JPH11102943A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH11102943A JPH11102943A JP26303497A JP26303497A JPH11102943A JP H11102943 A JPH11102943 A JP H11102943A JP 26303497 A JP26303497 A JP 26303497A JP 26303497 A JP26303497 A JP 26303497A JP H11102943 A JPH11102943 A JP H11102943A
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- Japan
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- bonding
- semiconductor device
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワイヤボンディング性と半田ボールの信頼性
とを両立できるスティッフナー付ＴＡＢ−ＢＧＡの半導
体装置を提供する。 【解決手段】 ボンディング領域２２では比較的硬質の
第１接着剤層１１で、それ以外の領域では比較的軟質の
第２接着剤層１２を介在させて絶縁性テープ５と支持基
板２ａとを接着する。
とを両立できるスティッフナー付ＴＡＢ−ＢＧＡの半導
体装置を提供する。 【解決手段】 ボンディング領域２２では比較的硬質の
第１接着剤層１１で、それ以外の領域では比較的軟質の
第２接着剤層１２を介在させて絶縁性テープ５と支持基
板２ａとを接着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、良好なワイヤボンディング性と半田ボールの
信頼性とを有するＴＡＢ−ＢＧＡ（Tape Automated Bon
ding - Ball Grid Array）半導体装置に関する。
し、特に、良好なワイヤボンディング性と半田ボールの
信頼性とを有するＴＡＢ−ＢＧＡ（Tape Automated Bon
ding - Ball Grid Array）半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩ素子の出入力数の増大に伴
って、パッケージの裏面に半田ボールを格子状に配置し
た構造を有し、出入力の起点を平面に配置することによ
って微細化構造に対応できるＢＧＡの要求が高まってい
る。一方で、電子関連部品に対する価格低下の要求も強
く、新型構造であるＢＧＡもこの要求に応える構造の模
索が進んでいる。低コスト化の中で、現在注目を浴びて
いるのは、ＴＡＢテープを使用したＴＡＢ−ＢＧＡであ
る。
って、パッケージの裏面に半田ボールを格子状に配置し
た構造を有し、出入力の起点を平面に配置することによ
って微細化構造に対応できるＢＧＡの要求が高まってい
る。一方で、電子関連部品に対する価格低下の要求も強
く、新型構造であるＢＧＡもこの要求に応える構造の模
索が進んでいる。低コスト化の中で、現在注目を浴びて
いるのは、ＴＡＢテープを使用したＴＡＢ−ＢＧＡであ
る。
【０００３】図４に、ＴＡＢ−ＢＧＡの一例を示す。こ
のＴＡＢ−ＢＧＡは、スティッフナーと呼ばれる熱伝導
性および機械的補強用の支持基板２のチップ搭載領域に
半導体チップ３が接着剤４を介して貼着され、スティッ
フナー２のチップ搭載領域の周囲のテープ貼着領域にポ
リイミドテープ（ＴＡＢテープ基材）５が接着剤層３０
を介して貼着されている。ＴＡＢテープ基材５の下面側
には導体パターン６が形成され、その導体パターン６と
半導体チップ３の電極とはボンディングワイヤ７を介し
て接続されている。また、導体パターン６は絶縁膜（ソ
ルダーレジスト）８で覆われ、この絶縁膜８に開口され
たスルーホールを介して半田ボール９が導体パターン６
に接続固定されている。半導体チップ３とボンディング
ワイヤ７は封止樹脂１０によって被覆されている。
のＴＡＢ−ＢＧＡは、スティッフナーと呼ばれる熱伝導
性および機械的補強用の支持基板２のチップ搭載領域に
半導体チップ３が接着剤４を介して貼着され、スティッ
