JPH1096332A - クリーンルーム - Google Patents
クリーンルームInfo
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- JPH1096332A JPH1096332A JP8249529A JP24952996A JPH1096332A JP H1096332 A JPH1096332 A JP H1096332A JP 8249529 A JP8249529 A JP 8249529A JP 24952996 A JP24952996 A JP 24952996A JP H1096332 A JPH1096332 A JP H1096332A
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- chemical
- clean room
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
- F24F3/00—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems
- F24F3/12—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling
- F24F3/16—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling by purification, e.g. by filtering; by sterilisation; by ozonisation
- F24F3/167—Clean rooms, i.e. enclosed spaces in which a uniform flow of filtered air is distributed
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0602—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Ventilation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置製造工程において、化学物質を使
用する製造装置からの化学物質の拡散を完全に防止でき
ると共に、半導体ウェハの搬送時や保管時等のケミカル
汚染を防止するための必要に応じた空調管理を低コスト
で行えるクリーンルームを提供する。 【解決手段】 クリーンルーム１を空調系統が独立した
複数のエリアに分離し、化学物質を漏出する製造装置６
ａを配置した第二のクリーンルーム１ｂでは、循環ダク
ト１３にケミカルフィルタ設置し作業ゾーン５で生じた
ケミカルミストを除去したエアを天井チャンバー４に循
環する空調方式を採用し、異なる空調系統を有するエリ
アへのケミカルミストの拡散を防止している。また、搬
送装置７ａ、７ｂや保管装置８ａ、８ｂ等が設置された
第一のクリーンルーム１ａでは、ケミカルフリーエアを
必要な領域にのみ局所的に供給する空調方式を採用す
る。
用する製造装置からの化学物質の拡散を完全に防止でき
ると共に、半導体ウェハの搬送時や保管時等のケミカル
汚染を防止するための必要に応じた空調管理を低コスト
で行えるクリーンルームを提供する。 【解決手段】 クリーンルーム１を空調系統が独立した
複数のエリアに分離し、化学物質を漏出する製造装置６
ａを配置した第二のクリーンルーム１ｂでは、循環ダク
ト１３にケミカルフィルタ設置し作業ゾーン５で生じた
ケミカルミストを除去したエアを天井チャンバー４に循
環する空調方式を採用し、異なる空調系統を有するエリ
アへのケミカルミストの拡散を防止している。また、搬
送装置７ａ、７ｂや保管装置８ａ、８ｂ等が設置された
第一のクリーンルーム１ａでは、ケミカルフリーエアを
必要な領域にのみ局所的に供給する空調方式を採用す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置等の
製造が行われるクリーンルームに関するものである。
製造が行われるクリーンルームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置は、クリーンルームの
環境からの汚染により製品歩留りが低下するため、温湿
度が制御されると共に通常数ミクロンレベルの異物が除
去されたクリーンルーム内で製造されている。
環境からの汚染により製品歩留りが低下するため、温湿
度が制御されると共に通常数ミクロンレベルの異物が除
去されたクリーンルーム内で製造されている。
【０００３】図２は従来のクリーンルームを示す図であ
る。図において、１はクリーンルーム、２は外気を取り
入れ温湿度を制御後クリーンルーム１にエアを供給する
外調機で、外気導入用ファンと加熱・冷却ファンおよび
加湿器を有している。クリーンルーム１は、外調機２か
らエアが供給される天井チャンバー４と、製造装置６、
６ａや天井走行方式等の搬送装置７、循環装置を内蔵し
た保管装置８等が配置され作業が行われる作業ゾーン５
と、動力供給設備や環境保全設備等が配置されたユーテ
ィリティゾーン９から構成されており、天井チャンバー
