JPH1092967A - 底面突起状端子配列型集積回路装置及びその製造方法 - Google Patents
底面突起状端子配列型集積回路装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 パッケージの多端子化及び軽薄短小化を図る
とともに、安価かつ良好な表面実装を可能とする集積回
路装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 この装置は、集積回路が形成されたＩＣ
チップ１を含む底面突起状端子配列型集積回路装置であ
る。本装置は、チップ１が載置されるダイパッド２０
と、ダイパッドの外周側において２次元配列された複数
のインナーリード先端部２ａと、チップの端子と該先端
部とを個々に接続するボンディングワイヤ３と、インナ
ーリード先端部を露出させつつチップを載置する側にお
いてチップ，ダイパッド，インナーリード先端部及びボ
ンディングワイヤーを封止する封止体４と、先端部２ａ
の露出面に固着される突起状電導体６とを有する。ダイ
パッド２０及び先端部２ａはリードフレームから得ら
れ、先端部２ａは突起状電導体を固着するためのパッド
を担う。
とともに、安価かつ良好な表面実装を可能とする集積回
路装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 この装置は、集積回路が形成されたＩＣ
チップ１を含む底面突起状端子配列型集積回路装置であ
る。本装置は、チップ１が載置されるダイパッド２０
と、ダイパッドの外周側において２次元配列された複数
のインナーリード先端部２ａと、チップの端子と該先端
部とを個々に接続するボンディングワイヤ３と、インナ
ーリード先端部を露出させつつチップを載置する側にお
いてチップ，ダイパッド，インナーリード先端部及びボ
ンディングワイヤーを封止する封止体４と、先端部２ａ
の露出面に固着される突起状電導体６とを有する。ダイ
パッド２０及び先端部２ａはリードフレームから得ら
れ、先端部２ａは突起状電導体を固着するためのパッド
を担う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子及び／
またはその他の素子により形成される集積回路（ＩＣ）
を担う装置に関し、特に、いわゆるハンダボールなどの
球状若しくはこれに等価な形の電導体が当該装置の外部
接続端子としてパッケージ底面に形成される底面突起状
端子配設型集積回路装置及びその製造方法に関する。
またはその他の素子により形成される集積回路（ＩＣ）
を担う装置に関し、特に、いわゆるハンダボールなどの
球状若しくはこれに等価な形の電導体が当該装置の外部
接続端子としてパッケージ底面に形成される底面突起状
端子配設型集積回路装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、電子機器そのものの高性能化及び
軽薄短小化に伴って、それに使用されるＩＣパッケージ
の多端子化及び軽薄短小化の要求も、ますます強まる一
方である。表面実装型パッケージの一種として、パッケ
ージボディ縁端よりガルウイング状（Ｌ字状）のアウタ
ーリードを延出させた、例えばファインピッチＱＦＰ
（Quad Flat Package ）がある。これによれば、そのリ
ードピッチを狭くしてパッケージの多端子化及び軽薄短
小化を実現している。しかしながら、このような微細加
工されたアウターリードによる外部接続型のパッケージ
は、しばしばプリント基板への実装に困難を来し、いわ
ゆる実装歩留まりの悪化を促すことがある。かかるアウ
ターリードは微細である故に変形しやすく、変形する
と、隣合うアウターリードどうしが接触してしまった
り、アウターリード先端を適正にプリント基板上のフッ
トプリントパッドにハンダ付けできない、といった恐れ
がでてくるのである。
軽薄短小化に伴って、それに使用されるＩＣパッケージ
の多端子化及び軽薄短小化の要求も、ますます強まる一
方である。表面実装型パッケージの一種として、パッケ
ージボディ縁端よりガルウイング状（Ｌ字状）のアウタ
ーリードを延出させた、例えばファインピッチＱＦＰ
（Quad Flat Package ）がある。これによれば、そのリ
ードピッチを狭くしてパッケージの多端子化及び軽薄短
小化を実現している。しかしながら、このような微細加
工されたアウターリードによる外部接続型のパッケージ
は、しばしばプリント基板への実装に困難を来し、いわ
ゆる実装歩留まりの悪化を促すことがある。かかるアウ
ターリードは微細である故に変形しやすく、変形する
と、隣合うアウターリードどうしが接触してしまった
り、アウターリード先端を適正にプリント基板上のフッ
トプリントパッドにハンダ付けできない、といった恐れ
がでてくるのである。
【０００３】この問題を克服すべく開発されたのが、Ｂ
ＧＡ（Ball Grid Array ）と呼ばれるパッケージであ
る。これも表面実装型パッケージの一形態と捕らえられ
るが、上記ファインピッチタイプとは端子の外部接続方
式において明確に異にする。ＢＧＡは、パッケージの底
面に略球状のハンダ（ハンダボール）を多数形成してこ
れを外部接続端子としている。かかるハンダボールは、
２次元のアレイ状に並べられるので、上記ファインピッ
チタイプがパッケージボディの外周に沿って単一列状に
端子を形成するのに相対し、導出すべき端子数に対して
必要なパッケージボディの主面面積が小さくて済むとと
もに端子ピッチを広く採ることが可能である。
ＧＡ（Ball Grid Array ）と呼ばれるパッケージであ
る。これも表面実装型パッケージの一形態と捕らえられ
るが、上記ファインピッチタイプとは端子の外部接続方
式において明確に異にする。ＢＧＡは、パッケージの底
面に略球状のハンダ（ハンダボール）を多数形成してこ
れを外部接続端子としている。かかるハンダボールは、
２次元のアレイ状に並べられるので、上記ファインピッ
チタイプがパッケージボディの外周に沿って単一列状に
端子を形成するのに相対し、導出すべき端子数に対して
必要なパッケージボディの主面面積が小さくて済むとと
もに端子ピッチを広く採ることが可能である。
【０００４】従来のＢＧＡの基本構造をより詳しく説明
すると、先ず比較的小さなパッケージ用両面配線基板に
ＩＣチップが搭載され、ＩＣチップの電極パッドと当該
パッケージ用基板の配線パターンとがワイヤーボンディ
ングにより接続される。パッケージ用基板は、その配線
パターン及びスルーホールによって、ワイヤーボンディ
ングされた位置から底面側のハンダボールが形成される
所定の位置までを個々に接続する。そしてパッケージ用
基板の底面におけるハンダボール形成位置の各々にハン
ダボールが形成され、ＩＣチップが樹脂封止されて完成
となる。
すると、先ず比較的小さなパッケージ用両面配線基板に
ＩＣチップが搭載され、ＩＣチップの電極パッドと当該
パッケージ用基板の配線パターンとがワイヤーボンディ