フナー２のチップ搭載領域の周囲のテープ貼着領域にポ
リイミドテープ（ＴＡＢテープ基材）５が接着剤層３０
を介して貼着されている。ＴＡＢテープ基材５の下面側
には導体パターン６が形成され、その導体パターン６と
半導体チップ３の電極とはボンディングワイヤ７を介し
て接続されている。また、導体パターン６は絶縁膜（ソ
ルダーレジスト）８で覆われ、この絶縁膜８に開口され
たスルーホールを介して半田ボール９が導体パターン６
に接続固定されている。半導体チップ３とボンディング
ワイヤ７は封止樹脂１０によって被覆されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のこのよ
うなＴＡＢ−ＢＧＡ構造では、ワイヤボンディング性と
半田ボールの信頼性の両立が問題となる。ワイヤボンデ
ィング性を重視し、ＴＡＢテープ基材５とスティッフナ
ー２間に介在する接着剤３０にある程度硬度を有するも
のを使用すると、スティッフナー２に対して半田ボール
９の位置が強固に固定されるため、ＢＧＡを搭載したプ
リント基板に熱サイクルが加わると、プリント基板とス
ティッフナー２の熱膨張差が直接半田ボール９に加わ
り、条件によっては半田ボール９が剥離、破壊される可
能性がある。これに対し、接着剤として比較的柔軟なも
のを使用すれば、スティッフナー２とプリント基板の熱
膨張差を接着剤層３０が吸収し、半田ボール９の剥離等
の問題は大幅に減少するが、この接着剤層３０上ではワ
イヤボンディング時の超音波を吸収してしまい、良好な
ワイヤボンディングを行うことが難しくなる。従って、
本発明の目的は、ワイヤボンディング性と半田ボールの
信頼性とを両立できるＴＡＢ−ＢＧＡの半導体装置を提
供することにある。
うなＴＡＢ−ＢＧＡ構造では、ワイヤボンディング性と
半田ボールの信頼性の両立が問題となる。ワイヤボンデ
ィング性を重視し、ＴＡＢテープ基材５とスティッフナ
ー２間に介在する接着剤３０にある程度硬度を有するも
のを使用すると、スティッフナー２に対して半田ボール
９の位置が強固に固定されるため、ＢＧＡを搭載したプ
リント基板に熱サイクルが加わると、プリント基板とス
ティッフナー２の熱膨張差が直接半田ボール９に加わ
り、条件によっては半田ボール９が剥離、破壊される可
能性がある。これに対し、接着剤として比較的柔軟なも
のを使用すれば、スティッフナー２とプリント基板の熱
膨張差を接着剤層３０が吸収し、半田ボール９の剥離等
の問題は大幅に減少するが、この接着剤層３０上ではワ
イヤボンディング時の超音波を吸収してしまい、良好な
ワイヤボンディングを行うことが難しくなる。従って、
本発明の目的は、ワイヤボンディング性と半田ボールの
信頼性とを両立できるＴＡＢ−ＢＧＡの半導体装置を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、チップ搭載領域とそのチップ搭載領域の周
囲のテープ貼着領域とを備える支持基板と、該チップ搭
載領域に固着されている半導体チップと、前記テープ貼
着領域に接着剤層で第１の面が貼着されている絶縁性テ
ープと、該絶縁性テープの第２の面に形成され、前記半
導体チップとボンディングワイヤーを介して接続されて
いる導体パターンと、該導体パターンに接続され、前記
絶縁性テープの前記第２の面に配置されている半田ボー
ルとを備え、前記絶縁性テープを前記テープ貼着領域に
貼着する前記接着剤層は、ワイヤボンディングに適した
硬度を有する第１接着剤層と、前記支持基板と前記半田
ボールが接続されるプリント基板との熱膨張差に基づく
ストレスを吸収するのに適した硬度を有し、前記半田ボ
ールが配置されている領域に対応して設けられている第
２接着剤層によって形成されていることを特徴とする半
導体装置を提供する。
成するため、チップ搭載領域とそのチップ搭載領域の周
囲のテープ貼着領域とを備える支持基板と、該チップ搭
載領域に固着されている半導体チップと、前記テープ貼
着領域に接着剤層で第１の面が貼着されている絶縁性テ
ープと、該絶縁性テープの第２の面に形成され、前記半
導体チップとボンディングワイヤーを介して接続されて
いる導体パターンと、該導体パターンに接続され、前記
絶縁性テープの前記第２の面に配置されている半田ボー
