JPH1092606A - チップ型サーミスタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精度で耐環境性に優れかつ機械的強度や温
度サイクル性能等の信頼性にも優れたチップ型サーミス
タを安価にかつ量産性良く提供する。 【解決手段】 チップ状サーミスタ素体１の両端面の外
部電極２を導電性金属層２ａ、導電性樹脂層２ｂ及び金
属めっき層２ｃの積層構造とする。サーミスタウェハを
短冊状に切断して得られる角柱状サーミスタ素体の４側
面にガラス層３を形成した後切断してチップ状サーミス
タ素体とし、このチップ状サーミスタ素体の両端面に上
記外部電極を形成する。 【効果】 外部電極に付与された基板実装時の機械的応
力や温度サイクルによる熱的応力を柔軟性を有する導電
性樹脂層が緩和するため、これらの応力によるサーミス
タ素体のクラックが防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板等に
表面実装されるチップ型サーミスタ及びその製造方法に
係り、特に、機械的強度に優れかつ高精度で信頼性の高
いチップ型サーミスタ及びこのようなチップ型サーミス
タを低コストで製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プリント回路基板等に表面実装されるチ
ップ型サーミスタの代表的な製品として、図７に示す如
く、チップ状サーミスタ素体１の両端面に外部電極２と
して、はんだ耐熱性、はんだ付着性を向上させるために
焼き付け端子電極２Ａとその表面を被覆するめっき層２
Ｂを形成し、この外部電極２形成面以外をガラス層３等
の絶縁性の無機物層で被覆した構造のものが提供されて
いる。

【０００３】従来、このようなチップ型サーミスタ４
は、次のようにして製造されている。即ち、まず、セラ
ミックス焼結体よりなる薄板状サーミスタ素体（以下
「サーミスタウェハ」と称する場合がある。）の両板面
にガラスペーストを印刷塗布して焼成することにより絶
縁性のガラス層を形成する。次に、両板面がガラス層で
被覆されたサーミスタウェハを短冊状に切り出し、その
後、切断面にも前記と同様にガラスペーストを印刷塗布
して焼成することによりガラス層を形成する。このよう
にして得られた、４側面にガラス層を有する角柱状サー
ミスタ素体をその長手方向に直交する方向（前記切断面
と垂直な方向）に切断してチップ状サーミスタ素体を得
る。このチップ状サーミスタ素体の切断面（両端面）に
導電性ペーストを塗布・焼成して焼き付け端子電極を形
成する。更に、この端子電極の表面にめっき層を形成し
て図７に示すチップ型サーミスタ４を得る（特開平３−
２５０６０３号公報）。なお、４側面にガラス層を有す
る角柱状サーミスタ素体は、サーミスタウェハをそのま
ま短冊状に切り出した後、４側面にガラスペーストを塗
布、焼成することにより製造することもできる。

【０００４】また、上記チップ型サーミスタにおいて、
チップ状サーミスタ素体の側面に抵抗値調整用の表面電
極を形成したものも提供されており、このようなチップ
型サーミスタは、予め、サーミスタウェハの両板面に導
電性ベーストを塗布して抵抗値調整用の表面電極を形成
しておくこと以外は上記と同様の方法で製造される（特
開平４−１２７４０１号公報）。

【０００５】このように、４側面をガラス層で被覆した
角柱状サーミスタ素体を切断加工して多数個のチップ状
サーミスタ素体を作製し、ディップ法などによりこれら
多数個のチップ状サーミスタ素体の両端切断面に同時に
電極形成用導電性ペーストを塗布、焼成する従来のチッ
プ型サーミスタの製造方法は、極めて量産性に優れる
上、得られる製品は、切断加工によりチップ状とするた
め寸法精度に優れる。また、電極の塗布形状にかかわら
ずサーミスタ素体と電極との接続面が加工時に予め設定
されているので抵抗値のばらつきもきわめて小さい。し
かも、素体の全面がガラス層と電極層で覆われているた
め耐環境特性にも優れるといった様々な利点を有する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の製造方法で
製造されたチップ型サーミスタのチップ状サーミスタ素
体は、切断加工により作製されるため、その４側面と両
端面との頂角部が尖った角錐状となる。このため回路基
板に実装した場合、基板の切断時等におけるたわみから
くる機械的応力、或いは温度サイクル時にサーミスタ素
体、電極、はんだ、基板などの熱膨張係数の違いから来
る熱応力が外部電極を通してチップ素体の該頂角部に集
中しクラックが発生し易くなる。

