JPH1092637A - 磁気記録媒体及び装置 - Google Patents
磁気記録媒体及び装置Info
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- JPH1092637A JPH1092637A JP8243397A JP24339796A JPH1092637A JP H1092637 A JPH1092637 A JP H1092637A JP 8243397 A JP8243397 A JP 8243397A JP 24339796 A JP24339796 A JP 24339796A JP H1092637 A JPH1092637 A JP H1092637A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高記録密度化のための強磁性粒子を非磁性材
料中に分散させたグラニュラ構造の磁気記録層の保磁力
を高めること。 【解決手段】 非磁性材料薄膜中に平均粒径５０nm以下
のｆｃｃ構造のＣｏ100- x Ｐｔx （１０≦ｘ＜２０）結
晶粒子がほぼ一様に分布している磁気記録層とし、この
磁気記録層の残留磁化と膜厚の積の値が１５０Gauss ・
μｍ以下とする。
料中に分散させたグラニュラ構造の磁気記録層の保磁力
を高めること。 【解決手段】 非磁性材料薄膜中に平均粒径５０nm以下
のｆｃｃ構造のＣｏ100- x Ｐｔx （１０≦ｘ＜２０）結
晶粒子がほぼ一様に分布している磁気記録層とし、この
磁気記録層の残留磁化と膜厚の積の値が１５０Gauss ・
μｍ以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体、特に
低ノイズで高出力の磁気記録媒体と、これを用いた磁気
記録装置に係る。
低ノイズで高出力の磁気記録媒体と、これを用いた磁気
記録装置に係る。
【０００２】
【従来の技術】情報処理装置の外部記憶装置として使用
される磁気記録装置では、情報の増加量に伴ってますま
す記録密度の向上が要求されている。従来より用いられ
ている磁気記録媒体では記録密度を高くすると、Ｓ／Ｎ
が低下（再生出力の低下とノイズの増加）してしまう。
される磁気記録装置では、情報の増加量に伴ってますま
す記録密度の向上が要求されている。従来より用いられ
ている磁気記録媒体では記録密度を高くすると、Ｓ／Ｎ
が低下（再生出力の低下とノイズの増加）してしまう。
【０００３】そのため、高再生出力で低ノイズの磁気記
録媒体が要求されている。媒体ノイズ発生の原因は磁化
遷移部分の磁化のばらつきであり、これは強磁性層を構
成する強磁性結晶粒間の磁気的な相互作用に起因してい
る。媒体ノイズ低減のためには、この強磁性結晶粒間の
磁気的な相互作用を弱くしてやることが必要である。従
来の磁気記録媒体はＣｏを基調とした３元もしくは４元
の合金をスパッタリングで作成した薄膜を用いるのが一
般的であり、その組成、作成条件によって強磁性部分と
非磁性部分の偏析を促しノイズの低減を図っていた。
録媒体が要求されている。媒体ノイズ発生の原因は磁化
遷移部分の磁化のばらつきであり、これは強磁性層を構
成する強磁性結晶粒間の磁気的な相互作用に起因してい
る。媒体ノイズ低減のためには、この強磁性結晶粒間の
磁気的な相互作用を弱くしてやることが必要である。従
来の磁気記録媒体はＣｏを基調とした３元もしくは４元
の合金をスパッタリングで作成した薄膜を用いるのが一
般的であり、その組成、作成条件によって強磁性部分と
非磁性部分の偏析を促しノイズの低減を図っていた。
【０００４】またこの分野の従来技術として特開昭５９
−４２６４２号公報がある。これはガラスあるいは耐熱
性高分子フィルムを基板として用い、磁性金属と非磁性
金属を同時に低温で成膜し微細混合膜を作成後、加熱に
より粒子成長させ、所望の磁気特成膜を得る方法であ
る。この方法では基板の耐熱性から４００℃以下での処
理しか意味が無く、それ以上の温度では逆に保磁力が低
下していた。
−４２６４２号公報がある。これはガラスあるいは耐熱
性高分子フィルムを基板として用い、磁性金属と非磁性
金属を同時に低温で成膜し微細混合膜を作成後、加熱に
より粒子成長させ、所望の磁気特成膜を得る方法であ
る。この方法では基板の耐熱性から４００℃以下での処
理しか意味が無く、それ以上の温度では逆に保磁力が低
下していた。
【０００５】また特開昭５９−４２６４２号公報では記
録層の膜厚が１３０nm〜１５０nmの膜を主としており、
現在要求されている磁気記録媒体の膜厚（３０nm以下）
で高い保磁力を得ることは困難であった。そこでＦｅも
しくはＦｅ系の合金、ＣｏもしくはＣｏ系の合金と、こ
れらと非固溶な非磁性材料からなる記録層を成膜し、非
磁性金属材料中に微細な強磁性粒子を分離析出させ、磁
気記録媒体を構成する強磁性粒子同士を孤立化させ、こ
れらの間の磁気的な相互作用を無くし、高密度記録領域
における媒体ノイズを低減させることを特徴とする磁気
記録媒体を提案した（特願平０７−１６０４３７号）。
