JPH1083588A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH1083588A JPH1083588A JP8235037A JP23503796A JPH1083588A JP H1083588 A JPH1083588 A JP H1083588A JP 8235037 A JP8235037 A JP 8235037A JP 23503796 A JP23503796 A JP 23503796A JP H1083588 A JPH1083588 A JP H1083588A
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- Japan
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- magneto
- layer
- light beam
- optical recording
- land
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光ビーム直径を小さくすることなく、隣接する
グルーブ又はランドからのクロストーク量を減少させて
高記録密度なものとする。 【解決手段】λ＝６８５ｎｍの半導体レーザを用い、透
明基板１はｎ＝１．５８のポリカーボネート基板、読出
し層２はＧｄＦｅＣｏ、光磁気記録層３はＴｂＦｅＣｏ
からなり、保護層４はポリウレタンアクリレートからな
る光磁気ディスクを作製した。Δｄ＝Δｄ1 ＝Δｄ2 と
し、その値を７０ｎｍ（０．１６λ／ｎ），９０ｎｍ
（０．２１λ／ｎ），１１０ｎｍ（０．２５λ／ｎ），
１３０ｎｍ（０．３０λ／ｎ），１５０ｎｍ（０．３５
λ／ｎ）に変化させ、Ｄ／ｐを０．７５〜１．５０に変
化させた。Ｄ／ｐを１．５０と大きくしても、クロスト
ーク量を最大で−２７ｄＢにまで減少させることができ
た。
グルーブ又はランドからのクロストーク量を減少させて
高記録密度なものとする。 【解決手段】λ＝６８５ｎｍの半導体レーザを用い、透
明基板１はｎ＝１．５８のポリカーボネート基板、読出
し層２はＧｄＦｅＣｏ、光磁気記録層３はＴｂＦｅＣｏ
からなり、保護層４はポリウレタンアクリレートからな
る光磁気ディスクを作製した。Δｄ＝Δｄ1 ＝Δｄ2 と
し、その値を７０ｎｍ（０．１６λ／ｎ），９０ｎｍ
（０．２１λ／ｎ），１１０ｎｍ（０．２５λ／ｎ），
１３０ｎｍ（０．３０λ／ｎ），１５０ｎｍ（０．３５
λ／ｎ）に変化させ、Ｄ／ｐを０．７５〜１．５０に変
化させた。Ｄ／ｐを１．５０と大きくしても、クロスト
ーク量を最大で−２７ｄＢにまで減少させることができ
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ等の
光ビームを照射し、光磁気効果（カー効果等）により光
の偏光面が変化することを利用して、情報を記録再生す
る光磁気ディスク等の光磁気記録媒体に関する。
光ビームを照射し、光磁気効果（カー効果等）により光
の偏光面が変化することを利用して、情報を記録再生す
る光磁気ディスク等の光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光磁気記録媒体の１種である光磁
気ディスクは、円板状の透明基板上に記録層と記録補助
層との少なくとも２層からなる多層垂直磁化膜が形成さ
れ、記録層に上向き磁化を有するビットと下向き磁化を
有するビットを螺旋状に記録し、ビットに半導体レーザ
等の光ビームを照射し、その反射光の偏光面の回転角
（カー回転角）が上向きと下向きの磁化で反対になるの
を利用して、２値化されたデジタルデータとして再生す
る。
気ディスクは、円板状の透明基板上に記録層と記録補助
層との少なくとも２層からなる多層垂直磁化膜が形成さ
れ、記録層に上向き磁化を有するビットと下向き磁化を
有するビットを螺旋状に記録し、ビットに半導体レーザ
等の光ビームを照射し、その反射光の偏光面の回転角
（カー回転角）が上向きと下向きの磁化で反対になるの
を利用して、２値化されたデジタルデータとして再生す
る。
【０００３】また、垂直磁化膜からなる光磁気記録層
