JPH1090916A

JPH1090916A - 多層配線基板の製造方法及び配線形成装置

Info

Publication number: JPH1090916A
Application number: JP9154741A
Authority: JP
Inventors: Shigetada Sato; 重匡佐藤; Kenichi Kanno; 憲一管野; Haruhiko Matsuyama; 治彦松山
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-06-12
Filing date: 1997-06-12
Publication date: 1998-04-10

Abstract

(57)【要約】【課題】歪又は変形を含むセラミックス多層配線基板の
全領域に渡って、薄膜状配線の形成を一括して高精度で
行う方法及び装置を提供することにある。【解決手段】セラミックス多層配線基板の各ＬＳＩ搭載
エリアの位置座標と、これらに対応するフォトマスク上
の位置座標に例えば最小二乗法を適用してセラミックス
多層配線基板の補正量（回転角度及び位置の移動量）を
計算機により算出し、算出した補正量に基づいて、多層
配線基板の支持装置を制御することにより、フォトマス
クに対する基板の位置合わせを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板の製
造方法及び配線形成装置に関するものであり、特にセラ
ミックス多層配線基板上に多数のＬＳＩ搭載エリアがあ
る場合に、所望の薄膜状配線を一括露光により形成する
多層配線基板の製造方法及び配線形成装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】最近の注目すべきＬＳＩ実装技術の一つ
として、多数のＬＳＩを搭載した多層配線基板が使用さ
れるが、特に基板材料としては熱伝導性に優れるセラミ
ックス材料が用いられ、数十層の回路配線層を積層した
構成のセラミックス多層配線基板が使用されている（例
えば昭和６３年５月３０日株式会社オーム社発行「薄膜
ハンドブック」第９頁〜第１０頁参照）。

【０００３】ここで、セラミックス多層配線基板の製作
方法について以下に説明する。

【０００４】アルミナ粉末、ムライト粉末、あるいはガ
ラス粉末等の酸化物、あるいは炭化物、窒化物等の粉末
との混合物を有機高分子材料と溶剤及び可塑剤と共に混
合して、スラリー（泥漿物）を調製する。

【０００５】次いで、減圧化によりスラリーの脱泡と粘
度調整をした後、シート作成装置にて所定の厚さと幅に
成形し、乾燥により溶剤を揮散させ、可撓性のあるセラ
ミックスグリーンシートを作成する。

【０００６】作成したセラミックスグリーンシートにパ
ンチ又はレーザにより貫通穴をあける。その貫通穴とシ
ートの表面に、所望の開口を有する印刷用スクリーンを
用いて、金属粉末と粘性液とからなる厚膜ペーストを印
刷し、貫通穴に導電材を充填すると共にシート表面に導
電性皮膜の回路パターンを形成する。

【０００７】積み重ねる回路層のパターンに従い、数十
枚のシートを積層する。

【０００８】上記したシート積層物を加圧し、１００〜
２００℃の温度で加熱し、シートに含まれる有機高分子
材料の熱可塑性により、シート間の接着を行い、一体化
したシート圧着体を作製する。

【０００９】その後、更にシート圧着体を９００〜１７
００℃の高温で加熱し、シート材料及び膜パターン材料
を構成する有機分子材料や溶剤等を揮散させ、シート材
料を構成するセラミックス粉末や膜パターンを構成する
金属粉末を焼結させてセラミックス多層配線基板とす
る。

【００１０】そして、このセラミックス多層配線基板の
表面に薄膜状の所望の外部配線を形成した後、当該基板
上に多数のＬＳＩチップを並べて高密度に搭載する。こ
れらのチップは、基板内部の多層配線、及び、基板表面
に形成された外部配線により相互に接続されている。

