JPH1087385A - 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 - Google Patents
金属−セラミックス複合基板及びその製造法Info
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/515—Other specific metals
- C04B41/5155—Aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の金属−セラミックス複合基板及びその
製造法によって得た金属−セラミックス複合基板はヒー
トサイクル耐量が悪い欠点があった。 【解決手段】 本発明の金属−セラミックス複合基板及
びその製造法においては、溶湯アルミニウムをセラミッ
クス基板上の少なくとも一主面に形成せしめ、上記金属
部分にショットピーニング層を形成して硬化せしめる。
製造法によって得た金属−セラミックス複合基板はヒー
トサイクル耐量が悪い欠点があった。 【解決手段】 本発明の金属−セラミックス複合基板及
びその製造法においては、溶湯アルミニウムをセラミッ
クス基板上の少なくとも一主面に形成せしめ、上記金属
部分にショットピーニング層を形成して硬化せしめる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーモジュール
等の大電力電子部品の実装に好適な金属−セラミックス
複合基板及びその製造法に関し、更に詳しくは特に優れ
たヒートサイクル耐量が要求される自動車又は電車用電
子部品の実装に好適な複合基板及びその製造法を提供す
ることを目的とする。
等の大電力電子部品の実装に好適な金属−セラミックス
複合基板及びその製造法に関し、更に詳しくは特に優れ
たヒートサイクル耐量が要求される自動車又は電車用電
子部品の実装に好適な複合基板及びその製造法を提供す
ることを目的とする。
【０００２】
【従来の技術】従来、パワーモジュールのような大電力
電子部品の実装に使用する基板として、セラミックス基
板の表面に銅板を接合して作成された銅張りセラミック
ス複合基板が使用されている。この複合基板は更に、使
用するセラミックス基板の種類やその製造法によって、
銅／アルミナ直接接合基板、銅／窒化アルミニウムろう
接基板等に分けられている。
電子部品の実装に使用する基板として、セラミックス基
板の表面に銅板を接合して作成された銅張りセラミック
ス複合基板が使用されている。この複合基板は更に、使
用するセラミックス基板の種類やその製造法によって、
銅／アルミナ直接接合基板、銅／窒化アルミニウムろう
接基板等に分けられている。
【０００３】銅／アルミナ直接接合基板は、特開昭５２
−３７９１４号公報に開示されるように、酸素を含有す
る銅板を使用するか、無酸素銅板を使用して酸化性雰囲
気中で加熱することによって無酸素銅板の表面に酸化銅
を発生させてから、銅板とアルミナ基板を重ねて不活性
雰囲気中で加熱し、銅板とアルミナ基板との界面に銅と
アルミニウムとの複合酸化物を生成させ銅板とアルミナ
基板とを接合するものである。
−３７９１４号公報に開示されるように、酸素を含有す
る銅板を使用するか、無酸素銅板を使用して酸化性雰囲
気中で加熱することによって無酸素銅板の表面に酸化銅
を発生させてから、銅板とアルミナ基板を重ねて不活性
雰囲気中で加熱し、銅板とアルミナ基板との界面に銅と
アルミニウムとの複合酸化物を生成させ銅板とアルミナ
基板とを接合するものである。
【０００４】一方、銅／窒化アルミニウム直接接合基板
の場合には、予め窒化アルミニウム基板の表面に酸化物
を形成する必要がある。例えば特開平３−９３６８７号
公報に開示するように、予め空気中において、約１００
０℃の温度で窒化アルミニウム基板を処理し、表面に酸
化物を生成させてから、この酸化物層を介して上述の方
法により銅板と窒化アルミニウム基板とを接合してい
る。
の場合には、予め窒化アルミニウム基板の表面に酸化物
を形成する必要がある。例えば特開平３−９３６８７号
公報に開示するように、予め空気中において、約１００
０℃の温度で窒化アルミニウム基板を処理し、表面に酸
化物を生成させてから、この酸化物層を介して上述の方
法により銅板と窒化アルミニウム基板とを接合してい
る。
【０００５】また銅／アルミナろう接基板及び銅／窒化
アルミニウムろう接基板は、銅板とセラミックス基板と
の間に低触点のろう材を用いて接合するが、この場合、
使用するろう材に銅の他、融点を下げる為の合金元素及
びセラミックスとの濡れを良くする為の合金元素が添加
され、一例としてＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系のような活性金属
ろう材はよく使用されている。
アルミニウムろう接基板は、銅板とセラミックス基板と