録層の膜厚が１３０nm〜１５０nmの膜を主としており、
現在要求されている磁気記録媒体の膜厚（３０nm以下）
で高い保磁力を得ることは困難であった。そこでＦｅも
しくはＦｅ系の合金、ＣｏもしくはＣｏ系の合金と、こ
れらと非固溶な非磁性材料からなる記録層を成膜し、非
磁性金属材料中に微細な強磁性粒子を分離析出させ、磁
気記録媒体を構成する強磁性粒子同士を孤立化させ、こ
れらの間の磁気的な相互作用を無くし、高密度記録領域
における媒体ノイズを低減させることを特徴とする磁気
記録媒体を提案した（特願平０７−１６０４３７号）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の特願平
０７−１６０４３７号に開示されたＦｅもしくはＦｅ系
の合金、ＣｏもしくはＣｏ系の合金と、これらと非固溶
な非磁性材料からなる記録層を有する磁気記録媒体では
１５００（Oe) 以上の高い保磁力は得にくかった。
０７−１６０４３７号に開示されたＦｅもしくはＦｅ系
の合金、ＣｏもしくはＣｏ系の合金と、これらと非固溶
な非磁性材料からなる記録層を有する磁気記録媒体では
１５００（Oe) 以上の高い保磁力は得にくかった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、基板上に、非磁性材料薄膜中に平均粒径
５０nm以下のｆｃｃ構造のＣｏ100-x Ｐｔx （１０≦ｘ
＜２０）結晶粒子がほぼ一様に分布している磁気記録層
を持ち、磁気記録層の残留磁化と膜厚の積の値が１５０
Gauss ・μｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体
を提供する。
決するために、基板上に、非磁性材料薄膜中に平均粒径
５０nm以下のｆｃｃ構造のＣｏ100-x Ｐｔx （１０≦ｘ
＜２０）結晶粒子がほぼ一様に分布している磁気記録層
を持ち、磁気記録層の残留磁化と膜厚の積の値が１５０
Gauss ・μｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体
を提供する。
【０００８】記録密度を上げてなおかつ低ノイズ化する
ために、強磁性粒子を非磁性材料マトリックス中に微分
散させる。本発明では強磁性粒子の平均粒径を５０nm以
下、より好ましくは１０〜２０nmとし、かつ強磁性粒子
どうしの間に非磁性材料を介在させて強磁性粒子間の磁
気的相互作用を断ち切るようにする。そして、本発明に
よれば、その強磁性粒子をｆｃｃ構造のＣｏ100-x Ｐｔ
x （１０≦ｘ＜２０）結晶粒子とすることにより、高い
保磁力を実現する。１２００Oe以上、好ましくは１５０
０Oe以上、さらには１６００Oe以上の保磁力を得ること
ができる。このような高保磁力を実現するためにＣｏ
100-x Ｐｔx において１０≦ｘ＜２０、好ましくは１１
≦ｘ≦１７．５、さらに好ましくは１２≦ｘ≦１６の組
成とする。
ために、強磁性粒子を非磁性材料マトリックス中に微分
散させる。本発明では強磁性粒子の平均粒径を５０nm以
下、より好ましくは１０〜２０nmとし、かつ強磁性粒子
どうしの間に非磁性材料を介在させて強磁性粒子間の磁
気的相互作用を断ち切るようにする。そして、本発明に
よれば、その強磁性粒子をｆｃｃ構造のＣｏ100-x Ｐｔ
x （１０≦ｘ＜２０）結晶粒子とすることにより、高い
保磁力を実現する。１２００Oe以上、好ましくは１５０
０Oe以上、さらには１６００Oe以上の保磁力を得ること
ができる。このような高保磁力を実現するためにＣｏ
100-x Ｐｔx において１０≦ｘ＜２０、好ましくは１１
≦ｘ≦１７．５、さらに好ましくは１２≦ｘ≦１６の組
成とする。
【０００９】また、磁気折抗型磁気ヘッドと組合せて使
用するために、磁気記録層の残留磁気と膜厚の積の値
（ｔＢｒ）を１５０Gauss ・μｍ以下、好ましくは１０
０Gauss ・μｍ以下とする。上記のようなグラニュラ構
造の磁気記録層を形成するには、ＣｏＰｔと非相溶性又
は難相溶性の非磁性材料とＣｏＰｔを同時成膜又は積層
成膜（非磁性材料／ＣｏＰｔ／非磁性材料が好ましい）
した後熱処理する方法が好適である。
用するために、磁気記録層の残留磁気と膜厚の積の値
（ｔＢｒ）を１５０Gauss ・μｍ以下、好ましくは１０
０Gauss ・μｍ以下とする。上記のようなグラニュラ構
造の磁気記録層を形成するには、ＣｏＰｔと非相溶性又
は難相溶性の非磁性材料とＣｏＰｔを同時成膜又は積層
成膜（非磁性材料／ＣｏＰｔ／非磁性材料が好ましい）
した後熱処理する方法が好適である。
【００１０】このような非磁性材料としては、銀（Ａ
ｇ）、銅（Ｃｕ）、カーボン（Ｃ）、酸化物セラミック
ス（Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ）などを用いることができる
が、強磁性粒子の母相としてアモルファスが適している
のでＳｉＯ2 が好ましい。ＣｏとＰｔも合金や複合ター
ゲットなどによる同時成膜のほか、積層成膜でもよい