【００１１】薄膜状配線の形成においては、多層配線基
板上にフォトレジストを塗布した後、所定の開口部を有
するフォトマスクを用いて、フォトマスクパターン状に
露光し、露光部のフォトレジストを除去することによっ
て有機絶縁膜を形成する。このため、外部配線を精度良
く形成するには、多層配線基板に対するフォトマスクの
位置合わせを正確に行なう必要がある。一般に、この種
の位置合わせは、基板外縁の２隅又は４隅に設けたスル
ーホールをターゲットマークとして使用し、このマーク
をフォトマスクのターゲットマークに合わせることによ
って行なう。

【００１２】作製した多層配線基板には、セラミックス
の焼成工程において、不所望の歪又は変形が発生する。
このため、従来の位置合わせ方法では、基板の位置合わ
せ用スルーホール付近のパターンの位置ずれは小さい
が、スルーホールから離れたところにあるパターンの位
置ずれは大きくなり、この位置ずれを解消することが困
難であった。

【００１３】もっとも、この種の障害は、基板を複数の
領域に分割し、個々の領域ごとに位置合わせを行なって
フォトマスクパターンを露光する分割露光の方法や、決
められたピッチでフォトマスクパターンを順次露光する
ステップ露光の方法を採用することによって回避するこ
とが可能である。しかし、これらの方法では、製造工程
が著しく増加するためコスト高になるという問題があ
る。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術の問題点を解決し、歪又は変形を含むセラミッ
クス多層配線基板を使用した場合であっても、当該基板
の全領域にわたる多数のＬＳＩ搭載エリアに対して、薄
膜状配線の形成工程における露光・現像を一括して高精
度で行なうことができる多層配線基板の製造方法及び薄
膜状配線の形成装置を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の前記課題は、セ
ラミックス多層配線基板上に設けられている多数のＬＳ
Ｉ搭載エリアを位置合わせのためのターゲットマークと
して利用することによって効果的に解決することができ
る。

【００１６】ＬＳＩ搭載エリアは、多層配線基板のほぼ
全面にわたって多数形成されており、例えばテレビカメ
ラを用いて撮影した画像データに所定の演算処理を施す
ことにより、個々のＬＳＩ搭載エリアの位置座標を算出
することが可能である。本発明は、このようにして算出
したＬＳＩ搭載エリアの位置座標と、個々のＬＳＩ搭載
エリアに対応するフォトマスク上の位置座標（基準位置
座標）に所定の演算処理（例えば最小二乗法による演算
処理）を施すことにより、位置合わせに必要な多層配線
基板の補正量（回転角度及び位置の移動量）を算出し、
算定した補正量に基づいて多層配線基板の位置を制御す
ることにより、フォトマスクに対する基板の位置合わせ
を行なうものである。

【００１７】本発明によれば、歪又は変形を含むセラミ
ックス多層配線基板の全体とフォトマスクを一度に高精
度に位置合わせすることができるため、大型基板上に一
回の露光により高精度な薄膜パターンを形成することが
できる。

【００１８】また、本発明によれば、前記算定した補正
量に基づいて多層配線基板の支持装置を制御し、フォト
マスクに対する基板の位置合わせを行なった後、露光部
により露光を行ない基板表面に薄膜状配線を形成するた
め、当該基板の全領域にわたる多数のＬＳＩ搭載エリア
に対して、高精度に薄膜状配線を形成することができ
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る多層配線基板
の製造方法及び配線形成装置の実施の形態を、図面に示
した実施例を参照して詳細に説明する。

【００２０】図１は、代表的なセラミックス多層配線基
板の構成例を示す概念図である。同図において、１は多
層配線基板、２はフォトマスクと基板の位置を合わせる
ときに用いる位置合わせ用スルーホール、３は基板１の
薄膜を形成する側に設けられた多数のＬＳＩ搭載エリ
ア、４は個々のエリアの四隅に形成されたＬＳＩ接続用
端子パッドである。スルーホール２の配置は、従来技術
と同じく、使用する露光部に応じて決定されるが、通常
は基板１の中心から上下左右対称な周辺部に配置され
る。

