JPH1093104A - 薄膜トランジスタおよびデバイスの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタおよびデバイスの製造方法Info
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- JPH1093104A JPH1093104A JP9223418A JP22341897A JPH1093104A JP H1093104 A JPH1093104 A JP H1093104A JP 9223418 A JP9223418 A JP 9223418A JP 22341897 A JP22341897 A JP 22341897A JP H1093104 A JPH1093104 A JP H1093104A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機半導体から、少なくとも１０5のオン／
オフ比を有するＴＦＴデバイスを形成する。 【解決手段】 有機半導体材料は、フタロシアニン（Ｐ
ｃ）と銅、亜鉛、スズ、または水素の配位化合物であ
る。この配位化合物は秩序あるフィルムを形成し、アモ
ルファスのドープしたフタロシアニンよりも低い導電率
で高い電界効果移動度を示す。実施例では、デバイス２
０は、有機半導体を活性層とするＭＩＳ−ＦＥＴ型のＴ
ＦＴであり、３個の接点（例えば、金）１５、１７、１
９を有し、そのうちの少なくとも２個（１７，１９）は
半導体層と物理的に接触する。第３の接点１５は、半導
体層２１を流れる電流を制御する。製造方法としては、
フタロシアニン配位化合物層は、加熱した基板１１上に
形成される。基板１１の温度は約３０℃〜約２００℃
（好ましくは約１２５℃〜約１７５℃）の範囲にある。
オフ比を有するＴＦＴデバイスを形成する。 【解決手段】 有機半導体材料は、フタロシアニン（Ｐ
ｃ）と銅、亜鉛、スズ、または水素の配位化合物であ
る。この配位化合物は秩序あるフィルムを形成し、アモ
ルファスのドープしたフタロシアニンよりも低い導電率
で高い電界効果移動度を示す。実施例では、デバイス２
０は、有機半導体を活性層とするＭＩＳ−ＦＥＴ型のＴ
ＦＴであり、３個の接点（例えば、金）１５、１７、１
９を有し、そのうちの少なくとも２個（１７，１９）は
半導体層と物理的に接触する。第３の接点１５は、半導
体層２１を流れる電流を制御する。製造方法としては、
フタロシアニン配位化合物層は、加熱した基板１１上に
形成される。基板１１の温度は約３０℃〜約２００℃
（好ましくは約１２５℃〜約１７５℃）の範囲にある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機材料の活性層
を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、そのようなトラ
ンジスタを製造する方法に関する。
を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、そのようなトラ
ンジスタを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、有機半導体材料に関して、発光ダ
イオード、非線形光学デバイス、および、金属−絶縁体
−半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳ−ＦＥＴ）のよ
うなＴＦＴなどのさまざまなデバイスにおける活性層と
して使用することが研究されている。有機半導体材料
は、可撓性プラスチック基板との両立性やスピンコーテ
ィングによる形成の容易さのような加工上の利点を有す
るので、デバイス製造プロセスでの使用は魅力的であ
る。しかし、このような材料をＴＦＴデバイスで有効に
用いるためには、結果として得られるデバイスが個々の
応用に適した（ソース／ドレイン電流の）オン／オフ比
を有しなければならない。１００程度の低いオン／オフ
比のデバイスが適する応用例もあるが、一般にＴＦＴデ
バイスのオン／オフ比は少なくとも約１０3でなければ
ならない。オン／オフ比を支配する有機半導体材料の性
質は、キャリア移動度および導電率である。有機半導体
材料のキャリア移動度は一般に約１０-8ｃｍ2／Ｖｓを
超えるが、１ｃｍ2／Ｖｓ以下である。その結果、キャ
リア移動度、材料の導電率、およびデバイスのオン／オ
フ比の間の関係に基づけば、有機半導体材料に必要な導
電率は、材料のキャリア移動度および必要なオン／オフ
比によって規定される。
イオード、非線形光学デバイス、および、金属−絶縁体
−半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳ−ＦＥＴ）のよ
うなＴＦＴなどのさまざまなデバイスにおける活性層と
して使用することが研究されている。有機半導体材料
は、可撓性プラスチック基板との両立性やスピンコーテ
ィングによる形成の容易さのような加工上の利点を有す
るので、デバイス製造プロセスでの使用は魅力的であ
る。しかし、このような材料をＴＦＴデバイスで有効に
用いるためには、結果として得られるデバイスが個々の
応用に適した（ソース／ドレイン電流の）オン／オフ比
を有しなければならない。１００程度の低いオン／オフ
比のデバイスが適する応用例もあるが、一般にＴＦＴデ
バイスのオン／オフ比は少なくとも約１０3でなければ
ならない。オン／オフ比を支配する有機半導体材料の性
質は、キャリア移動度および導電率である。有機半導体
材料のキャリア移動度は一般に約１０-8ｃｍ2／Ｖｓを
超えるが、１ｃｍ2／Ｖｓ以下である。その結果、キャ
リア移動度、材料の導電率、およびデバイスのオン／オ
フ比の間の関係に基づけば、有機半導体材料に必要な導
電率は、材料のキャリア移動度および必要なオン／オフ
比によって規定される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】あるクラスのドープさ
れたアモルファス有機半導体について、Brown, A. R.,e
t al., "A universal relation between conductivity
and field-effect mobility in doped amorphous organ
ic semiconductors", Synthetic Materials, Vol.68, p
p.65-70 (1994)に記載されている。この論文では、この
ような材料の導電率と電界効果移動度の間の線形関係、
すなわち、導電率が増大するにつれて電界効果移動度も
増大することが報告されている。この論文では非常に高
い移動度の材料も報告されているが、この高い移動度は
導電率を犠牲にして達成されたものである。この論文で
は、高いオン／オフ比および高い移動度は、アモルファ
ス有機半導体から構成されるデバイスでは期待されない
と結論づけている。このような材料から満足なデバイス