と、それに積層され室温で面内磁化膜からなる読出し層
とからなり、情報を記録する際には読出し層に光ビーム
を照射して加熱し、照射部位に垂直磁化部を形成し、情
報を読み出す場合は読出し層の垂直磁化部によるカー効
果を利用するタイプが提案されている（特開平８−５５
３７５号参照）。この場合、読出し層の面内磁化部はカ
ー効果を示さず、入射された光ビームの偏光面は回転し
ないが、読出し層の垂直磁化部ではカー効果により光ビ
ームの偏光面が回転して反射される。この反射光の偏光
面の変化・非変化を検出して、２値化されたデジタルデ
ータとして記録及び再生する。
と、それに積層され室温で面内磁化膜からなる読出し層
とからなり、情報を記録する際には読出し層に光ビーム
を照射して加熱し、照射部位に垂直磁化部を形成し、情
報を読み出す場合は読出し層の垂直磁化部によるカー効
果を利用するタイプが提案されている（特開平８−５５
３７５号参照）。この場合、読出し層の面内磁化部はカ
ー効果を示さず、入射された光ビームの偏光面は回転し
ないが、読出し層の垂直磁化部ではカー効果により光ビ
ームの偏光面が回転して反射される。この反射光の偏光
面の変化・非変化を検出して、２値化されたデジタルデ
ータとして記録及び再生する。
【０００４】上記面内磁化膜により記録を行う例におい
ては、ガラス、プラスチック等からなる透明基板の少な
くとも片面に、光ビームを案内（トラッキング）するグ
ルーブ及びランドを形成し、グルーブの深さをｄ、光ビ
ームの波長をλ、透明基板の屈折率をｎとしたとき、
０．１３×λ／ｎ≦ｄ≦０．１８×λ／ｎとすることに
より、トラック密度を高くしても、即ち、グルーブの幅
及びランドの幅を小さくしても、隣接するグルーブ又は
ランドからのクロストーク量を減少させて、高記録密度
を得ていた。
ては、ガラス、プラスチック等からなる透明基板の少な
くとも片面に、光ビームを案内（トラッキング）するグ
ルーブ及びランドを形成し、グルーブの深さをｄ、光ビ
ームの波長をλ、透明基板の屈折率をｎとしたとき、
０．１３×λ／ｎ≦ｄ≦０．１８×λ／ｎとすることに
より、トラック密度を高くしても、即ち、グルーブの幅
及びランドの幅を小さくしても、隣接するグルーブ又は
ランドからのクロストーク量を減少させて、高記録密度
を得ていた。
【０００５】このような光磁気ディスクは、初期化層を
設けたり、強力な初期化磁界を外部から印加することに
より、上記記録層あるいは読出し層を何度でも初期化で
き、書き換え可能な大容量の記録媒体として期待されて
いる。
設けたり、強力な初期化磁界を外部から印加することに
より、上記記録層あるいは読出し層を何度でも初期化で
き、書き換え可能な大容量の記録媒体として期待されて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、ほぼガウス分布を示す光強度が、光ビ
ームの中心における光強度の１／ｅ2 （ｅは自然対数の
底で、ｅ≒２．７２）となる位置での光ビーム直径をＤ
としたとき、トラックピッチｐを０．６≦Ｄ／ｐ≦１．
２に設定するのがよいとされ、つまり、トラックピッチ
ｐに対して光ビーム直径Ｄを１．２倍より大きくできな
かった。即ち、トラックピッチを小さくして記録密度を
大きくしようとすると、光ビーム直径も同程度に小さく
しなければならないという問題点があった。
来例においては、ほぼガウス分布を示す光強度が、光ビ
ームの中心における光強度の１／ｅ2 （ｅは自然対数の
底で、ｅ≒２．７２）となる位置での光ビーム直径をＤ
としたとき、トラックピッチｐを０．６≦Ｄ／ｐ≦１．
２に設定するのがよいとされ、つまり、トラックピッチ
ｐに対して光ビーム直径Ｄを１．２倍より大きくできな
かった。即ち、トラックピッチを小さくして記録密度を
大きくしようとすると、光ビーム直径も同程度に小さく
しなければならないという問題点があった。
【０００７】従来、一般的に、光ビームのスポットは、
集光レンズにより回折限界まで絞りこまれ最小となって
おり、更に光ビームのスポットを小さくしようとすれ
ば、光波長を短くするか集光レンズの開口率を大きくす
る必要がある。しかし、緑色や青色等の短波長の半導体
レーザは現状では開発途上であり、集光レンズの開口率
