JPH1088349A - Vapor phase growth equipment - Google Patents
Vapor phase growth equipmentInfo
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- JPH1088349A JPH1088349A JP24618896A JP24618896A JPH1088349A JP H1088349 A JPH1088349 A JP H1088349A JP 24618896 A JP24618896 A JP 24618896A JP 24618896 A JP24618896 A JP 24618896A JP H1088349 A JPH1088349 A JP H1088349A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 長期間安定に原料ガス供給装置を使用できる
ような気相成長装置を提供する。
【解決手段】 次の〜を具えた気相成長装置とす
る。内部を真空に保持した状態で基板に対して膜の形
成を行う反応室１１。反応室１１に、膜の原料である
ガスを供給する原料ガス供給系１３。この原料ガス供給
系１３は、液相の原料を溜めておく原料液収納部１３ｂ
と、この原料液収納部１３ｂから供給された液相の原料
を気化する原料ガス供給装置１３ａとで少なくとも構成
されている。原料ガス供給装置１３ａを洗浄するため
の洗浄系１５。洗浄系１５は、例えば洗浄液収納部１５
ａと、高圧不活性ガス導入部１５ｂとを少なくとも具え
ている。
(57) [Problem] To provide a vapor phase growth apparatus that can use a source gas supply apparatus stably for a long period of time. The present invention provides a vapor phase growth apparatus having the following. A reaction chamber 11 in which a film is formed on a substrate while the inside is kept in a vacuum; A raw material gas supply system 13 that supplies a gas that is a raw material for the film to the reaction chamber 11. The raw material gas supply system 13 includes a raw material liquid storage unit 13b for storing a liquid phase raw material.
And a raw material gas supply device 13a for vaporizing the liquid phase raw material supplied from the raw material liquid storage section 13b. A cleaning system 15 for cleaning the source gas supply device 13a. The cleaning system 15 includes, for example, a cleaning liquid storage unit 15.
a and a high-pressure inert gas introduction part 15b.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、常温常圧で液体
または固体である原料を用いて基板に対し膜形成を行う
気相成長装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vapor phase growth apparatus for forming a film on a substrate by using a liquid or solid raw material at normal temperature and normal pressure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスや各種電子部品等を製作
する際に行われる、配線膜や絶縁膜等の薄膜の形成に様
々な方法が採用されているなか、今後のデバイスの微細
化に対応可能な方法として、ＣＶＤ法（Chemical Vapor
Deposition ：化学気相成長法）の研究が進んでいる。2. Description of the Related Art Various methods have been adopted for forming thin films such as wiring films and insulating films in producing semiconductor devices and various electronic parts. An important method is CVD (Chemical Vapor).
Deposition (chemical vapor deposition) is being studied.
【０００３】このうち、窒化チタン（ＴｉＮ）膜や銅
（Ｃｕ）膜のような薄膜を比較的良好な被覆性で作製す
る方法として、有機金属化合物や有機金属錯体を原料と
して用いたＣＶＤ技術が注目されている。この方法で
は、例えばテトラキスジメチルアミノチタン（以下、Ｔ
ＤＭＡＴ）のような有機金属化合物や、ヘキサフルオロ
アセチルアセトナート・トリメチルビニルシラン・銅
（以下、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）とも記載す
る。）のような有機金属錯体を原料とし、この原料を反
応室内に送り込んで所定の温度に加熱し、所定の熱化学
反応を生じさせることにより、基板（成膜対象物）に所
定の薄膜を形成する。Among them, as a method for producing a thin film such as a titanium nitride (TiN) film or a copper (Cu) film with a relatively good covering property, a CVD technique using an organometallic compound or an organometallic complex as a raw material is known. Attention has been paid. In this method, for example, tetrakisdimethylaminotitanium (hereinafter referred to as T
An organic metal compound such as DMAT) or an organic metal complex such as hexafluoroacetylacetonate / trimethylvinylsilane / copper (hereinafter also referred to as Cu (hfac) (tmvs)) is used as a raw material, and this raw material is used in a reaction chamber. And heated to a predetermined temperature to cause a predetermined thermochemical reaction to form a predetermined thin film on the substrate (film formation target).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述したような有機金
属化合物または有機金属錯体は、常温常圧で液体または
固体である場合が多い。このため、原料を溜めたボンベ
内で原料を加熱したり、バブリング法を用いたりするこ
とにより気化させて反応室に供給する（導入する）のが
普通であった。しかし、これらの方法では、ボンベ内に
残留する原料の量によって熱容量が異なるために、反応
室に所定の気化原料を安定して供給することが難しかっ
た。The above-mentioned organometallic compound or organometallic complex is often liquid or solid at normal temperature and normal pressure. For this reason, the raw material is generally vaporized and supplied (introduced) to the reaction chamber by heating the raw material in a cylinder storing the raw material or by using a bubbling method. However, in these methods, since the heat capacity varies depending on the amount of the raw material remaining in the cylinder, it has been difficult to stably supply a predetermined vaporized raw material to the reaction chamber.
【０００５】このため、上述したようなボンベを用いる
方法ではなく、近年では、液相（液体状態）の原料を溜
めておく原料液収納部と、原料液収納部から供給された
液相の原料を気化する原料ガス供給装置とで少なくとも
構成される気相成長装置が開発されてきている（特願平
７−９６１６８参照）。原料ガス供給装置は、原料液収
納部から供給されたある程度の量の原料液を一旦溜めて
おく原料容器と、原料容器から配管を介して少しずつ供
給される原料液を気化する気化器とを具えている。この
ような構成の気相成長装置（以下、単に装置ともい
う。）とすれば、原料液を少しずつ気化させることがで
き、前述の熱容量に伴う問題が解消して、所定量の気化
原料を安定して供給することが可能である。For this reason, instead of using a cylinder as described above, in recent years, a raw material liquid storage section for storing a liquid phase (liquid state) raw material, and a liquid phase raw material supplied from the raw material liquid storage section A vapor phase growth apparatus including at least a raw material gas supply apparatus for vaporizing gas has been developed (see Japanese Patent Application No. 7-96168). The raw material gas supply device includes a raw material container for temporarily storing a certain amount of the raw material liquid supplied from the raw material liquid storage unit, and a vaporizer for vaporizing the raw material liquid gradually supplied from the raw material container via a pipe. I have it. With a vapor phase growth apparatus having such a configuration (hereinafter, also simply referred to as an apparatus), the raw material liquid can be vaporized little by little, and the problem associated with the heat capacity described above can be solved. Stable supply is possible.
