JPH11102992A - プリント配線板、ｉｃカード、プリント配線板の製造方法 - Google Patents

プリント配線板、ｉｃカード、プリント配線板の製造方法

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JPH11102992A
JPH11102992A JP13109898A JP13109898A JPH11102992A JP H11102992 A JPH11102992 A JP H11102992A JP 13109898 A JP13109898 A JP 13109898A JP 13109898 A JP13109898 A JP 13109898A JP H11102992 A JPH11102992 A JP H11102992A
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淳 立田
Kenichiro Tanaka
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Abstract

(57)【要約】 【課題】耐熱性が高いプリント配線板を提供する。 【解決手段】電子部品５が実装される部品実装部３を有
する基材１と、基材１の一方の片面に設けられ表面が外
部に露出して外部接点となるコンタクト端子２と、基材
１に形成され部品実装部３に実装される電子部品５とコ
ンタクト端子２とを接続するボンディングワイヤー６を
通すために基材１に他方の片面に開口させて形成される
開口部４とを具備して形成されるプリント配線板に関す
る。このものにおいて、上記コンタクト端子２を基材１
に直接密着して設けられた金属箔から形成する。コンタ
クト端子２を構成する金属箔を接着剤を用いて基材１に
貼り付けた場合のような耐熱性の低下の問題がなくな
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板、
このプリント配線板を用いたＩＣカード、プリント配線
板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣカード用などに使用されるプリント
配線板として、特開平３−３２８９５号公報等によっ
て、図１（ａ）に示すような構造のものが従来から提案
されている。このものは、基材１の片面にコンタクト端
子２を設けると共に、このコンタクト端子２が底面とな
るように基材１に部品実装用の開口部３ａとボンディン
グワイヤー用の開口部４を設け、部品実装用の開口部３
ａにＩＣ等の電子部品５を実装し、そしてボンディング
ワイヤー用の開口部４を通してボンディングワイヤー６
で電子部品５とコンタクト端子２を接続するようにした
構造に形成されているものであり、さらに封止樹脂７を
ポッティングして封止することによって、ＩＣカード用
のモジュールとするようにしてある。
【０００３】そしてこのようなプリント配線板を製造す
るにあたっては、図４９（ａ）に示すようにまず基材１
の片面に接着剤８を塗布し、図４９（ｂ）のように基材
１に部品実装用の開口部３ａと複数のボンディングワイ
ヤー用開口部４を打ち抜き加工して設けた後、図４９
（ｃ）のように接着剤８で基材１の片面に銅箔等の金属
箔９を接着する。次に、この金属箔９をエッチング等し
て回路形成加工することによって、表面が外部に露出し
て外部接点となるコンタクト端子２を図４９（ｄ）のよ
うに形成する。部品実装用開口部３ａや複数のボンディ
ングワイヤー用開口部４の底面はこのコンタクト端子２
で形成されるものであり、部品実装用開口部３ａの底面
のコンタクト端子２は電子部品５を保持する機能も有す
る。このように回路形成した後、図４９（ｅ）のように
コンタクト端子２の外面の部分と、開口部３ａ，４の底
面に臨む部分にＮｉメッキとＡｕメッキを施すことによ
って、仕上げメッキ１０ａ，１０ｂを形成するようにし
てある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしコンタクト端子
２は、上記のように基材１に接着剤８で接着した金属箔
９によって形成されており、高温の作用による接着剤８
の劣化でコンタクト端子２が剥離するなど、耐熱性に問
題を有するものであり、さらに接着剤８の分だけ厚みが
増し、薄型化が困難になるものであった。
【０００５】また、開口部３ａ，４は打ち抜き加工で形
成するために、開口部３ａ，４の径を小さくするには限
界があり、また開口部３ａ，４間の間隔を小さくするこ
とも困難であり、小型化に制限があるという問題があっ
た。
【０００６】また、基材１としては、樹脂積層板が主と
して用いられるが、樹脂積層板は両面に銅箔などの金属
箔を張った両面金属張り積層板として形成しないと、表
面の平滑性や厚みの均一性に問題が生じる。このため
に、基材１として両面金属張り積層板が用いられるが、
基材１に開口部３ａ，４を加工するために、一旦、基材
１の両面の金属箔をエッチング除去する必要があり、そ
して開口部３ａ，４を加工した後に、コンタクト端子２
を形成するための金属箔９を図４９（ｃ）のように基材
１に接着するようにしており、製造の工程が長くなると
共に材料ロスが大きいという問題があった。
【０００７】さらに、コンタクト端子２の外面の部分
と、開口部３ａ，４の底面に臨む部分に仕上げメッキ１
０ａ，１０ｂを施すにあたって、同じ工程で行なうこと
になるため、コンタクト端子２の外面の部分はＮｉメッ
キと光沢Ａｕメッキで仕上げメッキ１０ａを形成し、コ
ンタクト端子２の開口部３ａ，４の底面に臨む部分はＮ
ｉメッキと無光沢Ａｕメッキで仕上げメッキ１０ｂを形
成するというように、異なる種類のメッキを行なうこと
