JPH1083934A5 - - Google Patents

Description

【書類名】明細書
【発明の名称】キャパシタを具える構成部品
【特許請求の範囲】
【請求項１】
− 少なくとも１層のガラス基板層と、
− 少なくとも１層の抗反応層と、
− 少なくとも２層の電極層と、および
− 少なくとも１層の誘電体層と
を有するキャパシタを具える構成部品において、
前記抗反応層に用いる材料が、ＴｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ ，ＨｆＯ₂ ，ＳｒＴｉＯ₃ ，ＣａＴｉＯ₃ ，ＢａＴｉＯ₃ ，ＢａＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），ＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），Ｔａ₂ Ｏ₅ ，Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＭｇＡｌ₂ Ｏ₄ ，ＺｒＴｉＯ₄ ，ＢａＦ₂ ，ＴｉＢ₂ ，ＭｇＦ₂ ，Ｙ₂ Ｏ₃ ，Ｓｃ₂ Ｏ₃ ，Ｌａ₂ Ｏ₃ およびＰｒ₂ Ｏ₃のようなＬｎ₂ Ｏ₃ （ただし、Ｌｎはランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも１種の物質であることを特徴とするキャパシタを具える構成部品。
【請求項２】
前記電極層に用いる材料が、Ｔｉ／Ｐｔ，Ｔａ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｐｄ／Ｐｔ，Ｉｒ，ＩｒＯ_x ，ＩｒＯ₂ ／Ｉｒ，ＺｒＯ₂ ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｃｕ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／ＮｉＡｌ，Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｓｉ），Ｔｉ／（Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｐｔ_x Ａｌ_1-x ／Ｐｔ，Ｐｔ／ＩｒＯ₂ ，ＴｉＯ₂ ／Ｐｔ，導電性酸化物、少なくとも１種の導電性酸化物と貴金属とのハイブリッド、および少なくとも１種の貴金属と卑金属とのハイブリッドからなる群から選択した少なくとも１種の物質であることを特徴とする請求項１記載のキャパシタを具える構成部品。
【請求項３】
前記誘電体層として、厚さ１０nm〜２μｍの強誘電材料層を使用することを特徴とする請求項１または２記載のキャパシタを具える構成部品。
【請求項４】
− 少なくとも１層のＡｌ₂ Ｏ₃ 基板層と、
− 少なくとも１層のレベリング層と、
− 少なくとも２層の電極層と、および
− 少なくとも１層の誘電体層と
を有するキャパシタを具える構成部品において、
前記レベリング層の材料として、ＴｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ ，ＨｆＯ₂ ，ＳｒＴｉＯ₃ ，ＣａＴｉＯ₃ ，ＣａＺｒＯ₃ ，ＢａＴｉＯ₃ ，ＢａＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），ＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），Ｔａ₂ Ｏ₅ ，Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＭｇＡｌ₂ Ｏ₄ ，ＺｒＴｉＯ₄ ，ＢａＦ₂ ，ＭｇＦ₂ ，Ｙ₂ Ｏ₃ ，Ｓｃ₂ Ｏ₃ ，Ｌａ₂ Ｏ₃ およびＰｒ₂ Ｏ₃ のようなＬｎ₂ Ｏ₃ （ただし、Ｌｎはランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも１種の物質が添加されているかあるいは添加されていない非結晶性ガラスが使用されていることを特徴とするキャパシタを具える構成部品。
【請求項５】
前記電極層に用いる材料が、Ｔｉ／Ｐｔ，Ｔａ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｐｄ／Ｐｔ，Ｉｒ，ＩｒＯ_x ，ＩｒＯ₂ ／Ｉｒ，ＺｒＯ₂ ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｃｕ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／ＮｉＡｌ，Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｓｉ），Ｔｉ／（Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｐｔ_x Ａｌ_1-x ／Ｐｔ，Ｐｔ／ＩｒＯ₂ ，ＴｉＯ₂ ／Ｐｔ、導電性酸化物、少なくとも１種の導電性酸化物と貴金属とのハイブリッド、および少なくとも１種の貴金属と卑金属とのハイブリッドからなる群から選択した少なくとも１種の物質であることを特徴とする請求項４記載のキャパシタを具える構成部品。
【請求項６】
前記誘電層として、厚さ１０nm〜２μｍの強誘電材料層が使用されていることを特徴とする請求項４または５記載のキャパシタを具える構成部品。
【請求項７】
前記電極層に用いる材料が、Ａｇ_x Ｐｔ_1-x （ただし、ｘ＝０〜１），Ａｇ_x Ｐｄ_1-x （ただし、ｘ＝０〜１），Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉおよびこれらの金属の粉末に少量の接着性ガラスが添加されているものからなる群から選択したペースト形態の少なくとも１種の金属粉末であることを特徴とする請求項４記載のキャパシタを具える構成部品。
【請求項８】
前記誘電体層として、厚さ１０nm〜２μｍの強誘電材料層が使用されていることを特徴とする請求項４または７記載のキャパシタを具える構成部品。
【請求項９】
少なくとも１層の有機または無機の保護層が設けられていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つの項に記載のキャパシタを具える構成部品。
【請求項１０】
少なくとも２個の端部接点が設けられていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つの項に記載のキャパシタを具える構成部品。
【請求項１１】
− 少なくとも１層のガラス基板層と、
− 少なくとも１層の抗反応層と、
− 少なくとも２層の電極層と、および
− 少なくとも１層の誘電体層と
を有するキャパシタにおいて、