ングにより接続される。パッケージ用基板は、その配線
パターン及びスルーホールによって、ワイヤーボンディ
ングされた位置から底面側のハンダボールが形成される
所定の位置までを個々に接続する。そしてパッケージ用
基板の底面におけるハンダボール形成位置の各々にハン
ダボールが形成され、ＩＣチップが樹脂封止されて完成
となる。
【０００５】このように従来のＢＧＡでは、ＩＣチップ
の各パッドと接続すべくワイヤボンディングされた位置
から、対応するハンダボールの位置へと引き回すため
に、両面配線基板（以下、ＢＧＡ基板と呼ぶ）が用いら
れている。かかるＢＧＡ基板の材質としては、ガラスエ
ポキシなど他の基板材料に比べて伸び率の小さいＢＴ
（ビスマストリアジン）レジンが、従来より多く採用さ
れている。その理由は、パッケージボディの反りを抑
え、ハンダボールの平坦性を向上させるためである。
の各パッドと接続すべくワイヤボンディングされた位置
から、対応するハンダボールの位置へと引き回すため
に、両面配線基板（以下、ＢＧＡ基板と呼ぶ）が用いら
れている。かかるＢＧＡ基板の材質としては、ガラスエ
ポキシなど他の基板材料に比べて伸び率の小さいＢＴ
（ビスマストリアジン）レジンが、従来より多く採用さ
れている。その理由は、パッケージボディの反りを抑
え、ハンダボールの平坦性を向上させるためである。
【０００６】しかしながら、ＢＴレジンによるＢＧＡ基
板は、他の基板材料に比べて極めて高価であり、伸び率
等を無視してガラスエポキシを採用するにしてもやはり
ガラスエポキシが一般に高価であることに変わりがな
い。一方、全く新規な手段によって集積回路装置を製造
するとなると、一般に、その製造工程を新たに組み直し
たり、製造装置を新たに開発しなければならず、材料の
低コスト化の割に製造コストが高くついてしまう、とい
うこともある。よってこの点も考慮に入れて、集積回路
装置の総合的な低コスト化が図られることが望まれる。
板は、他の基板材料に比べて極めて高価であり、伸び率
等を無視してガラスエポキシを採用するにしてもやはり
ガラスエポキシが一般に高価であることに変わりがな
い。一方、全く新規な手段によって集積回路装置を製造
するとなると、一般に、その製造工程を新たに組み直し
たり、製造装置を新たに開発しなければならず、材料の
低コスト化の割に製造コストが高くついてしまう、とい
うこともある。よってこの点も考慮に入れて、集積回路
装置の総合的な低コスト化が図られることが望まれる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した点
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、パッケージの多端子化及び軽薄短小化を図るととも
に、安価にしてかつ良好な表面実装を可能とする集積回
路装置及びその製造方法を提供することにある。
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、パッケージの多端子化及び軽薄短小化を図るととも
に、安価にしてかつ良好な表面実装を可能とする集積回
路装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による集積回路装
置は、集積回路が形成されたＩＣチップを含む底面突起
状端子配列型集積回路装置であって、前記チップが載置
されるダイパッドと、前記ダイパッドの外周側において
２次元配列された複数のインナーリード先端部と、前記
チップの端子と前記インナーリード先端部とを個々に接
続するボンディングワイヤーと、前記インナーリード先
端部を露出させつつ前記チップを載置する側において前
記チップ，ダイパッド，インナーリード先端部及びボン
ディングワイヤーを封止する封止体と、前記インナーリ
ード先端部の露出面に固着される突起状電導体とを有
し、前記ダイパッド及びインナーリード先端部は、リー
ドフレームから得られたものであり、前記インナーリー
ド先端部は、それぞれ前記突起状電導体を固着するため
のパッドを担うことを特徴としている。
置は、集積回路が形成されたＩＣチップを含む底面突起
状端子配列型集積回路装置であって、前記チップが載置
されるダイパッドと、前記ダイパッドの外周側において
２次元配列された複数のインナーリード先端部と、前記
チップの端子と前記インナーリード先端部とを個々に接
続するボンディングワイヤーと、前記インナーリード先
端部を露出させつつ前記チップを載置する側において前
記チップ，ダイパッド，インナーリード先端部及びボン
ディングワイヤーを封止する封止体と、前記インナーリ
ード先端部の露出面に固着される突起状電導体とを有
し、前記ダイパッド及びインナーリード先端部は、リー
ドフレームから得られたものであり、前記インナーリー
ド先端部は、それぞれ前記突起状電導体を固着するため
のパッドを担うことを特徴としている。
【０００９】本発明による集積回路装置の製造方法は、
集積回路が形成されたＩＣチップを含む底面突起状端子
配列型集積回路装置の製造方法であって、前記チップを
リードフレームのダイパッドに載置しかつ固着するダイ
ボンディング工程と、前記チップの端子と前記リードフ
レームにおいて前記ダイパッドの外周側に２次元配列さ
れた複数のインナーフレーム先端部とをボンディングワ
イヤーにて接続するワイヤーボンディング工程と、前記
インナーリード先端部を露出させつつ前記チップを載置
する側において前記チップ，ダイパッド，インナーリー
ド先端部及びボンディングワイヤーを封止する片面封止
工程と、前記インナーリード先端部の露出面に突起状電
導体を固着する外部端子形成工程とを有し、前記インナ
ーリード先端部は、それぞれ前記突起状電導体を固着す
るためのパッドを担っていることを特徴としている。
集積回路が形成されたＩＣチップを含む底面突起状端子
配列型集積回路装置の製造方法であって、前記チップを
リードフレームのダイパッドに載置しかつ固着するダイ
ボンディング工程と、前記チップの端子と前記リードフ
レームにおいて前記ダイパッドの外周側に２次元配列さ
れた複数のインナーフレーム先端部とをボンディングワ
イヤーにて接続するワイヤーボンディング工程と、前記
インナーリード先端部を露出させつつ前記チップを載置
する側において前記チップ，ダイパッド，インナーリー
ド先端部及びボンディングワイヤーを封止する片面封止
工程と、前記インナーリード先端部の露出面に突起状電
導体を固着する外部端子形成工程とを有し、前記インナ
ーリード先端部は、それぞれ前記突起状電導体を固着す
るためのパッドを担っていることを特徴としている。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明による一実
施例の集積回路装置の底面図（プリント基板へ実装する
側の面を見た図）であり、図２はそのＡ−Ａ断面図であ
る。また図３は、この集積回路装置に使われるリードフ
レームの形態を示しており、適宜参照される。