が、堆積後、熱処理して非磁性材料中に均一に微分散さ
せるとともに、ｆｃｃ構造の結晶粒子に成すことが必要
である。ＣｏＰｔは通常ｈｃｐ構造が安定であるが、本
発明ではｆｃｃ構造である。熱処理温度としては４００
℃以上、より好ましくは５００〜６００℃が好ましい。
ｇ）、銅（Ｃｕ）、カーボン（Ｃ）、酸化物セラミック
ス（Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ）などを用いることができる
が、強磁性粒子の母相としてアモルファスが適している
のでＳｉＯ2 が好ましい。ＣｏとＰｔも合金や複合ター
ゲットなどによる同時成膜のほか、積層成膜でもよい
が、堆積後、熱処理して非磁性材料中に均一に微分散さ
せるとともに、ｆｃｃ構造の結晶粒子に成すことが必要
である。ＣｏＰｔは通常ｈｃｐ構造が安定であるが、本
発明ではｆｃｃ構造である。熱処理温度としては４００
℃以上、より好ましくは５００〜６００℃が好ましい。
【００１１】磁気記録層中の非磁性材料と強磁性ＣｏＰ
ｔとの体積比は３０：７０〜８０：２０、より好ましく
は５０：５０〜７０：３０である。磁気記録層の膜厚
は、上記のｔＢｒの値を満たせばよいが、一般的には３
０nm以下、さらには２５nm以下である。基板としては、
非磁性基板であればよいが、上記熱処理に耐えるために
Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，Ｃ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯなどの少なく
とも４００℃以上に耐熱性のある非磁性基板がよい。Ｓ
ｉ基板表面を１００nm以上の厚さで酸化してＳｉＯ2 表
面酸化膜を有するＳｉ基板は好適である。
ｔとの体積比は３０：７０〜８０：２０、より好ましく
は５０：５０〜７０：３０である。磁気記録層の膜厚
は、上記のｔＢｒの値を満たせばよいが、一般的には３
０nm以下、さらには２５nm以下である。基板としては、
非磁性基板であればよいが、上記熱処理に耐えるために
Ｓｉ，ＳｉＯ2 ，Ｃ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯなどの少なく
とも４００℃以上に耐熱性のある非磁性基板がよい。Ｓ
ｉ基板表面を１００nm以上の厚さで酸化してＳｉＯ2 表
面酸化膜を有するＳｉ基板は好適である。
【００１２】基板と磁気記録層の間には適当なバリア層
を設けてもよい。また、磁気記録層の上には保護層、潤
滑層などを形成することができる。保護層としてはカー
ボン（グラファイト、ダイヤンド様、ダイヤモンドなど
を含む）、ＳｉＯ2 などを用いるが、薄膜での強度から
カーボンが好ましい。
を設けてもよい。また、磁気記録層の上には保護層、潤
滑層などを形成することができる。保護層としてはカー
ボン（グラファイト、ダイヤンド様、ダイヤモンドなど
を含む）、ＳｉＯ2 などを用いるが、薄膜での強度から
カーボンが好ましい。
【００１３】
【実施例】本発明を実施例を用いて詳細に説明する。図
１は従来の一般的な磁気記録媒体の断面模式図である。
非磁性基板（Ａｌ／ＮｉＰ）１上に下地層２としてＣｒ
を１００（nm）、その上に磁気記録層３としてＣｏＣｒ
12Ｔａ2 を20（nm）成膜し、その上にカーボンを２０
（nm）保護膜４として形成してある。このとき記録層Ｃ
ｏＣｒ12Ｔａ2 の膜厚と残留磁化の積（ｔＢｒ）は約１
００Gauss ・μｍである。
１は従来の一般的な磁気記録媒体の断面模式図である。
非磁性基板（Ａｌ／ＮｉＰ）１上に下地層２としてＣｒ
を１００（nm）、その上に磁気記録層３としてＣｏＣｒ
12Ｔａ2 を20（nm）成膜し、その上にカーボンを２０
（nm）保護膜４として形成してある。このとき記録層Ｃ
ｏＣｒ12Ｔａ2 の膜厚と残留磁化の積（ｔＢｒ）は約１
００Gauss ・μｍである。
【００１４】近年高記録密度の記録信号の再生には磁気
抵抗型のヘッド（ＭＲヘッド）が用いられている。ＭＲ
ヘッドは従来のインダクティブ型のヘッドに比べて非常
に感度が高い一方、感度の直線性範囲が狭い。図２に磁
気抵抗型ヘッドを用いたときの記録密度と再生出力の関
係を５種類のｔＢｒの媒体について示す。低記録密度領
域ではｔＢｒの大きな媒体の方が出力が大きいが、高記
録密度、特に１００（kFRPI)近くになってくると先に述
べた原因から、ｔＢｒの小さな媒体の方が再生出力が大
きくなっている。従って、磁気抵抗型ヘッドを高密度記
録領域で使用するにはｔＢｒが１５０Gauss ・μｍ以下
であることが望ましい。
抵抗型のヘッド（ＭＲヘッド）が用いられている。ＭＲ
ヘッドは従来のインダクティブ型のヘッドに比べて非常
に感度が高い一方、感度の直線性範囲が狭い。図２に磁
気抵抗型ヘッドを用いたときの記録密度と再生出力の関
係を５種類のｔＢｒの媒体について示す。低記録密度領
域ではｔＢｒの大きな媒体の方が出力が大きいが、高記
録密度、特に１００（kFRPI)近くになってくると先に述
