JPH1083934A - コンデンサを具える構成部品 - Google Patents
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3668—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties
- C03C17/3671—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having electrical properties specially adapted for use as electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors (thin- or thick-film circuits; capacitors without a potential-jump or surface barrier specially adapted for integrated circuits, details thereof, multistep manufacturing processes therefor)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大きい表面キャパシタンス、薄い厚さおよび
小さい公差を有し、費用効率が良く、表面実装が可能で
あるコンデンサを提供する。 【解決手段】 少なくとも１個のガラスまたはＡｌ2 Ｏ
3 の基板層（１）、少なくとも１個の抗反応層（２）ま
たはレベリング層（２）、少なくとも２個の電極層
（３，５）および少なくとも１個の誘電層（４）を有す
るコンデンサを具える構成物品、特に集積化構造素子ま
たは個別構造素子ならびにこのようなコンデンサにおい
て、ガラス基板（１）の上に抗反応層（２）を、あるい
はＡｌ2 Ｏ3 基板（１）の上にレベリング層（２）を、
少なくとも１種の特定の物質から設ける。上述の物質の
内の１種またはいくつか種類の物質の組み合わせからな
る抗反応層（２）またはレベリング層（２）は、誘電層
（４）に高キャパシタンス値を与えることができる。
小さい公差を有し、費用効率が良く、表面実装が可能で
あるコンデンサを提供する。 【解決手段】 少なくとも１個のガラスまたはＡｌ2 Ｏ
3 の基板層（１）、少なくとも１個の抗反応層（２）ま
たはレベリング層（２）、少なくとも２個の電極層
（３，５）および少なくとも１個の誘電層（４）を有す
るコンデンサを具える構成物品、特に集積化構造素子ま
たは個別構造素子ならびにこのようなコンデンサにおい
て、ガラス基板（１）の上に抗反応層（２）を、あるい
はＡｌ2 Ｏ3 基板（１）の上にレベリング層（２）を、
少なくとも１種の特定の物質から設ける。上述の物質の
内の１種またはいくつか種類の物質の組み合わせからな
る抗反応層（２）またはレベリング層（２）は、誘電層
（４）に高キャパシタンス値を与えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも１個の
ガラスまたはＡｌ2 Ｏ3 の基板層、少なくとも１個の抗
反応層またはレベリング層、少なくとも２個の電極層お
よび少なくとも１個の誘電層を有するコンデンサを具え
る構成部品、特に集積化構造素子または個別構造素子な
らびにこのようなコンデンサに関するものである。ま
た、本発明は、ガラス基板および抗反応層を有するか、
あるいはＡｌ2 Ｏ3基板およびレベリング層を有するコ
ンデンサを具える上述の構成部品の製造方法に関するも
のである。
ガラスまたはＡｌ2 Ｏ3 の基板層、少なくとも１個の抗
反応層またはレベリング層、少なくとも２個の電極層お
よび少なくとも１個の誘電層を有するコンデンサを具え
る構成部品、特に集積化構造素子または個別構造素子な
らびにこのようなコンデンサに関するものである。ま
た、本発明は、ガラス基板および抗反応層を有するか、
あるいはＡｌ2 Ｏ3基板およびレベリング層を有するコ
ンデンサを具える上述の構成部品の製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】セラミック多層コンデンサは粉末技術に
よって製造するのが普通である。このために、混合酸化
物方法、あるいは水溶液からの沈殿生成のような湿式化
学的方法によって、粉末を製造する。所望の組成を有す
る粉末に結合剤を添加し、処理して例えば箔を形成す
る。形成した箔を電極ペーストで印刷し、次いでこれら
の箔を積み重ねる。結合剤を低温で燃えつくし、材料系
および組成に応じて約１２５０℃〜１３００℃の範囲の
温度でコンデンサを焼結して緻密な製品にする。従来方
法によって製造したセラミックコンデンサは、厚さ約１
０〜１５μm の誘電層を有する。粉末技術の進歩によっ
て、厚さ約３〜５μm の誘電層を有するコンデンサを製
造することができるようになった。
よって製造するのが普通である。このために、混合酸化
物方法、あるいは水溶液からの沈殿生成のような湿式化
学的方法によって、粉末を製造する。所望の組成を有す
る粉末に結合剤を添加し、処理して例えば箔を形成す
る。形成した箔を電極ペーストで印刷し、次いでこれら
の箔を積み重ねる。結合剤を低温で燃えつくし、材料系
および組成に応じて約１２５０℃〜１３００℃の範囲の
温度でコンデンサを焼結して緻密な製品にする。従来方
法によって製造したセラミックコンデンサは、厚さ約１
０〜１５μm の誘電層を有する。粉末技術の進歩によっ
て、厚さ約３〜５μm の誘電層を有するコンデンサを製
造することができるようになった。
【０００３】使用される箔およびスクリーン印刷技術の
ため、また箔の積み重ねが７０〜１００層に及ぶことが
あるため、それぞれ１×０．５mm2 および０．５×０．
２５mm2 に相当するコンデンサ寸法０４０２および０２
０１の場合には、外部寸法を小型にするために技術的に
極めて多くの費用がかかる。従来方法によっては製造し
たコンデンサは、代表的な例においては、約１５０〜２
５０μm の漏洩路を示す。従って０４０２または０２０
１の横方向寸法を有するコンデンサは、狭い活性コンデ
ンサ表面を有しているにずきない。
ため、また箔の積み重ねが７０〜１００層に及ぶことが
あるため、それぞれ１×０．５mm2 および０．５×０．
２５mm2 に相当するコンデンサ寸法０４０２および０２
０１の場合には、外部寸法を小型にするために技術的に
極めて多くの費用がかかる。従来方法によっては製造し
たコンデンサは、代表的な例においては、約１５０〜２
５０μm の漏洩路を示す。従って０４０２または０２０
１の横方向寸法を有するコンデンサは、狭い活性コンデ
ンサ表面を有しているにずきない。
【０００４】ドイツ国特許（ＤＥ）第３４１４８０８号
（Ａ１）「比較的安価で品質の良い薄膜コンデンサを製
造する方法およびこの方法によって製造したコンデンサ
（Verfahren zur Herstellung eines Preiswerten Dunn
filmkondensators und danach hergestellter Kondensa
tors) 」には、基板、好ましくはガラス板に、約３％の
リンを含有するリン富化二酸化ケイ素基材層を設けるこ
とが開示されている。前記リン富化二酸化ケイ素層に電
極を形成するように構成（structure)される導電材料、
好ましくはアルミニウムまたはニッケルの層を設ける。
次いで、このような処理を行なった基板を、誘電率Ｋ＝
３．９７、厚さ１．１５５μm の二酸化ケイ素層で被覆
する。ドイツ国特許（ＤＥ）第３４１４８０８号（Ａ
１）には、次いで、表面キャパシタンスの極めて小さい
薄膜コンデンサについて記載されている。基板にはガラ
スを使用し、電極材料にはアルミニウムを使用してい
る。これらの条件下に、誘電層として上述のＳｉＯ2 層
のような簡単な酸化物層を使用することができる。これ
らの層は極めて小さい誘電率Ｋを有し、従って極めて小
さい表面キャパシタンスを生じる。これらの誘電層を使
用した場合には、１００〜５００ｐＦを有するコンデン
サを製造することができるにすぎない。大きいキャパシ
タンスを得るには、Ｋ＞５０の誘電材料を薄い層として
基板の上に堆積させる必要がある。
（Ａ１）「比較的安価で品質の良い薄膜コンデンサを製
造する方法およびこの方法によって製造したコンデンサ
（Verfahren zur Herstellung eines Preiswerten Dunn
filmkondensators und danach hergestellter Kondensa
tors) 」には、基板、好ましくはガラス板に、約３％の
リンを含有するリン富化二酸化ケイ素基材層を設けるこ
とが開示されている。前記リン富化二酸化ケイ素層に電
極を形成するように構成（structure)される導電材料、
好ましくはアルミニウムまたはニッケルの層を設ける。
次いで、このような処理を行なった基板を、誘電率Ｋ＝
３．９７、厚さ１．１５５μm の二酸化ケイ素層で被覆
する。ドイツ国特許（ＤＥ）第３４１４８０８号（Ａ
１）には、次いで、表面キャパシタンスの極めて小さい
薄膜コンデンサについて記載されている。基板にはガラ
スを使用し、電極材料にはアルミニウムを使用してい
る。これらの条件下に、誘電層として上述のＳｉＯ2 層
のような簡単な酸化物層を使用することができる。これ
らの層は極めて小さい誘電率Ｋを有し、従って極めて小
さい表面キャパシタンスを生じる。これらの誘電層を使
用した場合には、１００〜５００ｐＦを有するコンデン
サを製造することができるにすぎない。大きいキャパシ
タンスを得るには、Ｋ＞５０の誘電材料を薄い層として
基板の上に堆積させる必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、高い表面キャパシタンス、薄い厚さおよび小さい公
差を有し、費用効率が良く、表面実装が可能であるコン
デンサを製造することにある。
は、高い表面キャパシタンス、薄い厚さおよび小さい公
差を有し、費用効率が良く、表面実装が可能であるコン
デンサを製造することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明においては、ガラ
ス基板を有するコンデンサを具える構成部品において、
抗反応層に用いる材料が、ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＨｆＯ
2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 ，ＢａＴｉＯ3 ，Ｂａ
Ｚｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜１），ＰｂＺｒ
x Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜１），Ｔａ2 Ｏ5 ，
Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＡｌ2
Ｏ4 ，ＺｒＴｉＯ4 ，ＢａＦ2 ，ＴｉＢ 2 ，ＭｇＦ2 ，
Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 およびＰｒ2 Ｏ3 の
ようなＬｎ2 Ｏ3 （ただし、Ｌｎはランタニドを示す）
からなる群から選択した少なくとも１種の物質であるこ
とを特徴とすることにより、上述の目的を達成する。特
に、費用を低減するために、ガラス基板を石英ガラス
（ＳｉＯ2 ）の代りにケイ酸塩ガラスから作ることがで
きる。小さい寸法で大きいキャパシタンスを得るには、
誘電率Ｋ＞１０の誘電材料を使用する必要があり、この
誘電材料から薄膜法によって充分に大きいキャパシタン
スを有する薄い誘電層を製造することができる。
ス基板を有するコンデンサを具える構成部品において、
抗反応層に用いる材料が、ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＨｆＯ
2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 ，ＢａＴｉＯ3 ，Ｂａ
Ｚｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜１），ＰｂＺｒ
x Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜１），Ｔａ2 Ｏ5 ，
Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＡｌ2
Ｏ4 ，ＺｒＴｉＯ4 ，ＢａＦ2 ，ＴｉＢ 2 ，ＭｇＦ2 ，
Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 およびＰｒ2 Ｏ3 の
ようなＬｎ2 Ｏ3 （ただし、Ｌｎはランタニドを示す）
からなる群から選択した少なくとも１種の物質であるこ
とを特徴とすることにより、上述の目的を達成する。特
に、費用を低減するために、ガラス基板を石英ガラス
