JPH1083936A - チップ型コンデンサ - Google Patents
チップ型コンデンサInfo
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- JPH1083936A JPH1083936A JP26035496A JP26035496A JPH1083936A JP H1083936 A JPH1083936 A JP H1083936A JP 26035496 A JP26035496 A JP 26035496A JP 26035496 A JP26035496 A JP 26035496A JP H1083936 A JPH1083936 A JP H1083936A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 claims description 6
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 10
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 abstract 2
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 abstract 2
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 abstract 2
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 abstract 2
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 abstract 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波回路などの周波数調整等に用い、経時変
化や機械的振動の影響がなく、レーザーカット後も高い
Ｑ値を備えた、トリマブル可能なチップ型コンデンサを
提供することにある。 【解決手段】誘電体薄膜を金属薄膜で挟んだＭＩＭ（Ｍ
ｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）構造のキ
ャパシタの上部電極をすだれ状に形成し、該電極を１本
づつレーザーで切断することにより、ディジタル的に静
電容量を減らすことを可能とした。
化や機械的振動の影響がなく、レーザーカット後も高い
Ｑ値を備えた、トリマブル可能なチップ型コンデンサを
提供することにある。 【解決手段】誘電体薄膜を金属薄膜で挟んだＭＩＭ（Ｍ
ｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）構造のキ
ャパシタの上部電極をすだれ状に形成し、該電極を１本
づつレーザーで切断することにより、ディジタル的に静
電容量を減らすことを可能とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型コンデン
サに係り、特に高周波回路でＶＣＯ等の周波数調整及び
各々の部品のバラツキを補正することができるチップ型
コンデンサに関する。
サに係り、特に高周波回路でＶＣＯ等の周波数調整及び
各々の部品のバラツキを補正することができるチップ型
コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のトリマブルコンデンサ、例えば、
メカニカルトリマコンデンサはドライバー等で周波数を
調整することができるが、形状が大きく、機械的に振動
に弱い欠点があった。また、図４は従来の厚膜型トリマ
ブルコンデンサＴＣを示し、図において、１１は誘電
体、１２は内部電極、１３は裏面電極、１４は端子電極
である。
メカニカルトリマコンデンサはドライバー等で周波数を
調整することができるが、形状が大きく、機械的に振動
に弱い欠点があった。また、図４は従来の厚膜型トリマ
ブルコンデンサＴＣを示し、図において、１１は誘電
体、１２は内部電極、１３は裏面電極、１４は端子電極
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図４に示すような厚膜
型トリマブルコンデンサＴＣは、フローティング電極を
レーザーカットする方式であるが、レーザーカット面積
が大きくなるに従ってＱ値が低下する欠点がある。
型トリマブルコンデンサＴＣは、フローティング電極を
レーザーカットする方式であるが、レーザーカット面積
が大きくなるに従ってＱ値が低下する欠点がある。
【０００４】また、厚膜では印刷となるために、微少面
積を有するすだれ状電極を高精度に形成することは困難
であり、チップサイズに小型化するには問題があった。
更に、セラミックス基板上に直接薄膜を形成すると、セ
ラミックス基板の凹凸のために絶縁不良が生じたり、容
量の値のバラツキが発生したりした。
積を有するすだれ状電極を高精度に形成することは困難
であり、チップサイズに小型化するには問題があった。
更に、セラミックス基板上に直接薄膜を形成すると、セ
ラミックス基板の凹凸のために絶縁不良が生じたり、容
量の値のバラツキが発生したりした。
【０００５】そこで、本発明の目的は、高周波回路など