を形成するためには、このような材料の電界効果移動度
および導電率は、少なくとも１０5のオン／オフ比を有
するデバイスが得られる範囲内になければならない。
れたアモルファス有機半導体について、Brown, A. R.,e
t al., "A universal relation between conductivity
and field-effect mobility in doped amorphous organ
ic semiconductors", Synthetic Materials, Vol.68, p
p.65-70 (1994)に記載されている。この論文では、この
ような材料の導電率と電界効果移動度の間の線形関係、
すなわち、導電率が増大するにつれて電界効果移動度も
増大することが報告されている。この論文では非常に高
い移動度の材料も報告されているが、この高い移動度は
導電率を犠牲にして達成されたものである。この論文で
は、高いオン／オフ比および高い移動度は、アモルファ
ス有機半導体から構成されるデバイスでは期待されない
と結論づけている。このような材料から満足なデバイス
を形成するためには、このような材料の電界効果移動度
および導電率は、少なくとも１０5のオン／オフ比を有
するデバイスが得られる範囲内になければならない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、電界効果移動
度が１０-3ｃｍ2／Ｖｓで導電率が約１０9Ｓ／ｃｍ〜約
１０-7Ｓ／ｃｍの範囲にある有機半導体材料を活性層と
する半導体ＴＦＴデバイスに関するものである。このよ
うな有機半導体材料は、フタロシアニン（以下ではＰｃ
と略す）と銅、亜鉛、スズ、または水素の配位化合物で
ある。このような配位化合物は秩序あるフィルムを形成
し、アモルファスのドープしたフタロシアニンよりも低
い導電率で高い電界効果移動度を示す。また、本発明
は、このようなデバイスを製造するプロセスにも関する
ものである。
度が１０-3ｃｍ2／Ｖｓで導電率が約１０9Ｓ／ｃｍ〜約
１０-7Ｓ／ｃｍの範囲にある有機半導体材料を活性層と
する半導体ＴＦＴデバイスに関するものである。このよ
うな有機半導体材料は、フタロシアニン（以下ではＰｃ
と略す）と銅、亜鉛、スズ、または水素の配位化合物で
ある。このような配位化合物は秩序あるフィルムを形成
し、アモルファスのドープしたフタロシアニンよりも低
い導電率で高い電界効果移動度を示す。また、本発明
は、このようなデバイスを製造するプロセスにも関する
ものである。
【０００５】本発明の一実施例では、デバイスは、有機
半導体を活性層とするＭＩＳ−ＦＥＴ型のＴＦＴであ
る。このようなデバイスは一般に３個の離間した接点
（例えば、金のような伝導性金属）を有し、そのうちの
少なくとも２個は半導体層と物理的に接触している。第
３の接点は、第１の接点と第２の接点の間で半導体層を
流れる電流を制御する。
半導体を活性層とするＭＩＳ−ＦＥＴ型のＴＦＴであ
る。このようなデバイスは一般に３個の離間した接点
（例えば、金のような伝導性金属）を有し、そのうちの
少なくとも２個は半導体層と物理的に接触している。第
３の接点は、第１の接点と第２の接点の間で半導体層を
流れる電流を制御する。
【０００６】本発明のＴＦＴデバイスは、ガラス、シリ
コンまたはプラスチックのような従来の基板材料上に形
成される。誘電体材料の層が基板上に形成される。接点
のうちの１つは基板に物理的に接続され、誘電体材料の
層は他の２個の接点と基板の間に入る。
コンまたはプラスチックのような従来の基板材料上に形
成される。誘電体材料の層が基板上に形成される。接点
のうちの１つは基板に物理的に接続され、誘電体材料の
層は他の２個の接点と基板の間に入る。
【０００７】本発明のプロセスでは、フタロシアニン配
位化合物の層が、加熱した基板上に形成される。基板の
温度は約３０℃〜約２００℃の範囲にある。基板の温度
を約１２５℃〜約１７５℃にすると有利である。
位化合物の層が、加熱した基板上に形成される。基板の
温度は約３０℃〜約２００℃の範囲にある。基板の温度
を約１２５℃〜約１７５℃にすると有利である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は、フタロシアニン配位化
合物を活性層とするＴＦＴデバイスと、このデバイスを
製造するプロセスに関する。本発明のデバイスは、２０
℃で１０4より高いオン／オフ比を有する。所望のオン
／オフ比を有するデバイスを得るためには、フタロシア
ニンの電界効果移動度を１０-3ｃｍ2／Ｖｓより高く
し、導電率を約１０9Ｓ／ｃｍ〜約１０-7Ｓ／ｃｍの範
囲にすると有利である。図１に、フタロシアニン配位化
合物を示す。配位イオンは一般的に文字Ｘで示す。配位
イオンは、銅、亜鉛、スズ、または水素が有効である。
合物を活性層とするＴＦＴデバイスと、このデバイスを
製造するプロセスに関する。本発明のデバイスは、２０
℃で１０4より高いオン／オフ比を有する。所望のオン
／オフ比を有するデバイスを得るためには、フタロシア
ニンの電界効果移動度を１０-3ｃｍ2／Ｖｓより高く
し、導電率を約１０9Ｓ／ｃｍ〜約１０-7Ｓ／ｃｍの範
囲にすると有利である。図１に、フタロシアニン配位化
合物を示す。配位イオンは一般的に文字Ｘで示す。配位
イオンは、銅、亜鉛、スズ、または水素が有効である。
【０００９】図２に、本発明によるＭＩＳ−ＦＥＴ型デ
バイスを示す。トランジスタ２０は、基板１１の上に、
誘電体材料層１３と、金属接点１５が形成されたもので
ある。さらに２個の金属接点１７および１９が、誘電体
層１３の上に形成される。フタロシアニン配位化合物層
２１が、接点１７と接点１９の上およびこれらの間に形
成される。
バイスを示す。トランジスタ２０は、基板１１の上に、
誘電体材料層１３と、金属接点１５が形成されたもので
ある。さらに２個の金属接点１７および１９が、誘電体
層１３の上に形成される。フタロシアニン配位化合物層
２１が、接点１７と接点１９の上およびこれらの間に形
成される。
【００１０】上記のデバイスの基板は、シリコン、ガラ
ス、またはプラスチックのような従来の材料からなる。
接点は、金のような、この目的のための従来の材料から
なる。誘電体材料は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素（Ｓｉ
3Ｎ4）、または酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のような
従来の材料である。接点および誘電体層は、周知の従来
技術を用いて基板上に形成されるので、その技術につい
ては詳述しない。
ス、またはプラスチックのような従来の材料からなる。
接点は、金のような、この目的のための従来の材料から
なる。誘電体材料は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素（Ｓｉ
