JPH1088349A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH1088349A JPH1088349A JP24618896A JP24618896A JPH1088349A JP H1088349 A JPH1088349 A JP H1088349A JP 24618896 A JP24618896 A JP 24618896A JP 24618896 A JP24618896 A JP 24618896A JP H1088349 A JPH1088349 A JP H1088349A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 長期間安定に原料ガス供給装置を使用できる
ような気相成長装置を提供する。 【解決手段】 次の〜を具えた気相成長装置とす
る。内部を真空に保持した状態で基板に対して膜の形
成を行う反応室１１。反応室１１に、膜の原料である
ガスを供給する原料ガス供給系１３。この原料ガス供給
系１３は、液相の原料を溜めておく原料液収納部１３ｂ
と、この原料液収納部１３ｂから供給された液相の原料
を気化する原料ガス供給装置１３ａとで少なくとも構成
されている。原料ガス供給装置１３ａを洗浄するため
の洗浄系１５。洗浄系１５は、例えば洗浄液収納部１５
ａと、高圧不活性ガス導入部１５ｂとを少なくとも具え
ている。
ような気相成長装置を提供する。 【解決手段】 次の〜を具えた気相成長装置とす
る。内部を真空に保持した状態で基板に対して膜の形
成を行う反応室１１。反応室１１に、膜の原料である
ガスを供給する原料ガス供給系１３。この原料ガス供給
系１３は、液相の原料を溜めておく原料液収納部１３ｂ
と、この原料液収納部１３ｂから供給された液相の原料
を気化する原料ガス供給装置１３ａとで少なくとも構成
されている。原料ガス供給装置１３ａを洗浄するため
の洗浄系１５。洗浄系１５は、例えば洗浄液収納部１５
ａと、高圧不活性ガス導入部１５ｂとを少なくとも具え
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、常温常圧で液体
または固体である原料を用いて基板に対し膜形成を行う
気相成長装置に関する。
または固体である原料を用いて基板に対し膜形成を行う
気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスや各種電子部品等を製作
する際に行われる、配線膜や絶縁膜等の薄膜の形成に様
々な方法が採用されているなか、今後のデバイスの微細
化に対応可能な方法として、ＣＶＤ法（Chemical Vapor
Deposition ：化学気相成長法）の研究が進んでいる。
する際に行われる、配線膜や絶縁膜等の薄膜の形成に様
々な方法が採用されているなか、今後のデバイスの微細
化に対応可能な方法として、ＣＶＤ法（Chemical Vapor
Deposition ：化学気相成長法）の研究が進んでいる。
【０００３】このうち、窒化チタン（ＴｉＮ）膜や銅
（Ｃｕ）膜のような薄膜を比較的良好な被覆性で作製す
る方法として、有機金属化合物や有機金属錯体を原料と
して用いたＣＶＤ技術が注目されている。この方法で
は、例えばテトラキスジメチルアミノチタン（以下、Ｔ
ＤＭＡＴ）のような有機金属化合物や、ヘキサフルオロ
アセチルアセトナート・トリメチルビニルシラン・銅
（以下、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）とも記載す
る。）のような有機金属錯体を原料とし、この原料を反
応室内に送り込んで所定の温度に加熱し、所定の熱化学
反応を生じさせることにより、基板（成膜対象物）に所
定の薄膜を形成する。
（Ｃｕ）膜のような薄膜を比較的良好な被覆性で作製す
る方法として、有機金属化合物や有機金属錯体を原料と
して用いたＣＶＤ技術が注目されている。この方法で
は、例えばテトラキスジメチルアミノチタン（以下、Ｔ
ＤＭＡＴ）のような有機金属化合物や、ヘキサフルオロ
アセチルアセトナート・トリメチルビニルシラン・銅
（以下、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）とも記載す
る。）のような有機金属錯体を原料とし、この原料を反
応室内に送り込んで所定の温度に加熱し、所定の熱化学
反応を生じさせることにより、基板（成膜対象物）に所
定の薄膜を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような有機金
属化合物または有機金属錯体は、常温常圧で液体または
固体である場合が多い。このため、原料を溜めたボンベ
内で原料を加熱したり、バブリング法を用いたりするこ
とにより気化させて反応室に供給する（導入する）のが
普通であった。しかし、これらの方法では、ボンベ内に
残留する原料の量によって熱容量が異なるために、反応
室に所定の気化原料を安定して供給することが難しかっ
た。
属化合物または有機金属錯体は、常温常圧で液体または
固体である場合が多い。このため、原料を溜めたボンベ
内で原料を加熱したり、バブリング法を用いたりするこ
とにより気化させて反応室に供給する（導入する）のが
普通であった。しかし、これらの方法では、ボンベ内に
残留する原料の量によって熱容量が異なるために、反応
室に所定の気化原料を安定して供給することが難しかっ
た。
【０００５】このため、上述したようなボンベを用いる
方法ではなく、近年では、液相（液体状態）の原料を溜
めておく原料液収納部と、原料液収納部から供給された
液相の原料を気化する原料ガス供給装置とで少なくとも
構成される気相成長装置が開発されてきている（特願平
７−９６１６８参照）。原料ガス供給装置は、原料液収
納部から供給されたある程度の量の原料液を一旦溜めて
おく原料容器と、原料容器から配管を介して少しずつ供
給される原料液を気化する気化器とを具えている。この
ような構成の気相成長装置（以下、単に装置ともい
う。）とすれば、原料液を少しずつ気化させることがで
き、前述の熱容量に伴う問題が解消して、所定量の気化
原料を安定して供給することが可能である。
方法ではなく、近年では、液相（液体状態）の原料を溜
めておく原料液収納部と、原料液収納部から供給された
液相の原料を気化する原料ガス供給装置とで少なくとも
