JPH0729206A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH0729206A JPH0729206A JP5168860A JP16886093A JPH0729206A JP H0729206 A JPH0729206 A JP H0729206A JP 5168860 A JP5168860 A JP 5168860A JP 16886093 A JP16886093 A JP 16886093A JP H0729206 A JPH0729206 A JP H0729206A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】スパッタリング法などにより記録膜のレーザ光
入射側に隣接して記録補助層を形成し、記録膜に入射す
るレーザ光のスポット径を記録補助層に入射した際のス
ポット径より小さくする。 【効果】記録膜に形成する記録点の形状を微小にでき記
録密度を向上できる。
入射側に隣接して記録補助層を形成し、記録膜に入射す
るレーザ光のスポット径を記録補助層に入射した際のス
ポット径より小さくする。 【効果】記録膜に形成する記録点の形状を微小にでき記
録密度を向上できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は家電分野およびコンピュ
ータ用ファイルメモリなどの分野で用いる光記録媒体に
係り、特に、光記録媒体の高密度化に関する。
ータ用ファイルメモリなどの分野で用いる光記録媒体に
係り、特に、光記録媒体の高密度化に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光磁気記録媒体の部分断面図を図
１に示し、その製造方法を述べる。三元のターゲット源
を備えたスパッタ装置内に、表面に光ヘッド案内溝及び
アドレス等を表わすピットやセクタマークあるいは記録
情報などの凹凸パターンを有する透明なディスク状基板
１をターゲットから１０ｃｍの距離にセットし回転させ
た。
１に示し、その製造方法を述べる。三元のターゲット源
を備えたスパッタ装置内に、表面に光ヘッド案内溝及び
アドレス等を表わすピットやセクタマークあるいは記録
情報などの凹凸パターンを有する透明なディスク状基板
１をターゲットから１０ｃｍの距離にセットし回転させ
た。
【０００３】窒素濃度１０％のアルゴン窒素混合ガス中
で第一のターゲットより、スパッタガス圧５ｍTorrでＳ
ｉを反応性スパッタし、第一誘電体層２としてＳｉ3Ｎ4
膜を７０ｎｍの厚さに形成した。次にアルゴン中で、第
二の合金ターゲットよりスパッタガス圧５ｍTorrでＴｂ
−Ｆｅ−Ｃｏ合金をスパッタし、膜厚３０ｎｍ，キュリ
ー温度約２００℃，補償温度約１００℃，保磁力Ｈｃ1
１５ｋＯｅ で、組成がＴｂ27Ｆｅ66Ｃｏ7 の第一磁性
層３を形成した。次に、窒素濃度１０％のアルゴン窒素
混合ガス中で第一のターゲットより、スパッタガス圧５
ｍTorrでＳｉを反応性スパッタし、第二誘電体層４とし
てＳｉ3Ｎ4膜を２０ｎｍの厚さに設けた。最後に、アル
ゴン中でスパッタガス圧５ｍTorrで第四のターゲットよ
り、金属層５としてＡｌ−Ｔｉ膜を５０ｎｍの厚さに設
けた。さらに、表面に約１０μｍの厚さの樹脂層６を形
成した。
で第一のターゲットより、スパッタガス圧５ｍTorrでＳ
ｉを反応性スパッタし、第一誘電体層２としてＳｉ3Ｎ4
膜を７０ｎｍの厚さに形成した。次にアルゴン中で、第
二の合金ターゲットよりスパッタガス圧５ｍTorrでＴｂ
−Ｆｅ−Ｃｏ合金をスパッタし、膜厚３０ｎｍ，キュリ
ー温度約２００℃，補償温度約１００℃，保磁力Ｈｃ1
１５ｋＯｅ で、組成がＴｂ27Ｆｅ66Ｃｏ7 の第一磁性
層３を形成した。次に、窒素濃度１０％のアルゴン窒素
混合ガス中で第一のターゲットより、スパッタガス圧５
ｍTorrでＳｉを反応性スパッタし、第二誘電体層４とし
てＳｉ3Ｎ4膜を２０ｎｍの厚さに設けた。最後に、アル
ゴン中でスパッタガス圧５ｍTorrで第四のターゲットよ
り、金属層５としてＡｌ−Ｔｉ膜を５０ｎｍの厚さに設
けた。さらに、表面に約１０μｍの厚さの樹脂層６を形
成した。
【０００４】光記録媒体は、レーザ光を利用した情報の
記録と再生を行う、高密度かつ大容量のメモリであり、
コンピュータ用のファイルメモリ、あるいは、音楽情報
や画像情報を記録するメモリとして用いられる。光記録
媒体は、通常のスパッタリング法により、透明基板に第
一誘電体層を形成した後、記録層を積層し、さらに第二
誘電体層を積層したものを用いている。光記録媒体の記
録層は、例えば、ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅなどの希土類
と遷移金属からなる非晶質磁性膜あるいは、ＧｅＴｅ，
ＧｅＳbＴe，ＳｎＳｂＴｅ，ＳｎＴｅＳｅなどの半金属
と非金属からなる非晶質膜が用いられている。
記録と再生を行う、高密度かつ大容量のメモリであり、
コンピュータ用のファイルメモリ、あるいは、音楽情報
や画像情報を記録するメモリとして用いられる。光記録
媒体は、通常のスパッタリング法により、透明基板に第
一誘電体層を形成した後、記録層を積層し、さらに第二
誘電体層を積層したものを用いている。光記録媒体の記
録層は、例えば、ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅなどの希土類
と遷移金属からなる非晶質磁性膜あるいは、ＧｅＴｅ，
ＧｅＳbＴe，ＳｎＳｂＴｅ，ＳｎＴｅＳｅなどの半金属