ルとを備え、前記絶縁性テープを前記テープ貼着領域に
貼着する前記接着剤層は、ワイヤボンディングに適した
硬度を有する第１接着剤層と、前記支持基板と前記半田
ボールが接続されるプリント基板との熱膨張差に基づく
ストレスを吸収するのに適した硬度を有し、前記半田ボ
ールが配置されている領域に対応して設けられている第
２接着剤層によって形成されていることを特徴とする半
導体装置を提供する。
【０００６】本発明の半導体装置によれば、ＴＡＢ−Ｂ
ＧＡにおける支持基板（スティッフナー）と絶縁テープ
（ＴＡＢテープ基材）とを接着する接着剤層として、ワ
イヤボンディングを行う領域では、ボンディングに適し
た第１接着剤層を用いてワイヤボンディング性を確保
し、一方、半田ボールが配置されている領域ではストレ
ス吸収性の第２接着剤層を介在させ、２種類の接着剤構
成としたため、ワイヤボンディング性と半田ボールの信
頼性とを両立できる。
ＧＡにおける支持基板（スティッフナー）と絶縁テープ
（ＴＡＢテープ基材）とを接着する接着剤層として、ワ
イヤボンディングを行う領域では、ボンディングに適し
た第１接着剤層を用いてワイヤボンディング性を確保
し、一方、半田ボールが配置されている領域ではストレ
ス吸収性の第２接着剤層を介在させ、２種類の接着剤構
成としたため、ワイヤボンディング性と半田ボールの信
頼性とを両立できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。図１は、本発明にかかる第１実施形態の半導体装
置を示す。この半導体装置１は、スティッフナー付ＴＡ
Ｂ−ＢＧＡであり、スティッフナーと呼ばれる熱伝導性
および機械的補強用の金属、セラミックス等で構成され
る支持基板２ａを備える。支持基板２ａは、半導体チッ
プ３を搭載するチップ搭載領域２１と、その周囲のボン
ディング領域（第１領域）２２と、更にボンディング領
域２２を取り囲む半田ボール領域（第２領域）２３とを
備え、ボンディング領域２２と半田ボール領域２３とで
テープ貼着領域２４を構成している。半田ボール領域２
３とボンディング領域２２との間には段差２５が形成さ
れ、半田ボール領域２３はボンディング領域２２とチッ
プ搭載領域２１より後に説明する第２接着剤層の厚み分
均一に凹んでいる。そして、チップ搭載領域２１には半
導体チップ３が接着剤層（ダイボンドペースト）４とし
て例えばポリイミド樹脂を用いて接着されている。
する。図１は、本発明にかかる第１実施形態の半導体装
置を示す。この半導体装置１は、スティッフナー付ＴＡ
Ｂ−ＢＧＡであり、スティッフナーと呼ばれる熱伝導性
および機械的補強用の金属、セラミックス等で構成され
る支持基板２ａを備える。支持基板２ａは、半導体チッ
プ３を搭載するチップ搭載領域２１と、その周囲のボン
ディング領域（第１領域）２２と、更にボンディング領
域２２を取り囲む半田ボール領域（第２領域）２３とを
備え、ボンディング領域２２と半田ボール領域２３とで
テープ貼着領域２４を構成している。半田ボール領域２
３とボンディング領域２２との間には段差２５が形成さ
れ、半田ボール領域２３はボンディング領域２２とチッ
プ搭載領域２１より後に説明する第２接着剤層の厚み分
均一に凹んでいる。そして、チップ搭載領域２１には半
導体チップ３が接着剤層（ダイボンドペースト）４とし
て例えばポリイミド樹脂を用いて接着されている。
【０００８】また、チップ搭載領域２１に対応する開口
部が形成されているＴＡＢテープ基材としての絶縁性テ
ープ５と支持基板２ａとが、ボンディング領域２２にお
いては、絶縁性テープ５の一面側全面に形成されている
第１接着剤層１１を介して、また、半田ボール領域２３
においては、支持基板２ａの凹み領域（半田ボール領
域）２３を埋め込むように配置されている第２接着剤層
１２と第１接着剤層１１との複合層を介して接着されて
いる。絶縁性テープ５の他面側には導体パターン６が設
けられ、この導体パターン６は、ボンディング領域２２
に対応するリードとマトリックス状に配置されている半
田ボール９と接続される部分を有したリードを備えてい
る。導体パターン６のボンディング用リードと半導体チ
ップ３の図示しない電極とがボンディングワイヤ７で接