構成される気相成長装置が開発されてきている（特願平
７−９６１６８参照）。原料ガス供給装置は、原料液収
納部から供給されたある程度の量の原料液を一旦溜めて
おく原料容器と、原料容器から配管を介して少しずつ供
給される原料液を気化する気化器とを具えている。この
ような構成の気相成長装置（以下、単に装置ともい
う。）とすれば、原料液を少しずつ気化させることがで
き、前述の熱容量に伴う問題が解消して、所定量の気化
原料を安定して供給することが可能である。
【０００６】このような装置を立ち上げるときには、原
料ガス供給装置（以下、単に供給装置ともいう。）内の
大気を取り除くために、供給装置に対して不活性ガスに
よるパージと排気とを繰り返した後に、原料を供給装置
の原料容器内に導入し、成膜を開始していた。
料ガス供給装置（以下、単に供給装置ともいう。）内の
大気を取り除くために、供給装置に対して不活性ガスに
よるパージと排気とを繰り返した後に、原料を供給装置
の原料容器内に導入し、成膜を開始していた。
【０００７】しかし、このような前処理を施しても供給
装置内部の大気を充分に取り除くことは難しく、用いる
原料によっては大気中の水分と反応して生成物を形成す
る場合がある。このため、装置を使用していくうちに、
この生成物に起因して成膜速度や成膜特性の低下等の経
時変化が見られたり、供給装置内部で詰まり等のトラブ
ルが発生したりするおそれがある。詰まりが発生すると
原料の反応室への供給が停止するため、成膜も中断され
てしまう。この場合、気相成長装置から供給装置を取り
外してメンテナンスを行うことになるが、生成物の完全
な除去は難しく、生成物が供給装置に残存してしまうと
再利用できる可能性が少ない。
装置内部の大気を充分に取り除くことは難しく、用いる
原料によっては大気中の水分と反応して生成物を形成す
る場合がある。このため、装置を使用していくうちに、
この生成物に起因して成膜速度や成膜特性の低下等の経
時変化が見られたり、供給装置内部で詰まり等のトラブ
ルが発生したりするおそれがある。詰まりが発生すると
原料の反応室への供給が停止するため、成膜も中断され
てしまう。この場合、気相成長装置から供給装置を取り
外してメンテナンスを行うことになるが、生成物の完全
な除去は難しく、生成物が供給装置に残存してしまうと
再利用できる可能性が少ない。
【０００８】したがって、原料を大気に触れさせること
なく安定に反応室に供給することができ、成膜速度や成
膜特性の低下等の経時変化のおそれが少なく、長期間安
定にガス原料供給装置を使用できるような気相成長装置
が望まれていた。
なく安定に反応室に供給することができ、成膜速度や成
膜特性の低下等の経時変化のおそれが少なく、長期間安
定にガス原料供給装置を使用できるような気相成長装置
が望まれていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このため、この発明の気
相成長装置によれば、次の〜を具えたことを特徴と
している。
相成長装置によれば、次の〜を具えたことを特徴と
している。
【００１０】内部を真空に保持した状態で基板に対し
て膜の形成を行う反応室。
て膜の形成を行う反応室。
【００１１】反応室に、膜の原料であるガスを供給す
る原料ガス供給系。
る原料ガス供給系。
【００１２】この原料ガス供給系は、液相の原料を溜め
ておく原料液収納部と、この原料液収納部から供給され
た液相の原料を気化する原料ガス供給装置とで少なくと
も構成されている。
ておく原料液収納部と、この原料液収納部から供給され
た液相の原料を気化する原料ガス供給装置とで少なくと
も構成されている。
【００１３】原料ガス供給装置を洗浄するための洗浄
系。
系。
【００１４】このように、原料ガス供給装置（供給装
置）用の洗浄系を具えたことにより、この供給装置を取
り外すことなく、容易に内部の洗浄を行うことができ
る。
置）用の洗浄系を具えたことにより、この供給装置を取
り外すことなく、容易に内部の洗浄を行うことができ
る。
【００１５】例えばまず、供給装置の立ち上げ時の、す
でに説明してある前処理（不活性ガスによるパージおよ
び排気を数回繰り返す）の後に、供給装置に洗浄液を送
り込んで洗浄する。このことにより、供給装置内の大気
の除去を、より高い効果をもって行うことができる。
でに説明してある前処理（不活性ガスによるパージおよ
び排気を数回繰り返す）の後に、供給装置に洗浄液を送
り込んで洗浄する。このことにより、供給装置内の大気
の除去を、より高い効果をもって行うことができる。
【００１６】また、生成物が形成されて詰まり等のトラ
ブルが発生したとしても、再び供給装置に洗浄液を送り
込んで洗浄することができる。よって、供給装置を取り
外して煩雑なメンテナンスを行う必要もなく、容易に生
成物の除去を行うことができ、そのまま継続して供給装
置を使用することができる。
ブルが発生したとしても、再び供給装置に洗浄液を送り
込んで洗浄することができる。よって、供給装置を取り
外して煩雑なメンテナンスを行う必要もなく、容易に生
成物の除去を行うことができ、そのまま継続して供給装
置を使用することができる。
【００１７】上述の洗浄系は、例えば次のように構成さ
れる。すなわち、洗浄液を収納しておく洗浄液収納部
と、洗浄液を原料ガス供給装置に配管を介して送り込む
ための高圧不活性ガスを供給する高圧不活性ガス導入部
とを少なくとも具える。高圧不活性ガスは、洗浄液を送
り込むことのほか、洗浄液の排出を効率よく行うために
排気系と共に用いることもできる。また、詰まり等のト
ラブルの具合が軽いものであれば、供給装置に対して高
圧不活性ガスによるパージを行うことにより、洗浄液を
用いずに生成物の除去を行うこともできる。ここでいう
高圧不活性ガスとは、１０ｋｇ／ｃｍ2 程度までの高圧
に保持した不活性ガスのことである。用い得る不活性ガ
スとしては、Ｎ2 （窒素）、Ａｒ（アルゴン）、Ｈｅ
（ヘリウム）等が挙げられる。
れる。すなわち、洗浄液を収納しておく洗浄液収納部
と、洗浄液を原料ガス供給装置に配管を介して送り込む
ための高圧不活性ガスを供給する高圧不活性ガス導入部
とを少なくとも具える。高圧不活性ガスは、洗浄液を送
り込むことのほか、洗浄液の排出を効率よく行うために
排気系と共に用いることもできる。また、詰まり等のト
ラブルの具合が軽いものであれば、供給装置に対して高
圧不活性ガスによるパージを行うことにより、洗浄液を