【０００６】このような装置を立ち上げるときには、原
料ガス供給装置（以下、単に供給装置ともいう。）内の
大気を取り除くために、供給装置に対して不活性ガスに
よるパージと排気とを繰り返した後に、原料を供給装置
の原料容器内に導入し、成膜を開始していた。[0006] When starting up such an apparatus, purging with an inert gas and evacuation of the supply apparatus were repeated in order to remove the atmosphere in the source gas supply apparatus (hereinafter, also simply referred to as a supply apparatus). Later, the raw material was introduced into the raw material container of the supply device, and the film formation was started.
【０００７】しかし、このような前処理を施しても供給
装置内部の大気を充分に取り除くことは難しく、用いる
原料によっては大気中の水分と反応して生成物を形成す
る場合がある。このため、装置を使用していくうちに、
この生成物に起因して成膜速度や成膜特性の低下等の経
時変化が見られたり、供給装置内部で詰まり等のトラブ
ルが発生したりするおそれがある。詰まりが発生すると
原料の反応室への供給が停止するため、成膜も中断され
てしまう。この場合、気相成長装置から供給装置を取り
外してメンテナンスを行うことになるが、生成物の完全
な除去は難しく、生成物が供給装置に残存してしまうと
再利用できる可能性が少ない。However, even if such a pretreatment is performed, it is difficult to sufficiently remove the atmosphere inside the supply device, and depending on the raw material used, it may react with moisture in the atmosphere to form a product. For this reason, as you use the device,
Due to this product, there is a possibility that a temporal change such as a decrease in a film forming speed or a film forming characteristic may be observed, or a trouble such as clogging may occur in the supply device. When the clogging occurs, the supply of the raw material to the reaction chamber is stopped, so that the film formation is interrupted. In this case, maintenance is performed by removing the supply device from the vapor phase growth apparatus, but it is difficult to completely remove the product, and if the product remains in the supply device, there is little possibility of reuse.
【０００８】したがって、原料を大気に触れさせること
なく安定に反応室に供給することができ、成膜速度や成
膜特性の低下等の経時変化のおそれが少なく、長期間安
定にガス原料供給装置を使用できるような気相成長装置
が望まれていた。Accordingly, the raw material can be stably supplied to the reaction chamber without being exposed to the atmosphere, there is little possibility of a change with time such as deterioration of the film forming speed and film forming characteristics, and the gas raw material supplying apparatus can be stably provided for a long period of time. There has been a demand for a vapor-phase growth apparatus that can use the same.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】このため、この発明の気
相成長装置によれば、次の〜を具えたことを特徴と
している。Therefore, according to the present invention, there is provided a vapor phase growth apparatus characterized by the following.
【００１０】内部を真空に保持した状態で基板に対し
て膜の形成を行う反応室。A reaction chamber in which a film is formed on a substrate while the inside is kept in a vacuum.
【００１１】反応室に、膜の原料であるガスを供給す
る原料ガス供給系。A raw material gas supply system for supplying a gas which is a raw material for the film to the reaction chamber.
【００１２】この原料ガス供給系は、液相の原料を溜め
ておく原料液収納部と、この原料液収納部から供給され
た液相の原料を気化する原料ガス供給装置とで少なくと
も構成されている。The raw material gas supply system includes at least a raw material liquid storage section for storing a liquid phase raw material, and a raw material gas supply device for vaporizing the liquid phase raw material supplied from the raw material liquid storage section. I have.
【００１３】原料ガス供給装置を洗浄するための洗浄
系。A cleaning system for cleaning the source gas supply device.
【００１４】このように、原料ガス供給装置（供給装
置）用の洗浄系を具えたことにより、この供給装置を取
り外すことなく、容易に内部の洗浄を行うことができ
る。As described above, by providing the cleaning system for the raw material gas supply device (supply device), the inside can be easily cleaned without removing the supply device.
【００１５】例えばまず、供給装置の立ち上げ時の、す
でに説明してある前処理（不活性ガスによるパージおよ
び排気を数回繰り返す）の後に、供給装置に洗浄液を送
り込んで洗浄する。このことにより、供給装置内の大気
の除去を、より高い効果をもって行うことができる。For example, first, after the pre-treatment (purging and evacuation with an inert gas is repeated several times) already described when the supply device is started, a cleaning liquid is fed to the supply device for cleaning. Thus, the air in the supply device can be removed with higher effect.
【００１６】また、生成物が形成されて詰まり等のトラ
ブルが発生したとしても、再び供給装置に洗浄液を送り
込んで洗浄することができる。よって、供給装置を取り
外して煩雑なメンテナンスを行う必要もなく、容易に生
成物の除去を行うことができ、そのまま継続して供給装
置を使用することができる。Further, even if troubles such as clogging occur due to the formation of products, the cleaning liquid can be sent again to the supply device for cleaning. Therefore, it is not necessary to remove the supply device and perform complicated maintenance, the product can be easily removed, and the supply device can be continuously used.
【００１７】上述の洗浄系は、例えば次のように構成さ
れる。すなわち、洗浄液を収納しておく洗浄液収納部
と、洗浄液を原料ガス供給装置に配管を介して送り込む
ための高圧不活性ガスを供給する高圧不活性ガス導入部
とを少なくとも具える。高圧不活性ガスは、洗浄液を送
り込むことのほか、洗浄液の排出を効率よく行うために
排気系と共に用いることもできる。また、詰まり等のト
ラブルの具合が軽いものであれば、供給装置に対して高
圧不活性ガスによるパージを行うことにより、洗浄液を
用いずに生成物の除去を行うこともできる。ここでいう
高圧不活性ガスとは、１０ｋｇ／ｃｍ2 程度までの高圧
に保持した不活性ガスのことである。用い得る不活性ガ
スとしては、Ｎ2 （窒素）、Ａｒ（アルゴン）、Ｈｅ
（ヘリウム）等が挙げられる。The above-mentioned cleaning system is constituted, for example, as follows. That is, the apparatus includes at least a cleaning liquid storage section for storing the cleaning liquid, and a high-pressure inert gas introducing section for supplying a high-pressure inert gas for sending the cleaning liquid to the source gas supply device via a pipe. The high-pressure inert gas can be used together with an exhaust system to efficiently discharge the cleaning liquid in addition to feeding the cleaning liquid. Further, if the degree of trouble such as clogging is light, the product can be removed without using a cleaning liquid by purging the supply device with a high-pressure inert gas. The high-pressure inert gas referred to here is an inert gas maintained at a high pressure of about 10 kg / cm 2 . Inert gases that can be used include N 2 (nitrogen), Ar (argon), He
(Helium) and the like.