【０００７】従来、サーミスタ素体に対するガラスなど
の無機物層の熱膨張係数の適切化により、その応力を軽
減する努力がなされてきているが、問題を完全に解決す
るには至っていない。また、後加工により、チップ状サ
ーミスタ素体の角部にまるみをつけることもなされてい
るが、この方法では、加工形状にばらつきが生じやすい
上に、加工によりチップサイズがより小型になるため、
製造コストが増加するという問題がある。

【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決し、高精
度で耐環境性に優れかつ機械的強度や温度サイクル性能
等の信頼性にも優れたチップ型サーミスタを安価にかつ
量産性良く提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のチップ型サーミ
スタは、セラミックス焼結体よりなる直方体形状のチッ
プ状サーミスタ素体と、該チップ状サーミスタ素体の両
端面に形成された外部電極と、該両端面以外の４側面を
被覆する絶縁性無機物よりなる被覆層とを有するチップ
型サーミスタにおいて、該外部電極は、チップ状サーミ
スタ素体の端面に接する導電性金属層と、該導電性金属
層上に形成された導電性樹脂層と、該導電性樹脂層上に
形成された金属めっき層とを備えてなることを特徴とす
る。

【００１０】本発明のチップ型サーミスタでは、回路基
板に実装した場合、基板の切断時などのたわみからくる
機械的応力、或いは温度サイクル時にサーミスタ素体、
電極、はんだ、基板などの熱膨張係数の違いからくる熱
応力が外部電極に伝わった際、外部電極の中間層にある
柔軟性を有する導電性樹脂層によりこれらの応力が緩和
される。このため、これらの応力によるチップ状サーミ
スタ素体のクラック発生が防止される。

【００１１】外部電極の下部電極層としての導電性金属
層は、サーミスタ素体との十分な電気的接続並びにサー
ミスタ素体及びガラス等の無機物被覆層との強固な機械
的接続に有効である。導電性金属層及び導電性樹脂層は
極めて低抵抗であるため両者の電気的接続も良好であ
る。

【００１２】金属めっき層はニッケルめっき層と、この
ニッケルめっき層上に形成されたはんだめっき層とから
なることが基板への実装時に必要なはんだ濡れ性、耐熱
性の観点から好ましいが、ニッケルめっき層がなくとも
導電性樹脂層がはんだ喰われに充分耐えることができ
る。このため、ニッケルめっき層を省くことができ、製
品価格を廉価なものにすることができる。

【００１３】本発明のチップ型サーミスタは、セラミッ
クス焼結体よりなる角柱状サーミスタ素体の長手方向に
延在する４側面に絶縁性の無機物層を形成する工程、絶
縁性の無機物層を形成した角柱状サーミスタ素体を長手
方向と直交する方向に切断してチップ状サーミスタ素体
を形成する工程、及び、このチップ状サーミスタ素体の
無機物層未被覆の両端面に外部電極を形成する工程を有
するチップ型サーミスタの製造方法において、該外部電
極の形成に当り、チップ状サーミスタ素体の両端面に焼
結により導電性金属層を形成した後、該導電性金属層上
に導電性樹脂層を形成し、次いで、導電性樹脂層上に金
属めっき層を形成することにより製造することができ
る。

【００１４】また、本発明のチップ型サーミスタは、チ
ップ状サーミスタ素体の両端面以外の側面に抵抗値調整
用の表面電極が形成されているものであっても良く、こ
のようなチップ型サーミスタは、セラミックス焼結体よ
りなる角柱状サーミスタ素体であって、長手方向に延在
する側面に表面電極が形成された角柱状サーミスタ素体
の４側面に絶縁性の無機物層を形成する工程、絶縁性の
無機物層を形成した角柱状サーミスタ素体を長手方向と
直交する方向に切断してチップ状サーミスタ素体を形成
する工程、及び、このチップ状サーミスタ素体の無機物
層未被覆の両端面に外部電極を形成する工程を有するチ
ップ型サーミスタの製造方法において、該外部電極の形
成に当り、チップ状サーミスタ素体の両端面に焼結によ
り導電性金属層を形成した後、該導電性金属層上に導電
性樹脂層を形成し、次いで、導電性樹脂層上に金属めっ
き層を形成することにより製造することができる。