【００２１】図２は、代表的なフォトマスクの構成例を
示す概念図である。同図において、９はフォトマスク、
５は一定間隔の格子で構成された複数の座標グリッドパ
ターン、６は多数のマスクパターンである。各座標グリ
ッドパターン５は、基板１が歪又は変形を含まなけれ
ば、その中心が対応する位置合わせ用スルーホール２の
中心に一致するように形成されている。また、各マスク
パターン６は対応するＬＳＩ搭載エリア３に薄膜を形成
するためのパターンである。

【００２２】基板１とフォトマスク９との位置合わせを
行ない薄膜状配線を形成するための装置の全体構成を図
３を用いて説明する。図３において、１３は位置合わせ
用カメラ、１２は露光部、１０は基板支持台、１１は基
板制御部、１４は制御用計算機、１５は位置合わせ用カ
メラから送られた映像を映しだすモニタ、１６は基板制
御部に移動量情報を入力するための操作部を示してい
る。

【００２３】まず、図示していない基板表面読み取り装
置により、基板１上のＬＳＩ搭載エリア３及びマスク位
置合わせ用スルーホール２を認識し、その認識した画像
データを制御用計算機１４に送る。画像データとして
は、基板１上に設けられたＬＳＩ接続用端子パッド４の
位置等と非搭載部とが色違いに表示されたものが送られ
る。制御用計算機１４は送られてきた画像データに所定
の演算処理を施すことにより、ＬＳＩ搭載エリア３のＬ
ＳＩ接続用端子パッド４の位置座標及びマスク位置合わ
せ用スルーホール２の位置座標を算出し、その各位置座
標（ｘ_i，ｙ_i）と基準位置座標(Ｘ_i，Ｙ_i)であるフォト
マスク９上の座標グリッドパターンの位置座標及びＬＳ
Ｉ接続用端子パッド印刷用開口部である位置座標より、
基板１とフォトマスク９との間のずれを小さくする両者
の位置関係を算出する。以下、ＬＳＩ搭載エリア３のＬ
ＳＩ接続用端子パッド４の位置座標及びマスク位置合わ
せ用スルーホール２の位置座標を合わせて位置座標（ｘ
_i，ｙ_i）、フォトマスク９上の座標グリッドパターンの
位置座標及びＬＳＩ接続用端子パッド印刷用開口部であ
る位置座標を合わせて基準位置座標(Ｘ_i，Ｙ_i)と記載す
ることとし、座標数はｎ個とする。

【００２４】以下に、その計算方法を示す。

【００２５】基板１が角度θ回転し、（ａ，ｂ）平行移
動した場合における基板１上の位置座標を（ｘ'_i，
ｙ'_i）とし、その位置座標（ｘ'_i，ｙ'_i）とそれに対応
するフォトマスク９の基準位置座標(Ｘ_i，Ｙ_i)のＸ成分
及びＹ成分の差をそれぞれ二乗して加え合わせ、基板１
上の位置座標とフォトマスク９の位置座標との距離の二
乗を個々の座標について求める。そして、各座標におけ
るその距離の二乗を全て加え合わせ、その値が最小にな
るように角度θ及び（ａ，ｂ）を定めれば良い。

【００２６】式に表すと

【００２７】

【数１】

【００２８】と表せるＬが最小になるようθ，ａ，ｂの
値を定めれば良い。

【００２９】基板１を回転および平行移動した場合にお
ける基板１上の個々の位置座標（ｘ'_i，ｙ'_i）は、回転
角度θ、移動量（ａ，ｂ）、及び、移動前の位置座標
（ｘ_i,y_i）を用いて次の計算式のように求められる。

【００３０】

【数２】

【００３１】

【数３】

【００３２】上記式（数２）及び（数３）を式（数１）
に代入して、Ｌをθ，ａ，ｂで偏微分して０となる次の
方程式（数４）、（数５）、（数６）の解がＬを最小に
するθ，ａ，ｂの値として求められる。

