JPH1092858A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents
ワイヤボンディング方法Info
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- JPH1092858A JPH1092858A JP8239635A JP23963596A JPH1092858A JP H1092858 A JPH1092858 A JP H1092858A JP 8239635 A JP8239635 A JP 8239635A JP 23963596 A JP23963596 A JP 23963596A JP H1092858 A JPH1092858 A JP H1092858A
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- inner lead
- bonding
- wire
- wire bonding
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07531—Techniques
- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
- H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワイヤボンディング時のインナーリードにお
けるボンディングエリアの位置ずれを防止し、ボンディ
ング位置精度の向上を図る。 【解決手段】 複数のインナーリード11の先端で囲ま
れたダイパット(実装位置)13に半導体素子を実装す
るに際し、インナーリード11をクランプした状態でこ
のインナーリード11のボンディングエリア11aにワ
イヤをボンディングするにあたり、予め、インナーリー
ド11におけるクランプエリア11b(クランプの位
置)に、少なくとも隣り合う複数のインナーリード11
間に跨がった状態で接着テープ13を貼着しておき、接
着テープ13を介してインナーリード11をクランプし
た状態でボンディングエリア11aにワイヤをボンディ
ングする。
けるボンディングエリアの位置ずれを防止し、ボンディ
ング位置精度の向上を図る。 【解決手段】 複数のインナーリード11の先端で囲ま
れたダイパット(実装位置)13に半導体素子を実装す
るに際し、インナーリード11をクランプした状態でこ
のインナーリード11のボンディングエリア11aにワ
イヤをボンディングするにあたり、予め、インナーリー
ド11におけるクランプエリア11b(クランプの位
置)に、少なくとも隣り合う複数のインナーリード11
間に跨がった状態で接着テープ13を貼着しておき、接
着テープ13を介してインナーリード11をクランプし
た状態でボンディングエリア11aにワイヤをボンディ
ングする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子のパッ
ケージングに際して行われるワイヤボンディング方法に
関するものである。
ケージングに際して行われるワイヤボンディング方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子のパッケージングに際して行
われる工程としては、リードフレームのインナーリード
にワイヤをボンディングするワイヤボンディング工程が
知られている。図4に示すように従来においてインナー
リード51は、リードフレーム50に複数形成されてお
り、その先端が半導体素子を実装するためのダイパット
52を囲んでいる。このインナーリード51の先端側
は、銀(Ag)や金(Au)でメッキされてワイヤボン
ディングエリア(以下、単にボンディングエリアと記
す)51aとなっている。またボンディングエリア51
aよりも後端側が、ワイヤボンディング時にインナーリ
ード51をクランプするための治具押さえ位置(以下、
クランプエリアと記す)51bとされている。
われる工程としては、リードフレームのインナーリード
にワイヤをボンディングするワイヤボンディング工程が
知られている。図4に示すように従来においてインナー
リード51は、リードフレーム50に複数形成されてお
り、その先端が半導体素子を実装するためのダイパット
52を囲んでいる。このインナーリード51の先端側
は、銀(Ag)や金(Au)でメッキされてワイヤボン
ディングエリア(以下、単にボンディングエリアと記
す)51aとなっている。またボンディングエリア51
aよりも後端側が、ワイヤボンディング時にインナーリ
ード51をクランプするための治具押さえ位置(以下、
クランプエリアと記す)51bとされている。
【0003】さらにインナーリード51には、クランプ
エリア51bよりも後端側にテープ53が貼着されてい
る。テープ53は、インナーリード51のボンディング
エリア51aのばたつきを防止するためのもので、複数