続されている。導体パターン８のボンディング用リード
と半田ボール接続部を除く全面がソルダーレジストと呼
ばれる絶縁膜８で覆われている。導体パターン６の絶縁
膜８で覆われていない半田ボール接続部（スルーホー
ル）には半田ボール９が絶縁膜８から突出して接続固着
されている。半導体チップ３とボンディングワイヤ７と
はエポキシ樹脂などの封止樹脂１０で封止されている。
部が形成されているＴＡＢテープ基材としての絶縁性テ
ープ５と支持基板２ａとが、ボンディング領域２２にお
いては、絶縁性テープ５の一面側全面に形成されている
第１接着剤層１１を介して、また、半田ボール領域２３
においては、支持基板２ａの凹み領域（半田ボール領
域）２３を埋め込むように配置されている第２接着剤層
１２と第１接着剤層１１との複合層を介して接着されて
いる。絶縁性テープ５の他面側には導体パターン６が設
けられ、この導体パターン６は、ボンディング領域２２
に対応するリードとマトリックス状に配置されている半
田ボール９と接続される部分を有したリードを備えてい
る。導体パターン６のボンディング用リードと半導体チ
ップ３の図示しない電極とがボンディングワイヤ７で接
続されている。導体パターン８のボンディング用リード
と半田ボール接続部を除く全面がソルダーレジストと呼
ばれる絶縁膜８で覆われている。導体パターン６の絶縁
膜８で覆われていない半田ボール接続部（スルーホー
ル）には半田ボール９が絶縁膜８から突出して接続固着
されている。半導体チップ３とボンディングワイヤ７と
はエポキシ樹脂などの封止樹脂１０で封止されている。
【０００９】第１接着剤層１１は、ワイヤボンディング
に適した硬度、例えばガラス転移温度Ｔｇが１８０℃以
上の比較的高い硬度を有する接着剤で構成され、具体的
にはＴｇが１９５℃の熱可塑性ポリイミド系接着剤を用
いることができる。また、第２接着剤層１２は、支持基
板２ａと半田ボール９が接続されるプリント基板との熱
膨張差に基づくストレスを吸収するのに適した硬度、例
えば１００℃を超える温度にて弾性率が１０8ｄｙｎ／
ｃｍ2以下である比較的柔軟な（低い硬度の）接着剤で
構成されている。具体的には、１００℃を超える温度に
て弾性率が１０7ｄｙｎ／ｃｍ2のエポキシ系の熱硬化性
接着剤を用いることができる。
に適した硬度、例えばガラス転移温度Ｔｇが１８０℃以
上の比較的高い硬度を有する接着剤で構成され、具体的
にはＴｇが１９５℃の熱可塑性ポリイミド系接着剤を用
いることができる。また、第２接着剤層１２は、支持基
板２ａと半田ボール９が接続されるプリント基板との熱
膨張差に基づくストレスを吸収するのに適した硬度、例
えば１００℃を超える温度にて弾性率が１０8ｄｙｎ／
ｃｍ2以下である比較的柔軟な（低い硬度の）接着剤で
構成されている。具体的には、１００℃を超える温度に
て弾性率が１０7ｄｙｎ／ｃｍ2のエポキシ系の熱硬化性
接着剤を用いることができる。
【００１０】また、ＴＡＢテープ基材である絶縁性テー
プ５は、ガラス転移温度Ｔｇが２５０℃以上の樹脂で構
成することが好ましく、具体的にはＴｇが３５０℃の熱
硬化性のポリイミド樹脂系を例示することができる。
プ５は、ガラス転移温度Ｔｇが２５０℃以上の樹脂で構
成することが好ましく、具体的にはＴｇが３５０℃の熱
硬化性のポリイミド樹脂系を例示することができる。
【００１１】このような構成の半導体装置によれば、ボ
ンディング領域２２では、ＴＡＢテープ基材５とスティ
ッフナー２ａとは比較的高い硬度を有する第１接着剤層
１１を介して接着され、半田ボール領域２３では、ＴＡ
Ｂテープ基材５とスティッフナー２ａとは比較的柔軟な
第２接着剤層１２を介して接着されている。
ンディング領域２２では、ＴＡＢテープ基材５とスティ
ッフナー２ａとは比較的高い硬度を有する第１接着剤層
１１を介して接着され、半田ボール領域２３では、ＴＡ
Ｂテープ基材５とスティッフナー２ａとは比較的柔軟な
第２接着剤層１２を介して接着されている。
【００１２】そのため、半導体チップ３と導体パターン
６とを超音波を用いてボンディングワイヤ７で接続する
際に、第１接着剤層１１が比較的硬いため、超音波を吸
収せずに良好なワイヤボンディングを行うことができ
る。また、半田ボール領域２３では、スティッフナー２