４と作業ゾーン５の間には天井チャンバー４のエアから
数ミクロンレベルの塵埃等の異物を除去するＨＥＰＡ
（High Efficiency Particulate Air ）フィルタあるい
はＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air ）フィルタ等
の天井フィルタ１０が配置され、作業ゾーン５は床面の
グレーチィング１２を介してユーティリティゾーン９と
接し、ユーティリティゾーン９には作業ゾーン５のエア
を循環ファン１４によりグレーチィング１２を通して吸
引しユーティリティゾーン９から天井チャンバー４にエ
アを循環させる循環ダクト１３が配置されている。１５
は循環ダクト１３に設置された循環エアの温調装置であ
る。また、硫酸、フッ酸等を使用するウェット処理装置
および有機溶剤を使用する塗布装置や現像装置等のケミ
カルミストを発生する製造装置６ａに対しては排気処理
装置６ｂへ強制排気を行うと共に、これらのケミカルミ
ストを発生する製造装置６ａの配置領域にはカーテン等
の仕切１７を設け、使用薬品から生じるケミカルミスト
の作業ゾーン５への拡散を防止している。また、クリー
ンルーム１は、外気からの異物侵入を防止するために外
気よりも陽圧状態としているが、ドアの開閉や装置から
の排気等によりクリーンルーム１内の気圧が低下するた
め、常時クリーンルーム１内の気圧を検出し、外調機２
の送風ファンの回転数を変化させて外気よりも一定値陽
圧状態になるよう圧力をコントロールしている。
る。図において、１はクリーンルーム、２は外気を取り
入れ温湿度を制御後クリーンルーム１にエアを供給する
外調機で、外気導入用ファンと加熱・冷却ファンおよび
加湿器を有している。クリーンルーム１は、外調機２か
らエアが供給される天井チャンバー４と、製造装置６、
６ａや天井走行方式等の搬送装置７、循環装置を内蔵し
た保管装置８等が配置され作業が行われる作業ゾーン５
と、動力供給設備や環境保全設備等が配置されたユーテ
ィリティゾーン９から構成されており、天井チャンバー
４と作業ゾーン５の間には天井チャンバー４のエアから
数ミクロンレベルの塵埃等の異物を除去するＨＥＰＡ
（High Efficiency Particulate Air ）フィルタあるい
はＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air ）フィルタ等
の天井フィルタ１０が配置され、作業ゾーン５は床面の
グレーチィング１２を介してユーティリティゾーン９と
接し、ユーティリティゾーン９には作業ゾーン５のエア
を循環ファン１４によりグレーチィング１２を通して吸
引しユーティリティゾーン９から天井チャンバー４にエ
アを循環させる循環ダクト１３が配置されている。１５
は循環ダクト１３に設置された循環エアの温調装置であ
る。また、硫酸、フッ酸等を使用するウェット処理装置
および有機溶剤を使用する塗布装置や現像装置等のケミ
カルミストを発生する製造装置６ａに対しては排気処理
装置６ｂへ強制排気を行うと共に、これらのケミカルミ
ストを発生する製造装置６ａの配置領域にはカーテン等
の仕切１７を設け、使用薬品から生じるケミカルミスト
の作業ゾーン５への拡散を防止している。また、クリー
ンルーム１は、外気からの異物侵入を防止するために外
気よりも陽圧状態としているが、ドアの開閉や装置から
の排気等によりクリーンルーム１内の気圧が低下するた
め、常時クリーンルーム１内の気圧を検出し、外調機２
の送風ファンの回転数を変化させて外気よりも一定値陽
圧状態になるよう圧力をコントロールしている。
【０００４】半導体装置の高集積化によるパターンの微
細化、膜厚の薄膜化に伴い、半導体装置が製造されるク
リーンルーム内の空気に含まれる有機物や無機物からな
るサブミクロンレベルのケミカルミストによるケミカル
汚染も問題視されるようになった。ケミカル汚染の原因
となるケミカルミストとしては、クリーンルーム内のウ
ェット処理装置等で使用される薬品からの蒸発ガスだけ
でなく、取り入れた外気に混入していた硫化系ガスや酸
系ガス、クリーンルームの壁のコンクリートや製造装置
の塗装からの蒸発ガス等があり、以下に示すような悪影
響を半導体装置に与えている。 １．塩素系ガスや酸系ガスは半導体装置に用いられてい
る金属等に腐食を生じさせ、半導体装置の信頼性を低下
させる。特に、Ａｌ配線においては、腐食により配線抵
抗が増加したり断線等が生じトランジスタ特性変化や機
能喪失を発生させる。 ２．ＣＶＤ法による成膜においては、成膜面の汚染によ
り成膜層の異常成長が生じパターン形成異常が発生し易
くなる。 ３．フッ素系ガスは表面状態を変質させ、ナトリウムイ
オンは酸化膜を増殖酸化させて酸化膜厚異常を生じさ
せ、トランジスタ特性を変化させる。
細化、膜厚の薄膜化に伴い、半導体装置が製造されるク
リーンルーム内の空気に含まれる有機物や無機物からな
るサブミクロンレベルのケミカルミストによるケミカル
汚染も問題視されるようになった。ケミカル汚染の原因
となるケミカルミストとしては、クリーンルーム内のウ
ェット処理装置等で使用される薬品からの蒸発ガスだけ
でなく、取り入れた外気に混入していた硫化系ガスや酸