のインナーリード51間に跨がった状態でダイパット5
2の周方向に沿って貼着されている。
エリア51bよりも後端側にテープ53が貼着されてい
る。テープ53は、インナーリード51のボンディング
エリア51aのばたつきを防止するためのもので、複数
のインナーリード51間に跨がった状態でダイパット5
2の周方向に沿って貼着されている。
【0004】ところで近年では、実装する半導体素子の
高集積化とともに必要なインナーリード数が増大してお
り、これに伴ってインナーリードが極微細に加工されて
いる。例えば厚さが0.125mmと薄く、図6に示す
ように先端の幅wが0.1mmと細く、隣接するインナ
ーリード51との間隔pが0.08mmと狭いといった
具合である。一方、ワイヤボンディング時に使用するボ
ンディング治具であるキャピラリをボンディングエリア
51aに押し付けた際には、例えば80μm程度の直径
を有する円形状のエリア51cが必要となる(図6参
照)。
高集積化とともに必要なインナーリード数が増大してお
り、これに伴ってインナーリードが極微細に加工されて
いる。例えば厚さが0.125mmと薄く、図6に示す
ように先端の幅wが0.1mmと細く、隣接するインナ
ーリード51との間隔pが0.08mmと狭いといった
具合である。一方、ワイヤボンディング時に使用するボ
ンディング治具であるキャピラリをボンディングエリア
51aに押し付けた際には、例えば80μm程度の直径
を有する円形状のエリア51cが必要となる(図6参
照)。
【0005】したがって従来、ワイヤボンディングを行
うにあっては、ボンディングエリア51aの位置ずれを
防止するために、図5および図6に示すごとくワークク
ランプ61でインナーリード51のクランプエリア51
bをヒートブロック62へと押し付けてクランプし、こ
の状態で熱、圧力、超音波振動等によってボンディング
エリア51aにワイヤをボンディングしている。
うにあっては、ボンディングエリア51aの位置ずれを
防止するために、図5および図6に示すごとくワークク
ランプ61でインナーリード51のクランプエリア51
bをヒートブロック62へと押し付けてクランプし、こ
の状態で熱、圧力、超音波振動等によってボンディング
エリア51aにワイヤをボンディングしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、インナーリ
ードのクランプに使用するワーククランプ、ヒートブロ
ックはそれぞれ、インナーリードに接触する面が樹脂、
金属からなっており、またインナーリードも金属で形成
されている。このため、インナーリードをワーククラン
プとヒートブロックとによってクランプしてもこれらの
間に働く摩擦抵抗が小さい。したがって、従来のワイヤ
ボンディング方法では、インナーリードをクランプして
いるにもかかわらず、ワイヤボンディング時にキャピラ
リをボンディングエリアに押し付けた際の衝撃や超音波
振動によって、図6の二点鎖線で示すようにワイヤボン
ディングしているインナーリード51の隣のインナーリ
ード51の先端が横滑りして容易に位置ずれし、ボンデ
ィング位置精度が悪化するといった不具合が発生してい
る。
ードのクランプに使用するワーククランプ、ヒートブロ
ックはそれぞれ、インナーリードに接触する面が樹脂、
金属からなっており、またインナーリードも金属で形成
されている。このため、インナーリードをワーククラン
プとヒートブロックとによってクランプしてもこれらの
間に働く摩擦抵抗が小さい。したがって、従来のワイヤ
ボンディング方法では、インナーリードをクランプして
いるにもかかわらず、ワイヤボンディング時にキャピラ
リをボンディングエリアに押し付けた際の衝撃や超音波
振動によって、図6の二点鎖線で示すようにワイヤボン
ディングしているインナーリード51の隣のインナーリ
ード51の先端が横滑りして容易に位置ずれし、ボンデ
ィング位置精度が悪化するといった不具合が発生してい
る。
【0007】なお通常、ワイヤボンディング時には、ま
ず全てのインナーリード51のボンディングエリア51
aの位置を画像処理等で認識し、この位置認識を基にワ
イヤボンディングが行われる。したがって、位置認識後
のインナーリード51のボンディングエリア51aの位
置ずれは、ワイヤボンディング精度に重大な影響をもた
らすことになる。
ず全てのインナーリード51のボンディングエリア51
aの位置を画像処理等で認識し、この位置認識を基にワ
イヤボンディングが行われる。したがって、位置認識後
のインナーリード51のボンディングエリア51aの位
置ずれは、ワイヤボンディング精度に重大な影響をもた
らすことになる。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明に係るワイヤボンディング方法は、複数のイン
ナーリードの先端で囲まれた実装位置に半導体素子を実
装するに際し、インナーリードをクランプした状態でこ
