JPH1088207A

JPH1088207A - 銀粉およびその製造方法

Info

Publication number: JPH1088207A
Application number: JP8263601A
Authority: JP
Inventors: Tokuaki Nogami; 徳昭野上; Takayuki Sawai; 孝行澤井; Toshimune Itabashi; 利宗板橋
Original assignee: Dowa Hightech Co Ltd; Dowa Mining Co Ltd
Current assignee: Dowa Holdings Co Ltd; Dowa Hightech Co Ltd
Priority date: 1996-09-12
Filing date: 1996-09-12
Publication date: 1998-04-07
Anticipated expiration: 2016-09-12
Also published as: JP4012960B2

Abstract

(57)【要約】【課題】還元前に反応液に分散剤を加える従来の方法
のように、添加量によって未還元反応が生じたり、分散
剤の種類、量が限定されたりすることがなく、しかも分
散性の優れた銀粉が得られる銀粉製造方法とその銀粉の
提供。【解決手段】銀錯体塩もしくは酸化銀の一方または両
者を含有する水性反応系に還元剤含有水溶液を１当量／
分以上の速度で添加して還元後、銀粉含有スラリーを濾
過、水洗して得られた含水率２０〜８０％のウエットケ
ーキを混合機で混合砕解するか、混合機中で分散剤とと
もに混合砕解して製造された本発明の銀粉は、タップ密
度２ｇ／ｃｍ³以上、レーザー回折法平均粒径が０．１
〜５μｍ、かつ比表面積が５ｍ²／ｇ以下という分散性
に優れた特性を有しており、この銀粉をぺースト化後、
例えばメンディングテープ２を貼った９６％アルミナ基
板１上にペースト３を盛り、ガラス棒４で引き延ばして
印刷し、テープ剥離後、ペースト塗膜５を乾燥すると、
表面あらさＲａが２μｍ以下、塗膜密度４．５ｇ／ｃｍ
³以上の特性が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、還元析出法により
得られる銀粉の製造方法および当該方法により製造され
る銀粉に関する。詳しくは、コンデンサ用内部電極また
は回路基板導体パターンなどの電子部品に好適に使用さ
れる銀粉の製造方法および当該方法により製造される銀
粉に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、積層コンデンサの内部電極または
回路導体パターンなどに、銀粉をガラスフリットととも
に有機ビヒクル中に加え混練して製造される銀ペースト
が使用されており、このようなペーストのための銀粉に
は、粒子径が適当に小さく、粒度が揃っていることが要
求されている。上記の銀粉の製造には、銀塩含有水溶液
にアルカリを加え、酸化銀を生成させ、さらに還元剤を
加えることで銀粉を製造する方法、もしくは銀塩含有水
溶液に錯化剤を加え錯体を生成させ、さらに還元剤を加
えることで銀粉を得る方法が用いられている。

【０００３】しかしながら、これらの方法で製造された
銀粉は凝集が激しく、ファインライン化が進む導体パタ
ーンや積層セラミックコンデンサの内部電極の薄膜化に
対応できないという欠点があった。そのため、得られる
銀粉をより凝集の少ないものとすべく改善が行われ、そ
れらの研究成果が例えば特開昭４９−１１３７５４号公
報、特開昭５２−５４６６１号公報、特開昭５４−１２
１２７０号公報および特開昭６１−２４３１０５号公報
などに開示されている。

【０００４】すなわち、特開昭４９−１１３７５４号公
報には、銀塩水溶液に苛性アルカリを加え、酸化銀を生
成させ、界面活性剤を加えて酸化銀を分散させた後に還
元する方法が開示され、酸化銀が生成したところで界面
活性剤を加えることで特性のばらつきの少ない均質な銀
粉が得られると記載されている。特開昭５２−５４６６
１号公報には、銀塩溶液をアミンの存在下でヒドラジン
で還元して銀粉を製造する際にアミンの種類および添加
量を変えることで銀粉の比表面積を調整する方法が開示
され、アミンの存在はヒドラジンの強い還元力を弱め不
均一反応を防止する効果があると記載されている。