が難しいという問題があった。
【０００８】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、耐熱性が高く小型化することができるプリント配
線板及びＩＣカードを提供することを目的とするもので
ある。また小型化することが容易であり、基材の表面の
平坦度が高いと共に材料ロスが少なく、コンタクト端子
に異なる種類のメッキを行なうことが容易であるプリン
ト配線板の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
プリント配線板は、電子部品５が実装される部品実装部
３を有する基材１と、基材１の一方の片面に設けられ表
面が外部に露出して外部接点となるコンタクト端子２
と、基材１に形成され部品実装部３に実装される電子部
品５とコンタクト端子２とを接続するボンディングワイ
ヤー６を通すために基材１に他方の片面に開口させて形
成される開口部４とを具備して形成されるプリント配線
板において、上記コンタクト端子２は基材１に直接密着
して設けられた金属箔９から形成されたものであること
を特徴とするものである。
【００１０】また請求項２の発明は、上記基材１とし
て、ガラス繊維を含有する基材１を用いて成ることを特
徴とするものである。
【００１１】また請求項３の発明は、上記部品実装部３
を、基材１に開口部３ａとして形成して成ることを特徴
とするものである。
【００１２】また請求項４の発明は、上記部品実装用開
口部３ａとボンディングワイヤー用開口部４との間の間
隔を、ボンディングワイヤー用開口部４の径よりも小さ
く形成して成ることを特徴とするものである。
【００１３】本発明の請求項５に係るＩＣカードは、カ
ード本体１１に上記のＩＣカード用プリント配線板を搭
載して成ることを特徴とするものである。
【００１４】本発明の請求項６に係るプリント配線板の
製造方法は、電子部品５が実装される部品実装部３を有
する基材１と、基材１の一方の片面に設けられ表面が外
部に露出して外部接点となるコンタクト端子２と、基材
１に形成され部品実装部３に実装される電子部品５とコ
ンタクト端子２とを接続するボンディングワイヤー６を
通すために基材１に他方の片面に開口させて形成される
開口部４とを具備して形成され、上記コンタクト端子が
基材に直接密着して設けられた金属箔から形成されたプ
リント配線板を製造するにあたって、光ビームを基材１
に照射することによって、コンタクト端子２の裏面側に
おいて基材１に上記開口部４を加工することを特徴とす
るものである。
【００１５】本発明の請求項７に係るプリント配線板の
製造方法は、電子部品５が実装される部品実装部３を有
する基材１と、基材１の一方の片面に設けられ表面が外
部に露出して外部接点となるコンタクト端子２と、基材
１に形成され部品実装部３に実装される電子部品５とコ
ンタクト端子２とを接続するボンディングワイヤー６を
通すために基材１に他方の片面に開口させて形成される
開口部４とを具備して形成され、上記コンタクト端子が
基材に直接密着して設けられた金属箔から形成されたプ
リント配線板を製造するにあたって、基材１をサンドブ
ラスト処理することによって、コンタクト端子２の裏面
側において基材１に上記開口部４を加工することを特徴
とするものである。
【００１６】また請求項８の発明は、両面に金属箔９，
９を張った基材１を用い、一方の金属箔９をエッチング
除去すると共に他方の金属箔９を回路形成加工してコン
タクト端子２を形成した後に、金属箔９をエッチング除
去した側の片面から基材１に開口部４を加工することを
特徴とするものである。
【００１７】また請求項９の発明は、金属箔９を回路形
成加工して形成したコンタクト端子２の表面に仕上げメ
ッキ１０ａを施した後、基材１に開口部４を加工し、し
かる後に開口部４の穴底に臨むコンタクト端子２に仕上
げメッキ１０ｂを施すことを特徴とするものである。
【００１８】また請求項１０の発明は、上記基材１とし
て、ロール状に巻いた長尺のガラス繊維を含有するフレ
キシブル両面金属張り積層板１ａを用いることを特徴と
するものである。
【００１９】また請求項１１の発明は、フレキシブル両
面金属張り積層板１ａの側端縁に沿ってスプロケット穴
１２を形成したものを用いることを特徴とするものであ
る。
【００２０】また請求項１２の発明は、部品実装部３を
基材１に開口部３ａとして形成し、上記ボンディングワ
イヤー用開口部６と同時にこの部品実装用開口部ａを基
材１に加工することを特徴とするものである。
【００２１】また請求項１３の発明は、開口部３ａ，４
を加工した後、開口部３ａ，４の底部のコンタクト端子
２の表面を酸洗することを特徴とするものである。
【００２２】また請求項１４の発明は、サンドブラスト
処理することによって、基材１に開口部３ａ，４を加工
すると同時に金属箔９を回路形成加工してコンタクト端
子２を形成することを特徴とするものである。
【００２３】また請求項１５の発明は、砥粒を噴射する
ブラストノズル１３を両側から挟み込むようにエアーを
吹き付けることによって、砥粒を扇状にブラストノズル
１３から噴射させてサンドブラスト処理を行なうことを
特徴とするものである。
【００２４】また請求項１６の発明は、金属箔９が存在
しない側の片面から基材１をサンドブラスト処理して開
口部３ａ，４を加工すると共に金属箔９を張った側の片
面からサンドブラスト処理して金属箔９を回路形成加工
するにあたって、開口部３ａ，４を形成する側のサンド
ブラストの噴射圧力を回路形成側のサンドブラストの噴
射圧力よりも大きく設定することを特徴とするものであ
る。
【００２５】また請求項１７の発明は、金属箔９が存在
しない側の片面から基材１をサンドブラスト処理して開