【００１８】また、洗浄液は、原料と反応することなく
原料を溶融することが可能な物質からなるものであれば
良い。具体的には、例えば原料としてＣｕ（ｈｆａｃ）
（ｔｍｖｓ）を用いる場合には、洗浄液としてＴＭＶＳ
を用いる。また、例えば原料としてテトラキスジメチル
アミノチタンまたはテトラキスジエチルアミノチタンを
用いる場合には、洗浄液としてノルマルヘキサンを用い
る。原料が常温常圧で液状のものであれば、そのまま原
料容器に入れて成膜を行うことができるが、常温常圧で
固体のものであれば、適当な溶媒に溶解させて液状にし
てから用いれば良い。Further, the cleaning liquid may be made of a substance capable of melting the raw material without reacting with the raw material. Specifically, for example, Cu (hfac)
When (tmvs) is used, TMVS is used as a cleaning solution.
Is used. When, for example, tetrakisdimethylaminotitanium or tetrakisdiethylaminotitanium is used as a raw material, normal hexane is used as a cleaning liquid. If the raw material is liquid at normal temperature and normal pressure, the film can be formed as it is in the raw material container, but if it is solid at normal temperature and normal pressure, it is dissolved in an appropriate solvent to make it liquid. You can use it.
【００１９】また、洗浄系は、例えば原料液収納部と原
料ガス供給装置との間で接続されているようにする。The cleaning system is connected, for example, between the raw material liquid storage section and the raw material gas supply device.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下、図を参照してこの出願の発
明の実施の形態について説明する。以下の説明中で挙げ
る使用材料や数値的な使用条件は、これら発明の範囲内
の好適例にすぎない。従って、これらの発明は、これら
条件にのみ限定されるものではない。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention; The materials used and numerical conditions used in the following description are only preferred examples within the scope of the present invention. Therefore, these inventions are not limited only to these conditions.
【００２１】図１は、この発明の実施の形態の気相成長
装置１０の説明に供する概略的な装置構成図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating the configuration of a vapor phase growth apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.
【００２２】この発明の気相成長装置によれば、内部を
真空に保持した状態で基板に対して膜の形成を行う反応
室と、反応室に、膜の原料であるガスを供給する原料ガ
ス供給系と、原料ガス供給系を構成する原料ガス供給装
置を洗浄するための洗浄系とを具えている。また、原料
ガス供給系は、液相の原料を溜めておく原料液収納部
と、この原料液収納部から供給された液相の原料を気化
する原料ガス供給装置とを具えている。According to the vapor phase growth apparatus of the present invention, a reaction chamber for forming a film on a substrate while the inside is kept in a vacuum, and a raw material gas for supplying a gas which is a raw material for the film to the reaction chamber A supply system and a cleaning system for cleaning a source gas supply device constituting the source gas supply system are provided. Further, the raw material gas supply system includes a raw material liquid storage section for storing a liquid phase raw material, and a raw material gas supply device for vaporizing the liquid phase raw material supplied from the raw material liquid storage section.
【００２３】ここでは、気相成長装置１０は、上述の反
応室１１、図中、破線で囲んで示した原料ガス供給系１
３、図中、一点破線で囲んで示した洗浄系１５から主と
して構成される。Here, the vapor phase epitaxy apparatus 10 comprises the above-described reaction chamber 11 and the source gas supply system 1 shown by a broken line in the figure.
3. It mainly comprises a cleaning system 15 surrounded by a dashed line in the drawing.
【００２４】反応室１１は第１排気系１１ａを具えてお
り、内部を真空に保持できるようになっている。第１排
気系１１ａは、例えば油回転ポンプやターボ分子ポンプ
等を組み合わせた構成となっており、内部を１０-4Ｐａ
（パスカル）程度まで排気することが可能である。ま
た、反応室１１は、図示しないヒータや温度制御機構等
で構成される温度調節機構を有しており、所定の温度に
加熱保持することが可能である。この反応室１１内に
は、膜形成対象である基板を固定する基板ホルダ（図示
せず）が具えられている。The reaction chamber 11 has a first exhaust system 11a, so that the inside can be maintained at a vacuum. The first exhaust system 11a has a configuration in which, for example, an oil rotary pump, a turbo molecular pump, or the like is combined, and the inside thereof is 10 −4 Pa.
(Pascal) can be exhausted. Further, the reaction chamber 11 has a temperature adjustment mechanism including a heater, a temperature control mechanism, and the like (not shown), and can be heated and maintained at a predetermined temperature. The reaction chamber 11 is provided with a substrate holder (not shown) for fixing a substrate on which a film is to be formed.
【００２５】また、原料ガス供給系１３は、次のような
構成となっている。反応室１１に、第１配管１７ａを介
して原料ガス供給装置（供給装置）１３ａが接続されて
いて、この第１配管１７ａの中途に第１バルブ１９ａが
配設されている。原料ガス供給装置１３ａは、図示しな
いが、後述する原料液収納部１３ｂから、後述する配管
を介して供給された液相の原料をいったん溜めておく原
料容器と、この原料容器から配管を介して少しずつ供給
された原料液を気化する気化器とで構成されている。気
化器としては、市販の液体流量制御器等を用いることが
できる。The source gas supply system 13 has the following configuration. A source gas supply device (supply device) 13a is connected to the reaction chamber 11 via a first pipe 17a, and a first valve 19a is provided in the middle of the first pipe 17a. Although not shown, the raw material gas supply device 13a includes a raw material container for temporarily storing a liquid phase raw material supplied from a raw material liquid storage unit 13b, which will be described later, via a piping, which will be described later, and a piping from the raw material container via a piping. And a vaporizer for vaporizing the raw material liquid supplied little by little. As a vaporizer, a commercially available liquid flow controller or the like can be used.
【００２６】また、供給装置１３ａには、第３配管１７
ｃを介して不活性ガス導入部２９が接続してあり、そし
て、この第３配管１７ｃには、供給装置１３ａに近い方
から順に、第３バルブ１９ｃ、第４バルブ１９ｄ、第５
バルブ１９ｅが配設されている。The supply device 13a has a third pipe 17
c, an inert gas introduction part 29 is connected thereto, and the third pipe 17c is connected to the third valve 19c, the fourth valve 19d, the fifth valve 19d in order from the side closer to the supply device 13a.
A valve 19e is provided.
