JPH108247A - 基材に薄膜を被覆する装置 - Google Patents
基材に薄膜を被覆する装置Info
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Abstract
が廉価で、長時間の稼働に耐える装置にする。 【解決手段】 特に電位差測定電極の測定センサ3、
3′、3″が備えられ、この測定電極が、真空室5内
の、又は真空室5と接続されている供給管17内のガス
の割合を、基準電極を介して、基準ガスと、又は基準電
極に代わる固体と比較し、いわゆる信号、つまり得られ
る電位差を、更に信号増幅器を内蔵する調整ユニット1
4へ伝達し、この調整ユニットが、給電源のジェネレー
タを起動制御するようにした。
Description
する装置であって、給電源が備えられており、この給電
源が、真空室内に配置された陰極と接続され、ターゲッ
トと協働し、ターゲットから叩き出された粒子が、ター
ゲットと対向配置された基材上に沈着するようにされ、
また、プロセスガス源が備えられており、このプロセス
ガス源が真空室と接続され、真空室の排気が可能にされ
ている形式の装置に関するものである。
を保証するためには、ガスの取入れは一定にして、陰極
電流供給を極めて精確に調整する必要がある。その場合
の最も簡単な調整モードは、電流、電圧、出力の調整で
ある。しかし、これらの調整だけでは、スパッタ陰極を
比較的長時間にわたって、電流電圧特性値の臨界域(例
えば、金属モードと酸化モードとの移行域)で働かせる
には不十分である。
いて、出力供給を一定にして、ガスの取入れを調整する
ことが提案されている(旧東ドイツ特許第271827
13号)。安定的作動のためのこの公知装置は、光学信
号を電気信号に変換するための測定システムを有するプ
ラズマ放出モニタと、プラズマトロンをプラス作動させ
るための切換装置を有する共通の給電源とから成ってい
る。この公知装置の場合、各プラズマトロンに対し1つ
の測定システムが配属され、これら測定システムの出力
部が、保持段を介してヘテロダイン装置(Ueberlagerung
seinrichtung)に接続されている。更に、切換装置が、
制御段を介してヘテロダイン装置と接続され、ヘテロダ
イン装置には、出力時に、プラズマ放出モニタと反応性
ガス取入れ用の弁が接続される。
(DAS2700979)及び又は被蒸着材料の組成を
チェックする方法も、公知である。この方法の場合、被
蒸着材料の一部が、測定区域を貫流し、この測定区域で
放射にさらされる。その場合、放射の形式は、次のよう
に選定される。すなわち、被蒸着材料の、測定区域を貫
流する原子の少なくとも一部の電子が、より高いエネル
ギーレベルに高められるように、また、低エネルギー状
態への逆移行時に発生するフォトン(光子)が、蒸着速
度基準として、又は被蒸着材料組成の情報信号として記
録できるように、選定される。
400979によるこれらの公知の調整形式は、しかし
ながら、次のような欠点がある。すなわち、製作費が高
額であり、外光の反射に対する感度が高く、特別に精密
な調整が必要であり、また、制御されないスパッタガス
ドーピングに対する感度が高い。
動により被覆する装置の場合には、決定的な欠点を有し
ている。すなわち、光出力(Lichtauskopplung)用の窓
が必要な点である。この窓は、散乱蒸発物によって被覆
されることで、窓の光学特性、ひいては測定値が変動す
る。
題は、冒頭に述べた種類の装置を、公知調整装置の欠点
が除去され、特に、製作費が廉価で、長時間の稼働に耐
えるものにすることにある。
れば、次のようにすることによって解決された。すなわ
ち、特に電位差測定電極の測定センサ(測定プローブ)
を備えるようにし、この測定電極が、真空室内の、又は
真空室と接続されている接続管路内のガスの割合を、基
準電極を介して、基準ガスと、又は基準電極に代わる固
体と比較し、いわゆる信号、つまり得られた電位差を、
更に信号増幅器を内蔵する調整ユニットへ伝達し、この
調整ユニットが、給電源のジェネレータを起動制御する
ようにしたのである。
の各項に記載されている。
式が可能だが、そのうちの3例を添付図面(図1〜図
3)に示してある。
っている。すなわち、真空室5内に配置され、ターゲッ
ト6を有するスパッタ陰極7と、ターゲット6の下方に
保持された基材8と、陰極両側に設けられ、ガス取入れ
管11・ガス貯蔵容器16・ガス流量調整弁12を有す