と非金属からなる非晶質膜が用いられている。
【０００５】また、第一，第二誘電体層は、磁気光学効
果の向上あるいは記録膜の酸化防止などを目的としてＳ
ｉ3Ｎ4などの誘電体を用いている。情報の記録あるいは
再生は、光記録媒体の基板側あるいは基板とは反対の側
からレーザ光を記録層に照射して行う。それにより、記
録膜にレーザ光を照射した場合、記録膜面上のレーザ光
の直径に対応した形状の記録点が形成される。
果の向上あるいは記録膜の酸化防止などを目的としてＳ
ｉ3Ｎ4などの誘電体を用いている。情報の記録あるいは
再生は、光記録媒体の基板側あるいは基板とは反対の側
からレーザ光を記録層に照射して行う。それにより、記
録膜にレーザ光を照射した場合、記録膜面上のレーザ光
の直径に対応した形状の記録点が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、記録層
にレーザ光を照射して物理的に変化させて情報の記録・
再生を行う。すなわち、情報の記録・再生は、基板表面
に形成した記録膜にレーザ光を照射して、照射部分を磁
化反転あるいは結晶化または非晶質化して微小な記録点
を形成し、記録点の磁気光学効果によるカー回転や、反
射光量の強弱を情報の担い手にしている。したがって、
光ディスクを高密度化するには媒体面上に照射されるレ
ーザスポットの直径を小さくすればよい。
にレーザ光を照射して物理的に変化させて情報の記録・
再生を行う。すなわち、情報の記録・再生は、基板表面
に形成した記録膜にレーザ光を照射して、照射部分を磁
化反転あるいは結晶化または非晶質化して微小な記録点
を形成し、記録点の磁気光学効果によるカー回転や、反
射光量の強弱を情報の担い手にしている。したがって、
光ディスクを高密度化するには媒体面上に照射されるレ
ーザスポットの直径を小さくすればよい。
【０００７】レーザスポットの直径を小さくするには、
レーザの波長を短くするか、あるいは、光の共振で生じ
る第二高調波（ＳＨＧ）の短い波長を用いる方法があ
る。しかし、出力が小さい。また、レーザ光を絞り込む
ためのレンズのＮＡ（開口数）を大きくする方法が考え
られる。しかし、ディスクのわずかな傾きに対しても収
差が発生しやすく、レーザ光を同一条件で照射した記録
点の形状が異なってしまう、といった問題があった。
レーザの波長を短くするか、あるいは、光の共振で生じ
る第二高調波（ＳＨＧ）の短い波長を用いる方法があ
る。しかし、出力が小さい。また、レーザ光を絞り込む
ためのレンズのＮＡ（開口数）を大きくする方法が考え
られる。しかし、ディスクのわずかな傾きに対しても収
差が発生しやすく、レーザ光を同一条件で照射した記録
点の形状が異なってしまう、といった問題があった。
【０００８】本発明の目的はレーザの短波長化をはかる
ことなく、あるいはレンズのＮＡを大きくすることな
く、微小な記録点を形成し、高密度かつ大容量のメモリ
にできる光記録媒体を提供することにある。
ことなく、あるいはレンズのＮＡを大きくすることな
く、微小な記録点を形成し、高密度かつ大容量のメモリ
にできる光記録媒体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は透明基板の表
面に誘電体層を形成後、少なくとも一層の記録補助層お
よび記録層を含む複数層の薄膜を有し、記録層とは遠い
側の記録補助層からレーザ光を照射することにより達成
される。すなわち、前記記録補助層は、前記誘電体層の
表面に前記記録層と近接させて設ける。この際、前記記
録補助層はレーザ光を入射する側に設ける。前記記録補
助層は入射したレーザ光の照射で体積が膨張および／あ
るいは屈折率が変化する場合がある。それにより、前記
記録補助層の表面および／あるいは界面の形状や光学的
膜厚の分布が変化して、凸レンズの効果によりレーザ光
スポットの直径が小さくなり、近接している記録層に形
成される記録点を小さくできる。
面に誘電体層を形成後、少なくとも一層の記録補助層お
よび記録層を含む複数層の薄膜を有し、記録層とは遠い
側の記録補助層からレーザ光を照射することにより達成
される。すなわち、前記記録補助層は、前記誘電体層の
表面に前記記録層と近接させて設ける。この際、前記記
録補助層はレーザ光を入射する側に設ける。前記記録補
助層は入射したレーザ光の照射で体積が膨張および／あ
るいは屈折率が変化する場合がある。それにより、前記
記録補助層の表面および／あるいは界面の形状や光学的
膜厚の分布が変化して、凸レンズの効果によりレーザ光
スポットの直径が小さくなり、近接している記録層に形
成される記録点を小さくできる。
【００１０】したがって、前記記録補助層には熱膨張率
が高い材料および／あるいは屈折率の温度依存性が高い
材料を用いればよい。レーザ光の照射前後の前記記録補
助層の屈折率の変化率は１.１以上２.０以下の範囲が好
ましい。さらに膜厚は５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲
が好ましい。
が高い材料および／あるいは屈折率の温度依存性が高い
材料を用いればよい。レーザ光の照射前後の前記記録補
助層の屈折率の変化率は１.１以上２.０以下の範囲が好
ましい。さらに膜厚は５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲
が好ましい。
【００１１】記録補助層の膜厚は屈折率の変化率によっ
て多少異なるが、前記記録補助層に用いる材料で任意に
制御できる。記録補助層の膜厚が５ｎｍ以下では屈折率
の変化率が大きい材料を用いてもレーザ光の直径を小さ