【００２７】また、第５バルブ１９ｅを挟む両側の第３
配管１７ｃの部分に、第７バルブ１９ｇが配設された第
５配管１７ｅと、第８バルブ１９ｈが配設された第６配
管１７ｆとが接続してある。この第５配管１７ｅおよび
第６配管１７ｆは、液相の原料を収納してある原料液収
納部１３ｂ内に向かって伸びている配管である。ここで
は、用いる原料をヘキサフルオロアセチルアセトナート
・トリメチルビニルシラン・銅（Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔ
ｍｖｓ））とする。第５配管１７ｅは、原料液吸い上げ
用の配管であるため、原料液押し出し用の第６配管１７
ｆに比べて長く、第５配管１７ｅの先端は原料液収納部
１３ｂの原料液中に浸されているが、第６配管１７ｆの
先端は原料液中に浸されていない。また、第３配管１７
ｃの、供給装置１３ａに接続してある側とは反対側の先
端に、不活性ガス導入部２９が配設してある。この不活
性ガス導入部２９より第６配管１７ｆに不活性ガスが導
入されると、第５配管１７ｅが原料液を吸い上げる仕組
みとなっている。The third valves on both sides of the fifth valve 19e
A fifth pipe 17e provided with a seventh valve 19g and a sixth pipe 17f provided with an eighth valve 19h are connected to the pipe 17c. The fifth pipe 17e and the sixth pipe 17f are pipes extending toward the inside of the raw material liquid storage section 13b storing the liquid phase raw material. Here, the raw materials used are hexafluoroacetylacetonate / trimethylvinylsilane / copper (Cu (hfac) (t
mvs)). Since the fifth pipe 17e is a pipe for sucking the raw material liquid, the sixth pipe 17e for pushing out the raw material liquid is used.
The tip of the fifth pipe 17e is immersed in the source liquid in the source liquid storage part 13b, but the tip of the sixth pipe 17f is not immersed in the source liquid. Also, the third pipe 17
An inert gas introduction part 29 is provided at the end of the side c opposite to the side connected to the supply device 13a. When an inert gas is introduced into the sixth pipe 17f from the inert gas introduction unit 29, the fifth pipe 17e sucks the raw material liquid.
【００２８】以上の、第１、第３、第５および第６配管
１７ａ、１７ｃ、１７ｅおよび１７ｆと、第１、第３、
第４、第５、第７および第８バルブ１９ａ、１９ｃ、１
９ｄ、１９ｅ、１９ｇおよび１９ｈと、原料ガス供給装
置１３ａと、原料液収納部１３ｂと、不活性ガス導入部
２９とで、原料ガス供給系１３を主として構成してい
る。The first, third, fifth, and sixth pipes 17a, 17c, 17e, and 17f, and the first, third,
Fourth, fifth, seventh and eighth valves 19a, 19c, 1
9d, 19e, 19g, and 19h, the raw material gas supply device 13a, the raw material liquid storage unit 13b, and the inert gas introduction unit 29 mainly constitute the raw material gas supply system 13.
【００２９】一方、洗浄系１５は、洗浄液収納部１５ａ
と、高圧不活性ガス導入部１５ｂと、これら洗浄液収納
部１５ａ及び高圧不活性ガス導入部１５ｂから供給装置
１３ａに至る配管と、この配管に設けられたバルブと、
第１および第２排気系２３および２７と、これら排気系
と供給装置１３ａに至る配管と、これら配管に設けられ
たバルブ等で構成されている。上述の第３バルブ１９ｃ
および第４バルブ１９ｄの間の第３配管１７ｃ部分と高
圧不活性ガス導入部１５ｂとの間に、第７配管１７ｇが
接続してある。この第７配管１７ｇの中途には、第３バ
ルブ１９ｃ側から第９バルブ１９ｉおよび第１０バルブ
１９ｊが順次に配設されており、第１０バルブ１９ｊを
はさむ両側の第７配管１７ｇの部分に、第１１バルブ１
９ｋが配設してある第８配管１７ｈと、第１２バルブ１
９ｌが配設してある第９配管１７ｉとが接続してある。
この第８配管１７ｈおよび第９配管１７ｉは、それらの
先端部分が洗浄液を収納してある洗浄液収納部１５ａ内
に向かって伸びている配管である。ここでは、用いる洗
浄液をトリメチルビニルシラン（ＴＭＶＳ）とする。洗
浄液吸い上げ用の第８配管１７ｈは、洗浄液押し出し用
の第９配管１７ｉに比べて長く、第８配管１７ｈの先端
は洗浄液収納部１５ａの洗浄液中に浸されているが、第
９配管１７ｉの先端は浸されていない。また、第７配管
１７ｇの第９バルブ１９ｉとは反対側の先端に、高圧不
活性ガスを供給する高圧不活性ガス導入部１５ｂが接続
してある。この高圧不活性ガス導入部１５ｂより、高圧
に保持された不活性ガスが第９配管１７ｉに導入される
と、第８配管１７ｈが洗浄液を吸い上げる仕組みとなっ
ている。高圧不活性ガスは洗浄液と反応しないものが良
く、ここではＮ2 （窒素）を用いる。On the other hand, the cleaning system 15 includes a cleaning liquid storage section 15a.
A high-pressure inert gas introduction part 15b, a pipe from the cleaning liquid storage part 15a and the high-pressure inert gas introduction part 15b to the supply device 13a, and a valve provided in the pipe.
It is composed of first and second exhaust systems 23 and 27, pipes leading to these exhaust systems and the supply device 13a, valves provided in these pipes, and the like. The above third valve 19c
A seventh pipe 17g is connected between the third pipe 17c between the first and fourth valves 19d and the high-pressure inert gas introduction section 15b. In the middle of the seventh pipe 17g, a ninth valve 19i and a tenth valve 19j are sequentially arranged from the third valve 19c side, and a portion of the seventh pipe 17g on both sides sandwiching the tenth valve 19j is provided. 11th valve 1
An eighth pipe 17h in which 9k is disposed, and a twelfth valve 1
The ninth pipe 17i in which 9l is disposed is connected.
The eighth pipe 17h and the ninth pipe 17i are pipes whose leading ends extend toward the inside of the cleaning liquid storage section 15a that stores the cleaning liquid. Here, the cleaning liquid to be used is trimethylvinylsilane (TMVS). The eighth pipe 17h for sucking up the cleaning liquid is longer than the ninth pipe 17i for pushing out the cleaning liquid. Is not soaked. A high-pressure inert gas introduction unit 15b for supplying a high-pressure inert gas is connected to a tip of the seventh pipe 17g on the opposite side to the ninth valve 19i. When the high-pressure inert gas is introduced into the ninth pipe 17i from the high-pressure inert gas inlet 15b, the eighth pipe 17h sucks up the cleaning liquid. It is preferable that the high-pressure inert gas does not react with the cleaning liquid. Here, N 2 (nitrogen) is used.