【００３３】

【数４】

【００３４】

【数５】

【００３５】

【数６】

【００３６】上記方程式を解くことにより、次のように
θ，ａ，ｂが求まる。

【００３７】

【数７】

【００３８】

【数８】

【００３９】

【数９】

【００４０】制御用計算機１４は上記計算を行い、計算
結果に基づく移動量情報を基板制御部１１に送り、基板
制御部１１は基板支持台１０及びその上に支持されてい
る基板１を回転角度θ及び移動量（ａ，ｂ）だけ移動さ
せる。

【００４１】移動後の基板１上の各位置座標（ｘ'_i，
ｙ'_i）とフォトマスク９の基準位置座標(Ｘ_i，Ｙ_i)との
ずれを分布図として示すと、例えば図５のようになる。

【００４２】図５において、座標軸の原点はフォトマス
クの基準位置座標を示しており、ｘ軸、ｙ軸は座標のず
れ量とその方向を示しており、具体的にはプロットされ
ている座標は（ｘ'_i−Ｘ_i，ｙ'_i−Ｙ_i）となっている。

【００４３】図５Ａからもわかるように、移動後の位置
座標は必ずしもマスクの位置座標から均一な分布を示し
ておらず、最もずれた位置では点線で示している搭載位
置としての許容範囲１７を超えている場合がある。その
ずれた状態での実際の搭載の様子を図６に示す。

【００４４】図６において、７は有機絶縁膜、１８は導
体が印刷される有機絶縁膜の開口部、１９はセラミック
ス多層配線基板内に形成されている導体部（接続用ラン
ド）、１はセラミックス多層配線基板、９はフォトマス
クを示している。

【００４５】本来正常に搭載されている場合には、図６
Ａに示すように、導体層が印刷されるべき開口部１８が
接続用ランド１９上に完全に含まれるように印刷されな
ければならないが、フォトマスク９の位置座標と基板上
の位置座標が収縮等により大幅にずれていると、図６Ｂ
に示すように接続用ランド１９と導体層印刷用開口部１
８が、ほんの少ししか重ならない開口部１８ａ若しくは
全く重ならない開口部１８ｂが形成され、接続不良を起
こしてしまうことがある。

【００４６】そこで、上記問題点を解消するために、図
６Ｃに示すように、許容範囲内にある開口部１８ｃが許
容範囲内から外れない範囲で更に基板全体を少し移動さ
せることにより、許容範囲外のものを許容範囲内に収ま
るよう制御する必要がある。

【００４７】以下、その手順について説明する。

【００４８】移動後における個々のＬＳＩ搭載エリアの
位置座標(ｘ'_i，ｙ'_i)と個々のエリアに対応するフォト
マスク９の基準位置座標(Ｘ_i，Ｙ_i)とのｘ方向のずれで
あるｘ'_i−Ｘ_iの値が最も大きい位置座標(ｘ'_j，ｙ'_j)
のｘ成分の差をmax(ｘ'_j−Ｘ_j)、ｘ方向のずれが最も小
さい位置座標(ｘ'_k，ｙ'_k)のｘ成分の差をmin(ｘ'_k−Ｘ
_k)、ｙ方向のずれであるｙ'_i−Ｙ_iの値が最も大きい位
置座標(ｘ'_l，ｙ'_l)のｙ成分の差をmax(ｙ'_l−Ｙ_l)、ｙ
方向のずれが最も小さい位置座標(ｘ'_m，ｙ'_m)のｙ成分
をmin(ｙ'_m−Ｙ_m)とするとき、個々のエリアと対応する
フォトマスクの位置座標のずれの最大値が最小となる位
置座標(ｘ"_i，ｙ"_i)を次の式（数１０）（数１１）で定
義する。