くする効果は小さい。また、膜厚が２００ｎｍ以上では
レーザ光が記録補助層に吸収されて光量が低下するため
記録層に記録点を形成できない。
て多少異なるが、前記記録補助層に用いる材料で任意に
制御できる。記録補助層の膜厚が５ｎｍ以下では屈折率
の変化率が大きい材料を用いてもレーザ光の直径を小さ
くする効果は小さい。また、膜厚が２００ｎｍ以上では
レーザ光が記録補助層に吸収されて光量が低下するため
記録層に記録点を形成できない。
【００１２】また、レーザ光の照射により記録補助層に
熱を生じさせるための光吸収量に相当する消衰係数は、
０.１以上１以下の範囲が好ましい。消衰係数は０.１以
下では熱が発生しにくい、一方、１.０ 以上では記録補
助層を通過して記録層に到達する光量が低下するため記
録層に記録点を形成できない。前記記録補助層はＰｂ−
Ｔｅ合金，Ｉｎ−Ｓｂ合金あるいはＩｎ−Ｓｂ−Ｓｅ合
金などに近い組成の材料を主成分としたものを用いる。
熱を生じさせるための光吸収量に相当する消衰係数は、
０.１以上１以下の範囲が好ましい。消衰係数は０.１以
下では熱が発生しにくい、一方、１.０ 以上では記録補
助層を通過して記録層に到達する光量が低下するため記
録層に記録点を形成できない。前記記録補助層はＰｂ−
Ｔｅ合金，Ｉｎ−Ｓｂ合金あるいはＩｎ−Ｓｂ−Ｓｅ合
金などに近い組成の材料を主成分としたものを用いる。
【００１３】また、誘電体層はＳｉ3Ｎ4などの窒化物の
ほかに、硫化物，セレン化物，弗化物，炭化物などの化
合物薄膜でもよい。窒化物，硫化物，セレン化物，弗化
物あるいは炭化物を主成分とする材料は、Ｓｂ2Ｓ3，Ｓ
ｂ2Ｓｅ3，ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，ＧｅＳ2，ＧｅＳｅ2，Ｓ
ｎＳ，ＳｎＳｅ，ＳｎＳ2，ＳｎＳe2，ＰbＳ，ＰbＳe，
Ｉｎ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｃｕ2Ｓ，Ａｇ2Ｓ，ＺｎＳ，Ｚ
ｎＳe，ＣdＳ，ＣdＳe，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＴｉＮ，Ｚ
ｒＮ，ＢＮおよびＣのそれぞれに近い組成の材料より選
ばれた少なくとも一者あるいはこれらの混合材料を用い
る。より好ましくは、ＺｎＳ，Ｓｉ3Ｎ4あるいはＡｌＮ
のそれぞれに近い組成の材料を主成分としたものを用い
る。
ほかに、硫化物，セレン化物，弗化物，炭化物などの化
合物薄膜でもよい。窒化物，硫化物，セレン化物，弗化
物あるいは炭化物を主成分とする材料は、Ｓｂ2Ｓ3，Ｓ
ｂ2Ｓｅ3，ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，ＧｅＳ2，ＧｅＳｅ2，Ｓ
ｎＳ，ＳｎＳｅ，ＳｎＳ2，ＳｎＳe2，ＰbＳ，ＰbＳe，
Ｉｎ2Ｓ3，Ｉｎ2Ｓｅ3，Ｃｕ2Ｓ，Ａｇ2Ｓ，ＺｎＳ，Ｚ
ｎＳe，ＣdＳ，ＣdＳe，Ｓｉ3Ｎ4，ＡｌＮ，ＴｉＮ，Ｚ
ｒＮ，ＢＮおよびＣのそれぞれに近い組成の材料より選
ばれた少なくとも一者あるいはこれらの混合材料を用い
る。より好ましくは、ＺｎＳ，Ｓｉ3Ｎ4あるいはＡｌＮ
のそれぞれに近い組成の材料を主成分としたものを用い
る。
【００１４】記録膜の片側の保護層だけがこれらの材料
であってもよいが、両側の保護層がこれらの材料であれ
ばさらに好ましい。
であってもよいが、両側の保護層がこれらの材料であれ
ばさらに好ましい。
【００１５】また、記録層に磁性膜を用いた場合は、記
録層に遠い側の誘電体層に酸化物の化合物薄膜を用いて
も良い。酸化物を主成分とする材料は、ＣａＯ，ＺｒＯ
2，ＭｇＯ，Ｙ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ，ＳｉＯ2，ＴｉＯ
2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＳｎＯ2，ＭｎＯ およびＳｂ2
Ｏ3のそれぞれに近い組成の材料より選ばれた少なくと
も一者あるいはこれらの混合材料を用いる。より好まし
くは、ＺｎＳ，Ｓｉ3Ｎ4あるいはＡｌＮのそれぞれに近
い組成の材料を主成分としたものを用いる。
録層に遠い側の誘電体層に酸化物の化合物薄膜を用いて
も良い。酸化物を主成分とする材料は、ＣａＯ，ＺｒＯ
2，ＭｇＯ，Ｙ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ，ＳｉＯ2，ＴｉＯ
2，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＳｎＯ2，ＭｎＯ およびＳｂ2
Ｏ3のそれぞれに近い組成の材料より選ばれた少なくと
も一者あるいはこれらの混合材料を用いる。より好まし
くは、ＺｎＳ，Ｓｉ3Ｎ4あるいはＡｌＮのそれぞれに近
い組成の材料を主成分としたものを用いる。
【００１６】記録層は、希土類と遷移金属とからなる非
晶質膜、または、非晶質−結晶質間，結晶質−結晶質
間，非晶質−非晶質間の相変化する薄膜、あるいは、上
下二層間の反応を利用する薄膜を用いるのが好ましい。
たとえば、希土類と遷移金属とからなる非晶質膜材料
は、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ
−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，
Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等が好ましい。相変化する薄膜