口部３ａ，４を加工すると共に金属箔９を張った側の片
面からサンドブラスト処理して金属箔９を回路形成加工
するにあたって、開口部３ａ，４を形成する側のサンド
ブラストの噴射量を回路形成側のサンドブラストの噴射
量よりも大きく設定することを特徴とするものである。
【００２６】また請求項１８の発明は、光ビームとして
炭酸ガスレーザを用いることを特徴とするものである。
【００２７】また請求項１９の発明は、両面に金属箔
９，９を張った基材１を用い、一方の金属箔９にエッチ
ングして開口孔１４を設けた後に、この開口孔１４の箇
所に開口孔１４よりも径の大きなビームの炭酸ガスレー
ザを照射することによって、基材１に開口部３ａ，４を
加工することを特徴とするものである。
【００２８】また請求項２０の発明は、直線状のビーム
に形成された炭酸ガスレーザを、ビームの長手方向と垂
直な方向で走査させることによって、基材１に炭酸ガス
レーザを照射することを特徴とするものである。
【００２９】また請求項２１の発明は、金属箔９に設け
た上記開口孔１４の周囲に、金属箔９を除去した絶縁部
１５を形成することを特徴とするものである。
【００３０】また請求項２２の発明は、基材１との密着
面を酸化処理した金属箔９を張った基材１を用いること
を特徴とするものである。
【００３１】また請求項２３の発明は、基材１との密着
面を粗面化した金属箔９を張った基材１を用いることを
特徴とするものである。
【００３２】また請求項２４の発明は、炭酸ガスレーザ
として、ビームのエネルギー分布が開口部３ａ，４にお
いて均一なものを用いることを特徴とするものである。
【００３３】また請求項２５の発明は、炭酸ガスレーザ
として、ビームのエネルギー分布が開口部３ａ，４の周
部ほど高くなるものを用いることを特徴とするものであ
る。
【００３４】また請求項２６の発明は、炭酸ガスレーザ
を基材１の片面に照射して開口部３ａ，４を形成するに
あたって、基材１の他の片面の金属箔９の表面に放熱板
４１を設置して炭酸ガスレーザの照射をおこなうことを
特徴とするものである。
【００３５】また請求項２７の発明は、炭酸ガスレーザ
を基材１の片面に照射して開口部３ａ，４を形成するに
あたって、基材１の他の片面の金属箔９の表面に水冷管
４４を設置して炭酸ガスレーザの照射をおこなうことを
特徴とするものである。
【００３６】また請求項２８の発明は、炭酸ガスレーザ
を基材１に照射して開口部３ａ，４を形成するにあたっ
て、ビーム光路の中心にビーム減衰用フィルター４５を
設置することを特徴とするものである。
【００３７】また請求項２９の発明は、ガラス繊維を有
する基材に炭酸ガスレーザを照射して開口部３ａ，４を
形成した後、開口部３ａ，４を高圧水洗処理することを
特徴とするものである。
【００３８】また請求項３０の発明は、ガラスクロス５
３を有する基材１に炭酸ガスレーザを照射して開口部３
ａ，４を形成するにあたって、ガラスクロス５３の繊維
の密度を疎にして開口部３ａ，４を形成する個所にガラ
スクロス５３の繊維が存在しない基材１を用いることを
特徴とするものである。
【００３９】また請求項３１の発明は、ガラスクロス５
３を有する基材１に炭酸ガスレーザを照射して開口部３
ａ，４を形成するにあたって、開口部３ａ，４に対応す
る個所を予め打ち抜いたガラスクロス５３を用いて作製
した基材１を用いることを特徴とするものである。
【００４０】また請求項３２の発明は、炭酸ガスレーザ
の照射で基材１に開口部３ａ，４を形成した後、開口部
３ａ，４の側面及び開口部３ａ，４の底部を洗浄するこ
とを特徴とするものである。
【００４１】また請求項３３の発明は、開口部３ａ，４
を過マンガン酸カリウム液で処理することを特徴とする
ものである。
【００４２】また請求項３４の発明は、開口部３ａ，４
にエキシマレーザを照射することを特徴とするものであ
る。
【００４３】また請求項３５の発明は、エキシマレーザ
の照射部の周辺にエキシマレーザを反射する反射板４１
を設置することを特徴とするものである。
【００４４】また請求項３６の発明は、３〜１０Ｊ／ｃ
ｍ2、１０〜３０ショットの条件でエキシマレーザを照
射することを特徴とするものである。
【００４５】また請求項３７の発明は、反射光をモニタ
リングしながらエキシマレーザを照射することを特徴と
するものである。
【００４６】また請求項３８の発明は、開口部３ａ，４
に短パルス赤外光レーザを照射することを特徴とするも
のである。
【００４７】また請求項３９の発明は、開口部３ａ，４
をプラズマ処理することを特徴とするものである。
【００４８】また請求項４０の発明は、開口部３ａ，４
をサンドブラスト処理することを特徴とするものであ
る。
【００４９】また請求項４１の発明は、サンドブラスト
処理をしながら開口部３ａ，４に液体を吹き付けること
を特徴とするものである。
【００５０】また請求項４２の発明は、液体はアルカリ
溶液であることを特徴とするものである。
【００５１】また請求項４３の発明は、球形の砥粒を用
いてサンドブラスト処理をすることを特徴とするもので
ある。
【００５２】また請求項４４の発明は、開口部３ａ，４
をフッ化アンモニウム処理することを特徴とするもので
ある。
【００５３】また請求項４５の発明は、開口部３ａ，４
の処理後に、開口部３ａ，４の底部の金属箔９にプレス
処理を行なうことを特徴とするものである。
【００５４】また請求項４６の発明は、ＳＨＧ−ＹＡＧ
レーザ、ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレー
ザ、ＴＨＧ−ＹＬＦレーザから選ばれる一つ以上のレー
ザを照射して基材１に開口部３ａ，４を加工することを
特徴とするものである。
【００５５】また請求項４７の発明は、金属箔９を張っ