の周波数調整等に用い、経時変化や機械的振動の影響が
なく、レーザーカット後も高いＱ値を備えた、トリマブ
ル可能なチップ型コンデンサを提供することにある。
の周波数調整等に用い、経時変化や機械的振動の影響が
なく、レーザーカット後も高いＱ値を備えた、トリマブ
ル可能なチップ型コンデンサを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型コンデ
ンサは、請求項１記載のものにおいては、誘電体薄膜を
金属薄膜で挟んだＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔ
ｏｒ−Ｍｅｔａｌ）構造のキャパシタの上部電極をすだ
れ状に形成し、該電極を１本づつレーザーで切断するこ
とにより、ディジタル的に静電容量を減らすことを可能
としたことを特徴とする。
ンサは、請求項１記載のものにおいては、誘電体薄膜を
金属薄膜で挟んだＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔ
ｏｒ−Ｍｅｔａｌ）構造のキャパシタの上部電極をすだ
れ状に形成し、該電極を１本づつレーザーで切断するこ
とにより、ディジタル的に静電容量を減らすことを可能
としたことを特徴とする。
【０００７】請求項２記載のものにおいては、フォトリ
ソ工程により、微少面積を有するすだれ状電極を高精度
に金属薄膜で形成したことを特徴とする。
ソ工程により、微少面積を有するすだれ状電極を高精度
に金属薄膜で形成したことを特徴とする。
【０００８】請求項３記載のものにおいては、なすだれ
状電の間隔が抵抗トリミング用の汎用レーザートリマを
使用しての切断又は調整が可能なように設定されている
ことを特徴とする。
状電の間隔が抵抗トリミング用の汎用レーザートリマを
使用しての切断又は調整が可能なように設定されている
ことを特徴とする。
【０００９】請求項４記載のものにおいては、実装精度
のバラツキを調整するための切断又は調整が可能な広い
レーザー進入間口を備えていることを特徴とする。
のバラツキを調整するための切断又は調整が可能な広い
レーザー進入間口を備えていることを特徴とする。
【００１０】請求項５記載のものにおいては、セラミッ
クス基板上に耐熱樹脂をコーティングすることにより平
滑とし、薄膜の形成を可能としたことを特徴とする。
クス基板上に耐熱樹脂をコーティングすることにより平
滑とし、薄膜の形成を可能としたことを特徴とする。
【００１１】
【作用】トリマブル可能なコンデンサ部品の専有面積が
小さく、高さも低くなる。また、バックラッシュがない
のは勿論、機械的調整がなくなり、振動による影響がな
くなる。
小さく、高さも低くなる。また、バックラッシュがない
のは勿論、機械的調整がなくなり、振動による影響がな
くなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の薄膜レーザート
リマブルコンデンサの断面図、図２は平面図、図３は他
の構成例である。基板１には、セラミックス基板を用
い、基板表面は２〜数十μｍの凹凸があるからその表面
を平坦にする目的で、耐熱性樹脂２（ポリイミド樹脂
等）をスピンコートし、３００〜４００°Ｃにてキュア
する。その上にクロム／銅／クロム（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒ）の三層薄膜をスパッタ蒸着等で０．３〜１．０μｍ
の膜厚に薄膜形成する。その後、フォトレジストを用い
て所定のパターンを形成し、エッチング加工を施し、レ
ジスト除去し、下部電極３を形成する。
リマブルコンデンサの断面図、図２は平面図、図３は他
の構成例である。基板１には、セラミックス基板を用
い、基板表面は２〜数十μｍの凹凸があるからその表面
を平坦にする目的で、耐熱性樹脂２（ポリイミド樹脂
等）をスピンコートし、３００〜４００°Ｃにてキュア
する。その上にクロム／銅／クロム（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒ）の三層薄膜をスパッタ蒸着等で０．３〜１．０μｍ
の膜厚に薄膜形成する。その後、フォトレジストを用い
て所定のパターンを形成し、エッチング加工を施し、レ
ジスト除去し、下部電極３を形成する。
【００１３】更に、誘電体薄膜４をスパッタ蒸着等で目
的の容量値に合わせて所望の膜厚に形成する。この際、
薄膜形成の基板温度を耐熱性樹脂２の耐熱温度の上限ま
でとする。その後、下部電極３を覆うように所定のパタ
ーンをフォトレジストにより形成する。次に、リアクテ
ィブイオンエッチング等によりテーパーエッチング（上
部電極５のステップカバーレッジをよくするため）す
る。次いで、レジスト除去し、誘電体薄膜４を形成す
る。
的の容量値に合わせて所望の膜厚に形成する。この際、
薄膜形成の基板温度を耐熱性樹脂２の耐熱温度の上限ま
でとする。その後、下部電極３を覆うように所定のパタ
ーンをフォトレジストにより形成する。次に、リアクテ
ィブイオンエッチング等によりテーパーエッチング（上
部電極５のステップカバーレッジをよくするため）す
る。次いで、レジスト除去し、誘電体薄膜４を形成す
る。
【００１４】次に、メッキ下地導体としてクロム／銅
（Ｃｒ／Ｃｕ）の薄膜をスパッタ蒸着等で膜厚０．１５