の間に低触点のろう材を用いて接合するが、この場合、
使用するろう材に銅の他、融点を下げる為の合金元素及
びセラミックスとの濡れを良くする為の合金元素が添加
され、一例としてＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ系のような活性金属
ろう材はよく使用されている。
【０００６】上述のように銅／セラミックス複合基板は
広く使用されるにもかかわらず、製造中及び実用上幾つ
かの問題点がある。その中で最も重大な問題点は、電子
部品の実装及び使用中にセラミックス基板の内部にクラ
ックが形成し、基板の表裏間が電気的に導通することに
よる故障である。
広く使用されるにもかかわらず、製造中及び実用上幾つ
かの問題点がある。その中で最も重大な問題点は、電子
部品の実装及び使用中にセラミックス基板の内部にクラ
ックが形成し、基板の表裏間が電気的に導通することに
よる故障である。
【０００７】これは銅の熱膨張係数がセラミックスの係
数より約一桁大きいことに起因するが、接合の場合、セ
ラミックス基板と銅が１０００℃近くまで加熱され、接
合温度から室温に冷却する時に、熱膨張係数の違いによ
り複合基板の内部に多大の熱応力が発生する。
数より約一桁大きいことに起因するが、接合の場合、セ
ラミックス基板と銅が１０００℃近くまで加熱され、接
合温度から室温に冷却する時に、熱膨張係数の違いによ
り複合基板の内部に多大の熱応力が発生する。
【０００８】また、パワーモジュール等の電子部品を実
装するときに、銅・セラミックス複合基板は４００℃近
くまで加熱されるため、さらに使用環境や使用中の発熱
により、同複合基板の温度が常に変化し、同複合基板に
変動熱応力がかけられる。これらの熱応力によってセラ
ミックス基板にクラックが発生する。
装するときに、銅・セラミックス複合基板は４００℃近
くまで加熱されるため、さらに使用環境や使用中の発熱
により、同複合基板の温度が常に変化し、同複合基板に
変動熱応力がかけられる。これらの熱応力によってセラ
ミックス基板にクラックが発生する。
【０００９】近年、電気自動車の開発により、ヒートサ
イクル耐量の優れた複合基板への要望が特に高まってお
り、例えば電気自動車の様に温度変化が激しく、振動が
大きい使用条件の場合、複合基板のヒートサイクル耐量
が５００回以上必要であると言われているが現在使用さ
れている銅・セラミックス複合基板では、このような要
望に対応できない。
イクル耐量の優れた複合基板への要望が特に高まってお
り、例えば電気自動車の様に温度変化が激しく、振動が
大きい使用条件の場合、複合基板のヒートサイクル耐量
が５００回以上必要であると言われているが現在使用さ
れている銅・セラミックス複合基板では、このような要
望に対応できない。
【００１０】銅と同じような優れた電気と熱伝導性を有
するアルミニウムを導電回路材料として使う構想は以前
からあり、例えば特開昭５９−１２１８９０号公報にこ
のような構想が記述されている。アルミニウムとセラミ
ックスとの接合は一般的にろう接法が使用され、特開平
３−１２５４６３号公報、特開平４−１２５５４号公報
及び特開平４−１８７４６号公報にろう接法で作成した
アルミニウム−セラミックス基板を開示しているが、こ
れによると、上述のような高いヒートサイクル耐量が要
求される用途には、依然として充分対応できないもので
あった。
するアルミニウムを導電回路材料として使う構想は以前
からあり、例えば特開昭５９−１２１８９０号公報にこ
のような構想が記述されている。アルミニウムとセラミ
ックスとの接合は一般的にろう接法が使用され、特開平
３−１２５４６３号公報、特開平４−１２５５４号公報
及び特開平４−１８７４６号公報にろう接法で作成した
アルミニウム−セラミックス基板を開示しているが、こ
れによると、上述のような高いヒートサイクル耐量が要
求される用途には、依然として充分対応できないもので
あった。
【００１１】しかも、この方法の場合、接合は真空中で
行わなければならないし、また非酸化物セラミックスの
場合、あらかじめ予備処理を施し、セラミックスの表面
に酸化物を形成しなければならなく、製造コストおよび
熱伝導性の面においても満足できないところがあった。
行わなければならないし、また非酸化物セラミックスの
場合、あらかじめ予備処理を施し、セラミックスの表面
に酸化物を形成しなければならなく、製造コストおよび
熱伝導性の面においても満足できないところがあった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】アルミニウム−セラミ
ックス基板が優れたヒートサイクル耐量を持つ一方、ヒ
ートサイクルの後のＡｌの表面にしわ（以下、凹凸とい
う）が発生し、その上に搭載する電子部品に悪影響を及
ぼす恐れがあるという問題があった。
ックス基板が優れたヒートサイクル耐量を持つ一方、ヒ
ートサイクルの後のＡｌの表面にしわ（以下、凹凸とい