前記抗反応層に用いる材料が、ＴｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ ，ＨｆＯ₂ ，ＳｒＴｉＯ₃ ，ＣａＴｉＯ₃ ，ＢａＴｉＯ₃ ，ＢａＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），ＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），Ｔａ₂ Ｏ₅ ，Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＭｇＡｌ₂ Ｏ₄ ，ＺｒＴｉＯ₄ ，ＢａＦ₂ ，ＴｉＢ₂ ，ＭｇＦ₂ ，Ｙ₂ Ｏ₃ ，Ｓｃ₂ Ｏ₃ ，Ｌａ₂ Ｏ₃ およびＰｒ₂ Ｏ₃のようなＬｎ₂ Ｏ₃ （ただし、Ｌｎはランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも１種の物質であることを特徴とするキャパシタ。
【請求項１２】
− 少なくとも１層のＡｌ₂ Ｏ₃ 基板層と、
− 少なくとも１層のレベリング層と、
− 少なくとも２層の電極層と、および
− 少なくとも１層の誘電体層と
を有するキャパシタにおいて、
前記レベリング層の材料として、ＴｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ ，ＨｆＯ₂ ，ＳｒＴｉＯ₃ ，ＣａＴｉＯ₃ ，ＣａＺｒＯ₃ ，ＢａＴｉＯ₃ ，ＢａＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），ＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），Ｔａ₂ Ｏ₅ ，Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＭｇＡｌ₂ Ｏ₄ ，ＺｒＴｉＯ₄ ，ＢａＦ₂ ，ＭｇＦ₂ ，Ｙ₂ Ｏ₃ ，Ｓｃ₂ Ｏ₃ ，Ｌａ₂ Ｏ₃ およびＰｒ₂ Ｏ₃ のようなＬｎ₂ Ｏ₃ （ただし、Ｌｎはランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも１種の物質が添加されているかあるいは添加されていない非結晶性ガラスが使用されていることを特徴とするキャパシタ。
【請求項１３】
− 少なくとも１層のガラス基板層を使用できるようにする工程と、
− 前記基板層に少なくとも１層の抗反応層を被着させる工程と、
− 前記抗反応層に少なくとも１層の第１電極層を被着させる工程と、
− 前記第１電極層を、少なくとも１個の第１電極を形成するように構成する工程と、
− 前記第１電極の上に少なくとも１層の誘電体層を設ける工程と、
− 前記誘電体層の上に少なくとも１層の第２電極層を設ける工程と、および
− 前記第２電極層を、少なくとも１個の第２電極を形成するように構成する工程と
を有する、キャパシタを具える構成部品の製造方法において、
前記抗反応層に用いる材料が、ＴｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ ，ＨｆＯ₂ ，ＳｒＴｉＯ₃ ，ＣａＴｉＯ₃ ，ＢａＴｉＯ₃ ，ＢａＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），ＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），Ｔａ₂ Ｏ₅ ，Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＭｇＡｌ₂ Ｏ₄ ，ＺｒＴｉＯ₄ ，ＢａＦ₂ ，ＴｉＢ₂ ，ＭｇＦ₂ ，Ｙ₂ Ｏ₃ ，Ｓｃ₂ Ｏ₃ ，Ｌａ₂ Ｏ₃ およびＰｒ₂ Ｏ₃のようなＬｎ₂ Ｏ₃ （ただし、Ｌｎはランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも１種の物質であることを特徴とするキャパシタを具える構成部品の製造方法。
【請求項１４】
− 少なくとも１層のＡｌ₂ Ｏ₃ 基板層を使用できるようにする工程と、
− 前記基板層に少なくとも１層のレベリング層を被着させる工程と、
− 前記レベリング層に少なくとも１層の第１電極層を被着させる工程と、
− 前記第１電極層を、少なくとも１個の第１電極を形成するように構成する工程と、
− 前記第１電極の上に少なくとも１層の誘電体層を設ける工程と、
− 前記誘電体層の上に少なくとも１層の第２電極層を設ける工程と、および
− 前記第２電極層を、少なくとも１個の第２電極を形成するように構成する工程と
を有する、キャパシタを具える構成部品を製造する方法において、
前記レベリング層の材料として、ＴｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ ，ＨｆＯ₂ ，ＳｒＴｉＯ₃ ，ＣａＴｉＯ₃ ，ＣａＺｒＯ₃ ，ＢａＴｉＯ₃ ，ＢａＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），ＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），Ｔａ₂ Ｏ₅ ，Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＭｇＡｌ₂ Ｏ₄ ，ＺｒＴｉＯ₄ ，ＢａＦ₂ ，ＭｇＦ₂ ，Ｙ₂ Ｏ₃ ，Ｓｃ₂ Ｏ₃ ，Ｌａ₂ Ｏ₃ およびＰｒ₂ Ｏ₃ のようなＬｎ₂ Ｏ₃ （ただし、Ｌｎはランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも１種の物質が添加されているかあるいは添加されていない非結晶性ガラスを使用することを特徴とするキャパシタを具える構成部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも１層のガラスまたはＡｌ₂ Ｏ₃ の基板層と、少なくとも１層の抗反応層またはレベリング層と、少なくとも２層の電極層と、少なくとも１層の誘電体層とを有するキャパシタを具える構成部品、特に集積または分離構造体素子、ならびにこのようなキャパシタに関するものである。また、本発明は、ガラス基板および抗反応層を有するか、あるいはＡｌ₂ Ｏ₃基板およびレベリング層を有する、キャパシタを具える上述の構成部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
セラミック多層コンデンサは粉末技術によって製造するのが普通である。このために、水溶液からの沈殿生成のような湿式化学的方法又は混合酸化物方法によって粉末を製造する。所望の組成を有する粉末に結合剤を添加し、処理して例えば箔を形成する。形成した箔は電極ペーストにより印刷し、次いでこれらの箔を積み重ねる。結合剤を低温でバーンアウトし、材料系および材料組成に応じた約１２５０℃〜１３００℃の範囲の温度でキャパシタを焼結して緻密な製品にする。従来方法によって製造したセラミックキャパシタは、厚さ約１０〜１５μｍの誘電体層を有する。粉末技術の進歩によって、厚さ約３〜５μｍの誘電体層を有するキャパシタを製造することができるようになった。
