第３図は、従来および本発明の製造法による
ミクロ金属組織の比較写真であり、Ａは鋳造法、Ｂは粉
末焼結法、Ｃは本発明によるものである。 第１図 （ｘｌｏｏイ０ 第２図（×／ρ０イ幻
Claims (1)
- スパッタリング法で、金属薄膜を製造する場合に使用さ
れる金属または合金系ターゲット材において、熱間もし
くは冷間塑性加工または熱間および冷間塑性加工並びに
焼鈍を施すことを特長とする、ターゲット材の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25727786A JPS63111172A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | タ−ゲツト材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25727786A JPS63111172A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | タ−ゲツト材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63111172A true JPS63111172A (ja) | 1988-05-16 |
Family
ID=17304140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25727786A Pending JPS63111172A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | タ−ゲツト材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63111172A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63216966A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
| JP2012052193A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | インジウムターゲット及びその製造方法 |
| US9023487B2 (en) | 2011-09-21 | 2015-05-05 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Laminated structure and method for producing the same |
| US9139900B2 (en) | 2011-03-01 | 2015-09-22 | JX Nippon Mining Metals Corporation | Indium target and manufacturing method thereof |
| US9758860B2 (en) | 2012-01-05 | 2017-09-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium sputtering target and method for manufacturing same |
| US9761421B2 (en) | 2012-08-22 | 2017-09-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium cylindrical sputtering target and manufacturing method thereof |
| US9922807B2 (en) | 2013-07-08 | 2018-03-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and method for production thereof |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP25727786A patent/JPS63111172A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63216966A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
| JP2012052193A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | インジウムターゲット及びその製造方法 |
| US9490108B2 (en) | 2010-09-01 | 2016-11-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium target and method for manufacturing same |
| US9139900B2 (en) | 2011-03-01 | 2015-09-22 | JX Nippon Mining Metals Corporation | Indium target and manufacturing method thereof |
| US9023487B2 (en) | 2011-09-21 | 2015-05-05 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Laminated structure and method for producing the same |
| US9758860B2 (en) | 2012-01-05 | 2017-09-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium sputtering target and method for manufacturing same |
| US9761421B2 (en) | 2012-08-22 | 2017-09-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium cylindrical sputtering target and manufacturing method thereof |
| US9922807B2 (en) | 2013-07-08 | 2018-03-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and method for production thereof |
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