た基材１を用い、ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＴＨＧ−ＹＡ
Ｇレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、ＴＨＧ−ＹＬＦレー
ザから選ばれる一つ以上のレーザを照射して基材１に開
口部３ａ，４を加工すると共に金属箔９に回路形成加工
してコンタクト端子２を形成することを特徴とするもの
である。
【００５６】また請求項４８の発明は、回路形成加工し
た側の面に液体ホーニング処理あるいはサンドブラスト
処理を行なうことを特徴とするものである。
【００５７】また請求項４９の発明は、両面に金属箔
９，９を張った基材１を用い、一方の金属箔９の表面に
ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ
−ＹＬＦレーザ、ＴＨＧ−ＹＬＦレーザから選ばれる一
つ以上のレーザを照射して、照射部分の金属箔９ととも
に基材１を除去して開口部３ａ，４を加工すると共に、
開口部３ａ，４の周囲の金属箔９を除去することを特徴
とするものである。
【００５８】また請求項５０の発明は、表面に金属箔９
を張った基材１を用いるにあたって、コンタクト端子２
を形成する金属箔９と基材１の間に、開口部３ａ，４を
形成する個所においてマスク６４を介在させたものを用
い、開口部３ａ，４を形成すると共にマスク６４を除去
することを特徴とするものである。
【００５９】また請求項５１の発明は、マスク６４の除
去を化学処理で行なうことを特徴とするものである。
【００６０】また請求項５２の発明は、マスク６４の除
去を光ビームの照射で行なうことを特徴とするものであ
る。
【００６１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
【００６２】本発明において基材１としては、図２
（ａ）に示すような、両面に銅箔などの金属箔９，９を
張った両面金属張り樹脂積層板１ａを用いるものであ
る。この両面金属張り樹脂積層板１ａは例えば、ガラス
クロスなどガラス繊維基材にエポキシ樹脂などの熱硬化
性樹脂ワニスを含浸して樹脂含浸基材を作製し、この樹
脂含浸基材を必要に応じて複数枚重ねると共にその両側
を金属箔９，９で挟み込み、これを加熱しつつロールの
間に通して（ロールによる加圧は不要）、樹脂含浸基材
の樹脂を硬化させることによって、樹脂含浸基材に含浸
した樹脂で金属箔９，９を積層一体化して製造すること
ができるものであり、樹脂含浸基材による基材１の両側
の表面に金属箔９を一体成形したものとして製造するこ
とができる。例えば厚み１００μｍのガラスエポキシ基
材１の両面に厚み１８μｍの金属箔（銅箔）９を一体成
形して積層したものとして製造することができる。両面
金属張り積層板１ａは、表面に金属箔９を積層しないで
作製した積層板よりも、表面の平滑性が高く、厚みの均
一性が優れた基材１として用いることができるものであ
る。また、金属箔９は接着剤を用いて基材１に貼り付け
られているのではなく、基材１に含有されている樹脂の
自己接着作用で、基材１に直接密着しているものであ
る。
【００６３】ここで、上記のようにガラスクロスなどの
ガラス繊維を含有する基材１は、強度や電気絶縁性、耐
湿性が優れており、このようなガラス繊維を含有する基
材１を用いることによって、強度や電気絶縁性、耐湿性
が高いプリント配線板を製造することができるものであ
る（請求項２）。
【００６４】また、上記のようなガラス繊維を含有する
両面金属張り樹脂積層板１ａとして、フレキシブルな長
尺のものを用い、これを図３のようにロール状に巻いた
ものから繰り出して使用するようにすることができる。
このように基材１として、ロール状に巻いた長尺のガラ
ス繊維を含有するフレキシブル両面金属張り積層板１ａ
を用いることによって、これを連続して送りながら加工
をしてプリント配線板を製造することができるものであ
り、生産性を高めることができるものである（請求項１
０）。
【００６５】またこのように基材１として長尺のフレキ
シブル両面金属張り積層板１ａを用いるにあたって、図
４のように長尺のフレキシブル両面金属張り積層板１ａ
の両側端縁に沿って所定間隔でスプロケット孔１２を設
け、スプロケット孔１２にスプロケットの爪（図示省
略）を嵌合させることによって、ロール状に巻いた長尺
のフレキシブル両面金属張り積層板１ａを位置決めしな
がら後工程に連続的に送ることができるようにすること
ができるものである（請求項１１）。
【００６６】次に、基材１の一方の面（例えば下面）に
張った金属箔９にはエッチングレジストを貼着し、他方
の面（例えば上面）に張った金属箔９にはエッチングレ
ジストを貼着せず、そしてエッチングレジストを露光・
現像処理した後、各金属箔９をエッチング処理すること
によって、図２（ｂ）のように基材１の一方の面の金属
箔９を回路形成加工してコンタクト端子２を形成すると
共に、基材１の他方の面の金属箔９を除去して、基材１
の表面を露出させる。
【００６７】ここで、上記のように基材１として両面金
属張り積層板１ａを用いるようにしているので、表面に
金属箔９を積層しないで作製した積層板を基材１として
用いる場合よりも、基材１は表面の平滑性が高く、厚み
の均一性が優れており、品質の高いプリント配線板を製
造することができるものである。また基材１に予め張っ
た金属箔９でコンタクト端子２を形成するようにしてお
り、従来のように、基材１に予め張った金属箔２を開口
部３ａ，４の加工の前に一旦除去した後、コンタクト端
子２を形成するための金属箔９を基材１に再度接着する
というような必要がなくなるものであり、製造の工程が