【００１５】本発明において、金属めっき層がニッケル
めっき層と、このニッケルめっき層上に形成されたはん
だめっき層とからなるものであっても良く、はんだめっ
き層のみからなるものであっても良い。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明のチ
ップ型サーミスタ及びその製造方法を詳細に説明する。

【００１７】図１〜４は各々本発明のチップ型サーミス
タの一実施例を示す断面図であり、図１〜４において、
図７に示す部材と同一機能を奏する部材には同一符号を
付してある。

【００１８】図１に示すチップ型サーミスタ１０Ａは、
セラミックス焼結体よりなる直方体状のチップ状サーミ
スタ素体１と、このチップ状サーミスタ素体１の両端面
に形成された外部電極２と、この両端面以外の４側面を
被覆するように設けられたガラス層３等の絶縁性の無機
物層とを有する。

【００１９】本発明において、外部電極２は、チップ状
サーミスタ素体の端面に接する導電性金属層２ａと、導
電性金属層２ａ上に形成された導電性樹脂層２ｂと、導
電性樹脂層２ｂ上に形成された金属めっき層２ｃとで構
成される。図１の実施例では、金属めっき層２ｃはＮｉ
めっき層２ｄとはんだめっき層２ｅとの２層構造となっ
ている。

【００２０】図２〜４に示すチップ型サーミスタ１０
Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄは抵抗値調整用の表面電極がチップ
状サーミスタ素体１の側面に形成されたものであり、図
２に示すチップ型サーミスタ１０Ｂは、両端の外部電極
２にそれぞれ接続する表面電極６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ
がチップ状サーミスタ素体１の対向する２側面又は４側
面に設けられたものである。

【００２１】図３のチップ型サーミスタ１０Ｃは、両端
の外部電極２にそれぞれ接続する表面電極６Ｅ，６Ｆが
チップ状サーミスタ素体１の対向する２側面に設けられ
たものである。表面電極６Ｅは、図の左側の外部電極に
のみ接続され、表面電極６Ｆは、図の右側の外部電極に
のみ接続されている。

【００２２】図４に示すチップ型サーミスタ１０Ｄは外
部電極２に接続しない表面電極６Ｇ，６Ｈがチップ状サ
ーミスタ素体１の対向する２側面又は４側面に設けられ
たものである。

【００２３】図２〜４のチップ型サーミスタ１０Ｂ，１
０Ｃ，１０Ｄにおいて、その他の構成は図１に示すチッ
プ型サーミスタ１０Ａと同様である。

【００２４】以下に、このような本発明のチップ型サー
ミスタ１０Ａ〜Ｄを、本発明の方法に従って製造する方
法について、図５，６を参照して説明する。

【００２５】チップ型サーミスタ１０Ａの製造に当って
は、まず、図５（ａ）に示すセラミックス焼結体よりな
る薄板状サーミスタ素体（サーミスタウェハ）１１を、
短冊状に切断して図５（ｂ）に示す角柱状サーミスタ素
体１２とする。次に、この角柱状サーミスタ素体１２の
長手方向に延在する４側面（又は全面）にガラス層３を
形成する。

【００２６】このガラス層の形成には、吹き付け可能な
粘度に調整したガラス粉末ペーストを角柱状サーミスタ
素体の４側面又は全面に吹き付け、その後乾燥した後、
焼付けを行う。或いは、スパッタリング等の薄膜形成技
術を採用することができ、例えば、所定配合のガラスを
ターゲットとするスパッタリング装置内に、複数本の角
柱状サーミスタ素体を入れたステンレススチール製の籠
を設置し、この籠を揺動させて、角柱状サーミスタ素体
を回転させながらスパッタリングを行う。これにより、
図５（ｃ）に示す如く、角柱状サーミスタ素体１２の４
側面ないし全面にガラス層３を形成することもできる。