に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明による一実
施例の集積回路装置の底面図（プリント基板へ実装する
側の面を見た図）であり、図２はそのＡ−Ａ断面図であ
る。また図３は、この集積回路装置に使われるリードフ
レームの形態を示しており、適宜参照される。
【００１１】図１及び図２において、半導体集積回路が
形成されたＩＣチップ１は、リードフレーム２のダイパ
ッド２０に載置され、より詳しくは両者の接合部におい
て例えば共晶合金を形成することによって、或いは塗布
された銀ペーストにてダイパッド２０に固着される。チ
ップ１の表面には、図示せぬＰＳＧ（リンガラス）膜の
如き表面保護膜が被覆されるも、当該チップ外縁近傍に
おいて電極或いは入出力端子たる例えばアルミ性のパッ
ドが複数、露出形成されている。
形成されたＩＣチップ１は、リードフレーム２のダイパ
ッド２０に載置され、より詳しくは両者の接合部におい
て例えば共晶合金を形成することによって、或いは塗布
された銀ペーストにてダイパッド２０に固着される。チ
ップ１の表面には、図示せぬＰＳＧ（リンガラス）膜の
如き表面保護膜が被覆されるも、当該チップ外縁近傍に
おいて電極或いは入出力端子たる例えばアルミ性のパッ
ドが複数、露出形成されている。
【００１２】これらチップパッドとリードフレーム２の
インナーリード２ｂの先端部（以下、リードパッドと呼
ぶ）２ａとの間は、ボンディングワイヤー３によって接
続される。リードパッド２ａは、チップ１の各パッドと
対応しており、個々にインナーリード２ｂを介してパッ
ケージ外縁へと導かれる（図３参照）。チップ１，ダイ
パッド２０，インナーリード２ｂ及びリードパッド２
ａ，並びにボンディングワイヤー３は、一括して例えば
所定の樹脂により封止され、封止体４が形成される。但
し、封止体４は、リードフレーム２をその両面から包埋
するものではなく、リードフレーム２のチップ搭載側面
上に形成される、いわゆる片面封止をなすものである。
また、少なくともリードパッド２ａは、封止体４から露
出されハンダによるメッキが施される。またそのメッキ
処理の前には、リードパッド２ａの露出部を除きリード
フレーム及び封止体の底面にソルダレジストを担う絶縁
層５が形成される。
インナーリード２ｂの先端部（以下、リードパッドと呼
ぶ）２ａとの間は、ボンディングワイヤー３によって接
続される。リードパッド２ａは、チップ１の各パッドと
対応しており、個々にインナーリード２ｂを介してパッ
ケージ外縁へと導かれる（図３参照）。チップ１，ダイ
パッド２０，インナーリード２ｂ及びリードパッド２
ａ，並びにボンディングワイヤー３は、一括して例えば
所定の樹脂により封止され、封止体４が形成される。但
し、封止体４は、リードフレーム２をその両面から包埋
するものではなく、リードフレーム２のチップ搭載側面
上に形成される、いわゆる片面封止をなすものである。
また、少なくともリードパッド２ａは、封止体４から露
出されハンダによるメッキが施される。またそのメッキ
処理の前には、リードパッド２ａの露出部を除きリード
フレーム及び封止体の底面にソルダレジストを担う絶縁
層５が形成される。
【００１３】かかるリードパッド２ａの露出部には、端
子電導体としてのハンダボール６が配設または形成され
る。リードパッド２ａは、ダイパッド２０の周囲を取り
巻くように配されているが（図３参照）、通常のＱＦＰ
の場合と異なり、その配列はダイパッド２０の外縁に沿
いダイパッド２０に近いほうから一列目，２列目，…と
複数の列をなす。換言すれば、リードパッド２ａは、ダ
イパッド２０及び吊りピン２ｃ以外の領域においてアレ
イ状に配列されるのである。従ってハンダボール６も、
当該リードパッドに従ってアレイ状に形成される（図１
参照）。
子電導体としてのハンダボール６が配設または形成され
る。リードパッド２ａは、ダイパッド２０の周囲を取り
巻くように配されているが（図３参照）、通常のＱＦＰ
の場合と異なり、その配列はダイパッド２０の外縁に沿
いダイパッド２０に近いほうから一列目，２列目，…と
複数の列をなす。換言すれば、リードパッド２ａは、ダ
イパッド２０及び吊りピン２ｃ以外の領域においてアレ
イ状に配列されるのである。従ってハンダボール６も、
当該リードパッドに従ってアレイ状に形成される（図１
参照）。
【００１４】ハンダボール６としては、従前のように全
部をハンダで形成しても良いが、本実施例のように、そ
の略中心部（コアまたは芯）に配され例えば銅からなる
球状若しくはこれに等価な形であってハンダよりも十分
に融点の高い電導体（以下、カッパコアと称する）６０
と、これに被覆するハンダ膜６１とからなる、いわゆる
カッパコアハンダボールを採用するのが好ましい（図２
参照）。このカッパコアハンダボールは、単にハンダボ
ール自体の外形を維持しやすいという点だけでなく、完
成した集積回路装置をそれを介してプリント基板に実装
する際にも有益である。
部をハンダで形成しても良いが、本実施例のように、そ
の略中心部（コアまたは芯）に配され例えば銅からなる
球状若しくはこれに等価な形であってハンダよりも十分
に融点の高い電導体（以下、カッパコアと称する）６０
と、これに被覆するハンダ膜６１とからなる、いわゆる
カッパコアハンダボールを採用するのが好ましい（図２
参照）。このカッパコアハンダボールは、単にハンダボ
ール自体の外形を維持しやすいという点だけでなく、完
成した集積回路装置をそれを介してプリント基板に実装
する際にも有益である。
【００１５】つまり、ハンダボールは、プリント基板へ
のハンダ付けのためにリフロー加熱されて溶融するが、
カッパコアハンダボールであればその外皮たるハンダ膜
のみが溶融し、カッパコアは当該加熱温度よりも遙かに
融点が高いために固体のままその原形を維持する。これ
により、ハンダ膜が溶融してプリント基板との結合をな
す一方で、カッパコアは、プリント基板表面と当接また
はそれに近い状態を作ることとなる。集積回路装置の底
面に形成された全てのハンダボールがこのような状態を
同様に作るので、全面に亘りリードパッドとプリント基
板表面との間に一定の距離が保たれ、もってプリント基
板に対する均等なハンダ付けが達成されるのである。
のハンダ付けのためにリフロー加熱されて溶融するが、
カッパコアハンダボールであればその外皮たるハンダ膜
のみが溶融し、カッパコアは当該加熱温度よりも遙かに
融点が高いために固体のままその原形を維持する。これ
により、ハンダ膜が溶融してプリント基板との結合をな
す一方で、カッパコアは、プリント基板表面と当接また
はそれに近い状態を作ることとなる。集積回路装置の底
面に形成された全てのハンダボールがこのような状態を
同様に作るので、全面に亘りリードパッドとプリント基
板表面との間に一定の距離が保たれ、もってプリント基
板に対する均等なハンダ付けが達成されるのである。
【００１６】これに対してカッパコアを持たずハンダに
よってのみ形成されたハンダボールの場合は、ハンダボ
ール全体が融けてしまうので、外形を維持しずらく、溶