のインナーリードのボンディングエリアにワイヤをボン
ディングするにあたり、予め、インナーリードにおける
クランプの位置に、少なくとも隣り合う複数のインナー
リード間に跨がった状態で接着テープを貼着しておき、
接着テープを介してインナーリードをクランプした状態
でボンディングエリアにワイヤをボンディングすること
を特徴とする。
の本発明に係るワイヤボンディング方法は、複数のイン
ナーリードの先端で囲まれた実装位置に半導体素子を実
装するに際し、インナーリードをクランプした状態でこ
のインナーリードのボンディングエリアにワイヤをボン
ディングするにあたり、予め、インナーリードにおける
クランプの位置に、少なくとも隣り合う複数のインナー
リード間に跨がった状態で接着テープを貼着しておき、
接着テープを介してインナーリードをクランプした状態
でボンディングエリアにワイヤをボンディングすること
を特徴とする。
【0009】本発明では、予めクランプの位置に接着テ
ープを貼着していることから、予めインナーリードが固
定される。そして、さらに接着テープを介してインナー
リードをクランプした状態でワイヤボンディングを行っ
ているため、インナーリードが一層強固に固定された状
態でワイヤボンディングが行われる。よって、ワイヤボ
ンディング時に、ボンディング治具をボンディングエリ
アに押し付けた際の衝撃や超音波振動を受けても、ワイ
ヤボンディングしているインナーリードの隣のインナー
リードの先端が横滑りせず、ボンディングエリアが位置
ずれしない。
ープを貼着していることから、予めインナーリードが固
定される。そして、さらに接着テープを介してインナー
リードをクランプした状態でワイヤボンディングを行っ
ているため、インナーリードが一層強固に固定された状
態でワイヤボンディングが行われる。よって、ワイヤボ
ンディング時に、ボンディング治具をボンディングエリ
アに押し付けた際の衝撃や超音波振動を受けても、ワイ
ヤボンディングしているインナーリードの隣のインナー
リードの先端が横滑りせず、ボンディングエリアが位置
ずれしない。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係るワイヤボンデ
ィング方法の実施形態を図面に基づいて説明する。図1
(a)、(b)は一実施形態に係るワイヤボンディング
方法を説明するための図であり、図2は図1(a)の要
部断面図、図3は図1(b)の平面図である。本発明の
ワイヤボンディング方法は、インナーリードをクランプ
した状態でこのインナーリードのボンディングエリアに
ワイヤをボンディングする方法である。
ィング方法の実施形態を図面に基づいて説明する。図1
(a)、(b)は一実施形態に係るワイヤボンディング
方法を説明するための図であり、図2は図1(a)の要
部断面図、図3は図1(b)の平面図である。本発明の
ワイヤボンディング方法は、インナーリードをクランプ
した状態でこのインナーリードのボンディングエリアに
ワイヤをボンディングする方法である。
【0011】本実施形態では、ワイヤボンディングに先
立ち、図1(a)に示すごとくリードフレーム10のイ
ンナーリード11に接着テープ13を貼着しておく。こ
こで使用するリードフレーム10は、複数のインナーリ
ード11を有しており、これらインナーリード11の先
端によって囲まれた半導体素子用の実装位置に、ダイパ
ット12が設けられているものである。またインナーリ
ード11の先端側に、AgやAuでメッキされてボンデ
ィングエリア11aが形成されており、インナーリード
11のボンディングエリア11aよりも後端側が、ワイ
ヤをボンディングする際にインナーリード11をクラン
プするための位置(以下、クランプエリアと記す)11
bとなっている。すなわち、ダイパット12の周方向に
沿って帯状にクランプエリア11bが設けられている。
立ち、図1(a)に示すごとくリードフレーム10のイ
ンナーリード11に接着テープ13を貼着しておく。こ
こで使用するリードフレーム10は、複数のインナーリ
ード11を有しており、これらインナーリード11の先
端によって囲まれた半導体素子用の実装位置に、ダイパ
ット12が設けられているものである。またインナーリ
ード11の先端側に、AgやAuでメッキされてボンデ
ィングエリア11aが形成されており、インナーリード
11のボンディングエリア11aよりも後端側が、ワイ
ヤをボンディングする際にインナーリード11をクラン
プするための位置(以下、クランプエリアと記す)11
bとなっている。すなわち、ダイパット12の周方向に
沿って帯状にクランプエリア11bが設けられている。
【0012】本実施形態では、上記のようなインナーリ
ード11のクランプエリア11bに、予め接着テープ1
3を貼着しておく。例えばボンディングエリア11aが
インナーリード11の先端から後端側に向けて1mm程
度形成されており、インナーリード11の先端より1.