べた原因から、ｔＢｒの小さな媒体の方が再生出力が大
きくなっている。従って、磁気抵抗型ヘッドを高密度記
録領域で使用するにはｔＢｒが１５０Gauss ・μｍ以下
であることが望ましい。
【００１５】図３に特願平０７−１６０４３７号の出願
の実施例の磁気記録媒体の断面模試図を示す。この実施
例は磁気記録層１３として非磁性材料１３ａであるＳｉ
Ｏ2中に磁性材料１３ｂが粒子状に分散したグラニュラ
構造を採用している。しかしながら、このグラニュラ構
造の組み合わせだと最適な熱処理を行っても１０００
（Oe) 程度の保磁力しか得ることができない。
の実施例の磁気記録媒体の断面模試図を示す。この実施
例は磁気記録層１３として非磁性材料１３ａであるＳｉ
Ｏ2中に磁性材料１３ｂが粒子状に分散したグラニュラ
構造を採用している。しかしながら、このグラニュラ構
造の組み合わせだと最適な熱処理を行っても１０００
（Oe) 程度の保磁力しか得ることができない。
【００１６】図４は本発明第一の実施例の磁気記録媒体
の断面模式図である。Ｓｉ基板２１上にＣｏ90Ｐｔ10／
ＳｉＯ2 グラニュラ膜２３が形成され、その上をカーボ
ンの保護膜２４で覆われている。記録層２３は強磁性Ｃ
ｏ90Ｐｔ10結晶粒子２３ｂが非磁性ＳｉＯ2 （２３ａ）
中に微分散されている。図５に本発明第一の実施例の磁
気記録媒体の作成手順を示す。耐熱性非磁性基板（Ｓ
ｉ）２１上に複合ターゲットを使用しＣｏ90Ｐｔ10−Ｓ
ｉＯ2 膜２３を２０nm成膜し（図５（Ａ））、それに真
空中（５×１０-6Torr以下）で熱処理（６００℃１時
間）を施した後（図５（Ｂ））、表面に保護膜２４とし
てカーボンを１０nm成膜してある（図５（Ｃ））。ここ
で言う耐熱性基板とは熱処理温度から４００℃以上に耐
えうるＳｉ，ＳｉＯ2 ，Ｃ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ等の基
板を示す。熱処理前はＣｏＰｔ結晶粒が小さく、粒どう
しが連続である部分があるため保磁力は小さいが、熱処
理を施すとＣｏＰｔとＳｉＯ2 が非固溶であることから
それぞれの分離析出が進み、ＣｏＰｔは数十nmの粒状と
なり高い保磁力が得られる。そのためには最低５００℃
での熱処理が必要である。ここで膜厚を２０nmとしたの
は、この膜厚でｔＢｒが約１００Gauss ・μｍとなるか
らである。成膜はすべてスパッタリングによって行って
いる。表１にスパッタリングの条件を示す。
の断面模式図である。Ｓｉ基板２１上にＣｏ90Ｐｔ10／
ＳｉＯ2 グラニュラ膜２３が形成され、その上をカーボ
ンの保護膜２４で覆われている。記録層２３は強磁性Ｃ
ｏ90Ｐｔ10結晶粒子２３ｂが非磁性ＳｉＯ2 （２３ａ）
中に微分散されている。図５に本発明第一の実施例の磁
気記録媒体の作成手順を示す。耐熱性非磁性基板（Ｓ
ｉ）２１上に複合ターゲットを使用しＣｏ90Ｐｔ10−Ｓ
ｉＯ2 膜２３を２０nm成膜し（図５（Ａ））、それに真
空中（５×１０-6Torr以下）で熱処理（６００℃１時
間）を施した後（図５（Ｂ））、表面に保護膜２４とし
てカーボンを１０nm成膜してある（図５（Ｃ））。ここ
で言う耐熱性基板とは熱処理温度から４００℃以上に耐
えうるＳｉ，ＳｉＯ2 ，Ｃ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ等の基
板を示す。熱処理前はＣｏＰｔ結晶粒が小さく、粒どう
しが連続である部分があるため保磁力は小さいが、熱処
理を施すとＣｏＰｔとＳｉＯ2 が非固溶であることから
それぞれの分離析出が進み、ＣｏＰｔは数十nmの粒状と
なり高い保磁力が得られる。そのためには最低５００℃
での熱処理が必要である。ここで膜厚を２０nmとしたの
は、この膜厚でｔＢｒが約１００Gauss ・μｍとなるか
らである。成膜はすべてスパッタリングによって行って
いる。表１にスパッタリングの条件を示す。
【００１７】 （表１）スパッタ条件 スパッタ膜 Ａｖ圧力 基板温度 スパッタ電子 ＤＣバイアス電圧 ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 ５ｍTorr ２０℃ ０．２kW ０Ｖ Ｃ １０ｍTorr ２０℃ １kW ０Ｖ 〔注〕基板：Ｓｉ（２．５インチ） スパッタ：ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 はＲＦ，ＣＨＤＣ アニール条件：約５００℃、１０分間 図６はＣｏとＣｏに非磁性金属を少量添加（５at％）し
た磁性合金材料とＳｉＯ2 を用いた媒体の保磁力を示
す。添加物はＣｏのｈｃｐ構造が安定になるようなＣ
ｒ，Ｐｔ，Ｒｕについて示してある。図に示すようにＰ
ｔを添加したものが最も高い保磁力を示すことがわか
る。そこで本発明ではＣｏＰｔ系を選択した。
た磁性合金材料とＳｉＯ2 を用いた媒体の保磁力を示
す。添加物はＣｏのｈｃｐ構造が安定になるようなＣ
ｒ，Ｐｔ，Ｒｕについて示してある。図に示すようにＰ
ｔを添加したものが最も高い保磁力を示すことがわか