【０００５】特開昭５４−１２１２７０号公報には、硝
酸銀溶液とホルマリンの混合水溶液に析出銀量に対して
０．１〜５重量％の脂肪酸を添加攪拌し、これにアルカ
リ性溶液を添加して、銀粉末を析出させる方法が開示さ
れ、還元反応により銀微粒子が析出した時点で、脂肪酸
が銀微粒子を被覆することで微細で分散した銀粉が得ら
れると記載されている。特開昭６１−２４３１０５号公
報には、疎水性反応槽内で還元剤を用いてアンモニア性
硝酸銀錯体溶液を還元して、銀微粒子を製造する方法に
おいて、反応溶液中にカチオン系界面活性剤を添加する
ことで、単分散した銀微粒子を得る方法が開示され、疎
水性反応槽を使用する理由は、親水性の場合、析出反応
が容器の壁面で起こるために凝集した粒度分布の幅の広
い銀粒子しか得られないと記載している。また反応溶液
中にカチオン系界面活性剤を添加する理由は、アンモニ
ア性硝酸銀錯体溶液を還元することによって、水溶液中
に析出した銀微粒子が凝集しないで単分散状態を保つよ
うにするためと記載されている。この方法と同様にし
て、特開昭６１−２７６９０４号公報にはアニオン系界
面活性剤を、特開昭６１−２７６９０５号公報には、ノ
ニオン系界面活性剤を、特開昭６１−２７６９０６号公
報には両性界面活性剤を、特開昭６１−２７６９０７号
公報には保護コロイドを用いた方法が記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来技術の中には、界面活性剤や脂肪酸、アミン等
を反応液中に添加する方法となっていたため、特開昭４
９−１１３７５４号公報および特開昭６１−２４３１０
５号公報、特開昭６１−２７６９０４号公報から特開昭
６１−２７６９０７号公報の方法では、使用する界面活
性剤の種類によっては、反応溶液のｐＨや共存するイオ
ンにより、分散効果が不十分もしくは効果が現れない場
合があり、使用できる界面活性剤の種類が限定されてし
まい、また銀粉表面への厳密な被覆量を制御するのは困
難であり、特開昭５４−１２１２７０号公報の方法で
は、脂肪酸の添加量が多い場合に未還元反応になった
り、また分散剤が脂肪酸に限定されてしまい、特開昭５
２−５４６６１号公報の場合は、アミンの添加により比
表面積を調整する方法であり、分散性の良い銀粉は得ら
れないという課題があった。したがって本発明の目的
は、還元前に反応液に分散剤を加える従来の銀粉製造方
法のように、添加量によって未還元反応が生じたり分散
剤の種類、量が限定されたりすることがなく、しかも分
散性の優れた銀粉が得られる銀粉の製造方法とそれによ
り得られる銀粉を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成するために鋭意研究した結果、銀錯体（銀塩）もし
くは酸化銀の一方または両者を含有する水溶液あるいは
水性懸濁液あるいは両者の混合体からなる水性反応系に
還元剤含有水溶液を加える際、還元された銀粒子の凝集
を防ぐために還元剤含有水溶液の添加速度を速くし、１
当量／分以上の速度で添加し、得られた銀粉含有スラリ
ーを濾過、水洗して含水率２０〜８０％のウエットケー
キとし、このウエットケーキを混合機中で混合砕解する
か、あるいは混合機中で分散剤とともに混合砕解すれ
ば、前記課題が解消されて優れた分散性を有する銀粉が
得られることを見いだし本発明に到達した。