【０００３】
使用される箔およびスクリーン印刷技術のため、また箔の積み重ねが７０〜１００層に及ぶことがあるため、それぞれ１×０．５mm² および０．５×０．２５mm² に相当するキャパシタ寸法０４０２および０２０１に対して、外部寸法を小型にするために技術的に極めて多くの費用が必要となる。従来方法によって製造したキャパシタは、代表的には、約１５０〜２５０μｍの漏洩路を示す。従って０４０２または０２０１の側方寸法を有するキャパシタは、狭い活性キャパシタ表面しか有していない。
【０００４】
ドイツ国特許公開第３４１４８０８号明細書「比較的安価で品質の良い薄膜コンデンサを製造する方法およびこの方法によって製造したコンデンサ（Verfahren zur Herstellung eines Preiswerten Dunnfilmkondensators und danach hergestellter Kondensators） 」には、基板、好ましくはガラス板に、約３％のリンを含有するリン富化二酸化ケイ素基材層を設けることが開示されている。前記リン富化二酸化ケイ素層には、電極を規定するために構造化される、導電材料、好ましくはアルミニウムまたはニッケルの層を設ける。次いで、このような処理を行なった基板を、誘電率Ｋ＝３．９７、厚さ１．１５５μｍの二酸化ケイ素層で被覆する。このためドイツ国特許公開第３４１４８０８号明細書に記載されているのは、表面キャパシタンスの極めて小さい薄膜キャパシタについてである。基板にはガラスを使用し、電極材料にはアルミニウムを使用している。これらの条件下では、誘電体層として上述のＳｉＯ₂ 層のような簡単な酸化物層を使用することができる。これらの層は極めて小さい誘電率Ｋを有し、従って極めて小さい表面キャパシタンスを生じる。これらの誘電層を使用した場合には、１００〜５００ｐＦを有するキャパシタを製造することができるにすぎない。大きいキャパシタンスを得るには、Ｋ＞５０の誘電体材料を薄い層として基板の上に堆積させる必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、高い表面キャパシタンス、薄い厚さおよび小さい公差を有する、費用効率が良く表面実装が可能なキャパシタを製造することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、ガラス基板を有するコンデンサを具える構成部品が、抗反応層に用いる材料として、ＴｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ ，ＨｆＯ₂ ，ＳｒＴｉＯ₃ ，ＣａＴｉＯ₃ ，ＢａＴｉＯ₃ ，ＢａＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），ＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），Ｔａ₂ Ｏ₅ ，Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＭｇＡｌ₂ Ｏ₄ ，ＺｒＴｉＯ₄ ，ＢａＦ₂ ，ＴｉＢ₂ ，ＭｇＦ₂ ，Ｙ₂ Ｏ₃ ，Ｓｃ₂ Ｏ₃ ，Ｌａ₂ Ｏ₃ およびＰｒ₂ Ｏ₃ のようなＬｎ₂ Ｏ₃ （ただし、Ｌｎはランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも１種の物質を有することを特徴とすることにより、上述の目的を達成する。特に、費用を低減するために、ガラス基板を石英ガラス（ＳｉＯ₂ ）の代りにケイ酸塩ガラスから作ることができる。小さい寸法で大きいキャパシタンスを得るには、誘電率Ｋ＞１０の誘電体材料を採用し、この誘電体材料から薄膜処理によって充分に大きいキャパシタンスを有する薄肉誘電体層を製造する必要がある。
【０００７】
誘電体材料とガラス基板との反応を防止する抗反応層を設けると、これらの誘電体材料を費用効率の良いガラス基板上に使用できるようになる。さらに、前記抗反応層は、ガラス基板と誘電体層との熱膨脹係数の差に起因する亀裂の生成をも防止する。ガラス基板に上述の物質の１種または数種の組み合わせからなる抗反応層を設けると、充分に大きいキャパシタンスを達成することができる誘電体層を前記抗反応層に設けることができる。抗反応層を堆積する好適な方法には、Ｔｉ／Ｐｔ層のような複合層を設け、次いで反応性イオンエッチングによってＰｔを構造化し、その後酸素雰囲気中でＴｉを酸化してＴｉＯ₂ を形成する処理も含まれる。
【０００８】
本発明の好適例においては、電極層に用いる材料は、Ｔｉ／Ｐｔ，Ｔａ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｐｄ／Ｐｔ，Ｉｒ，ＩｒＯ_x ，ＩｒＯ₂ ／Ｉｒ，ＺｒＯ₂ ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｃｕ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／ＮｉＡｌ，Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｓｉ），Ｔｉ／（Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｐｔ_x Ａｌ_1-x ／Ｐｔ，Ｐｔ／ＩｒＯ₂ ，ＴｉＯ₂ ／Ｐｔ、導電性酸化物、少なくとも１種の導電性酸化物と貴金属とのハイブリッド（混成体）、および少なくとも１種の貴金属と卑金属とのハイブリッドからなる群から選択した少なくとも１種の物質である。電極材料には貴金属層または卑金属層を使用し、例えば、リソグラフィー法と湿式エッチング工程または乾式エッチング工程とを組み合わせることにより、これらの層を、電極を形成するように構造化する。導電性酸化物には、例えば、ＲｕＯ_x ，ＳｒＲｕＯ₃ 、または他の化合物を使用することができる。導電性酸化物と貴金属とのハイブリッド組み合わせには、例えば、ＲｕＯ_x ／Ｐｔのような組み合わせを使用することができる。特に、貴金属と卑金属とのハイブリッド電極としては、Ｔｉ／Ｃｕ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｎｉ／ＰｔおよびＴｉ／（Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｆｅ）／Ｐｔならびに同様な化合物の組み合わせを好適に使用することができる。