【００４９】

【数１０】

【００５０】

【数１１】

【００５１】そして、上記２式で求めた基板１とフォト
マスク９の位置関係に従って、制御用計算機１４がシミ
ュレーションを行う。個々のエリアの位置座標(ｘ'_i，
ｙ'_i)を更に(ｘ"_i，ｙ"_i)に平行移動させた場合に、位
置合わせ用スルーホール２がフォトマスク９上の位置合
わせ用座標グリッドパターン５を通してどのように見え
るはずかをシミュレートし、その結果を位置合わせ用モ
ニタ１６に映しだす。

【００５２】図５を用いて上記移動について具体的に説
明する。

【００５３】図５Ａは（数７）・（数８）・（数９）に
示す補正量だけ移動させた一回目の移動後の各々の位置
座標(ｘ'_i，ｙ'_i)について、フォトマスクの位置座標
(Ｘ_i，Ｙ_i)とのずれの分布図を示している。

【００５４】本図において、max(ｘ'_j−Ｘ_j)は１０、mi
n(ｘ'_k−Ｘ_k)は−４、max(ｙ'_l−Ｙ_l)は１０、min(ｙ'_m
−Ｙ_m)は−５であるため、式（数１０）・（数１１）は
以下のようになる。

【００５５】（数１２）ｘ"_i＝ｘ'_i−(１０＋(−４))／２＝ｘ'_i−３（数１３）ｙ"_i＝ｙ'_i−(１０＋(−５))／２＝ｙ'_i−２．５上記式をもとに、基板全体をｘ軸方向に−３、ｙ軸方向
に−２．５だけ移動させる。２回目の移動を行った後の
座標のずれの分布図を図５Ｂに示す。図５Ａにおいて許
容範囲外であった点が許容範囲内におさまることにな
り、基板全体として、欠陥の発生を防ぐことができる。

【００５６】その後、後述のように露光部１２により露
光する。

【００５７】次に、薄膜状配線形成処理の一連の流れを
図３及び図４を用いて説明する。

【００５８】セラミック粉末と有機バインダーを混練し
たグリーンシートと呼ばれるシートを製造し、このグリ
ーンシートにパンチ等により貫通穴をあける。そして、
この穴に導体ペーストを充填した後、同様に導体ペース
トでシート上にパターンを印刷する。更に、この様なシ
ートを複数枚重ね合わせ、焼結炉により１０００度以上
の高温で焼結することにより、セラミックス多層配線基
板１が作成される。

【００５９】次に薄膜形成工程に入り、基板支持台１０
に基板１をセットし、制御用計算機１４は基板１とフォ
トマスク９とのずれが小さくなるような両者の位置関係
（補正量）を上述の計算方法により求める。そして、基
板１上に有機絶縁膜７、フォトレジスト８を順に塗布す
る。続いて、露光部１２にフォトマスク９をセットす
る。

【００６０】ここで、位置合わせに用いる座標グリッド
パターンについて説明する。

【００６１】座標グリッドパターン５は、フォトマスク
の開口パターン形成方法と同様な方法によりマスク上に
形成される。

【００６２】具体的には、フォトマスクを形成するとき
に、マスクの開口部以外の部分にあたる遮蔽部のみなら
ず、座標グリッドパターンとなるグリッドパターン形状
にも遮蔽部と同様にレジスト膜を形成しておくことによ
り、エッチング時に座標グリッドパターンがエッチング
されずに残るため、座標グリッドパターン部以外が開口
部となる座標グリッドが形成される。本実施例では、位
置合わせ用スルーホールの直径は６０μｍであり、グリ
ッド線幅４μｍ、グリッドピッチ２０μｍ、すなわち１
６μｍ角の開口を有するグリッドパターンを形成した。
位置合わせ用カメラ１３を通してグリッドを覗いた場
合、人間の目ではグリッドピッチの１／４まで解析出来
るため、５μｍの精度で位置合わせをすることができ
る。