3Ｎ4）、または酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のような
従来の材料である。接点および誘電体層は、周知の従来
技術を用いて基板上に形成されるので、その技術につい
ては詳述しない。
【００１１】例として、ＭＩＳ−ＦＥＴ型ＴＦＴは、１
２μｍのチャネル長と、２５０μｍのゲート長で、ｎ型
にドープしたシリコン基板上に形成される。厚さ３００
０オングストロームの二酸化ケイ素の層を基板上に形成
する。二酸化ケイ素層はゲート誘電体材料として作用
し、約１０ｎＦ／ｃｍ2のキャパシタンスを有する。２
個の別々の金接点をゲート誘電体層上に形成する。フタ
ロシアニン配位化合物のフィルムを、ゲート誘電体層
と、その上に形成された接点の上に形成する。基板の温
度は約３０℃〜約２００℃の範囲にある。基板温度を約
１２５℃〜約１７５℃にすると有利である。
２μｍのチャネル長と、２５０μｍのゲート長で、ｎ型
にドープしたシリコン基板上に形成される。厚さ３００
０オングストロームの二酸化ケイ素の層を基板上に形成
する。二酸化ケイ素層はゲート誘電体材料として作用
し、約１０ｎＦ／ｃｍ2のキャパシタンスを有する。２
個の別々の金接点をゲート誘電体層上に形成する。フタ
ロシアニン配位化合物のフィルムを、ゲート誘電体層
と、その上に形成された接点の上に形成する。基板の温
度は約３０℃〜約２００℃の範囲にある。基板温度を約
１２５℃〜約１７５℃にすると有利である。
【００１２】フタロシアニンフィルムは、真空蒸着のよ
うな従来技術を用いて基板上に形成される。フタロシア
ニンフィルムの厚さを約５００オングストローム〜約６
００オングストロームにすると有利である。このように
して形成されるＴＦＴは２０℃で約１０4より高いオン
／オフ比を有する。
うな従来技術を用いて基板上に形成される。フタロシア
ニンフィルムの厚さを約５００オングストローム〜約６
００オングストロームにすると有利である。このように
して形成されるＴＦＴは２０℃で約１０4より高いオン
／オフ比を有する。
【００１３】
【実施例】白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、
ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）、および
水素（Ｈ2）とのフタロシアニン配位化合物を市販品か
ら入手した。簡単のため、フタロシアニン配位化合物を
一般的にＸ−Ｐｃで表す。ここでＸは配位イオン（例え
ば、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｈ2など）を一般的に表す。これらの
材料を、約８×１０-4Ｔｏｒｒ以下の圧力および約３８
０℃の温度での昇華により精製した。この昇華手順は全
部で３回実行した。
ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）、および
水素（Ｈ2）とのフタロシアニン配位化合物を市販品か
ら入手した。簡単のため、フタロシアニン配位化合物を
一般的にＸ−Ｐｃで表す。ここでＸは配位イオン（例え
ば、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｈ2など）を一般的に表す。これらの
材料を、約８×１０-4Ｔｏｒｒ以下の圧力および約３８
０℃の温度での昇華により精製した。この昇華手順は全
部で３回実行した。
【００１４】上記のフタロシアニン配位化合物を活性層
として用いてデバイスを形成した。フタロシアニン配位
化合物層２１を基板上に形成して、図２に関して上記で
一般的に説明したデバイス２０を製造した。この実施例
の場合、基板という用語は、ゲート誘電体層１３と、そ
の上に２個の接点１７および１９が形成される、シリコ
ン基板１１の構造を指すために用いられる。第３の接点
１５はシリコン基板上に直接形成される。
として用いてデバイスを形成した。フタロシアニン配位
化合物層２１を基板上に形成して、図２に関して上記で
一般的に説明したデバイス２０を製造した。この実施例
の場合、基板という用語は、ゲート誘電体層１３と、そ
の上に２個の接点１７および１９が形成される、シリコ
ン基板１１の構造を指すために用いられる。第３の接点
１５はシリコン基板上に直接形成される。
【００１５】フタロシアニン層の移動度および導電率に
対する基板温度の効果を測定するために、各フィルムの
堆積中の基板の温度を制御した。上記のフタロシアニン
配位化合物のそれぞれのフィルムを、３０℃、１２５
℃、および２００℃という温度に加熱した基板上に形成
した。各フィルムは、２×１０-6Ｔｏｒｒの圧力で蒸着
容器内で真空蒸着を用いて形成した。約５０ｍｇのフタ
ロシアニンをタングステン容器に入れた。このタングス
テン容器を通常の蒸着装置内に置いた。基板も蒸着装置
内の銅ブロック上に置いた。温度コントローラを用い
て、銅ブロックの温度を制御し、これを用いて基板の温
度を制御した。タングステン容器を約３８０℃の温度に
加熱し、フタロシアニンフィルムを毎秒約４オングスト
ローム〜約５オングストロームの速度で形成した。
対する基板温度の効果を測定するために、各フィルムの
堆積中の基板の温度を制御した。上記のフタロシアニン
配位化合物のそれぞれのフィルムを、３０℃、１２５
℃、および２００℃という温度に加熱した基板上に形成
した。各フィルムは、２×１０-6Ｔｏｒｒの圧力で蒸着
容器内で真空蒸着を用いて形成した。約５０ｍｇのフタ
ロシアニンをタングステン容器に入れた。このタングス
テン容器を通常の蒸着装置内に置いた。基板も蒸着装置
内の銅ブロック上に置いた。温度コントローラを用い
て、銅ブロックの温度を制御し、これを用いて基板の温
度を制御した。タングステン容器を約３８０℃の温度に
加熱し、フタロシアニンフィルムを毎秒約４オングスト
ローム〜約５オングストロームの速度で形成した。
【００１６】上記のようにして調製したさまざまなフィ
ルムの電界効果移動度および導電率を次の表１に列挙す
る。フィルムの電界効果移動度および導電率に対する、
フィルム形成中の基板温度の効果も表１にまとめる。
ルムの電界効果移動度および導電率を次の表１に列挙す
る。フィルムの電界効果移動度および導電率に対する、
フィルム形成中の基板温度の効果も表１にまとめる。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１に示した電界効果移動度は次の式を用
いて計算した。 ＩDS＝（ＷＣi／２Ｌ）μ（ＶG−Ｖ0）2 ただし、Ｗはチャネル幅（２５０μｍ）、Ｌはチャネル
長（１２μｍ）、および、Ｃiはゲート誘電体の単位面
積あたりのキャパシタンス（１０ｎＦ／ｃｍ2）であ
る。上記の式を用いて電界効果移動度μを計算するに
は、測定値からＩDS＝０まで外挿することによって、飽
和領域におけるドレイン−ソース間電流（ＩDS）の平方
根と、デバイスのゲート電圧（ＶG）との間の関係か
ら、デバイスのしきい値電圧（Ｖ0）を決定する。飽和