る。そこで本発明ではＣｏＰｔ系を選択した。
【００１８】本発明の第二の実施例の磁気記録媒体では
その成膜方法については第一の実施例と同じであるが、
磁性材料にＣｏ85Ｐｔ15を用いており１７００（Oe）の
保磁力を有している。本発明の磁気記録媒体において、
その強磁性材料のＣｏとＰｔの組成比を変化させたとき
の保磁力の変化を図２に示す。Ｐｔの添加量を増加させ
ていくとそれが１０at％付近から２０at％手前位で保磁
力は極大となり、３５（at％）以上で再び増大してい
る。さらに１１〜２７．５at％で１５００Oe以上、１２
〜２６at％で１６００Oe以上、約１４at％で１７６０Oe
に達している。これは一実施例であるが、製造条件を最
適化すればさらに高い保磁力を実現できると考えられ
る。エックス線回折の評価から、Ｐｔの組成比が３５
（at％）を越えるところでは結晶系がｆｃｔになってお
り、ＴＥＭ観察から磁性粒子が孤立した状態になってい
ないことがわかっている。以上のことから考えて、Ｃｏ
Ｐｔ−ＳｉＯ2 膜を磁気記録媒体に用いるためにはＣｏ
Ｐｔの組成比は保磁力が１２００（Oe）となるＰｔが１
０at％以上２０at％未満が適当である。
その成膜方法については第一の実施例と同じであるが、
磁性材料にＣｏ85Ｐｔ15を用いており１７００（Oe）の
保磁力を有している。本発明の磁気記録媒体において、
その強磁性材料のＣｏとＰｔの組成比を変化させたとき
の保磁力の変化を図２に示す。Ｐｔの添加量を増加させ
ていくとそれが１０at％付近から２０at％手前位で保磁
力は極大となり、３５（at％）以上で再び増大してい
る。さらに１１〜２７．５at％で１５００Oe以上、１２
〜２６at％で１６００Oe以上、約１４at％で１７６０Oe
に達している。これは一実施例であるが、製造条件を最
適化すればさらに高い保磁力を実現できると考えられ
る。エックス線回折の評価から、Ｐｔの組成比が３５
（at％）を越えるところでは結晶系がｆｃｔになってお
り、ＴＥＭ観察から磁性粒子が孤立した状態になってい
ないことがわかっている。以上のことから考えて、Ｃｏ
Ｐｔ−ＳｉＯ2 膜を磁気記録媒体に用いるためにはＣｏ
Ｐｔの組成比は保磁力が１２００（Oe）となるＰｔが１
０at％以上２０at％未満が適当である。
【００１９】図８は本発明第三の実施例の磁気記録媒体
の断面模式図である。成膜法及び成膜条件は第一の実施
例のとおりである。ただし、基板３１に表面酸化処理を
施したＳｉ基板（ＳｉＯ2 膜３２が３００nm厚付）を用
いている。この基板を用いると、高温熱処理時の基板か
らのＳｉの拡散、もしくは記録層からの磁性元素（Ｃ
ｏ）の拡散による磁気特性の劣化を防止する効果があ
る。３３がＣｏＰｔ／ＳｉＯ2 記録層、３４がカーボン
保護層である。
の断面模式図である。成膜法及び成膜条件は第一の実施
例のとおりである。ただし、基板３１に表面酸化処理を
施したＳｉ基板（ＳｉＯ2 膜３２が３００nm厚付）を用
いている。この基板を用いると、高温熱処理時の基板か
らのＳｉの拡散、もしくは記録層からの磁性元素（Ｃ
ｏ）の拡散による磁気特性の劣化を防止する効果があ
る。３３がＣｏＰｔ／ＳｉＯ2 記録層、３４がカーボン
保護層である。
【００２０】これまでの実施例の磁気記録媒体はすべて
記録層形成後に高真空中（５×１０ -6Torr以下）で加熱
処理を行っているが、その代わりに還元雰囲気（Ｈ2 混
合ガス等）で熱処理を行ってもその効果は同様である。
図９に本発明の第三の実施例の磁気記録媒体と従来媒体
の媒体ノイズの記録信号周波数依存性を示す。再生用の
ヘッドにはＭＲヘッドを使用した。このときの周速（ヘ
ッドと媒体の相対速度）は１０ｍ／ｓであり、２０MHz
のときの記録密度は約１００KFCIである。従来媒体では
周波数が高くなるとそれに伴って媒体ノイズも増加して
いたが、本発明の磁気記録媒体では記録周波数が高くな
っても媒体ノイズがほとんど増加しないことがわかる。
記録層形成後に高真空中（５×１０ -6Torr以下）で加熱
処理を行っているが、その代わりに還元雰囲気（Ｈ2 混
合ガス等）で熱処理を行ってもその効果は同様である。
図９に本発明の第三の実施例の磁気記録媒体と従来媒体
の媒体ノイズの記録信号周波数依存性を示す。再生用の
ヘッドにはＭＲヘッドを使用した。このときの周速（ヘ
ッドと媒体の相対速度）は１０ｍ／ｓであり、２０MHz
のときの記録密度は約１００KFCIである。従来媒体では
周波数が高くなるとそれに伴って媒体ノイズも増加して
いたが、本発明の磁気記録媒体では記録周波数が高くな
っても媒体ノイズがほとんど増加しないことがわかる。
【００２１】図１０に本発明の磁気記録媒体のエックス
線回折パターンを示す。一般に高保磁力を示すＣｏ合金
はｈｃｐ構造をとると言われているが、本発明の磁気記
録媒体においてはｆｃｃ構造特有の回析ピーク（２００
面）が観測されており、記録層のＣｏＰｔ合金がｆｃｃ
構造になっていることがわかる。Ｃｏx Ｐｔ1-x （１０
≦ｘ＜２０）のすべての組成（ｘ＝１０，ｘ＝１５，ｘ