【００６３】基板とフォトマスクの位置合わせ方法は、
上記計算により求められた補正量だけ基板を移動させた
場合に、マスク位置合わせ用スルーホール２の位置座標
が、マスクに設けられた座標グリッドパターン５を通し
てどのように見えるかを制御用計算機１４でシミュレー
トし、それを位置合わせ用モニタ１５に表示する。今度
は位置合わせ用カメラ１３を用いて、実際に座標グリッ
ドパターンを通してマスク位置合わせ用スルーホール２
を見ることにより、シミュレーションの結果と対比しな
がら、座標グリッドパターン上の所望の位置にスルーホ
ール２が配置されるよう基板１を平行移動させる。基板
１の移動は、基板制御部１１に接続されたジョイスティ
ック、キーボード等の入力手段である操作部１６より移
動情報を入力して行う。

【００６４】その後、露光部１２によりマスクパターン
を通して露光する。図４に示すように、露光により形成
した潜像に対してフォトレジスト８を現像し、次に有機
絶縁膜７をエッチングすることにより、所望の開口パタ
ーンを有する有機絶縁膜７を顕在化させる。上記の工程
にて形成した有機絶縁膜７のパターンは、フォトレジス
ト８を剥離後、３００〜４００℃の熱処理により硬化さ
せて、薄膜第１層目の形成が終了する。薄膜第２層目以
降も同様に基板と位置合わせを行い形成することによ
り、多層セラミックス基板を製造する。

【００６５】上記移動については、計算により求めた基
板１とフォトマスク９の位置関係に従って、制御用計算
機１４が基板制御部１１に移動の指示を与えることによ
り、基板制御部１１が個々のエリアの位置座標(ｘ'_i，
ｙ'_i)を更に(ｘ"_i，ｙ"_i)に平行移動をさせる方法でも
良い。

【００６６】

【発明の効果】以上の詳細な説明から明らかなように、
本発明に係る多層配線基板の製造方法及び配線形成装置
によれば、歪又は変形を含むセラミックス多層配線基板
の全体とフォトマスクを一度に高精度に位置合わせでき
る。このため、大型基板上に一回の露光により高精度な
薄膜パターンを形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】代表的なセラミックス多層配線基板の構成例を
示す概念図である。

【図２】代表的なフォトマスクの構成例を示す概念図で
ある。

【図３】本発明の一実施形態による位置合わせ方法を用
いた装置の全体構成図である。

【図４】本発明の位置合わせ方法を用いた薄膜形成の処
理の流れを示す図である。

【図５】位置座標のずれの分布を示す図である。

【図６】配線基板上の印刷位置のずれを示す図である。

【符号の説明】

１０基板支持台１１基板制御部１２露光部１３位置合わせ用カメラ１４制御用計算機１５位置合わせ用モニタ１６操作部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 ＢＨ０１Ｌ 21/30 ５１０