を大きくすると集光レンズが光磁気記録媒体に近づき過
ぎ、周辺の機構部の設計が難しくなるうえ、焦点深度が
浅くなるので非常に高いフォーカシング精度が要求され
る。故に光ビーム直径を小さくすることは困難であっ
た。
集光レンズにより回折限界まで絞りこまれ最小となって
おり、更に光ビームのスポットを小さくしようとすれ
ば、光波長を短くするか集光レンズの開口率を大きくす
る必要がある。しかし、緑色や青色等の短波長の半導体
レーザは現状では開発途上であり、集光レンズの開口率
を大きくすると集光レンズが光磁気記録媒体に近づき過
ぎ、周辺の機構部の設計が難しくなるうえ、焦点深度が
浅くなるので非常に高いフォーカシング精度が要求され
る。故に光ビーム直径を小さくすることは困難であっ
た。
【０００８】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、光ビーム直径を小さくす
ることなく、隣接するグルーブ又はランドからのクロス
トーク量を減少させて高記録密度を実現することにあ
る。
れたものであり、その目的は、光ビーム直径を小さくす
ることなく、隣接するグルーブ又はランドからのクロス
トーク量を減少させて高記録密度を実現することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、透明基板に設けた光ビームを案内するグルーブとグ
ルーブ間のランド上に光磁気記録層を積層して成り、グ
ルーブ及び／又はランド上に情報の記録再生を行う光磁
気記録媒体において、隣接するグルーブ同士の深さ及び
／又は隣接するランド同士の高さに差Δｄを設け、光ビ
ームの波長をλ、透明基板の屈折率をｎとしたとき、
０．２０≦Δｄ×ｎ／λ≦０．３０としたことを特徴と
する。
は、透明基板に設けた光ビームを案内するグルーブとグ
ルーブ間のランド上に光磁気記録層を積層して成り、グ
ルーブ及び／又はランド上に情報の記録再生を行う光磁
気記録媒体において、隣接するグルーブ同士の深さ及び
／又は隣接するランド同士の高さに差Δｄを設け、光ビ
ームの波長をλ、透明基板の屈折率をｎとしたとき、
０．２０≦Δｄ×ｎ／λ≦０．３０としたことを特徴と
する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明を図１により説明する。同
図の（ａ）は光ディスクの部分断面図、（ｂ）は光ディ
スクのグルーブとランドを部分的に拡大した側面図であ
る。
図の（ａ）は光ディスクの部分断面図、（ｂ）は光ディ
スクのグルーブとランドを部分的に拡大した側面図であ
る。
【００１１】図１において、透明基板１の一方の基板面
には、光ビーム５を案内（トラッキング）するグルーブ
Ｇ1 ，Ｇ2 とグルーブ間のランドＬ1 ，Ｌ2 が形成され
ており、その上に読出し層２、光磁気記録層３、酸化防
止のための保護層４が形成される。光ビーム５のトラッ
キングは、公知の３ビーム法（ファーフィールド法）等
により行われ、本発明は情報を検出するフォーカシング
ビームに関するものであるが、トラッキングビームに応
用しても構わない。
には、光ビーム５を案内（トラッキング）するグルーブ
Ｇ1 ，Ｇ2 とグルーブ間のランドＬ1 ，Ｌ2 が形成され
ており、その上に読出し層２、光磁気記録層３、酸化防
止のための保護層４が形成される。光ビーム５のトラッ
キングは、公知の３ビーム法（ファーフィールド法）等
により行われ、本発明は情報を検出するフォーカシング
ビームに関するものであるが、トラッキングビームに応
用しても構わない。
【００１２】本発明において、隣接するランド同士の高
さの差をΔｄ1 、また隣接するグルーブ同士の深さの差
をΔｄ2 としたとき、Δｄ1 ×ｎ／λ，Δｄ2 ×ｎ／λ
のいずれも０．２０以上０．３０以下となるように設定
する。このとき、Δｄ1 のみが存在する場合はΔｄ＝Δ
ｄ1 、Δｄ2 のみが存在する場合はΔｄ＝Δｄ2 であ
り、両方が存在する場合はΔｄはΔｄ1 及びΔｄ2 を意
味し、その場合Δｄ1 とΔｄ2 を異なる値としてもよ
く、Δｄ＝Δｄ1 ＝Δｄ2 としてもよい。尚、前記のλ
は光ビーム５の波長であり、ｎは透明基板１の屈折率で
ある。