【０００８】すなわち本発明は第１に、銀塩と酸化銀の
少なくとも一方を含有する水性反応系に還元剤含有水溶
液を添加し銀粒子を還元析出させる銀粉の製造方法にお
いて、銀粒子の還元析出後の析出銀粒子含有水性反応系
を濾過してウエットケーキとし、該ウエットケーキを砕
解することを特徴とする銀粉の製造方法：第２に、前記
ウエットケーキの含水率が２０〜８０％であることを特
徴とする前記第１記載の銀粉の製造方法：第３に、前記
ウエットケーキに分散剤を添加することを特徴とする前
記第１または第２のいずれかに記載の銀粉の製造方法：
第４に、前記分散剤として、脂肪酸、脂肪酸塩、界面活
性剤、有機金属、および保護コロイドのいずれか１種以
上が選択使用されることを特徴とする前記第３記載の銀
粉の製造方法：第５に、前記還元剤含有水溶液の添加速
度が含有銀量に対し１当量／分以上であることを特徴と
する前記第１〜第４のいずれかに記載の銀粉の製造方
法：第６に、前記第１〜第５のいずれかに記載の方法で
製造された銀粉であって、該銀粉のタップ密度が２ｇ／
ｃｍ³以上、レーザー回折法平均粒径が０．１〜５μ
ｍ、かつ比表面積が５ｍ²／ｇ以下であることを特徴と
する銀粉：第７に、前記銀粉がペースト化された際、セ
ラミックス基板上に印刷された塗膜において、表面あら
さＲａが２μｍ以下、塗膜密度が４．５ｇ／ｃｍ³以上
であり、かつ該塗膜を大気中で焼成して得られる焼成膜
において、表面あらさＲａが２μｍ以下、焼成膜密度が
１０ｇ／ｃｍ³以上の特性をもたらす前記第６記載の銀
粉：第８に、前記第１〜第５のいずれかに記載の方法で
製造された銀粉を用いたペーストのセラミックス基板上
に印刷された塗膜において、表面あらさＲａが２μｍ以
下、塗膜密度が４．５ｇ／ｃｍ³以上であり、かつ該塗
膜を大気中で焼成して得られる焼成膜において、表面あ
らさＲａが２μｍ以下、焼成膜密度が１０ｇ／ｃｍ³以
上となることを特徴とするペースト、を提供するもので
ある。

【０００９】

【発明の実態の形態】本発明の製造方法の特徴は、還元
工程において銀イオン（銀塩）または酸化銀を含む水性
反応系に還元剤水溶液を１当量／分以上の速度で添加す
ること、あるいは反応系内における銀の還元反応すなわ
ち銀粉の生成反応が１分以内程度で終了するようにする
こと、および還元析出した銀粉を濾過水洗後、含水率２
０〜８０％のウエットケーキとして、乾燥せずに混合機
により砕解すること、さらに分散剤の添加は上記砕解の
際に添加することにある。本発明における製造方法で、
銀粉に還元する前の銀の形態は特に限定するものではな
い。具体的には、銀錯体塩含有水溶液の場合は硝酸銀水
溶液に錯化剤を加えて得られるので、錯化剤にはアンモ
ニア水、アンモニウム塩、キレート化合物等が使用でき
る。一方酸化銀含有水性懸濁液の場合は硝酸銀水溶液に
アルカリ例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなど
の水酸化物の添加により得ることができる。また、こう
して得られた銀錯体塩含有水溶液もしくは酸化銀含有水
性懸濁液を混合してから還元しても何ら差し支えない。

【００１０】次に還元剤であるが、水溶液中の酸化還元
反応を利用して、銀粉を製造する公知の方法で用いる還
元剤であれば何ら問題はない。具体例としては、ヒドラ
ジン、ヒドラジン化合物、ホルマリン、ぶどう糖、水素
化ほう酸ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、亜硫酸
塩、ギ酸、ギ酸ナトリウム、無水亜硫酸ナトリウム、Ｌ
（＋）酒石酸、ギ酸アンモニウム、ロンガリット、Ｌ−
アスコルビン酸またはこれらの混合物である。そしてこ
れらの還元剤のうち固体状のものは水溶液として使用す
る。したがって使用の際には水溶液とした際に分解して
しまう物質については、溶液ｐＨをアルカリ側にするな
どの処理が必要である。還元時の温度については２０〜
８０℃の温度範囲で行うのが望ましい。還元剤の添加方
法については、銀粉の凝集を防ぐために、還元剤含有水
溶液を１当量／分以上の速さあるいは反応当量の還元剤
が１分以内に反応系全体に行きわたる速さで添加するよ
うにする。還元剤が添加される水性反応系の大きさが実
操業で使用する反応槽程度の大きさのものである限り、
その反応系の大きさによって厳密に添加速度を変更する
必要はなく１当量／分以上の速度で添加すれば効果があ
ることが確認された。この操作の理由は定かではない
が、還元剤を短時間で添加することで、銀粒子への還元
析出が一挙に生じ、短時間で還元反応が終了するために
発生した核同士の凝集が生じにくく、分散性が向上する
ものと考えられる。また還元の際には、より短時間で反
応が終了するように反応液を撹拌することが好ましい。