（ＳｉＯ2 ）の代りにケイ酸塩ガラスから作ることがで
きる。小さい寸法で大きいキャパシタンスを得るには、
誘電率Ｋ＞１０の誘電材料を使用する必要があり、この
誘電材料から薄膜法によって充分に大きいキャパシタン
スを有する薄い誘電層を製造することができる。
【０００７】これらの材料を費用効率の良いガラス基板
の上に使用できるようにするには、誘電材料とガラス基
板との反応を防止する抗反応層を設ける必要がある。さ
らに、前記抗反応層は、ガラス基板と誘電層との熱膨脹
係数の差に起因する亀裂の生成を防止する。ガラス基板
に上述の物質の１種または数種の組み合わせからなる抗
反応層を設けた場合には、充分に大きいキャパシタンス
を達成することができる誘電層を前記抗反応層に設ける
ことかできる。適当な抗反応層堆積方法では、Ｔｉ／Ｐ
ｔ層のような複合体層を設け、次いで反応性イオンエッ
チングによってＰｔを構成（structure)し、その後酸素
雰囲気中でＴｉを酸化してＴｉＯ2 を生成する。
の上に使用できるようにするには、誘電材料とガラス基
板との反応を防止する抗反応層を設ける必要がある。さ
らに、前記抗反応層は、ガラス基板と誘電層との熱膨脹
係数の差に起因する亀裂の生成を防止する。ガラス基板
に上述の物質の１種または数種の組み合わせからなる抗
反応層を設けた場合には、充分に大きいキャパシタンス
を達成することができる誘電層を前記抗反応層に設ける
ことかできる。適当な抗反応層堆積方法では、Ｔｉ／Ｐ
ｔ層のような複合体層を設け、次いで反応性イオンエッ
チングによってＰｔを構成（structure)し、その後酸素
雰囲気中でＴｉを酸化してＴｉＯ2 を生成する。
【０００８】本発明の好適例においては、電極層に用い
る材料は、Ｔｉ／Ｐｔ，Ｔａ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｐｄ／Ｐ
ｔ，Ｉｒ，ＩｒＯx ，ＩｒＯ2 ／Ｉｒ，ＺｒＯ2 ／Ｐ
ｔ，Ｔｉ／Ｃｕ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／ＮｉＡｌ，Ｔｉ／
（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｆｅ），
Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃ
ｒ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｓｉ），Ｔｉ
／（Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｐｔx Ａｌ1-x ／Ｐ
ｔ，Ｐｔ／ＩｒＯ2 ，ＴｉＯ2 ／Ｐｔ、導電性酸化物、
少なくとも１種の導電性酸化物と貴金属とのハイブリッ
ド、および少なくとも１種の貴金属と卑金属とのハイブ
リッドからなる群から選択した少なくとも１種の物質で
ある。電極材料には貴金属層または卑金属層を使用し、
例えば、リソグラフィー法と湿式エッチング工程または
乾式エッチング工程とを組み合わせることにより、これ
らの層を、電極を形成するように構成（structure)す
る。導電性酸化物には、例えば、ＲｕＯx ，ＳｒＲｕＯ
3 、または他の化合物を使用することができる。導電性
酸化物と貴金属とのハイブリッド組み合わせには、例え
ば、ＲｕＯx ／Ｐｔのような組み合わせを使用すること
ができる。特に、貴金属と卑金属とのハイブリッド電極
としては、組み合わせＴｉ／Ｃｕ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｎｉ／
ＰｔおよびＴｉ／（Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｆｅ）／Ｐｔな
らびに同様な化合物を使用するのが適当である。
る材料は、Ｔｉ／Ｐｔ，Ｔａ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｐｄ／Ｐ
ｔ，Ｉｒ，ＩｒＯx ，ＩｒＯ2 ／Ｉｒ，ＺｒＯ2 ／Ｐ
ｔ，Ｔｉ／Ｃｕ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／ＮｉＡｌ，Ｔｉ／
（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｆｅ），
Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃ
ｒ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｓｉ），Ｔｉ
／（Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｐｔx Ａｌ1-x ／Ｐ
ｔ，Ｐｔ／ＩｒＯ2 ，ＴｉＯ2 ／Ｐｔ、導電性酸化物、
少なくとも１種の導電性酸化物と貴金属とのハイブリッ
ド、および少なくとも１種の貴金属と卑金属とのハイブ
リッドからなる群から選択した少なくとも１種の物質で
ある。電極材料には貴金属層または卑金属層を使用し、
例えば、リソグラフィー法と湿式エッチング工程または
乾式エッチング工程とを組み合わせることにより、これ
らの層を、電極を形成するように構成（structure)す
る。導電性酸化物には、例えば、ＲｕＯx ，ＳｒＲｕＯ
3 、または他の化合物を使用することができる。導電性
酸化物と貴金属とのハイブリッド組み合わせには、例え
ば、ＲｕＯx ／Ｐｔのような組み合わせを使用すること
ができる。特に、貴金属と卑金属とのハイブリッド電極
としては、組み合わせＴｉ／Ｃｕ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｎｉ／
ＰｔおよびＴｉ／（Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｆｅ）／Ｐｔな
らびに同様な化合物を使用するのが適当である。
【０００９】本発明の構成部品の他の有利な例において
は、誘電層として厚さ１０nm〜２μm の強誘電材料層を
使用する。抗反応層は、損率の小さい薄い強誘電性誘電
層を費用効率の良い方法で基板に被着させることができ
るようにするので、薄膜技術によって容量の大きいキャ
パシタンスを有するコンデンサを製造することができ
る。このコンデンサは表面実装可能（ＳＭＤ）であり、
極めて正確に製造することができる。厚さ１０nm〜２μ
m の薄層には、下記の誘電材料を使用するのが好まし
い：
は、誘電層として厚さ１０nm〜２μm の強誘電材料層を
使用する。抗反応層は、損率の小さい薄い強誘電性誘電
層を費用効率の良い方法で基板に被着させることができ
るようにするので、薄膜技術によって容量の大きいキャ
パシタンスを有するコンデンサを製造することができ
る。このコンデンサは表面実装可能（ＳＭＤ）であり、
極めて正確に製造することができる。厚さ１０nm〜２μ
m の薄層には、下記の誘電材料を使用するのが好まし
い：
【００１０】ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０
〜１）、過剰量の鉛を含有するもの、あるいは含有しな
いもの 被ドープＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 、例えば、Ｎｂをドー
プしたもの
〜１）、過剰量の鉛を含有するもの、あるいは含有しな
いもの 被ドープＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 、例えば、Ｎｂをドー
プしたもの
【化１】 過剰量の鉛を含有するもの、あるいは含有しないもの
【化２】 過剰量の鉛を含有するもの、あるいは含有しないもの （Ｐｂ，Ｃａ）ＴｉＯ3 ＢａＴｉＯ3 、ドーパントを含有するもの、あるいは含
有しないもの ＣｅをドープしたＢａＴｉＯ3 Ｎｂおよび／またはＣｏをドープしたＢａＴｉＯ3 ＢａＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜１） Ｂａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 （ただし、ｘ＝０〜１） 被ドープＳｒＴｉＯ3 、例えば、Ｌａ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｍ
ｎをドープしたもの ＳｒＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜１）、Ｍｎ
ドーパントを含有するもの、あるいは含有しないもの
有しないもの ＣｅをドープしたＢａＴｉＯ3 Ｎｂおよび／またはＣｏをドープしたＢａＴｉＯ3 ＢａＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜１） Ｂａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 （ただし、ｘ＝０〜１） 被ドープＳｒＴｉＯ3 、例えば、Ｌａ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｍ
ｎをドープしたもの ＳｒＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜１）、Ｍｎ
ドーパントを含有するもの、あるいは含有しないもの
【００１１】ＣａＯx ＺｎＯy ( Ｎｂ2 Ｏ5)2 （ただ
し、ｘ＝0.01〜0.05；ｙ＝0.43〜0.55；ｚ＝0.44〜0.5
2） （ＢａＴｉＯ3)0.18-0.27 ＋（Ｎｄ2 Ｏ3)0.316-0.355
＋（ＴｉＯ2)0.276-0.35 5 ＋（Ｂｉ2 Ｏ3)0.025-0.081
＋ＺｎＯ Ｎｂ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，ＮｉをドープしたＭｇＯ−Ｔｉ
Ｏ2 −ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ 3 −ＳｉＯ2 Ａｌ2 Ｏ3 Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20 Ｎｂ2 Ｏ5 ＴｉＯ2 ＣａＴｉＯ3 ＣａＴｉＯ3 ＋ＣａＴｉＳｉＯ5 （Ｓｒ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 （Ｓｒ，Ｃａ，Ｍ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 ，Ｍ＝Ｍｇまた
はＺｎ （Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎ）（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｉ）Ｏ3 （Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｐｂ）ＴｉＯ3 ＋Ｂｉ2 Ｏ
3
し、ｘ＝0.01〜0.05；ｙ＝0.43〜0.55；ｚ＝0.44〜0.5
2） （ＢａＴｉＯ3)0.18-0.27 ＋（Ｎｄ2 Ｏ3)0.316-0.355
＋（ＴｉＯ2)0.276-0.35 5 ＋（Ｂｉ2 Ｏ3)0.025-0.081
＋ＺｎＯ Ｎｂ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，ＮｉをドープしたＭｇＯ−Ｔｉ
Ｏ2 −ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ 3 −ＳｉＯ2 Ａｌ2 Ｏ3 Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20 Ｎｂ2 Ｏ5 ＴｉＯ2 ＣａＴｉＯ3 ＣａＴｉＯ3 ＋ＣａＴｉＳｉＯ5 （Ｓｒ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 （Ｓｒ，Ｃａ，Ｍ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 ，Ｍ＝Ｍｇまた
はＺｎ （Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎ）（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｉ）Ｏ3 （Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｐｂ）ＴｉＯ3 ＋Ｂｉ2 Ｏ
3
【００１２】ＢａＯ−ＳｒＯ−ＣａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｇ
ｄ2 Ｏ3 −Ｎｂ2 Ｏ5-ＴｉＯ2 ＳｉＯ2 ，ＭｎＯ2 ，ＰｂＯが添加されている（Ｂｉ2
Ｏ3)x （Ｎｂ2 Ｏ5)1-x Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＣｏＯ，ＭｎＯ2 ，ＣｅＯ2 ，ＺｎＯをド
