JPH11100672A - プラズマ気相反応装置 - Google Patents
プラズマ気相反応装置Info
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- JPH11100672A JPH11100672A JP26117397A JP26117397A JPH11100672A JP H11100672 A JPH11100672 A JP H11100672A JP 26117397 A JP26117397 A JP 26117397A JP 26117397 A JP26117397 A JP 26117397A JP H11100672 A JPH11100672 A JP H11100672A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、電極材料の選択の自由度が高
く、且つ複数の開口が精度良く形成され、各所で均一な
処理が可能なプラズマ気相反応装置を提供することを目
的としている。 【解決手段】 １気圧以下の減圧状態に維持可能な反応
容器421 と、反応容器421 内に対向配置される第１、第
２電極431,441 と、ガスを導入するガス導入手段と、反
応容器421 内を排気する排気手段403 とを備えたプラズ
マ気相反応装置1であって、第２電極441 は第１電極431
に対向するガス調整プレート449 と、ガス調整プレー
ト449 に積層される主電極プレート447 とを備え、ガス
導入手段からのガスを被処理基板に導くためのガス調整
プレート449 と主電極プレート447とを貫通する複数の
開口445 を含む。
く、且つ複数の開口が精度良く形成され、各所で均一な
処理が可能なプラズマ気相反応装置を提供することを目
的としている。 【解決手段】 １気圧以下の減圧状態に維持可能な反応
容器421 と、反応容器421 内に対向配置される第１、第
２電極431,441 と、ガスを導入するガス導入手段と、反
応容器421 内を排気する排気手段403 とを備えたプラズ
マ気相反応装置1であって、第２電極441 は第１電極431
に対向するガス調整プレート449 と、ガス調整プレー
ト449 に積層される主電極プレート447 とを備え、ガス
導入手段からのガスを被処理基板に導くためのガス調整
プレート449 と主電極プレート447とを貫通する複数の
開口445 を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ装
置、プラズマエッチング装置等のプラズマ気相反応装置
に関する。
置、プラズマエッチング装置等のプラズマ気相反応装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ気相反応装置、例えばプラズマ
ＣＶＤ装置は、半導体装置、液晶表示装置等の製造工程
で広く利用されている。特に、液晶表示装置等の平面表
示装置では、５００mm×６００mmといった大判のガラス
基板に、均一な膜厚で非晶質シリコン（a −Si:H）膜、
酸化シリコン（SiO2）膜あるいは窒化シリコン（SiNx）
膜を成膜する必要から、互いに対向配置された一対の電
極基板間に被処理基板を配置し、この電極基板間の均一
な強電解によって原料ガスをプラズマ励起せしめ、基板
上に所望の膜を堆積させる手法が採られている。
ＣＶＤ装置は、半導体装置、液晶表示装置等の製造工程
で広く利用されている。特に、液晶表示装置等の平面表
示装置では、５００mm×６００mmといった大判のガラス
基板に、均一な膜厚で非晶質シリコン（a −Si:H）膜、
酸化シリコン（SiO2）膜あるいは窒化シリコン（SiNx）
膜を成膜する必要から、互いに対向配置された一対の電
極基板間に被処理基板を配置し、この電極基板間の均一
な強電解によって原料ガスをプラズマ励起せしめ、基板
上に所望の膜を堆積させる手法が採られている。
【０００３】大面積にわたり均一な厚を堆積させるに
は、電界強度を各所で均一化させること、及び導入され
る原料ガスを各所で均一にコントロールすることが要求
される。上述した手法によれば、一対の電極基板の位置
精度及びその材料の導電性の制御等によって均一電解が
実現される。また、一方の電極に複数の開口を設け、こ
の開口から原料ガスを被処理基板に導くことにより、原
料ガスを各所で均一にコントロールすることができる。
は、電界強度を各所で均一化させること、及び導入され
る原料ガスを各所で均一にコントロールすることが要求
される。上述した手法によれば、一対の電極基板の位置
精度及びその材料の導電性の制御等によって均一電解が
実現される。また、一方の電極に複数の開口を設け、こ
の開口から原料ガスを被処理基板に導くことにより、原
料ガスを各所で均一にコントロールすることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