1mm〜1.5mm程度離れた位置からがクランプエリ
ア11bとされている場合には、接着テープ13の幅方
向の一端がインナーリード11の先端より1.1mm〜
1.5mm程度の範囲に位置するよう接着テープ13を
貼着しておく。またこのとき、図1(a)に示すように
複数のインナーリード11の全てに跨がった状態でダイ
パット12の周方向に沿って連続して接着テープ13を
設けておく。
ード11のクランプエリア11bに、予め接着テープ1
3を貼着しておく。例えばボンディングエリア11aが
インナーリード11の先端から後端側に向けて1mm程
度形成されており、インナーリード11の先端より1.
1mm〜1.5mm程度離れた位置からがクランプエリ
ア11bとされている場合には、接着テープ13の幅方
向の一端がインナーリード11の先端より1.1mm〜
1.5mm程度の範囲に位置するよう接着テープ13を
貼着しておく。またこのとき、図1(a)に示すように
複数のインナーリード11の全てに跨がった状態でダイ
パット12の周方向に沿って連続して接着テープ13を
設けておく。
【0013】さらに接着テープ13は、後述する理由か
ら、インナーリード11をクランプする際に使用するワ
ーククランプ61の幅W1 よりも広い幅W2 になるよう
設ける(図3参照)。例えばワーククランプ61の幅W
1 が1.4mm程度である場合、接着テープ13の幅W
2 を2mm程度とする。なお、クランプの際に、ワーク
クランプ61の幅方向の略中心をクランプエリア11b
の略中心に合わせる場合、クランプエリア11bの幅方
向の略中心と接着テープ13の幅方向の略中心とが略一
致するように接着テープ13を設けることが好ましい。
ら、インナーリード11をクランプする際に使用するワ
ーククランプ61の幅W1 よりも広い幅W2 になるよう
設ける(図3参照)。例えばワーククランプ61の幅W
1 が1.4mm程度である場合、接着テープ13の幅W
2 を2mm程度とする。なお、クランプの際に、ワーク
クランプ61の幅方向の略中心をクランプエリア11b
の略中心に合わせる場合、クランプエリア11bの幅方
向の略中心と接着テープ13の幅方向の略中心とが略一
致するように接着テープ13を設けることが好ましい。
【0014】接着テープ13としては、絶縁性を有しか
つワイヤボンディング時の熱に対して耐性のある材料、
例えばポリイミド等の接着テープ等を用いることができ
る。また接着テープ13は、インナーリード11に接着
する面と反対の側の面において接着性を有しないものと
なっている。接着テープ13を貼着することによって、
図2に示すようにインナーリード11は動かないように
固定される。
つワイヤボンディング時の熱に対して耐性のある材料、
例えばポリイミド等の接着テープ等を用いることができ
る。また接着テープ13は、インナーリード11に接着
する面と反対の側の面において接着性を有しないものと
なっている。接着テープ13を貼着することによって、
図2に示すようにインナーリード11は動かないように
固定される。
【0015】接着テープ13を貼着した後は、次いで図
1(b)および図3に示すように、接着テープ13の直
上からワーククランプ61でインナーリード11をヒー
トブロック62へと押し付けてクランプする。そして、
この状態でキャピラリ等のボンディング治具を用い、
熱、圧力、超音波振動等によってボンディングエリア1
1aにワイヤをボンディングする。
1(b)および図3に示すように、接着テープ13の直
上からワーククランプ61でインナーリード11をヒー
トブロック62へと押し付けてクランプする。そして、
この状態でキャピラリ等のボンディング治具を用い、
熱、圧力、超音波振動等によってボンディングエリア1
1aにワイヤをボンディングする。
【0016】ここで、前述したように接着テープ13の
幅W2 をワーククランプの幅W1 よりも広くするのは、
いずれの箇所においても接着テープ13の直上位置をワ
ーククランプ61が確実にクランプするようにするため
である。またこのとき、ワーククランプ61の幅方向の
略中心と接着テープ13の幅方向の略中心とを略一致さ
せておくと、ワーククランプ61の幅方向の両端それぞ
れから接着テープ13の幅方向の端部まで余裕がある状
態となる。この結果、たとえワーククランプ61のクラ
ンプ位置がずれても、インナーリード11が接着テープ
13を介してワーククランプ61で確実にクランプされ
ることになる。よって、ワーククランプ61の幅方向の
略中心をクランプエリア11bの略中心に合わせてクラ
ンプする場合には、クランプエリア11bの幅方向の略
中心と接着テープ13の幅方向の略中心とを略一致させ
ることが好ましいのである。
幅W2 をワーククランプの幅W1 よりも広くするのは、
いずれの箇所においても接着テープ13の直上位置をワ
ーククランプ61が確実にクランプするようにするため
である。またこのとき、ワーククランプ61の幅方向の
略中心と接着テープ13の幅方向の略中心とを略一致さ