【００２７】次いで、ガラス層３を形成した角柱状サー
ミスタ素体１２をその長手方向と直交する方向に切断し
て図５（ｄ）に示すチップ状サーミスタ素体１を形成
し、このチップ状サーミスタ素体のガラス層３未被覆の
両端面１Ａに図５（ｅ）に示す如く、外部電極２を形成
してチップ型サーミスタ１０Ａとする。

【００２８】表面電極を有するチップ型サーミスタ１０
Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄを製造するには、まず、セラミック
ス焼結体よりなる薄板状サーミスタ素体（サーミスタウ
ェハ）１１の両板面に、図６（ａ）に示す如く、導電性
ペーストを用いてスクリーン印刷法等により、適当な間
隔を設けて帯状のパターンを印刷し、乾燥後焼き付けて
表面電極６を形成する。そして、表面電極６を形成した
サーミスタウェハ１１を、短冊状に切断して図６（ｂ）
に示す角柱状サーミスタ素体１３とする。表面電極を４
側面に形成する場合には、次に、この角柱状サーミスタ
素体１３の長手方向に延在する４側面のうち、表面電極
６が形成されていない２側面にも、同様に表面電極を形
成する。

【００２９】このようにして側面に表面電極６を形成し
た角柱状サーミスタ素体１３を用いて、上記と同様にし
てガラス層の形成、切断によるチップ状サーミスタ素体
の作製、外部電極の形成を行ってチップ型サーミスタ１
０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄを得る。

【００３０】なお、上述の如く、角柱状サーミスタ素体
に対してガラス層の形成を行う場合には、ガラス層の形
成工程が１回のみでよいため、生産効率が向上し、低コ
ストで製造可能である。しかも、ガラス層の形成前に、
サーミスタウェハを短冊状に切断するため、切断時のマ
イクロクラック等の欠陥が防止され、高強度かつ高信頼
性のチップ型サーミスタを製造することができる。ただ
し、本発明のチップ型サーミスタは、サーミスタウェハ
の両板面にガラス層を形成した後切断して角柱状サーミ
スタ素体とし、この角柱状サーミスタ素体のガラス層で
被覆されていない側面にガラス層を形成することでガラ
ス被覆を行う方法でも製造可能である。

【００３１】次に、本発明のチップ型サーミスタの導電
性金属層、導電性樹脂層及び金属めっき層よりなる外部
電極の好適な形成方法について説明する。

【００３２】導電性金属層は、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ等の導
電性金属粉末とガラスフリットを含む導電性ベーストを
塗布して焼成することにより形成する。この導電性金属
層は、例えば、チップが１．６ｍｍ程度の長さである場
合、厚さ５〜８０μｍ程度に形成するのが好ましい。導
電性金属層の厚さが５μｍ未満では、外部電極とチップ
及びガラス層等の無機物被覆層との接着強度や電気的接
続が不足し、８０μｍを超えると、その上部に形成され
る導電性樹脂層の厚さも加えると、チップ寸法にばらつ
きが生じ、チップ部品をテーピングで包装できない。或
いは、基板への実装時に装置の稼働率が低下する。な
お、チップサイズが大きくなれば、上限値はこれに伴っ
て大きくしても良い。

【００３３】この導電性金属層上の導電性樹脂層は、導
電性金属粉末と熱硬化型樹脂とを有機溶剤でペースト化
した導電性樹脂ペーストを塗布して乾燥、加熱硬化する
ことにより形成する。

【００３４】ここで使用される導電性樹脂ペーストの金
属粉末と熱硬化型樹脂との割合は、電極層としての導電
性と柔軟性とを確保するために金属粉末７０〜９５重量
％に対して熱硬化型樹脂３０〜５重量％であることが好
ましい。金属粉末の割合が７０重量％未満であると下部
の導電性金属層との電気的接続が不十分となり、また電
解めっき法でめっき被膜を形成する際、表面の導電性が
低下し、めっき被膜の形成が困難になる。金属粉末の割
合が９５重量％を超えると、応力の緩和効果も小さくな
るため好ましくない。