領域におけるＩDSは、与えられたＶGにおけるドレイン
−ソース間電圧（ＶDS）とドレイン−ソース間電流の間
の関係を観測することによって決定される。飽和領域に
おけるＩDSとは、ドレイン−ソース間電圧を増大させて
もＩDSが増大しなくなるところである。飽和領域におけ
るＩDSはＶGとともに変動する。Ｖ0を決定するこの方法
は当業者に周知である。
いて計算した。 ＩDS＝（ＷＣi／２Ｌ）μ（ＶG−Ｖ0）2 ただし、Ｗはチャネル幅（２５０μｍ）、Ｌはチャネル
長（１２μｍ）、および、Ｃiはゲート誘電体の単位面
積あたりのキャパシタンス（１０ｎＦ／ｃｍ2）であ
る。上記の式を用いて電界効果移動度μを計算するに
は、測定値からＩDS＝０まで外挿することによって、飽
和領域におけるドレイン−ソース間電流（ＩDS）の平方
根と、デバイスのゲート電圧（ＶG）との間の関係か
ら、デバイスのしきい値電圧（Ｖ0）を決定する。飽和
領域におけるＩDSは、与えられたＶGにおけるドレイン
−ソース間電圧（ＶDS）とドレイン−ソース間電流の間
の関係を観測することによって決定される。飽和領域に
おけるＩDSとは、ドレイン−ソース間電圧を増大させて
もＩDSが増大しなくなるところである。飽和領域におけ
るＩDSはＶGとともに変動する。Ｖ0を決定するこの方法
は当業者に周知である。
【００１９】表１に示した電界効果移動度は平均値であ
る。表１に示したあらゆる材料およびあらゆる温度に対
する２個の基板を用いてデバイスを形成した。例えば、
Ｃｕ−Ｐｃフィルムを有するデバイスは、表１の各温度
において２個ずつ、全部で６個の基板上に形成された。
少なくとも２０個のデバイスを各基板上に形成した。
る。表１に示したあらゆる材料およびあらゆる温度に対
する２個の基板を用いてデバイスを形成した。例えば、
Ｃｕ−Ｐｃフィルムを有するデバイスは、表１の各温度
において２個ずつ、全部で６個の基板上に形成された。
少なくとも２０個のデバイスを各基板上に形成した。
【００２０】オン／オフ比は、ＶGがドレイン電圧
（ＶD）以上であるときの飽和時に流れるドレイン電流
（ＩD1）の、ＶGが０であるときに流れるＩD2に対する
比である。例えば、ＶDおよびＶGがいずれも−１００Ｖ
のときＩDSが８×１０-5Ａであり、ＶG＝０でＶDが−１
００ＶのときＩDSが１×１０-11Ａである場合、このデ
バイスのオン／オフ比は８×１０6である。
（ＶD）以上であるときの飽和時に流れるドレイン電流
（ＩD1）の、ＶGが０であるときに流れるＩD2に対する
比である。例えば、ＶDおよびＶGがいずれも−１００Ｖ
のときＩDSが８×１０-5Ａであり、ＶG＝０でＶDが−１
００ＶのときＩDSが１×１０-11Ａである場合、このデ
バイスのオン／オフ比は８×１０6である。
【００２１】発明者は特定の理論に固執するものではな
いが、デバイスの性能は、フタロシアニンフィルムの形
態に関係していると考えられる。表１に列挙したフィル
ムのＸ線回折分析によれば、ほとんどのフィルムで、フ
ィルムが形成される基板の温度の増大とともに、秩序が
増大している（すなわち、フィルムがアモルファスでは
なくなっている）。フィルムの秩序は、（２００）格子
面から生じるＸ線回折トレースから決定した。単一のピ
ークを有するトレースは、高い秩序のあるフィルムを示
している。このピークの強度を観測すると、フィルムが
形成された基板の温度の増大とともに、強度が増大して
いる。
いが、デバイスの性能は、フタロシアニンフィルムの形
態に関係していると考えられる。表１に列挙したフィル
ムのＸ線回折分析によれば、ほとんどのフィルムで、フ
ィルムが形成される基板の温度の増大とともに、秩序が
増大している（すなわち、フィルムがアモルファスでは
なくなっている）。フィルムの秩序は、（２００）格子
面から生じるＸ線回折トレースから決定した。単一のピ
ークを有するトレースは、高い秩序のあるフィルムを示
している。このピークの強度を観測すると、フィルムが
形成された基板の温度の増大とともに、強度が増大して
いる。
【００２２】結果として、フィルムの秩序は、材料の電
界効果移動度に関係している。表１のデータによって観
察されるように、ほとんどのフィルムの電界効果移動度
は、基板の温度が３０℃から１２５℃に上昇するととも
に増大している。上記のように、フィルムの秩序は、フ
ィルム形成中の基板温度の上昇とともに増大する。しか
し、表１は、蒸着中の基板温度が１２５℃から２００℃
に上昇するとともに電界効果移動度が低下していること
も示している。この結果は、高温でフィルム不連続性が
増大し、この不連続性は電界効果移動度に対する負の効
果を有するということによって説明することができる。
界効果移動度に関係している。表１のデータによって観
察されるように、ほとんどのフィルムの電界効果移動度
は、基板の温度が３０℃から１２５℃に上昇するととも
に増大している。上記のように、フィルムの秩序は、フ
ィルム形成中の基板温度の上昇とともに増大する。しか
し、表１は、蒸着中の基板温度が１２５℃から２００℃
に上昇するとともに電界効果移動度が低下していること
も示している。この結果は、高温でフィルム不連続性が
増大し、この不連続性は電界効果移動度に対する負の効
果を有するということによって説明することができる。
【００２３】フィルム形成中の基板の温度と、Ｃｕ−Ｐ
ｃフィルムの電界効果移動度の間の関係を図３に示す。
図３によれば、Ｃｕ−Ｐｃフィルムの電界効果移動度
は、基板の温度が約３０℃から約１４０℃に増大すると
ともに顕著に増大している。１４０℃以上の基板温度で
は、この傾向は逆転し、電界効果移動度は温度の上昇と
ともに低下している。
ｃフィルムの電界効果移動度の間の関係を図３に示す。
図３によれば、Ｃｕ−Ｐｃフィルムの電界効果移動度
は、基板の温度が約３０℃から約１４０℃に増大すると
ともに顕著に増大している。１４０℃以上の基板温度で
は、この傾向は逆転し、電界効果移動度は温度の上昇と
ともに低下している。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、電
界効果移動度が１０-3ｃｍ2／Ｖｓで導電率が約１０9Ｓ
／ｃｍ〜約１０-7Ｓ／ｃｍの範囲にある有機半導体材料
を活性層とする半導体ＴＦＴデバイスが形成され、これ
により、少なくとも１０5のオン／オフ比を有するデバ
イスが実現される。
界効果移動度が１０-3ｃｍ2／Ｖｓで導電率が約１０9Ｓ
／ｃｍ〜約１０-7Ｓ／ｃｍの範囲にある有機半導体材料
を活性層とする半導体ＴＦＴデバイスが形成され、これ
により、少なくとも１０5のオン／オフ比を有するデバ
イスが実現される。
【図１】本発明のフタロシアニン配位化合物の構造の図
である。フタロシアニンにおけるイオンは文字Ｘで一般
的に示されている。
である。フタロシアニンにおけるイオンは文字Ｘで一般
的に示されている。
【図２】本発明のＴＦＴデバイスの側面断面図である。
【図３】Ｃｕ−Ｐｃフィルムの電界効果移動度と、フィ