融ハンダがプリント基板の接続すべき箇所を外れて流れ
てしまったり、隣接のハンダボール部と結合してしまう
可能性がある。カッパコアハンダボールは、このような
従来の不備を解消しているのである。
よってのみ形成されたハンダボールの場合は、ハンダボ
ール全体が融けてしまうので、外形を維持しずらく、溶
融ハンダがプリント基板の接続すべき箇所を外れて流れ
てしまったり、隣接のハンダボール部と結合してしまう
可能性がある。カッパコアハンダボールは、このような
従来の不備を解消しているのである。
【００１７】カッパコアハンダボールはまた、ソルダレ
ジスト膜５（図２参照）を不要とする構成に好適であ
る。すなわち、低コスト化を重視し、ソルダレジスト膜
５を設けない場合は、ハンダボール６をリードパッド２
ａに固着（マウント）する前において、リードパッド２
ａとともにインナーリード２ｂにもハンダメッキが施さ
れる。この場合において、カッパコアを持たずハンダの
みからなるハンダボールが採用されていると、実装時の
リフロー加熱によりインナーリード２ｂにも溶融したハ
ンダが広がってしまい、ついにはボールの原形が完全に
崩れ、外部接続端子としての機能を失いプリント基板へ
の実装が不可能となる恐れがある。
ジスト膜５（図２参照）を不要とする構成に好適であ
る。すなわち、低コスト化を重視し、ソルダレジスト膜
５を設けない場合は、ハンダボール６をリードパッド２
ａに固着（マウント）する前において、リードパッド２
ａとともにインナーリード２ｂにもハンダメッキが施さ
れる。この場合において、カッパコアを持たずハンダの
みからなるハンダボールが採用されていると、実装時の
リフロー加熱によりインナーリード２ｂにも溶融したハ
ンダが広がってしまい、ついにはボールの原形が完全に
崩れ、外部接続端子としての機能を失いプリント基板へ
の実装が不可能となる恐れがある。
【００１８】しかしカッパコアハンダボールを採用すれ
ば、リフロー加熱によってインナーリード２ｂに溶融し
たハンダが一部流れたとしても、カッパコア自身は溶融
せずその原形を維持しかつカッパコア周囲のハンダだけ
はカッパコアに付着して残るため、かかる残存ハンダに
よってプリント基板への実装は確実に達成されるのであ
る。
ば、リフロー加熱によってインナーリード２ｂに溶融し
たハンダが一部流れたとしても、カッパコア自身は溶融
せずその原形を維持しかつカッパコア周囲のハンダだけ
はカッパコアに付着して残るため、かかる残存ハンダに
よってプリント基板への実装は確実に達成されるのであ
る。
【００１９】また、ボンディングワイヤ３（図２参照）
に、被覆ワイヤーを採用すると、次のような問題を回避
することができる。図１ないし図３から分かるように、
ボンディング接続すべきリードパッド２ａは、チップ１
のパッドに近い１つの列だけでなく、何列にも亘って配
されている。こうしたリードパッドの配列は、ＢＧＡ形
態を採るのに必然的なことであるが、従来の如く両面配
線基板を使った通常のＢＧＡに比べ、ボンディングワイ
ヤーの複雑な引き回し及び長短様々なボンディングワイ
ヤーの必要性が高く、ボンディングワイヤどうしの、特
に樹脂封止の際のショートが懸念される。
に、被覆ワイヤーを採用すると、次のような問題を回避
することができる。図１ないし図３から分かるように、
ボンディング接続すべきリードパッド２ａは、チップ１
のパッドに近い１つの列だけでなく、何列にも亘って配
されている。こうしたリードパッドの配列は、ＢＧＡ形
態を採るのに必然的なことであるが、従来の如く両面配
線基板を使った通常のＢＧＡに比べ、ボンディングワイ
ヤーの複雑な引き回し及び長短様々なボンディングワイ
ヤーの必要性が高く、ボンディングワイヤどうしの、特
に樹脂封止の際のショートが懸念される。
【００２０】被覆ワイヤーは、図４に示されるように、
電導線（裸線）３０とその両端部分を除く部分を被覆す
る絶縁膜３１とからなる。これによれば、絶縁膜３１に
より電導線３０に対する電気的な保護がなされるので、
ワイヤどうしが接触してもショートすることはないので
ある。よってこのような被覆タイプのボンディングワイ
ヤーであれば、それらが接触することを気にせず比較的
自由に引き回してボンディングすることができる。
電導線（裸線）３０とその両端部分を除く部分を被覆す
る絶縁膜３１とからなる。これによれば、絶縁膜３１に
より電導線３０に対する電気的な保護がなされるので、
ワイヤどうしが接触してもショートすることはないので
ある。よってこのような被覆タイプのボンディングワイ
ヤーであれば、それらが接触することを気にせず比較的
自由に引き回してボンディングすることができる。
【００２１】次に、この集積回路装置の製造方法につい
て叙述する。先ず全体的な製造の流れを明らかにするた
めに、図５を参照する。図５は、いわゆるアセンブリ工
程を主としたフローチャートを示しており、ウェハに形
成されたチップを個々に分割するダイシング（工程Ｓ１
０）から始まる。そして、このダイシングにより得られ
たチップ１をリードフレーム２のダイパッド２０上に銀
ペーストを介して載置固着するためのダイボンディング
（工程Ｓ１１）が施される。
て叙述する。先ず全体的な製造の流れを明らかにするた
めに、図５を参照する。図５は、いわゆるアセンブリ工
程を主としたフローチャートを示しており、ウェハに形
成されたチップを個々に分割するダイシング（工程Ｓ１
０）から始まる。そして、このダイシングにより得られ
たチップ１をリードフレーム２のダイパッド２０上に銀
ペーストを介して載置固着するためのダイボンディング
（工程Ｓ１１）が施される。
【００２２】リードフレーム２の形態の一例を示した図
３から分かるように、正方形ダイパッド２０は、リード
フレーム２の中央に配され、その各対角線方向に延出す
る吊りピン（或いはダイパッド支持パターン）２ｃによ
ってリードフレームの外枠２１と連結される。ダイパッ
ド２０の周縁端近傍には、リードパッド２ａが当該縁端
に沿って既述の如く複数列にて配列される。インナーリ
ード２ｂは、リードパッド２ａから端を発して延出しダ
ムバー或いはタイバーと呼ばれる樹脂の流れ止め用パタ
ーン２ｄとリードパッド２ａとの間を連結する。
３から分かるように、正方形ダイパッド２０は、リード
フレーム２の中央に配され、その各対角線方向に延出す
る吊りピン（或いはダイパッド支持パターン）２ｃによ
ってリードフレームの外枠２１と連結される。ダイパッ
ド２０の周縁端近傍には、リードパッド２ａが当該縁端
に沿って既述の如く複数列にて配列される。インナーリ
ード２ｂは、リードパッド２ａから端を発して延出しダ
ムバー或いはタイバーと呼ばれる樹脂の流れ止め用パタ
ーン２ｄとリードパッド２ａとの間を連結する。
【００２３】工程Ｓ１１によるダイボンディングの後
は、ダイパッド上の熱硬化性樹脂たる銀ペーストを固め
るために例えば１５０〜１９０゜Ｃの雰囲気中に、かか
るダイボンディングされたリードフレーム２を２，３時
間だけ置くキュアー（工程Ｓ１２）処理が行われる。次