用いずに生成物の除去を行うこともできる。ここでいう
高圧不活性ガスとは、１０ｋｇ／ｃｍ2 程度までの高圧
に保持した不活性ガスのことである。用い得る不活性ガ
スとしては、Ｎ2 （窒素）、Ａｒ（アルゴン）、Ｈｅ
（ヘリウム）等が挙げられる。
【００１８】また、洗浄液は、原料と反応することなく
原料を溶融することが可能な物質からなるものであれば
良い。具体的には、例えば原料としてＣｕ（ｈｆａｃ）
（ｔｍｖｓ）を用いる場合には、洗浄液としてＴＭＶＳ
を用いる。また、例えば原料としてテトラキスジメチル
アミノチタンまたはテトラキスジエチルアミノチタンを
用いる場合には、洗浄液としてノルマルヘキサンを用い
る。原料が常温常圧で液状のものであれば、そのまま原
料容器に入れて成膜を行うことができるが、常温常圧で
固体のものであれば、適当な溶媒に溶解させて液状にし
てから用いれば良い。
原料を溶融することが可能な物質からなるものであれば
良い。具体的には、例えば原料としてＣｕ（ｈｆａｃ）
（ｔｍｖｓ）を用いる場合には、洗浄液としてＴＭＶＳ
を用いる。また、例えば原料としてテトラキスジメチル
アミノチタンまたはテトラキスジエチルアミノチタンを
用いる場合には、洗浄液としてノルマルヘキサンを用い
る。原料が常温常圧で液状のものであれば、そのまま原
料容器に入れて成膜を行うことができるが、常温常圧で
固体のものであれば、適当な溶媒に溶解させて液状にし
てから用いれば良い。
【００１９】また、洗浄系は、例えば原料液収納部と原
料ガス供給装置との間で接続されているようにする。
料ガス供給装置との間で接続されているようにする。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図を参照してこの出願の発
明の実施の形態について説明する。以下の説明中で挙げ
る使用材料や数値的な使用条件は、これら発明の範囲内
の好適例にすぎない。従って、これらの発明は、これら
条件にのみ限定されるものではない。
明の実施の形態について説明する。以下の説明中で挙げ
る使用材料や数値的な使用条件は、これら発明の範囲内
の好適例にすぎない。従って、これらの発明は、これら
条件にのみ限定されるものではない。
【００２１】図１は、この発明の実施の形態の気相成長
装置１０の説明に供する概略的な装置構成図である。
装置１０の説明に供する概略的な装置構成図である。
【００２２】この発明の気相成長装置によれば、内部を
真空に保持した状態で基板に対して膜の形成を行う反応
室と、反応室に、膜の原料であるガスを供給する原料ガ
ス供給系と、原料ガス供給系を構成する原料ガス供給装
置を洗浄するための洗浄系とを具えている。また、原料
ガス供給系は、液相の原料を溜めておく原料液収納部
と、この原料液収納部から供給された液相の原料を気化
する原料ガス供給装置とを具えている。
真空に保持した状態で基板に対して膜の形成を行う反応
室と、反応室に、膜の原料であるガスを供給する原料ガ
ス供給系と、原料ガス供給系を構成する原料ガス供給装
置を洗浄するための洗浄系とを具えている。また、原料
ガス供給系は、液相の原料を溜めておく原料液収納部
と、この原料液収納部から供給された液相の原料を気化
する原料ガス供給装置とを具えている。
【００２３】ここでは、気相成長装置１０は、上述の反
応室１１、図中、破線で囲んで示した原料ガス供給系１
３、図中、一点破線で囲んで示した洗浄系１５から主と
して構成される。
応室１１、図中、破線で囲んで示した原料ガス供給系１
３、図中、一点破線で囲んで示した洗浄系１５から主と
して構成される。
【００２４】反応室１１は第１排気系１１ａを具えてお
り、内部を真空に保持できるようになっている。第１排
気系１１ａは、例えば油回転ポンプやターボ分子ポンプ
等を組み合わせた構成となっており、内部を１０-4Ｐａ
（パスカル）程度まで排気することが可能である。ま
た、反応室１１は、図示しないヒータや温度制御機構等
で構成される温度調節機構を有しており、所定の温度に
加熱保持することが可能である。この反応室１１内に
は、膜形成対象である基板を固定する基板ホルダ（図示
せず）が具えられている。
り、内部を真空に保持できるようになっている。第１排
気系１１ａは、例えば油回転ポンプやターボ分子ポンプ
等を組み合わせた構成となっており、内部を１０-4Ｐａ
（パスカル）程度まで排気することが可能である。ま
た、反応室１１は、図示しないヒータや温度制御機構等
で構成される温度調節機構を有しており、所定の温度に
加熱保持することが可能である。この反応室１１内に
は、膜形成対象である基板を固定する基板ホルダ（図示
せず）が具えられている。
【００２５】また、原料ガス供給系１３は、次のような
構成となっている。反応室１１に、第１配管１７ａを介
して原料ガス供給装置（供給装置）１３ａが接続されて
いて、この第１配管１７ａの中途に第１バルブ１９ａが
配設されている。原料ガス供給装置１３ａは、図示しな
いが、後述する原料液収納部１３ｂから、後述する配管
を介して供給された液相の原料をいったん溜めておく原
料容器と、この原料容器から配管を介して少しずつ供給
された原料液を気化する気化器とで構成されている。気
化器としては、市販の液体流量制御器等を用いることが
できる。
構成となっている。反応室１１に、第１配管１７ａを介
して原料ガス供給装置（供給装置）１３ａが接続されて
いて、この第１配管１７ａの中途に第１バルブ１９ａが
配設されている。原料ガス供給装置１３ａは、図示しな
いが、後述する原料液収納部１３ｂから、後述する配管
を介して供給された液相の原料をいったん溜めておく原
料容器と、この原料容器から配管を介して少しずつ供給
された原料液を気化する気化器とで構成されている。気
化器としては、市販の液体流量制御器等を用いることが
できる。
【００２６】また、供給装置１３ａには、第３配管１７
ｃを介して不活性ガス導入部２９が接続してあり、そし
て、この第３配管１７ｃには、供給装置１３ａに近い方
から順に、第３バルブ１９ｃ、第４バルブ１９ｄ、第５
バルブ１９ｅが配設されている。
ｃを介して不活性ガス導入部２９が接続してあり、そし
て、この第３配管１７ｃには、供給装置１３ａに近い方
から順に、第３バルブ１９ｃ、第４バルブ１９ｄ、第５
バルブ１９ｅが配設されている。
【００２７】また、第５バルブ１９ｅを挟む両側の第３
配管１７ｃの部分に、第７バルブ１９ｇが配設された第