〜０．２μｍに形成し、フォトレジストによりメッキパ
ターン（すだれ電極パターン）を形成する。その後、電
解メッキにより金（Ａｕ）薄膜を形成（導体抵抗を低く
抑えるため）し、更にレジスト除去する。次いで、イオ
ンミリングエッチング等でメッキされていないクロム／
銅薄膜をエッチングし、上部電極５としてクロム／銅／
金のすだれ電極薄膜ができる。その上に保護膜６（耐熱
性樹脂又は誘電体薄膜等）で形成する。
（Ｃｒ／Ｃｕ）の薄膜をスパッタ蒸着等で膜厚０．１５
〜０．２μｍに形成し、フォトレジストによりメッキパ
ターン（すだれ電極パターン）を形成する。その後、電
解メッキにより金（Ａｕ）薄膜を形成（導体抵抗を低く
抑えるため）し、更にレジスト除去する。次いで、イオ
ンミリングエッチング等でメッキされていないクロム／
銅薄膜をエッチングし、上部電極５としてクロム／銅／
金のすだれ電極薄膜ができる。その上に保護膜６（耐熱
性樹脂又は誘電体薄膜等）で形成する。
【００１５】次に、端子加工としてスリット加工を施
し、半田メッキの下地としてニッケル（Ｎｉ）薄膜（膜
厚０．１〜０．２μｍ）を端子部にスパッタ蒸着等で形
成し、チップ分割した後、バレルメッキ法で半田メッキ
によりメッキ層８を形成してチップ型コンデンサを作成
する。
し、半田メッキの下地としてニッケル（Ｎｉ）薄膜（膜
厚０．１〜０．２μｍ）を端子部にスパッタ蒸着等で形
成し、チップ分割した後、バレルメッキ法で半田メッキ
によりメッキ層８を形成してチップ型コンデンサを作成
する。
【００１６】図１及び図２に基づいて本発明の実施例を
説明する。下部電極３（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ薄膜）と、上
部電極５（Ｃｒ／Ｃｕ／Ａｕ薄膜）とが重さなる箇所に
誘電体薄膜４がサンドイッチされ、これがコンデンサ部
となる。コンデンサ部は、図２においては１０カ所設け
られており、それぞれは同一面積でかつ、誘電体薄膜４
が同一の膜厚のため、例えば、コンデンサ部１個が０．
５ｐＦの場合、０．５×１０＝５ｐＦとなる。
説明する。下部電極３（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ薄膜）と、上
部電極５（Ｃｒ／Ｃｕ／Ａｕ薄膜）とが重さなる箇所に
誘電体薄膜４がサンドイッチされ、これがコンデンサ部
となる。コンデンサ部は、図２においては１０カ所設け
られており、それぞれは同一面積でかつ、誘電体薄膜４
が同一の膜厚のため、例えば、コンデンサ部１個が０．
５ｐＦの場合、０．５×１０＝５ｐＦとなる。
【００１７】その全体容量が５ｐＦのものを電極１本づ
つレーザートリマ９でレーザー切断することにより、容
量値をディジタル的に減らすことができる。この場合各
箇所が独立したコンデンサであるから、Ｑ値は切断前と
後では変化がほとんどない。また、下部電極３はベタで
抵抗値が低く、しかも上部電極５は金（Ａｕ）メッキに
より電極１本づつの抵抗値を抑えているため、高Ｑ化に
寄与している。
つレーザートリマ９でレーザー切断することにより、容
量値をディジタル的に減らすことができる。この場合各
箇所が独立したコンデンサであるから、Ｑ値は切断前と
後では変化がほとんどない。また、下部電極３はベタで
抵抗値が低く、しかも上部電極５は金（Ａｕ）メッキに
より電極１本づつの抵抗値を抑えているため、高Ｑ化に
寄与している。
【００１８】電極の一部をレーザーカットすることによ
り電気容量を変化させることができるモノリシック・コ
ンデンサが公表されている（特表平６−５１１１１０号
公報）が、本発明の前記実施例で得られたチップ部品は
これと同程度の大きさのものである。
り電気容量を変化させることができるモノリシック・コ
ンデンサが公表されている（特表平６−５１１１１０号
公報）が、本発明の前記実施例で得られたチップ部品は
これと同程度の大きさのものである。
【００１９】通常、抵抗トリミング用のレーザーのスポ
ットは一例として５０μであり、トリマコンデンサの調
整はレーザのスポットを、一例として１０μ位にし、レ
ーザーのパワーも１／２位にして調整の精度を出す。し
かしこれでは設備が高価なものとなるが、本発明ではす
だれ状の電極をカットする方式であるから抵抗トリミン
グ用レーザートリマ９でも可能である。
ットは一例として５０μであり、トリマコンデンサの調
整はレーザのスポットを、一例として１０μ位にし、レ
ーザーのパワーも１／２位にして調整の精度を出す。し
かしこれでは設備が高価なものとなるが、本発明ではす
だれ状の電極をカットする方式であるから抵抗トリミン
グ用レーザートリマ９でも可能である。
【００２０】図３は他の構成例であり、上記の構成にお
いて、例えば、１０本の電極中、５本が０．５ｐＦ×５
とし、５本が０．１ｐＦ×５とすれば最初に０．５ｐＦ
の電極を何本か切断し、おおよその調整を行なった後に
０．１ｐＦの電極を何本か（図示例では５本）切断する
ことにより、さらに細かい調整が可能となる。また、容
量値も誘導体の材質や膜厚及び面積を変えることによ
り、多くの種類のチップコンデンサを作成することが可
能である。
いて、例えば、１０本の電極中、５本が０．５ｐＦ×５
とし、５本が０．１ｐＦ×５とすれば最初に０．５ｐＦ
の電極を何本か切断し、おおよその調整を行なった後に