＝２０を含む）でｆｃｃ構造が確認された。
線回折パターンを示す。一般に高保磁力を示すＣｏ合金
はｈｃｐ構造をとると言われているが、本発明の磁気記
録媒体においてはｆｃｃ構造特有の回析ピーク（２００
面）が観測されており、記録層のＣｏＰｔ合金がｆｃｃ
構造になっていることがわかる。Ｃｏx Ｐｔ1-x （１０
≦ｘ＜２０）のすべての組成（ｘ＝１０，ｘ＝１５，ｘ
＝２０を含む）でｆｃｃ構造が確認された。
【００２２】図１１に、上記の如く作製した磁気ディス
ク２１を装着した磁気ディスクドライブの例を示す。磁
気ディスク２１に対向して磁気抵抗効果型の磁気ヘッド
２２が配置される。同図中、２３はディスク押さえ、２
４は磁気ヘッド駆動用ボイスコイルモーター、２５はハ
ウジング、２６は半導体集積回路デバイス、２７はコネ
クタであり、２８は磁気ヘッド２２を支持する弾性体よ
りなるアームである。
ク２１を装着した磁気ディスクドライブの例を示す。磁
気ディスク２１に対向して磁気抵抗効果型の磁気ヘッド
２２が配置される。同図中、２３はディスク押さえ、２
４は磁気ヘッド駆動用ボイスコイルモーター、２５はハ
ウジング、２６は半導体集積回路デバイス、２７はコネ
クタであり、２８は磁気ヘッド２２を支持する弾性体よ
りなるアームである。
【００２３】
【発明の効果】本発明によると高密度磁気記録装置に用
いて好適な、強磁性粒子間の磁気的な相互作用の無い、
高記録密度領域で低ノイズの磁気記録媒体を提供するこ
とができる。
いて好適な、強磁性粒子間の磁気的な相互作用の無い、
高記録密度領域で低ノイズの磁気記録媒体を提供するこ
とができる。
【図１】従来の一般的な磁気記録媒体の断面模式図。
【図２】磁気抵抗型ヘッドを用いたときの記録密度と再
生出力の関係。
生出力の関係。
【図３】該先願の実施例の磁気記録媒体の断面模式図。
【図４】本発明第一の実施例の磁気記録媒体の断面構造
図。
図。
【図５】本発明第一の実施例の磁気記録媒体の作成過
程。
程。
【図６】ＣｏとＣｏに非磁性金属を少量添加（５at％）
した磁性合金材料とＳｉＯ2 を用いた媒体の保磁力。
した磁性合金材料とＳｉＯ2 を用いた媒体の保磁力。
【図７】本発明の磁気記録媒体の保磁力のＰｔの添加量
依存性。
依存性。
【図８】本発明第三の実施例の磁気記録媒体の断面構造
図。
図。
【図９】本発明の第一の実施例の磁気記録媒体と従来媒
体の媒体ノイズの記録信号周波数依存性。
体の媒体ノイズの記録信号周波数依存性。
【図１０】本発明実施例のエックス線回折パターン。
【図１１】磁気記録装置の実施例。
１，１１，２１，３１…基板 ２，３２…ＳｉＯ2 表面酸化膜 ３，１３，２３，３３…磁気記録層 １３ａ，２３ａ，３３ａ…非磁性材料 １３ｂ，２３ｂ，３３ｂ…強磁性材料 ４，１４，２４…保護層
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に、非磁性材料薄膜中に平均粒径
５０nm以下のｆｃｃ構造のＣｏ100-x Ｐｔx （１０≦ｘ
＜２０）結晶粒子がほぼ一様に分布している磁気記録層
を持ち、磁気記録層の残留磁化と膜厚の積の値が１５０
Gauss ・μｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 前記非磁性材料薄膜の非磁性材料がＳｉ
Ｏ2 である請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記基板が、１００nm以上の厚さの表面
酸化膜ＳｉＯ2 を有するシリコン基板である請求項１ま
たは２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記磁気記録層が１５００Oe以上の保磁
力を有する請求項１，２または３に記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁
気記録媒体と、磁気抵抗型再生ヘッドを具備することを
特徴とする磁気記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8243397A JPH1092637A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 磁気記録媒体及び装置 |
| US08/804,797 US5843569A (en) | 1996-09-13 | 1997-02-24 | Magnetic recording medium and device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8243397A JPH1092637A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 磁気記録媒体及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092637A true JPH1092637A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17103264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8243397A Pending JPH1092637A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 磁気記録媒体及び装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5843569A (ja) |