ープしたＢａＴｉＯ3 ＭｎＯ，ＭｇＯおよび希土類酸化物が添加されている
（ＢａＴｉＯ3 ＋ＣａＺｒＯ3 ） （Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ3 ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｃｏ2 Ｏ3 ，Ｍ
ｎＯ2 Ｚｒ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ4 ＢａＯ−ＰｂＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｐｒ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3
−ＴｉＯ2 Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3 Ｔａ2 Ｏ5 ＣａＺｒＯ3 （Ｂａ，Ｎｄ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 ＋Ｃｅドーパント （Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 ＋Ｌｉ2 Ｏ，
ＳｉＯ2'Ｂ2 Ｏ3
ｄ2 Ｏ3 −Ｎｂ2 Ｏ5-ＴｉＯ2 ＳｉＯ2 ，ＭｎＯ2 ，ＰｂＯが添加されている（Ｂｉ2
Ｏ3)x （Ｎｂ2 Ｏ5)1-x Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＣｏＯ，ＭｎＯ2 ，ＣｅＯ2 ，ＺｎＯをド
ープしたＢａＴｉＯ3 ＭｎＯ，ＭｇＯおよび希土類酸化物が添加されている
（ＢａＴｉＯ3 ＋ＣａＺｒＯ3 ） （Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ3 ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｃｏ2 Ｏ3 ，Ｍ
ｎＯ2 Ｚｒ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ4 ＢａＯ−ＰｂＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｐｒ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3
−ＴｉＯ2 Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3 Ｔａ2 Ｏ5 ＣａＺｒＯ3 （Ｂａ，Ｎｄ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 ＋Ｃｅドーパント （Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 ＋Ｌｉ2 Ｏ，
ＳｉＯ2'Ｂ2 Ｏ3
【００１３】ＰｂＯ−Ｎｂ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2
−ＴｉＯ2 〔Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 〕x −〔ＰｂＴｉ
Ｏ3 〕1-x （ただし、ｘ＝０〜１）、過剰量の鉛を含有
するもの、および含有しないもの、ドーパントを含有す
るもの、および含有しないもの （Ｐｂ，Ｂａ，Ｓｒ）（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3)x Ｔｉy （Ｚ
ｎ1/3 Ｎｂ2/3)1-x-y Ｏ 3 i)Ｐｂ（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2)Ｏ3 ii) Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2)Ｏ3 iii)Ｐｂ（Ｆｅ2/3 Ｗ1/3)Ｏ3 iv) Ｐｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3)Ｏ3 v)Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3)Ｏ3 化合物ｉ）〜ｖ）とＰｂＴｉＯ3 およびＰｂ（Ｍｇ1/3
Ｎｂ2/3)Ｏ3 との組み合わせ Ｐｂ（Ｓｃ1/2 Ｔａ1/2)Ｏ3
−ＴｉＯ2 〔Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 〕x −〔ＰｂＴｉ
Ｏ3 〕1-x （ただし、ｘ＝０〜１）、過剰量の鉛を含有
するもの、および含有しないもの、ドーパントを含有す
るもの、および含有しないもの （Ｐｂ，Ｂａ，Ｓｒ）（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3)x Ｔｉy （Ｚ
ｎ1/3 Ｎｂ2/3)1-x-y Ｏ 3 i)Ｐｂ（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2)Ｏ3 ii) Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2)Ｏ3 iii)Ｐｂ（Ｆｅ2/3 Ｗ1/3)Ｏ3 iv) Ｐｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3)Ｏ3 v)Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3)Ｏ3 化合物ｉ）〜ｖ）とＰｂＴｉＯ3 およびＰｂ（Ｍｇ1/3
Ｎｂ2/3)Ｏ3 との組み合わせ Ｐｂ（Ｓｃ1/2 Ｔａ1/2)Ｏ3
【００１４】あるいは、数個の個別の前記化合物層から
なる層構造、例えば、チタン含有量の大きいＰＺＴ層の
上にＰＬＺＴ層が設けられている層構造を使用すること
ができ、これにより特に層の電気特性が改善される。
なる層構造、例えば、チタン含有量の大きいＰＺＴ層の
上にＰＬＺＴ層が設けられている層構造を使用すること
ができ、これにより特に層の電気特性が改善される。
【００１５】また、本発明においては、Ａｌ2 Ｏ3 基板
層を有するコンデンサを具える構成部品において、レベ
リング層の材料として、ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＨｆＯ
2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 ，ＣａＺｒＯ3 ，Ｂａ
ＴｉＯ3 ，ＢａＺｒx Ｔｉ1-xＯ3 （ただし、ｘ＝０〜
１），ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１），Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ，ＺｒＴｉＯ4 ，ＢａＦ2 ，Ｍ
ｇＦ2 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 およびＰｒ
2 Ｏ3 のようなＬｎ2 Ｏ3 （ただし、Ｌｎはランタニド
を示す）からなる群から選択した少なくとも１種の物質
が添加されているかあるいは添加されていない非結晶性
ガラスが使用されていることを特徴とすることによっ
て、本発明の目的を達成する。ガラス基板および抗反応
層を有する本発明のコンデンサと同様に、この場合に
も、誘電率Ｋ＞１０の誘電材料を使用して小さい寸法で
大きいキャパシタンスを得ることができる。これらの材
料を費用効率の良いＡｌ2 Ｏ3 基板の上に使用するに
は、レベリング層を設ける必要があり、これは、誘電層
とＡｌ2Ｏ3 との反応のほか大きな表面粗さに起因する
コンデンサの短絡を防止する必要があるからである。さ
らに、膨脹係数の差に起因する誘電層における亀裂の発
生が回避される。
層を有するコンデンサを具える構成部品において、レベ
リング層の材料として、ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＨｆＯ
2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 ，ＣａＺｒＯ3 ，Ｂａ
ＴｉＯ3 ，ＢａＺｒx Ｔｉ1-xＯ3 （ただし、ｘ＝０〜
１），ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１），Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ，ＺｒＴｉＯ4 ，ＢａＦ2 ，Ｍ
ｇＦ2 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 およびＰｒ
2 Ｏ3 のようなＬｎ2 Ｏ3 （ただし、Ｌｎはランタニド
を示す）からなる群から選択した少なくとも１種の物質
が添加されているかあるいは添加されていない非結晶性
ガラスが使用されていることを特徴とすることによっ
て、本発明の目的を達成する。ガラス基板および抗反応
層を有する本発明のコンデンサと同様に、この場合に
も、誘電率Ｋ＞１０の誘電材料を使用して小さい寸法で
大きいキャパシタンスを得ることができる。これらの材
料を費用効率の良いＡｌ2 Ｏ3 基板の上に使用するに
は、レベリング層を設ける必要があり、これは、誘電層
とＡｌ2Ｏ3 との反応のほか大きな表面粗さに起因する
コンデンサの短絡を防止する必要があるからである。さ
らに、膨脹係数の差に起因する誘電層における亀裂の発
生が回避される。
【００１６】Ａｌ2 Ｏ3 基板に上述の物質の１種または
数種の組み合わせからなるレベリング層を設ける場合に
は、充分に大きいキャパシタンスを達成することができ
る誘電層を前記レベリング層に設けることができる。表
面粗さの著しく大きい基板、例えば、厚膜状Ａｌ2 Ｏ3
基板の場合には、設けられたレベリング層は数ミクロン
の厚さを有する。このレベリング層は、例えば、鉛ケイ
酸塩ガラス層とすることができ、あるいは温度安定性を
増大するためにＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 またはＰｂＴｉＯ3
あるいは上述の添加物質のいずれかを富化したガラス層
とすることができる。厚さ数ミクロンの層を堆積させる
方法として、例えば、スクリーン印刷法のような厚膜法
を使用することができる。
数種の組み合わせからなるレベリング層を設ける場合に
は、充分に大きいキャパシタンスを達成することができ
る誘電層を前記レベリング層に設けることができる。表
面粗さの著しく大きい基板、例えば、厚膜状Ａｌ2 Ｏ3
基板の場合には、設けられたレベリング層は数ミクロン
の厚さを有する。このレベリング層は、例えば、鉛ケイ
酸塩ガラス層とすることができ、あるいは温度安定性を
増大するためにＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 またはＰｂＴｉＯ3
あるいは上述の添加物質のいずれかを富化したガラス層
とすることができる。厚さ数ミクロンの層を堆積させる
方法として、例えば、スクリーン印刷法のような厚膜法
を使用することができる。
【００１７】Ａｌ2 Ｏ3 基板を有する本発明のコンデン
サの好適例においては、電極層の材料は、Ｔｉ／Ｐｔ，
Ｔａ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｐｄ／Ｐｔ，Ｉｒ，ＩｒＯx ，Ｉｒ
Ｏ2／Ｉｒ，ＺｒＯ2 ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｃｕ，Ｔｉ／Ｎ
ｉ，Ｔｉ／ＮｉＡｌ，Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ），Ｔ
ｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃ
ｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｓｉ），Ｔｉ／（Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，
Ｃｒ），Ｐｔx Ａｌ1-x ／Ｐｔ，Ｐｔ／ＩｒＯ2 ，Ｔｉ
Ｏ2 ／Ｐｔ，導電性酸化物、少なくとも１種の導電性酸
化物と貴金属とのハイブリッド、および少なくとも１種
の貴金属と卑金属とのハイブリッドからなる群から選択
した少なくとも１種の物質である。導電性酸化物には、
例えば、化合物ＲｕＯx ，ＳｒＲｕＯ3 または他の化合
物を使用することができる。導電性酸化物と貴金属との
ハイブリッド組み合わせには、例えば、ＲｕＯx ／Ｐｔ
のような組み合わせを使用することができる。特に、貴
金属と卑金属とのハイブリッド電極としては、組み合わ
せＴｉ／Ｃｕ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｎｉ／ＰｔおよびＴｉ／
（Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｆｅ）／Ｐｔならびに類似の化合