ａと半導体装置１が実装されるプリント基板との間の熱
膨張差を、これらの間に介在する比較的柔軟な第２接着
剤層１２が吸収することができるため、ステイッフナー
２ａとプリント基板との間の熱膨張差が半田ボール９に
直接かかることはなく、半田ボール９が剥離、破壊され
る可能性を大幅に減少できる。
６とを超音波を用いてボンディングワイヤ７で接続する
際に、第１接着剤層１１が比較的硬いため、超音波を吸
収せずに良好なワイヤボンディングを行うことができ
る。また、半田ボール領域２３では、スティッフナー２
ａと半導体装置１が実装されるプリント基板との間の熱
膨張差を、これらの間に介在する比較的柔軟な第２接着
剤層１２が吸収することができるため、ステイッフナー
２ａとプリント基板との間の熱膨張差が半田ボール９に
直接かかることはなく、半田ボール９が剥離、破壊され
る可能性を大幅に減少できる。
【００１３】従って、本実施形態の半導体装置１は、ワ
イヤボンディング性と半田ボールの信頼性に優れ、高い
信頼性を有するステイッフナー付ＴＡＢ−ＢＧＡであ
る。
イヤボンディング性と半田ボールの信頼性に優れ、高い
信頼性を有するステイッフナー付ＴＡＢ−ＢＧＡであ
る。
【００１４】図２は、量産を考慮して、スティッフナー
２ａの隆起部と第２接着剤層１２端部間に隙間Ｃを設け
て貼り合わせる現実的な方法を示している。図２におい
ては、この隙間Ｃを設けた以外は図１と同じ構成である
ため、同一の部材には同一の符号を付し、その説明は省
略する。上記隙間Ｃの空隙は、加熱時に密閉空間となっ
てエア熱膨張することを防止するため、例えば第２接着
剤層１２に切り込みを入れて、外部と連通するエア抜き
通路を形成しておくことが望ましい。
２ａの隆起部と第２接着剤層１２端部間に隙間Ｃを設け
て貼り合わせる現実的な方法を示している。図２におい
ては、この隙間Ｃを設けた以外は図１と同じ構成である
ため、同一の部材には同一の符号を付し、その説明は省
略する。上記隙間Ｃの空隙は、加熱時に密閉空間となっ
てエア熱膨張することを防止するため、例えば第２接着
剤層１２に切り込みを入れて、外部と連通するエア抜き
通路を形成しておくことが望ましい。
【００１５】図３は、本発明にかかる第２実施形態の半
導体装置を示す。この半導体装置１ａは、スティッフナ
ー２として通常の平坦な板材を用い、第２接着剤層１２
を半田ボール領域２３に貼着し、第１接着剤層１１を一
面側に有するＴＡＢベース基材５をスティッフナー２に
貼着する際に、ＴＡＢベース基材５の柔軟性を利用して
ＴＡＢベース基材５のボンディング領域２２をスティッ
フナー２側に折曲して形成されている。
導体装置を示す。この半導体装置１ａは、スティッフナ
ー２として通常の平坦な板材を用い、第２接着剤層１２
を半田ボール領域２３に貼着し、第１接着剤層１１を一
面側に有するＴＡＢベース基材５をスティッフナー２に
貼着する際に、ＴＡＢベース基材５の柔軟性を利用して
ＴＡＢベース基材５のボンディング領域２２をスティッ
フナー２側に折曲して形成されている。
【００１６】この第２実施形態においても、ボンディン
グ領域２２では第１接着剤層１１を介して、半田ボール
領域２３では第１接着剤層１１と第２接着剤層１２の複
合層を介してそれぞれＴＡＢベース基材５とスティッフ
ナー２とが接着されており、良好なワイヤボンディング
性と半田ボールの信頼性を両立した構造となっている。
第２実施形態のそれ以外の構成は第１実施形態と同じで
あるので、同一の部材には同一の符号を付し、その説明
は省略する。
グ領域２２では第１接着剤層１１を介して、半田ボール
領域２３では第１接着剤層１１と第２接着剤層１２の複
合層を介してそれぞれＴＡＢベース基材５とスティッフ
ナー２とが接着されており、良好なワイヤボンディング
性と半田ボールの信頼性を両立した構造となっている。
第２実施形態のそれ以外の構成は第１実施形態と同じで
あるので、同一の部材には同一の符号を付し、その説明
は省略する。
【００１７】上記説明では、導体パターンは半導体装置
の裏面側に形成されているが、例えば半田ボール接続用
の開口部を穿設したＴＡＢテープ基材を用いて、導体パ
ターンをスティッフナー側に向けて接着し、その開口部