いで、ダイパッド２０に固着されたチップ１のパッドと
これに対応するリードパッド２ａとを個々に接続するワ
イヤボンディング（工程Ｓ１３）が行われる。先に触れ
たように、ここでのボンディングには被覆ワイヤーが使
われる。
は、ダイパッド上の熱硬化性樹脂たる銀ペーストを固め
るために例えば１５０〜１９０゜Ｃの雰囲気中に、かか
るダイボンディングされたリードフレーム２を２，３時
間だけ置くキュアー（工程Ｓ１２）処理が行われる。次
いで、ダイパッド２０に固着されたチップ１のパッドと
これに対応するリードパッド２ａとを個々に接続するワ
イヤボンディング（工程Ｓ１３）が行われる。先に触れ
たように、ここでのボンディングには被覆ワイヤーが使
われる。
【００２４】リードパッド２ａへのボンディングが全て
終了すると、本実施例の特徴の１つである片面封止工程
Ｓ１４に移行する。この片面封止工程Ｓ１４では、既述
した封止体４の成形がなされる。その詳細は後述するこ
とにする。片面封止工程Ｓ１４が終了すると、封止体４
を形成する熱硬化性樹脂を固めるべく、例えば１５０〜
１９０゜Ｃの雰囲気中に、かかる封止の施されたリード
フレーム２を５〜７時間だけ置くキュアー（工程Ｓ１
５）処理が行われる。その後、ダムバー２ｄをカットし
（工程Ｓ１６）、封止体４及びリードフレーム２の低面
においてリードパッド２ａの露出部を除きソルダレジス
ト膜５を形成する（工程Ｓ１７）。そして、リードパッ
ド２ａにハンダメッキを施し（工程Ｓ１８）、そのメッ
キの施されたリードパッド２ａの各々にハンダボール６
の据え付け（マウンティング）を行う（工程Ｓ１９）。
終了すると、本実施例の特徴の１つである片面封止工程
Ｓ１４に移行する。この片面封止工程Ｓ１４では、既述
した封止体４の成形がなされる。その詳細は後述するこ
とにする。片面封止工程Ｓ１４が終了すると、封止体４
を形成する熱硬化性樹脂を固めるべく、例えば１５０〜
１９０゜Ｃの雰囲気中に、かかる封止の施されたリード
フレーム２を５〜７時間だけ置くキュアー（工程Ｓ１
５）処理が行われる。その後、ダムバー２ｄをカットし
（工程Ｓ１６）、封止体４及びリードフレーム２の低面
においてリードパッド２ａの露出部を除きソルダレジス
ト膜５を形成する（工程Ｓ１７）。そして、リードパッ
ド２ａにハンダメッキを施し（工程Ｓ１８）、そのメッ
キの施されたリードパッド２ａの各々にハンダボール６
の据え付け（マウンティング）を行う（工程Ｓ１９）。
【００２５】こうして外部接続端子としてのハンダボー
ル６の形成が終了すると、フレーム分離・仕上げ工程Ｓ
２０に移行して、吊りピン２ｃの封止されていない露出
部など、不要なものが除去され、リードフレーム２から
封止体４及びそれによって封止されている部分が分離さ
れることとなる。かくして図１及び図２の如き集積回路
装置が得られると、検査（工程Ｓ２１）、梱包（工程Ｓ
２２）を経て出荷（工程Ｓ２３）の運びとなる。
ル６の形成が終了すると、フレーム分離・仕上げ工程Ｓ
２０に移行して、吊りピン２ｃの封止されていない露出
部など、不要なものが除去され、リードフレーム２から
封止体４及びそれによって封止されている部分が分離さ
れることとなる。かくして図１及び図２の如き集積回路
装置が得られると、検査（工程Ｓ２１）、梱包（工程Ｓ
２２）を経て出荷（工程Ｓ２３）の運びとなる。
【００２６】次に、上記片面封止工程Ｓ１４の態様を詳
しく説明する。図６は、いわゆる低圧トランスファーモ
ールド法にて本集積回路装置のパッケージング（樹脂封
止）を行うためのトランスファー金型及びこれを含む製
造装置、並びにこの製造装置にセットされるボンディン
グ済みチップ１搭載のリードフレーム２を示す概略断面
図である。なお、図６におけるリードフレーム２は、図
３のＢ−Ｂ断面を示しているが、ワイヤーボンディング
の態様等は簡略的に描かれている。
しく説明する。図６は、いわゆる低圧トランスファーモ
ールド法にて本集積回路装置のパッケージング（樹脂封
止）を行うためのトランスファー金型及びこれを含む製
造装置、並びにこの製造装置にセットされるボンディン
グ済みチップ１搭載のリードフレーム２を示す概略断面
図である。なお、図６におけるリードフレーム２は、図
３のＢ−Ｂ断面を示しているが、ワイヤーボンディング
の態様等は簡略的に描かれている。
【００２７】図６において、樹脂封止体４を成形するた
めの製造部は、主として、合わせ金型たる上側の金型
（上型）６１１及び下側の金型（下型）７１と、これら
金型によるキャビティ６１０に液状樹脂を注入するため
の注入機構と、そのキャビティにおける注入樹脂から気
泡ないしは空隙（ボイド）を抜き去るためのボイド抜き
機構とからなる。かかる注入機構は、カル穴８１、トラ
ンスファプランジャ９１、ランナＲ１、及びゲートＧ１
によって構成され、ボイド抜き機構は、エアーベントＶ
１からなる。
めの製造部は、主として、合わせ金型たる上側の金型
（上型）６１１及び下側の金型（下型）７１と、これら
金型によるキャビティ６１０に液状樹脂を注入するため
の注入機構と、そのキャビティにおける注入樹脂から気
泡ないしは空隙（ボイド）を抜き去るためのボイド抜き
機構とからなる。かかる注入機構は、カル穴８１、トラ
ンスファプランジャ９１、ランナＲ１、及びゲートＧ１
によって構成され、ボイド抜き機構は、エアーベントＶ
１からなる。
【００２８】下型７１の上型６１１との対向面は平坦に
なっており、下型７１はむしろ金型というよりも平面を
主面とする板状の形を採る。上型６１１及び下型７１
は、予め所定温度に加熱され、所定位置に固定された封
止対象のリードフレーム２を挟み込む（型締め）。一
方、封止体４の原料として予めタブレット状に成形した
所定の樹脂４０を高周波加熱しておき、これをカル穴８
１に充填する。或いは、予め所定温度に加熱された金型
のカル穴に原料（タブレット）を入れて予備加熱し、充
填する。そうして、トランスファプランジャ９１を作動
させ原料樹脂４０を圧搾しランナＲ１及びゲートＧ１を
通じてキャビティ６１０に溶融加圧注入する。
なっており、下型７１はむしろ金型というよりも平面を
主面とする板状の形を採る。上型６１１及び下型７１
は、予め所定温度に加熱され、所定位置に固定された封
止対象のリードフレーム２を挟み込む（型締め）。一
方、封止体４の原料として予めタブレット状に成形した
所定の樹脂４０を高周波加熱しておき、これをカル穴８
１に充填する。或いは、予め所定温度に加熱された金型
のカル穴に原料（タブレット）を入れて予備加熱し、充
填する。そうして、トランスファプランジャ９１を作動
させ原料樹脂４０を圧搾しランナＲ１及びゲートＧ１を
通じてキャビティ６１０に溶融加圧注入する。
【００２９】このときの上型６１１とリードフレーム２
との配置関係は、ダイパッド２０がキャビティ６１０の
中心に位置するよう固定される。図示すれば、図３に封
止体４の位置を示すための点線がこの関係を示すことに
なる。樹脂注入初期の上型キャビティ６１０内において