るガス流路9、10と、ブラインド13、13′と、調
整器14を有する給電源と、プローブ加熱装置15を有
する、測定プローブとしてのラムダ・プローブ3と、バ
ッキングポンプ2を有する真空ポンプ4とから成ってい
る。
のターボ分子ポンプ4の前方の、吸込み接続管路17の
区域に配置されている。ターゲット6は、チタン製であ
り、アルゴン・酸素混合ガス内でスパッタされ、基材8
上にはTiO2膜が成膜される。プロセス制御用には、
良好な酸素イオン伝導体を形成する酸化ジルコニウム電
解質を有するラムダ・プローブ3が役立っている。
ち“酸素”の関数である。基準圧力を構成するのは、周
囲の大気の酸素分圧である。プローブ電圧には、空気圧
の変動及び又はプローブ温度の変動に往々にして起因す
る電圧変動が、事情により発生することがある。これを
防止するには、これら双方の値を安定化させねばならな
い。スパッタ過程は、一定の酸素流量で実施される。
空室5内の酸素分圧の関数であり、陰極給電の出力調整
に役立っている。
ラムダ・プローブ3′が、接続管18内に配置され、し
たがって、真空室5内の圧力と対応する圧力域で測定す
る点で異なるだけである。
3″が備えられている。このラムダ・プローブは、真空
室5と接続された真空ポンプ20の圧力管22内に配置
されている。真空ポンプ20は、真空室5に開口してい
る。また、圧力管22内には、チョーク21が設けられ
ている。ラムダ・プローブ3″は、真空ポンプ20とチ
ョーク21との間に配置されている。
ダ・プローブ3、3′、3″との間で、ユニット14に
まとめられた増幅器が示されている。この増幅器は、一
方では、導体線23、23′を介して案内される、ラム
ダ・プローブ3、3′、3″の信号を受信し、他方で
は、ジェネレータ、例えばMFジェネレータのための制
御電流を供給する。
ブ、プロセスガス容器、ガス流量調整弁を有するスパッ
タ装置の略示図である。ラムダプローブは、真空室内
に、それも真空ポンプの吸込み接続管の区域に配置され
ている。
プローブが、この形式に場合は、真空ポンプとバッキン
グポンプとの接続管内に配置されている。
示図である。真空ポンプの吸込み側及び圧力側が真空室
と接続され、更に、真空ポンプの圧力管内にはチョーク
とラムダプローブとが配置されている。
る。
Claims (5)
- 【請求項1】 基材に薄膜を被覆する装置であって、給
電源(14)が備えられ、この給電源が、真空室(5)
内に配置された陰極(7)と接続され、ターゲット
(6)と協働し、ターゲットから散乱せしめられた粒子
が、ターゲット(6)と対向配置された基材(8)上に
沈着するようにされており、また、プロセスガス源(1
6)が備えられ、このプロセスガス源が真空室(5)と
接続され、しかも真空室(5)とプロセスガス源(1
6)との間には、調整器によって制御される計量弁(1
2)が間挿されており、更に、少なくとも1つの真空ポ
ンプ(2、4、20)が備えられ、その吸込み側が真空
室(5)と接続されている形式のものにおいて、 特に電位差測定電極の測定プローブ(3、3′、3″)
が備えられ、この測定電極が、真空室(5)内の、又は
真空室(5)と接続されている接続管路(17)内のガ
スの割合を、基準電極を介して、基準ガスと、又は基準
電極に代わる固体と比較し、いわゆる信号、つまり得ら
れた電位差を、更に信号増幅器を内蔵する調整ユニット
(14)へ伝達し、この調整ユニットが、給電源のジェ
ネレータを起動制御することを特徴とする、基材に薄膜
を被覆する装置。 - 【請求項2】 前記測定電極が、いわゆるラムダプロー
ブ(3、3′、3″)であり、プロセスガスが酸素であ
る、請求項1記載の装置。 - 【請求項3】 前記測定電極(3)が、真空ポンプ
(4)の吸込み接続管(17)の区域に配置されてい
る、請求項1又は2記載の装置。 - 【請求項4】 前記測定電極(3′)が、バッキングポ
ンプ(2)と真空ポンプ(4)との間に間挿されてい
る、請求項1又は2記載の装置。 - 【請求項5】 前記測定電極(3″)が、真空室(5)
に接続された、真空ポンプ(20)の圧力管(22)内
に配置され、しかも、測定電極(3″)と真空室(5)
との間の、圧力管(22)の接続管内にチョーク(2
1)が設けられており、真空ポンプ(20)の吸込み側
が、直接に真空室(5)と接続されている、請求項1又
は2記載の装置。
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