【００３０】また、第１バルブ１９ａと供給装置１３ａ
との間の第１配管１７ａ部分に第２配管１７ｂが接続し
てあり、第２配管１７ｂは第２バルブ１９ｂを介して第
１ベント２１に接続してある。この第１ベント２１の先
端に第２排気系２３が配設されている。また、第３バル
ブ１９ｃと第４バルブ１９ｄとの間の第３配管１７ｃ部
分に第４配管１７ｄが接続してあり、第４配管１７ｄは
第６バルブ１９ｆを介して第２ベント２５に接続してあ
る。この第２ベント２５の先端に第３排気系２７が配設
されている。The first valve 19a and the supply device 13a
The second pipe 17b is connected to a portion of the first pipe 17a between the second pipe 17a and the second pipe 17b is connected to the first vent 21 via the second valve 19b. A second exhaust system 23 is provided at the end of the first vent 21. A fourth pipe 17d is connected to the third pipe 17c between the third valve 19c and the fourth valve 19d, and the fourth pipe 17d is connected to the second vent 25 via the sixth valve 19f. It is. A third exhaust system 27 is provided at the end of the second vent 25.
【００３１】以上、第１バルブ１９ａと供給装置１３ａ
との間の第１配管１７ａと、第４バルブ１９ｄよりも供
給装置１３ａ寄りの第３配管部分と、第２、第４、第
７、第８および第９配管１７ｂ、１７ｄ、１７ｇ、１７
ｈおよび１７ｉと、第２、第６、第９、第１０、第１１
および第１２バルブ１９ｂ、１９ｆ、１９ｉ、１９ｊ、
１９ｋおよび１９ｌと、洗浄液収納部１５ａと、高圧不
活性ガス導入部１５ｂと、第１ベント２１および第２排
気系２３、第２ベント２５および第３排気系２５とで、
洗浄系１５を主として構成している。As described above, the first valve 19a and the supply device 13a
, A third pipe portion closer to the supply device 13a than the fourth valve 19d, and second, fourth, seventh, eighth, and ninth pipes 17b, 17d, 17g, 17
h and 17i, and the second, sixth, ninth, tenth, and eleventh
And the twelfth valves 19b, 19f, 19i, 19j,
19k and 19l, the cleaning liquid storage section 15a, the high-pressure inert gas introduction section 15b, the first vent 21 and the second exhaust system 23, the second vent 25 and the third exhaust system 25,
The cleaning system 15 is mainly configured.
【００３２】次に、この気相成長装置１０の動作につい
て説明する。Next, the operation of the vapor phase growth apparatus 10 will be described.
【００３３】まず、原料ガス供給装置１３ａを立ち上げ
る。最初に、第１バルブ１９ａ、第４バルブ１９ｄ、第
９バルブ１９ｉが閉まっていることを確認する。次に、
第３バルブ１９ｃおよび第６バルブ１９ｆを開き、第６
バルブ１９ｆに接続されている第２ベント２５側の第３
排気系２７を用いて、配管を含む供給装置１３ａ内部
（原料容器、気化器）の排気を行う。場合によっては、
供給装置１３ａ内部がある程度減圧された状態になれ
ば、途中から第１バルブ１９ａを開いて、第１排気系１
１ａと第３排気系２７とを同時に用いて、供給装置１３
ａの排気を効率よく行っても良い。First, the source gas supply device 13a is started. First, it is confirmed that the first valve 19a, the fourth valve 19d, and the ninth valve 19i are closed. next,
Open the third valve 19c and the sixth valve 19f, and
The third vent 25 on the side of the second vent 25 connected to the valve 19f
The exhaust system 27 is used to exhaust the inside of the supply device 13a including the piping (raw material container, vaporizer). In some cases,
When the pressure inside the supply device 13a is reduced to some extent, the first valve 19a is opened halfway and the first exhaust system 1
1a and the third exhaust system 27 at the same time,
The exhaust of a may be performed efficiently.
【００３４】次に、第６バルブ１９ｆ、第１１および第
１２バルブ１９ｋおよび１９ｌを閉め、第９バルブ１９
ｉおよび第１０バルブ１９ｊを開いて、高圧不活性ガス
導入部１５ｂよりＮ2 を導入し、供給装置１３ａに対し
てパージを行う。以上の操作（排気、パージ）を数回繰
り返す。Next, the sixth valve 19f, the eleventh and twelfth valves 19k and 19l are closed, and the ninth valve 19
i and the tenth valve 19j are opened, N 2 is introduced from the high-pressure inert gas introduction part 15b, and the supply device 13a is purged. The above operation (exhaust, purge) is repeated several times.
【００３５】次に、第１０バルブ１９ｊを閉めて第１１
バルブ１９ｋおよび第１２バルブ１９ｌを開き、洗浄液
収納部１５ａに、高圧不活性ガス導入部１５ｂより、第
９配管１７ｉを介してＮ2 を導入する。こうして、第８
配管１７ｈ→第７配管１７ｇ→第３配管１７ｃの、第４
バルブ１９ｄよりも供給装置１３ａ寄りの部分→供給装
置１３ａ→供給装置１３ａと第１バルブ１９ａとの間の
第１配管１７ａ、の順に、これらを洗浄液で満たす。次
に、第１１バルブ１９ｋおよび第１２バルブ１９ｌを閉
め、第６バルブ１９ｆを開いて、第３排気系２７より洗
浄液を排出する。このとき、第１０バルブ１９ｊを開い
て、高圧不活性ガス導入部１５ｂより、同時にＮ2 を導
入すると、洗浄液の排出を効率よく行うことができる。
ここで用いた洗浄液は蒸気圧が高いため、気体となって
排出（排気）される。こうして供給装置１３ａ内部に残
存していた大気（大気中の水分）の除去を行う。この洗
浄液を用いた立ち上げ時の処理により、供給装置１３ａ
内の大気の除去を、より高い効果をもって行うことがで
きる。このため、成膜速度や成膜特性等の低下等の経時
変化が起こるおそれが少ない。Next, the tenth valve 19j is closed and the eleventh valve 19j is closed.
The valve 19k and the twelfth valve 191 are opened, and N 2 is introduced into the cleaning liquid storage section 15a from the high-pressure inert gas introduction section 15b via the ninth pipe 17i. Thus, the eighth
The fourth pipe 17h → the seventh pipe 17g → the third pipe 17c
These portions are filled with the cleaning liquid in the order of the portion closer to the supply device 13a than the valve 19d → the supply device 13a → the first pipe 17a between the supply device 13a and the first valve 19a. Next, the eleventh valve 19k and the twelfth valve 191 are closed, the sixth valve 19f is opened, and the cleaning liquid is discharged from the third exhaust system 27. At this time, by opening the tenth valve 19j and simultaneously introducing N 2 from the high-pressure inert gas introduction part 15b, the cleaning liquid can be efficiently discharged.