【００１１】還元、析出により得られた銀粉含有水溶液
は、濾過水洗により銀粉からなる含水率２０〜８０％の
ウエットケーキとする。濾過の方法は固液分離に使用さ
れる方法であれば問題ない。例を挙げると遠心濾過機、
フィルタープレス、ブフナー漏斗などである。ウェット
ケーキの含水率を２０〜８０％と限定した理由は、含水
率２０％未満であると得られるケーキが固くなり、後工
程の砕解が効率悪くなるためであり、含有率８０％を越
えても、後工程の砕解が効率が下がるためである。こう
して得たウェットケーキ混合機により砕解する工程に通
すことより、分散性の優れた銀粉が得られる。分散剤を
添加しても添加しなくてもよいが、分散剤を添加混合す
ることにより分散効果が大きくなり、より好ましい結果
を得ることができる。

【００１２】ここで使用する混合機には、固液混合に使
用される混合機か固体の粉砕に使用される混合粉砕機な
どがある。ここで使用する分散剤の種類については、あ
らゆる種類が使用できるが、好適に用いることができる
のは、脂肪酸、脂肪酸塩、脂肪酸または脂肪酸塩のエマ
ルジョン、陽イオン界面活性剤、陰イオン界面活性剤、
両性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、有機金属、保
護コロイドのいずれかであり、１種以上選択できる。添
加量については特に限定するものではなく、銀粉の用途
に合わせ適量添加すればよい。混合機により砕解された
ウェットケーキは、濃度の高い銀粉含有スラリーとなっ
ており、さらにこれを濾過、水洗することで、分散剤で
表面が被覆された銀粉ウェットケーキが得られる。濾
過、水洗の方法は先にも述べた通り、通常の固液分離に
使用する装置を用いれば何ら問題はない。こうして得ら
れた銀粉ウェットケーキは乾燥工程を経て銀粉となる。
乾燥方法については公知の方法および設備を用いれば良
く、雰囲気も特に限定されるものではない。乾燥温度は
８０℃以下が好ましい。

【００１３】これら工程を通して製造された銀粉は、タ
ップ密度が２ｇ／ｃｍ³以上、レーザー回折法による平
均粒径が０．１〜５μｍ、比表面積が５ｍ²／ｇ以下の
物性を有するものである。タップ密度はＪＩＳＫ５１
０１−１９９１の２０．２のタップ法に準じた方法によ
り測定した。タッピング回数は１，０００回である。従
来方法により製造した銀粉は分散性が不十分であり、こ
の方法で測定したタップ密度は２ｇ／ｃｍ ³未満である
のに対し、本発明により得られる銀粉は単分散により近
い状態のためタップ密度は２ｇ／ｃｍ³以上となる。銀
粉の平均粒径については、レーザー回折法により測定し
ており、装置は島津製作所製レーザー回折式粒度測定機
ＳＡＬＤ−１１００を用いた。分散媒は、ヘキサメタリ
ン酸ナトリウムを蒸留水に溶解し、０．２％水溶液とし
て用いた。また測定時に分散媒５０ｍｌ当り１滴の家庭
用液体洗剤を加えている。測定時の屈折率はＡ３であ
る。この方法で測定した場合、本発明により得られた銀
粉は平均粒径０．１〜５μｍとなるのに対し、従来法に
よる銀粉は５μｍを越える値となり分散性が劣ってい
る。比表面積はＢＥＴ法で測定した。本発明法で製造し
た銀粉は５ｍ²／ｇ以下となる。上記特性を持つ銀粉
を、その主用途であるペーストとして評価すると、その
銀粉の優れた面を知ることができる。