５配管１７ｅと、第８バルブ１９ｈが配設された第６配
管１７ｆとが接続してある。この第５配管１７ｅおよび
第６配管１７ｆは、液相の原料を収納してある原料液収
納部１３ｂ内に向かって伸びている配管である。ここで
は、用いる原料をヘキサフルオロアセチルアセトナート
・トリメチルビニルシラン・銅（Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔ
ｍｖｓ））とする。第５配管１７ｅは、原料液吸い上げ
用の配管であるため、原料液押し出し用の第６配管１７
ｆに比べて長く、第５配管１７ｅの先端は原料液収納部
１３ｂの原料液中に浸されているが、第６配管１７ｆの
先端は原料液中に浸されていない。また、第３配管１７
ｃの、供給装置１３ａに接続してある側とは反対側の先
端に、不活性ガス導入部２９が配設してある。この不活
性ガス導入部２９より第６配管１７ｆに不活性ガスが導
入されると、第５配管１７ｅが原料液を吸い上げる仕組
みとなっている。
配管１７ｃの部分に、第７バルブ１９ｇが配設された第
５配管１７ｅと、第８バルブ１９ｈが配設された第６配
管１７ｆとが接続してある。この第５配管１７ｅおよび
第６配管１７ｆは、液相の原料を収納してある原料液収
納部１３ｂ内に向かって伸びている配管である。ここで
は、用いる原料をヘキサフルオロアセチルアセトナート
・トリメチルビニルシラン・銅（Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔ
ｍｖｓ））とする。第５配管１７ｅは、原料液吸い上げ
用の配管であるため、原料液押し出し用の第６配管１７
ｆに比べて長く、第５配管１７ｅの先端は原料液収納部
１３ｂの原料液中に浸されているが、第６配管１７ｆの
先端は原料液中に浸されていない。また、第３配管１７
ｃの、供給装置１３ａに接続してある側とは反対側の先
端に、不活性ガス導入部２９が配設してある。この不活
性ガス導入部２９より第６配管１７ｆに不活性ガスが導
入されると、第５配管１７ｅが原料液を吸い上げる仕組
みとなっている。
【００２８】以上の、第１、第３、第５および第６配管
１７ａ、１７ｃ、１７ｅおよび１７ｆと、第１、第３、
第４、第５、第７および第８バルブ１９ａ、１９ｃ、１
９ｄ、１９ｅ、１９ｇおよび１９ｈと、原料ガス供給装
置１３ａと、原料液収納部１３ｂと、不活性ガス導入部
２９とで、原料ガス供給系１３を主として構成してい
る。
１７ａ、１７ｃ、１７ｅおよび１７ｆと、第１、第３、
第４、第５、第７および第８バルブ１９ａ、１９ｃ、１
９ｄ、１９ｅ、１９ｇおよび１９ｈと、原料ガス供給装
置１３ａと、原料液収納部１３ｂと、不活性ガス導入部
２９とで、原料ガス供給系１３を主として構成してい
る。
【００２９】一方、洗浄系１５は、洗浄液収納部１５ａ
と、高圧不活性ガス導入部１５ｂと、これら洗浄液収納
部１５ａ及び高圧不活性ガス導入部１５ｂから供給装置
１３ａに至る配管と、この配管に設けられたバルブと、
第１および第２排気系２３および２７と、これら排気系
と供給装置１３ａに至る配管と、これら配管に設けられ
たバルブ等で構成されている。上述の第３バルブ１９ｃ
および第４バルブ１９ｄの間の第３配管１７ｃ部分と高
圧不活性ガス導入部１５ｂとの間に、第７配管１７ｇが
接続してある。この第７配管１７ｇの中途には、第３バ
ルブ１９ｃ側から第９バルブ１９ｉおよび第１０バルブ
１９ｊが順次に配設されており、第１０バルブ１９ｊを
はさむ両側の第７配管１７ｇの部分に、第１１バルブ１
９ｋが配設してある第８配管１７ｈと、第１２バルブ１
９ｌが配設してある第９配管１７ｉとが接続してある。
この第８配管１７ｈおよび第９配管１７ｉは、それらの
先端部分が洗浄液を収納してある洗浄液収納部１５ａ内
に向かって伸びている配管である。ここでは、用いる洗
浄液をトリメチルビニルシラン（ＴＭＶＳ）とする。洗
浄液吸い上げ用の第８配管１７ｈは、洗浄液押し出し用
の第９配管１７ｉに比べて長く、第８配管１７ｈの先端
は洗浄液収納部１５ａの洗浄液中に浸されているが、第
９配管１７ｉの先端は浸されていない。また、第７配管
１７ｇの第９バルブ１９ｉとは反対側の先端に、高圧不
活性ガスを供給する高圧不活性ガス導入部１５ｂが接続
してある。この高圧不活性ガス導入部１５ｂより、高圧
に保持された不活性ガスが第９配管１７ｉに導入される
と、第８配管１７ｈが洗浄液を吸い上げる仕組みとなっ
ている。高圧不活性ガスは洗浄液と反応しないものが良
く、ここではＮ2 （窒素）を用いる。
と、高圧不活性ガス導入部１５ｂと、これら洗浄液収納
部１５ａ及び高圧不活性ガス導入部１５ｂから供給装置
１３ａに至る配管と、この配管に設けられたバルブと、
第１および第２排気系２３および２７と、これら排気系
と供給装置１３ａに至る配管と、これら配管に設けられ
たバルブ等で構成されている。上述の第３バルブ１９ｃ
および第４バルブ１９ｄの間の第３配管１７ｃ部分と高
圧不活性ガス導入部１５ｂとの間に、第７配管１７ｇが
接続してある。この第７配管１７ｇの中途には、第３バ
ルブ１９ｃ側から第９バルブ１９ｉおよび第１０バルブ
１９ｊが順次に配設されており、第１０バルブ１９ｊを
はさむ両側の第７配管１７ｇの部分に、第１１バルブ１
９ｋが配設してある第８配管１７ｈと、第１２バルブ１
９ｌが配設してある第９配管１７ｉとが接続してある。
この第８配管１７ｈおよび第９配管１７ｉは、それらの
先端部分が洗浄液を収納してある洗浄液収納部１５ａ内
に向かって伸びている配管である。ここでは、用いる洗
浄液をトリメチルビニルシラン（ＴＭＶＳ）とする。洗
浄液吸い上げ用の第８配管１７ｈは、洗浄液押し出し用
の第９配管１７ｉに比べて長く、第８配管１７ｈの先端
は洗浄液収納部１５ａの洗浄液中に浸されているが、第
９配管１７ｉの先端は浸されていない。また、第７配管
１７ｇの第９バルブ１９ｉとは反対側の先端に、高圧不
活性ガスを供給する高圧不活性ガス導入部１５ｂが接続
してある。この高圧不活性ガス導入部１５ｂより、高圧
に保持された不活性ガスが第９配管１７ｉに導入される
と、第８配管１７ｈが洗浄液を吸い上げる仕組みとなっ
ている。高圧不活性ガスは洗浄液と反応しないものが良
く、ここではＮ2 （窒素）を用いる。
【００３０】また、第１バルブ１９ａと供給装置１３ａ
との間の第１配管１７ａ部分に第２配管１７ｂが接続し
てあり、第２配管１７ｂは第２バルブ１９ｂを介して第