The cleaning liquid used here has a high vapor pressure and is discharged (exhausted) as a gas. Thus, the air (moisture in the air) remaining in the supply device 13a is removed. By the processing at the time of startup using the cleaning liquid, the supply device 13a
The removal of the air inside can be performed with higher effect. For this reason, there is little possibility that a temporal change such as a decrease in the film forming speed or film forming characteristics occurs.
【００３６】次に、第５バルブ１９ｅ、第９バルブ１９
ｉおよび第６バルブ１９ｆを閉め、第４バルブ１９ｄ、
第７バルブ１９ｇ、第８バルブ１９ｈを開いて、不活性
ガス導入部２９より、Ｈｅ等の不活性ガスを、第６配管
１７ｆを介して供給装置１３ａ側に送り込む。このた
め、原料液（Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ））は、第５
配管１７ｅ、第３配管１７ｃを介して、原料ガス供給装
置１３ａ内の図示しない原料容器に送り込まれる。Next, the fifth valve 19e and the ninth valve 19
i and the sixth valve 19f are closed, and the fourth valve 19d,
The seventh valve 19g and the eighth valve 19h are opened, and an inert gas such as He is sent from the inert gas introduction unit 29 to the supply device 13a through the sixth pipe 17f. For this reason, the raw material liquid (Cu (hfac) (tmvs))
It is fed into a raw material container (not shown) in the raw material gas supply device 13a via the pipe 17e and the third pipe 17c.
【００３７】次に、原料容器から原料を図示しない気化
器に送り込んで気化する。その後、真空排気が済んだ反
応室１１に、供給装置１３ａから、第１バルブ１９ａを
介して原料ガスを送り込み、熱化学反応を生じさせるこ
とにより、基板ホルダに設置した基板に対して成膜を行
う。Next, the raw material is sent from the raw material container to a vaporizer (not shown) and vaporized. Thereafter, a raw material gas is fed from the supply device 13a into the reaction chamber 11 after the evacuation via the first valve 19a to cause a thermochemical reaction, thereby forming a film on the substrate placed on the substrate holder. Do.
【００３８】ここで、供給装置１３ａ内部において、何
らかの原因で生成物が発生し、詰まり等のトラブルが生
じた場合は、次のような処理を行う。Here, when a product is generated inside the supply device 13a for some reason and a trouble such as clogging occurs, the following processing is performed.
【００３９】１）第１バルブ１９ａ、第３バルブ１９
ｃ、第９バルブ１９ｉ、第１０バルブ１９ｊを開き、他
のバルブを閉じた後、高圧不活性ガス導入部１５ｂよ
り、第７配管１７ｇ→第３配管１７ｃの、第４バルブ１
９ｄよりも供給装置１３ａ寄りの部分→供給装置１３ａ
→第１配管１７ａ→反応室の順にＮ2 ガスを送り込む。
このとき、反応室１１に具えられている図示しない圧力
計をモニターし、反応室１１の圧力上昇を確認する。Ｎ
2 の供給圧力を上げることで徐々に反応室１１内の圧力
が上昇すれば、高圧不活性ガス（Ｎ2 ）のパージによっ
て供給装置１３ａ内の生成物が除去されて、Ｎ2 が反応
室に導入されたことになり、この処理が有効であること
を示す。1) First valve 19a, third valve 19
c, after opening the ninth valve 19i and the tenth valve 19j and closing the other valves, the fourth valve 1 from the seventh pipe 17g to the third pipe 17c from the high-pressure inert gas introduction part 15b.
Part closer to the supply device 13a than 9d → supply device 13a
→ feeding the N 2 gas in the order of the first pipe 17a → the reaction chamber.
At this time, a pressure gauge (not shown) provided in the reaction chamber 11 is monitored to confirm a rise in the pressure of the reaction chamber 11. N
If gradually increase the pressure inside the reaction chamber 11 by raising the supply pressure of 2, is the product removal purged by the supply device 13a of the high-pressure inert gas (N 2), N 2 is the reaction chamber This indicates that the process is effective.
【００４０】２）上記１）の処理を行っても改善が見ら
れない場合は、第１０バルブ１９ｊを閉めて第１１バル
ブ１９ｋおよび第１２バルブ１９ｌを開き、Ｎ2 ガスを
洗浄液収納部１５ａに導入しながら、洗浄液を第８配管
１７ｈ→第７配管１７ｇの、第１０バルブ１９ｊが設け
られている側の部分→第３配管１７ｃの、第４バルブ１
９ｄよりも供給装置１３ａ寄りの部分→供給装置１３ａ
→第１配管１７ａ→反応室１１の順に送り込む。Ｎ2 の
供給圧力を上げていきながら上述の圧力計をモニターし
ていると、反応室の圧力の急激な上昇が見られる。これ
は、洗浄液による洗浄効果と高圧不活性ガス（Ｎ2 ）の
パージとによって供給装置１３ａ内部の生成物が除去さ
れて、洗浄液とガスとの混合物が反応室に流れ込むため
である。反応室１１に流れ込んだ洗浄液およびガスは、
第１排気系１１ａより排気する。2) If no improvement is observed even after the above processing 1), the tenth valve 19j is closed, the eleventh valve 19k and the twelfth valve 191 are opened, and N 2 gas is supplied to the cleaning liquid storage part 15a. While introducing the cleaning liquid, the eighth pipe 17h → the part of the seventh pipe 17g on the side where the tenth valve 19j is provided → the fourth valve 1 of the third pipe 17c.
Part closer to the supply device 13a than 9d → supply device 13a
→ The first pipe 17a → the reaction chamber 11 are sent in this order. When the above pressure gauge is monitored while increasing the supply pressure of N 2 , a sharp rise in the pressure of the reaction chamber is observed. This is because the product inside the supply device 13a is removed by the cleaning effect of the cleaning liquid and the purging of the high-pressure inert gas (N 2 ), and the mixture of the cleaning liquid and the gas flows into the reaction chamber. The cleaning liquid and gas flowing into the reaction chamber 11 are
The air is exhausted from the first exhaust system 11a.
【００４１】このように、洗浄系１５を動作させること
により、供給装置１３ａを取り外すことなく、この供給
装置１３ａ内部の詰まりを除去することができ、継続し
て使用することができる。As described above, by operating the cleaning system 15, the clogging inside the supply device 13a can be removed without removing the supply device 13a, and the device can be used continuously.