【００３５】なお、金属粉末としては、Ａｇ，Ｐｄ等の
貴金属粉末やＮｉ粉末等を用いることができ、また、熱
硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、キシレ
ン、ウレタン樹脂などが挙げられる。

【００３６】このようにして形成される導電性樹脂層の
厚さは、例えば、チップが１．６ｍｍ程度の長さである
場合、１０〜１００μｍであることが好ましい。導電性
樹脂層の厚さが１０μｍ未満では、導電性樹脂層を形成
することによる応力緩和効果が十分ではなく、また、１
００μｍを超えると上記導電性金属層の厚さの上限値の
場合と同様、チップ寸法のばらつきの問題が起こる。な
お、チップサイズが大きくなれば、上限値はこれに伴っ
て大きくしても良い。

【００３７】この導電性樹脂層上に形成する金属めっき
層は、Ｎｉめっき層と、このＮｉめっき層上に形成され
たはんだめっき層とからなることが基板への実装時に必
要なはんだ濡れ性、耐熱性の観点からより好ましいが、
Ｎｉめっき層がなくとも導電性樹脂層がはんだ喰われに
充分耐えることができるため、Ｎｉめっき層を省くこと
ができる。金属めっき層として、Ｎｉめっき層とはんだ
めっき層とを形成する場合、その厚さはＮｉめっき層１
〜５μｍ、はんだめっき層２〜１０μｍとするのが好ま
しい。Ｎｉめっき層を省く場合、はんだめっき層の厚さ
は３〜１０μｍとするのが好ましい。

【００３８】本発明のチップ型サーミスタでは、回路基
板に実装した場合、基板の切断時などのたわみからくる
機械的応力、或いは温度サイクル時にサーミスタ素体、
電極、はんだ、基板などの熱膨張係数の違いからくる熱
応力が外部電極に伝わった際、外部電極の中間層にある
柔軟性を有する導電性樹脂層によりこれらの応力が緩和
される。このため、これらの応力によるチップ状サーミ
スタ素体のクラック発生が防止される。

【００３９】また、下部電極層として、導電性ペースト
を、ガラス層未被覆のチップ状サーミスタ素体の両端面
及びこの両端面寄りの４側面のガラス層上に塗布し、こ
れを高温で焼結して形成することで、サーミスタ素体と
の充分な電気的接続とサーミスタ素体及びガラス層との
強固な機械的接続が得られる。そして、サーミスタ素体
がガラス層及び金属層のいずれも高温で焼結されたもの
で覆われるため、高精度でかつ耐環境性に優れるものと
なる。なお、導電性金属層及び導電性樹脂層は極めて低
抵抗なため両者間の電気的接続が問題なることはない。
また、本発明では、前述の如く、金属めっき層のうち、
ニッケルめっき層を省くことができるため、製造価格を
抑えることができる。

【００４０】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。

【００４１】実施例１ 図５に示す本発明の方法に従って、図１に示すチップ型
サーミスタを製造した。

【００４２】市販の炭酸マンガン、炭酸ニッケル、炭酸
コバルト及び酸化銅を出発原料とし、これらを金属原子
比が所定の割合になるようにそれぞれ秤量し、ボールミ
ルで１６時間均一に混合した後脱水乾燥した。次にこの
混合物を大気圧下、９００℃で２時間仮焼し、この仮焼
物を再びボールミルで粉砕して脱水乾燥した。粉砕物に
有機系結合剤等を加え、スプレードライヤーにより粒径
が６０μｍ程度になるように造粒し、油圧プレスにより
直方体に圧縮成形した。この成形物を大気圧下、１２０
０℃で４時間焼成し、縦３５ｍｍ、横５０ｍｍ、厚さ１
０ｍｍのサーミスタ焼結ブロックを作製した。次に、こ
のブロックをバンドソーで薄板状に切断し、縦３５ｍ
ｍ、横５０ｍｍ、厚さ０．８０ｍｍのサーミスタウェハ
を得た（図５（ａ））。