１ベント２１に接続してある。この第１ベント２１の先
端に第２排気系２３が配設されている。また、第３バル
ブ１９ｃと第４バルブ１９ｄとの間の第３配管１７ｃ部
分に第４配管１７ｄが接続してあり、第４配管１７ｄは
第６バルブ１９ｆを介して第２ベント２５に接続してあ
る。この第２ベント２５の先端に第３排気系２７が配設
されている。
との間の第１配管１７ａ部分に第２配管１７ｂが接続し
てあり、第２配管１７ｂは第２バルブ１９ｂを介して第
１ベント２１に接続してある。この第１ベント２１の先
端に第２排気系２３が配設されている。また、第３バル
ブ１９ｃと第４バルブ１９ｄとの間の第３配管１７ｃ部
分に第４配管１７ｄが接続してあり、第４配管１７ｄは
第６バルブ１９ｆを介して第２ベント２５に接続してあ
る。この第２ベント２５の先端に第３排気系２７が配設
されている。
【００３１】以上、第１バルブ１９ａと供給装置１３ａ
との間の第１配管１７ａと、第４バルブ１９ｄよりも供
給装置１３ａ寄りの第３配管部分と、第２、第４、第
７、第８および第９配管１７ｂ、１７ｄ、１７ｇ、１７
ｈおよび１７ｉと、第２、第６、第９、第１０、第１１
および第１２バルブ１９ｂ、１９ｆ、１９ｉ、１９ｊ、
１９ｋおよび１９ｌと、洗浄液収納部１５ａと、高圧不
活性ガス導入部１５ｂと、第１ベント２１および第２排
気系２３、第２ベント２５および第３排気系２５とで、
洗浄系１５を主として構成している。
との間の第１配管１７ａと、第４バルブ１９ｄよりも供
給装置１３ａ寄りの第３配管部分と、第２、第４、第
７、第８および第９配管１７ｂ、１７ｄ、１７ｇ、１７
ｈおよび１７ｉと、第２、第６、第９、第１０、第１１
および第１２バルブ１９ｂ、１９ｆ、１９ｉ、１９ｊ、
１９ｋおよび１９ｌと、洗浄液収納部１５ａと、高圧不
活性ガス導入部１５ｂと、第１ベント２１および第２排
気系２３、第２ベント２５および第３排気系２５とで、
洗浄系１５を主として構成している。
【００３２】次に、この気相成長装置１０の動作につい
て説明する。
て説明する。
【００３３】まず、原料ガス供給装置１３ａを立ち上げ
る。最初に、第１バルブ１９ａ、第４バルブ１９ｄ、第
９バルブ１９ｉが閉まっていることを確認する。次に、
第３バルブ１９ｃおよび第６バルブ１９ｆを開き、第６
バルブ１９ｆに接続されている第２ベント２５側の第３
排気系２７を用いて、配管を含む供給装置１３ａ内部
（原料容器、気化器）の排気を行う。場合によっては、
供給装置１３ａ内部がある程度減圧された状態になれ
ば、途中から第１バルブ１９ａを開いて、第１排気系１
１ａと第３排気系２７とを同時に用いて、供給装置１３
ａの排気を効率よく行っても良い。
る。最初に、第１バルブ１９ａ、第４バルブ１９ｄ、第
９バルブ１９ｉが閉まっていることを確認する。次に、
第３バルブ１９ｃおよび第６バルブ１９ｆを開き、第６
バルブ１９ｆに接続されている第２ベント２５側の第３
排気系２７を用いて、配管を含む供給装置１３ａ内部
（原料容器、気化器）の排気を行う。場合によっては、
供給装置１３ａ内部がある程度減圧された状態になれ
ば、途中から第１バルブ１９ａを開いて、第１排気系１
１ａと第３排気系２７とを同時に用いて、供給装置１３
ａの排気を効率よく行っても良い。
【００３４】次に、第６バルブ１９ｆ、第１１および第
１２バルブ１９ｋおよび１９ｌを閉め、第９バルブ１９
ｉおよび第１０バルブ１９ｊを開いて、高圧不活性ガス
導入部１５ｂよりＮ2 を導入し、供給装置１３ａに対し
てパージを行う。以上の操作（排気、パージ）を数回繰
り返す。
１２バルブ１９ｋおよび１９ｌを閉め、第９バルブ１９
ｉおよび第１０バルブ１９ｊを開いて、高圧不活性ガス
導入部１５ｂよりＮ2 を導入し、供給装置１３ａに対し
てパージを行う。以上の操作（排気、パージ）を数回繰
り返す。
【００３５】次に、第１０バルブ１９ｊを閉めて第１１
バルブ１９ｋおよび第１２バルブ１９ｌを開き、洗浄液
収納部１５ａに、高圧不活性ガス導入部１５ｂより、第
９配管１７ｉを介してＮ2 を導入する。こうして、第８
配管１７ｈ→第７配管１７ｇ→第３配管１７ｃの、第４
バルブ１９ｄよりも供給装置１３ａ寄りの部分→供給装
置１３ａ→供給装置１３ａと第１バルブ１９ａとの間の
第１配管１７ａ、の順に、これらを洗浄液で満たす。次
に、第１１バルブ１９ｋおよび第１２バルブ１９ｌを閉
め、第６バルブ１９ｆを開いて、第３排気系２７より洗
浄液を排出する。このとき、第１０バルブ１９ｊを開い
て、高圧不活性ガス導入部１５ｂより、同時にＮ2 を導
入すると、洗浄液の排出を効率よく行うことができる。
ここで用いた洗浄液は蒸気圧が高いため、気体となって
排出（排気）される。こうして供給装置１３ａ内部に残
存していた大気（大気中の水分）の除去を行う。この洗
浄液を用いた立ち上げ時の処理により、供給装置１３ａ
内の大気の除去を、より高い効果をもって行うことがで
きる。このため、成膜速度や成膜特性等の低下等の経時
変化が起こるおそれが少ない。
バルブ１９ｋおよび第１２バルブ１９ｌを開き、洗浄液
収納部１５ａに、高圧不活性ガス導入部１５ｂより、第
９配管１７ｉを介してＮ2 を導入する。こうして、第８
配管１７ｈ→第７配管１７ｇ→第３配管１７ｃの、第４
バルブ１９ｄよりも供給装置１３ａ寄りの部分→供給装
置１３ａ→供給装置１３ａと第１バルブ１９ａとの間の
第１配管１７ａ、の順に、これらを洗浄液で満たす。次
に、第１１バルブ１９ｋおよび第１２バルブ１９ｌを閉
め、第６バルブ１９ｆを開いて、第３排気系２７より洗
浄液を排出する。このとき、第１０バルブ１９ｊを開い
て、高圧不活性ガス導入部１５ｂより、同時にＮ2 を導
入すると、洗浄液の排出を効率よく行うことができる。
ここで用いた洗浄液は蒸気圧が高いため、気体となって
排出（排気）される。こうして供給装置１３ａ内部に残
存していた大気（大気中の水分）の除去を行う。この洗
浄液を用いた立ち上げ時の処理により、供給装置１３ａ
内の大気の除去を、より高い効果をもって行うことがで
きる。このため、成膜速度や成膜特性等の低下等の経時
変化が起こるおそれが少ない。
【００３６】次に、第５バルブ１９ｅ、第９バルブ１９
ｉおよび第６バルブ１９ｆを閉め、第４バルブ１９ｄ、
第７バルブ１９ｇ、第８バルブ１９ｈを開いて、不活性
ガス導入部２９より、Ｈｅ等の不活性ガスを、第６配管
１７ｆを介して供給装置１３ａ側に送り込む。このた