系ガス、クリーンルームの壁のコンクリートや製造装置
の塗装からの蒸発ガス等があり、以下に示すような悪影
響を半導体装置に与えている。 １．塩素系ガスや酸系ガスは半導体装置に用いられてい
る金属等に腐食を生じさせ、半導体装置の信頼性を低下
させる。特に、Ａｌ配線においては、腐食により配線抵
抗が増加したり断線等が生じトランジスタ特性変化や機
能喪失を発生させる。 ２．ＣＶＤ法による成膜においては、成膜面の汚染によ
り成膜層の異常成長が生じパターン形成異常が発生し易
くなる。 ３．フッ素系ガスは表面状態を変質させ、ナトリウムイ
オンは酸化膜を増殖酸化させて酸化膜厚異常を生じさ
せ、トランジスタ特性を変化させる。
【０００５】図３は、クリーンルーム１のエアの循環系
にケミカルミストを除去できるケミカルフィルタ１６
ａ、１６ｂ、１６ｃを配置した例を示している。１６ａ
はグレーチィング１２の下に配置されたケミカルフィル
タ、１６ｂはユーティリティゾーン９から天井チャンバ
ー４にエアを循環させる循環ダクト１３に配置されたケ
ミカルフィルタ、１６ｃは天井フィルタ１０に追加した
ケミカルフィルタである。ケミカルフィルタ１６ａ、１
６ｂ、１６ｃの少なくともいずれか一個をクリーンルー
ム１内に配置することにより、作業ゾーン５からケミカ
ルミストを除去している。
にケミカルミストを除去できるケミカルフィルタ１６
ａ、１６ｂ、１６ｃを配置した例を示している。１６ａ
はグレーチィング１２の下に配置されたケミカルフィル
タ、１６ｂはユーティリティゾーン９から天井チャンバ
ー４にエアを循環させる循環ダクト１３に配置されたケ
ミカルフィルタ、１６ｃは天井フィルタ１０に追加した
ケミカルフィルタである。ケミカルフィルタ１６ａ、１
６ｂ、１６ｃの少なくともいずれか一個をクリーンルー
ム１内に配置することにより、作業ゾーン５からケミカ
ルミストを除去している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のクリーンルーム
は以上のように構成されており、半導体装置の製造工程
における半導体ウェハのケミカル汚染が問題になってお
り、ケミカル汚染の原因となるケミカルミストの発生源
の一つである硫酸、フッ酸等を使用するウェット処理装
置および有機溶剤を使用する塗布装置や現像装置等のケ
ミカルミストを発生する装置６ａからのケミカルミスト
の拡散を防止するために、装置から強制排気を行うと共
に、これらのケミカルミストを発生する製造装置６ａの
配置領域にはカーテン等の仕切１７を設けているが、ケ
ミカルミストの拡散を完全に防止することはできず、搬
送時および保管時の半導体ウェハがケミカル汚染される
などの問題があった。また、クリーンルーム１のエアの
循環系にケミカルミストを除去できるケミカルフィルタ
１６ａ〜１６ｃを配置し、クリーンルーム１内を循環し
ている全てのエアをケミカルフィルタ１６ａ〜１６ｃを
通過させることにより、クリーンルーム１の作業ゾーン
５からケミカルミストを除去する方法が提案されている
が、空調設備のイニシャルコストおよびランニングコス
トが高くなるなどの問題があった。
は以上のように構成されており、半導体装置の製造工程
における半導体ウェハのケミカル汚染が問題になってお
り、ケミカル汚染の原因となるケミカルミストの発生源
の一つである硫酸、フッ酸等を使用するウェット処理装
置および有機溶剤を使用する塗布装置や現像装置等のケ
ミカルミストを発生する装置６ａからのケミカルミスト
の拡散を防止するために、装置から強制排気を行うと共
に、これらのケミカルミストを発生する製造装置６ａの
配置領域にはカーテン等の仕切１７を設けているが、ケ
ミカルミストの拡散を完全に防止することはできず、搬
送時および保管時の半導体ウェハがケミカル汚染される
などの問題があった。また、クリーンルーム１のエアの
循環系にケミカルミストを除去できるケミカルフィルタ
１６ａ〜１６ｃを配置し、クリーンルーム１内を循環し
ている全てのエアをケミカルフィルタ１６ａ〜１６ｃを
通過させることにより、クリーンルーム１の作業ゾーン
５からケミカルミストを除去する方法が提案されている
が、空調設備のイニシャルコストおよびランニングコス
トが高くなるなどの問題があった。
【０００７】この発明は、上記のような問題を解決する
ためになされたもので、半導体装置製造工程において、
酸や有機溶剤等の薬品を使用する装置からのケミカルミ
ストの拡散を完全に防止すると共に、半導体ウェハの搬
送時や保管時等のケミカル汚染を防止するための必要に
応じた空調管理を低コストで行えるクリーンルームを提
供することを目的とする。
ためになされたもので、半導体装置製造工程において、
酸や有機溶剤等の薬品を使用する装置からのケミカルミ
ストの拡散を完全に防止すると共に、半導体ウェハの搬
送時や保管時等のケミカル汚染を防止するための必要に
応じた空調管理を低コストで行えるクリーンルームを提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係わるクリー
ンルームは、外調機により温湿度が制御されたエアが供
給される天井チャンバーと、高性能フィルタが配置され
た天井フィルタ部と、天井チャンバーのエアが天井フィ