【００１４】ペースト化の方法については、公知の例に
従って実施すれば、特に問題はない。ここではハイブリ
ッドＩＣなどの導体パターン形成に使用される厚膜銀ペ
ーストを例とする。まずペーストに使用するビヒクルで
あるが、一般的には各種セルロース、アクリル樹脂、フ
ェノール樹脂、アルキッド樹脂などを、アルコール系、
エステル系、エーテル系、炭化水素等の溶剤に溶解した
ものが用いられる。また導体パターンとアルミナ基板な
どのセラミック基板を結着するために、各種無機バイン
ダーがペーストに添加される。無機バインダーとして
は、酸化銅、酸化ビスマスといった金属酸化物や、ガラ
スを微細に粉砕したガラスフリットといわれるものが用
いられる。

【００１５】評価のための試験においては、上記ペース
ト構成物の多くの組み合わせの中より、極く一般的な組
成でペーストを調製し、銀粉の評価を行った。ビヒクル
は４５ｃｐのエチルセルロースをターピネオールに溶解
し、１０％溶液を調製した。このビヒクルと日本電気ガ
ラス製ＧＡ−８ガラス粉および銀粉を次の組成となるよ
うに秤量する。ビヒクルは３７．４％、銀粉６１％、６Ａ−８ガラス粉
１．６％これらペースト構成物をビーカー中で予備混合後、３本
ロールにて分散、ペーストを得る。図１は銀粉のペース
ト化後の印刷方法を示した斜視図で、同図ａはメンディ
ングテープを貼った基板上にペーストを引き延ばしてＥ
Ｄ印刷する様子を、同図ｂは基板上に印刷されたペース
ト塗膜を示す。すなわち、このペースト３をメンディン
グテープ２を一定間隔で平行に貼った９６％アルミナ基
板１上に盛り、ガラス棒４でペーストを引き延ばして印
刷し、テープ剥離後、ペースト塗膜５を１０分間のレべ
リング後、熱風循環乾燥機で１５０℃、１０分の乾燥を
行う。

【００１６】乾燥させた塗膜は次の方法により評価し
た。表面あらさは触針式表面あらさ計で測定できるが、
ここでは（株）ミツトヨ製Ｓｕｒｆｔｅｓｔ−５０１を
用いて測定した。測定モードはＲａとし、測定レンジ８
０μｍ、カットオフ値０．３ｍｍ、測定区間３とした。
塗膜密度は次の方法により測定した。塗膜の厚さは日本
真空技術株式会社製ＤＥＫＴＡＫIIＡ表面あらさ計によ
り測定したが、同様の測定機構を持つ装置であれば問題
はない。塗膜の幅と長さはノギスにより測定した。塗膜
の重さは印刷前に基板の重さを測定しておき、ペースト
を印刷、乾燥後の（基板＋塗膜）の重さを測定し、それ
らの差から求めた。そして次式により塗膜密度を求め
た。Ｄ＝（ｗ₂−ｗ₁）／Ａ×Ｂ×ＴここではＤは塗膜密度（ｇ／ｃｍ³）、ｗ₁は基板の重
さ（ｇ）、ｗ₂は（基板＋塗膜）の重さ（ｇ）、Ａは塗
膜の幅（ｃｍ）、Ｂは塗膜の長さ（ｃｍ）、Ｔは塗膜の
厚さ（ｃｍ）である。

【００１７】これらの方法により銀粉を評価したところ
次のことを見いだした。分散性の優れた銀粉を用いたペ
ーストの塗膜はＲａが２μｍ以下となり、特に優れた銀
粉は０．７μｍ以下と小さい値を示し、かつ塗膜密度Ｄ
は４．５ｇ／ｃｍ³以上の値を示し、緻密な塗膜になる
のである。このように緻密でしかも表面が滑らかな塗膜
は、タップ密度２ｇ／ｃｍ³以上、レーザー回折法によ
る平均粒径０．１〜５μｍで、比表面積５ｍ²／ｇ以下
の銀粉から得られることは言うまでもない。また、この
ような特性を持つ塗膜は焼成により銀導体パターンとし
た際にも、優れた特性を示すことを見いだした。この塗
膜に、大気中でベルト炉により８５０℃、７分の焼成を
施し、焼成膜を得る。そして塗膜と同様の方法により、
焼成膜の表面あらさＲａ、焼成膜密度を測定した。その
結果、焼成膜Ｒａは２μｍ以下で、特に分散性の優れた
銀粉を用いた場合、０．８μｍ以下となった。また焼成
膜密度においても１０ｇ／ｃｍ³以上の緻密な膜を得る
ことができる。