【０００９】
本発明の構成部品の他の有利な例においては、誘電体層として厚さ１０nm〜２μｍの強誘電材料層を使用する。抗反応層により、損率の小さい薄肉の強誘電性誘電体層を費用効率の良く基板に被着させることができるので、薄膜技術によって大容量のキャパシタンスを有するキャパシタを製造することができる。このキャパシタは表面実装可能（ＳＭＤ）であり、極めて正確に製造することができる。厚さ１０nm〜２μｍの薄層には、下記の誘電体材料を使用するのが好ましい：
【００１０】
ＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１）で、過剰量の鉛を含有するもの、あるいは含有しないもの
被ドープＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ 、例えば、Ｎｂをドープしたもの
Ｐｂ_1-αyＬａ_yＺｒ_xＴｉ_1-xＯ₃（ただし、ｘ＝０〜１、ｙ＝0〜0.20、α＝1.3〜1.5）で、過剰量の鉛を含有するもの、あるいは含有しないもの
Ｐｂ_1-αyＬａ_yＴｉＯ₃（ただし、ｙ＝0〜0.28、α＝1.3〜1.5）で、過剰量の鉛を含有するもの、あるいは含有しないもの
（Ｐｂ，Ｃａ）ＴｉＯ₃
ＢａＴｉＯ₃ で、ドーパントを含有するもの、あるいは含有しないもの
ＣｅをドープしたＢａＴｉＯ₃
Ｎｂおよび／またはＣｏをドープしたＢａＴｉＯ₃
ＢａＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１）
Ｂａ_1-x Ｓｒ_x ＴｉＯ₃ （ただし、ｘ＝０〜１）
被ドープＳｒＴｉＯ₃ 、例えば、Ｌａ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｍｎをドープしたもの
ＳｒＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１）で、Ｍｎドーパントを含有するもの、あるいは含有しないもの
【００１１】
ＣａＯ_x ＺｎＯ_y ( Ｎｂ₂ Ｏ₅)_z （ただし、ｘ＝0.01〜0.05；ｙ＝0.43〜0.55；ｚ＝0.44〜0.52）
（ＢａＴｉＯ₃）_0.18-0.27 ＋（Ｎｄ₂ Ｏ₃）_0.316-0.355 ＋（ＴｉＯ₂）_0.276-0.355 ＋（Ｂｉ₂ Ｏ₃）_0.025-0.081 ＋ＺｎＯ
Ｎｂ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，ＮｉをドープしたＭｇＯ−ＴｉＯ₂ −ＣａＯ−Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＳｉＯ₂
Ａｌ₂ Ｏ₃
Ｂａ₂ Ｔｉ₉ Ｏ₂₀
Ｎｂ₂ Ｏ₅
ＴｉＯ₂
ＣａＴｉＯ₃
ＣａＴｉＯ₃ ＋ＣａＴｉＳｉＯ₅
（Ｓｒ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｍ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃ ，Ｍ＝ＭｇまたはＺｎ
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎ）（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｉ）Ｏ₃
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｐｂ）ＴｉＯ₃ ＋Ｂｉ₂ Ｏ₃
【００１２】
ＢａＯ−ＳｒＯ−ＣａＯ−Ｎｄ₂ Ｏ₃ −Ｇｄ₂ Ｏ₃ −Ｎｂ₂ Ｏ₅-ＴｉＯ₂
ＳｉＯ₂ ，ＭｎＯ₂ ，ＰｂＯが添加されている（Ｂｉ₂ Ｏ₃）_x （Ｎｂ₂ Ｏ₅）_1-x
Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，ＣｏＯ，ＭｎＯ₂ ，ＣｅＯ₂ ，ＺｎＯをドープしたＢａＴｉＯ₃
ＭｎＯ，ＭｇＯおよび希土類酸化物が添加されている（ＢａＴｉＯ₃ ＋ＣａＺｒＯ₃ ）
（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ₃ ＋Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，Ｃｏ₂ Ｏ₃ ，ＭｎＯ₂
Ｚｒ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ₄
ＢａＯ−ＰｂＯ−Ｎｄ₂ Ｏ₃ −Ｐｒ₂ Ｏ₃ −Ｂｉ₂ Ｏ₃ −ＴｉＯ₂
Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ₃
Ｔａ₂ Ｏ₅
ＣａＺｒＯ₃
（Ｂａ，Ｎｄ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃ ＋Ｃｅドーパント
（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃ ＋Ｌｉ₂ Ｏ，ＳｉＯ₂，Ｂ₂ Ｏ₃
【００１３】
ＰｂＯ−Ｎｂ₂ Ｏ₃ −ＺｒＯ₂ −ＳｎＯ₂ −ＴｉＯ₂
〔Ｐｂ（Ｍｇ_1/3 Ｎｂ_2/3 ）Ｏ₃ 〕_x −〔ＰｂＴｉＯ₃ 〕_1-x （ただし、ｘ＝０〜１）で、過剰量の鉛を含有するもの、および含有しないもの、ドーパントを含有するもの、および含有しないもの
（Ｐｂ，Ｂａ，Ｓｒ）（Ｍｇ_1/3 Ｎｂ_2/3）_x Ｔｉ_y （Ｚｎ_1/3 Ｎｂ_2/3）_1-x-y Ｏ₃
i)Ｐｂ（Ｍｇ_1/2 Ｗ_1/2）Ｏ₃
ii) Ｐｂ（Ｆｅ_1/2 Ｎｂ_1/2）Ｏ₃
iii)Ｐｂ（Ｆｅ_2/3 Ｗ_1/3）Ｏ₃
iv) Ｐｂ（Ｎｉ_1/3 Ｎｂ_2/3）Ｏ₃
v)Ｐｂ（Ｚｎ_1/3 Ｎｂ_2/3）Ｏ₃
化合物ｉ）〜ｖ）とＰｂＴｉＯ₃ およびＰｂ（Ｍｇ_1/3 Ｎｂ_2/3）Ｏ₃ との組み合わせ
Ｐｂ（Ｓｃ_1/2 Ｔａ_1/2）Ｏ₃
【００１４】
あるいは、前記化合物の個々の層を複数構成した層構造、例えば、チタン含有量の大きいＰＺＴ層の上にＰＬＺＴ層が設けられている層構造を使用することができ、これにより特に層の電気特性が改善される。
【００１５】