ルタ部により清浄化されて供給される作業ゾーンと、作
業ゾーンのグレーチィング床下に位置し、動力供給設備
や環境保全設備等が配置されたユーティリティゾーンと
を有する複数のエリアと、各エリア毎に作業ゾーンのエ
アをユーティリティゾーンから天井チャンバーに循環さ
せる循環ダクトを備え、エリアは各別に空調管理される
ものである。さらに、複数のエリアは、仕切りを隔てて
隣接しているものである。さらに、隣接するエリア間
は、より高清浄度に管理されるエリア側のエア圧力が、
隣接する他のエリアのエア圧力より陽圧状態になるよう
調整されるものである。
ンルームは、外調機により温湿度が制御されたエアが供
給される天井チャンバーと、高性能フィルタが配置され
た天井フィルタ部と、天井チャンバーのエアが天井フィ
ルタ部により清浄化されて供給される作業ゾーンと、作
業ゾーンのグレーチィング床下に位置し、動力供給設備
や環境保全設備等が配置されたユーティリティゾーンと
を有する複数のエリアと、各エリア毎に作業ゾーンのエ
アをユーティリティゾーンから天井チャンバーに循環さ
せる循環ダクトを備え、エリアは各別に空調管理される
ものである。さらに、複数のエリアは、仕切りを隔てて
隣接しているものである。さらに、隣接するエリア間
は、より高清浄度に管理されるエリア側のエア圧力が、
隣接する他のエリアのエア圧力より陽圧状態になるよう
調整されるものである。
【０００９】また、エリアのーつである第一のエリアの
作業ゾーンには、化学物質を殆ど使用せず、あるいは化
学物質を漏出する可能性の低い装置が配置されているも
のである。さらに、 第一のエリアの作業ゾーンの所定
領域には、作業ゾーンの他の領域より、より高清浄度に
管理されたエアを供給する空調方式が採用されているも
のである。また、より高清浄度に管理されたエアは、天
井フィルタ部の高性能フィルタおよび追加配置されたケ
ミカルフィルタと送風ファンから構成されるファンフィ
ルタユニットを通過したエアである。また、より高清浄
度に管理されたエアは、別置きのケミカルフィルタおよ
び高性能フィルタが設けられたケミカルフリーエアの供
給装置から供給され、作業ゾーン内に設置された案内路
を介して直接所定領域に供給されるものである。
作業ゾーンには、化学物質を殆ど使用せず、あるいは化
学物質を漏出する可能性の低い装置が配置されているも
のである。さらに、 第一のエリアの作業ゾーンの所定
領域には、作業ゾーンの他の領域より、より高清浄度に
管理されたエアを供給する空調方式が採用されているも
のである。また、より高清浄度に管理されたエアは、天
井フィルタ部の高性能フィルタおよび追加配置されたケ
ミカルフィルタと送風ファンから構成されるファンフィ
ルタユニットを通過したエアである。また、より高清浄
度に管理されたエアは、別置きのケミカルフィルタおよ
び高性能フィルタが設けられたケミカルフリーエアの供
給装置から供給され、作業ゾーン内に設置された案内路
を介して直接所定領域に供給されるものである。
【００１０】また、エリアの一つである第二のエリアの
作業ゾーンには、化学物質を多量に使用し、化学物質を
漏出する可能性の高い装置が配置されているものであ
る。さらに、第二のエリアの作業ゾーンには、全体に同
じ清浄度のエアが供給されると共に、循環ダクトにケミ
カルフィルタが追加配置され、装置から漏出したケミカ
ルミストを除去したケミカルフリーエアが作業ゾーンに
供給されるものである。また、ケミカルフリーエアの供
給装置から供給されるエア、およびファンフィルタユニ
ットを通過したエアの化学物質の含有レベルは、１ｐｐ
ｔ〜１ｆである。
作業ゾーンには、化学物質を多量に使用し、化学物質を
漏出する可能性の高い装置が配置されているものであ
る。さらに、第二のエリアの作業ゾーンには、全体に同
じ清浄度のエアが供給されると共に、循環ダクトにケミ
カルフィルタが追加配置され、装置から漏出したケミカ
ルミストを除去したケミカルフリーエアが作業ゾーンに
供給されるものである。また、ケミカルフリーエアの供
給装置から供給されるエア、およびファンフィルタユニ
ットを通過したエアの化学物質の含有レベルは、１ｐｐ
ｔ〜１ｆである。
【００１１】
実施の形態１．以下、この発明の一実施の形態であるク
リーンルームを図について説明する。図１は本発明のク
リーンルームを示す模式図である。図において、１はク
リーンルーム、１ａ、１ｂはクリーンルーム１内に形成
され、独立した空調系統を有する第一、第二のクリーン
ルーム、２は外気を取り入れ温湿度を制御後クリーンル
ーム１にエアを供給する外調機、３はケミカルフィルタ
およびＨＥＰＡフィルタあるいはＵＬＰＡフィルタが設
置されたケミカルフリーエアの供給装置、４は外調機２
からエアが供給される天井チャンバー、５は製造装置
６、６ａおよび搬送装置７ａ、７ｂや保管装置８ａ、８
ｂ等が配置され作業が行われる作業ゾーン、９は動力供
給設備や環境保全設備等が配置されたユーティリティゾ
ーン、１０は天井チャンバー４と作業ゾーン５の間に設
置されたＨＥＰＡフィルタあるいはＵＬＰＡフィルタ等
の天井フィルタで、天井チャンバー４のエアから０．１
ミクロン以上の異物を９９．９９％以上除去したクリー