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】配線基板上に絶縁膜と配線パターンを形成
することにより、多層配線基板を製造する方法におい
て、配線基板上に設けられた多数のＬＳＩ搭載エリアを撮影
することによって得た画像データに所定の演算処理を施
すことにより、該ＬＳＩ搭載エリアの位置座標を算出
し、配線基板上に形成された位置合わせ用スルーホールの位
置座標及び前記算出したＬＳＩ搭載エリアの位置座標
と、基準位置座標である個々の該ＬＳＩ搭載エリアに対
応するフォトマスク上の位置座標及び該フォトマスク上
に形成された位置合わせ用グリッドの位置座標に所定の
演算処理を施すことにより、位置合わせに必要な前記配
線基板の補正量を算出し、該補正量に基づいて前記配線基板の位置を前記フォトマ
スクに対し相対的に移動させることにより、該フォトマ
スクに対する該配線基板の位置合わせを行なうことを特
徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】請求項１に記載の多層配線基板の製造方法
において、前記配線基板の前記補正量の算出は、配線基板上に形成
された位置合わせ用スルーホールの位置座標及び前記算
出したＬＳＩ搭載エリアの位置座標と、基準位置座標で
ある個々の該ＬＳＩ搭載エリアに対応するフォトマスク
上の位置座標及び該フォトマスク上に形成された位置合
わせ用グリッドの位置座標に最小二乗法による演算処理
を施した後、さらに、前記演算処理後における前記位置合わせ用スル
ーホールの位置座標及び前記ＬＳＩ搭載エリアの位置座
標と、対応する前記基準位置座標とのＸ軸方向およびＹ
軸方向のずれの最大値を最小とするための配線基板の移
動量の算出を含むことを特徴とする請求項１に記載の多
層配線基板の製造方法。
【請求項３】請求項１に記載の多層配線基板の製造方法
において、前記フォトマスクに対する前記配線基板の位置合わせ
は、該配線基板に設けた位置合わせ用スルーホールを該
フォトマスク上に設けた位置合わせ用グリッドパターン
に対する最適位置に合わせることにより行なうことを特
徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】請求項１に記載の多層配線基板の製造方法
において、前記ＬＳＩ搭載エリアの位置座標は、該ＬＳＩ搭載エリ
ア内における画像識別可能な特定のコンポーネントの位
置座標をもって代表させることを特徴とする請求項１に
記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】請求項４に記載の多層配線基板の製造方法
において、前記コンポーネントとして前記配線基板上のＬＳＩ接続
用の端子パッドを用いることを特徴とする請求項４に記
載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】配線基板上に設けられた多数のＬＳＩ搭載
エリアを撮影することによって得た画像データに所定の
演算処理を施すことにより、該ＬＳＩ搭載エリアの位置
座標を算出し、配線基板上に形成された位置合わせ用ス
ルーホールの位置座標及び前記算出したＬＳＩ搭載エリ
アの位置座標と、基準位置座標である個々の該ＬＳＩ搭
載エリアに対応するフォトマスク上の位置座標及び該フ
ォトマスク上に形成された位置合わせ用グリッドの位置
座標に所定の演算処理を施すことにより、位置合わせに
必要な前記配線基板の補正量を算出する制御用計算機
と、該補正量に基づいて前記配線基板を支持する基板支持台
を制御し、前記配線基板の位置を前記フォトマスクに対
し相対的に移動させる基板制御部と、前記フォトマスクを通して前記配線基板上に露光を行う
露光部を備えることを特徴とする薄膜状配線形成装置。
【請求項７】請求項６に記載の薄膜状配線形成装置にお
いて、前記制御用計算機は、配線基板上に形成された位置合わ
せ用スルーホールの位置座標及び前記算出したＬＳＩ搭
載エリアの位置座標と、基準位置座標である個々の該Ｌ
ＳＩ搭載エリアに対応するフォトマスク上の位置座標及
び該フォトマスク上に形成された位置合わせ用グリッド
の位置座標に最小二乗法による第一の演算処理を施した
後、前記第一の演算処理後における前記位置合わせ用ス
ルーホールの位置座標及び前記ＬＳＩ搭載エリアの位置
座標と、対応する前記基準位置座標とのＸ軸方向および