プラズマCVD 装置では、一方の電極基板にいかにして精
度良く複数の開口を設け、コンダクタンスを均一化する
かが、均一な膜厚分布を得る上で重要となる。
プラズマCVD 装置では、一方の電極基板にいかにして精
度良く複数の開口を設け、コンダクタンスを均一化する
かが、均一な膜厚分布を得る上で重要となる。
【０００５】現状、開口の形成は、電極基板自体に機械
加工あるいはレーザ加工を施すことにより形成するもの
であるが、精度良く開口を形成することが困難である。
このため、電極基板に開口を形成した後、個々の穴径の
測定、微調整が必要となり、このため多大な手間と費用
が必要となる。
加工あるいはレーザ加工を施すことにより形成するもの
であるが、精度良く開口を形成することが困難である。
このため、電極基板に開口を形成した後、個々の穴径の
測定、微調整が必要となり、このため多大な手間と費用
が必要となる。
【０００６】また、成膜を繰り返すと、電極基板の開口
に不要反応生成物が被着し、次第に開口を塞いでいく。
これに伴い、原料ガスの流量が変化しコンダクタンスの
不均一を生じるため、膜厚分布の均一性を確保すること
が困難となる。そこで、ＣＦ４等のエッチングガスを導
入し、この不要反応生成物を定期的に除去する、あるい
は洗浄により除去する必要がある。
に不要反応生成物が被着し、次第に開口を塞いでいく。
これに伴い、原料ガスの流量が変化しコンダクタンスの
不均一を生じるため、膜厚分布の均一性を確保すること
が困難となる。そこで、ＣＦ４等のエッチングガスを導
入し、この不要反応生成物を定期的に除去する、あるい
は洗浄により除去する必要がある。
【０００７】このためには、電極基板には、プラズマク
リーニングエッチングや洗浄に対しても十分な対腐食性
を確保する必要があることから、ハステロイ等の加工の
困難な材料を使用せざるを得ず、複数の開口を精度良く
形成することが困難となる。
リーニングエッチングや洗浄に対しても十分な対腐食性
を確保する必要があることから、ハステロイ等の加工の
困難な材料を使用せざるを得ず、複数の開口を精度良く
形成することが困難となる。
【０００８】この発明は、上述した技術課題に対処して
成されたもので、電極材料の選択の自由度が高く、且つ
複数の開口を精度良く形成することを可能にし、これに
より各所で均一な処理が可能なプラズマ気相反応装置を
提供することを目的としている。
成されたもので、電極材料の選択の自由度が高く、且つ
複数の開口を精度良く形成することを可能にし、これに
より各所で均一な処理が可能なプラズマ気相反応装置を
提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載される発
明は、１気圧以下の減圧状態に維持可能な反応容器と、
この反応容器内に対向配置される第１および第２電極
と、前記反応容器内に所望のガスを導入するガス導入手
段と、前記反応容器内を排気する排気手段とを備えたプ
ラズマ気相反応装置において、前記第１電極は被処理基
板を配置するステージを含み、前記第２電極は前記第１
電極に対向するガス調整プレートと、前記ガス調整プレ
ートに積層される主電極プレートとを備え、前記ガス導
入手段からの前記ガスを前記被処理基板に導くための前
記ガス調整プレートと前記主電極プレートとを貫通する
複数の開口を含むことを特徴とするプラズマ気相反応装
置にある。このような構成によれば、複数の開口を精度
良く形成することが可能となり、これにより各所で均一
な処理が可能なプラズマ気相反応装置が得られる。
明は、１気圧以下の減圧状態に維持可能な反応容器と、
この反応容器内に対向配置される第１および第２電極
と、前記反応容器内に所望のガスを導入するガス導入手
段と、前記反応容器内を排気する排気手段とを備えたプ
ラズマ気相反応装置において、前記第１電極は被処理基
板を配置するステージを含み、前記第２電極は前記第１
電極に対向するガス調整プレートと、前記ガス調整プレ
ートに積層される主電極プレートとを備え、前記ガス導
入手段からの前記ガスを前記被処理基板に導くための前
記ガス調整プレートと前記主電極プレートとを貫通する
複数の開口を含むことを特徴とするプラズマ気相反応装
置にある。このような構成によれば、複数の開口を精度
良く形成することが可能となり、これにより各所で均一
な処理が可能なプラズマ気相反応装置が得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例のプラズ
マＣＶＤ装置について、図面を参照して詳細に説明す
る。このプラズマＣＶＤ装置1 は液晶表示装置用に用い
られる５００mm×６００mmのガラス基板上にSiNx膜及び
a −Si:H膜を順次堆積可能に構成されるもので、図１に
示すように、中心部に共通室101 を備え、この共通室10
1 にそれぞれシャッタ211,311,411 を介して気密連結さ
れたロード／アンロード・チャンバ201 、加熱チャンバ