材料はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｓｎ−Ｓ
ｂ−Ｓｅが好ましい。また、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜を１０〜
２０層の構造にすることが好ましい。
晶質膜、または、非晶質−結晶質間，結晶質−結晶質
間，非晶質−非晶質間の相変化する薄膜、あるいは、上
下二層間の反応を利用する薄膜を用いるのが好ましい。
たとえば、希土類と遷移金属とからなる非晶質膜材料
は、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ
−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，
Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等が好ましい。相変化する薄膜
材料はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｓｎ−Ｓ
ｂ−Ｓｅが好ましい。また、Ｐｔ／Ｃｏ多層膜を１０〜
２０層の構造にすることが好ましい。
【００１７】
【作用】第一誘電体層を形成後、体積変化および／ある
いは屈折率変化の温度依存性が大きい記録補助層と、そ
れに近接して記録層を形成することにより、その後、記
録時に照射するレーザ光スポットの直径より小さい記録
点を記録層に形成できる。すなわち、記録補助層はレー
ザ光の照射により熱を生じ、体積が膨張及ぶ／あるいは
屈折率が変化して記録層側および／あるいは第一誘電体
層側へ凸状に変化する。それにより、記録補助層は光学
的なレンズ効果を生じ、記録補助層に近接した記録層の
レーザ光スポットの直径は記録補助層へ照射した時の直
径より小さくなる。したがって、記録層のレーザ光入射
側に体積変化の温度依存性が大きい記録補助層を近接し
て設けることにより、記録層に形成される記録点を小さ
くできる。
いは屈折率変化の温度依存性が大きい記録補助層と、そ
れに近接して記録層を形成することにより、その後、記
録時に照射するレーザ光スポットの直径より小さい記録
点を記録層に形成できる。すなわち、記録補助層はレー
ザ光の照射により熱を生じ、体積が膨張及ぶ／あるいは
屈折率が変化して記録層側および／あるいは第一誘電体
層側へ凸状に変化する。それにより、記録補助層は光学
的なレンズ効果を生じ、記録補助層に近接した記録層の
レーザ光スポットの直径は記録補助層へ照射した時の直
径より小さくなる。したがって、記録層のレーザ光入射
側に体積変化の温度依存性が大きい記録補助層を近接し
て設けることにより、記録層に形成される記録点を小さ
くできる。
【００１８】また、記録補助層のレンズ効果を生じてい
る時と記録膜に光が照射されている時の相互の時間的な
遅れにより、更に記録点の形状を小さくできる。さら
に、記録信号の再生時には、記録補助層の温度分布によ
る屈折率差により光学的なマスクが形成され、再生信号
を検出する領域が制限されるため、結果として小さい記
録点を再生できる。
る時と記録膜に光が照射されている時の相互の時間的な
遅れにより、更に記録点の形状を小さくできる。さら
に、記録信号の再生時には、記録補助層の温度分布によ
る屈折率差により光学的なマスクが形成され、再生信号
を検出する領域が制限されるため、結果として小さい記
録点を再生できる。
【００１９】
（実施例１）本実施例により本発明の光記録媒体の部分
断面図を図２に示す。この光記録媒体の製造を次のよう
に行った。
断面図を図２に示す。この光記録媒体の製造を次のよう
に行った。
【００２０】四元のターゲット源を備えたスパッタ装置
内に、透明なディスク状基板１をターゲットから１０cm
の距離にセットして回転させた。次に窒素濃度１０％の
アルゴン窒素混合ガス中で第一のターゲットより、スパ
ッタガス圧５ｍTorrでＳｉを反応性スパッタし、第一誘
電体層２としてＳｉ3Ｎ4膜を７０ｎｍの厚さに形成し
た。次にアルゴンガス中で第二のターゲットによりスパ
ッタガス圧５ｍTorrでＰｂ−Ｔｅをスパッタし、膜厚２
０ｎｍの記録補助層７を形成した。次に窒素濃度１０％
のアルゴン窒素混合ガス中で第一のターゲットより、ス
パッタガス圧５ｍTorrでＳｉを反応性スパッタし、第二
誘電体層８としてＳｉ3Ｎ4膜を１０μｍの厚さに形成し
た。さらに、アルゴン中で、第三の合金ターゲットより
スパッタガス圧５ｍTorrでＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金をスパ
ッタし、膜厚３０ｎｍ，キュリー温度約２００℃，補償
温度約１００℃，保磁力Ｈｃ1１５ｋＯｅで、組成がＴ
ｂ27Ｆｅ66Ｃｏ7 の第一磁性層３を形成した。次に、第
一誘電体層２と同様に、窒素濃度１０％のアルゴン窒素
混合ガス中で第一のターゲットより、スパッタガス圧５
ｍTorrでＳｉを反応性スパッタし、第三誘電体層４とし
てＳｉ3Ｎ4膜を２０ｎｍの厚さに設けた。最後に、アル
ゴン中でスパッタガス圧５ｍTorrで第四のターゲットよ
り、金属層５としてＡｌ−Ｔｉ膜を５０ｎｍの厚さに設
けた。さらに、表面に約１０μｍの厚さの樹脂層６を形
成した。
内に、透明なディスク状基板１をターゲットから１０cm
の距離にセットして回転させた。次に窒素濃度１０％の
アルゴン窒素混合ガス中で第一のターゲットより、スパ
ッタガス圧５ｍTorrでＳｉを反応性スパッタし、第一誘
電体層２としてＳｉ3Ｎ4膜を７０ｎｍの厚さに形成し