う）が発生し、その上に搭載する電子部品に悪影響を及
ぼす恐れがあるという問題があった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述の問題点を解決する
ために、本発明者らはアルミニウム−セラミックス直接
接合法で作成したＡｌ−セラミックス基板の上の電子部
品搭載部分をショットピーニング法により硬化させたと
ころ、優れたヒートサイクル耐量を有することが確認さ
れ、上述の問題点が解決でき、本発明を提出することが
できた。
ために、本発明者らはアルミニウム−セラミックス直接
接合法で作成したＡｌ−セラミックス基板の上の電子部
品搭載部分をショットピーニング法により硬化させたと
ころ、優れたヒートサイクル耐量を有することが確認さ
れ、上述の問題点が解決でき、本発明を提出することが
できた。
【００１４】すなわち本発明の第１は、セラミックス基
板の少なくとも一主面にアルミニウム材からなる電気導
通及び電子部品搭載のための金属部分を形成した金属−
セラミックス複合基板において、上記金属部分の表面に
ショットピーニング層を形成したことを特徴とする金属
−セラミックス複合基板に関する。
板の少なくとも一主面にアルミニウム材からなる電気導
通及び電子部品搭載のための金属部分を形成した金属−
セラミックス複合基板において、上記金属部分の表面に
ショットピーニング層を形成したことを特徴とする金属
−セラミックス複合基板に関する。
【００１５】本発明の第２は、セラミックス基板の少な
くとも一主面に溶湯アルミニウム材を接合せしめる第１
工程、次いで得られた接合体にショットピーニング処理
を施す第２工程、次いで得られたアルミニウム表面をエ
ッチング処理することにより所定の回路を形成する第３
工程、とから成ることを特徴とする金属−セラミックス
複合基板の製造法に関する。
くとも一主面に溶湯アルミニウム材を接合せしめる第１
工程、次いで得られた接合体にショットピーニング処理
を施す第２工程、次いで得られたアルミニウム表面をエ
ッチング処理することにより所定の回路を形成する第３
工程、とから成ることを特徴とする金属−セラミックス
複合基板の製造法に関する。
【００１６】本発明において使用する基板としては、ア
ルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、
ジルコニア等のセラミックス基板やガラス等であり、こ
の場合、高純度の素材であればなおさらに好ましい。
ルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、
ジルコニア等のセラミックス基板やガラス等であり、こ
の場合、高純度の素材であればなおさらに好ましい。
【００１７】また、本発明でベースとして用いる金属は
アルミニウム又はアルミニウム合金であるが、これによ
り導電性が向上し、且つ、軟らかさを得るものである。
この場合、純度が高い程導電性が向上するが、逆に価格
が高くなるため、本発明では９９．９％（３Ｎ）の純ア
ルミニウムを使用した。
アルミニウム又はアルミニウム合金であるが、これによ
り導電性が向上し、且つ、軟らかさを得るものである。
この場合、純度が高い程導電性が向上するが、逆に価格
が高くなるため、本発明では９９．９％（３Ｎ）の純ア
ルミニウムを使用した。
【００１８】この金属とセラミックス基板との接合は溶
湯接合法で行ない、これにより高い接合強度と未接欠陥
の少ない複合基板が得られる。また、接合雰囲気として
窒素雰囲気下で行なうことができるため、従来法のよう
に真空下で行なう必要がなく製造コストが安くなり、更
に、窒化アルミニウム基板や炭化ケイ素基板にも、表面
改質することなく直接に接合することができる（第１工
程）。
湯接合法で行ない、これにより高い接合強度と未接欠陥
の少ない複合基板が得られる。また、接合雰囲気として
窒素雰囲気下で行なうことができるため、従来法のよう
に真空下で行なう必要がなく製造コストが安くなり、更
に、窒化アルミニウム基板や炭化ケイ素基板にも、表面
改質することなく直接に接合することができる（第１工
程）。
【００１９】セラミックス基板の厚さとアルミニウム金
属の厚さとの関係においては、従来の銅張りのセラミッ
クス複合基板に比べ、金属の厚さを更に厚くする一方、
セラミックス基板の厚さを逆に薄くすることができるた
め、金属／セラミックスの厚さの比は従来品より更に大
きくすることができる。この結果、本発明複合基板の放
熱性及び流れる電流の量は増大することが容易に考えら
れる。
属の厚さとの関係においては、従来の銅張りのセラミッ
クス複合基板に比べ、金属の厚さを更に厚くする一方、
セラミックス基板の厚さを逆に薄くすることができるた
め、金属／セラミックスの厚さの比は従来品より更に大
きくすることができる。この結果、本発明複合基板の放
熱性及び流れる電流の量は増大することが容易に考えら