301 及び成膜チャンバ401 を備えて構成される。成膜チ
ャンバ401 は、要求に沿って適宜増大させることができ
る。
マＣＶＤ装置について、図面を参照して詳細に説明す
る。このプラズマＣＶＤ装置1 は液晶表示装置用に用い
られる５００mm×６００mmのガラス基板上にSiNx膜及び
a −Si:H膜を順次堆積可能に構成されるもので、図１に
示すように、中心部に共通室101 を備え、この共通室10
1 にそれぞれシャッタ211,311,411 を介して気密連結さ
れたロード／アンロード・チャンバ201 、加熱チャンバ
301 及び成膜チャンバ401 を備えて構成される。成膜チ
ャンバ401 は、要求に沿って適宜増大させることができ
る。
【００１１】共通室101 には、各チャンバ201,301,401
に被処理基板を配置させる搬送アーム121 が配置され
る。共通室101 は、図示しないが、所定の圧力に減圧維
持するための排気系に接続されると共に、室内を窒素雰
囲気とするため、例えば窒素ガス（N2）供給系に接続さ
れている。
に被処理基板を配置させる搬送アーム121 が配置され
る。共通室101 は、図示しないが、所定の圧力に減圧維
持するための排気系に接続されると共に、室内を窒素雰
囲気とするため、例えば窒素ガス（N2）供給系に接続さ
れている。
【００１２】成膜チャンバ401 について、図2 を参照し
て説明する。成膜チャンバ401 は、排気系403 に接続さ
れて減圧可能であり、また各種原料ガスを供給する原料
ガス供給系461 に接続される真空容器421 と、この真空
容器421 内に配置される被処理基板よりも大きい一対の
電極基板431,441 を含む。一対の電極基板431,441 は、
真空容器421 内に導入される原料ガスをプラズマ励起さ
せるための高周波電力源451 に接続されている。一方の
電極431 は、被処理基板を配置するステージを兼ねる。
また、他方の電極基板441 は、原料ガス供給系461 に接
続され、この原料ガスを混合する空洞部443 と、この空
洞部443 に貫通して設けられる略１０mmピッチで形成さ
れた直径０．４mmの複数の開口445 を含む。
て説明する。成膜チャンバ401 は、排気系403 に接続さ
れて減圧可能であり、また各種原料ガスを供給する原料
ガス供給系461 に接続される真空容器421 と、この真空
容器421 内に配置される被処理基板よりも大きい一対の
電極基板431,441 を含む。一対の電極基板431,441 は、
真空容器421 内に導入される原料ガスをプラズマ励起さ
せるための高周波電力源451 に接続されている。一方の
電極431 は、被処理基板を配置するステージを兼ねる。
また、他方の電極基板441 は、原料ガス供給系461 に接
続され、この原料ガスを混合する空洞部443 と、この空
洞部443 に貫通して設けられる略１０mmピッチで形成さ
れた直径０．４mmの複数の開口445 を含む。
【００１３】更に詳しくは、図３に示すように、ハステ
ロイから構成された略１０mm厚の主電極プレート447
と、この表面にスポット溶接で接続されたインコネルか
ら構成された略０．１mm厚のガス調整プレート449 とを
備えている。主電極プレート447 としてはハステロイ以
外にもアルミニウム、アルミニウム合金あるいはインコ
ネル等が使用可能であり、またガス調整プレート449 と
してはステンレス等も仕様可能である。また、ガス調整
プレート449 は、加工性を考慮すると、薄板であること
が好ましく、少なくとも主電極プレート447 よりも薄板
であって、好ましくは０．２mm以下、更に好ましくは
０．１ｍｍ以下であることが望ましい。
ロイから構成された略１０mm厚の主電極プレート447
と、この表面にスポット溶接で接続されたインコネルか
ら構成された略０．１mm厚のガス調整プレート449 とを
備えている。主電極プレート447 としてはハステロイ以
外にもアルミニウム、アルミニウム合金あるいはインコ
ネル等が使用可能であり、またガス調整プレート449 と
してはステンレス等も仕様可能である。また、ガス調整
プレート449 は、加工性を考慮すると、薄板であること
が好ましく、少なくとも主電極プレート447 よりも薄板
であって、好ましくは０．２mm以下、更に好ましくは
０．１ｍｍ以下であることが望ましい。
【００１４】主電極プレート447 に形成される開口は、
空洞部443 から５mmの深さまでは直径略３mmの第３開口
部と、更に同ピッチで形成された直径略０．４mmの第２
開口部とを備えており、第３開口部は機械加工により、
また第２開口部はレーザ加工あるいは放電加工により順
次形成される。
空洞部443 から５mmの深さまでは直径略３mmの第３開口
部と、更に同ピッチで形成された直径略０．４mmの第２
開口部とを備えており、第３開口部は機械加工により、
また第２開口部はレーザ加工あるいは放電加工により順
次形成される。