た。次にアルゴンガス中で第二のターゲットによりスパ
ッタガス圧５ｍTorrでＰｂ−Ｔｅをスパッタし、膜厚２
０ｎｍの記録補助層７を形成した。次に窒素濃度１０％
のアルゴン窒素混合ガス中で第一のターゲットより、ス
パッタガス圧５ｍTorrでＳｉを反応性スパッタし、第二
誘電体層８としてＳｉ3Ｎ4膜を１０μｍの厚さに形成し
た。さらに、アルゴン中で、第三の合金ターゲットより
スパッタガス圧５ｍTorrでＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金をスパ
ッタし、膜厚３０ｎｍ，キュリー温度約２００℃，補償
温度約１００℃，保磁力Ｈｃ1１５ｋＯｅで、組成がＴ
ｂ27Ｆｅ66Ｃｏ7 の第一磁性層３を形成した。次に、第
一誘電体層２と同様に、窒素濃度１０％のアルゴン窒素
混合ガス中で第一のターゲットより、スパッタガス圧５
ｍTorrでＳｉを反応性スパッタし、第三誘電体層４とし
てＳｉ3Ｎ4膜を２０ｎｍの厚さに設けた。最後に、アル
ゴン中でスパッタガス圧５ｍTorrで第四のターゲットよ
り、金属層５としてＡｌ−Ｔｉ膜を５０ｎｍの厚さに設
けた。さらに、表面に約１０μｍの厚さの樹脂層６を形
成した。
【００２１】（実施例２）従来例の手順で作製したディ
スクＡ、および記録補助層ｄ＝２０ｎｍとして実施例１
で作製したディスクＢの記録再生特性を測定した。ま
ず、４.２ｍ／ｓ の線速度のもとで、膜面に垂直方向に
記録時とは逆の磁界（３００Ｏｅ）を印加し、６.７ｍ
Ｗ のＤＣ光を照射して磁化方向を一方向に揃えた。次
に、印加磁界を反転させた状態で、１ＭＨｚの信号でレ
ーザパワーを順次変えながら記録し、基本波及び第二高
調波のＣ／Ｎ(搬送波対雑音比)を測定した。
スクＡ、および記録補助層ｄ＝２０ｎｍとして実施例１
で作製したディスクＢの記録再生特性を測定した。ま
ず、４.２ｍ／ｓ の線速度のもとで、膜面に垂直方向に
記録時とは逆の磁界（３００Ｏｅ）を印加し、６.７ｍ
Ｗ のＤＣ光を照射して磁化方向を一方向に揃えた。次
に、印加磁界を反転させた状態で、１ＭＨｚの信号でレ
ーザパワーを順次変えながら記録し、基本波及び第二高
調波のＣ／Ｎ(搬送波対雑音比)を測定した。
【００２２】ここで、最適記録パワーを第二高調波成分
が最小になるレーザパワーとした。それは、第二高調波
成分が最小になるレーザパワーで記録したとき、ディス
クＡ，ディスクＢとも記録部分と未記録部分の長さが等
しくなるからである。
が最小になるレーザパワーとした。それは、第二高調波
成分が最小になるレーザパワーで記録したとき、ディス
クＡ，ディスクＢとも記録部分と未記録部分の長さが等
しくなるからである。
【００２３】この最適記録パワーを用いて、ディスクＡ
とディスクＢの記録点の形状寸法を比較した。ディスク
Ａでは、最適記録パワー８.２ｍＷ において記録点の形
状は長さおよび幅は８００ｎｍであった。ディスクＢは
９.０ｍＷ において長さおよび幅は６００ｎｍとなり、
記録点の寸法がディスクＡの約７５％になり、記録点の
長さおよび幅を小さくできた。これにより記録密度は約
２倍に向上できた。
とディスクＢの記録点の形状寸法を比較した。ディスク
Ａでは、最適記録パワー８.２ｍＷ において記録点の形
状は長さおよび幅は８００ｎｍであった。ディスクＢは
９.０ｍＷ において長さおよび幅は６００ｎｍとなり、
記録点の寸法がディスクＡの約７５％になり、記録点の
長さおよび幅を小さくできた。これにより記録密度は約
２倍に向上できた。
【００２４】この時、ディスクＡ，ＢのＣ／Ｎはそれぞ
れ５４ｄＢと同等であった。
れ５４ｄＢと同等であった。
【００２５】本実施例の記録補助層に用いたＰｂ−Ｔｅ
膜において、膜厚を変化させた時、記録点の形状および
Ｃ／Ｎは表１のように変化した。ここで最適パワーはそ
れぞれの膜厚で多少異なっている。
膜において、膜厚を変化させた時、記録点の形状および
Ｃ／Ｎは表１のように変化した。ここで最適パワーはそ
れぞれの膜厚で多少異なっている。
【００２６】
【表１】 この記録補助層の膜厚が１００ｎｍ以上でＣ／Ｎが変化
していないのは、再生時に再生時のレーザパワーを変化
させて光学的なマスクを形成し、再生信号を検出する領
域を制限したことによる効果である。すなわち、ここで
記録補助層に用いたＰｂ−Ｔｅ膜は、温度分布に対応し
て屈折率が変化し、それに対応してレーザ光スポット内
で光強度分布が生じて光学的なマスクが形成され、再生
信号を検出する領域が制限される。それにより、実質的
に再生信号を検出するレーザ光スポットの面積と記録点
の面積の比が大きくなり、結果として小さい記録点の再
生信号が得られたためである。
していないのは、再生時に再生時のレーザパワーを変化
させて光学的なマスクを形成し、再生信号を検出する領
域を制限したことによる効果である。すなわち、ここで
記録補助層に用いたＰｂ−Ｔｅ膜は、温度分布に対応し
て屈折率が変化し、それに対応してレーザ光スポット内
で光強度分布が生じて光学的なマスクが形成され、再生
信号を検出する領域が制限される。それにより、実質的
に再生信号を検出するレーザ光スポットの面積と記録点
の面積の比が大きくなり、結果として小さい記録点の再
生信号が得られたためである。
【００２７】記録補助層の膜厚が２５０ｎｍ以上では記
録に必要なレーザ光が不足なため記録点を形成を出来な
い。これは、記録補助層の光吸収が大きいためである。
従って、レーザパワーを大きくするか、あるいは、レー
ザ光の波長を変えて、かつ最適な光吸収に適した記録補
助層の組成にすれば良い。ここで記録補助層に用いたＰ