【００４２】なお、ここでは、上記の生成物除去におい
て、洗浄液およびガスを反応室１１の排気系１１ａから
排気する例を示したが、反応室１１をクリーンに保つ上
からは、第１バルブ１９ａを閉め、第２バルブ１９ｂを
開いて第２排気系２３から排気する方が望ましい。Here, in the above-described product removal, an example has been shown in which the cleaning liquid and gas are exhausted from the exhaust system 11a of the reaction chamber 11, but from the viewpoint of keeping the reaction chamber 11 clean, the first valve 19a It is preferable to close the second valve 19b and open the second valve 19b to exhaust air from the second exhaust system 23.
【００４３】この発明は、例示の形態に限定されるもの
ではないことは明らかである。例えば、上述の形態で
は、原料としてＣｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）を用い、
洗浄液としてＴＭＶＳを用いた例を示したが、その他の
適切な組み合わせでも良い。例えば、原料として、テト
ラキスジメチルアミノチタンやテトラキスジエチルアミ
ノチタン等のテトラキスジアルキルアミノチタンを用い
た場合には、洗浄液としてノルマルヘキサンを用いるこ
とができる。It is clear that the invention is not limited to the exemplary embodiments. For example, in the above embodiment, Cu (hfac) (tmvs) is used as a raw material,
Although an example in which TMVS is used as the cleaning liquid has been described, other appropriate combinations may be used. For example, when tetrakisdialkylaminotitanium such as tetrakisdimethylaminotitanium or tetrakisdiethylaminotitanium is used as a raw material, normal hexane can be used as a cleaning liquid.
【００４４】[0044]
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の気相成長装置によれば、反応室と原料ガス供給
装置とを少なくとも具えた気相成長装置において、原料
ガス供給装置を洗浄するための洗浄系を具えている。As is apparent from the above description, according to the vapor phase growth apparatus of the present invention, in the vapor phase growth apparatus including at least the reaction chamber and the source gas supply apparatus, the source gas supply apparatus is cleaned. It has a cleaning system for cleaning.
【００４５】このため、原料ガス供給装置の立ち上げ時
の前処理（不活性ガスによるパージおよび排気を数回繰
り返す）の後に、供給装置に洗浄液を送り込んで、供給
装置を洗浄することができる。このことにより、供給装
置内の大気の除去を、より高い効果をもって行うことが
できる。このため、成膜速度や成膜特性等の低下等の経
時変化が起こるおそれが少ない。For this reason, after the pretreatment at the time of starting the raw material gas supply device (purging and exhausting with an inert gas are repeated several times), the cleaning liquid can be fed to the supply device to clean the supply device. Thus, the air in the supply device can be removed with higher effect. For this reason, there is little possibility that a temporal change such as a decrease in the film forming speed or film forming characteristics occurs.
【００４６】また、生成物が形成されて詰まり等のトラ
ブルが発生したとしても、再び供給装置に洗浄液を送り
込んで、供給装置を洗浄することができる。よって、供
給装置を取り外して煩雑なメンテナンスを行う必要もな
く、容易に生成物の除去を行うことができ、そのまま継
続して供給装置を使用することができる。Further, even if a trouble such as clogging occurs due to formation of a product, the cleaning liquid can be fed again to the supply device to clean the supply device. Therefore, it is not necessary to remove the supply device and perform complicated maintenance, the product can be easily removed, and the supply device can be continuously used.
【００４７】したがって、原料を大気に触れさせること
なく安定に反応室に供給することができ、成膜速度や成
膜特性の低下等の経時変化のおそれが少なく、長期間安
定にガス原料供給装置を使用することが可能な気相成長
装置を得ることができる。Therefore, the raw material can be stably supplied to the reaction chamber without being exposed to the atmosphere, there is little danger of a change over time such as deterioration of the film forming speed and film forming characteristics, and the gas raw material supply device can be stably provided for a long time. Can be obtained.
【図１】この発明の実施の形態の気相成長装置の説明に
供する概略的な装置構成図である。FIG. 1 is a schematic apparatus configuration diagram for explaining a vapor phase growth apparatus according to an embodiment of the present invention.
１０：気相成長装置 １１：反応室 １１ａ：第１排気系 １３：原料ガス供給系 １３ａ：原料ガス供給装置 １３ｂ：原料液収納部 １５：洗浄系 １５ａ：洗浄液収納部 １５ｂ：高圧不活性ガス導入部 １７ａ〜１７ｉ：第１〜第９配管 １９ａ〜１９ｌ：第１〜第１２バルブ ２１：第１ベント ２３：第２排気系 ２５：第２ベント ２７：第３排気系 ２９：不活性ガス導入部 10: vapor phase growth apparatus 11: reaction chamber 11a: first exhaust system 13: source gas supply system 13a: source gas supply apparatus 13b: source liquid storage unit 15: cleaning system 15a: cleaning liquid storage unit 15b: introduction of high-pressure inert gas Units 17a to 17i: first to ninth pipes 19a to 19l: first to twelfth valves 21: first vent 23: second exhaust system 25: second vent 27: third exhaust system 29: inert gas introduction unit
Claims (8)
て膜の形成を行う反応室と、 該反応室に前記膜の原料であるガスを供給する原料ガス
供給系であって、液相の原料を溜めておく原料液収納部
と該原料液収納部から供給された前記液相の原料を気化
する原料ガス供給装置とで少なくとも構成される当該原
料ガス供給系と、 前記原料ガス供給装置を洗浄するための洗浄系とを具え
たことを特徴とする気相成長装置。1. A reaction chamber for forming a film on a substrate while the inside is kept in a vacuum, and a raw material gas supply system for supplying a gas that is a raw material for the film to the reaction chamber, A raw material gas supply system comprising at least a raw material liquid storage unit for storing the raw material and a raw material gas supply device for vaporizing the liquid phase raw material supplied from the raw material liquid storage unit; And a cleaning system for cleaning the substrate.
て、 前記洗浄系は、洗浄液を収納しておく洗浄液収納部と、
前記洗浄液を前記原料ガス供給装置に配管を介して送り
込むための高圧不活性ガスを供給する高圧不活性ガス導
入部とを少なくとも具えていることを特徴とする気相成
長装置。2. The vapor phase epitaxy apparatus according to claim 1, wherein the cleaning system includes a cleaning liquid storage unit for storing a cleaning liquid.
A high-pressure inert gas introduction unit for supplying a high-pressure inert gas for feeding the cleaning liquid to the source gas supply device via a pipe.
て、 前記洗浄液は、前記原料と反応することなく前記原料を
溶融することが可能な物質からなることを特徴とする気
相成長装置。3. The vapor phase growth apparatus according to claim 2, wherein the cleaning liquid is made of a substance capable of melting the raw material without reacting with the raw material.