また、本発明においては、少なくともＡｌ₂ Ｏ₃ の基板層を有するキャパシタを具える構成部品において、レベリング層の材料として、非結晶性ガラスであって、ＴｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ ，ＨｆＯ₂ ，ＳｒＴｉＯ₃ ，ＣａＴｉＯ₃ ，ＣａＺｒＯ₃ ，ＢａＴｉＯ₃ ，ＢａＺｒ_x Ｔｉ_1-xＯ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），ＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１），Ｔａ₂ Ｏ₅ ，Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＭｇＡｌ₂ Ｏ₄ ，ＺｒＴｉＯ₄ ，ＢａＦ₂ ，ＭｇＦ₂ ，Ｙ₂ Ｏ₃ ，Ｓｃ₂ Ｏ₃ ，Ｌａ₂ Ｏ₃ およびＰｒ₂ Ｏ₃ のようなＬｎ₂ Ｏ₃ （ただし、Ｌｎはランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも１種の物質が添加されているかあるいは添加されていない非結晶性ガラスを含んでいることを特徴とすることによっても、本発明の目的を達成する。ガラス基板および抗反応層を有する本発明のキャパシタと同様に、この場合にも、誘電率Ｋ＞１０の誘電体材料を使用して小さい寸法で大きいキャパシタンスが得られる。これらの材料を費用効率の良いＡｌ₂ Ｏ₃ 基板の上に使用するには、レベリング層を設ける必要があり、これは、誘電体層とＡｌ₂Ｏ₃ との反応を防ぐ必要があるほか大きな表面粗さに起因するキャパシタの短絡を防止する必要があるからである。さらに、熱膨脹係数の差に起因する誘電体層における亀裂の発生が回避される。
【００１６】
Ａｌ₂ Ｏ₃ 基板に上述の物質の１種または数種の組み合わせからなるレベリング層を設ける場合には、充分に大きいキャパシタンスを達成することができる誘電体層を前記レベリング層に設けることができる。表面粗さの著しく大きい基板、例えば、厚膜状Ａｌ₂ Ｏ₃ 基板の場合には、設けるレベリング層の厚さは数ミクロンとする。このレベリング層は、例えば、鉛ケイ酸塩ガラス層とすることができ、あるいは温度安定性を増大するためにＴｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ またはＰｂＴｉＯ₃ あるいは上述の添加物質のいずれかを富化したガラス層とすることができる。厚さ数ミクロンの層を堆積させる方法として、例えば、スクリーン印刷法のような厚膜法を使用することができる。
【００１７】
Ａｌ₂ Ｏ₃ 基板を有する本発明のキャパシタの好適例においては、電極層の材料は、Ｔｉ／Ｐｔ，Ｔａ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｐｄ／Ｐｔ，Ｉｒ，ＩｒＯ_x ，ＩｒＯ₂／Ｉｒ，ＺｒＯ₂ ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｃｕ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／ＮｉＡｌ，Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ），Ｔｉ／（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｓｉ），Ｔｉ／（Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ），Ｐｔ_x Ａｌ_1-x ／Ｐｔ，Ｐｔ／ＩｒＯ₂ ，ＴｉＯ₂ ／Ｐｔ，導電性酸化物、少なくとも１種の導電性酸化物と貴金属とのハイブリッド、および少なくとも１種の貴金属と卑金属とのハイブリッドからなる群から選択した少なくとも１種の物質である。導電性酸化物には、例えば、化合物ＲｕＯ_x ，ＳｒＲｕＯ₃ または他の化合物を使用することができる。導電性酸化物と貴金属とのハイブリッド組み合わせには、例えば、ＲｕＯ_x ／Ｐｔのような組み合わせを使用することができる。特に、貴金属と卑金属とのハイブリッド電極としては、組み合わせＴｉ／Ｃｕ／Ｐｔ，Ｔｉ／Ｎｉ／ＰｔおよびＴｉ／（Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｆｅ）／Ｐｔならびに類似の化合物を使用することができる。
【００１８】
本発明の他の有利な例においては、誘電体層を厚さ１０nm〜２μｍの強誘電性材料からなる１層とする。この場合にも、レベリング層を使用して、損率の小さい薄肉の強誘電性誘電体層を費用効率の良い基板に被着させることができ、この誘電体層により、薄膜技術によって容量の大きいキャパシタンスを有するキャパシタの製造を可能にし、このキャパシタは表面実装可能（ＳＭＤ）であり、高い精度で製造することができる。誘電体材料には、上述の物質を使用するのが好ましく、上述の物質をガラス基板に１０nm〜２μｍの層厚で被着させる。
【００１９】
しかし、厚膜技術によって製造される本発明のキャパシタの他の例においては、電極層の材料は、Ａｇ_x Ｐｔ_1-x （ただし、ｘ＝０〜１），Ａｇ_x Ｐｄ_1-x （ただし、ｘ＝０〜１），Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉであって、これらそれぞれの金属の粉末に少量の接着性ガラスが添加されているものからなる群から選択したペースト形態の少なくとも１種の金属粉末である。
【００２０】
Ａｌ₂ Ｏ₃ 基板についての薄膜の例のほか、厚さ２μｍ〜２０μｍの強誘電材料層を誘電体層として使用するのも有利である。約２μｍ〜２０μｍの層厚とするには、誘電体材料として、粉末状の下記の成分を含有するペーストを使用するのが好ましい。
【００２１】
ＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１）で、過剰量の鉛（例えば、ＰｂＷＯ₃ ）を含有するもの、あるいは含有しないもの
被ドープＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ ，液相
Ｐｂ_1-αyＬａ_yＺｒ_xＴｉ_1-xＯ₃（ただし、ｘ＝０〜１、ｙ＝0〜0.20、α＝1.3〜1.5）
Ｐｂ_1-αyＬａ_yＴｉＯ_3（ただし、ｙ＝0〜0.28、α＝1.3〜1.5）
（Ｐｂ，Ｃａ）ＴｉＯ₃
ＢａＴｉＯ₃
ＣｅをドープしたＢａＴｉＯ₃
ＢａＴｉＯ₃ で、Ｎｂおよび／またはＣｏドーパントを含有するもの、あるいは含有しないもの
ＢａＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１）
Ｂａ_1-x Ｓｒ_x ＴｉＯ₃ （ただし、ｘ＝０〜１）
被ドープＳｒＴｉＯ₃ 、例えば、Ｌａ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｍｎをドープしたもの
ＳｒＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１）で、Ｍｎドーパントを含有するもの、あるいは含有しないもの
【００２２】
ＣａＯ_x ＺｎＯ_y （Ｎｂ₂ Ｏ₅）_z （ただし、ｘ＝0.01〜0.05；ｙ＝0.43〜0.55；ｚ＝0.44〜0.52）