ｂ−Ｔｅ膜は、膜厚に対応して最適パワーが異なるため
屈折率も変化している。また、記録補助層のレンズ効果
を生じている時と記録膜に光が照射されている時の相互
の時間的な遅れにより、更に記録点の形状を小さくでき
る。さらに、記録信号の再生時には、記録補助層の温度
分布による屈折率差により光学的なマスクが形成され、
再生信号を検出する領域が制限されるため、結果として
小さい記録点を再生できる。記録補助層をＰｂ−Ｔｅ合
金以外の、Ｉｎ−Ｓｂ合金あるいはＩｎ−Ｓｂ−Ｓｅ合
金などに近い組成の材料を主成分としたものを用いても
同様の結果が得られた。
録に必要なレーザ光が不足なため記録点を形成を出来な
い。これは、記録補助層の光吸収が大きいためである。
従って、レーザパワーを大きくするか、あるいは、レー
ザ光の波長を変えて、かつ最適な光吸収に適した記録補
助層の組成にすれば良い。ここで記録補助層に用いたＰ
ｂ−Ｔｅ膜は、膜厚に対応して最適パワーが異なるため
屈折率も変化している。また、記録補助層のレンズ効果
を生じている時と記録膜に光が照射されている時の相互
の時間的な遅れにより、更に記録点の形状を小さくでき
る。さらに、記録信号の再生時には、記録補助層の温度
分布による屈折率差により光学的なマスクが形成され、
再生信号を検出する領域が制限されるため、結果として
小さい記録点を再生できる。記録補助層をＰｂ−Ｔｅ合
金以外の、Ｉｎ−Ｓｂ合金あるいはＩｎ−Ｓｂ−Ｓｅ合
金などに近い組成の材料を主成分としたものを用いても
同様の結果が得られた。
【００２８】（実施例３）本実施例により本発明の光記
録媒体の部分断面図を図３に示す。この光記録媒体の製
造を次のように行った。
録媒体の部分断面図を図３に示す。この光記録媒体の製
造を次のように行った。
【００２９】四元のターゲット源を備えたスパッタ装置
内に、透明なディスク状基板１をターゲットから１０cm
の距離にセットし回転させた。次に窒素濃度１０％のア
ルゴン窒素混合ガス中で第一のターゲットより、スパッ
タガス圧５ｍTorrでＳｉを反応性スパッタし、第一誘電
体層２としてＳｉ3Ｎ4膜を７０ｎｍの厚さに形成した。
次にアルゴンガス中で第二のターゲットによりスパッタ
ガス圧５ｍTorrでＰｂ−Ｔｅをスパッタし、膜厚１００
ｎｍの記録補助層９を形成した。さらに、アルゴン中
で、第三の合金ターゲットよりスパッタガス圧５ｍTorr
でＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金をスパッタし、膜厚３０ｎｍ，
キュリー温度約２００℃，補償温度約１００℃，保磁力
Ｈｃ1１５ｋＯｅで、組成がＴｂ27Ｆｅ66Ｃｏ7の第一磁
性層３を形成した。次に、第一誘電体層２と同様に、窒
素濃度１０％のアルゴン窒素混合ガス中で第一のターゲ
ットより、スパッタガス圧５ｍTorrでＳｉを反応性スパ
ッタし、第二誘電体層４としてＳｉ3Ｎ4膜を２０ｎｍの
厚さに設けた。最後に、アルゴン中でスパッタガス圧５
ｍTorrで第四のターゲットより、金属層５としてＡｌ−
Ｔｉ膜を５０ｎｍの厚さに設けた。さらに、表面に約１
０μｍの厚さの樹脂層６を形成した。
内に、透明なディスク状基板１をターゲットから１０cm
の距離にセットし回転させた。次に窒素濃度１０％のア
ルゴン窒素混合ガス中で第一のターゲットより、スパッ
タガス圧５ｍTorrでＳｉを反応性スパッタし、第一誘電
体層２としてＳｉ3Ｎ4膜を７０ｎｍの厚さに形成した。
次にアルゴンガス中で第二のターゲットによりスパッタ
ガス圧５ｍTorrでＰｂ−Ｔｅをスパッタし、膜厚１００
ｎｍの記録補助層９を形成した。さらに、アルゴン中
で、第三の合金ターゲットよりスパッタガス圧５ｍTorr
でＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金をスパッタし、膜厚３０ｎｍ，
キュリー温度約２００℃，補償温度約１００℃，保磁力
Ｈｃ1１５ｋＯｅで、組成がＴｂ27Ｆｅ66Ｃｏ7の第一磁
性層３を形成した。次に、第一誘電体層２と同様に、窒
素濃度１０％のアルゴン窒素混合ガス中で第一のターゲ
ットより、スパッタガス圧５ｍTorrでＳｉを反応性スパ
ッタし、第二誘電体層４としてＳｉ3Ｎ4膜を２０ｎｍの
厚さに設けた。最後に、アルゴン中でスパッタガス圧５
ｍTorrで第四のターゲットより、金属層５としてＡｌ−
Ｔｉ膜を５０ｎｍの厚さに設けた。さらに、表面に約１
０μｍの厚さの樹脂層６を形成した。
【００３０】このディスクを用いて記録再生特性を測定
した。まず、４.２ｍ／ｓ の線速度のもとで、膜面に垂
直方向に記録時とは逆の磁界(３００Ｏｅ）を印加し、
６.７ｍＷのＤＣ光を照射して磁化方向を一方向に揃え
た。次に、印加磁界を反転させた状態で、１ＭＨｚの信
号でレーザパワーを順次変えながら記録し、基本波及び
第二高調波のＣ／Ｎ(搬送波対雑音比)を測定した。
した。まず、４.２ｍ／ｓ の線速度のもとで、膜面に垂
直方向に記録時とは逆の磁界(３００Ｏｅ）を印加し、
６.７ｍＷのＤＣ光を照射して磁化方向を一方向に揃え
た。次に、印加磁界を反転させた状態で、１ＭＨｚの信
号でレーザパワーを順次変えながら記録し、基本波及び
第二高調波のＣ／Ｎ(搬送波対雑音比)を測定した。
【００３１】ここで、最適記録パワーを第二高調波成分
が最小になるレーザパワーとした。それは、第二高調波
成分が最小になるレーザパワーで記録したとき、記録部
分と未記録部分の長さが等しくなるからである。
が最小になるレーザパワーとした。それは、第二高調波
成分が最小になるレーザパワーで記録したとき、記録部
分と未記録部分の長さが等しくなるからである。