【００１５】ガス調整プレート449 に形成される第１開
口部は、上述した第２、第３開口部と同ピッチで、且つ
これら開口部よりも十分に小さい直径略０．１mmで形成
されている。この第１開口部は、フォトリソグラフィ・
エッチングにより形成されるもので、±０．２ミクロン
程度の精度にてパターニングされている。
口部は、上述した第２、第３開口部と同ピッチで、且つ
これら開口部よりも十分に小さい直径略０．１mmで形成
されている。この第１開口部は、フォトリソグラフィ・
エッチングにより形成されるもので、±０．２ミクロン
程度の精度にてパターニングされている。
【００１６】この実施例によれば、ガス流量が精度の高
いガス調整プレート449 の第１開口部により精度良く制
御できるため、ガス調整プレート449 は被処理基板の外
形寸法よりも若干大きいものの、その突出量は７ｍｍに
抑えることができ、これにより装置外形寸法を十分に小
型に構成することができた。
いガス調整プレート449 の第１開口部により精度良く制
御できるため、ガス調整プレート449 は被処理基板の外
形寸法よりも若干大きいものの、その突出量は７ｍｍに
抑えることができ、これにより装置外形寸法を十分に小
型に構成することができた。
【００１７】次に、このプラズマＣＶＤ装置1 を用いた
成膜方法について説明する。まず、図１に示すロード／
アンロード・チャンバ201 から被処理基板を搬送アーム
121 にて加熱チャンバ301 に導き、加熱処理する。
成膜方法について説明する。まず、図１に示すロード／
アンロード・チャンバ201 から被処理基板を搬送アーム
121 にて加熱チャンバ301 に導き、加熱処理する。
【００１８】しかる後に、加熱チャンバ301 から成膜チ
ャンバ401 に被処理基板を搬送する。まず、成膜チャン
バ401 を排気系403 により真空排気し、シャッタ411 を
開放して被処理基板を成膜チャンバ401 に搬送し、シャ
ッタ411 を閉じる。しかる後に、原料ガスとして200scc
m のシラン（SiH4）、1000sccmのアンモニア（NH3 ）、
7000sccmの窒素（N2）を原料ガス供給系461 より導き、
所定の圧力に調圧した後、一対の電極基板431,441 間に
1300W の高周波電圧を印加し、原料ガスをプラズマ励起
させて、被処理基板上に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜を
100nm 厚に堆積する。尚、図示しないが、一方の電極基
板431 はヒーター機能を持ち、基板温度は約300 ℃に設
定されている。
ャンバ401 に被処理基板を搬送する。まず、成膜チャン
バ401 を排気系403 により真空排気し、シャッタ411 を
開放して被処理基板を成膜チャンバ401 に搬送し、シャ
ッタ411 を閉じる。しかる後に、原料ガスとして200scc
m のシラン（SiH4）、1000sccmのアンモニア（NH3 ）、
7000sccmの窒素（N2）を原料ガス供給系461 より導き、
所定の圧力に調圧した後、一対の電極基板431,441 間に
1300W の高周波電圧を印加し、原料ガスをプラズマ励起
させて、被処理基板上に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜を
100nm 厚に堆積する。尚、図示しないが、一方の電極基
板431 はヒーター機能を持ち、基板温度は約300 ℃に設
定されている。
【００１９】このようにして所望の成膜が終了した時点
で高周波電圧の印加を停止し、成膜チャンバ401 を排気
系403 により排気した後、原料ガスとして400sccm のシ
ラン（SiH4）、1400sccmの水素ガス（H2）を原料ガス供
給系461 より導き、所定の圧力に設定する。そして、一
対の電極基板431,441 間に1500W の高周波電圧を印加
し、原料ガスをプラズマ励起させて、被処理基板上にa
−Si:H膜を50nm厚に堆積する。尚、基板温度は300 ℃に
設定されている。
で高周波電圧の印加を停止し、成膜チャンバ401 を排気
系403 により排気した後、原料ガスとして400sccm のシ
ラン（SiH4）、1400sccmの水素ガス（H2）を原料ガス供
給系461 より導き、所定の圧力に設定する。そして、一
対の電極基板431,441 間に1500W の高周波電圧を印加
し、原料ガスをプラズマ励起させて、被処理基板上にa
−Si:H膜を50nm厚に堆積する。尚、基板温度は300 ℃に
設定されている。
【００２０】このようにして所望の成膜が終了した時点
で高周波電圧の印加を停止し、成膜チャンバ401 を排気
系403 により排気する。そして、シャッタ411 を開放
し、搬送アーム121 により被処理基板を共通室101 を介
してロード／アンロード・チャンバ201 に搬送する。
で高周波電圧の印加を停止し、成膜チャンバ401 を排気
系403 により排気する。そして、シャッタ411 を開放