（ＢａＴｉＯ₃）_0.18-0.27 ＋（Ｎｄ₂ Ｏ₃）_0.316-0.355 ＋（ＴｉＯ₂）_0.276-0.355 ＋（Ｂｉ₂ Ｏ₃ ）_0.025-0.081＋ＺｎＯ
ＣａＴｉＯ₃ ＋ＣａＴｉＳｉＯ₅
（Ｓｒ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｍ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃ で，Ｍ＝ＭｇまたはＺｎ
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎ）（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｉ）Ｏ₃
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｐｂ）ＴｉＯ₃ ＋Ｂｉ₂ Ｏ₃
【００２３】
ＢａＯ−ＳｒＯ−ＣａＯ−Ｎｄ₂ Ｏ₃ −Ｇｄ₂ Ｏ₃ −Ｎｂ₂ Ｏ₅ −ＴｉＯ₂
ＳｉＯ₂ ，ＭｎＯ₂ ，ＰｂＯが添加されている（Ｂｉ₂ Ｏ₃ ） _x （Ｎｂ₂ Ｏ₅）_1-x
Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，ＣｏＯ，ＭｎＯ₂ ，ＣｅＯ₂ ，ＺｎＯをドープしたＢａＴｉＯ₃
ＭｎＯ，ＭｇＯおよび希土類酸化物が添加されているＢａＴｉＯ₃ ＋ＣａＺｒＯ₃
（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ₃ ＋Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，Ｃｏ₂ Ｏ₃ ，ＭｎＯ₂
Ｎｂ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，ＮｉをドープしたＭｇＯ−ＴｉＯ₂ −ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃ −ＳｉＯ₂
Ｂａ₂ Ｔｉ₉ Ｏ₂₀
Ｚｒ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ₄
ＢａＯ−ＰｂＯ−Ｎｄ₂ Ｏ₃ −Ｐｒ₂ Ｏ₃ −Ｂｉ₂ Ｏ₃ −ＴｉＯ₂
Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ₃
（Ｂａ，Ｎｄ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃ ＋Ｃｅドーパント
ＣａＺｒＯ₃
（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ₃ ＋Ｌｉ₂ Ｏ，ＳｉＯ₂ ，Ｂ₂ Ｏ₃
【００２４】
ＰｂＯ−Ｎｂ₂ Ｏ₃ −ＺｒＯ₂ −ＳｎＯ₂ −ＴｉＯ₂
［Ｐｂ（Ｍｇ_1/3 Ｎｂ_2/3 Ｏ₃ ）］_x −［ＰｂＴｉＯ₃ ］_1-x ＋液相、（ただし、ｘ＝０〜１）
（Ｐｂ，Ｂａ，Ｓｒ）（Ｍｇ_1/3 Ｎｂ_2/3 ）_x Ｔｉ_y （Ｚｎ_1/3 Ｎｂ_2/3 ）_1-x-y Ｏ₃
ｉ）Ｐｂ（Ｍｇ_1/2 Ｗ_1/2 ）Ｏ₃
ii) Ｐｂ（Ｆｅ_1/2 Ｎｂ_1/2 ）Ｏ₃
iii) Ｐｂ（Ｆｅ_2/3 Ｗ_1/3 ）Ｏ₃
iv) Ｐｂ（Ｎｉ_1/3 Ｎｂ_2/3 ）Ｏ₃
ｖ）Ｐｂ（Ｚｎ_1/3 Ｎｂ_2/3 ）Ｏ₃
化合物ｉ）〜ｖ）とＰｂＴｉＯ₃ およびＰｂ（Ｍｇ_1/3 Ｎｂ_2/3 ）Ｏ₃＋液相との組み合わせ
Ｐｂ（Ｓｃ_1/2 Ｔａ_1/2 ）Ｏ₃
液相としてＰｂＷＯ₃ を含有する［Ｐｂ（Ｍｇ_1/3 Ｎｂ_2/3 ）Ｏ₃ ］_x −［ＰｂＴｉＯ₃］_1-x （ただし、ｘ＝０〜１）
【００２５】
さらに、特に適当なペーストは、粉末状の上述の成分を含有し、かつ処理温度を低下するためにゲル状のガラスまたは無機結合剤を混合したものである。
【００２６】
本発明の構成部品の実施形態においては、少なくとも１種の有機または無機保護層を設けるのが有利である。例えば、機械的応力に対する保護を提供する特に適当な保護層は、重合体の保護層または無機物質の保護層またはこれらの組み合わせ、例えば、ＳｉＯ₂ ＋ポリイミドである。あるいは、キャパシタを具える構成部品を、無機または重合体保護層に他の基板、例えば、ガラス基板を接着するように構成することができる。
【００２７】
さらに、少なくとも２個の端部接点を設けるのが好ましい。端部接点の位置で、本発明の構成部品を外部の構成部品に電気的に結合することができる。用途に応じて、構成の異なる端部接点を使用するのが有利であることがある。従って、５個の面が接触する通常の端部接点のほかに、特定の用途または特定の構成部品実装方法にいっそう適した他の例も使用することができる。例えば、次の端部接点を使用することができる：
ａ）５個より少ない接触面を有するＳＭＤ端部接点、
ｂ）Ｕ字形接点を形成する３個の面からなる端部接点、
ｃ）Ｌ字形接点を形成する２個の面から成る端部接点、
ｄ）５個以下の接触面を有し、上側および下側の両電極層が上記から接触しているＳＭＤ端部接点。
【００２８】
さらに、本発明においては、
− 少なくとも１層のガラス基板層を使用できるようにする工程と、
− 前記基板層に少なくとも１層の抗反応層を被着させる工程と、
− 前記抗反応層に少なくとも１層の第１電極層を被着させる工程と、
−前記第１電極層を、少なくとも１個の第１電極を形成するように構成する工程と、
− 前記第１電極の上に少なくとも１層の誘電体層を設ける工程と、
− 前記誘電体層の上に少なくとも１層の第２電極層を設ける工程と、および
− 前記第２電極層を、少なくとも１個の第２電極を形成するように構成する工程と
を有する、キャパシタを具える構成部品を製造する方法において、前記抗反応層に用いる材料が、ＴｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ ，ＨｆＯ₂ ，ＳｒＴｉＯ₃ ，ＣａＴｉＯ₃，ＢａＴｉＯ₃ ，ＢａＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１）、ＰｂＺｒ_xＴｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１）、Ｔａ₂ Ｏ₅ ，Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＭｇＡｌ₂ Ｏ₄ ，ＺｒＴｉＯ₄ ，ＢａＦ₂ ，ＴｉＢ₂ ，ＭｇＦ₂ ，Ｙ₂ Ｏ₃ ，Ｓｃ₂ Ｏ₃ ，Ｌａ₂ Ｏ₃ およびＰｒ₂ Ｏ₃ のようなＬｎ₂ Ｏ₃ （ただし、Ｌｎはランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも１種の物質であることを特徴とすることによって、本発明の目的を達成する。
【００２９】