【００４３】このサーミスタウェハをダイシングマシン
により幅０．８０ｍｍの短冊状に切断し（図５
（ｂ））、得られた角柱状サーミスタ素体の４側面に、
吹き付け可能な粘度に調整したガラス粉末ペーストを吹
き付けた後乾燥し、これを８５０℃で約１０分間焼成し
て焼付けることにより、厚さ約２０μｍのＳｉＯ₂ ，Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ ，ＭｇＯ，ＺｒＯ₂ 等の酸化物からなる絶縁性
のガラス層を形成した（図５（ｃ））。そして、このガ
ラス層を被覆形成した角柱状サーミスタ素体を長さ１．
５ｍｍのチップ形状にダイシングマシンにより切り出し
た（図５（ｄ））。

【００４４】更に、以下の方法によりチップ状サーミス
タ素体の両端面に外部電極を形成した。まず、チップ状
サーミスタ素体の両端面にディッピング法により導電性
ベースト（ガラスフリットを含む市販のＡｇペースト）
を付着させ、大気圧下、８２０℃に１０分間保持して焼
き付けた。形成された導電性金属層の厚さは３０μｍ程
度である。次に、この導電性金属層の上に、Ａｇ粉末を
含む導電性樹脂ペースト（Ａｇ粉末：エポキシ系樹脂＝
８５：１５（重量％），これに有機溶剤を１０重量％添
加したもの）をディッピング法により塗布し、１８０℃
で１０分間乾燥した後、２２０℃で２時間加熱硬化させ
た。形成された導電性樹脂層の厚さは５０μｍ程度であ
る。

【００４５】次いで、電解バレル法でこの導電性樹脂層
の表面に厚さ約２μｍのＮｉめっき層を形成し、その上
に厚さ約５μｍのはんだめっき層を形成した（図５
（ｅ））。

【００４６】このように作製されたチップ型サーミスタ
について、耐基板曲げ性試験及び温度サイクル試験を行
い、結果を表１に示した。

【００４７】比較例１ 実施例１において、外部電極の形成に当り、導電性樹脂
層を形成しなかったこと以外は同様にしてチップ型サー
ミスタを作製し、このチップ型サーミスタについて耐基
板曲げ性試験及び温度サイクル試験を行い、結果を表１
に示した。

【００４８】

【表１】

【００４９】表１の結果から、耐基板曲げ性、温度サイ
クル試験（−５５℃と１２５℃で各３０分、気中５００
サイクル）について、従来例のチップ型サーミスタに比
較して本発明のチップ型サーミスタは特性が向上してい
ることがわかる。

【００５０】実施例２ 実施例１において、サーミスタウェハの両板面に、図６
（ａ）に示す如く、幅０．６ｍｍで幅方向の間隔１．４
ｍｍのパターンを用いて、ウェハの両板面の電極が互い
に対抗するようにＡｇペーストを印刷した後、乾燥し、
次いで、このウェハを８２０℃で１０分焼成し、厚さ約
１０μｍの多数列の抵抗値調整用表面電極を形成したこ
と以外は同様にして図２に示すチップ型サーミスタ１０
Ｂを作製した（なお、角柱状サーミスタ素体の切り出し
に当っては、表面電極の中心線に沿って切断した。）。

【００５１】このチップ型サーミスタについても実施例
１及び比較例１と同様にして、外部電極の導電性樹脂層
の有無による特性の差異を調べたところ、導電性樹脂層
を有する本発明のチップ型サーミスタは、従来のチップ
型サーミスタに比べて特性が向上していることが確認さ
れた。

【００５２】実施例３，４ 実施例２において、表面電極の形成パターンを変えたこ
と以外は同様にして図３に示すチップ型サーミスタ１０
Ｃ及び図４に示すチップ型サーミスタ１０Ｄをそれぞれ
作製した。

【００５３】これらのチップ型サーミスタについても実
施例１及び比較例１と同様にして、外部電極の導電性樹
脂層の有無による特性の差異を調べたところ、導電性樹
脂層を有する本発明のチップ型サーミスタは、従来のチ
ップ型サーミスタに比べて特性が向上していることが確
認された。

【００５４】実施例５ 実施例１において、Ｎｉめっき層を形成しなかったこと
以外は同様にしてチップ型サーミスタを作製して性能を
評価したところ、このチップ型サーミスタは、耐基板曲
げ性、温度サイクル試験において、実施例１のものと同
様の性能を示すと同時に、はんだ濡れ性、耐熱性につい
ても問題がないことが確認された。