長くなったり材料ロスが大きくなったりすることがなく
なるものである（請求項８）。また、金属箔９は接着剤
を用いて基材１に貼り付けられているのではなく、基材
１に含有されている樹脂の自己接着作用で、基材１に直
接密着しているものであって、この金属箔９から形成さ
れるコンタクト端子２は基材１に直接密着しているもの
であり、接着剤を用いて接着する場合のような耐熱性低
下の問題がなくなり、耐熱性の高いプリント配線板を製
造することができるものである。また接着剤を用いる必
要がないので、この分、厚みを薄くすることが可能にな
るものである（請求項１）。
【００６８】上記のように基材１の片面に回路形成加工
してコンタクト端子２を形成した後、コンタクト端子２
の露出する表面に仕上げメッキ１０ａを図２（ｃ）のよ
うに設ける。仕上げメッキ１０ａはＮｉメッキを施した
後にこの上にさらに光沢Ａｕメッキを施すことによって
行なうことができる。
【００６９】次に、基材１に開口部３ａ，４を加工す
る。開口部３ａ，４の加工は基材１の金属箔９を除去し
た側の面から光ビームを照射し、光ビームを照射した部
分の基材１を消失させることによって行なうことができ
るものであり、図２（ｄ）のように基材１の片面に設け
たコンタクト端子２が底面となる開口部３ａ，４を形成
することができるものである。光ビームはその光束の径
を小さくすることができるので、開口部３ａ，４を小さ
な径で加工することが可能になり、また開口部３ａ，４
の間隔も小さく設定して加工することが可能になる。従
って、小さな開口部３ａ，４を高密度に配置して基材１
に形成することができるものであり、プリント配線板の
小型化が可能になるものである（請求項６）。
【００７０】ここで、開口部３ａは後述のように電子部
品５を実装する部品実装部（キャビティ）３を形成する
ものであり、また開口部４は後述のようにボンディング
ワイヤー６を通すためのものであり、図５のように、ボ
ンディングワイヤー用開口部４は部品実装用開口部３ａ
の周囲を囲むように複数個設けられるが、部品実装用開
口部３ａとボンディングワイヤー用開口部４の間の間隔
の寸法Ｌがボンディングワイヤー用開口部４の径Ｄより
も小さく（等しくてもよい）なるように、開口部３ａ，
４を形成してあり、開口部３ａ，４の配置が高密度にな
るようにして、プリント配線板を小型化することができ
るようにしてある（請求項４）。
【００７１】また、電子部品５を実装する部品実装部
（キャビティ）３をこのように開口部３ａとして形成
し、ボンディングワイヤー用開口部４と同時にこの部品
実装用開口部３ａを加工して形成するようにすれば、加
工の工数を低減できると共に、後述のように部品実装部
３に電子部品５を実装するにあたって、電子部品５は開
口部３ａ内に納められ、基材１の表面からの電子部品５
の突出を小さくすることができ、電子部品５を実装した
ＩＣカード用のプリント配線板を小型化することができ
るものである（請求項３、請求項１２）。
【００７２】上記の光ビームとしては、炭酸ガスレーザ
を用いることができる。炭酸ガスレーザは照射エネルギ
ーの制御が容易であり、開口部３ａ，４を加工する際の
深さの制御を容易に行なうことができると共に、炭酸ガ
スレーザはエポキシ樹脂などの絶縁材に対して吸収が良
く、しかも銅箔等の金属箔９に作用し難く貫通したり亀
裂等が生じ難いので、コンタクト端子２に与えるダメー
ジを少なくして開口部３ａ，４を加工することができる
ものである（請求項１８）。例えば、出力１５０Ｗ、３
００ｍＪ／ｐｕｌｓの炭酸ガスレーザのビームを、加工
面でのエネルギー密度約４Ｊ／ｍｍ2で照射して、開口
部３ａ，４を加工することができる。
【００７３】上記のように炭酸ガスレーザを照射して開
口部３ａ，４を加工するにあたって、図６に示すよう
に、炭酸ガスレーザＬのビームのエネルギーの強度分布
が開口部３ａ，４の全面において均一なものを用いるこ
とができる。このようにエネルギー分布が均一な炭酸ガ
スレーザＬを用いることによって、コンタクト端子２に
ダメージを与えることを少なくして均一に基材１の樹脂
を除去して開口部３ａ，４を加工することができるもの
である（請求項２４）。
【００７４】また炭酸ガスレーザを照射して開口部３
ａ，４を加工するにあたって、図７に示すように、炭酸
ガスレーザＬのビームのエネルギーの強度分布が開口部
３ａ，４の周部ほど高くなるものを用いることができ
る。このようにエネルギー分布が周部で高い炭酸ガスレ
ーザＬを用いて開口部３ａ，４を加工することによっ
て、基材１としてガラス繊維含有のものを用いる場合
に、開口部３ａ，４の内周に突出するガラス繊維を炭酸
ガスレーザＬで消失させることができ、開口部３ａ，４
の内周にガラス繊維が突出することをなくして、開口部
３ａ，４の内周を平滑にすることができるものである
（請求項２５）。
【００７５】上記のように炭酸ガスレーザは金属箔９に
作用し難いが、熱の逃げ場がないときには、金属箔９に
ダメージを与えるおそれがある。そこで図８の実施の形
態では、図８（ａ）のように開口部３ａ，４を加工する
個所において金属箔９の表面に放熱板４２を接触させる
ように設置し、そして図８（ｂ）のように炭酸ガスレー
ザＬを基材１に照射して開口部３ａ，４を加工するよう
にしてある。放熱板４２としては熱伝導性の良好な金属
板などを用いることができるものであり、炭酸ガスレー
ザＬの照射による熱を放熱板４２で破線矢印のように放
熱させることによって、金属箔９の熱ダメージを低減す
ることができるものである（請求項２６）。
【００７６】また、図９の実施の形態では、冷却水供給
パイプ４３を接続して冷却水を循環させるように形成し
た水冷管４４を用い、図９（ａ）のように開口部３ａ，
４を加工する個所において金属箔９の表面に水冷管４４