| JP (1) | JPH1092637A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010019494A (ko) * | 1999-08-27 | 2001-03-15 | 윤덕용 | 강자성체/세라믹스의 다층막 증착에 의한 미세구조의 과립박막 |
| EP1059629A3 (en) * | 1999-06-08 | 2002-03-27 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus, recording method and method of producing magnetic recording medium |
| US6743528B2 (en) | 1998-03-20 | 2004-06-01 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium |
| US7270898B2 (en) | 2002-04-04 | 2007-09-18 | Fujitsu Limited | Polycrystalline structure of ordered alloy and method of making the same |
| US7416794B2 (en) | 2004-03-25 | 2008-08-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium, method for manufacturing recording medium and magnetic recording apparatus |
| US7622204B2 (en) | 2004-03-25 | 2009-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
| JP2015161644A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 国立大学法人秋田大学 | 磁気力顕微鏡用探針およびその製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5774783A (en) * | 1995-03-17 | 1998-06-30 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium |
| US20060003163A1 (en) * | 1996-11-16 | 2006-01-05 | Nanomagnetics Limited | Magnetic fluid |
| US6713173B2 (en) * | 1996-11-16 | 2004-03-30 | Nanomagnetics Limited | Magnetizable device |
| US6815063B1 (en) | 1996-11-16 | 2004-11-09 | Nanomagnetics, Ltd. | Magnetic fluid |
| US6986942B1 (en) | 1996-11-16 | 2006-01-17 | Nanomagnetics Limited | Microwave absorbing structure |
| GB2319253A (en) | 1996-11-16 | 1998-05-20 | Eric Leigh Mayes | Composition, for use in a device, comprising a magnetic layer of domain-separated magnetic particles |
| US6110609A (en) * | 1997-09-02 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic thin film and magnetic head using the same |
| JP3670119B2 (ja) * | 1997-09-16 | 2005-07-13 | ▲禎▼彦 弘津 | 機能性粒子分散型薄膜とグラニュラー磁性薄膜およびそれらの製造方法 |