さの差をΔｄ1 、また隣接するグルーブ同士の深さの差
をΔｄ2 としたとき、Δｄ1 ×ｎ／λ，Δｄ2 ×ｎ／λ
のいずれも０．２０以上０．３０以下となるように設定
する。このとき、Δｄ1 のみが存在する場合はΔｄ＝Δ
ｄ1 、Δｄ2 のみが存在する場合はΔｄ＝Δｄ2 であ
り、両方が存在する場合はΔｄはΔｄ1 及びΔｄ2 を意
味し、その場合Δｄ1 とΔｄ2 を異なる値としてもよ
く、Δｄ＝Δｄ1 ＝Δｄ2 としてもよい。尚、前記のλ
は光ビーム５の波長であり、ｎは透明基板１の屈折率で
ある。
【００１３】そして、例えば図１の（ｂ）のように、ラ
ンド上の読出し層２に、照射部位におけるスポット６の
光ビーム直径Ｄがランドの幅よりも大きい光ビーム５を
照射した場合、グルーブにより反射された反射ビーム
（クロストーク）５Ａ，５Ｂが発生する。この反射ビー
ム５Ａ，５Ｂは相互に干渉し、干渉の仕方によって強め
合ったり、弱め合ったりする。このとき、反射ビーム５
Ａ，５Ｂの位相差が波長の１／２程度になれば相互に最
も弱め合い、反射光強度が極小になるため、その光路長
差（グルーブ同士の深さの差の２倍）２Δｄ2 を、０．
４０×λ／ｎ以上０．６０×λ／ｎ以下に設定する。故
に、Δｄ2 を０．２０×λ／ｎ以上０．３０×λ／ｎ
に、つまり、Δｄ2 ×ｎ／λを０．２０以上０．３０以
下に設定する。これは、グルーブを照射した場合も同様
で、Δｄ1 ×λ／ｎを前記の範囲に設定する。
ンド上の読出し層２に、照射部位におけるスポット６の
光ビーム直径Ｄがランドの幅よりも大きい光ビーム５を
照射した場合、グルーブにより反射された反射ビーム
（クロストーク）５Ａ，５Ｂが発生する。この反射ビー
ム５Ａ，５Ｂは相互に干渉し、干渉の仕方によって強め
合ったり、弱め合ったりする。このとき、反射ビーム５
Ａ，５Ｂの位相差が波長の１／２程度になれば相互に最
も弱め合い、反射光強度が極小になるため、その光路長
差（グルーブ同士の深さの差の２倍）２Δｄ2 を、０．
４０×λ／ｎ以上０．６０×λ／ｎ以下に設定する。故
に、Δｄ2 を０．２０×λ／ｎ以上０．３０×λ／ｎ
に、つまり、Δｄ2 ×ｎ／λを０．２０以上０．３０以
下に設定する。これは、グルーブを照射した場合も同様
で、Δｄ1 ×λ／ｎを前記の範囲に設定する。
【００１４】本発明において、トラックピッチをｐ、光
ビームの光強度がビーム中心の光強度の１／ｅ2 になる
位置での光ビーム直径をＤとしたとき、０．６≦Ｄ／ｐ
≦１．５とするのが好ましく、０．６未満では情報の読
出しが不充分になり、１．５超ではクロストークが増大
する。
ビームの光強度がビーム中心の光強度の１／ｅ2 になる
位置での光ビーム直径をＤとしたとき、０．６≦Ｄ／ｐ
≦１．５とするのが好ましく、０．６未満では情報の読
出しが不充分になり、１．５超ではクロストークが増大
する。
【００１５】ΔｄとしてのΔｄ1 ，Δｄ2 は、少なくと
もいずれか一方が存在すればよく、また両方が存在する
場合、Δｄ1 とΔｄ2 を実質的に等しくするのが、グル
ーブとランドで同様の反射ビーム減衰の効果が得られ好
適である。更に、グルーブの幅とランドの幅をほぼ同じ
にすることが、グルーブとランドで同様の効果が得られ
好ましい。また、ランドとグルーブの両方にビット（記
録磁区）を形成する、所謂、ランド・グルーブ記録とす
るのが、記録容量を増大させるうえで好ましいが、ラン
ド又はグルーブのいずれか一方にビットを形成してもよ
い。ランドのみにビットがある場合は少なくともΔｄ2
が設けられており、グルーブのみにビットがある場合は
少なくともΔｄ1 が設けられていることが必要である。
もいずれか一方が存在すればよく、また両方が存在する
場合、Δｄ1 とΔｄ2 を実質的に等しくするのが、グル
ーブとランドで同様の反射ビーム減衰の効果が得られ好
適である。更に、グルーブの幅とランドの幅をほぼ同じ
にすることが、グルーブとランドで同様の効果が得られ
好ましい。また、ランドとグルーブの両方にビット（記
録磁区）を形成する、所謂、ランド・グルーブ記録とす
るのが、記録容量を増大させるうえで好ましいが、ラン
ド又はグルーブのいずれか一方にビットを形成してもよ
い。ランドのみにビットがある場合は少なくともΔｄ2