ルムが形成される基板の温度との間の関係を示す図であ
る。
ルムが形成される基板の温度との間の関係を示す図であ
る。
１１ 基板 １３ 誘電体材料層 １５ 金属接点 １７ 金属接点 １９ 金属接点 ２０ トランジスタデバイス ２１ フタロシアニン配位化合物層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１８Ｆ (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ゼナン バオ アメリカ合衆国、07060 ニュージャージ ー、ノース プレインフィールド、ロック アベニュー 1275、アパートメント ジ ェイジェイ８
Claims (10)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に形成されたフタロシ
アニン配位化合物層と、該フタロシアニン配位化合物層
を通して電流を流すための接点とからなる薄膜トランジ
スタにおいて、 前記フタロシアニン配位化合物は、２０℃で、１０-3ｃ
ｍ2／Ｖｓより高い電界効果移動度、および、約１０9Ｓ
／ｃｍ〜約１０-7Ｓ／ｃｍの範囲にある導電率を有し、 前記薄膜トランジスタのソース−ドレイン間電流のオン
／オフ比は少なくとも１０4であることを特徴とする薄
膜トランジスタ。 - 【請求項２】 前記フタロシアニン配位化合物は、銅、
亜鉛、水素、およびスズからなる群から選択される配位
子を有することを特徴とする請求項１の薄膜トランジス
タ。 - 【請求項３】 前記フタロシアニン配位化合物層の厚さ
は約５００オングストローム〜約６００オングストロー
ムであることを特徴とする請求項２の薄膜トランジス
タ。 - 【請求項４】 前記フタロシアニン配位化合物層は秩序
のある層であることを特徴とする請求項３の薄膜トラン
ジスタ。 - 【請求項５】 ＭＩＳ−ＦＥＴであることを特徴とする
請求項４の薄膜トランジスタ。 - 【請求項６】 約３０℃〜約２００℃の範囲の加熱温度
に加熱した基板上に秩序のあるフタロシアニン配位化合
物層を形成するステップと、 前記フタロシアニン配位化合物層を通して電流を流すた
めの接点を前記基板上に形成するステップとからなるこ
とを特徴とするデバイスの製造方法。 - 【請求項７】 前記フタロシアニン配位化合物は、銅フ
タロシアニン、亜鉛フタロシアニン、水素フタロシアニ
ン、およびスズフタロシアニンからなる群から選択され
ることを特徴とする請求項６の方法。 - 【請求項８】 前記加熱温度は約１２５℃〜約１７５℃
であることを特徴とする請求項７の方法。 - 【請求項９】 前記デバイスは薄膜トランジスタである
ことを特徴とする請求項８の方法。 - 【請求項１０】 前記デバイスはＭＩＳ−ＦＥＴである
ことを特徴とする請求項９の方法。
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| US08/702,073 US5969376A (en) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | Organic thin film transistor having a phthalocyanine semiconductor layer |
| US08/702073 | 1996-08-23 |
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| US6965361B1 (en) * | 1998-06-16 | 2005-11-15 | Agilent Technologies, Inc. | Method of manufacture of active matrix addressed polymer LED display |
| US6312304B1 (en) | 1998-12-15 | 2001-11-06 | E Ink Corporation | Assembly of microencapsulated electronic displays |
| US6842657B1 (en) | 1999-04-09 | 2005-01-11 | E Ink Corporation | Reactive formation of dielectric layers and protection of organic layers in organic semiconductor device fabrication |
| US6498114B1 (en) | 1999-04-09 | 2002-12-24 | E Ink Corporation | Method for forming a patterned semiconductor film |
| US6531997B1 (en) | 1999-04-30 | 2003-03-11 | E Ink Corporation | Methods for addressing electrophoretic displays |
| US6504524B1 (en) | 2000-03-08 | 2003-01-07 | E Ink Corporation | Addressing methods for displays having zero time-average field |
| US7030412B1 (en) | 1999-05-05 | 2006-04-18 | E Ink Corporation | Minimally-patterned semiconductor devices for display applications |
| WO2001007961A1 (en) | 1999-07-21 | 2001-02-01 | E Ink Corporation | Use of a storage capacitor to enhance the performance of an active matrix driven electronic display |
| AU7094400A (en) | 1999-08-31 | 2001-03-26 | E-Ink Corporation | A solvent annealing process for forming a thin semiconductor film with advantageous properties |
| EP1208603A1 (en) * | 1999-08-31 | 2002-05-29 | E Ink Corporation | Transistor for an electronically driven display |
| US6825068B2 (en) | 2000-04-18 | 2004-11-30 | E Ink Corporation | Process for fabricating thin film transistors |