は、注入樹脂中にボイドが入り混じることとなる。エア
ーベントＶ１は、かかるボイドを外部へ押し出し若しく
は抜き出す溝であって、最終的な封止樹脂中の混入ボイ
ドを消失せしめる。
との配置関係は、ダイパッド２０がキャビティ６１０の
中心に位置するよう固定される。図示すれば、図３に封
止体４の位置を示すための点線がこの関係を示すことに
なる。樹脂注入初期の上型キャビティ６１０内において
は、注入樹脂中にボイドが入り混じることとなる。エア
ーベントＶ１は、かかるボイドを外部へ押し出し若しく
は抜き出す溝であって、最終的な封止樹脂中の混入ボイ
ドを消失せしめる。
【００３０】このような片面封止は、次のようなメリッ
トを有する。図７は、かかるメリットを説明するための
模式図であり、リードフレーム２は、図１及び図３のＡ
−Ａ断面を示すものとして描かれている。図７におい
て、平板たる下型７１には、やはり平板状のリードフレ
ーム２が載置される。故に下型７１の表面とリードフレ
ーム２の底面とは、ほぼ隙間なく密着し、リードフレー
ム２は、下型７１により反重力方向に確実な支持を受け
る。これにより、インナーリード２ｂ及びリードパッド
２ａは、外力に対して図７の点線矢印方向すなわち上下
方向、特に下方に動き難くなり、上型６１１のゲートＧ
１から比較的高圧力にて樹脂が注入されても、これらに
変形や移動が生じる可能性が抑えられることとなる。
トを有する。図７は、かかるメリットを説明するための
模式図であり、リードフレーム２は、図１及び図３のＡ
−Ａ断面を示すものとして描かれている。図７におい
て、平板たる下型７１には、やはり平板状のリードフレ
ーム２が載置される。故に下型７１の表面とリードフレ
ーム２の底面とは、ほぼ隙間なく密着し、リードフレー
ム２は、下型７１により反重力方向に確実な支持を受け
る。これにより、インナーリード２ｂ及びリードパッド
２ａは、外力に対して図７の点線矢印方向すなわち上下
方向、特に下方に動き難くなり、上型６１１のゲートＧ
１から比較的高圧力にて樹脂が注入されても、これらに
変形や移動が生じる可能性が抑えられることとなる。
【００３１】またこの場合液状樹脂は図７の実線矢印の
如く流入し、インナーリード２ｂ側とは反対側に初期の
流入方向を採るので、インナーリード２ｂ及びリードパ
ッド２ａに加わる外力の低減がなされる作用も生んでい
る。これに対して従来のＱＦＰのような両面封止の場
合、図８に示されるように、上型６１１と同様のキャビ
ティを有する下型７１´が用いられる。なお図８におい
ては図７におけるものと等価な部分には同一の符号が付
されている。
如く流入し、インナーリード２ｂ側とは反対側に初期の
流入方向を採るので、インナーリード２ｂ及びリードパ
ッド２ａに加わる外力の低減がなされる作用も生んでい
る。これに対して従来のＱＦＰのような両面封止の場
合、図８に示されるように、上型６１１と同様のキャビ
ティを有する下型７１´が用いられる。なお図８におい
ては図７におけるものと等価な部分には同一の符号が付
されている。
【００３２】これによれば、インナーリード２ｂは、ダ
ムバー２ｄ側においてのみ両金型に挟持されるのみで、
形成キャビティ内では何ら支持されない。従ってインナ
ーリード２ｂは、外力に対して図８の点線矢印方向すな
わち上下方向に動ける能力が高くなり、上型６１１のゲ
ートＧ１から比較的高圧力にて樹脂が注入されると、こ
れらに変形や移動が生じる可能性が高い。
ムバー２ｄ側においてのみ両金型に挟持されるのみで、
形成キャビティ内では何ら支持されない。従ってインナ
ーリード２ｂは、外力に対して図８の点線矢印方向すな
わち上下方向に動ける能力が高くなり、上型６１１のゲ
ートＧ１から比較的高圧力にて樹脂が注入されると、こ
れらに変形や移動が生じる可能性が高い。
【００３３】またこの場合液状樹脂は、図７とは異な
り、図８の実線矢印の如く流入し、インナーリード２ｂ
に向かう流れをも生じる。このときインナーリード２ｂ
には下方向にその注入樹脂による圧力が加わり易く、図
８に一点鎖線で描かれた如きインナーリード２ｂの変形
が発生することがある。かくして本実施例による片面封
止は、こうしたインナーリード２ｂ及びリードパッド２
ａの変形や移動（ズレ）を防止することができて好都合
なのである。
り、図８の実線矢印の如く流入し、インナーリード２ｂ
に向かう流れをも生じる。このときインナーリード２ｂ
には下方向にその注入樹脂による圧力が加わり易く、図
８に一点鎖線で描かれた如きインナーリード２ｂの変形
が発生することがある。かくして本実施例による片面封
止は、こうしたインナーリード２ｂ及びリードパッド２
ａの変形や移動（ズレ）を防止することができて好都合
なのである。
【００３４】次に、本発明による第２の実施例を説明す
る。この実施例は、上述の如きトランスファーモールド
ではなく、ペレット樹脂を用いて上記封止体４と等価な
封止体を形成するものである。従って本実施例は、図５
における片面封止工程Ｓ１４を改変したものに相当す
る。図９に示されるように、ダイボンディング及びワイ
ヤボンディングの済んだリードフレーム２は、平板状の
ヒータ９に載置され、ヒータ９によってその底面側から
加熱される。この状態でペレット樹脂４０Ｐがチップ１
ないしはリードフレーム２上に供給され、高温により溶
融した樹脂４０Ｐは、チップ１，ダイパッド２０，リー
ドパッド２ａ，インナーリード２ｂ及びボンディングワ
イヤ３に被さりながら広がっていき、図１０に示した如
き形状を呈する封止体４´が形成される。
る。この実施例は、上述の如きトランスファーモールド
ではなく、ペレット樹脂を用いて上記封止体４と等価な
封止体を形成するものである。従って本実施例は、図５
における片面封止工程Ｓ１４を改変したものに相当す
る。図９に示されるように、ダイボンディング及びワイ
ヤボンディングの済んだリードフレーム２は、平板状の
ヒータ９に載置され、ヒータ９によってその底面側から
加熱される。この状態でペレット樹脂４０Ｐがチップ１
ないしはリードフレーム２上に供給され、高温により溶
融した樹脂４０Ｐは、チップ１，ダイパッド２０，リー
ドパッド２ａ，インナーリード２ｂ及びボンディングワ
イヤ３に被さりながら広がっていき、図１０に示した如
き形状を呈する封止体４´が形成される。
【００３５】かかるペレット成形によれば、封止体４´
において図２に示されるトランスファーモールドによる
パッケージボディのようなシャープな表面を一度に得る
ことはできないものの、トランスファモールド法のよう
な寸法精度の高くかつ高価な封止用金型は不要であり、
また、インナーリード２ｂを変形／移動させるような圧
力をさらに抑えることが可能である。
において図２に示されるトランスファーモールドによる
パッケージボディのようなシャープな表面を一度に得る
ことはできないものの、トランスファモールド法のよう
な寸法精度の高くかつ高価な封止用金型は不要であり、
また、インナーリード２ｂを変形／移動させるような圧
力をさらに抑えることが可能である。