め、原料液（Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ））は、第５
配管１７ｅ、第３配管１７ｃを介して、原料ガス供給装
置１３ａ内の図示しない原料容器に送り込まれる。
ｉおよび第６バルブ１９ｆを閉め、第４バルブ１９ｄ、
第７バルブ１９ｇ、第８バルブ１９ｈを開いて、不活性
ガス導入部２９より、Ｈｅ等の不活性ガスを、第６配管
１７ｆを介して供給装置１３ａ側に送り込む。このた
め、原料液（Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ））は、第５
配管１７ｅ、第３配管１７ｃを介して、原料ガス供給装
置１３ａ内の図示しない原料容器に送り込まれる。
【００３７】次に、原料容器から原料を図示しない気化
器に送り込んで気化する。その後、真空排気が済んだ反
応室１１に、供給装置１３ａから、第１バルブ１９ａを
介して原料ガスを送り込み、熱化学反応を生じさせるこ
とにより、基板ホルダに設置した基板に対して成膜を行
う。
器に送り込んで気化する。その後、真空排気が済んだ反
応室１１に、供給装置１３ａから、第１バルブ１９ａを
介して原料ガスを送り込み、熱化学反応を生じさせるこ
とにより、基板ホルダに設置した基板に対して成膜を行
う。
【００３８】ここで、供給装置１３ａ内部において、何
らかの原因で生成物が発生し、詰まり等のトラブルが生
じた場合は、次のような処理を行う。
らかの原因で生成物が発生し、詰まり等のトラブルが生
じた場合は、次のような処理を行う。
【００３９】１）第１バルブ１９ａ、第３バルブ１９
ｃ、第９バルブ１９ｉ、第１０バルブ１９ｊを開き、他
のバルブを閉じた後、高圧不活性ガス導入部１５ｂよ
り、第７配管１７ｇ→第３配管１７ｃの、第４バルブ１
９ｄよりも供給装置１３ａ寄りの部分→供給装置１３ａ
→第１配管１７ａ→反応室の順にＮ2 ガスを送り込む。
このとき、反応室１１に具えられている図示しない圧力
計をモニターし、反応室１１の圧力上昇を確認する。Ｎ
2 の供給圧力を上げることで徐々に反応室１１内の圧力
が上昇すれば、高圧不活性ガス（Ｎ2 ）のパージによっ
て供給装置１３ａ内の生成物が除去されて、Ｎ2 が反応
室に導入されたことになり、この処理が有効であること
を示す。
ｃ、第９バルブ１９ｉ、第１０バルブ１９ｊを開き、他
のバルブを閉じた後、高圧不活性ガス導入部１５ｂよ
り、第７配管１７ｇ→第３配管１７ｃの、第４バルブ１
９ｄよりも供給装置１３ａ寄りの部分→供給装置１３ａ
→第１配管１７ａ→反応室の順にＮ2 ガスを送り込む。
このとき、反応室１１に具えられている図示しない圧力
計をモニターし、反応室１１の圧力上昇を確認する。Ｎ
2 の供給圧力を上げることで徐々に反応室１１内の圧力
が上昇すれば、高圧不活性ガス（Ｎ2 ）のパージによっ
て供給装置１３ａ内の生成物が除去されて、Ｎ2 が反応
室に導入されたことになり、この処理が有効であること
を示す。
【００４０】２）上記１）の処理を行っても改善が見ら
れない場合は、第１０バルブ１９ｊを閉めて第１１バル
ブ１９ｋおよび第１２バルブ１９ｌを開き、Ｎ2 ガスを
洗浄液収納部１５ａに導入しながら、洗浄液を第８配管
１７ｈ→第７配管１７ｇの、第１０バルブ１９ｊが設け
られている側の部分→第３配管１７ｃの、第４バルブ１
９ｄよりも供給装置１３ａ寄りの部分→供給装置１３ａ
→第１配管１７ａ→反応室１１の順に送り込む。Ｎ2 の
供給圧力を上げていきながら上述の圧力計をモニターし
ていると、反応室の圧力の急激な上昇が見られる。これ
は、洗浄液による洗浄効果と高圧不活性ガス（Ｎ2 ）の
パージとによって供給装置１３ａ内部の生成物が除去さ
れて、洗浄液とガスとの混合物が反応室に流れ込むため
である。反応室１１に流れ込んだ洗浄液およびガスは、
第１排気系１１ａより排気する。
れない場合は、第１０バルブ１９ｊを閉めて第１１バル
ブ１９ｋおよび第１２バルブ１９ｌを開き、Ｎ2 ガスを
洗浄液収納部１５ａに導入しながら、洗浄液を第８配管
１７ｈ→第７配管１７ｇの、第１０バルブ１９ｊが設け
られている側の部分→第３配管１７ｃの、第４バルブ１
９ｄよりも供給装置１３ａ寄りの部分→供給装置１３ａ
→第１配管１７ａ→反応室１１の順に送り込む。Ｎ2 の
供給圧力を上げていきながら上述の圧力計をモニターし
ていると、反応室の圧力の急激な上昇が見られる。これ
は、洗浄液による洗浄効果と高圧不活性ガス（Ｎ2 ）の
パージとによって供給装置１３ａ内部の生成物が除去さ
れて、洗浄液とガスとの混合物が反応室に流れ込むため
である。反応室１１に流れ込んだ洗浄液およびガスは、
第１排気系１１ａより排気する。
【００４１】このように、洗浄系１５を動作させること
により、供給装置１３ａを取り外すことなく、この供給
装置１３ａ内部の詰まりを除去することができ、継続し
て使用することができる。
により、供給装置１３ａを取り外すことなく、この供給
装置１３ａ内部の詰まりを除去することができ、継続し
て使用することができる。
【００４２】なお、ここでは、上記の生成物除去におい
て、洗浄液およびガスを反応室１１の排気系１１ａから
排気する例を示したが、反応室１１をクリーンに保つ上
からは、第１バルブ１９ａを閉め、第２バルブ１９ｂを
開いて第２排気系２３から排気する方が望ましい。
て、洗浄液およびガスを反応室１１の排気系１１ａから
排気する例を示したが、反応室１１をクリーンに保つ上
からは、第１バルブ１９ａを閉め、第２バルブ１９ｂを
開いて第２排気系２３から排気する方が望ましい。
【００４３】この発明は、例示の形態に限定されるもの
ではないことは明らかである。例えば、上述の形態で
は、原料としてＣｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）を用い、
洗浄液としてＴＭＶＳを用いた例を示したが、その他の
適切な組み合わせでも良い。例えば、原料として、テト
ラキスジメチルアミノチタンやテトラキスジエチルアミ
ノチタン等のテトラキスジアルキルアミノチタンを用い
た場合には、洗浄液としてノルマルヘキサンを用いるこ
とができる。
ではないことは明らかである。例えば、上述の形態で
は、原料としてＣｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）を用い、
洗浄液としてＴＭＶＳを用いた例を示したが、その他の