【００５５】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のチップ型サ
ーミスタ及びその製造方法によれば、高精度で耐環境性
に優れかつ機械的強度や温度サイクル性能等の信頼性に
も優れたチップ型サーミスタを安価にかつ量産性良く提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のチップ型サーミスタの一実施例を示す
断面図である。

【図２】本発明のチップ型サーミスタの他の実施例を示
す断面図である。

【図３】本発明のチップ型サーミスタの別の実施例を示
す断面図である。

【図４】本発明のチップ型サーミスタの異なる実施例を
示す断面図である。

【図５】本発明のチップ型サーミスタの製造方法の一例
を説明する斜視図である。

【図６】本発明のチップ型サーミスタの製造方法の一例
を説明する斜視図である。

【図７】従来のチップ型サーミスタを示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１ チップ状サーミスタ素体 ２ 外部電極 ２ａ 導電性金属層 ２ｂ 導電性樹脂層 ２ｃ 金属めっき層 ２ｄ Ｎｉめっき層 ２ｅ はんだめっき層 ３ ガラス層 ６，６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ，６Ｈ
表面電極 １０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ チップ型サーミスタ １１ サーミスタウェハ １２，１３ 角柱状サーミスタ素体

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミックス焼結体よりなる直方体形状
   のチップ状サーミスタ素体と、該チップ状サーミスタ素
   体の両端面に形成された外部電極と、該両端面以外の４
   側面を被覆する絶縁性無機物よりなる被覆層とを有する
   チップ型サーミスタにおいて、 該外部電極は、チップ状サーミスタ素体の端面に接する
   導電性金属層と、該導電性金属層上に形成された導電性
   樹脂層と、該導電性樹脂層上に形成された金属めっき層
   とを備えてなることを特徴とするチップ型サーミスタ。
2. 【請求項２】 請求項１において、チップ状サーミスタ
   素体の前記両端面以外の側面に抵抗値調整用の表面電極
   が形成されていることを特徴とするチップ型サーミス
   タ。
3. 【請求項３】 請求項１又は２において、金属めっき層
   がニッケルめっき層と、このニッケルめっき層上に形成
   されたはんだめっき層とからなることを特徴とするチッ
   プ型サーミスタ。
4. 【請求項４】 請求項１又は２において、金属めっき層
   がはんだめっき層からなることを特徴とするチップ型サ
   ーミスタ。
5. 【請求項５】 セラミックス焼結体よりなる角柱状サー
   ミスタ素体の長手方向に延在する４側面に絶縁性の無機
   物層を形成する工程、絶縁性の無機物層を形成した角柱
   状サーミスタ素体を長手方向と直交する方向に切断して
   チップ状サーミスタ素体を形成する工程、及び、このチ
   ップ状サーミスタ素体の無機物層未被覆の両端面に外部
   電極を形成する工程を有するチップ型サーミスタの製造
   方法において、 該外部電極の形成に当り、チップ状サーミスタ素体の両
   端面に焼結により導電性金属層を形成した後、該導電性
   金属層上に導電性樹脂層を形成し、次いで、導電性樹脂
   層上に金属めっき層を形成することを特徴とするチップ
   型サーミスタの製造方法。
6. 【請求項６】 セラミックス焼結体よりなる角柱状サー
   ミスタ素体であって、長手方向に延在する側面に表面電
   極が形成された角柱状サーミスタ素体の４側面に絶縁性
   の無機物層を形成する工程、絶縁性の無機物層を形成し
   た角柱状サーミスタ素体を長手方向と直交する方向に切
   断してチップ状サーミスタ素体を形成する工程、及び、
   このチップ状サーミスタ素体の無機物層未被覆の両端面
   に外部電極を形成する工程を有するチップ型サーミスタ
   の製造方法において、 該外部電極の形成に当り、チップ状サーミスタ素体の両
   端面に焼結により導電性金属層を形成した後、該導電性
   金属層上に導電性樹脂層を形成し、次いで、導電性樹脂
   層上に金属めっき層を形成することを特徴とするチップ
   型サーミスタの製造方法。