れる。
【００２０】上記溶湯接合法で得られた金属−セラミッ
クス複合基板の一主面にショットピーニング法でガラス
ビーズ粉を吹き付けて上記一主面を硬化するが、この場
合、吹き付ける粉末としてはガラスビーズ粉の他、銅粉
や鋳物粉を用いても良い。
クス複合基板の一主面にショットピーニング法でガラス
ビーズ粉を吹き付けて上記一主面を硬化するが、この場
合、吹き付ける粉末としてはガラスビーズ粉の他、銅粉
や鋳物粉を用いても良い。
【００２１】上記粉末を吹き付ける圧力としては、時間
との関係にもよるが少なくとも２ｋｇ／ｃｍ2 であれ
ば、目的とする硬化が得られることが確認できた（第２
工程）。
との関係にもよるが少なくとも２ｋｇ／ｃｍ2 であれ
ば、目的とする硬化が得られることが確認できた（第２
工程）。
【００２２】次いで第２工程で得られた複合基板の金属
部分をエッチング処理することにより所定回路を形成す
るが、この場合、金属部分の上に所定回路状にエッチン
グレジストを塗布した後、塩酸第１鉄溶液でエッチング
処理して目的とする電子回路を得る（第３工程）。
部分をエッチング処理することにより所定回路を形成す
るが、この場合、金属部分の上に所定回路状にエッチン
グレジストを塗布した後、塩酸第１鉄溶液でエッチング
処理して目的とする電子回路を得る（第３工程）。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明複合基
板（以下、金属−セラミックス直接接合基板とする）に
ついて詳細に説明する。
板（以下、金属−セラミックス直接接合基板とする）に
ついて詳細に説明する。
【００２４】（実施例１）
【００２５】図３は本発明のアルミニウム−セラミック
ス直接接合基板を製造するための設備の原理図である。
純度９９．９％のアルミニウム２をルツボ６にセットし
てから蓋９をしめて、ケース８の内部に窒素ガスを充填
する。ルツボ６をヒーター７で７５０℃で加熱し、アル
ミニウムを溶化してから、ルツボ６内に設けたガイド一
体型ダイス１０の左側入口からセラミックス基板１とし
て３６ｍｍ×５２ｍｍ×０．６３５ｍｍのアルミナ基板
を順番に挿入した。ルツボ６内に入った該アルミナ基板
にアルミニウム溶湯を接触させ、次いで出口側において
凝固させることによって、厚さ０．５ｍｍのアルミニウ
ム板が両面に接合されたアルミニウム−セラミックス直
接接合基板を得た。
ス直接接合基板を製造するための設備の原理図である。
純度９９．９％のアルミニウム２をルツボ６にセットし
てから蓋９をしめて、ケース８の内部に窒素ガスを充填
する。ルツボ６をヒーター７で７５０℃で加熱し、アル
ミニウムを溶化してから、ルツボ６内に設けたガイド一
体型ダイス１０の左側入口からセラミックス基板１とし
て３６ｍｍ×５２ｍｍ×０．６３５ｍｍのアルミナ基板
を順番に挿入した。ルツボ６内に入った該アルミナ基板
にアルミニウム溶湯を接触させ、次いで出口側において
凝固させることによって、厚さ０．５ｍｍのアルミニウ
ム板が両面に接合されたアルミニウム−セラミックス直
接接合基板を得た。
【００２６】次いで、図４に示すようにアルミニウム−
セラミックス直接接合基板をセラミックス基板受け台１
２上に設置し直径０．２ｍｍのガラスビーズ粉１３を用
い、スプレーガン１１によって表１に示す圧力と時間条
件における吹き付けを行って、金属表面を硬化させた。
バフ研磨を行って金属面を平らな面とした。
セラミックス直接接合基板をセラミックス基板受け台１
２上に設置し直径０．２ｍｍのガラスビーズ粉１３を用
い、スプレーガン１１によって表１に示す圧力と時間条
件における吹き付けを行って、金属表面を硬化させた。
バフ研磨を行って金属面を平らな面とした。
【００２７】
【表１】
【００２８】次いで、該複合基板上のアルミニウム部に
エッチングレジストを加熱圧着し、遮光、現像処理を行
なって所望のパターンを形成した後、塩化第２鉄溶液に
てエッチングを行なって回路５を形成した。更に回路表
面をＺｎ置換して無電解ニッケル−リンメッキ槽内にて
１５分間浸漬して厚さ３μｍのリン１２％含有するＮｉ
層を積層した金属−セラミックス直接接合基板を得た。
エッチングレジストを加熱圧着し、遮光、現像処理を行
なって所望のパターンを形成した後、塩化第２鉄溶液に
てエッチングを行なって回路５を形成した。更に回路表
面をＺｎ置換して無電解ニッケル−リンメッキ槽内にて
１５分間浸漬して厚さ３μｍのリン１２％含有するＮｉ
層を積層した金属−セラミックス直接接合基板を得た。
【００２９】該接合基板のヒートサイクル耐量を調べた
ところ、ヒートサイクル１０００回でもクラックの発生
は見られなかった上、回路面にしわは見られなかった。
ところ、ヒートサイクル１０００回でもクラックの発生
は見られなかった上、回路面にしわは見られなかった。
【００３０】表１の結果から、ショットピーニングによ