【００３６】ペレット成形により片面封止されたリード
フレームについても、工程Ｓ１５以降の処理（図５参
照）が行われ、完成品へと導かれることとなる。上記第
１及び第２の実施例の集積回路装置によれば、主として
次のような効果を期待できる。第１には、先述の高価な
ＢＧＡ基板に代えて安価なリードフレームを採用したの
で、材料面でのコストの低減が図られる。
フレームについても、工程Ｓ１５以降の処理（図５参
照）が行われ、完成品へと導かれることとなる。上記第
１及び第２の実施例の集積回路装置によれば、主として
次のような効果を期待できる。第１には、先述の高価な
ＢＧＡ基板に代えて安価なリードフレームを採用したの
で、材料面でのコストの低減が図られる。
【００３７】第２には、通常のＱＦＰのアセンブリ（或
いはパッケージング）プロセスをさほど変更することな
く、多少のＢＧＡ技術を導入するだけで本集積回路装置
を製造することができる点が挙げられる。従って既存の
ＱＦＰ用アセンブリ設備及び方式の共用化が可能かつ容
易であり、多くの費用をかけることなく本集積回路装置
のためのアセンブリ設備を用意することができる。
いはパッケージング）プロセスをさほど変更することな
く、多少のＢＧＡ技術を導入するだけで本集積回路装置
を製造することができる点が挙げられる。従って既存の
ＱＦＰ用アセンブリ設備及び方式の共用化が可能かつ容
易であり、多くの費用をかけることなく本集積回路装置
のためのアセンブリ設備を用意することができる。
【００３８】かくして材料面からも製造面からも、低コ
スト化が図られることとなる。なお、上記実施例におい
ては、説明の簡略化のためにリードパッドをダイパッド
周縁に沿った３列に並べかつ格子状に組んだ形態を示し
たが、これに限定されることなく、それより多い数の列
にリードパッドを並べても良いし、千鳥配列としても良
く、種々の配列形態を採ることができる。
スト化が図られることとなる。なお、上記実施例におい
ては、説明の簡略化のためにリードパッドをダイパッド
周縁に沿った３列に並べかつ格子状に組んだ形態を示し
たが、これに限定されることなく、それより多い数の列
にリードパッドを並べても良いし、千鳥配列としても良
く、種々の配列形態を採ることができる。
【００３９】この他にも、上記実施例では種々の構造、
手段及び工程を具体的または簡単に説明したが、当業者
の設計可能な範囲で適宜改変することは可能である。
手段及び工程を具体的または簡単に説明したが、当業者
の設計可能な範囲で適宜改変することは可能である。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
パッケージの多端子化及び軽薄短小化を図るとともに、
安価にしてかつ良好な表面実装を可能とする集積回路装
置及びその製造方法を提供することができる。
パッケージの多端子化及び軽薄短小化を図るとともに、
安価にしてかつ良好な表面実装を可能とする集積回路装
置及びその製造方法を提供することができる。
【図１】本発明による一実施例の集積回路装置の概略底
面図。
面図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】図１及び図２の集積回路装置に適用されるリー
ドフレームの形態を示す図。
ドフレームの形態を示す図。
【図４】図１及び図２の集積回路装置に好適な被覆ワイ
ヤーの形態を示す斜視図。
ヤーの形態を示す斜視図。
【図５】本発明による一実施例の集積回路装置の製造方
法を示すフローチャート。
法を示すフローチャート。
【図６】低圧トランスファーモールド法にて本実施例集
積回路装置のパッケージングを行うためのトランスファ
ー金型及びこれを含む製造装置、並びにこの製造装置に
セットされるボンディング済みチップ１搭載のリードフ
レーム２の態様を示す概略断面図。
積回路装置のパッケージングを行うためのトランスファ
ー金型及びこれを含む製造装置、並びにこの製造装置に
セットされるボンディング済みチップ１搭載のリードフ
レーム２の態様を示す概略断面図。
【図７】本発明による片面封止の利点を説明するため
の、トランファーモールド時の金型及び封止対象物の態
様を示す概略断面図。
の、トランファーモールド時の金型及び封止対象物の態
様を示す概略断面図。
【図８】従来のＱＦＰによる両面封止の利点を説明する
ための、トランファーモールド時の金型及び封止対象物
の態様を示す概略断面図。
ための、トランファーモールド時の金型及び封止対象物
の態様を示す概略断面図。
【図９】本発明による第２の実施例の製造方法における
加熱工程の態様を示す集積回路装置の断面図。
加熱工程の態様を示す集積回路装置の断面図。
【図１０】図９の加熱工程後に得られる集積回路装置の
断面図。
断面図。
１ ＩＣチップ ２ リードフレーム ２０ ダイパッド ２１ 外枠 ２ａ リードパッド ２ｂ インナーリード ２ｃ 吊りピン ２ｄ ダムバー ３ ボンディングワイヤ ３０ 電導線 ３１ 絶縁膜 ４ 封止体 ５ 絶縁層 ６ ハンダボール ６０ カッパコア ６１ ハンダ膜 ６１１ 上型 ７１ 下型 ６１０ 上型キャビティ ８１ カル部 ９１ プランジャ Ｒ１ ランナ Ｇ１ ゲート Ｖ１ エアーベント ４０ 樹脂タブレット ４０Ｐ ペレット樹脂 ９ ヒータ
Claims (16)
- 【請求項１】 集積回路が形成されたＩＣチップを含む
底面突起状端子配列型集積回路装置であって、 前記チップが載置されるダイパッドと、前記ダイパッド
の外周側において２次元配列された複数のインナーリー
ド先端部と、前記チップの端子と前記インナーリード先
端部とを個々に接続するボンディングワイヤーと、前記
インナーリード先端部を露出させつつ前記チップを載置
する側において前記チップ，ダイパッド，インナーリー
ド先端部及びボンディングワイヤーを封止する封止体
と、前記インナーリード先端部の露出面に固着される突
起状電導体とを有し、前記ダイパッド及びインナーリー
ド先端部は、リードフレームから得られたものであり、
前記インナーリード先端部は、それぞれ前記突起状電導
体を固着するためのパッドを担うことを特徴とする底面
突起状端子配列型集積回路装置。 - 【請求項２】 前記インナーリード先端部の露出面は、
略円形を呈することを特徴とする請求項１記載の集積回
路装置。 - 【請求項３】 前記突起状電導体は、少なくともハンダ
により形成されることを特徴とする請求項１記載の集積
回路装置。 - 【請求項４】 前記突起状電導体は、外皮を形成するハ
ンダ膜と、このハンダ膜により被膜され前記ハンダ膜よ
りも融点の高い芯部とを含むことを特徴とする請求項１
記載の集積回路装置。 - 【請求項５】 前記芯部は、電導体であることを特徴と
する請求項４記載の集積回路装置。 - 【請求項６】 前記ボンディングワイヤーは、前記チッ
プの端子との接触部及び前記インナーリード先端部との
接触部を除き電気的絶縁体にて被覆されていることを特
徴とする請求項１ないし５のうちのいずれか１つに記載
の集積回路装置。 - 【請求項７】 前記インナーリード先端部は、前記ダイ