Ｙ軸方向のずれの最大値を最小とするための配線基板の
移動量を算出する第二の演算処理を行なうことを特徴と
する請求項６に記載の薄膜状配線形成装置。
【請求項８】請求項７に記載の薄膜状配線形成装置にお
いて、前記基板制御部は、前記制御用計算機の前記第一の演算
結果に基づいて前記配線基板を支持する基板支持台を制
御し、前記配線基板の位置を前記フォトマスクに対し相
対的に移動させ、前記基板制御部に移動量の情報を入力する操作部より、
前記制御用計算機の前記第二の演算処理の結果に基づい
て移動量の情報を入力して、前記基板支持台を制御し、
前記配線基板の位置を前記フォトマスクに対し相対的に
移動させることを特徴とする請求項７に記載の薄膜状配
線形成装置。
【請求項９】請求項７に記載の薄膜状配線形成装置にお
いて、前記基板制御部は、前記制御用計算機の前記第一の演算
結果及び前記第二の演算処理の結果に基づいて前記配線
基板を支持する基板支持台を制御し、前記配線基板の位
置を前記フォトマスクに対し相対的に移動させることを
特徴とする請求項７に記載の薄膜状配線形成装置。
【請求項１０】多層配線基板上に有機絶縁材による絶縁
膜を形成する工程と、該該絶縁膜上に導電性部材による
導体パターンを形成する工程を、複数回繰り返すことに
より薄膜状配線を形成する方法において、前記絶縁膜を形成する工程は、フォトマスクに対する前
記多層配線基板の位置合わせを行なう工程と、該フォト
マスクを介して露光を行なう工程を含み、前記フォトマスクに対する前記多層配線基板の位置合わ
せを行なう工程は、前記多層配線基板に設けた位置合わ
せ用スルーホールを前記フォトマスク上に設けた位置合
わせ用グリッドパターンに対する最適位置に合わせるこ
とにより行なうことを特徴とする薄膜状配線の形成方
法。
【請求項１１】請求項１０に記載の薄膜状配線の形成方
法において、前記フォトマスクに対する前記多層配線基板の位置合わ
せは、直径６０μｍの前記位置合わせ用スルーホール
を、前記フォトマスク上に形成された線幅が４μｍ、平
行線のピッチが２０μｍである格子形状を有する前記位
置合わせ用グリッドパターンに対する最適位置に合わせ
ることにより行なうことを特徴とする請求項１０に記載
の薄膜状配線の形成方法。
【請求項１２】請求項１０に記載の薄膜状配線の形成方
法において、前記位置合わせ用スルーホールの前記位置合わせ用グリ
ッドパターンに対する最適位置は、前記多層配線基板上に設けられた多数のＬＳＩ搭載エリ
アを撮影することによって得た画像データに所定の演算
処理を施すことにより、該ＬＳＩ搭載エリアの位置座標
を算出し、前記多層配線基板上に形成された前記位置合
わせ用スルーホールの位置座標及び前記算出したＬＳＩ
搭載エリアの位置座標と、基準位置座標である個々の該
ＬＳＩ搭載エリアに対応するフォトマスク上の位置座標
及び該フォトマスク上に形成された位置合わせ用グリッ
ドの位置座標に所定の演算処理を施すことにより、位置
合わせに必要な前記配線基板の補正量を算出することに
より求められることを特徴とする請求項１０に記載の薄
膜状配線の形成方法。
【請求項１３】請求項１２に記載の薄膜状配線の形成方
法において、前記多層配線基板の前記補正量の算出は、前記多層配線
基板上に形成された位置合わせ用スルーホールの位置座
標及び前記算出したＬＳＩ搭載エリアの位置座標と、基
準位置座標である個々の該ＬＳＩ搭載エリアに対応する
フォトマスク上の位置座標及び該フォトマスク上に形成
された位置合わせ用グリッドの位置座標に最小二乗法に
よる第一の演算処理を施した後、前記第一の演算処理後における前記位置合わせ用スルー
ホールの位置座標及び前記ＬＳＩ搭載エリアの位置座標
と、対応する前記基準位置座標とのＸ軸方向およびＹ軸
方向のずれの最大値を最小とするための配線基板の移動
量を算出する第二の演算処理を行なうことを特徴とする
請求項１２に記載の薄膜状配線の形成方法。
【請求項１４】請求項１２に記載の薄膜状配線の形成方
法において、前記ＬＳＩ搭載エリアの位置座標は、該ＬＳＩ搭載エリ
ア内における画像識別可能な特定のコンポーネントの位
置座標をもって代表させることを特徴とする請求項１２
に記載の薄膜状配線の形成方法。
【請求項１５】請求項１４に記載の薄膜状配線の形成方
法において、前記コンポーネントとして前記配線基板上のＬＳＩ接続
用の端子パッドを用いることを特徴とする請求項１４に
記載の薄膜状配線の形成方法。