【００３２】この最適記録パワーを用いて、記録点の形
状寸法を測定した。９.０ｍＷ において長さおよび幅は
６００ｎｍなり、記録点の寸法が実施例２に示したディ
スクＡの約７５％になり、記録点の長さおよび幅を小さ
くできた。これにより記録密度は約２倍に向上できた。
状寸法を測定した。９.０ｍＷ において長さおよび幅は
６００ｎｍなり、記録点の寸法が実施例２に示したディ
スクＡの約７５％になり、記録点の長さおよび幅を小さ
くできた。これにより記録密度は約２倍に向上できた。
【００３３】さらに、本実施例の記録補助層に用いたＰ
ｂ−Ｔｅ膜において、膜厚を変化させた時、記録点の形
状およびＣ／Ｎは表２のように変化した。ここで最適パ
ワーはそれぞれの膜厚で多少異なっている。
ｂ−Ｔｅ膜において、膜厚を変化させた時、記録点の形
状およびＣ／Ｎは表２のように変化した。ここで最適パ
ワーはそれぞれの膜厚で多少異なっている。
【００３４】
【表２】
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、レーザ光を照射するこ
とにより体積変化および／あるいは屈折率変化した記録
補助層を通過したレーザ光のスポットの直径が、光学的
なレンズ効果により記録補助層へ照射した時の直径より
小さくなる。それにより、高密度記録が可能である。ま
た、同様の効果を利用して再生することにより、光学的
なマスクが形成され、再生信号を検出する領域が制限で
き、小さい記録点を再生できる。
とにより体積変化および／あるいは屈折率変化した記録
補助層を通過したレーザ光のスポットの直径が、光学的
なレンズ効果により記録補助層へ照射した時の直径より
小さくなる。それにより、高密度記録が可能である。ま
た、同様の効果を利用して再生することにより、光学的
なマスクが形成され、再生信号を検出する領域が制限で
き、小さい記録点を再生できる。
【図１】従来例の製造した光磁気記録媒体の部分を示す
断面図。
断面図。
【図２】実施例１，２により製造した光磁気記録媒体の
部分を示す断面図。
部分を示す断面図。
【図３】実施例３により製造した光磁気記録媒体の部分
を示す断面図。
を示す断面図。
【図４】実施例４により製造した光磁気記録媒体の部分
を示す断面図。
を示す断面図。
１…ディスク状基板、２…第一誘電体層、３…記録層、
４…第二誘電体層、５…金属層、６…保護層、７…記録
補助層、８…第三誘電体層。
４…第二誘電体層、５…金属層、６…保護層、７…記録
補助層、８…第三誘電体層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮本 治一 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 新原 敏夫 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】レーザ光の照射により光学的に変化する現
象を利用して情報を記録・再生する光記録媒体におい
て、基板上に記録層および記録補助層を含む複数層の薄
膜を有し、前記記録補助層側から前記レーザ光を照射す
ることにより、前記記録補助層が形状変化および／ある
いは屈折率変化することを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】請求項１において、前記記録層の基板側あ
るいは基板とは反対側の前記記録補助層を通して前記レ
ーザ光を照射し、前記記録層の界面付近での前記レーザ
光の平均直径が前記記録補助層に入射する前の平均直径
より小さくなる光学特性を有する光記録媒体。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記記録層の
基板側あるいは基板とは反対側の前記記録補助層を通し
て前記レーザ光を照射し、前記レーザ光で照射した部分
の前記記録補助層が体積変化および／あるいは屈折率変
化する材料からなる光記録媒体。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、前記記録
層の基板側あるいは基板とは反対側のレーザ光に近い側
の前記記録補助層に照射し、前記記録補助層が熱吸収層
と熱膨張変化層の二層構造を有し、前記記録層との界面
付近での前記レーザ光の平均直径が前記記録補助層に入
射する前の平均直径より小さくなる光学特性を有する光
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5168860A JPH0729206A (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5168860A JPH0729206A (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729206A true JPH0729206A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15875907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5168860A Pending JPH0729206A (ja) | 1993-07-08 | 1993-07-08 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729206A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000057988A (ko) * | 1999-02-13 | 2000-09-25 | 구자홍 | 광 기록 매체 |