が設けられており、グルーブのみにビットがある場合は
少なくともΔｄ1 が設けられていることが必要である。
【００１６】かくして、本発明は、光ビーム直径を小さ
くすることなく、隣接するグルーブ又はランドからのク
ロストークを減少させて高記録密度を実現するという作
用効果を有する。
くすることなく、隣接するグルーブ又はランドからのク
ロストークを減少させて高記録密度を実現するという作
用効果を有する。
【００１７】更に、本発明において、透明基板１として
は、ガラス基板、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビフェニール、エポキシ、アクリル樹脂等からな
るプラスチック基板などが好ましい。読出し層２として
は、室温で面内磁化を示し、室温より高温の１００〜１
２５℃程度で垂直磁化に変化し得る材料で、キュリー温
度が約２００℃のものであればよく、所定の原子比のＧ
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、Ｄｙ
ＦｅＣｏ、ＨｏＦｅＣｏ等が好適である。光磁気記録層
３としては、室温からキュリー温度まで垂直磁化を示
し、そのキュリー温度が１５０〜２５０℃程度の材料で
あればよく、所定の原子比のＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等が好ましい。保護層４として
は、ポリウレタンアクリレート等の紫外線硬化型樹脂、
熱硬化型樹脂がよく、塗布後平坦面を形成した後に硬化
できる。
は、ガラス基板、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビフェニール、エポキシ、アクリル樹脂等からな
るプラスチック基板などが好ましい。読出し層２として
は、室温で面内磁化を示し、室温より高温の１００〜１
２５℃程度で垂直磁化に変化し得る材料で、キュリー温
度が約２００℃のものであればよく、所定の原子比のＧ
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、Ｄｙ
ＦｅＣｏ、ＨｏＦｅＣｏ等が好適である。光磁気記録層
３としては、室温からキュリー温度まで垂直磁化を示
し、そのキュリー温度が１５０〜２５０℃程度の材料で
あればよく、所定の原子比のＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等が好ましい。保護層４として
は、ポリウレタンアクリレート等の紫外線硬化型樹脂、
熱硬化型樹脂がよく、塗布後平坦面を形成した後に硬化
できる。
【００１８】また、透明基板１と読出し層２との間、及
び、光磁気記録層３と保護層４との間に、保護層、反射
防止層又はカー回転角エンハンス層として機能する、Ａ
ｌＮ等からなる透明誘電体層を積層してもよく、更に
は、光ビーム５の反射率を高め、光の利用効率を高くす
るために、光磁気記録層３と保護層４との間にＡｌ，Ａ
ｕ等からなる反射層を設けてもよい。
び、光磁気記録層３と保護層４との間に、保護層、反射
防止層又はカー回転角エンハンス層として機能する、Ａ
ｌＮ等からなる透明誘電体層を積層してもよく、更に
は、光ビーム５の反射率を高め、光の利用効率を高くす
るために、光磁気記録層３と保護層４との間にＡｌ，Ａ
ｕ等からなる反射層を設けてもよい。
【００１９】上記グルーブとランド、読出し層２、光磁
気記録層３、保護層４は、透明基板１の１方の基板面に
設けたが、両方（表裏）の基板面に設けてもよく、表裏
で異なる情報を記録再生できる。
気記録層３、保護層４は、透明基板１の１方の基板面に
設けたが、両方（表裏）の基板面に設けてもよく、表裏
で異なる情報を記録再生できる。
【００２０】更に、本発明は、グルーブとランドが形成
された光磁気記録媒体であれば応用でき、例えば、多層
垂直磁化膜を有する光磁気記録媒体で、記録層と記録補
助層からなるタイプ、記録層、書込み層、中間層（制御
層）及び初期化層からなるオーバーライト可能なタイプ
等にも応用できる。
された光磁気記録媒体であれば応用でき、例えば、多層
垂直磁化膜を有する光磁気記録媒体で、記録層と記録補
助層からなるタイプ、記録層、書込み層、中間層（制御