| US7893435B2 (en) | 2000-04-18 | 2011-02-22 | E Ink Corporation | Flexible electronic circuits and displays including a backplane comprising a patterned metal foil having a plurality of apertures extending therethrough |
| US6329226B1 (en) * | 2000-06-01 | 2001-12-11 | Agere Systems Guardian Corp. | Method for fabricating a thin-film transistor |
| US6683333B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-01-27 | E Ink Corporation | Fabrication of electronic circuit elements using unpatterned semiconductor layers |
| DE10034873B4 (de) * | 2000-07-18 | 2005-10-13 | Pacifica Group Technologies Pty Ltd | Verfahren und Bremsanlage zum Regeln des Bremsvorgangs bei einem Kraftfahrzeug |
| US6967640B2 (en) | 2001-07-27 | 2005-11-22 | E Ink Corporation | Microencapsulated electrophoretic display with integrated driver |
| JP3823312B2 (ja) * | 2001-10-18 | 2006-09-20 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
| US7141644B2 (en) | 2002-01-11 | 2006-11-28 | Xerox Corporation | Polthiophenes and devices thereof |
| US7250625B2 (en) * | 2002-01-11 | 2007-07-31 | Xerox Corporation | Polythiophenes and electronic devices generated therefrom |
| US6872801B2 (en) | 2002-01-11 | 2005-03-29 | Xerox Corporation | Polythiophenes and devices thereof |
| US6777529B2 (en) * | 2002-01-11 | 2004-08-17 | Xerox Corporation | Polythiophenes and devices thereof |
| US6770904B2 (en) * | 2002-01-11 | 2004-08-03 | Xerox Corporation | Polythiophenes and electronic devices generated therefrom |
| US6621099B2 (en) | 2002-01-11 | 2003-09-16 | Xerox Corporation | Polythiophenes and devices thereof |
| US6949762B2 (en) | 2002-01-11 | 2005-09-27 | Xerox Corporation | Polythiophenes and devices thereof |
| US6900851B2 (en) | 2002-02-08 | 2005-05-31 | E Ink Corporation | Electro-optic displays and optical systems for addressing such displays |
| DE10211900A1 (de) * | 2002-03-18 | 2003-10-16 | Infineon Technologies Ag | Biosensor zum Erfassen von makromolekularen Biopolymeren und Verfahren zur Herstellung eines Biosensors zum Erfassen von makromolekularen Biopolymeren |
| US7078702B2 (en) * | 2002-07-25 | 2006-07-18 | General Electric Company | Imager |
| US6784017B2 (en) | 2002-08-12 | 2004-08-31 | Precision Dynamics Corporation | Method of creating a high performance organic semiconductor device |
| US6803262B2 (en) * | 2002-10-17 | 2004-10-12 | Xerox Corporation | Process using self-organizable polymer |
| US6897284B2 (en) * | 2003-03-19 | 2005-05-24 | Xerox Corporation | Polythiophenes and devices thereof |
| US6855951B2 (en) | 2003-03-19 | 2005-02-15 | Xerox Corporation | Fluorinated polythiophenes and devices thereof |
| US6960643B2 (en) * | 2003-03-19 | 2005-11-01 | Xerox Corporation | Fluorinated polythiophenes and devices thereof |
| US7297621B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-11-20 | California Institute Of Technology | Flexible carbon-based ohmic contacts for organic transistors |
| DE10319742A1 (de) * | 2003-04-30 | 2004-11-18 | Basf Ag | Pulverisierte organische Halbleiter und Verfahren zum Aufdampfen auf einen Träger |