誘電体層を製造するには、特に次の堆積方法を使用するのが適当である：スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、レーザーアブレーション法、化学的気相堆積法または湿式化学的方法、例えば、ゾル−ゲル法。抗反応層を製造するには、次の堆積方法を使用するのが有利である：湿式化学的方法、例えば、遠心法、浸漬被覆法、吹付け法あるいはスパッタリング法、化学的気相堆積法またはレーザーアブレーション法。
【００３０】
本発明においては、
− 少なくとも１層のＡｌ₂ Ｏ₃ 基板層を使用できるようにする工程と、
− 前記基板層に少なくとも１層のレベリング層を被着させる工程、
− 前記レベリング層に少なくとも１層の第１電極層を被着させる工程と、
− 前記第１電極層を、少なくとも１個の第１電極を形成するように構成する工程と、
− 前記第１電極の上に少なくとも１層の誘電体層を設ける工程と、
− 前記誘電体層の上に少なくとも１個の第２電極層を設ける工程と、
− 前記第２電極層を、少なくとも１個の第２電極を形成するように構成する工程と
を有する、キャパシタを具える構成部品を製造する方法において、前記レベリング層の材料として、ＴｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ ，ＨｆＯ₂ ，ＳｒＴｉＯ₃ ，ＣａＴｉＯ₃，ＢａＴｉＯ₃ ，ＢａＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１）、ＰｂＺｒ_xＴｉ_1-x Ｏ₃ （ただし、ｘ＝０〜１）、Ｔａ₂ Ｏ₅ ，Ｎｂ₂ Ｏ₅ ，ＭｇＯ，ＢｅＯ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＭｇＡｌ₂ Ｏ₄ ，ＺｒＴｉＯ₄ ，ＢａＦ₂ ，ＴｉＢ₂ ，ＭｇＦ₂ ，Ｙ₂ Ｏ₃ ，Ｓｃ₂ Ｏ₃ ，Ｌａ₂ Ｏ₃ およびＰｒ₂ Ｏ₃ のようなＬｎ₂ Ｏ₃ （ただし、Ｌｎはランタニドを示す）からなる群から選択した少なくとも１種の物質が添加されているかあるいは添加されていない非結晶性ガラスを使用することを特徴とすることによって、本発明の目的を達成する。
【００３１】
この場合に、誘電体層を製造するのに用いる堆積方法としては、印刷法、例えば、スクリーン印刷法や、フレキソ印刷法、或いは遠心法、浸漬被覆法、ドクターブレード被覆法またはカーテン被覆法が好ましい。レベリング層は、印刷法、例えば、スクリーン印刷法や、フレキソ印刷法、或いは遠心法、浸漬被覆法、ドクターブレード被覆法またはカーテン被覆法のような方法により堆積させるのが好ましい。
【００３２】
一般にこれらの生成物は消費者に使用される多量生産製品であるので、費用効率の極めて良い製造方法を使用する必要がある。キャパシタンスの値がＫ＞１０である薄肉の誘電体層を堆積させる費用効率の極めて良い方法の一例は、湿式化学的薄膜法、例えば、ゾル−ゲル法である。この方法は、例えば、４００〜７００℃の温度においてＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ 層をセラミック層の形態で生成することができる。
【００３３】
これらの処理温度は、緻密なセラミックのＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ₃ 焼結体の製造に用いられる対応する温度より５００〜６００℃低い。これらの方法、例えば湿式化学的方法を使用することにより、低温において１０ｎｍ以下の厚さの層を堆積させることができる。このような低い温度は、ガラス基板またはＡｌ₂ Ｏ₃ 基板のような費用効率の良い基板の上に極めて薄い層を生成するのに必要である。極めて薄いコンデンサを製造するには、厚さ約２００〜５００μｍの薄い基板を使用する。
【００３４】
【発明の実施の形態】
本発明の上述の及び他の観点を以下に説明する具体例から明らかなものとする。
以下に、本発明を図面を参照して例について説明する。しかし当業者にとって本発明の範囲内において多くの変更が可能である。
図１に示す構成部品において、符号１は基板層、例えば、ガラスまたはＡｌ₂Ｏ₃ の基板層を示し、符号２は抗反応層またはレベリング層を示し、符号３は第１電極を示し、符号４は誘電体層を示し、符号５は第２電極を示し、符号６は保護層を示し、符号７は２個の端部接点を示し、これらの接点はそれぞれ構成部品の両端に設けられている。構成部品の５個の面が接触する通常の端部接点のほかに、他の例も可能である。
【００３５】
【実施例】
実施例１
ガラス基板１（Corning 7059（商品名））の上にスパッタリングによって薄いＴｉ層２を設け、その後この層を酸化した。次いで、Ｔｉ／Ｐｔ層３をスパッタリングによって設けた。この電極層を、機械的マスクを介したスパッタリングにより構造化した。この基板の上にＰｂＺｒ_0.35Ｔｉ_0.65Ｏ₃ 層４を設けた。このＰｂＺｒ_0.35Ｔｉ_0.65Ｏ₃ 層４は、酢酸鉛三水和物を６０ｇのエチレングリコールモノメチルエーテルに溶解した溶液を使用して堆積させた。この溶液には、８．６２ｇのチタン−テトラ−ｎ−ブチレートおよび７．５１ｇのジルコニウム−テトラ−ｎ−ブチレートを添加した。この溶液を、０．２μｍの大きさの細孔を有する酢酸セルロースフィルタに通した。
【００３６】
ＰＺＴ層４を堆積させるために、上述のようにして構成したＰｔ電極３を有するガラス基板１を使用した。この基板に、約１ｍｌのＰｂ−Ｔｉ−Ｚｒ溶液を２５００ｒｐｍの遠心処理によって被膜にして設けた。この被膜を酸素雰囲気中で１００℃／秒の速度で５５０℃に加熱し、次いでこの温度で焼結した。この処理を数回繰り返して、厚さ約０．３〜１μｍの層を形成した。このＰＺＴ層４の上に、第２Ｐｔ電極５を、機械的マスクを介してスパッタリングによって設けた。厚さ０．５μｍのＳｉＯ₂ 層および有機保護層６を堆積させた後に、基板を細条に分割し、次いで端部接点７を設けた。
【００３７】
実施例２
ガラス基板１（Shcott AF45（商品名））の上にスパッタリングによって薄いＴｉ層２を設け、その後この層を熱酸化した。次いで、Ｔｉ／Ｐｔ層３をスパッタリングによって設けた。電極を反応性イオンエッチングによって構成した。この基板の上にＰｂＺｒ_0.35Ｔｉ_0.65Ｏ₃ 層４を設けた。このＰｂＺｒ_0.35Ｔｉ_0.65Ｏ₃ 層４は、酢酸鉛三水和物を６０ｇのエチレングリコールモノメチルエーテルに溶解した溶液を使用して堆積させた。この溶液には、８．６２ｇのチタン−テトラ−ｎ−ブチレートおよび７．５１ｇのジルコニウム−テトラ−ｎ−ブチレートを添加した。この溶液を、０．２μｍの大きさの細孔を有する酢酸セルロースフィルタに通した。
【００３８】