層）及び初期化層からなるオーバーライト可能なタイプ
等にも応用できる。
【００２１】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
【００２２】
【実施例】本発明の実施例を以下に示す。図１に示すよ
うな構成の光ディスクを作製し、Δｄ＝Δｄ1 ＝Δｄ2
とし、その値を７０ｎｍ（０．１６λ／ｎ），９０ｎｍ
（０．２１λ／ｎ），１１０ｎｍ（０．２５λ／ｎ），
１３０ｎｍ（０．３０λ／ｎ），１５０ｎｍ（０．３５
λ／ｎ）に変化させ、Ｄ／ｐを０．７５〜１．５０に変
化させた場合のクロストーク量を、表１に示す。尚、λ
＝６８５ｎｍで直線偏光の半導体レーザを用い、透明基
板１はｎ＝１．５８のポリカーボネート基板で、読出し
層２は所定の原子比のＧｄＦｅＣｏ、光磁気記録層３は
所定の原子比のＴｂＦｅＣｏからなり、保護層４はポリ
ウレタンアクリレートからなる。
うな構成の光ディスクを作製し、Δｄ＝Δｄ1 ＝Δｄ2
とし、その値を７０ｎｍ（０．１６λ／ｎ），９０ｎｍ
（０．２１λ／ｎ），１１０ｎｍ（０．２５λ／ｎ），
１３０ｎｍ（０．３０λ／ｎ），１５０ｎｍ（０．３５
λ／ｎ）に変化させ、Ｄ／ｐを０．７５〜１．５０に変
化させた場合のクロストーク量を、表１に示す。尚、λ
＝６８５ｎｍで直線偏光の半導体レーザを用い、透明基
板１はｎ＝１．５８のポリカーボネート基板で、読出し
層２は所定の原子比のＧｄＦｅＣｏ、光磁気記録層３は
所定の原子比のＴｂＦｅＣｏからなり、保護層４はポリ
ウレタンアクリレートからなる。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１に示すように、Ｄ／ｐを１．５０と大
きくしても、即ち光ビーム直径をトラックピッチｐの
１．５倍程度にしても、クロストーク量を最大で−２７
ｄＢにまで減少させることができた。Ｄ／ｐが１．５０
より小さい場合は、さらにクロストーク量は減少した。
きくしても、即ち光ビーム直径をトラックピッチｐの
１．５倍程度にしても、クロストーク量を最大で−２７
ｄＢにまで減少させることができた。Ｄ／ｐが１．５０
より小さい場合は、さらにクロストーク量は減少した。
【００２５】他の実施例として、隣接するグルーブ同士
の深さの差Δｄ＝Δｄ2 だけが存在する場合について、
表２に示す。他の構成は表１の場合と同様とした。
の深さの差Δｄ＝Δｄ2 だけが存在する場合について、
表２に示す。他の構成は表１の場合と同様とした。
【００２６】
【表２】
【００２７】表２に示すように、Ｄ／ｐを１．５０と大
きくしても、クロストーク量を最大で−２６ｄＢにまで
減少させることができた。Ｄ／ｐが１．５０より小さい
場合は、さらにクロストーク量は減少した。
きくしても、クロストーク量を最大で−２６ｄＢにまで
減少させることができた。Ｄ／ｐが１．５０より小さい
場合は、さらにクロストーク量は減少した。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、０．２０≦Δｄ×ｎ／λ≦
０．３０とすることにより、光ビーム直径がトラックピ
ッチの１．５倍と大きい状態であっても、即ち光ビーム
直径をそのままとしトラックピッチを小さくした状態で
あっても、隣接するグルーブ又はランドからのクロスト
ーク量を減少させたうえで、高記録密度を実現すること
ができる。
０．３０とすることにより、光ビーム直径がトラックピ
ッチの１．５倍と大きい状態であっても、即ち光ビーム
直径をそのままとしトラックピッチを小さくした状態で
あっても、隣接するグルーブ又はランドからのクロスト
ーク量を減少させたうえで、高記録密度を実現すること
ができる。
【００２９】また、本発明は、光磁気ディスク、光磁気
テープ、光磁気カード等の、磁気光学効果（ファラデー
効果、カー効果等）を利用して情報を読みだす媒体であ
れば適用できる。
テープ、光磁気カード等の、磁気光学効果（ファラデー
効果、カー効果等）を利用して情報を読みだす媒体であ
れば適用できる。
【図１】（ａ）は本発明の光磁気ディスクの部分断面
図、（ｂ）は（ａ）のグルーブとランドの部分拡大側面
図である。
図、（ｂ）は（ａ）のグルーブとランドの部分拡大側面