０．１ｐＦの電極を何本か（図示例では５本）切断する
ことにより、さらに細かい調整が可能となる。また、容
量値も誘導体の材質や膜厚及び面積を変えることによ
り、多くの種類のチップコンデンサを作成することが可
能である。
【００２１】
【発明の効果】本発明のチップ型コンデンサによれば、
トリマブル可能なコンデンサ部品の専有面積が小さく、
高さも低くできる。また、バックラッシュがないのは勿
論、機械的調整がなくなり、振動による影響がなくなる
と共に、製造時にすだれ状の電極をカットする方式であ
るから抵抗トリミング用レーザートリマでトリミングす
ることができ、高価な設備は不要となる。
トリマブル可能なコンデンサ部品の専有面積が小さく、
高さも低くできる。また、バックラッシュがないのは勿
論、機械的調整がなくなり、振動による影響がなくなる
と共に、製造時にすだれ状の電極をカットする方式であ
るから抵抗トリミング用レーザートリマでトリミングす
ることができ、高価な設備は不要となる。
【図１】本発明に係るチップ型コンデンサの実施例を示
す断面図。
す断面図。
【図２】本発明によるチップ型コンデンサの正面図。
【図３】チップ型コンデンサの他の構成例を示す正面
図。
図。
【図４】従来の従来の厚膜型トリマブルコンデンサ。
１ 基板 ２ 耐熱性樹脂 ３ 下部電極（クロム／銅／クロム薄膜） ４ 誘電体薄膜 ５ 上部電極（クロム／銅／金薄膜） ６ 保護膜 ７ ニッケル薄膜 ８ 半田層 ９ 抵抗トリミング用のレーザートリマ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１２月１７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
Claims (5)
- 【請求項１】 誘電体薄膜を金属薄膜で挟んだＭＩＭ
（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）構造
のキャパシタの上部電極をすだれ状に形成し、該電極を
１本づつレーザーで切断することにより、ディジタル的
に静電容量を減らすことを可能としたことを特徴とする
チップ型コンデンサ。 - 【請求項２】 フォトリソ工程により、微少面積を有す
るすだれ状電極が高精度に金属薄膜で形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載のチップ型コンデンサ。 - 【請求項３】 すだれ状電極の間隔が抵抗トリミング用
の汎用レーザ−トリマを使用しての切断又は調整が可能
なように設定されていることを特徴とする請求項１記載
のチップ型コンデンサ。 - 【請求項４】 実装精度のバラツキを調整するための切
断又は調整が可能な広いレーザー進入間口を備えている
ことを特徴とする請求項１記載のチップ型コンデンサ。 - 【請求項５】 セラミックス基板上に耐熱樹脂をコーテ
ィングすることにより平滑とし、薄膜の形成を可能とし
たことを特徴とする請求項１記載のチップ型コンデン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26035496A JPH1083936A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | チップ型コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26035496A JPH1083936A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | チップ型コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1083936A true JPH1083936A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=17346798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26035496A Pending JPH1083936A (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | チップ型コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1083936A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100395764B1 (ko) * | 2001-02-16 | 2003-08-27 | 엘지전선 주식회사 | 온도보상형 수정 발진기용 바이패스 캐패시터 실장 방법 |
-
1996
- 1996-09-09 JP JP26035496A patent/JPH1083936A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100395764B1 (ko) * | 2001-02-16 | 2003-08-27 | 엘지전선 주식회사 | 온도보상형 수정 발진기용 바이패스 캐패시터 실장 방법 |
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