て、 前記原料としてヘキサフルオロアセチルアセトナート・
トリメチルビニルシラン・銅を用いる場合には、 前記洗浄液としてトリメチルビニルシランを用いること
を特徴とする気相成長装置。4. The vapor phase growth apparatus according to claim 2, wherein the raw material is hexafluoroacetylacetonate.
In the case where trimethylvinylsilane / copper is used, a vapor phase growth apparatus characterized in that trimethylvinylsilane is used as the cleaning liquid.
て、 前記原料としてテトラキスジメチルアミノチタンまたは
テトラキスジエチルアミノチタンを用いる場合には、 前記洗浄液としてノルマルヘキサンを用いることを特徴
とする気相成長装置。5. The vapor phase growth apparatus according to claim 2, wherein when using tetrakisdimethylaminotitanium or tetrakisdiethylaminotitanium as the raw material, normal hexane is used as the cleaning liquid. .
て、 前記洗浄系は、前記原料液収納部と、前記原料ガス供給
装置との間で接続されていることを特徴とする気相成長
装置。6. The vapor phase growth apparatus according to claim 1, wherein said cleaning system is connected between said raw material liquid storage section and said raw material gas supply apparatus. apparatus.
て、 前記反応室は第１排気系を具えており、 前記反応室に接続してある第１配管および該第１配管に
配設された第１バルブを介して前記原料ガス供給装置が
配設されてあり、 前記第１バルブと前記原料ガス供給装置との間の前記第
１配管部分に接続してある第２配管は、第２バルブを介
して第２排気系が配設されてある第１ベントに接続して
あり、 前記原料ガス供給装置の、前記第１配管に接続してある
側とは反対側に第３配管が接続してあり、 該第３配管には、前記原料ガス供給装置に近い方から順
に、第３バルブ、第４バルブ、第５バルブが配設されて
あり、 前記第３バルブと前記代４バルブとの間の前記第３配管
部分に第４配管が接続してあり、該第４配管は第６バル
ブを介して第３排気系が配設してある第２ベントに接続
してあり、 前記第５バルブを挟む両側の前記第３配管部分に、先端
部分が前記原料液収納部内に向かって伸びている、第７
バルブが配設された原料液吸い上げ用の第５配管と、第
８バルブが配設された原料液押し上げ用の第６配管とが
接続してあり、 前記第３配管の、前記原料ガス供給装置に接続してある
側とは反対側の先端に不活性ガス導入部が配設してあ
り、 前記第３バルブおよび第４バルブの間の第３配管部分
に、第９バルブが配設してある第７配管が接続してあ
り、 前記第７配管の、前記第３配管に接続してある側とは反
対側の先端に高圧不活性ガス導入部が接続されており、
該第７配管には第１０バルブおよび第１１バルブが順次
に配設してあり、 前記第１０バルブを挟む両側の前記第７配管部分に、先
端部分が前記洗浄液収納部内に向かって伸びている、第
１１バルブが排泄された洗浄液吸い上げ用の第８配管
と、第１２バルブが配設された洗浄液押し上げ用の第９
配管とが接続してあることを特徴とする気相成長装置。7. The vapor-phase growth apparatus according to claim 1, wherein the reaction chamber has a first exhaust system, and is disposed in the first pipe connected to the reaction chamber and the first pipe. The source gas supply device is disposed via a first valve, and a second pipe connected to the first pipe portion between the first valve and the source gas supply device is a second pipe. A third vent is connected to a first vent provided with a second exhaust system via a valve, and a third pipe is connected to a side of the source gas supply device opposite to a side connected to the first pipe. In the third pipe, a third valve, a fourth valve, and a fifth valve are disposed in order from a side closer to the source gas supply device. A fourth pipe is connected to the third pipe section between the second pipe and the fourth pipe via a sixth valve. A third exhaust system is connected to a second vent provided, and a third pipe portion on both sides sandwiching the fifth valve has a tip portion extending toward the inside of the raw material liquid storage portion. 7
A fifth pipe for sucking up the raw material liquid provided with a valve, and a sixth pipe for raising the raw material liquid provided with an eighth valve connected to the raw material gas supply device of the third pipe; An inert gas introduction part is disposed at the end opposite to the side connected to the ninth valve, and a ninth valve is disposed at a third piping portion between the third valve and the fourth valve. A certain seventh pipe is connected, and a high-pressure inert gas introduction unit is connected to a tip of the seventh pipe opposite to a side connected to the third pipe,
A tenth valve and an eleventh valve are sequentially arranged in the seventh pipe, and a tip portion extends toward the inside of the cleaning liquid storage part in the seventh pipe portion on both sides sandwiching the tenth valve. An eighth pipe for sucking up the washing liquid from which the eleventh valve is excreted, and a ninth pipe for pushing up the washing liquid provided with the twelfth valve.
A vapor phase growth apparatus characterized by being connected to a pipe.
て、 前記第１、第３、第５および第６配管と、前記第１、第
３、第４、第５、第７および第８バルブと、前記原料ガ
ス供給装置と、前記原料液収納部と、前記不活性ガス導
入部とを前記原料ガス供給系とし、 前記第１バルブと前記原料ガス供給装置との間の前記第
１配管部分と、前記第４バルブよりも前記原料ガス供給
装置よりの前記第３配管部分と、前記第２、第４、第
７、第８および第９配管と、前記第２、第６、第９、第
１０、第１１および第１２バルブと、前記洗浄液収納部
と、前記高圧不活性ガス導入部と、前記第１および第２
ベントと、第２および第３排気系とを前記洗浄系とした
ことを特徴とする気相成長装置。8. The vapor deposition apparatus according to claim 3, wherein the first, third, fifth, and sixth pipes, and the first, third, fourth, fifth, seventh, and eighth pipes. A valve, the source gas supply device, the source liquid storage unit, and the inert gas introduction unit as the source gas supply system; and the first pipe between the first valve and the source gas supply device Part, the third pipe part from the source gas supply device rather than the fourth valve, the second, fourth, seventh, eighth, and ninth pipes, and the second, sixth, and ninth pipes. , Tenth, eleventh, and twelfth valves, the cleaning liquid storage part, the high-pressure inert gas introduction part, and the first and second valves.
A vapor phase growth apparatus, wherein a vent and second and third exhaust systems are used as the cleaning system.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24618896A JPH1088349A (en) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Vapor phase growth equipment |
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|---|---|---|---|
| JP24618896A JPH1088349A (en) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Vapor phase growth equipment |
Related Child Applications (1)
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Publications (1)
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|---|---|
| JPH1088349A true JPH1088349A (en) | 1998-04-07 |
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ID=17144830
Family Applications (1)
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| JP24618896A Pending JPH1088349A (en) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Vapor phase growth equipment |
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