図である。
１：透明基板 ２：読出し層 ３：光磁気記録層 ５：光ビーム ５Ａ，５Ｂ：反射ビーム（クロストーク） ６：スポット
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板に設けた光ビームを案内するグ
ルーブとグルーブ間のランド上に光磁気記録層を積層し
て成り、グルーブ及び／又はランド上に情報の記録再生
を行う光磁気記録媒体において、隣接するグルーブ同士
の深さ及び／又は隣接するランド同士の高さに差Δｄを
設け、光ビームの波長をλ、透明基板の屈折率をｎとし
たとき、０．２０≦Δｄ×ｎ／λ≦０．３０としたこと
を特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8235037A JPH1083588A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8235037A JPH1083588A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1083588A true JPH1083588A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=16980158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8235037A Pending JPH1083588A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1083588A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063616A1 (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-15 | Sony Corporation | Light spot advancing direction judging device and method, optical head device control device and method, and optical disk recording/reproducing device |
| KR100425231B1 (ko) * | 2000-04-04 | 2004-03-30 | 샤프 가부시키가이샤 | 깊이 방향으로 정보가 기록된 광기록 매체, 그 재생 방법및 재생 장치 |
-
1996
- 1996-09-05 JP JP8235037A patent/JPH1083588A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100425231B1 (ko) * | 2000-04-04 | 2004-03-30 | 샤프 가부시키가이샤 | 깊이 방향으로 정보가 기록된 광기록 매체, 그 재생 방법및 재생 장치 |
| WO2002063616A1 (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-15 | Sony Corporation | Light spot advancing direction judging device and method, optical head device control device and method, and optical disk recording/reproducing device |
| US7065023B2 (en) * | 2001-02-09 | 2006-06-20 | Sony Corporation | Light spot advancing direction judging device and method, optical head device control device and method, and optical disk recording/reproducing device |
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