を介して半田ボールと導体パターンを接続するような構
造とすることもできる。
の裏面側に形成されているが、例えば半田ボール接続用
の開口部を穿設したＴＡＢテープ基材を用いて、導体パ
ターンをスティッフナー側に向けて接着し、その開口部
を介して半田ボールと導体パターンを接続するような構
造とすることもできる。
【００１８】以上の実施の形態において、第２接着剤は
シート状の接着剤を用いているが、液状でも良い。ま
た、第１接着剤層は予めＴＡＢテープ基材あるいは絶縁
性テープに形成してもよく、あるいは液状のものを用い
てもよい。
シート状の接着剤を用いているが、液状でも良い。ま
た、第１接着剤層は予めＴＡＢテープ基材あるいは絶縁
性テープに形成してもよく、あるいは液状のものを用い
てもよい。
【００１９】また、スティッフナーは、金属板をプレス
加工して隆起部を形成するようにしても良い。
加工して隆起部を形成するようにしても良い。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によると、ボンディングを行う領域ではボンディング
に適した硬度を有する第１接着剤層で、それ以外の領域
ではストレスを吸収できる硬度を有する第２接着剤層を
介在させて絶縁性テープと支持基板とを接着しているた
め、良好なワイヤボンディング性と半田信頼性とを備
え、高い信頼性を有する。
置によると、ボンディングを行う領域ではボンディング
に適した硬度を有する第１接着剤層で、それ以外の領域
ではストレスを吸収できる硬度を有する第２接着剤層を
介在させて絶縁性テープと支持基板とを接着しているた
め、良好なワイヤボンディング性と半田信頼性とを備
え、高い信頼性を有する。
【図１】本発明の半導体装置の第１実施形態を示す断面
図である。
図である。
【図２】第１実施形態の変形を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の第２実施形態を示す断面
図である。
図である。
【図４】従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
１，１’，１ａ…半導体装置、２，２ａ…支持基板（ス
ティッフナー）、３…半導体チップ、４…ダイボンドペ
ースト、５…絶縁性テープ（ＴＡＢテープ基材）、６…
導体パターン、７…ボンディングワイヤー、８…絶縁膜
（ソルダーレジスト）、９…半田ボール、１１…第１接
着剤層、１２…第２接着剤層、２１…チップ搭載領域、
２２…ボンディング領域（第１領域）、２３…半田ボー
ル領域（第２領域）、２４…テープ貼着領域、２５…段
差、Ｃ…空隙
ティッフナー）、３…半導体チップ、４…ダイボンドペ
ースト、５…絶縁性テープ（ＴＡＢテープ基材）、６…
導体パターン、７…ボンディングワイヤー、８…絶縁膜
（ソルダーレジスト）、９…半田ボール、１１…第１接
着剤層、１２…第２接着剤層、２１…チップ搭載領域、
２２…ボンディング領域（第１領域）、２３…半田ボー
ル領域（第２領域）、２４…テープ貼着領域、２５…段
差、Ｃ…空隙
フロントページの続き (72)発明者 高橋 軍一 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 村上 元 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 御田 護 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内
Claims (5)
- 【請求項１】 チップ搭載領域とそのチップ搭載領域の
周囲のテープ貼着領域とを備える支持基板と、 該チップ搭載領域に固着されている半導体チップと、 前記テープ貼着領域に接着剤層で第１の面が貼着されて
いる絶縁性テープと、 該絶縁性テープの第２の面に形成され、前記半導体チッ
プとボンディングワイヤーを介して接続されている導体
パターンと、 該導体パターンに接続され、前記絶縁性テープの前記第
２の面に配置されている半田ボールとを備え、 前記絶縁性テープを前記テープ貼着領域に貼着する前記
接着剤層は、ワイヤボンディングに適した硬度を有する
第１接着剤層と、前記支持基板と前記半田ボールが接続
されるプリント基板との熱膨張差に基づくストレスを吸