せておくと、ワーククランプ61の幅方向の両端それぞ
れから接着テープ13の幅方向の端部まで余裕がある状
態となる。この結果、たとえワーククランプ61のクラ
ンプ位置がずれても、インナーリード11が接着テープ
13を介してワーククランプ61で確実にクランプされ
ることになる。よって、ワーククランプ61の幅方向の
略中心をクランプエリア11bの略中心に合わせてクラ
ンプする場合には、クランプエリア11bの幅方向の略
中心と接着テープ13の幅方向の略中心とを略一致させ
ることが好ましいのである。
【0017】また、接着テープ13は、ワイヤボンディ
ング工程後もモールド工程の終了までそのままインナー
リード11に貼着した状態にしておく。つまり、接着テ
ープ13はリードフレーム10に実装された半導体素子
とともにモールドされることになる。この接着テープ1
3は絶縁性であるため、半導体素子とともにモールドさ
れても得られたパッケージに影響を与えない。
ング工程後もモールド工程の終了までそのままインナー
リード11に貼着した状態にしておく。つまり、接着テ
ープ13はリードフレーム10に実装された半導体素子
とともにモールドされることになる。この接着テープ1
3は絶縁性であるため、半導体素子とともにモールドさ
れても得られたパッケージに影響を与えない。
【0018】上記のように、本実施形態のワイヤボンデ
ィング方法では、クランプエリア11bに予め接着テー
プ13を設け、この接着テープ13の直上からワークク
ランプ61でクランプした状態でインナーリード11に
ワイヤをボンディングしている。このため、接着テープ
13によるインナーリード11の先端側の固定が、ワー
ククランプ61によってさらに強固となった状態でワイ
ヤボンディングが行われることになる。したがって、ワ
イヤボンディング時に、ボンディング治具をボンディン
グエリア11bに押し付けた際の衝撃や超音波振動を受
けても、ワイヤボンディングしているインナーリード1
1の隣のインナーリード11の先端が横滑りせず、ボン
ディングエリア11aの位置ずれを防止できる。
ィング方法では、クランプエリア11bに予め接着テー
プ13を設け、この接着テープ13の直上からワークク
ランプ61でクランプした状態でインナーリード11に
ワイヤをボンディングしている。このため、接着テープ
13によるインナーリード11の先端側の固定が、ワー
ククランプ61によってさらに強固となった状態でワイ
ヤボンディングが行われることになる。したがって、ワ
イヤボンディング時に、ボンディング治具をボンディン
グエリア11bに押し付けた際の衝撃や超音波振動を受
けても、ワイヤボンディングしているインナーリード1
1の隣のインナーリード11の先端が横滑りせず、ボン
ディングエリア11aの位置ずれを防止できる。
【0019】また、接着テープ13の直上位置からイン
ナーリード11をクランプするので、インナーリード1
1が均一にクランプされる。その結果、均一にクランプ
されずにインナーリード11の先端が上下にばたついて
しまい、ワイヤボンディングの信頼性が低下する等の不
具合を防止することができる。さらに、インナーリード
11に予め接着テープ13を貼着しておくので、ワイヤ
ボンディング時におけるボンディングエリア11aのば
たつきを防止できる。また接着テープ13はモールド工
程までインナーリード11から剥がさないため、リード
フレーム10の作製時からインナーリード11に貼着し
た場合には、リードフレーム10の作製時からモールド
工程までボンディングエリア11aのばたつきを防止で
きることになる。
ナーリード11をクランプするので、インナーリード1
1が均一にクランプされる。その結果、均一にクランプ
されずにインナーリード11の先端が上下にばたついて
しまい、ワイヤボンディングの信頼性が低下する等の不
具合を防止することができる。さらに、インナーリード
11に予め接着テープ13を貼着しておくので、ワイヤ
ボンディング時におけるボンディングエリア11aのば
たつきを防止できる。また接着テープ13はモールド工
程までインナーリード11から剥がさないため、リード
フレーム10の作製時からインナーリード11に貼着し
た場合には、リードフレーム10の作製時からモールド
工程までボンディングエリア11aのばたつきを防止で
きることになる。
【0020】また接着テープ13を剥がさないため、半
導体素子のパッケージングに本実施形態のワイヤボンデ
ィング方法を用いても、パッケージングにおける工程数
が増加しない。このように本実施形態のワイヤボンディ
ング方法によれば、ボンディング位置精度を向上できる
ので、高精度のワイヤボンディングを実現でき、ワイヤ
とインナーリード11との接続の信頼性が高い半導体パ
ッケージを得ることができる。
導体素子のパッケージングに本実施形態のワイヤボンデ
ィング方法を用いても、パッケージングにおける工程数
が増加しない。このように本実施形態のワイヤボンディ
ング方法によれば、ボンディング位置精度を向上できる