を接触させるように設置し、そして図９（ｂ）のように
炭酸ガスレーザＬを基材１に照射して開口部３ａ，４を
加工するようにしてある。このものでは、炭酸ガスレー
ザＬの照射による熱を水冷管４４で冷却することができ
るものであり、金属箔９の熱ダメージを低減することが
できるものである（請求項２７）。
【００７７】上記のように炭酸ガスレーザの照射で開口
部３ａ，４を加工するにあたって、炭酸ガスレーザのビ
ームモードがシングルモードの場合、図１０（ｃ）のよ
うにビーム径の中心部のパワーが強いので、開口部３
ａ，４の中心部において開口部３ａ，４の底面の金属箔
９に熱が集中してダメージが発生するおそれがある。そ
こで図１０の実施形態では、炭酸ガスレーザＬのビーム
光路の中心にビーム減衰用フィルター４５を配置するよ
うにしてある。ビーム減衰用フィルター４５は光の透過
率が７０〜９０％程度の合成石英等を用いることができ
るものであり、直径を炭酸ガスレーザＬのビーム径より
小さいビーム減衰用フィルター４５を図１０（ａ）
（ｂ）のように複数本の金属線４６で支持して、炭酸ガ
スレーザＬのビーム光路の中心に配置するようにしてあ
る（図１０（ｂ）において炭酸ガスレーザＬのビームの
範囲を点線で示す）。このように炭酸ガスレーザＬのビ
ーム光路の中心にビーム減衰用フィルター４５を配置し
た状態で、炭酸ガスレーザＬを照射して開口部３ａ，４
を加工することによって、ビーム径の中心部のパワーを
減衰させ、開口部３ａ，４の中心部において金属箔９に
熱が集中してダメージが発生することを防ぐことができ
るものである（請求項２８）。
【００７８】また、基材１に積層した金属箔９として、
基材１への密着面を酸化処理したものを用いるのが好ま
しい。銅箔などの金属箔９の表面を酸化処理することに
よって、金属箔９の表面を暗色に着色することができる
と共に表面が粗面化される。従ってこのような金属箔９
で形成されるコンタクト端子２の基材１に密着している
面は着色されていると共に粗面化されているので、基材
１に炭酸ガスレーザＬを照射して図１１のように開口部
３ａ，４を加工するにあたって、コンタクト端子２の表
面での炭酸ガスレーザＬの反射率は低くなり、コンタク
ト端子２の近傍の基材１の温度を上昇させることがで
き、開口部３ａ，４の底部に炭酸ガスレーザＬの照射で
除去されない樹脂が残存することを低減することができ
るものである（請求項２２）。
【００７９】金属箔９として基材１への密着面をこのよ
うに酸化処理したものを用いる他に、金属箔９として基
材１への密着面を粗面化処理したものを用いることもで
きる。粗面化処理は例えば、３０℃の塩化銅２％、塩酸
７％のエッチング用水溶液を用い、金属箔９をこのエッ
チング用水溶液に３０分間浸漬することによって行なう
ことができる。このような金属箔９で形成されるコンタ
クト端子２の基材１に密着している面は粗面化されてい
るので、上記と同様に基材１に炭酸ガスレーザＬを照射
して開口部３ａ，４を加工するにあたって、コンタクト
端子２の表面での炭酸ガスレーザＬの反射率は低く、コ
ンタクト端子２の近傍の基材１の温度を上昇させて、開
口部３ａ，４の底部に炭酸ガスレーザＬの照射で除去さ
れない樹脂が残存することを低減することができるもの
である（請求項２３）。
【００８０】ガラスエポキシ樹脂積層板などガラスクロ
ス等のガラス繊維を有する基材１に炭酸ガスレーザＬを
照射して開口部３ａ，４を加工するにあたって、炭酸ガ
スレーザＬの照射の際にガラス繊維は殆ど溶融して蒸発
するが、図１２（ａ）のように溶融不足のために一部の
ガラス繊維４９が球状になって開口部３ａ，４に残留す
るおそれがあり、このようにガラス繊維が残留するとワ
イヤボンディングの信頼性が低下するおそれがある。そ
こで図１１の実施の形態では、炭酸ガスレーザＬを照射
して開口部３ａ，４を加工した後、図１２（ｂ）のよう
にノズル５０から高圧水５１を開口部３ａ，４に噴出さ
せる処理をするようにしてある。高圧水５１による処理
条件は、水圧３〜５０ｋｇ／ｃｍ2、時間３〜３０秒が
好ましい。このように、高圧水１５で開口部３ａ，４を
処理することによって、開口部３ａ，４内の残留ガラス
繊維４９を除去することができ、ワイヤボンディングの
信頼性を向上させることができるものである（請求項２
９）。
【００８１】ここで、ガラスエポキシ樹脂積層板などガ
ラスクロス５３を有する基材１を用いる場合、ガラスク
ロス５２の縦糸や横糸を構成するガラス繊維５４の密度
が高い場合、図１３（ｂ）のように開口部３ａ，４を形
成する個所にこのガラス繊維５４が位置し、炭酸ガスレ
ーザを照射して開口部３ａ，４を加工するにあたって、
図１２（ａ）の場合と同様うに開口部３ａ，４内に残留
ガラス繊維４９が残るおそれがある。そこで図１３
（ａ）の実施の形態では、縦糸や横糸を構成するガラス
繊維５４の密度を疎にしたガラスクロス５３で作製した
ガラスエポキシ樹脂積層板などで基材１を形成し、開口
部３ａ，４を形成する個所にこのガラス繊維５４が存在
しないようにしてある。このように、開口部３ａ，４を
形成する個所にガラスクロス５３の繊維５４が存在しな
い基材１を用いて開口部３ａ，４を加工することによっ
て、開口部３ａ，４内に残留ガラス繊維４９が残るよう
なことがなくなるものである。しかも、炭酸ガスレーザ
でガラス繊維を蒸発させるような必要がなくなるので、
開口部３ａ，４を加工する際の炭酸ガスレーザのパワー
を低くすることが可能になり、開口部３ａ，４の底部の
金属箔９のダメージを抑制することもできるものである
（請求項３０）。
【００８２】また、図１４の実施の形態では、ガラスエ
ポキシ樹脂積層板などガラスクロス５３を有する基材１
を用いるにあたって、開口部３ａ，４を形成する個所に