ンエアを作業ゾーン５に供給する。１１はケミカルフィ
ルタおよび送風ファンから構成されたファンフィルタユ
ニットで、必要に応じて天井フィルタ１０に追加配置さ
れ、ケミカルミストを除去したクリーンなケミカルフリ
ーエアを作業ゾーン５の所定領域に供給している。１２
は作業ゾーン５床面のグレーチィング、１３は作業ゾー
ン５のエアをユーティリティゾーン９に設けられた循環
ファン１４によりグレーチィング１２を通して吸引し、
ユーティリティゾーン９から天井チャンバー４にエアを
循環させる循環ダクト、１５は循環ダクト１３に設置さ
れた循環エアの温調装置である。１６は循環ダクト１３
に設置されたケミカルフィルタで、ケミカルミストを除
去したケミカルフリーエアを循環ダクト１３を介して天
井チャンバー４に供給する。なお、ケミカルフリーエア
はケミカル汚染の原因となるケミカルミストが１ｐｐｔ
〜１ｆの範囲の濃度に制御されたエアである。
リーンルームを図について説明する。図１は本発明のク
リーンルームを示す模式図である。図において、１はク
リーンルーム、１ａ、１ｂはクリーンルーム１内に形成
され、独立した空調系統を有する第一、第二のクリーン
ルーム、２は外気を取り入れ温湿度を制御後クリーンル
ーム１にエアを供給する外調機、３はケミカルフィルタ
およびＨＥＰＡフィルタあるいはＵＬＰＡフィルタが設
置されたケミカルフリーエアの供給装置、４は外調機２
からエアが供給される天井チャンバー、５は製造装置
６、６ａおよび搬送装置７ａ、７ｂや保管装置８ａ、８
ｂ等が配置され作業が行われる作業ゾーン、９は動力供
給設備や環境保全設備等が配置されたユーティリティゾ
ーン、１０は天井チャンバー４と作業ゾーン５の間に設
置されたＨＥＰＡフィルタあるいはＵＬＰＡフィルタ等
の天井フィルタで、天井チャンバー４のエアから０．１
ミクロン以上の異物を９９．９９％以上除去したクリー
ンエアを作業ゾーン５に供給する。１１はケミカルフィ
ルタおよび送風ファンから構成されたファンフィルタユ
ニットで、必要に応じて天井フィルタ１０に追加配置さ
れ、ケミカルミストを除去したクリーンなケミカルフリ
ーエアを作業ゾーン５の所定領域に供給している。１２
は作業ゾーン５床面のグレーチィング、１３は作業ゾー
ン５のエアをユーティリティゾーン９に設けられた循環
ファン１４によりグレーチィング１２を通して吸引し、
ユーティリティゾーン９から天井チャンバー４にエアを
循環させる循環ダクト、１５は循環ダクト１３に設置さ
れた循環エアの温調装置である。１６は循環ダクト１３
に設置されたケミカルフィルタで、ケミカルミストを除
去したケミカルフリーエアを循環ダクト１３を介して天
井チャンバー４に供給する。なお、ケミカルフリーエア
はケミカル汚染の原因となるケミカルミストが１ｐｐｔ
〜１ｆの範囲の濃度に制御されたエアである。
【００１２】クリーンルーム１は、搬送装置７ａ、７ｂ
や保管装置８ａ、８ｂおよび化学物質を殆ど使用せず、
あるいは化学物質を漏出する可能性の低い装置６が配置
された第一のクリーンルーム１ａや、化学物質を多量に
使用し、化学物質を漏出する可能性の高い装置６ａが配
置された第二のクリーンルーム１ｂ等、空調系統が独立
したエリアに分離され、要求される清浄度およびその清
浄度が必要な領域に応じて空調方式が選択されている。
また、クリーンルーム１は、外気からの異物侵入を防止
するために、ドアの開閉や排気等のよる気圧の低下を考
慮し、常時クリーンルーム１内の気圧を検出し外調機２
の送風ファンの回転数を変化させて、外気よりも一定値
陽圧状態になるよう圧力がコントロールされているが、
クリーンルーム１内に形成され空調系統が独立したエリ
ア間においても、より高清浄度に管理されるエリア側の
エア圧力が、隣接する他のエリアのエア圧力より陽圧状
態になるようコントロールされる。
や保管装置８ａ、８ｂおよび化学物質を殆ど使用せず、
あるいは化学物質を漏出する可能性の低い装置６が配置
された第一のクリーンルーム１ａや、化学物質を多量に
使用し、化学物質を漏出する可能性の高い装置６ａが配
置された第二のクリーンルーム１ｂ等、空調系統が独立
したエリアに分離され、要求される清浄度およびその清
浄度が必要な領域に応じて空調方式が選択されている。
また、クリーンルーム１は、外気からの異物侵入を防止
するために、ドアの開閉や排気等のよる気圧の低下を考
慮し、常時クリーンルーム１内の気圧を検出し外調機２
の送風ファンの回転数を変化させて、外気よりも一定値
陽圧状態になるよう圧力がコントロールされているが、
クリーンルーム１内に形成され空調系統が独立したエリ
ア間においても、より高清浄度に管理されるエリア側の
エア圧力が、隣接する他のエリアのエア圧力より陽圧状
態になるようコントロールされる。
【００１３】搬送装置７ａ、７ｂや保管装置８ａ、８ｂ
および化学物質を殆ど使用せず、あるいは化学物質を漏
出する可能性の低い装置６が配置された第一のクリーン
ルーム１ａにおいては、ケミカルフリーエアが必要な作
業ゾーン５の領域の天井フィルタ１０にファンフィルタ
ユニット１１を追加配置し、天井走行方式の搬送装置７
ａや開放型の保管庫８ａにクリーンなケミカルフリーエ
アを供給したり、密閉構造の搬送路を有する搬送装置７