| JP4470398B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2010-06-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 電界効果トランジスタ |
| US7169883B2 (en) | 2003-08-22 | 2007-01-30 | Xerox Corporation | Polymers |
| CN100492697C (zh) * | 2003-08-22 | 2009-05-27 | 松下电器产业株式会社 | 纵型有机fet及其制造方法 |
| US7049629B2 (en) * | 2003-08-22 | 2006-05-23 | Xerox Corporation | Semiconductor polymers and devices thereof |
| KR100576719B1 (ko) * | 2003-12-24 | 2006-05-03 | 한국전자통신연구원 | 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터의 제조방법 |
| JP4100351B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2008-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| EP1564826A1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-08-17 | Université Libre De Bruxelles | Phthalocyanine derivative layer in electronic multilayer devices and method for the manufacturing thereof |
| US8089062B2 (en) * | 2005-03-23 | 2012-01-03 | Xerox Corporation | Wax encapsulated electronic devices |
| JP4680850B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2011-05-11 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| US7640749B2 (en) * | 2006-02-16 | 2010-01-05 | Yousoufian Hrant H | Moisture separator and reheater |
| US7557370B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-07-07 | Xerox Corporation | Heteroacene polymers and electronic devices generated therefrom |
| US7517477B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-04-14 | Xerox Corporation | Polydiazaacenes and electronic devices generated therefrom |
| US7615607B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-11-10 | Xerox Corporation | Semiconductor polymers |
| US8334391B2 (en) * | 2006-04-06 | 2012-12-18 | Xerox Corporation | Functionalized heteroacenes |
| US7372071B2 (en) * | 2006-04-06 | 2008-05-13 | Xerox Corporation | Functionalized heteroacenes and electronic devices generated therefrom |
| US7449715B2 (en) * | 2006-04-06 | 2008-11-11 | Xerox Corporation | Poly[bis(ethynyl)heteroacene]s and electronic devices generated therefrom |
| US8049205B2 (en) * | 2006-04-06 | 2011-11-01 | Xerox Corporation | Poly(alkynylthiophene)s and electronic devices generated therefrom |
| US7795373B2 (en) * | 2006-04-06 | 2010-09-14 | Xerox Corporation | Ethynylene acene polymers |
| US7847052B2 (en) * | 2006-04-06 | 2010-12-07 | Xerox Corporation | Linked arylamine polymers |
| US7550760B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-06-23 | Xerox Corporation | Polyacenes and electronic devices generated therefrom |
| US7586120B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-09-08 | Xerox Corporation | Ethynylene acene polymers and electronic devices generated therefrom |
| US7705111B2 (en) * | 2006-04-06 | 2010-04-27 | Xerox Corporation | Poly(alkynylthiophene)s |
| US7619055B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-11-17 | Xerox Corporation | Linked arylamine polymers and electronic devices generated therefrom |
| US7563860B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-07-21 | Xerox Corporation | Semiconductors and electronic devices generated therefrom |