物を使用することができる。
サの好適例においては、電極層の材料は、Ｔｉ／Ｐｔ，
Ｔａ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｐｄ／Ｐｔ，Ｉｒ，ＩｒＯx ，Ｉｒ
Ｏ2／Ｉｒ，ＺｒＯ2 ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｃｕ，Ｔｉ／Ｎ
ｉ，Ｔｉ／ＮｉＡｌ，Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ），Ｔ
ｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃ
ｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｓｉ），Ｔｉ／（Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，
Ｃｒ），Ｐｔx Ａｌ1-x ／Ｐｔ，Ｐｔ／ＩｒＯ2 ，Ｔｉ
Ｏ2 ／Ｐｔ，導電性酸化物、少なくとも１種の導電性酸
化物と貴金属とのハイブリッド、および少なくとも１種
の貴金属と卑金属とのハイブリッドからなる群から選択
した少なくとも１種の物質である。導電性酸化物には、
例えば、化合物ＲｕＯx ，ＳｒＲｕＯ3 または他の化合
物を使用することができる。導電性酸化物と貴金属との
ハイブリッド組み合わせには、例えば、ＲｕＯx ／Ｐｔ
のような組み合わせを使用することができる。特に、貴
金属と卑金属とのハイブリッド電極としては、組み合わ
せＴｉ／Ｃｕ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｎｉ／ＰｔおよびＴｉ／
（Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｆｅ）／Ｐｔならびに類似の化合
物を使用することができる。
【００１８】本発明のコンデンサの他の有利な例におい
ては、誘電層は厚さ１０nm〜２μmの１個の強誘電材料
層である。この場合にも、レベリング層を使用して損率
の小さい薄い強誘電性誘電層を費用効率の良い基板に被
着させることができ、この誘電層は、薄膜技術によって
容量の大きいキャパシタンスを有するコンデンサの製造
を可能にし、このコンデンサは表面実装可能（ＳＭＤ）
であり、高い精度で製造することができる。誘電材料に
は、上述の物質を使用するのが好ましく、上述の物質を
ガラス基板に１０nm〜２μm の層厚で被着させる。
ては、誘電層は厚さ１０nm〜２μmの１個の強誘電材料
層である。この場合にも、レベリング層を使用して損率
の小さい薄い強誘電性誘電層を費用効率の良い基板に被
着させることができ、この誘電層は、薄膜技術によって
容量の大きいキャパシタンスを有するコンデンサの製造
を可能にし、このコンデンサは表面実装可能（ＳＭＤ）
であり、高い精度で製造することができる。誘電材料に
は、上述の物質を使用するのが好ましく、上述の物質を
ガラス基板に１０nm〜２μm の層厚で被着させる。
【００１９】しかし、厚膜技術によって製造される本発
明のコンデンサの他の例においては、電極層の材料は、
Ａｇx Ｐｔ1-x （ただし、ｘ＝０〜１），Ａｇx Ｐｄ
1-x （ただし、ｘ＝０〜１），Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉおよび
これらの金属の粉末に少量の接着性ガラスが添加されて
いるものからなる群から選択したペースト形態の少なく
とも１種の金属粉末である。
明のコンデンサの他の例においては、電極層の材料は、
Ａｇx Ｐｔ1-x （ただし、ｘ＝０〜１），Ａｇx Ｐｄ
1-x （ただし、ｘ＝０〜１），Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉおよび
これらの金属の粉末に少量の接着性ガラスが添加されて
いるものからなる群から選択したペースト形態の少なく
とも１種の金属粉末である。
【００２０】Ａｌ2 Ｏ3 基板上における薄膜技術につい
ての例のほか、また、厚さ２μm 〜２０μm の強誘電材
料層を誘電層として使用するのが有利である。約２μm
〜２０μm の層厚とするには、誘電材料として、粉末状
の下記の成分を含有するペーストを使用するのが好まし
い。
ての例のほか、また、厚さ２μm 〜２０μm の強誘電材
料層を誘電層として使用するのが有利である。約２μm
〜２０μm の層厚とするには、誘電材料として、粉末状
の下記の成分を含有するペーストを使用するのが好まし
い。
【００２１】ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０
〜１）、過剰量の鉛（例えば、ＰｂＷＯ3 ）を含有する
もの、あるいは含有しないもの 被ドープＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 ，液相
〜１）、過剰量の鉛（例えば、ＰｂＷＯ3 ）を含有する
もの、あるいは含有しないもの 被ドープＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 ，液相
【化３】
【化４】 （Ｐｂ，Ｃａ）ＴｉＯ3 ＢａＴｉＯ3 ， ＣｅをドープしたＢａＴｉＯ3 ＢａＴｉＯ3 ，Ｎｂおよび／またはＣｏドーパントを含
有するもの、あるいは含有しないもの ＢａＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜１） Ｂａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 （ただし、ｘ＝０〜１） 被ドープＳｒＴｉＯ3 、例えば、Ｌａ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｍ
ｎをドープしたもの ＳｒＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜１）、Ｍｎ
ドーパントを含有するもの、あるいは含有しないもの
有するもの、あるいは含有しないもの ＢａＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜１） Ｂａ1-x Ｓｒx ＴｉＯ3 （ただし、ｘ＝０〜１） 被ドープＳｒＴｉＯ3 、例えば、Ｌａ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｍ
ｎをドープしたもの ＳｒＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜１）、Ｍｎ
ドーパントを含有するもの、あるいは含有しないもの
【００２２】ＣａＯx ＺｎＯy （Ｎｂ2 Ｏ5)2 （ただ
し、ｘ＝0.01〜0.05；ｙ＝0.43〜0.55；ｚ＝0.44〜0.5
2） （ＢａＴｉＯ3)0.18-0.27 ＋（Ｎｄ2 Ｏ3)0.316-0.355
＋（ＴｉＯ2)0.276-0. 355 ＋（Ｂｉ2 Ｏ3 )0.025-0.081
＋ＺｎＯ ＣａＴｉＯ3 ＋ＣａＴｉＳｉＯ5 （Ｓｒ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 （Ｓｒ，Ｃａ，Ｍ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 ，Ｍ＝Ｍｇまた
はＺｎ （Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎ）（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｉ）Ｏ3 （Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｐｂ）ＴｉＯ3 ＋Ｂｉ2 Ｏ
3
し、ｘ＝0.01〜0.05；ｙ＝0.43〜0.55；ｚ＝0.44〜0.5
2） （ＢａＴｉＯ3)0.18-0.27 ＋（Ｎｄ2 Ｏ3)0.316-0.355
＋（ＴｉＯ2)0.276-0. 355 ＋（Ｂｉ2 Ｏ3 )0.025-0.081
＋ＺｎＯ ＣａＴｉＯ3 ＋ＣａＴｉＳｉＯ5 （Ｓｒ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 （Ｓｒ，Ｃａ，Ｍ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 ，Ｍ＝Ｍｇまた
はＺｎ （Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎ）（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｉ）Ｏ3 （Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｐｂ）ＴｉＯ3 ＋Ｂｉ2 Ｏ
3
【００２３】ＢａＯ−ＳｒＯ−ＣａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｇ
ｄ2 Ｏ3 −Ｎｂ2 Ｏ5 −ＴｉＯ2 ＳｉＯ2 ，ＭｎＯ2 ，ＰｂＯが添加されている（Ｂｉ2
Ｏ3 ) x （Ｎｂ2 Ｏ5) 1-x Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＣｏＯ，ＭｎＯ2 ，ＣｅＯ2 ，ＺｎＯをド
ープしたＢａＴｉＯ3 ＭｎＯ，ＭｇＯおよび希土類酸化物が添加されているＢ
ａＴｉＯ3 ＋ＣａＺｒＯ3 （Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ3 ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｃｏ2 Ｏ3 ，Ｍ
ｎ2 Ｎｂ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，ＮｉをドープしたＭｇＯ−Ｔｉ
Ｏ2 −ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3 −ＳｉＯ2 Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20 Ｚｒ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ4 ＢａＯ−ＰｂＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｐｒ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3
−ＴｉＯ2 Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3 ＣａＺｒＯ3 （Ｂａ，Ｎｄ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 ＋Ｃｅドーパント （Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 ＋Ｌｉ2 Ｏ，
ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3
ｄ2 Ｏ3 −Ｎｂ2 Ｏ5 −ＴｉＯ2 ＳｉＯ2 ，ＭｎＯ2 ，ＰｂＯが添加されている（Ｂｉ2
Ｏ3 ) x （Ｎｂ2 Ｏ5) 1-x Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＣｏＯ，ＭｎＯ2 ，ＣｅＯ2 ，ＺｎＯをド
ープしたＢａＴｉＯ3 ＭｎＯ，ＭｇＯおよび希土類酸化物が添加されているＢ
ａＴｉＯ3 ＋ＣａＺｒＯ3 （Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ3 ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｃｏ2 Ｏ3 ，Ｍ
ｎ2 Ｎｂ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，ＮｉをドープしたＭｇＯ−Ｔｉ
Ｏ2 −ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3 −ＳｉＯ2 Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20 Ｚｒ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ4 ＢａＯ−ＰｂＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｐｒ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3
−ＴｉＯ2 Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3 ＣａＺｒＯ3 （Ｂａ，Ｎｄ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 ＋Ｃｅドーパント （Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 ＋Ｌｉ2 Ｏ，
ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3
【００２４】ＰｂＯ−Ｎｂ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2
−ＴｉＯ2 ［Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 Ｏ3 ］x −［ＰｂＴｉＯ3 ］
1-x （ただし、ｘ＝０〜１）、液相 （Ｐｂ，Ｂａ，Ｓｒ）（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）x Ｔｉ
y （Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）1- x-y Ｏ3 ｉ）Ｐｂ（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 ii) Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 iii) Ｐｂ（Ｆｅ2/3 Ｗ1/3 ）Ｏ3 iv) Ｐｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ｖ）Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 化合物ｉ）〜ｖ）とＰｂＴｉＯ3 およびＰｂ（Ｍｇ1/3
Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 との組み合わせ、液相、 Ｐｂ（Ｓｃ1/2 Ｔａ1/2 ）Ｏ3 ＰｂＷＯ3 を含有する［Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）
Ｏ3 ］x −［ＰｂＴｉＯ3］1-x （ただし、ｘ＝０〜
１）、液相
−ＴｉＯ2 ［Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 Ｏ3 ］x −［ＰｂＴｉＯ3 ］
1-x （ただし、ｘ＝０〜１）、液相 （Ｐｂ，Ｂａ，Ｓｒ）（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）x Ｔｉ
y （Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）1- x-y Ｏ3 ｉ）Ｐｂ（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 ii) Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 iii) Ｐｂ（Ｆｅ2/3 Ｗ1/3 ）Ｏ3 iv) Ｐｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ｖ）Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 化合物ｉ）〜ｖ）とＰｂＴｉＯ3 およびＰｂ（Ｍｇ1/3
Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 との組み合わせ、液相、 Ｐｂ（Ｓｃ1/2 Ｔａ1/2 ）Ｏ3 ＰｂＷＯ3 を含有する［Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）
Ｏ3 ］x −［ＰｂＴｉＯ3］1-x （ただし、ｘ＝０〜
１）、液相
【００２５】さらに、特に適当なペーストは、粉末状の
上述の成分を含有するもの、および処理温度を低下する
ためにゲル状のガラスまたは無機結合剤を混合したもの
である。
上述の成分を含有するもの、および処理温度を低下する
ためにゲル状のガラスまたは無機結合剤を混合したもの
である。
【００２６】本発明の構成部品の実施形態においては、
少なくとも１種の有機物質または無機物質の保護層を設
けるのが有利である。保護層、例えば、機械的応力に対
する保護を提供する特に適当な保護層は、重合体の保護
層または無機物質の保護層またはこれらの組み合わせ、
例えば、ＳｉＯ2 ＋ポリアミドである。あるいは、コン
デンサを具える構成部品を、無機物質または重合体の保
護層に他の基板、例えば、ガラス基板が接着されている
ように、構成することができる。
少なくとも１種の有機物質または無機物質の保護層を設
けるのが有利である。保護層、例えば、機械的応力に対
する保護を提供する特に適当な保護層は、重合体の保護
層または無機物質の保護層またはこれらの組み合わせ、
例えば、ＳｉＯ2 ＋ポリアミドである。あるいは、コン
デンサを具える構成部品を、無機物質または重合体の保
護層に他の基板、例えば、ガラス基板が接着されている
ように、構成することができる。
【００２７】さらに、少なくとも２個の端部接点を設け
るのが好ましい。端部接点の位置で、本発明の構成部品
を外部の構成部品に電気的に接続することができる。用
途に応じて、構成の異なる端部接点を使用するのが有利
であることがある。従って、５個の面が接触する従来の
端部接点のほかに、特定の用途または特定の構成部品実
装方法に一層適した他の例も使用することができる。例
えば、次の端部接点を使用することができる： ａ）５個より少ない接触面を有するＳＭＤ端部接点、 ｂ）Ｕ字形接点を形成する３個の面からなる端部接点、 ｃ）Ｌ字形接点を形成する２個の面から成る端部接点、 ｄ）５個以下の接触面を有し、上側および下側の両電極
層と上方から接触しているＳＭＤ端部接点。
るのが好ましい。端部接点の位置で、本発明の構成部品
を外部の構成部品に電気的に接続することができる。用
途に応じて、構成の異なる端部接点を使用するのが有利
であることがある。従って、５個の面が接触する従来の
端部接点のほかに、特定の用途または特定の構成部品実
装方法に一層適した他の例も使用することができる。例
えば、次の端部接点を使用することができる： ａ）５個より少ない接触面を有するＳＭＤ端部接点、 ｂ）Ｕ字形接点を形成する３個の面からなる端部接点、 ｃ）Ｌ字形接点を形成する２個の面から成る端部接点、 ｄ）５個以下の接触面を有し、上側および下側の両電極
層と上方から接触しているＳＭＤ端部接点。
【００２８】さらに、本発明においては、 − 少なくとも１個のガラス基板層を使用できるように
する工程、 − 前記基板層に少なくとも１個の抗反応層を被着させ
る工程、 − 前記抗反応層に少なくとも１個の第１電極層を被着
させる工程、 −前記第１電極層を、少なくとも１個の第１電極を形成
するように構成する工程、 − 前記第１電極の上に少なくとも１個の誘電層を設け
る工程、 − 前記誘電層の上に少なくとも１個の第２電極層を設
ける工程、および − 前記第２電極層を、少なくとも１個の第２電極を形
成するように構成する工程 を有する、コンデンサを具える構成部品を製造する方法
において、前記抗反応層に用いる材料が、ＴｉＯ2 ，Ｚ
ｒＯ2 ，ＨｆＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3，Ｂａ
ＴｉＯ3 ，ＢａＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１）、ＰｂＺｒxＴｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１）、Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ，ＺｒＴｉＯ4 ，ＢａＦ2 ，Ｔ
ｉＢ2 ，ＭｇＦ 2 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3
およびＰｒ2 Ｏ3 のようなＬｎ2 Ｏ3 （ただし、Ｌｎは
ランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも
１種の物質であることを特徴とすることによって、本発
明の目的を達成する。
する工程、 − 前記基板層に少なくとも１個の抗反応層を被着させ
る工程、 − 前記抗反応層に少なくとも１個の第１電極層を被着
させる工程、 −前記第１電極層を、少なくとも１個の第１電極を形成
するように構成する工程、 − 前記第１電極の上に少なくとも１個の誘電層を設け
る工程、 − 前記誘電層の上に少なくとも１個の第２電極層を設
ける工程、および − 前記第２電極層を、少なくとも１個の第２電極を形
成するように構成する工程 を有する、コンデンサを具える構成部品を製造する方法
において、前記抗反応層に用いる材料が、ＴｉＯ2 ，Ｚ
ｒＯ2 ，ＨｆＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3，Ｂａ
ＴｉＯ3 ，ＢａＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１）、ＰｂＺｒxＴｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１）、Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ，ＺｒＴｉＯ4 ，ＢａＦ2 ，Ｔ
ｉＢ2 ，ＭｇＦ 2 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3
およびＰｒ2 Ｏ3 のようなＬｎ2 Ｏ3 （ただし、Ｌｎは
ランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも
１種の物質であることを特徴とすることによって、本発
明の目的を達成する。
【００２９】誘電層を製造するには、特に次の堆積方法
を使用するのが適当である：スパッタリング法、電子ビ
ーム蒸着法、レーザアブレーション（ablation) 法、化
学的気相堆積法または湿式化学的方法、例えば、ゾル−
ゲル法。抗反応層を製造するには、次の堆積方法を使用
するのが有利である：湿式化学的方法、例えば、遠心
法、浸漬被覆法、吹付け法あるいはスパッタリング法、
化学的気相堆積法またはレーザーアブレーション法。
を使用するのが適当である：スパッタリング法、電子ビ
ーム蒸着法、レーザアブレーション（ablation) 法、化
学的気相堆積法または湿式化学的方法、例えば、ゾル−
ゲル法。抗反応層を製造するには、次の堆積方法を使用
するのが有利である：湿式化学的方法、例えば、遠心
法、浸漬被覆法、吹付け法あるいはスパッタリング法、
化学的気相堆積法またはレーザーアブレーション法。
【００３０】本発明においては、 − 少なくとも１個のＡｌ2 Ｏ3 基板層を使用できるよ
うにする工程、 − 前記基板層に少なくとも１個のレベリング層を被着
させる工程、 − 前記レベリング層に少なくとも１個の第１電極層を
被着させる工程、 − 前記第１電極層を、少なくとも１個の第１電極を形
成するように構成する工程、 − 前記第１電極の上に少なくとも１個の誘電層を設け
る工程、 − 前記誘電層の上に少なくとも１個の第２電極層を設
ける工程、 − 前記第２電極層を、少なくとも１個の第２電極を形
成するように構成する工程 を有する、コンデンサを具える構成部品を製造する方法
において、前記レベリング層の材料としてＴｉＯ2 ，Ｚ
ｒＯ2 ，ＨｆＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3，Ｂａ
ＴｉＯ3 ，ＢａＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１）、ＰｂＺｒxＴｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１）、Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ，ＺｒＴｉＯ4 ，ＢａＦ2 ，Ｔ
ｉＢ2 ，ＭｇＦ 2 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3
およびＰｒ2 Ｏ3 のようなＬｎ2 Ｏ3 （ただし、Ｌｎは
ランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも
１種の物質が添加されているかあるいは添加されていな
い非結晶性ガラスを使用することを特徴とすることによ
って、本発明の目的を達成する。
うにする工程、 − 前記基板層に少なくとも１個のレベリング層を被着
させる工程、 − 前記レベリング層に少なくとも１個の第１電極層を
被着させる工程、 − 前記第１電極層を、少なくとも１個の第１電極を形
成するように構成する工程、 − 前記第１電極の上に少なくとも１個の誘電層を設け
る工程、 − 前記誘電層の上に少なくとも１個の第２電極層を設
ける工程、 − 前記第２電極層を、少なくとも１個の第２電極を形
成するように構成する工程 を有する、コンデンサを具える構成部品を製造する方法
において、前記レベリング層の材料としてＴｉＯ2 ，Ｚ