り金属面を硬化させるには圧力２〜５ｋｇ／ｃｍ2 の範
囲で吹き付けを行えば良いが、吹き付け時間を変えるこ
とによって適正な硬度を得ることができることが判明し
た。
り金属面を硬化させるには圧力２〜５ｋｇ／ｃｍ2 の範
囲で吹き付けを行えば良いが、吹き付け時間を変えるこ
とによって適正な硬度を得ることができることが判明し
た。
【００３１】（実施例２）
【００３２】セラミックス基板としてアルミナに代えて
窒化アルミニウム板（３６ｍｍ×５２ｍｍ×０．６３５
ｍｍ）を用いた他は、実施例１と同様の手段でアルミニ
ウム−窒化アルミニウム直接接合基板を得た。
窒化アルミニウム板（３６ｍｍ×５２ｍｍ×０．６３５
ｍｍ）を用いた他は、実施例１と同様の手段でアルミニ
ウム−窒化アルミニウム直接接合基板を得た。
【００３３】次いで図１に示すように電子部品搭載部３
より各１ｍｍ幅づつ小さく無電解法によって厚さ３μｍ
のニッケル材４を積層して接合した金属−セラミックス
直接接合基板を得、ヒートサイクル耐量を調べたとこ
ろ、ヒートサイクル３０００回でもクラックの発生は見
られなかった上、回路面にしわは見られなかった。
より各１ｍｍ幅づつ小さく無電解法によって厚さ３μｍ
のニッケル材４を積層して接合した金属−セラミックス
直接接合基板を得、ヒートサイクル耐量を調べたとこ
ろ、ヒートサイクル３０００回でもクラックの発生は見
られなかった上、回路面にしわは見られなかった。
【００３４】（比較例１）
【００３５】比較のため実施例１に示すアルミナ基板を
用いて、厚さ０．３ｍｍの銅板を１０６３℃で直接接合
して得た複合基板にエッチング処理を施して図１に示す
と同一の電子回路を形成した銅−セラミックス基板を
得、実施例同様ヒートサイクル耐量を調べたところ、ヒ
ートサイクル数十回でクラックが発生した。
用いて、厚さ０．３ｍｍの銅板を１０６３℃で直接接合
して得た複合基板にエッチング処理を施して図１に示す
と同一の電子回路を形成した銅−セラミックス基板を
得、実施例同様ヒートサイクル耐量を調べたところ、ヒ
ートサイクル数十回でクラックが発生した。
【００３６】（比較例２）
【００３７】比較のため実施例２に示す窒化アルミニウ
ム基板を用いて、厚さ０．３ｍｍの銅板をＡｇ−Ｃｕ−
Ｔｉ系活性金属ろう材を介して７８０℃で加熱接合して
得た接合基板にエッチング処理を施して図１に示すと同
一の電子回路を形成した銅−セラミックス基板を得、実
施例２と同様ヒートサイクル耐量を調べたところ、ヒー
トサイクル数十回でクラックが発生した。
ム基板を用いて、厚さ０．３ｍｍの銅板をＡｇ−Ｃｕ−
Ｔｉ系活性金属ろう材を介して７８０℃で加熱接合して
得た接合基板にエッチング処理を施して図１に示すと同
一の電子回路を形成した銅−セラミックス基板を得、実
施例２と同様ヒートサイクル耐量を調べたところ、ヒー
トサイクル数十回でクラックが発生した。
【００３８】
【発明の効果】上述のように本発明方法及び装置によっ
て得た金属／セラミックス直接接合基板は、従来の複合
基板では得られなかったヒートサイクル耐量に富み、電
気自動車向けのように大電力パワーモジュール基板とし
て特に好ましいものである。
て得た金属／セラミックス直接接合基板は、従来の複合
基板では得られなかったヒートサイクル耐量に富み、電
気自動車向けのように大電力パワーモジュール基板とし
て特に好ましいものである。
【図１】本発明に係る金属／セラミックス直接接合基板
の模式平面図である。
の模式平面図である。
【図２】図１の金属／セラミックス直接接合基板の側面
図である。
図である。
【図３】本発明複合基板の原理図である。
【図４】本発明におけるショットピーニングの説明図で
ある。
ある。
１ セラミックス基板 ２ アルミニウム ３ 電子部品搭載部 ４ ニッケル材 ５ 回路 ６ ルツボ ７ ヒーター ８ ケース ９ 蓋 １０ ガイド一体型ダイス １１ スプレーガン １２ セラミックス基板受け台 １３ ガラスビーズ粉
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミックス基板の少なくとも一主面に
アルミニウム材からなる電気導通及び電子部品搭載のた
めの金属部分を形成した金属−セラミックス複合基板に
おいて、上記金属部分の表面にショットピーニング層を
形成したことを特徴とする金属−セラミックス複合基
板。 - 【請求項２】 セラミックス基板の少なくとも一主面に
溶湯アルミニウム材を接合せしめる第１工程、 次いで得られた接合体にショットピーニング処理を施す
第２工程、 次いで得られたアルミニウム表面をエッチング処理する
ことにより所定の回路を形成する第３工程、 とから成ることを特徴とする金属−セラミックス複合基