適切な組み合わせでも良い。例えば、原料として、テト
ラキスジメチルアミノチタンやテトラキスジエチルアミ
ノチタン等のテトラキスジアルキルアミノチタンを用い
た場合には、洗浄液としてノルマルヘキサンを用いるこ
とができる。
【００４４】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の気相成長装置によれば、反応室と原料ガス供給
装置とを少なくとも具えた気相成長装置において、原料
ガス供給装置を洗浄するための洗浄系を具えている。
の発明の気相成長装置によれば、反応室と原料ガス供給
装置とを少なくとも具えた気相成長装置において、原料
ガス供給装置を洗浄するための洗浄系を具えている。
【００４５】このため、原料ガス供給装置の立ち上げ時
の前処理（不活性ガスによるパージおよび排気を数回繰
り返す）の後に、供給装置に洗浄液を送り込んで、供給
装置を洗浄することができる。このことにより、供給装
置内の大気の除去を、より高い効果をもって行うことが
できる。このため、成膜速度や成膜特性等の低下等の経
時変化が起こるおそれが少ない。
の前処理（不活性ガスによるパージおよび排気を数回繰
り返す）の後に、供給装置に洗浄液を送り込んで、供給
装置を洗浄することができる。このことにより、供給装
置内の大気の除去を、より高い効果をもって行うことが
できる。このため、成膜速度や成膜特性等の低下等の経
時変化が起こるおそれが少ない。
【００４６】また、生成物が形成されて詰まり等のトラ
ブルが発生したとしても、再び供給装置に洗浄液を送り
込んで、供給装置を洗浄することができる。よって、供
給装置を取り外して煩雑なメンテナンスを行う必要もな
く、容易に生成物の除去を行うことができ、そのまま継
続して供給装置を使用することができる。
ブルが発生したとしても、再び供給装置に洗浄液を送り
込んで、供給装置を洗浄することができる。よって、供
給装置を取り外して煩雑なメンテナンスを行う必要もな
く、容易に生成物の除去を行うことができ、そのまま継
続して供給装置を使用することができる。
【００４７】したがって、原料を大気に触れさせること
なく安定に反応室に供給することができ、成膜速度や成
膜特性の低下等の経時変化のおそれが少なく、長期間安
定にガス原料供給装置を使用することが可能な気相成長
装置を得ることができる。
なく安定に反応室に供給することができ、成膜速度や成
膜特性の低下等の経時変化のおそれが少なく、長期間安
定にガス原料供給装置を使用することが可能な気相成長
装置を得ることができる。
【図１】この発明の実施の形態の気相成長装置の説明に
供する概略的な装置構成図である。
供する概略的な装置構成図である。
１０：気相成長装置 １１：反応室 １１ａ：第１排気系 １３：原料ガス供給系 １３ａ：原料ガス供給装置 １３ｂ：原料液収納部 １５：洗浄系 １５ａ：洗浄液収納部 １５ｂ：高圧不活性ガス導入部 １７ａ〜１７ｉ：第１〜第９配管 １９ａ〜１９ｌ：第１〜第１２バルブ ２１：第１ベント ２３：第２排気系 ２５：第２ベント ２７：第３排気系 ２９：不活性ガス導入部
Claims (8)
- 【請求項１】 内部を真空に保持した状態で基板に対し
て膜の形成を行う反応室と、 該反応室に前記膜の原料であるガスを供給する原料ガス
供給系であって、液相の原料を溜めておく原料液収納部
と該原料液収納部から供給された前記液相の原料を気化
する原料ガス供給装置とで少なくとも構成される当該原
料ガス供給系と、 前記原料ガス供給装置を洗浄するための洗浄系とを具え
たことを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の気相成長装置におい
て、 前記洗浄系は、洗浄液を収納しておく洗浄液収納部と、
前記洗浄液を前記原料ガス供給装置に配管を介して送り
込むための高圧不活性ガスを供給する高圧不活性ガス導
入部とを少なくとも具えていることを特徴とする気相成
長装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の気相成長装置におい
て、 前記洗浄液は、前記原料と反応することなく前記原料を
溶融することが可能な物質からなることを特徴とする気
相成長装置。 - 【請求項４】 請求項２に記載の気相成長装置におい
て、 前記原料としてヘキサフルオロアセチルアセトナート・
トリメチルビニルシラン・銅を用いる場合には、 前記洗浄液としてトリメチルビニルシランを用いること
を特徴とする気相成長装置。 - 【請求項５】 請求項２に記載の気相成長装置におい
て、 前記原料としてテトラキスジメチルアミノチタンまたは
テトラキスジエチルアミノチタンを用いる場合には、 前記洗浄液としてノルマルヘキサンを用いることを特徴
とする気相成長装置。 - 【請求項６】 請求項１に記載の気相成長装置におい
て、 前記洗浄系は、前記原料液収納部と、前記原料ガス供給
装置との間で接続されていることを特徴とする気相成長
装置。 - 【請求項７】 請求項１に記載の気相成長装置におい
て、 前記反応室は第１排気系を具えており、 前記反応室に接続してある第１配管および該第１配管に
配設された第１バルブを介して前記原料ガス供給装置が
配設されてあり、 前記第１バルブと前記原料ガス供給装置との間の前記第
１配管部分に接続してある第２配管は、第２バルブを介
して第２排気系が配設されてある第１ベントに接続して
あり、 前記原料ガス供給装置の、前記第１配管に接続してある
側とは反対側に第３配管が接続してあり、 該第３配管には、前記原料ガス供給装置に近い方から順
に、第３バルブ、第４バルブ、第５バルブが配設されて
あり、 前記第３バルブと前記代４バルブとの間の前記第３配管
部分に第４配管が接続してあり、該第４配管は第６バル
ブを介して第３排気系が配設してある第２ベントに接続
してあり、 前記第５バルブを挟む両側の前記第３配管部分に、先端
部分が前記原料液収納部内に向かって伸びている、第７
バルブが配設された原料液吸い上げ用の第５配管と、第
８バルブが配設された原料液押し上げ用の第６配管とが
接続してあり、 前記第３配管の、前記原料ガス供給装置に接続してある
側とは反対側の先端に不活性ガス導入部が配設してあ
り、 前記第３バルブおよび第４バルブの間の第３配管部分
に、第９バルブが配設してある第７配管が接続してあ
り、 前記第７配管の、前記第３配管に接続してある側とは反