ので、高精度のワイヤボンディングを実現でき、ワイヤ
とインナーリード11との接続の信頼性が高い半導体パ
ッケージを得ることができる。
【0021】なお、本実施形態では、本発明における接
着テープを、複数のインナーリードの全てに跨がった状
態でダイパットの周方向に沿って連続して設けた場合に
ついて述べたが、この例に限定されない。接着テープ
は、少なくとも隣り合う複数のインナーリード間に跨が
るように貼着されていればよく、例えばダイパットの一
辺あるいは二辺に対応する毎に、複数のインナーリード
間に跨がって設けることも可能である。あるいは両隣の
3つのインナーリード間に跨がって設けてもよい。
着テープを、複数のインナーリードの全てに跨がった状
態でダイパットの周方向に沿って連続して設けた場合に
ついて述べたが、この例に限定されない。接着テープ
は、少なくとも隣り合う複数のインナーリード間に跨が
るように貼着されていればよく、例えばダイパットの一
辺あるいは二辺に対応する毎に、複数のインナーリード
間に跨がって設けることも可能である。あるいは両隣の
3つのインナーリード間に跨がって設けてもよい。
【0022】
【発明の効果】本発明に係るワイヤボンディング方法で
は、予めクランプの位置に接着テープを貼着し、この接
着テープを介してインナーリードをクランプすることに
よりインナーリードを一層強固に固定した状態でワイヤ
ボンディングを行っている。このため、ワイヤボンディ
ング時に、ボンディング治具をボンディングエリアに押
し付けた際の衝撃や超音波振動によりインナーリードが
横滑してボンディングエリアが位置ずれするのを防止す
ることができる。したがって、本発明のワイヤボンディ
ング方法によれば、ボンディング位置精度を向上できる
ので、高精度のワイヤボンディングを実現でき、ワイヤ
とインナーリードとの接続の信頼性が高い半導体パッケ
ージを得ることができる。
は、予めクランプの位置に接着テープを貼着し、この接
着テープを介してインナーリードをクランプすることに
よりインナーリードを一層強固に固定した状態でワイヤ
ボンディングを行っている。このため、ワイヤボンディ
ング時に、ボンディング治具をボンディングエリアに押
し付けた際の衝撃や超音波振動によりインナーリードが
横滑してボンディングエリアが位置ずれするのを防止す
ることができる。したがって、本発明のワイヤボンディ
ング方法によれば、ボンディング位置精度を向上できる
ので、高精度のワイヤボンディングを実現でき、ワイヤ
とインナーリードとの接続の信頼性が高い半導体パッケ
ージを得ることができる。
【図1】本発明に係るワイヤボンディング方法の一実施
形態を説明する図であり、(a)は接着テープの貼着状
態を示す平面図、(b)はワイヤボンディング時におけ
るクランプ状態を示す要部断面図である。
形態を説明する図であり、(a)は接着テープの貼着状
態を示す平面図、(b)はワイヤボンディング時におけ
るクランプ状態を示す要部断面図である。
【図2】図1(a)の要部断面図である。
【図3】図1(b)の平面図である。
【図4】従来のインナーリードの一例を示す要部平面図
である。
である。
【図5】従来のワイヤボンディング時におけるクランプ
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
【図6】本発明の課題を説明する図である。
11 インナーリード 11a ボンディングエリア 11b クランプエリア 13 接着テープ 61
ワーククランプ
ワーククランプ
Claims (1)
- 【請求項1】 複数のインナーリードの先端で囲まれた
実装位置に半導体素子を実装するに際し、前記インナー
リードをクランプした状態でこのインナーリードのボン
ディングエリアにワイヤをボンディングするにあたり、 予め、前記インナーリードにおける前記クランプの位置
に、少なくとも隣り合う複数のインナーリード間に跨が
った状態で接着テープを貼着しておき、 前記接着テープを介して前記インナーリードをクランプ
した状態で前記ボンディングエリアにワイヤをボンディ
ングすることを特徴とするワイヤボンディング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8239635A JPH1092858A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | ワイヤボンディング方法 |