ｂや密閉構造の保管庫８ｂには、ケミカルフリーエアの
供給装置３から供給されたケミカルフリーエアを、配管
を介して直接供給する等、局所的にクリーンなケミカル
フリーエアを供給する空調方式が採用されている。
および化学物質を殆ど使用せず、あるいは化学物質を漏
出する可能性の低い装置６が配置された第一のクリーン
ルーム１ａにおいては、ケミカルフリーエアが必要な作
業ゾーン５の領域の天井フィルタ１０にファンフィルタ
ユニット１１を追加配置し、天井走行方式の搬送装置７
ａや開放型の保管庫８ａにクリーンなケミカルフリーエ
アを供給したり、密閉構造の搬送路を有する搬送装置７
ｂや密閉構造の保管庫８ｂには、ケミカルフリーエアの
供給装置３から供給されたケミカルフリーエアを、配管
を介して直接供給する等、局所的にクリーンなケミカル
フリーエアを供給する空調方式が採用されている。
【００１４】また、化学物質を多量に使用し、化学物質
を漏出する可能性の高い装置６ａが配置された第二のク
リーンルーム１ｂにおいては、循環ダクト１３にケミカ
ルフィルタ１６を設置し、作業ゾーン５で発生したケミ
カルミストを除去したケミカルフリーエアを天井チャン
バー４に循環させる空調方式が採用されている。なお、
ケミカルフィルタ１６は、循環ダクト１３のどの位置に
配置してもケミカルミストを除去して天井チャンバー４
にケミカルフリーエアを供給することはできるが、循環
系の上流部分である循環ダクト１３の入口部分に配置す
ることにより、ダクト壁への汚染を防止することができ
る。また、第二のクリーンルーム１ｂ内の気圧は、第一
のクリーンルーム１ａへの汚染を防止するために第一の
クリーンルーム１ａよりも負圧状態とし、外気からの汚
染を防止するために外気よりも陽圧状態になるようコン
トロールされている。
を漏出する可能性の高い装置６ａが配置された第二のク
リーンルーム１ｂにおいては、循環ダクト１３にケミカ
ルフィルタ１６を設置し、作業ゾーン５で発生したケミ
カルミストを除去したケミカルフリーエアを天井チャン
バー４に循環させる空調方式が採用されている。なお、
ケミカルフィルタ１６は、循環ダクト１３のどの位置に
配置してもケミカルミストを除去して天井チャンバー４
にケミカルフリーエアを供給することはできるが、循環
系の上流部分である循環ダクト１３の入口部分に配置す
ることにより、ダクト壁への汚染を防止することができ
る。また、第二のクリーンルーム１ｂ内の気圧は、第一
のクリーンルーム１ａへの汚染を防止するために第一の
クリーンルーム１ａよりも負圧状態とし、外気からの汚
染を防止するために外気よりも陽圧状態になるようコン
トロールされている。
【００１５】この実施の形態１によれば、クリーンルー
ム１を独立した空調系統を有する複数のエリアに分離
し、化学物質を多量に使用し、ケミカルミストを発生す
る製造装置６ａをまとめて一個の第二のクリーンルーム
１ｂに配置することにより、異なる空調系統を有するエ
リアへのケミカルミストの拡散を防止できる。また、搬
送装置７ａ、７ｂや保管装置８ａ、８ｂ等が配置された
第一のクリーンルーム１ａにおいては、必要に応じて局
所的にクリーンなケミカルフリーエアを供給することに
より、空調設備のコストを低減することができる。
ム１を独立した空調系統を有する複数のエリアに分離
し、化学物質を多量に使用し、ケミカルミストを発生す
る製造装置６ａをまとめて一個の第二のクリーンルーム
１ｂに配置することにより、異なる空調系統を有するエ
リアへのケミカルミストの拡散を防止できる。また、搬
送装置７ａ、７ｂや保管装置８ａ、８ｂ等が配置された
第一のクリーンルーム１ａにおいては、必要に応じて局
所的にクリーンなケミカルフリーエアを供給することに
より、空調設備のコストを低減することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、クリ
ーンルームを独立した空調系統を有する複数のエリアに
分離することにより、各エリア間のクロスコンタミネー
ションを防止できると共に、より高清浄度に管理された
エアが要求される場合でも、必要な領域にのみ適した空
調方式によって最小限の量を供給することができるた
め、空調設備のコストを抑制できる。
ーンルームを独立した空調系統を有する複数のエリアに
分離することにより、各エリア間のクロスコンタミネー
ションを防止できると共に、より高清浄度に管理された
エアが要求される場合でも、必要な領域にのみ適した空
調方式によって最小限の量を供給することができるた
め、空調設備のコストを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１によるクリーンルー
ムを示す模式図である。
ムを示す模式図である。
【図２】 従来のこの種クリーンルームを示す模式図で
ある。
ある。
【図３】 従来の他のクリーンルームを示す模式図であ
る。
る。
１ クリーンルーム、１ａ 第一のクリーンルーム、１
ｂ 第二のクリーンルーム、２ 外調機、３ ケミカル
フリーエア供給装置、４ 天井チャンバー、５ 作業ゾ
ーン、６ 製造装置、６ａ ケミカルミストを発生する
製造装置、７ａ、７ｂ 搬送装置、８ａ、８ｂ 保管装
置、９ ユーティリティゾーン、１０ 天井フィルタ、