ＰＺＴ層４を堆積させるために、上述のようにして構成したＰｔ電極３を有するガラス基板１を使用した。この基板に、約１ｍｌのＰｂ−Ｔｉ−Ｚｒ溶液を２５００ｒｐｍの遠心処理によって被膜にして設けた。この被膜を酸素雰囲気中で１００℃／秒の速度で５５０℃に加熱し、次いでこの温度で焼結した。この処理を数回繰り返して、厚さ約０．２〜１μｍの層を形成した。ＰＺＴ層４の上にＰｔ電極５をスパッタリングによって設け、次いで反応性イオンエッチングによって構造化した。実施例１に記載したのと同様にして、キャパシタ構成部品を形成するのに必要な他の処理工程を行った。
【００３９】
実施例３
実施例２に記載したのと同様にして、ガラス基板１（Corning 1737(商品名)）の上にスパッタリングによって薄いＴｉ層２およびＴｉ／Ｐｔ層３を設け、次いで構造化した。この基板の上に、酢酸鉛三水和物を６０ｇのエチレングリコールモノメチルエーテルに溶解した溶液を使用して、ＰｂＺｒ_0.35Ｔｉ_0.65Ｏ₃ 層４を堆積させた。この溶液には、８．６２ｇのチタン−テトラ−ｎ−ブチレートおよび７．５１ｇのジルコニウム−テトラ−ｎ−ブチレートを添加した。この溶液を、０．２μｍの大きさの細孔を有する酢酸セルロースフィルタに通した。
【００４０】
ＰＺＴ層４を堆積させるために、上述のようにして構成したＰｔ電極３を有するガラス基板１を使用した。この基板に約１ｍｌのＰｂ−Ｔｉ−Ｚｒ溶液を２５００ｒｐｍの遠心処理によって被膜にして設けた。この被膜を酸素雰囲気中で３００℃／分の速度で６００℃に加熱し、次いでこの温度で焼結した。
【００４１】
この被膜の上に組成物：ＰｂＺｒ_0.53Ｔｉ_0.47Ｏ₃ の第２層を設ける。このために、酢酸鉛をメトキシエタノールに溶解する。メトキシエタノールに、４．２０４ｇのチタン−テトラ−ｎ−ブチレートおよび５．０７６ｇのジルコニウム−テトラ−ｎ−ブチレートを溶解した。このチタンおよびジルコニウムを含有する溶液を酢酸鉛溶液にかきまぜながら添加した。さらに、水と濃ＨＮＯ₃ とメトキシエタノールとから加水分解溶液を作った。この加水分解溶液を、鉛、チタンおよびジルコニウムを含有する溶液に添加した。
【００４２】
上述の被覆基板に約１ｍｌのこのＰｂ−Ｔｉ−Ｚｒ溶液を被着させ、この溶液を２５００ｒｐｍの遠心処理によって被膜にした。この被膜を酸素雰囲気中で３００℃／分の速度で６００℃に加熱し、次いでこの温度で焼結した。この処理を数回繰り返した。最後の被覆処理では、６５０℃の加熱温度を使用した。このＰＺＴ層４の上にＰｔ電極５をスパッタリングによって設け、次いで反応性イオンエッチングによって構造化した。実施例１に記載したのと同様にして、キャパシタ構成部品を形成するのに必要な他の処理を行った。
【００４３】
実施例４
ガラス基板１（実施例１，２または３に記載したガラス基板に相当する）の上に１０ｎｍのＴｉおよび１４０ｎｍのＰｔを含有する薄いＴｉ／Ｐｔ層２，３をスパッタリングによって設けた。連続するＰｔ電極３を反応性イオンエッチングによって構造化した。次いで、連続するＴｉ層を酸素流中で４５０℃において熱処理して前記Ｔｉ層を緻密なＴｉＯ₂ 層２に転化することにより、基板１の上にＴｉＯ₂ からなる抗反応層２を形成した。この基板の上に、ＬａをドープしたＰｂＺｒ_0.53Ｔｉ_0.47Ｏ₃ 層４及びＰｂＺｒ_0.35Ｔｉ_0.65Ｏ₃ 層を設けた。Ｐｂ−Ｌａ−Ｔｉ−Ｚｒ溶液の調製を実施例１，２または３に記載した溶液の調製と同様にして行った。
【００４４】
上述のようにして抗反応層２で被覆したガラス基板１を使用してＰｂ−Ｔｉ−Ｚｒ層およびＰｂ−Ｌａ−Ｚｒ−Ｔｉ層４を堆積させた。この層構造の堆積は実施例３に記載したと同様にして行った。このＰＺＴ層４の上にＰｔ層をスパッタリングによって設けた。上側電極５を反応性イオンエッチングによって構造化した。次いで、０．５μｍのＳｉＯ₂ を有する保護層６を化学的堆積法によって被着させ、この層を構造化した。このＳｉＯ₂ 層にポリイミドの形態の厚さ１０μｍのポリマー層を設け、次いでこの層を構造化した。このガラス基板を細条に分割した。ＮｉＣｒ端部接点７をスパッタリングによって設け、ＮｉＰｂＳｎ端部接点７を電気めっき浴中で成長させた。
【００４５】
実施例５
ガラス基板１（Schott AF45（商品名））の底面に印刷法で端部接点を設けた。次いで、このガラス基板に、抗反応層２として作用する薄いＺｒＯ₂ 層を遠心法によっで被着させた。リフトオフ法によって、この抗反応層２の上に、１０ｎｍのＴｉおよび１４０ｎｍのＰｔを含有する構造化された薄いＴｉ／Ｐｔ層２，３を設けた。この基板に、ＰｂＺｒ_0.35Ｔｉ_0.65Ｏ₃ 層とＬａをドープしたＰｂＺｒ_0.53Ｔｉ_0.47Ｏ₃ 層とからなる層構造４を被着させた。
【００４６】
この被覆処理は実施例４に記載したと同様にして行った。キャパシタを製造するために、ＰＬＺＴ層４の上にＰｔ層５を設けた。この上側電極５をリフトオフ法によって構造化した。次いで、０．５μｍのＳｉ₃ Ｎ₄ を有する保護層６をＰＥＣＶＤ法によって堆積させた。このＳｉ₃ Ｎ₄ 層を構成した後に、厚さ約１０μｍのポリイミド層を設け、この層を構造化した。細条に分割した後に、スパッタリングによってＮｉＣｒ端部接点７を設けた。個々の製品に完全に分割した後に、ＮｉＰｂＳｎ端部接点７を電気めっき浴中で成長させた。
【００４７】
実施例６
Ａｌ₂ Ｏ₃ 基板１（厚膜状）の下面に印刷法によって端部接点を設けた。次いで、レベリング層２として作用するケイ酸鉛層を追加の印刷処理によって設ける。このために、ケイ酸鉛粉末をイソプロパノール中に分散させた。粗粒状物を沈降法によって除去した。このようにして形成したスラリをドクターブレード被覆法によってＡｌ₂ Ｏ₃ 基板１に被着させた。この基板を乾燥し、次いで９００℃において焼結した。リフトオフ法を使用して、この平坦になった基板１の上に、１０ｎｍのＴｉと１４０ｎｍのＰｔとからなる薄いＴｉ／Ｐｔ層２，３をスパッタリングによって設け、次いで構造化した。
【００４８】
この基板の上に、ＬａをドープしたＰｂＺｒ_0.53Ｔｉ_0.47Ｏ₃ 層４を設けた。被覆処理を実施例４に記載したのと同様にして行った。キャパシタを製造するために、ＰＬＺＴ層４の上にＰｔ層５を設けた。この上側電極５を印刷法およびリフトオフ法によって構造化した。次いで、低い焼結温度を有し、保護層６として作用するガラス層を印刷法によって設けた。細条に分割した後に、スパッタリングによってＮｉＣｒ端部接点７を設けた。個々の製品に完全に分割した後に、ＮｉＰｂＳｎ端部接点７を電気めっき浴中で成長させた。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明によるキャパシタを具える構成部品の一例の構造を示す線図的断面図である。
【符号の説明】
１ 基板層
２ 坑反応層またはレベリング層
３ 第１電極
４ 誘電体層
５ 第２電極
６ 保護層
７ 端部接点