し、搬送アーム121 により被処理基板を共通室101 を介
してロード／アンロード・チャンバ201 に搬送する。
【００２１】このような一連の工程を順次繰り返すこと
により、被処理基板上に所望の膜を順次堆積させる。上
述した実施例によれば、成膜された各膜の膜厚は、光学
式膜厚計により測定したところ５５０mm×６５０mmのガ
ラス基板上の各所で均一であり、しかも光学式膜質計に
より測定したところ膜質も均一であることが確認され
た。
により、被処理基板上に所望の膜を順次堆積させる。上
述した実施例によれば、成膜された各膜の膜厚は、光学
式膜厚計により測定したところ５５０mm×６５０mmのガ
ラス基板上の各所で均一であり、しかも光学式膜質計に
より測定したところ膜質も均一であることが確認され
た。
【００２２】ところで、この実施例のプラズマＣＶＤ装
置1 によれば、各成膜チャンバ４０１での複数回の成膜
に関して、真空容器４２１ 内、電極基板431,441 等に
は不要反応生成物が図3 に示すように被着される。しか
しながら、この実施例では、ガス流量はガス調整プレー
ト449 により所望の値に維持され、これによりコンダク
タンスを均一に維持できるため、複数回の成膜に際して
も均一な膜厚分布並びに膜質が確保できる。
置1 によれば、各成膜チャンバ４０１での複数回の成膜
に関して、真空容器４２１ 内、電極基板431,441 等に
は不要反応生成物が図3 に示すように被着される。しか
しながら、この実施例では、ガス流量はガス調整プレー
ト449 により所望の値に維持され、これによりコンダク
タンスを均一に維持できるため、複数回の成膜に際して
も均一な膜厚分布並びに膜質が確保できる。
【００２３】上述した実施例では、電極基板441 に形成
される開口445 は、各所で同一の直径且つピッチで形成
したが、この実施例の如く電極基板441 を主電極プレー
ト447 とガス調整プレート449 とで構成することによ
り、例えば図５に示すごとく、電極基板441 の中心領域
442aと周辺領域442bとで直径、ピッチを異ならしめるこ
ともできる。例えば、中心領域442aでは上述した実施例
と同様に第3 開口部を直径0 ．1mm 、１０mmピッチで形
成し、周辺領域442bでは直径０．２mm、８mmピッチで開
口445 を形成する。即ち、周辺領域442bが中心領域442a
に比べてガス流量が増大される構成とする。
される開口445 は、各所で同一の直径且つピッチで形成
したが、この実施例の如く電極基板441 を主電極プレー
ト447 とガス調整プレート449 とで構成することによ
り、例えば図５に示すごとく、電極基板441 の中心領域
442aと周辺領域442bとで直径、ピッチを異ならしめるこ
ともできる。例えば、中心領域442aでは上述した実施例
と同様に第3 開口部を直径0 ．1mm 、１０mmピッチで形
成し、周辺領域442bでは直径０．２mm、８mmピッチで開
口445 を形成する。即ち、周辺領域442bが中心領域442a
に比べてガス流量が増大される構成とする。
【００２４】このような構成とすることにより、電極基
板441 面積を被処理基板の外形寸法に対して更に近づけ
ることが可能となり、一層の装置の小型化が達成され
る。更に、開口445 のピッチ、直径等の形状は、徐々に
流量が変化されるように構成しても構わない。いずれに
しても、ガス調整プレート449 に形成される開口はフォ
トリソグラフィによって精度良く形成され、これによっ
て基板間の電界分布、最終的な流量は決定されるため、
各種形態を容易に実現できる。
板441 面積を被処理基板の外形寸法に対して更に近づけ
ることが可能となり、一層の装置の小型化が達成され
る。更に、開口445 のピッチ、直径等の形状は、徐々に
流量が変化されるように構成しても構わない。いずれに
しても、ガス調整プレート449 に形成される開口はフォ
トリソグラフィによって精度良く形成され、これによっ
て基板間の電界分布、最終的な流量は決定されるため、
各種形態を容易に実現できる。
【００２５】この発明は、上述した実施例の形態に限定
されるものではなく、インライン式のプラズマＣＶＤ装
置においても同様に適用可能である。また、上述した実
施例は、いずれもプラズマＣＶＤ装置を例にとり説明し
たが、同様の構成で原料ガスを変更することによりプラ
ズマエッチング装置を構成できることは言うまでもな
い。
されるものではなく、インライン式のプラズマＣＶＤ装
置においても同様に適用可能である。また、上述した実
施例は、いずれもプラズマＣＶＤ装置を例にとり説明し
たが、同様の構成で原料ガスを変更することによりプラ
ズマエッチング装置を構成できることは言うまでもな
い。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、電極材料の選択の自由度が高く、且つ複数の開口が
精度良く形成され、各所で均一な処理が可能なプラズマ