収するのに適した硬度を有し、前記半田ボールが配置さ
れている領域に対応して設けられている第２接着剤層に
よって形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記第１接着剤層は、ガラス転移温度Ｔ
ｇが１８０℃以上の接着剤によって形成され、 前記第２接着剤層は、１００℃を超える温度にて弾性率
が１０8ｄｙｎ／ｃｍ2以下の接着剤によって形成されて
いることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記支持基板は、前記第１接着剤層だけ
を支持する第１領域と、前記第２接着剤層と前記第１接
着剤層の複合層を支持する第２領域を有し、前記第２領
域は、前記第２接着剤層の厚み分だけその支持面におい
て厚さを減少されていることを特徴とする請求項１又は
２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記絶縁性テープのＴｇが２５０℃以上
であることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の
半導体装置。 - 【請求項５】 前記導体パターンは、前記半田ボールと
接続される部分を除いて絶縁膜で保護されていることを
特徴とする請求項１〜４いずれかに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26303497A JP3482837B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26303497A JP3482837B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11102943A true JPH11102943A (ja) | 1999-04-13 |
| JP3482837B2 JP3482837B2 (ja) | 2004-01-06 |
Family
ID=17383963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26303497A Expired - Fee Related JP3482837B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3482837B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015119163A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | コリア アトミック エナジー リサーチ インスティテュートＫｏｒｅａＡｔｏｍｉｃ Ｅｎｅｒｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ | 半導体センサーを表面実装する実装基板およびその実装方法 |
| CN118053362A (zh) * | 2024-03-29 | 2024-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板以及显示装置 |
-
1997
- 1997-09-29 JP JP26303497A patent/JP3482837B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2015119163A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | コリア アトミック エナジー リサーチ インスティテュートＫｏｒｅａＡｔｏｍｉｃ Ｅｎｅｒｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ | 半導体センサーを表面実装する実装基板およびその実装方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3482837B2 (ja) | 2004-01-06 |
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