１１ ファンフィルタユニット、１２ グレーチィン
グ、１３ 循環ダクト、１４ 循環ファン、１５ 温調
装置、１６ ケミカルフィルタ、１７ 仕切り。
ｂ 第二のクリーンルーム、２ 外調機、３ ケミカル
フリーエア供給装置、４ 天井チャンバー、５ 作業ゾ
ーン、６ 製造装置、６ａ ケミカルミストを発生する
製造装置、７ａ、７ｂ 搬送装置、８ａ、８ｂ 保管装
置、９ ユーティリティゾーン、１０ 天井フィルタ、
１１ ファンフィルタユニット、１２ グレーチィン
グ、１３ 循環ダクト、１４ 循環ファン、１５ 温調
装置、１６ ケミカルフィルタ、１７ 仕切り。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江崎 浩治 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 外調機により外気を所定の温湿度および
所定の除塵レベルに制御されたエアが供給される天井チ
ャンバーと、 高性能フィルタが配置された天井フィルタ部と、 上記天井チャンバーのエアが上記天井フィルタ部により
清浄化されて供給される作業ゾーンと、 上記作業ゾーンのグレーチィング床下に位置し、動力供
給設備や環境保全設備等が配置されたユーティリティゾ
ーンとをそれぞれ有する複数のエリア、 上記作業ゾーンのエアを上記ユーティリティゾーンを経
て上記天井チャンバーに各エリア毎に循環させる循環ダ
クトを備え、上記エリアは各別に空調管理されることを
特徴とするクリーンルーム。 - 【請求項２】 複数のエリアは、仕切りを隔てて隣接し
ていることを特徴とする請求項１記載のクリーンルー
ム。 - 【請求項３】 隣接するエリア間は、より高清浄度に管
理されるエリア側のエア圧力が、隣接する他のエリアの
エア圧力より陽圧状態になるよう調整されることを特徴
とする請求項２記載のクリーンルーム。 - 【請求項４】 エリアの一つである第一のエリアの作業
ゾーンには、化学物質を殆ど使用せず、あるいは化学物
質を漏出する可能性の低い装置が配置されていることを
特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のクリーン
ルーム。 - 【請求項５】 第一のエリアの作業ゾーンの所定領域に
は、上記作業ゾーンの他の領域よりも、より高清浄度に
管理されたエアを供給する空調方式が採用されているこ
とを特徴とする請求項４記載のクリーンルーム。 - 【請求項６】 より高清浄度に管理されたエアは、天井
フィルタ部の高性能フィルタおよび追加配置されたケミ
カルフィルタと送風ファンから構成されるファンフィル
タユニットを通過したエアであることを特徴とする請求
項５記載のクリーンルーム。 - 【請求項７】 より高清浄度に管理されたエアは、別置
きのケミカルフィルタおよび高性能フィルタが設けられ
たケミカルフリーエアの供給装置から供給され、作業ゾ
ーン内に設置された案内路を介して直接所定領域に供給
されることを特徴とする請求項５記載のクリーンルー
ム。 - 【請求項８】 エリアの一つである第二のエリアの作業
ゾーンには、化学物質を多量に使用し、化学物質を漏出
する可能性の高い装置が配置されていることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれか一項記載のクリーンルーム。 - 【請求項９】 第二のエリアの作業ゾーンには、全体に
同じ清浄度のエアが供給されると共に、循環ダクトにケ
ミカルフィルタが追加配置され、装置から漏出したケミ
カルミストを除去したケミカルフリーエアが上記作業ゾ
ーンに供給されることを特徴とする請求項８記載のクリ
ーンルーム。 - 【請求項１０】 ケミカルフリーエアの供給装置から供
給されるエア、およびファンフィルタユニットを通過し
たエアの化学物質の含有レベルは、１ｐｐｔ〜１ｆであ
ることを特徴とする請求項６、請求項７、請求項９のい
ずれか一項記載のクリーンルーム。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8249529A JPH1096332A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | クリーンルーム |
| TW086104483A TW365641B (en) | 1996-09-20 | 1997-04-09 | Clean room |
| KR1019970014470A KR19980024008A (ko) | 1996-09-20 | 1997-04-18 | 클린 룸 |
| DE19723954A DE19723954A1 (de) | 1996-09-20 | 1997-06-06 | Reinraum |