ｒＯ2 ，ＨｆＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3，Ｂａ
ＴｉＯ3 ，ＢａＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１）、ＰｂＺｒxＴｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１）、Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ，ＺｒＴｉＯ4 ，ＢａＦ2 ，Ｔ
ｉＢ2 ，ＭｇＦ 2 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3
およびＰｒ2 Ｏ3 のようなＬｎ2 Ｏ3 （ただし、Ｌｎは
ランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも
１種の物質が添加されているかあるいは添加されていな
い非結晶性ガラスを使用することを特徴とすることによ
って、本発明の目的を達成する。
【００３１】この場合に、誘電層を製造するのに用いる
堆積方法としては、印刷法、例えば、スクリーン印刷
法、フレキソ印刷法、遠心法、浸漬被覆法、ドクターブ
レード被覆法またはカーテン被覆法が好ましい。レベリ
ング層は、印刷法、例えば、スクリーン印刷法、フレキ
ソ印刷法、遠心法、浸漬被覆法、ドクターブレード被覆
法またはカーテン被覆法のような方法により堆積させる
のが好ましい。
堆積方法としては、印刷法、例えば、スクリーン印刷
法、フレキソ印刷法、遠心法、浸漬被覆法、ドクターブ
レード被覆法またはカーテン被覆法が好ましい。レベリ
ング層は、印刷法、例えば、スクリーン印刷法、フレキ
ソ印刷法、遠心法、浸漬被覆法、ドクターブレード被覆
法またはカーテン被覆法のような方法により堆積させる
のが好ましい。
【００３２】これらの生成物は消費者に使用される多量
生産製品であるので、費用効率の極めて良い制御方法を
使用する必要がある。キャパシタンスの値Ｋ＞１０であ
る薄い誘電層を堆積させる費用効率の極めて良い方法の
一例は、湿式化学的薄膜法、例えば、ゾル−ゲル法であ
る。この方法は、例えば、４００〜７００℃の温度にお
いてＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 層をセラミック層の形態で
生成することができる。
生産製品であるので、費用効率の極めて良い制御方法を
使用する必要がある。キャパシタンスの値Ｋ＞１０であ
る薄い誘電層を堆積させる費用効率の極めて良い方法の
一例は、湿式化学的薄膜法、例えば、ゾル−ゲル法であ
る。この方法は、例えば、４００〜７００℃の温度にお
いてＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 層をセラミック層の形態で
生成することができる。
【００３３】これらの処理温度は、緻密なセラミックＰ
ｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 焼結体の製造に用いられる対応す
る温度より５００〜６００℃低い。これらの方法、例え
ば湿式化学的方法を使用することにより、低温において
１０ｎｍ以下の厚さの層を堆積させることができる。こ
のような低い温度はガラス基板またはＡｌ2 Ｏ3 基板の
ような費用効率の良い基板の上に極めて薄い層を生成す
るのに必要である。極めて薄いコンデンサを製造するに
は、厚さ約２００〜５００μｍの薄い基板を使用する。
ｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 焼結体の製造に用いられる対応す
る温度より５００〜６００℃低い。これらの方法、例え
ば湿式化学的方法を使用することにより、低温において
１０ｎｍ以下の厚さの層を堆積させることができる。こ
のような低い温度はガラス基板またはＡｌ2 Ｏ3 基板の
ような費用効率の良い基板の上に極めて薄い層を生成す
るのに必要である。極めて薄いコンデンサを製造するに
は、厚さ約２００〜５００μｍの薄い基板を使用する。
【００３４】
【発明の実施の形態】本発明の上述の面及び他の面は以
下に説明する具体例から明らかであり、本発明のこれら
の面を具体例について説明する。以下に、本発明を図面
を参照して例について説明する。しかし当業者にとって
本発明の範囲内において多くの変更が可能である。図１
に示す構成部品において、符号１は基板層、例えば、ガ
ラスまたはＡｌ2Ｏ3 の基板層を示し、符号２は抗反応
層またはレベリング層を示し、符号３は第１電極を示
し、符号４は誘電層を示し、符号５は第２電極を示し、
符号６は保護層を示し、符号７は２個の端部接点を示
し、これらの接点はそれぞれ構成部品の両端に設けられ
ている。構成部品の５個の面と接触する従来の端部接点
のほかに、他の例も可能である。
下に説明する具体例から明らかであり、本発明のこれら
の面を具体例について説明する。以下に、本発明を図面
を参照して例について説明する。しかし当業者にとって
本発明の範囲内において多くの変更が可能である。図１
に示す構成部品において、符号１は基板層、例えば、ガ
ラスまたはＡｌ2Ｏ3 の基板層を示し、符号２は抗反応
層またはレベリング層を示し、符号３は第１電極を示
し、符号４は誘電層を示し、符号５は第２電極を示し、
符号６は保護層を示し、符号７は２個の端部接点を示
し、これらの接点はそれぞれ構成部品の両端に設けられ
ている。構成部品の５個の面と接触する従来の端部接点
のほかに、他の例も可能である。
【００３５】
実施例１ ガラス基板１（コーニング７０５９、商品名）の上にス
パッタリングによって薄いＴｉ層２を設け、その後この
層を酸化した。次いで、Ｔｉ／Ｐｔ層３をスパッタリン
グによって設けた。この電極層は機械的マスクを介して
スパッタリングすることにより構成した。この基板の上
にＰｂＺｒ0.35Ｔｉ0.65Ｏ3 層４を設けた。このＰｂＺ
ｒ0.35Ｔｉ0.65Ｏ3 層４は、酢酸鉛三水和物を６０ｇの
エチルグリコールモノメチルエーテルに溶解した溶液を
使用して堆積させた。この溶液には、８．６２ｇのチタ
ン−テトラ−ｎ−ブチレートおよび７．５１ｇのジルコ
ニウム−テトラ−ｎ−ブチレートを添加した。この溶液
を、０．２μｍの細孔の大きさを有する酢酸セルロース
フィルタに通した。
パッタリングによって薄いＴｉ層２を設け、その後この
層を酸化した。次いで、Ｔｉ／Ｐｔ層３をスパッタリン
グによって設けた。この電極層は機械的マスクを介して
スパッタリングすることにより構成した。この基板の上
にＰｂＺｒ0.35Ｔｉ0.65Ｏ3 層４を設けた。このＰｂＺ
ｒ0.35Ｔｉ0.65Ｏ3 層４は、酢酸鉛三水和物を６０ｇの
エチルグリコールモノメチルエーテルに溶解した溶液を
使用して堆積させた。この溶液には、８．６２ｇのチタ
ン−テトラ−ｎ−ブチレートおよび７．５１ｇのジルコ
ニウム−テトラ−ｎ−ブチレートを添加した。この溶液
を、０．２μｍの細孔の大きさを有する酢酸セルロース
フィルタに通した。
【００３６】ＰＺＴ層４を堆積させるために、上述のよ
うにして構成したＰｔ電極３を有するガラス基板１を使
用した。この基板に約１ｍ１のＰｂ−Ｔｉ−Ｚｒ溶液を
被着させ、この溶液を２５００ｒｐｍの遠心処理によっ
て被膜にした。この被膜を酸素雰囲気中で１００℃／秒
の速度で５５０℃に加熱し、次いでこの温度で焼結し
た。この処理を数回繰り返して、厚さ約０．３〜１μｍ
の層を形成した。第２Ｐｔ電極５を、機械的マスクを介
してスパッタリングによってこのＰＺＴ層４の上に設け
た。厚さ０．５μｍのＳｉＯ2 層および有機保護層６を
堆積させた後に、基板を細条に分割し、次いで端部接点
７を設けた。
うにして構成したＰｔ電極３を有するガラス基板１を使
用した。この基板に約１ｍ１のＰｂ−Ｔｉ−Ｚｒ溶液を
被着させ、この溶液を２５００ｒｐｍの遠心処理によっ
て被膜にした。この被膜を酸素雰囲気中で１００℃／秒
の速度で５５０℃に加熱し、次いでこの温度で焼結し
た。この処理を数回繰り返して、厚さ約０．３〜１μｍ
の層を形成した。第２Ｐｔ電極５を、機械的マスクを介
してスパッタリングによってこのＰＺＴ層４の上に設け
た。厚さ０．５μｍのＳｉＯ2 層および有機保護層６を
堆積させた後に、基板を細条に分割し、次いで端部接点
７を設けた。
【００３７】実施例２ ガラス基板１（スコットＡＦ４５、商品名）の上にスパ
ッタリングによって薄いＴｉ層２を設け、その後この層
を熱酸化した。次いで、Ｔｉ／Ｐｔ層をスパッタリング
によって設けた。この電極は反応性イオンエッチングに
よって構成した。この基板の上にＰｂＺｒ0.35Ｔｉ0.65
Ｏ3 層４を設けた。このＰｂＺｒ0.35Ｔｉ0.65Ｏ3 層４
は、酢酸鉛三水和物を６０ｇのエチレングリコールモノ
メチルエーテルに溶解した溶液を使用して堆積させた。
この溶液には、８．６２ｇのチタン−テトラ−ｎ−ブチ
レートおよび７．５１ｇのジルコニウム−テトラ−ｎ−
ブチレートを添加した。この溶液を、０．２μｍの細孔
の大きさを有する酢酸セルロースフィルタに通した。
ッタリングによって薄いＴｉ層２を設け、その後この層
を熱酸化した。次いで、Ｔｉ／Ｐｔ層をスパッタリング
によって設けた。この電極は反応性イオンエッチングに
よって構成した。この基板の上にＰｂＺｒ0.35Ｔｉ0.65
Ｏ3 層４を設けた。このＰｂＺｒ0.35Ｔｉ0.65Ｏ3 層４
は、酢酸鉛三水和物を６０ｇのエチレングリコールモノ
メチルエーテルに溶解した溶液を使用して堆積させた。
この溶液には、８．６２ｇのチタン−テトラ−ｎ−ブチ
レートおよび７．５１ｇのジルコニウム−テトラ−ｎ−
ブチレートを添加した。この溶液を、０．２μｍの細孔
の大きさを有する酢酸セルロースフィルタに通した。
【００３８】ＰＺＴ層４を堆積させるために、上述のよ
うにして構成したＰｔ電極３を有するガラス基板１を使
用した。この基板に約１ｍ１のＰｂ−Ｔｉ−Ｚｒ溶液を
被着させ、この溶液を２５００ｒｐｍの遠心処理によっ
て被膜にした。この被膜を酸素雰囲気中で１００℃／秒
の速度で５５０℃に加熱し、次いでこの温度で焼結し
た。この処理を数回繰り返して、厚さ約０．２〜１μｍ
の層を形成した。このＰＺＴ層４の上に第２Ｐｔ電極５
をスパッタリングによって設け、次いで反応性イオンエ
ッチングによって構成した。実施例１に記載したと同様
にして、コンデンサ構成部品を形成するのに必要な以後
の処理工程を行った。
うにして構成したＰｔ電極３を有するガラス基板１を使
用した。この基板に約１ｍ１のＰｂ−Ｔｉ−Ｚｒ溶液を
被着させ、この溶液を２５００ｒｐｍの遠心処理によっ
て被膜にした。この被膜を酸素雰囲気中で１００℃／秒
の速度で５５０℃に加熱し、次いでこの温度で焼結し
た。この処理を数回繰り返して、厚さ約０．２〜１μｍ
の層を形成した。このＰＺＴ層４の上に第２Ｐｔ電極５
をスパッタリングによって設け、次いで反応性イオンエ
ッチングによって構成した。実施例１に記載したと同様
にして、コンデンサ構成部品を形成するのに必要な以後
の処理工程を行った。
【００３９】実施例３ 実施例２に記載した同様にして、ガラス基板１（コーニ
ング１７３７、商品名）の上にスパッタリングによって
薄いＴｉ層２およびＴｉ／Ｐｔ層３を設け、次いで構成
（structure)した。この基板の上に、酢酸鉛三水和物を
６０ｇのエチレングリコールモノメチルエーテルに溶解
した溶液を使用して、ＰｂＺｒ0.35Ｔｉ 0.65Ｏ3 層４を
堆積させた。この溶液には、８．６２ｇのチタン−テト
ラ−ｎ−ブチレートおよび７．５１ｇのジルコニウム−
テトラ−ｎ−ブチレートを添加した。この溶液を、０．
２μｍの細孔の大きさを有する酢酸セルロースフィルタ
に通した。
ング１７３７、商品名）の上にスパッタリングによって
薄いＴｉ層２およびＴｉ／Ｐｔ層３を設け、次いで構成
（structure)した。この基板の上に、酢酸鉛三水和物を
６０ｇのエチレングリコールモノメチルエーテルに溶解
した溶液を使用して、ＰｂＺｒ0.35Ｔｉ 0.65Ｏ3 層４を
堆積させた。この溶液には、８．６２ｇのチタン−テト
ラ−ｎ−ブチレートおよび７．５１ｇのジルコニウム−
テトラ−ｎ−ブチレートを添加した。この溶液を、０．
２μｍの細孔の大きさを有する酢酸セルロースフィルタ
に通した。
【００４０】ＰＺＴ層４を堆積させるために、上述のよ
うにして構成したＰｔ電極３を有するガラス基板１を使
用した。この基板に約１ｍ１のＰｂ−Ｔｉ−Ｚｒ溶液を
被着させ、この溶液を２５００ｒｐｍの遠心処理によっ
て被膜にした。この被膜を酸素雰囲気中で３００℃／秒
の速度で６００℃に加熱し、次いでこの温度で焼結し
た。
うにして構成したＰｔ電極３を有するガラス基板１を使
用した。この基板に約１ｍ１のＰｂ−Ｔｉ−Ｚｒ溶液を
被着させ、この溶液を２５００ｒｐｍの遠心処理によっ
て被膜にした。この被膜を酸素雰囲気中で３００℃／秒
の速度で６００℃に加熱し、次いでこの温度で焼結し
た。
【００４１】この被膜の上に組成物：ＰｂＺｒ0.53Ｔｉ