| US6162532A (en) * | 1998-07-31 | 2000-12-19 | International Business Machines Corporation | Magnetic storage medium formed of nanoparticles |
| KR100303446B1 (ko) * | 1998-10-29 | 2002-10-04 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법 |
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| US6821652B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-11-23 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6689495B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-02-10 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6645646B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6602612B2 (en) | 1999-06-08 | 2003-08-05 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6753101B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-06-22 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus, recording method and method of producing magnetic recording medium |
| US7166320B1 (en) | 2000-02-14 | 2007-01-23 | Seagate Technology Llc | Post-deposition annealed recording media and method of manufacturing the same |
| US7282710B1 (en) | 2002-01-02 | 2007-10-16 | International Business Machines Corporation | Scanning probe microscopy tips composed of nanoparticles and methods to form same |
| US6897650B2 (en) * | 2002-02-11 | 2005-05-24 | International Business Machines Corporation | Magnetic-field sensor device |
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| JP4411331B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2010-02-10 | 信越化学工業株式会社 | 磁気記録媒体用シリコン基板およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US5605733A (en) * | 1992-01-22 | 1997-02-25 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium, method for its production, and system for its use |
| JPH05274644A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-10-22 | Mitsubishi Kasei Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH0916934A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-17 | Fujitsu Ltd | 磁気記録装置、磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-09-13 JP JP8243397A patent/JPH1092637A/ja active Pending
-
1997
- 1997-02-24 US US08/804,797 patent/US5843569A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5843569A (en) | 1998-12-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030527 |