ガラスクロス５３の縦糸や横糸を構成するガラス繊維５
４が位置しないように、部分的に打ち抜いたガラスクロ
ス５３で形成した基材１を用いるようにしている。すな
わち、まず図１４（ａ）のように、打ち抜き具５６によ
って開口部３ａ，４を形成する個所に、開口部３ａ，４
の径よりも大きな開口孔５７を加工し、このガラスクロ
ス５３を用いて基材１を作製する。つまり、基材１にエ
ポキシ樹脂ワニス等の熱硬化性樹脂ワニスを含浸すると
共にこれを積層成形して図１４（ｂ）のような金属箔９
張りの基材１を作製するものである（図１４（ｂ）の基
材１は片面の金属箔９を除去してある）。そして、この
図１４（ｂ）ようにガラスクロス５３に開口孔５７を加
工した個所において、基材１に炭酸ガスレーザを照射し
て開口部３ａ，４を加工するものである。このように、
開口部３ａ，４を形成する個所にガラスクロス５３の繊
維が存在しない基材１を用いて開口部３ａ，４を加工す
ることによって、開口部３ａ，４内に残留ガラス繊維４
９が残るようなことがなくなるものである。しかも、炭
酸ガスレーザでガラス繊維を蒸発させるような必要がな
くなるので、開口部３ａ，４を加工する際の炭酸ガスレ
ーザのパワーを低くすることが可能になり、開口部３
ａ，４の底部の金属箔９のダメージを抑制することもで
きるものである（請求項３１）。
【００８３】上記のように光ビームの照射で開口部３
ａ，４を加工するにあたって、開口部３ａ，４に樹脂層
が残存するおそれがある。特に、光ビームとして炭酸ガ
スレーザを用いる場合、レーザ波長の影響で厚み１μ程
度の樹脂層が残存し易い。そこで、光ビームの照射で基
材１にコンタクト端子２が底面となる開口部３ａ，４を
加工した後、開口部３ａ，４の側面及び開口部３ａ，４
の底部を洗浄して、開口部３ａ，４の底部となるコンタ
クト端子２の表面に残存する樹脂を除去すると共に、開
口部３ａ，４の側面や周囲に残存する樹脂を除去し、後
述のように開口部４を通してコンタクト端子２にボンデ
ィングワイヤー６をボンディングする際の接続信頼性を
高め、また部品実装部３となる開口部３ａに電子部品を
実装する際の実装信頼性を高めるようにする（請求項３
２）。
【００８４】この開口部３ａ，４の側面及び開口部３
ａ，４の底部の残存樹脂を除去する洗浄は、開口部３
ａ，４を過マンガン酸カリウム液で処理することによっ
て行なうことができる。開口部３ａ，４を加工した基材
１を図１５のように籠２０等に入れて、処理槽１９中の
過マンガン酸カリウム液２１に浸漬することよってこの
処理を行なうことができるものであり、例えば、８０℃
に調整したシプレイ社の「ＭＬＢ２１１」液に５分間浸
漬して膨潤処理した後、過マンガン酸カリウム含有溶液
であるシプレイ社の「ＭＬＢ２１３」液を８０℃に加温
した液中に５分間浸漬させて酸化分解処理を行ない、次
いで水洗した後に１０％硫酸水溶液に５分間浸漬して処
理残さを中和後、さらに水洗を行なう工程で、過マンガ
ン酸カリウム液による処理を行なうことができる（請求
項３３）。
【００８５】また、開口部３ａ，４の側面及び開口部３
ａ，４の底部の残存樹脂を除去する洗浄は、開口部３
ａ，４にエキシマレーザを照射することによっても行な
うことができる。例えば、加工エネルギー密度３．０ｍ
Ｊ／ｃｍ2／ｐｕｌｓｅ、繰り返し周波数１００Ｈｚ、
１０ショットの条件で開口部３ａ，４の底部に図１６の
ようにエキシマレーザＥを照射することによって行なう
ことができる。このエキシマレーザを照射して開口部３
ａ，４の側面や底部を洗浄する方法では、エキシマレー
ザを照射する箇所の選択で、洗浄する箇所を任意に選択
することが可能である（請求項３４）。
【００８６】金属箔９、例えば銅箔に対するエキシマレ
ーザの反射率は一般に２０〜３０％程度であり、開口部
３ａ，４の底面の金属箔９でエキシマレーザが反射する
と、樹脂の除去の効率が低下する。そこで、図１７のよ
うに、エキシマレーザＥを照射する周辺部に反射板４１
を設置し、金属箔９から反射するエキシマレーザＥを反
射板４１で反射させて再度このエキシマレーザが開口部
３ａ，４に作用するようにして、残留樹脂の除去の効率
を高めるようにしてある。またこのようにエキシマレー
ザＥの照射部を囲むように反射板４１を設けることによ
って、エキシマレーザＥの漏れを抑えることができ、安
全性を高めることができるものである（請求項３５）。
【００８７】ここで、上記のように金属箔（銅箔）９と
して基材１への密着面を粗面に形成したものを用いる場
合、開口部３ａ，４の底面には金属箔９で形成されるコ
ンタクト端子２の粗面が面することになり、開口部４を
通してコンタクト端子２にボンディングワイヤー６をボ
ンディングする際の接続信頼性が低下するおそれがあ
る。一方、エキシマレーザは紫外域で短波長であるた
め、樹脂の他に銅など金属に対する吸収率が高く、上記
のように開口部３ａ，４内の残留樹脂を除去する洗浄を
エキシマレーザの照射で行なう場合、残留樹脂の除去と
同時に、開口部３ａ，４の底面の金属箔９の極表面層
（１μｍ程度の厚み）を溶融させて、開口部３ａ，４の
底面の金属箔９の粗面を平滑化することができるもので
ある。また金属箔９の粗面の平滑化に加えて、金属箔９
の表面の清浄化を行なうことができるものであり、さら
にエキシマレーザは短波長であることに加え、加工レー
トもμｍ単位で制御できるために、金属箔９に貫通や亀
裂等の損傷を与えることがなくなるものである。
【００８８】上記のようにエキシマレーザの照射で、開
口部３ａ，４内の残留樹脂の除去に加えて、開口部３
ａ，４底面の金属箔９の平滑化や清浄化を行なうにあた
っては、エキシマレーザの照射条件を３〜１０Ｊ／ｃｍ
2、１０〜３０ショットの範囲に制御するのが好まし
