JPH11100680A5

JPH11100680A5 - プロセス処理方法および装置

Info

Publication number: JPH11100680A5
Application number: JP1997279972A
Authority: JP
Filing date: 1997-09-27
Publication date: 2005-06-16
Anticipated expiration: 2017-09-27

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、フッ化炭素ラジカルにより被処理体上に炭素系薄膜を成膜したり、被処理体に所要のパターンをエッチングするプロセス処理におけるプロセス処理方法及び装置に関する。

【０００９】
【問題点を解決するための手段】
このため請求項１は、フッ化炭素ラジカルにより被処理体に炭素系薄膜を成膜したり、被処理体をエッチングするプロセス処理において、処理容器内に配置されたフッ化樹脂材料にレーザ照射手段からレーザ光を照射して気化させてＣ_xＦ_yラジカル（x ＝1 ，2 ，3 ……，y ＝0 ，1 ，2 ，3 ……）を発生させて、プロセスを実行することを特徴としている。
また、請求項２の発明は、フッ化炭素ラジカルにより被処理体を処理するプロセス処理において、フッ化樹脂材料にレーザ照射手段からレーザ光を照射して気化させてＣ _x Ｆ _y ガス（x ＝1 ，2 ，3 ……，y ＝0 ，1 ，2 ，3 ……）を発生させて、Ｃ _x Ｆ _y ガスから得られるＣ _x Ｆ _y ラジカル（x ＝1 ，2 ，3 ……，y ＝0 ，1 ，2 ，3 ……）により、プロセス処理を行うことを特徴とする。

また、請求項３の発明は、被処理体に炭素系薄膜を成膜したり、被処理体をエッチングする領域であるプロセス領域と、該プロセス処理領域又は該プロセス処理領域に対して区画された領域に設けられるフッ化樹脂材料にレーザ光を照射するレーザ照射装置とを備え、フッ化樹脂材料に対するレーザ光の照射により気化してＣ_xＦ_yラジカル（x ＝1 ，2 ，3 ……，y ＝0 ，1 ，2 ，3 ……）又はＣ _x Ｆ _y ガス（x ＝1 ，2 ，3 ……，y ＝0 ，1 ，2 ，3 ……）を発生させて、被処理体をプロセス処理することを特徴とする。

Claims

フッ化炭素ラジカルにより被処理体に炭素系薄膜を成膜したり、被処理体をエッチングするプロセス処理において、処理容器内に配置されたフッ化樹脂材料にレーザ照射手段からレーザ光を照射して気化させてＣ_xＦ_yラジカル（x ＝1 ，2 ，3 ……，y ＝0 ，1 ，2 ，3 ……）を発生させて、前記プロセスを実行することを特徴とするプロセス処理方法。
フッ化炭素ラジカルにより被処理体を処理するプロセス処理において、
フッ化樹脂材料にレーザ照射手段からレーザ光を照射して気化させてＣ _x Ｆ _y ガス（ x ＝ 1 ， 2 ， 3 ……， y ＝ 0 ， 1 ， 2 ， 3 ……）を発生させて、前記Ｃ _x Ｆ _y ガスから得られるＣ _x Ｆ _y ラジカル（ x ＝ 1 ， 2 ， 3 ……， y ＝ 0 ， 1 ， 2 ，3 ……）により、前記プロセス処理を行うことを特徴とするプロセス処理方法。
被処理体に炭素系薄膜を成膜したり、被処理体をエッチングする領域であるプロセス領域と、該プロセス処理領域又は該プロセス処理領域に対して区画された領域に設けられるフッ化樹脂材料にレーザ光を照射するレーザ照射装置とを備え、フッ化樹脂材料に対するレーザ光の照射により気化してＣ_xＦ_yラジカル（x ＝1 ，2 ，3 ……，y ＝0 ，1 ，2 ，3 ……）又はＣ _x Ｆ _y ガス（ x ＝ 1 ， 2 ， 3 ……， y ＝ 0 ， 1 ， 2 ， 3 ……）を発生させて、前記被処理体をプロセス処理することを特徴とする装置。
フッ化樹脂材料にレーザ照射手段からレーザ光を照射してＣ _x Ｆ _y ガス（ x ＝ 1 ， 2 ， 3 ……， y ＝ 0 ， 1 ， 2 ， 3 ……）を発生させることを特徴とする装置。
前記フッ化樹脂材料は所要の回転数で回転可能に設けると共にレーザ照射装置は前記フッ化樹脂材料に対してレーザ光を往復走査可能とした請求項１又は請求項２に記載のプロセス方法。
前記フッ化樹脂材料は所要の回転数で回転可能に設けると共にレーザ照射装置は前記フッ化樹脂材料に対してレーザ光を往復走査可能とした請求項３又は請求項４に記載の装置。
前記フッ化樹脂材料は四フッ化樹脂或いは三フッ化樹脂の何れかからなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプロセス処理方法。
前記プロセス領域に対して区画された領域で発生された、前記Ｃ _x Ｆ _y ラジカル（ x ＝ 1 ， 2 ， 3 ……， y ＝ 0 ， 1 ， 2 ， 3 ……）又はＣ _x Ｆ _y ガス（ x ＝ 1 ， 2 ， 3 ……， y ＝ 0 ， 1 ， 2 ， 3 ……）をプラズマ雰囲気である又はプラズマ雰囲気となる前記プロセス領域に注入して、前記プロセス処理をすることを特徴とする請求項３に記載のプロセス処理装置。
前記プロセスはプラズマ処理であり、前記レーザ光はパルスレーザ光であり、前記パルスレーザ光に同期して、プラズマを発生させる高周波電力を変調制御することを特徴とする請求項１、２、５、又は７に記載のプロセス処理方法。
プラズマ発生手段を有し、前記レーザ照射装置はパルスレーザ光を照射するパルスレーザ発振装置であり、前記パルスレーザ光に同期して、前記プラズマ発生手段に印加される高周波電力を変調制御することを特徴とする請求項３、６、又は８に記載の装置。
前記Ｃ _x Ｆ _y ラジカル（ x ＝ 1 ， 2 ， 3 ……， y ＝ 0 ， 1 ， 2 ，3 ……）の密度を測定して、この測定値に基づいて、前記Ｃ _x Ｆ _y ラジカルの発生量を制御することを特徴とする請求項１、２、５、７、又は９に記載のプロセス処理方法。
前記Ｃ _x Ｆ _y ラジカル（ x ＝ 1 ， 2 ， 3 ……， y ＝ 0 ， 1 ， 2 ，3 ……）の密度を測定する密度測定手段と、この密度測定手段による測定値に基づいて、前記Ｃ _x Ｆ _y ラジカルの発生量を制御する発生量制御手段とを有することを特徴とする請求項３、６、８、又は１０に記載のプロセス処理方法。