【００１８】このように、塗膜密度が高く、焼成膜密度
も高くなる銀粉を用いることは、焼成によるパターンの
収縮率の低減または各種基板や素材との収縮率の整合性
を高め、その結果として得られる応用製品の歩留りの上
昇と高特性化に大きく寄与することとなり、銀粉の分散
剤の種類、添加量によりペースト塗膜の収縮率を制御で
きる点も本発明の製造方法の特徴であり、銀粉の特徴で
もある。以下実施例により本発明をさらに詳細に説明す
る。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制限され
るものではない。

【００１９】

【実施例１】銀イオンとして２０ｇ／ｌの硝酸銀水溶液
２０００ｍｌに、２５％アンモニア水１５０ｍｌを加
え、銀アンミン錯体水溶液を得た。この水溶液を液温２
０℃とし、攪拌しながら３７％ホルマリン水溶液４５ｍ
ｌを４０秒間で加え、銀粉を析出させ銀粉含有スラリー
を得た。このスラリーをブフナー漏斗で濾過水洗し、含
水率５５％のウェットケーキを得た。このウエットケー
キと銀粉の重量に対して１％分の東邦化学工業（株）会
社製非イオン性陰イオン界面活性剤ＧＡＦＡＣＲＡ−６
００を卓上ブレンダーミル内で約６０秒混合砕解した、
その後、再びブフナー漏斗にて濾過、水洗し、さらに大
気中７０℃、２４時間乾燥して銀粉を得た。得られた銀
粉はタップ密度２．８ｇ／ｃｍ³、レーザー回折法平均
粒径３．０μｍ、比表面積０．７ｍ²／ｇであった。さ
らにこの粉末をペースト化し、評価を行った。方法は前
項「発明の実施の形態」の項で記述した方法である。そ
の結果、塗膜密度は４．７ｇ／ｃｍ³、塗膜Ｒａ＝１．
７μｍ、焼成膜密度１０．５ｇ／ｃｍ³、焼成膜Ｒａ＝
１．３５μｍで、塗膜密度、焼成膜密度とも良好な結果
が得られた。

【００２０】

【実施例２】銀イオン濃度として８０ｇ／ｌの硝酸銀水
溶液２０００ｍｌを温度２５℃とした後に、攪拌しなが
ら、１００ｇ／ｌの水酸化ナトリウム水溶液８００ｍｌ
を加え、酸化銀スラリーを得た。このスラリーに３７％
ホルマリン溶液１４０ｍｌを５０秒間で添加して銀粒子
へ還元し、得られた銀粉含有スラリーをブフナー漏斗で
濾過、水洗し、含水率４０％のウェットケーキを得た。
次いで中京油脂（株）会社製のステアリン酸をエマルジ
ョン化したセロゾール９２０を銀量に対し、１重量％分
用意し、先のウェットケーキとともに卓上ブレンダーミ
ル内で６０秒混合砕解した。こうして得た混合物をブフ
ナー漏斗で濾過、水洗し、大気中で７０℃２４時間の乾
燥を行った。得られた銀粉はタップ密度３．２ｇ／ｃｍ
³、レーザー回折法平均粒径１．０μｍ、比表面積１．
５ｍ²／ｇで分散性に優れたものであった。さらにこの
粉末をペースト化し評価を行った。方法は前項「発明の
実施の形態」の項で記述した方法である。その結果、塗
膜密度は５．３ｇ／ｃｍ³、塗膜Ｒａ＝０．５μｍ、焼
成膜密度１０．７ｇ／ｃｍ³、焼成膜Ｒａ＝０．４μｍ
という緻密で表面平滑性に優れたものであった。