対側の先端に高圧不活性ガス導入部が接続されており、
該第７配管には第１０バルブおよび第１１バルブが順次
に配設してあり、 前記第１０バルブを挟む両側の前記第７配管部分に、先
端部分が前記洗浄液収納部内に向かって伸びている、第
１１バルブが排泄された洗浄液吸い上げ用の第８配管
と、第１２バルブが配設された洗浄液押し上げ用の第９
配管とが接続してあることを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項８】 請求項３に記載の気相成長装置におい
て、 前記第１、第３、第５および第６配管と、前記第１、第
３、第４、第５、第７および第８バルブと、前記原料ガ
ス供給装置と、前記原料液収納部と、前記不活性ガス導
入部とを前記原料ガス供給系とし、 前記第１バルブと前記原料ガス供給装置との間の前記第
１配管部分と、前記第４バルブよりも前記原料ガス供給
装置よりの前記第３配管部分と、前記第２、第４、第
７、第８および第９配管と、前記第２、第６、第９、第
１０、第１１および第１２バルブと、前記洗浄液収納部
と、前記高圧不活性ガス導入部と、前記第１および第２
ベントと、第２および第３排気系とを前記洗浄系とした
ことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24618896A JPH1088349A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24618896A JPH1088349A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 気相成長装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007259420A Division JP4680246B2 (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 気相成長装置の異常生成物除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1088349A true JPH1088349A (ja) | 1998-04-07 |
Family
ID=17144830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24618896A Pending JPH1088349A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1088349A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006052424A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP2009094401A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2009094424A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-04-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置 |
| JP2009519596A (ja) * | 2005-12-13 | 2009-05-14 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 低蒸気圧の前駆体のための溶媒としてのアルキルシラン |
| JP2010123977A (ja) * | 1998-06-08 | 2010-06-03 | Advanced Technology Materials Inc | 複合化パージ技術を用いるパージ・システムを有する化学物質デリバリー・システム |
| US9347616B2 (en) | 2011-05-28 | 2016-05-24 | Entegris, Inc. | Refillable ampoule with purge capability |
| JPWO2021193406A1 (ja) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 | ||
| US11720498B2 (en) | 2021-05-13 | 2023-08-08 | Fujitsu Limited | Arithmetic processing device and arithmetic processing method |
-
1996
- 1996-09-18 JP JP24618896A patent/JPH1088349A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010123977A (ja) * | 1998-06-08 | 2010-06-03 | Advanced Technology Materials Inc | 複合化パージ技術を用いるパージ・システムを有する化学物質デリバリー・システム |
| JP2006052424A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| US8518181B2 (en) | 2004-08-10 | 2013-08-27 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and film forming method |
| JP2009519596A (ja) * | 2005-12-13 | 2009-05-14 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 低蒸気圧の前駆体のための溶媒としてのアルキルシラン |
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| US9347616B2 (en) | 2011-05-28 | 2016-05-24 | Entegris, Inc. | Refillable ampoule with purge capability |
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