JPH1093199A5

JPH1093199A5 -

Info

Publication number: JPH1093199A5
Application number: JP1997197627A
Authority: JP
Filing date: 1997-07-23
Publication date: 2005-05-19
Anticipated expiration: 2017-07-23

Claims

基板と、該基板上に設けられた積層構造体とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、
該積層構造体は、
活性層と、
該活性層を挟む一対のクラッド層と、
該一対のクラッド層のうち該基板から遠い方のクラッド層上に設けられており、該活性層の選択された領域に電流を狭窄するための開口部が形成された第１の層と、
該第１の層の上に設けられ、該活性層の選択された領域に電流を狭窄するための開口部が形成された内部電流狭窄層と、
該内部電流狭窄層の開口部を覆う再成長層と、
を備えていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
前記クラッド層はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）から形成され、
前記活性層はＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１、ｘ＝０のときｙ＞０）から形成され、
前記第１の層はＩｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ（ｚ≠０）から形成され、
前記内部電流狭窄層はＡｌ_ｗＧａ_１−ｗＮ（０≦ｗ≦１）から形成されている、請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
前記第１の層のＩｎ組成ｚは、０．３２以上１．０以下である、請求項２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
前記第１の層の層厚が１０Å以上１００Åよりも薄い、請求項１〜３のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
前記第１の層は再蒸発層である、請求項１〜４のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
前記再蒸発層は、前記内部電流狭窄層に前記開口部を形成する工程においてエッチストップ層として機能する、請求項５に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
前記第１の層は過飽和吸収体である、請求項１〜４のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
前記再蒸発層のＩｎ混晶比ｚは、前記活性層のＩｎ混晶比ｙと同一、またはそれより高い、請求項７に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
基板と、活性層と、該活性層を挟む一対のクラッド層と、該一対のクラッド層のうち該基板から遠い方のクラッド層上に設けられており、該活性層の選択された領域に電流を狭窄するための開口部が形成された再蒸発層と、該再蒸発層上に設けられ、該活性層の選択された領域に電流を狭窄するための開口部が形成された内部電流狭窄層と、該内部電流狭窄層の開口部を覆う再成長層とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、
該基板から遠い方のクラッド層上に該再蒸発層を形成する工程と、
該再蒸発層上に該内部電流狭窄層を形成する工程と、
該内部電流狭窄層の一部をエッチングして開口部を形成し、該再蒸発層の表面を部分的に露出させるエッチング工程と、
露出された該再蒸発層を蒸発させる工程と、
該内部電流狭窄層の該開口部を埋めるように該再成長層を形成する工程と、
を包含している、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
前記エッチング工程は、前記内部電流狭窄層に対するエッチングレートよりも前記再蒸発層に対するエッチングレートが低くなるようにしてエッチングされる、請求項９に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
前記再蒸発層の露出部分を蒸発させる工程において、５００から７５０℃の範囲の温度で熱処理を行う請求項９に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
前記クラッド層をＡｌ _xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ＜１）から形成し、
前記活性層をＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１、ｘ＝０のときｙ＞０）から形成し、
前記再蒸発層をＩｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ（０＜ｚ≦１）から形成し、
前記内部電流狭窄層をＡｌ _ｗＧａ_１−ｗＮ（０≦ｗ≦１）から形成する、請求項９〜１１のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。