【００２１】

【比較例】銀イオン濃度として６０ｇ／ｌの硝酸銀水溶
液２０００ｍｌを温度２５℃として、２００ｇ／ｌの水
酸化ナトリウム６００ｍｌを加え、酸化銀スラリーを得
た。さらに３７％ホルマリン溶液１４０ｍｌを１４ｍｌ
／ｍｉｎの添加速度で１０分間加え酸化銀粒子を銀粒子
へ還元した。その後、ブフナー漏斗で濾過、水洗し、７
０℃、２４時間の乾燥を行い、銀粉を得た。こうして得
られた銀粉はタップ密度１．０ｇ／ｃｍ³、レーザー回
折法平均粒径１５．０μｍ、比表面積０．９ｍ²／ｇで
分散性の劣るものであった。この銀粉を実施例と同じ方
法でペースト化し、評価したところ、、塗膜密度は３．
０ｇ／ｃｍ³、塗膜Ｒａ＝２．５μｍ、焼成膜密度７．
５ｇ／ｃｍ³、焼成膜Ｒａ＝２．１μｍと緻密化の進ん
でいない状態であった。

【００２２】

【発明の効果】以上説明したように、還元前に反応液に
分散剤を添加する従来法では添加量によって未還元反応
を生じる場合があり、分散剤の種類、量が限定されてし
まうのにの対し、本発明の方法によれば、還元剤含有水
溶液の添加速度を１当量／分以上とし、得られた銀粉含
有スラリーを濾過、水洗して含水率２０〜８０％のウエ
ットケーキとし、これを混合機中で混合砕解するか、混
合機中で分散剤とともに混合砕解するので、分散性に優
れた銀粉がえられ、ペースト化して回路基板の導体パタ
ーン等に好適な塗膜または焼成膜とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】銀粉のペースト化後の印刷方法を示した斜視図
で、同図ａはメンディングテープを一定間隔で平行に貼
った基板上にペーストを引き延ばして印刷する様子を、
同図ｂは基板上に印刷された塗膜を示す図である。

【符号の説明】

１９６％アルミナ基板２メンディングテープ３ペースト４ガラス棒５ペースト塗膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者板橋利宗東京都千代田区丸の内１丁目８番２号同和ケミカル株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】銀塩と酸化銀の少なくとも一方を含有す
る水性反応系に還元剤含有水溶液を添加し銀粒子を還元
析出させる銀粉の製造方法において、銀粒子の還元析出
後の析出銀粒子含有水性反応系を濾過してウエットケー
キとし、該ウエットケーキを砕解することを特徴とする
銀粉の製造方法。
【請求項２】前記ウエットケーキの含水率が２０〜８
０％であることを特徴とする請求項１記載の銀粉の製造
方法。
【請求項３】前記ウエットケーキに分散剤を添加する
ことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の
銀粉の製造方法。
【請求項４】前記分散剤として、脂肪酸、脂肪酸塩、
界面活性剤、有機金属、および保護コロイドのいずれか
１種以上が選択使用されることを特徴とする請求項３記
載の銀粉の製造方法。
【請求項５】前記還元剤含有水溶液の添加速度が含有
銀量に対し１当量／分以上であることを特徴とする請求
項１〜４のいずれかに記載の銀粉の製造方法。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の方法で
製造された銀粉であって、該銀粉のタップ密度が２ｇ／
ｃｍ³以上、レーザー回折法平均粒径が０．１〜５μ
ｍ、かつ比表面積が５ｍ²／ｇ以下であることを特徴と
する銀粉。
【請求項７】前記銀粉がペースト化された際、セラミ
ックス基板上に印刷された塗膜において、表面あらさＲ
ａが２μｍ以下、塗膜密度が４．５ｇ／ｃｍ³以上であ
り、かつ該塗膜を大気中で焼成して得られる焼成膜にお
いて、表面あらさＲａが２μｍ以下、焼成膜密度が１０
ｇ／ｃｍ³以上の特性をもたらす請求項６記載の銀粉。
【請求項８】請求項１〜５のいずれかに記載の方法で
製造された銀粉を用いたペーストであって、該ペースト
のセラミックス基板上に印刷された塗膜において、表面
あらさＲａが２μｍ以下、塗膜密度が４．５ｇ／ｃｍ³
以上であり、かつ該塗膜を大気中で焼成して得られる焼
成膜において、表面あらさＲａが２μｍ以下、焼成膜密
度が１０ｇ／ｃｍ³以上となることを特徴とするペース
ト。