| KR100617135B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2006-09-01 | 엘지전자 주식회사 | 광기록매체 |
| FR2912539A1 (fr) * | 2007-02-09 | 2008-08-15 | Commissariat Energie Atomique | Support de stockage d'informations optiques a haute resolution |
| EP1978512A1 (fr) * | 2007-04-06 | 2008-10-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de détérioration intentionelle du contenu d'un support d'enregistrement optique |
| EP1978517A1 (fr) * | 2007-04-06 | 2008-10-08 | Commissariat à l'Energie Atomique | Support d'enregistrement optique en super-resolution |
| JP2009259334A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Sharp Corp | 情報記録媒体、情報記録装置、情報記録方法、および該情報記録媒体の製造方法 |
-
1993
- 1993-07-08 JP JP5168860A patent/JPH0729206A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000057988A (ko) * | 1999-02-13 | 2000-09-25 | 구자홍 | 광 기록 매체 |
| KR100617135B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2006-09-01 | 엘지전자 주식회사 | 광기록매체 |
| FR2912539A1 (fr) * | 2007-02-09 | 2008-08-15 | Commissariat Energie Atomique | Support de stockage d'informations optiques a haute resolution |
| WO2008101801A1 (fr) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Commissariat A L'energie Atomique | Support de stockage d'informations optiques a haute resolution. |
| EP1978512A1 (fr) * | 2007-04-06 | 2008-10-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de détérioration intentionelle du contenu d'un support d'enregistrement optique |
| EP1978517A1 (fr) * | 2007-04-06 | 2008-10-08 | Commissariat à l'Energie Atomique | Support d'enregistrement optique en super-resolution |
| FR2914774A1 (fr) * | 2007-04-06 | 2008-10-10 | Commissariat Energie Atomique | Procede de deterioration intentionnelle du contenu d'un support d'enregistrement optique |
| FR2914775A1 (fr) * | 2007-04-06 | 2008-10-10 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement optique en super-resolution |
| US7924690B2 (en) | 2007-04-06 | 2011-04-12 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for intentional deterioration of the contents of an optical recording medium |
| US8092887B2 (en) | 2007-04-06 | 2012-01-10 | Commissariat A L'energie Atomique | Super-resolution optical recording medium |
| JP2009259334A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Sharp Corp | 情報記録媒体、情報記録装置、情報記録方法、および該情報記録媒体の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020820 |