板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26018696A JP3890540B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26018696A JP3890540B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1087385A true JPH1087385A (ja) | 1998-04-07 |
| JP3890540B2 JP3890540B2 (ja) | 2007-03-07 |
Family
ID=17344532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26018696A Expired - Fee Related JP3890540B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3890540B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002305274A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板及びモジュール |
| JP2006173591A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-29 | Mitsubishi Materials Corp | 絶縁回路基板及びこれを備えるパワーモジュール構造体 |
| WO2015141384A1 (ja) * | 2014-03-20 | 2015-09-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR20180052448A (ko) * | 2016-11-10 | 2018-05-18 | 주식회사 아모센스 | 세라믹 기판 및 그 제조 방법 |
| JP2020092134A (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | 三菱電機株式会社 | 基板の製造方法、電力用半導体装置の製造方法、および基板 |
| CN119275104A (zh) * | 2024-12-09 | 2025-01-07 | 南京中江新材料科技有限公司 | 一种金属化陶瓷基板及其制备方法和半导体器件 |
-
1996
- 1996-09-10 JP JP26018696A patent/JP3890540B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002305274A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板及びモジュール |
| JP2006173591A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-29 | Mitsubishi Materials Corp | 絶縁回路基板及びこれを備えるパワーモジュール構造体 |
| WO2015141384A1 (ja) * | 2014-03-20 | 2015-09-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP6090529B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2017-03-08 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US10276474B2 (en) | 2014-03-20 | 2019-04-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR20180052448A (ko) * | 2016-11-10 | 2018-05-18 | 주식회사 아모센스 | 세라믹 기판 및 그 제조 방법 |
| JP2020092134A (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | 三菱電機株式会社 | 基板の製造方法、電力用半導体装置の製造方法、および基板 |
| CN119275104A (zh) * | 2024-12-09 | 2025-01-07 | 南京中江新材料科技有限公司 | 一种金属化陶瓷基板及其制备方法和半导体器件 |
| CN119275104B (zh) * | 2024-12-09 | 2025-03-28 | 南京中江新材料科技有限公司 | 一种金属化陶瓷基板及其制备方法和半导体器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3890540B2 (ja) | 2007-03-07 |
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