気相反応装置が得られる。
ば、電極材料の選択の自由度が高く、且つ複数の開口が
精度良く形成され、各所で均一な処理が可能なプラズマ
気相反応装置が得られる。
【図１】図１は、この発明の一実施例のプラズマＣＶＤ
装置の概略構成図である。
装置の概略構成図である。
【図２】図２は、図１のプラズマＣＶＤ装置の一部概略
断面図である。
断面図である。
【図３】図３は、電極基板の一部概略断面図である。
【図４】図４は、他の実施例の電極基板の一部概略正面
図である。
図である。
1 …プラズマＣＶＤ装置 101 …共通室 201 …ロード／アンロード・チャンバ 301 …加熱チャンバ 401 …成膜チャンバ 447 …主電極プレート 449 …ガス圧調整プレート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｃ
Claims (9)
- 【請求項１】 １気圧以下の減圧状態に維持可能な反応
容器と、この反応容器内に対向配置される第１および第
２電極と、前記反応容器内に所望のガスを導入するガス
導入手段と、前記反応容器内を排気する排気手段とを備
えたプラズマ気相反応装置において、 前記第１電極は被処理基板を配置するステージを含み、 前記第２電極は前記第１電極に対向するガス調整プレー
トと、前記ガス調整プレートに積層される主電極プレー
トとを備え、前記ガス導入手段からの前記ガスを前記被
処理基板に導くための前記ガス調整プレートと前記主電
極プレートとを貫通する複数の開口を含むことを特徴と
するプラズマ気相反応装置。 - 【請求項２】 前記ガス調整プレートの開口は前記主電
極プレートの開口よりも小さいことを特徴とする請求項
１記載のプラズマ気相反応装置。 - 【請求項３】 前記ガス調整プレートの開口は０．５mm
以下であることを特徴とする請求項２記載のプラズマ気
相反応装置。 - 【請求項４】 前記ガス調整プレートの前記開口はフォ
トリソグラフィにより形成されて成ることを特徴とする
請求項１記載のプラズマ気相反応装置。 - 【請求項５】 前記主電極プレートの前記開口は機械加
工により形成されて成ることを特徴とする請求項１記載
のプラズマ気相反応装置。 - 【請求項６】 前記ガス調整プレートは、０．５ｍｍ以
下の厚さであることを特徴とする請求項１記載のプラズ
マ気相反応装置。 - 【請求項７】 前記ガス調整プレートは、前記被処理基
板の外形寸法よりも大きく、且つ突出量が１０mm以内で
あることを特徴とする請求項１記載のプラズマ気相反応
装置。 - 【請求項８】 前記ガス調整プレートは、Ｎｉを主体と
して構成されて成ることを特徴とする請求項１記載のプ
ラズマ気相反応装置。 - 【請求項９】 前記ガス調整プレートは、インコネルか
ら成ることを特徴とする請求項１記載のプラズマ気相反
応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26117397A JPH11100672A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | プラズマ気相反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26117397A JPH11100672A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | プラズマ気相反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11100672A true JPH11100672A (ja) | 1999-04-13 |
Family
ID=17358148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26117397A Pending JPH11100672A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | プラズマ気相反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11100672A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237460A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1997
- 1997-09-26 JP JP26117397A patent/JPH11100672A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237460A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
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