パッドの縁端に沿って複数の列をなしていることを特徴
とする請求項１ないし６のうちのいずれか１つに記載の
集積回路装置。 - 【請求項８】 集積回路が形成されたＩＣチップを含む
底面突起状端子配列型集積回路装置の製造方法であっ
て、 前記チップをリードフレームのダイパッドに載置しかつ
固着するダイボンディング工程と、前記チップの端子と
前記リードフレームにおいて前記ダイパッドの外周側に
２次元配列された複数のインナーフレーム先端部とをボ
ンディングワイヤーにて接続するワイヤーボンディング
工程と、前記インナーリード先端部を露出させつつ前記
チップを載置する側において前記チップ，ダイパッド，
インナーリード先端部及びボンディングワイヤーを封止
する片面封止工程と、前記インナーリード先端部の露出
面に突起状電導体を固着する外部端子形成工程とを有
し、前記インナーリード先端部は、それぞれ前記突起状
電導体を固着するためのパッドを担っていることを特徴
とする底面突起状端子配列型集積回路装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記片面封止工程は、前記ダイボンディ
ング工程及び前記ワイヤーボンディング工程の処理が施
されたリードフレームを挟持する第１及び第２の金型を
用いたトランスファ成形を行うものであって、 前記第１の金型は、前記リードフレームの前記チップが
載置された側とは反対側の面に密着する平面を有し、前
記第２の金型は、所定形状のキャビティを有しそのキャ
ビティ内に前記リードフレームの前記チップが載置され
た側の面が配されることを特徴とする請求項８記載の集
積回路装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記片面封止工程は、前記ダイボンデ
ィング工程及び前記ワイヤーボンディング工程の処理が
施されたリードフレームを加熱するとともに前記リード
フレーム上にペレット樹脂を供給してこれを溶融させる
加熱工程を有することを特徴とする請求項８記載の集積
回路装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記片面封止工程により形成された封
止体の底面において前記インナーリード先端部の露出面
を除きソルダレジスト膜を形成するレジスト成膜工程を
有することを特徴とする請求項８，９または１０記載の
集積回路装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記レジスト成膜工程の後において前
記封止体の底面において半田メッキを施すメッキ工程を
有し、前記外部端子形成工程は、前記メッキ工程の後に
行われ、 前記突起上電導体は、ハンダからなることを特徴とする
請求項１１記載の集積回路装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記片面封止工程により形成された封
止体の底面において半田メッキを施すメッキ工程を有
し、前記外部端子形成工程は、前記メッキ工程の後に行
われ、 前記突起状電導体は、外皮を形成するハンダ膜と、この
ハンダ膜により被膜され前記ハンダ膜よりも融点の高い
芯部とを含むことを特徴とする請求項８，９または１０
記載の集積回路装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記インナーリード先端部の露出面
は、略円形を呈することを特徴とする請求項８ないし１
３のうちのいずれか１つに記載の集積回路装置の製造方
法。 - 【請求項１５】 前記ボンディングワイヤーは、前記チ
ップの端子との接触部及び前記インナーリード先端部と
の接触部を除き電気的絶縁体にて被覆されていることを
特徴とする請求項８ないし１４のうちのいずれか１つに
記載の集積回路装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記インナーリード先端部は、前記ダ
イパッドの縁端に沿って複数の列をなしていることを特
徴とする請求項８ないし１５のうちのいずれか１つに記
載の集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24201096A JPH1092967A (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | 底面突起状端子配列型集積回路装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24201096A JPH1092967A (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | 底面突起状端子配列型集積回路装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092967A true JPH1092967A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17082925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24201096A Pending JPH1092967A (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | 底面突起状端子配列型集積回路装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092967A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11345895A (ja) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置、リードフレーム、及びそれらの製造方法 |
| JP2003110058A (ja) * | 2001-10-01 | 2003-04-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法体装置用回路部材 |
-
1996
- 1996-09-12 JP JP24201096A patent/JPH1092967A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11345895A (ja) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置、リードフレーム、及びそれらの製造方法 |
| JP2003110058A (ja) * | 2001-10-01 | 2003-04-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法体装置用回路部材 |
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