| US7517476B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-04-14 | Xerox Corporation | Polydiazaacenes |
| US7718998B2 (en) | 2006-12-14 | 2010-05-18 | Xerox Corporation | Thiophene electronic devices |
| CN100456517C (zh) * | 2007-01-23 | 2009-01-28 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 轴向取代酞菁化合物用于制备有机薄膜晶体管的应用 |
| US20090001356A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | 3M Innovative Properties Company | Electronic devices having a solution deposited gate dielectric |
| US7879688B2 (en) * | 2007-06-29 | 2011-02-01 | 3M Innovative Properties Company | Methods for making electronic devices with a solution deposited gate dielectric |
| US8929054B2 (en) * | 2010-07-21 | 2015-01-06 | Cleanvolt Energy, Inc. | Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods |
| KR102570397B1 (ko) | 2016-05-11 | 2023-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0770708B2 (ja) * | 1986-03-25 | 1995-07-31 | 株式会社東芝 | 電界効果トランジスタ |
| US5039561A (en) * | 1986-08-25 | 1991-08-13 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for preparing an article having surface layer of uniformly oriented, crystalline, organic microstructures |
| IT1222142B (it) * | 1987-07-27 | 1990-09-05 | Adolfo Turano | Composizioni farmaceutiche antivirali |
| FR2623017B1 (fr) * | 1987-11-09 | 1990-03-23 | Clarisse Christian | Dispositif a semiconducteur organique a base de phtalocyanine |
| FR2627629B1 (fr) * | 1988-02-19 | 1993-02-05 | Madru Roger | Transistor a effet de champ utilisant des metallophtalocyanines dopees comme materiau actif |
| US5280183A (en) * | 1988-05-31 | 1994-01-18 | Edison Polymer Innovation Corporation | Microelectronic device employing multiring phthalocyanine compound |
| US5017989A (en) * | 1989-12-06 | 1991-05-21 | Xerox Corporation | Solid state radiation sensor array panel |
| US5556706A (en) * | 1993-10-06 | 1996-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive layered product and method of manufacturing the same |
| EP0753232A1 (en) * | 1994-03-31 | 1997-01-15 | Imation Corp. | Imaging system employing variable electrode geometry and processing |
| DE69531477T2 (de) * | 1994-05-16 | 2004-07-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Halbleiteranordnung aus halbleitendem, organischem material |
| JP3246189B2 (ja) * | 1994-06-28 | 2002-01-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体表示装置 |
| DE4429597A1 (de) * | 1994-08-20 | 1996-02-22 | Basf Ag | Verwendung von in der kolumnar helicalen Phase vorliegenden niedermolekularen oder polymeren organischen Verbindungen mit flüssigkristallinen Eigenschaften |
| US5969376A (en) * | 1996-08-23 | 1999-10-19 | Lucent Technologies Inc. | Organic thin film transistor having a phthalocyanine semiconductor layer |
| US5789737A (en) * | 1997-01-22 | 1998-08-04 | Xerox Corporation | High dynamic range segmented pixel sensor array |
-
1996
- 1996-08-23 US US08/702,073 patent/US5969376A/en not_active Expired - Lifetime
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