| CN97120681A CN1181620A (zh) | 1996-09-11 | 1997-09-11 | 引线键合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8239635A JPH1092858A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | ワイヤボンディング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092858A true JPH1092858A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17047651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8239635A Pending JPH1092858A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | ワイヤボンディング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092858A (ja) |
| CN (1) | CN1181620A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100888885B1 (ko) | 2007-04-19 | 2009-03-17 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임 및 이를 갖는 반도체 장치 |
| WO2009111817A1 (en) * | 2008-03-12 | 2009-09-17 | Silverbrook Research Pty Ltd | Electronic device with wire bonds secured to the adhesive surface |
| WO2009111818A1 (en) * | 2008-03-12 | 2009-09-17 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of adhering wire bond loops to reduce loop height |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114755852B (zh) * | 2022-04-21 | 2024-03-29 | 南京京东方显示技术有限公司 | 背板、背板加工方法、背光模组及显示装置 |
-
1996
- 1996-09-11 JP JP8239635A patent/JPH1092858A/ja active Pending
-
1997
- 1997-09-11 CN CN97120681A patent/CN1181620A/zh active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100888885B1 (ko) | 2007-04-19 | 2009-03-17 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임 및 이를 갖는 반도체 장치 |
| US8188582B2 (en) | 2007-04-19 | 2012-05-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lead frame, semiconductor device using the lead frame, and methods of manufacturing the same |
| US7741720B2 (en) | 2007-09-25 | 2010-06-22 | Silverbrook Research Pty Ltd | Electronic device with wire bonds adhered between integrated circuits dies and printed circuit boards |
| US7875504B2 (en) | 2007-09-25 | 2011-01-25 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of adhering wire bond loops to reduce loop height |
| WO2009111817A1 (en) * | 2008-03-12 | 2009-09-17 | Silverbrook Research Pty Ltd | Electronic device with wire bonds secured to the adhesive surface |
| WO2009111818A1 (en) * | 2008-03-12 | 2009-09-17 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of adhering wire bond loops to reduce loop height |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1181620A (zh) | 1998-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040608 |