0.47Ｏ3 の第２層を設けた。このために、酢酸鉛をメト
キシエタノールに溶解した。このメトキシエタノールに
は、４．２０４ｇのチタン−テトラ−ｎ−ブチレートお
よび５．０７６ｇのジルコニウム−テトラ−ｎ−ブチレ
ートを溶解した。このチタンおよびジルコニウムを含有
する溶液を酢酸鉛溶液にかきまぜながら添加した。さら
に、水と濃ＨＮＯ3 とメトキシエタノールとから加水分
解用溶液を作った。この加水分解用溶液を、鉛、チタン
およびジルコニウムを含有する溶液に添加した。
0.47Ｏ3 の第２層を設けた。このために、酢酸鉛をメト
キシエタノールに溶解した。このメトキシエタノールに
は、４．２０４ｇのチタン−テトラ−ｎ−ブチレートお
よび５．０７６ｇのジルコニウム−テトラ−ｎ−ブチレ
ートを溶解した。このチタンおよびジルコニウムを含有
する溶液を酢酸鉛溶液にかきまぜながら添加した。さら
に、水と濃ＨＮＯ3 とメトキシエタノールとから加水分
解用溶液を作った。この加水分解用溶液を、鉛、チタン
およびジルコニウムを含有する溶液に添加した。
【００４２】上述の被覆基板に約１ｍｌのこのＰｂ−Ｔ
ｉ−Ｚｒ溶液を被着させ、この溶液を２５００ｒｐｍの
遠心処理によって被膜にした。この被膜を酸素雰囲気中
で３００℃／秒の速度で６００℃に加熱し、次いでこの
温度で焼結した。この処理を数回繰り返した。最後の被
覆処理では、６５０℃の加熱温度を使用した。このＰＺ
Ｔ層４の上に第２Ｐｔ電極５をスパッタリングによって
設け、次いで反応性イオンエッチングによって構成（st
ructure)した。実施例１に記載したと同様にして、コン
デンサ構成部品を形成するのに必要な以後の処理を行っ
た。
ｉ−Ｚｒ溶液を被着させ、この溶液を２５００ｒｐｍの
遠心処理によって被膜にした。この被膜を酸素雰囲気中
で３００℃／秒の速度で６００℃に加熱し、次いでこの
温度で焼結した。この処理を数回繰り返した。最後の被
覆処理では、６５０℃の加熱温度を使用した。このＰＺ
Ｔ層４の上に第２Ｐｔ電極５をスパッタリングによって
設け、次いで反応性イオンエッチングによって構成（st
ructure)した。実施例１に記載したと同様にして、コン
デンサ構成部品を形成するのに必要な以後の処理を行っ
た。
【００４３】実施例４ ガラス基板１（実施例１，２または３に記載したガラス
基板に相当する）の上に１０ｎｍのＴｉおよび１４０ｎ
ｍのＰｔを含有する薄いＴｉ／Ｐｔ層２，３をスパッタ
リングによって設けた。連続するＰｔ電極３を反応性イ
オンエッチングによって構成した。次いで、連続するＴ
ｉ層を酸素流中で４５０℃において熱処理して前記Ｔｉ
層を緻密なＴｉＯ2 層２に転化することにより、基板１
の上にＴｉＯ2 からなる抗反応層２を形成した。この基
板の上に、ＰｂＺｒ0.35Ｔｉ0.65Ｏ3 層およびＬａをド
ープしたＰｂＺｒ0.53Ｔｉ0.47Ｏ3 層４を設けた。Ｐｂ
−Ｌａ−Ｔｉ−Ｚｒ溶液の調製は実施例１，２または３
に記載した溶液の調製と同様にして行った。
基板に相当する）の上に１０ｎｍのＴｉおよび１４０ｎ
ｍのＰｔを含有する薄いＴｉ／Ｐｔ層２，３をスパッタ
リングによって設けた。連続するＰｔ電極３を反応性イ
オンエッチングによって構成した。次いで、連続するＴ
ｉ層を酸素流中で４５０℃において熱処理して前記Ｔｉ
層を緻密なＴｉＯ2 層２に転化することにより、基板１
の上にＴｉＯ2 からなる抗反応層２を形成した。この基
板の上に、ＰｂＺｒ0.35Ｔｉ0.65Ｏ3 層およびＬａをド
ープしたＰｂＺｒ0.53Ｔｉ0.47Ｏ3 層４を設けた。Ｐｂ
−Ｌａ−Ｔｉ−Ｚｒ溶液の調製は実施例１，２または３
に記載した溶液の調製と同様にして行った。
【００４４】上述のようにして抗反応層２で被覆したガ
ラス基板１を使用してＰｂ−Ｔｉ−Ｚｒ層およびＰｂ−
Ｌａ−Ｚｒ−Ｔｉ層４を堆積させた。この層構造の堆積
は実施例３に記載したと同様にして行った。このＰＺＴ
層４の上にＰｔ層をスパッタリングによって設けた。上
側電極５を反応性イオンエッチングによって構成(stric
ture) した。次いで、０．５μｍのＳｉＯ2 からなる保
護層６を化学的堆積法によって被着させ、この層を構成
した。このＳｉＯ2 層にポリイミドの形態の厚さ１０μ
ｍのポリマー層を設け、次いでこの層を構成した。この
ガラス基板を細条に分割した。ＮｉＣｒ端部接点７をス
パッタリングによって設け、ＮｉＰｂＳｎ端部接点７を
電気めっき浴中で成長させた。
ラス基板１を使用してＰｂ−Ｔｉ−Ｚｒ層およびＰｂ−
Ｌａ−Ｚｒ−Ｔｉ層４を堆積させた。この層構造の堆積
は実施例３に記載したと同様にして行った。このＰＺＴ
層４の上にＰｔ層をスパッタリングによって設けた。上
側電極５を反応性イオンエッチングによって構成(stric
ture) した。次いで、０．５μｍのＳｉＯ2 からなる保
護層６を化学的堆積法によって被着させ、この層を構成
した。このＳｉＯ2 層にポリイミドの形態の厚さ１０μ
ｍのポリマー層を設け、次いでこの層を構成した。この
ガラス基板を細条に分割した。ＮｉＣｒ端部接点７をス
パッタリングによって設け、ＮｉＰｂＳｎ端部接点７を
電気めっき浴中で成長させた。
【００４５】実施例５ ガラス基板１（スコットＡＦ４５）の底面に印刷法で端
部接点を設けた。次いで、このガラス基板に、抗反応層
２として作用する薄いＺｒＯ2 層を遠心法によっで被着
させた。リフトオフ（lift-off) 法によって、この抗反
応層２の上に、１０ｎｍのＴｉおよび１４０ｎｍのＰｔ
を含有する構成された薄いＴｉ／Ｐｔ層２，３を設け
た。この基板に、ＰｂＺｒ0.35Ｔｉ0.65Ｏ3 層とＬａを
ドープしたＰｂＺｒ0.53Ｔｉ0.47Ｏ3 層とからなる層構
造４を被着させた。
部接点を設けた。次いで、このガラス基板に、抗反応層
２として作用する薄いＺｒＯ2 層を遠心法によっで被着
させた。リフトオフ（lift-off) 法によって、この抗反
応層２の上に、１０ｎｍのＴｉおよび１４０ｎｍのＰｔ
を含有する構成された薄いＴｉ／Ｐｔ層２，３を設け
た。この基板に、ＰｂＺｒ0.35Ｔｉ0.65Ｏ3 層とＬａを
ドープしたＰｂＺｒ0.53Ｔｉ0.47Ｏ3 層とからなる層構
造４を被着させた。
【００４６】この被覆処理は実施例４に記載したと同様
にして行った。コンデンサを製造するために、ＰＬＺＴ
層４の上にＰｔ層５を設けた。この上側電極５をリフト
オフ法によって構成した。次いで、０．５μｍのＳｉ3
Ｎ4 からなる保護層６をＰＥＣＶＤ法によって堆積させ
た。このＳｉ3 Ｎ4 層を構成した後に、厚さ約１０μｍ
のポリイミド層を設け、この層を構成した。細条に分割
した後に、スパッタリングによってＮｉＣｒ端部接点７
を設けた。個々の生成物に完全に分割した後に、ＮｉＰ
ｂＳｎ端部接点７を電気めっき浴中で成長させた。
にして行った。コンデンサを製造するために、ＰＬＺＴ
層４の上にＰｔ層５を設けた。この上側電極５をリフト
オフ法によって構成した。次いで、０．５μｍのＳｉ3
Ｎ4 からなる保護層６をＰＥＣＶＤ法によって堆積させ
た。このＳｉ3 Ｎ4 層を構成した後に、厚さ約１０μｍ
のポリイミド層を設け、この層を構成した。細条に分割
した後に、スパッタリングによってＮｉＣｒ端部接点７
を設けた。個々の生成物に完全に分割した後に、ＮｉＰ
ｂＳｎ端部接点７を電気めっき浴中で成長させた。
【００４７】実施例６ Ａｌ2 Ｏ3 基板１（厚膜状）の下面に印刷法によって端
部接点を設けた。次いで、レベリング層２として作用す
るケイ酸鉛層を追加の印刷処理によって設けた。このた
めに、ケイ酸鉛粉末をイソプロパノール中に分散させ
た。粗粒を沈降法によって除去した。このようにして形
成したスラリをドクターブレード被覆法によってＡｌ2
Ｏ3 基板１に被着させた。この基板を乾燥し、次いで９
００℃において焼結した。リフトオフ法を使用して、こ
の平坦になった基板１，２の上に、１０ｎｍのＴｉと１
４０ｎｍのＰｔとからなる薄いＴｉ／Ｐｔ層２，３をス
パッタリングによって設け、次いで構成した。
部接点を設けた。次いで、レベリング層２として作用す
るケイ酸鉛層を追加の印刷処理によって設けた。このた
めに、ケイ酸鉛粉末をイソプロパノール中に分散させ
た。粗粒を沈降法によって除去した。このようにして形
成したスラリをドクターブレード被覆法によってＡｌ2
Ｏ3 基板１に被着させた。この基板を乾燥し、次いで９
００℃において焼結した。リフトオフ法を使用して、こ
の平坦になった基板１，２の上に、１０ｎｍのＴｉと１
４０ｎｍのＰｔとからなる薄いＴｉ／Ｐｔ層２，３をス
パッタリングによって設け、次いで構成した。
【００４８】この基板の上に、ＬａをドープしたＰｂＺ
ｒ0.53Ｔｉ0.47Ｏ3 層４を設けた。被覆処理を実施例４
に記載したと同様にして行った。コンデンサを製造する
ために、ＰＬＺＴ層４の上にＰｔ層５を設けた。この上
側電極５を印刷法およびリフトオフ法によって構成し
た。次いで、低い焼結温度を有し、保護層６として作用
するガラス層を印刷法によって設けた。細条に分割した
後に、スパッタリングによってＮｉＣｒ端部接点を設け
た。個々の生成物に完全に分割した後に、ＮｉＰｂＳｎ
端部接点７を電気めっき浴中で成長させた。
ｒ0.53Ｔｉ0.47Ｏ3 層４を設けた。被覆処理を実施例４
に記載したと同様にして行った。コンデンサを製造する
ために、ＰＬＺＴ層４の上にＰｔ層５を設けた。この上
側電極５を印刷法およびリフトオフ法によって構成し
た。次いで、低い焼結温度を有し、保護層６として作用
するガラス層を印刷法によって設けた。細条に分割した
後に、スパッタリングによってＮｉＣｒ端部接点を設け
た。個々の生成物に完全に分割した後に、ＮｉＰｂＳｎ
端部接点７を電気めっき浴中で成長させた。
【図１】本発明のコンデンサを具える構成部品の一例の
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
１ 基板層（ガラス基板、Ａｌ2 Ｏ3 基板） ２ 抗反応層またはレベリング層（Ｔｉ層、ＴｉＯ
2 層） ３ 第１電極（第１電極層、Ｔｉ／Ｐｔ層、Ｐｔ電極） ４ 誘電層（ＰｂＺｒ0.35Ｔｉ0.65Ｏ3 層、ＰｂＺｒ
0.35Ｔｉ0.65Ｏ3 層とＬａをドープしたＰｂＺｒ0.53Ｔ
ｉ0.47Ｏ3 とからなる層構造、ＰＺＴ層、ＰＬＺＴ層、
Ｐｂ−Ｔｉ−Ｚｒ層およびＰｂ−Ｌａ−Ｚｒ−Ｔｉ層） ５ 第２電極（第２電極層、Ｐｔ電極） ６ 保護層 ７ 端部接点
2 層） ３ 第１電極（第１電極層、Ｔｉ／Ｐｔ層、Ｐｔ電極） ４ 誘電層（ＰｂＺｒ0.35Ｔｉ0.65Ｏ3 層、ＰｂＺｒ
0.35Ｔｉ0.65Ｏ3 層とＬａをドープしたＰｂＺｒ0.53Ｔ
ｉ0.47Ｏ3 とからなる層構造、ＰＺＴ層、ＰＬＺＴ層、
Ｐｂ−Ｔｉ−Ｚｒ層およびＰｂ−Ｌａ−Ｚｒ−Ｔｉ層） ５ 第２電極（第２電極層、Ｐｔ電極） ６ 保護層 ７ 端部接点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴォルフガング ブランド ドイツ連邦共和国 52072 アーヘン シ ュロスパルクシュトラーセ 43 (72)発明者 ヴィルヘルム ヘルマン ドイツ連邦共和国 52159 レトゲン ミ ューレンシュトラーセ １ (72)発明者 マティーウ ヨゼフ エマニュエル ウレ ネルス ベルギー国 3960 ブリー オピターキー ゼル 208 (72)発明者 ヘイスベルタス アー セー エム スピ ーリンフス オランダ国 5283 エムイェー ボックス テル デ ヴルマン ４ (72)発明者 ヘンドリクス ヤコブス ヨハネス マリ ア ファン ハレン オランダ国 5672 ヴェーセー ヌエネン バリサッカー 10
Claims (14)
- 【請求項１】− 少なくとも１個のガラス基板層
（１）、 − 少なくとも１個の抗反応層（２）、 − 少なくとも２個の電極層（３，５）および − 少なくとも１個の誘電層（４）を有するコンデンサ
を具える構成部品において、 前記抗反応層（２）に用いる材料が、ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ
2 ，ＨｆＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 ，ＢａＴｉ
Ｏ3 ，ＢａＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１），ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１），Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ 2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ，ＺｒＴｉＯ4 ，ＢａＦ 2 ，Ｔ
ｉＢ2 ，ＭｇＦ2 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3
およびＰｒ2 Ｏ3のようなＬｎ2 Ｏ3 （ただし、Ｌｎは
ランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも
１種の物質であることを特徴とするコンデンサを具える
構成部品。 - 【請求項２】 前記電極層（３，５）に用いる材料が、
Ｔｉ／Ｐｔ，Ｔａ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｐｄ／Ｐｔ，Ｉｒ，Ｉ
ｒＯx ，ＩｒＯ2 ／Ｉｒ，ＺｒＯ2 ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｃ
ｕ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／ＮｉＡｌ，Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａ
ｌ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｆ
ｅ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｓｉ），Ｔｉ／（Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｐｔx Ａｌ1-x ／Ｐｔ，Ｐｔ
／ＩｒＯ2 ，ＴｉＯ2 ／Ｐｔ，導電性酸化物、少なくと
も１種の導電性酸化物と貴金属とのハイブリッド、およ
び少なくとも１種の貴金属と卑金属とのハイブリッドか
らなる群から選択した少なくとも１種の物質であること
を特徴とする請求項１記載の構成部品。 - 【請求項３】 前記誘電層（４）として、厚さ１０nm〜
２μm の強誘電材料層を使用することを特徴とする請求
項１または２記載の構成部品。 - 【請求項４】− 少なくとも１個のＡｌ2 Ｏ3 基板層
（１）、 − 少なくとも１個のレベリング層（２）、 − 少なくとも２個の電極層（３，５）および − 少なくとも１個の誘電層（４）を有するコンデンサ
を具える構成部品において、 前記レベリング層（２）の材料として、ＴｉＯ2 ，Ｚｒ
Ｏ2 ，ＨｆＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 ，ＣａＺ
ｒＯ3 ，ＢａＴｉＯ3 ，ＢａＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ 3 （ただ
し、ｘ＝０〜１），ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、
ｘ＝０〜１），Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，Ｂｅ
Ｏ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ，ＺｒＴｉＯ4 ，Ｂａ
Ｆ2 ，ＭｇＦ2 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 お
よびＰｒ 2 Ｏ3 のようなＬｎ2 Ｏ3 （ただし、Ｌｎはラ
ンタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも１
種の物質が添加されているかあるいは添加されていない
非結晶性ガラスが使用されていることを特徴とするコン
デンサを具える構成部品。 - 【請求項５】 前記電極層（３，５）に用いる材料が、
Ｔｉ／Ｐｔ，Ｔａ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｐｄ／Ｐｔ，Ｉｒ，Ｉ
ｒＯx ，ＩｒＯ2 ／Ｉｒ，ＺｒＯ2 ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｃ
ｕ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／ＮｉＡｌ，Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａ
ｌ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｆ
ｅ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｓｉ），Ｔｉ／（Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｐｔx Ａｌ1-x ／Ｐｔ，Ｐｔ
／ＩｒＯ2 ，ＴｉＯ2 ／Ｐｔ、導電性酸化物、少なくと
も１種の導電性酸化物と貴金属とのハイブリッド、およ
び少なくとも１種の貴金属と卑金属とのハイブリッドか
らなる群から選択した少なくとも１種の物質であること
を特徴とする請求項４記載の構成部品。 - 【請求項６】 前記誘電層（４）として、厚さ１０nm〜
２μm の強誘電材料層が使用されていることを特徴とす
る請求項４または５記載の構成部品。 - 【請求項７】 前記電極層（３，５）に用いる材料が、
Ａｇx Ｐｔ1-x （ただし、ｘ＝０〜１），Ａｇx Ｐｄ
1-x （ただし、ｘ＝０〜１），Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉおよび
これらの金属の粉末に少量の接着性ガラスが添加されて
いるものからなる群から選択したペースト形態の少なく
とも１種の金属粉末であることを特徴とする請求項４記
載の構成部品。 - 【請求項８】 前記誘電層（４）として、厚さ１０nm〜
２μm の強誘電材料層が使用されていることを特徴とす
る請求項４または７記載の構成部品。 - 【請求項９】 少なくとも１個の有機または無機の保護
層（６）が設けられていることを特徴とする請求項１〜
８のいずれか一つの項に記載の構成部品。 - 【請求項１０】 少なくとも２個の端部接点が設けられ
ていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つの
項に記載の構成部品。 - 【請求項１１】− 少なくとも１個のガラス基板層
（１）、 − 少なくとも１個の抗反応層（２）、 − 少なくとも２個の電極層（３，５）および − 少なくとも１個の誘電層（４）を有するコンデンサ
において、 前記抗反応層（２）に用いる材料が、ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ
2 ，ＨｆＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 ，ＢａＴｉ
Ｏ3 ，ＢａＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１），ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１），Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ 2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ，ＺｒＴｉＯ4 ，ＢａＦ 2 ，Ｔ
ｉＢ2 ，ＭｇＦ2 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3
およびＰｒ2 Ｏ3のようなＬｎ2 Ｏ3 （ただし、Ｌｎは
ランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも
１種の物質であることを特徴とするコンデンサを具える
構成部品。 - 【請求項１２】− 少なくとも１個のＡｌ2 Ｏ3 基板層
（１）、 − 少なくとも１個のレベリング層（２）、 − 少なくとも２個の電極層（３，５）および − 少なくとも１個の誘電層（４）を有するコンデンサ
において、 前記レベリング層（２）の材料として、ＴｉＯ2 ，Ｚｒ
Ｏ2 ，ＨｆＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 ，ＣａＺ
ｒＯ3 ，ＢａＴｉＯ3 ，ＢａＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ 3 （ただ
し、ｘ＝０〜１），ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、
ｘ＝０〜１），Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，Ｂｅ
Ｏ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ，ＺｒＴｉＯ4 ，Ｂａ
Ｆ2 ，ＭｇＦ2 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 お
よびＰｒ 2 Ｏ3 のようなＬｎ2 Ｏ3 （ただし、Ｌｎはラ
ンタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも１
種の物質が添加されているかあるいは添加されていない
非結晶性ガラスが使用されていることを特徴とするコン
デンサを具える構成部品。 - 【請求項１３】− 少なくとも１個のガラス基板層
（１）を使用できるようにする工程、 − 前記基板層（１）に少なくとも１個の抗反応層
（２）を被着させる工程、 − 前記抗反応層（２）に少なくとも１個の第１電極層
（３）を被着させる工程、 − 前記第１電極層（３）を、少なくとも１個の第１電
極（３）を形成するように構成する工程、 − 前記第１電極（３）の上に少なくとも１個の誘電層
（４）を設ける工程、 − 前記誘電層（４）の上に少なくとも１個の第２電極
層（５）を設ける工程、および − 前記第２電極層（５）を、少なくとも１個の第２電
極（５）を形成するように構成する工程を有する、コン
デンサを具える構成部品を製造する方法において、 前記抗反応層（２）に用いる材料が、ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ
2 ，ＨｆＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 ，ＢａＴｉ
Ｏ3 ，ＢａＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１），ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、ｘ＝０〜
１），Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ 2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ，ＺｒＴｉＯ4 ，ＢａＦ 2 ，Ｔ
ｉＢ2 ，ＭｇＦ2 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3
およびＰｒ2 Ｏ3のようなＬｎ2 Ｏ3 （ただし、Ｌｎは
ランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも
１種の物質であることを特徴とするコンデンサを具える
構成部品の製造方法。 - 【請求項１４】− 少なくとも１個のＡｌ2 Ｏ3 基板層
（１）を使用できるようにする工程、 − 前記基板層（１）に少なくとも１個のレベリング層
（２）を被着させる工程、 − 前記レベリング層（２）に少なくとも１個の第１電
極層（３）を被着させる工程、 − 前記第１電極層（３）を、少なくとも１個の第１電
極（３）を形成するように構成する工程、 − 前記第１電極（３）の上に少なくとも１個の誘電層
（４）を設ける工程、 − 前記誘電層（４）の上に少なくとも１個の第２電極
層（５）を設ける工程、および − 前記第２電極層（５）を、少なくとも１個の第２電
極（５）を形成するように構成する工程を有する、コン
デンサを具える構成部品を製造する方法において、 前記レベリング層（２）の材料として、ＴｉＯ2 ，Ｚｒ
Ｏ2 ，ＨｆＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 ，ＣａＺ
ｒＯ3 ，ＢａＴｉＯ3 ，ＢａＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ 3 （ただ
し、ｘ＝０〜１），ＰｂＺｒx Ｔｉ1-x Ｏ3 （ただし、
ｘ＝０〜１），Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，Ｂｅ
Ｏ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ，ＺｒＴｉＯ4 ，Ｂａ
Ｆ2 ，ＭｇＦ2 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 お
よびＰｒ 2 Ｏ3 のようなＬｎ2 Ｏ3 （ただし、Ｌｎはラ
ンタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも１
種の物質が添加されてるかあるいは添加されていない非
結晶性ガラスを使用することを特徴とするコンデンサを
具える構成部品の製造方法。
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