| CNB971154422A CN1135331C (zh) | 1996-09-20 | 1997-07-21 | 净化室 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8249529A JPH1096332A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | クリーンルーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1096332A true JPH1096332A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=17194345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8249529A Pending JPH1096332A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | クリーンルーム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1096332A (ja) |
| KR (1) | KR19980024008A (ja) |
| CN (1) | CN1135331C (ja) |
| DE (1) | DE19723954A1 (ja) |
| TW (1) | TW365641B (ja) |
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| US6869457B2 (en) | 2000-11-08 | 2005-03-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Clean room for semiconductor device |
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| CN106760700A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-31 | 中国铁塔股份有限公司长春市分公司 | 一种基站机房 |
| WO2019176424A1 (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 信越半導体株式会社 | シリコン多結晶充填作業用のクリーンブース |
| CN110469160A (zh) * | 2019-08-12 | 2019-11-19 | 中国电子工程设计院有限公司 | 一种具有二次加湿系统的洁净室布置结构及洁净生产厂房 |
| JPWO2021111550A1 (ja) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | ||
| EP4006434A4 (en) * | 2019-07-23 | 2022-08-31 | China Electronics Engineering Design Institute Co., Ltd. | CLEAN WORKSHOP CONTROLLABLE IN A PARTITIONING MODE |
| JPWO2022254705A1 (ja) * | 2021-06-04 | 2022-12-08 |
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| JP2005340435A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Alps Electric Co Ltd | クリーンユニット |
| DE102004049520A1 (de) * | 2004-10-11 | 2006-04-13 | Alfred Reinicke | Verfahren und Anlage zur Belüftung von Reinräumen |
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| DE102007062813B4 (de) | 2007-12-21 | 2009-11-12 | Khs Ag | Trennwand, insbesondere zur Einhausung von Verpackungsmaschinen für Lebensmittel |
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1996
- 1996-09-20 JP JP8249529A patent/JPH1096332A/ja active Pending
-
1997
- 1997-04-09 TW TW086104483A patent/TW365641B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-04-18 KR KR1019970014470A patent/KR19980024008A/ko not_active Ceased
- 1997-06-06 DE DE19723954A patent/DE19723954A1/de not_active Withdrawn
- 1997-07-21 CN CNB971154422A patent/CN1135331C/zh not_active Expired - Fee Related
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