い。照射がこれより低パワー、すなわち強度が３Ｊ／ｃ
ｍ2未満でショット数が１０未満であると、開口部３
ａ，４底面の金属箔９の平滑化や清浄化をする改質が不
充分になり、逆に照射がこれより高パワー、すなわち強
度が１０Ｊ／ｃｍ2を超えショット数が３０を超える
と、金属箔９の平滑化は可能であるが、レーザ衝撃波の
影響で新たな凹凸が形成されるおそれがある（請求項３
６）。
【００８９】また、上記のようにエキシマレーザの照射
で、開口部３ａ，４内の残留樹脂の除去に加えて、開口
部３ａ，４の底面の金属箔９の平滑化や清浄化を行なう
にあたっては、エキシマレーザの反射光をモニタリング
しながらエキシマレーザの照射を行なうのが好ましい。
エキシマレーザの反射光のモニタリングはパワーメータ
５８を用いて行なうことができるものであり、図１８に
示すように、パワーメータ５８をエキシマレーザＥの照
射部の近傍において、反射光が開口部３ａ，４の壁面か
ら陰にならない個所に設置するのが好ましく、またなる
べくエキシマレーザＥの照射面と垂直な面に対して大き
な角度を持った位置に設置するのが好ましい。そして、
エキシマレーザの照射の初期では、開口部３ａ，４の底
面の金属箔９の表面にはまだ凹凸があるため、エキシマ
レーザの乱反射が大きく、パワーメータ５８に入力され
る反射光の光量が多いが、エキシマレーザの照射が継続
されると、金属箔９の表面層の溶融によって開口部３
ａ，４の底面の金属箔９の表面が平滑化され、乱反射が
少なくなってパワーメータ５８に入力される反射光の光
量が少なくなる。従って、パワーメータ５８でエキシマ
レーザの反射光をモニタリングしながらエキシマレーザ
の照射を行なうことによって、開口部３ａ，４の底面の
金属箔９の表面の平滑度を管理することができるもので
あり、開口部３ａ，４の底面の金属箔９の表面の平滑度
のばらつきを小さくすることができるものである（請求
項３７）。
【００９０】開口部３ａ，４内の残留樹脂の除去に加え
て、開口部３ａ，４の底面の金属箔９の平滑化や清浄化
を行なうにあたっては、短パルス赤外光レーザを用いる
ことも好ましい。パルス幅がμｓｅｃオーダーの一般的
な赤外域のレーザは、熱加工で銅などの金属箔９に対す
る吸収率が低いため、金属箔９の表面にレーザを照射し
ても大部分のレーザ光が反射され、残りのレーザ光につ
いても金属箔９内を熱拡散し、金属箔９の表面を平滑化
することが困難である。これに対して、赤外域のレーザ
でも、パルス幅が１０-15〜１０-12（すなわち１から１
０００フェムト）ｓｅｃの短パルス赤外光レーザを用い
ると、ピークパワーが高いことと、加工形態が熱加工か
らアブレーション加工へ変わることのために、銅箔など
金属箔９への加工が可能になり、開口部３ａ，４の底面
の金属箔９の平滑化や清浄化を行なうことが出来るもの
である。この短パルス赤外光レーザの照射条件は、１０
〜５０Ｊ／ｃｍ2、１０〜５０ショット程度が好まし
く、またパルス幅は１０〜５０ｆｓ程度が好ましい（請
求項３８）。
【００９１】また、開口部３ａ，４の側面及び開口部３
ａ，４の底部の樹脂を除去する洗浄は、開口部３ａ，４
をプラズマ処理することによっても行なうことができ
る。例えば、真空槽２２を０．０００１Ｔｏｒｒまで排
気した後、真空槽２２にＡｒガス（流量５０ｃｃ／ｍｉ
ｎ）と酸素ガス（流量５０ｃｃ／ｍｉｎ）の混合ガスを
導入し、あるいは必要に応じてＣＦ4ガス（流量５０ｃ
ｃ／ｍｉｎ）を追加導入して真空槽２２中の圧力を０．
１Ｔｏｒｒにし、そしてこの真空槽２２内に開口部３
ａ，４を加工した基材１を図１９のように設置し、プラ
ズマ印加電力６０Ｗ（高周波１３．５６ＭＨｚ）を数分
間印加することによってプラズマ２３を発生させ、プラ
ズマ２３で開口部３ａ，４の側面や底部を洗浄すること
ができる。このプラズマで開口部３ａ，４の側面や底部
を洗浄するようにすれば、基板１に対するダメージを少
なくすることができるものである（請求項３９）。
【００９２】また、開口部３ａ，４の側面及び開口部３
ａ，４の底部の樹脂を除去する洗浄は、開口部３ａ，４
をサンドブラスト処理することによっても行なうことが
できる。例えば粒径５μｍのアルミナ粉を砥粒２４とし
て用い、サンドブラスト装置によって砥粒２４をエア圧
５ｋｇ／ｃｍ2で図２０のように数秒間、開口部３ａ，
４が開口する側から基材１に噴射することによって行な
うことができる。サンドブラスト処理は、砥粒２４が衝
突する面だけが処理を受ける異方性加工であるので、開
口部３ａ，４の内周面の樹脂にはダメージを与えないよ
うにすることができるものである（請求項４０）。
【００９３】上記のようにサンドブラスト処理して、開
口部３ａ，４の側面及び開口部３ａ，４の底部の樹脂を
除去する洗浄を行なうにあたって、図２１の実施の形態
では、開口部３ａ，４にサンドブラストの砥石２４を吹
き付けながら、ノズル４７から液体４８を開口部３ａ，
４に吹き付けるようにしてある。この液体４８としては
水などを用いることができるものであり、開口部３ａ，
４の底面の金属箔９を傷付けない程度の水圧であれば、
高圧水処理でもよい。この場合の水圧は３〜１０ｋｇ／
ｃｍ2程度が好ましい。そしてこのようにサンドブラス
ト処理をしながら開口部３ａ，４に液体４８を吹き付け
ることによって、サンドブラスト処理で開口部３ａ，４
内から削られた残留樹脂を液体４８で洗い流すことがで
きるものである（請求項４１）。
【００９４】上記の液体４８としては、水の他に、アル
カリ溶液を用いることができる。アルカリ溶液としては
過マンガン酸カリウム水溶液などを用いることができる
ものであり、このようにサンドブラスト処理で開口部３
ａ，４内から削られた残留樹脂を洗い流す液体４８とし
て、アルカリ溶液を用いることによって、アルカリ溶液
を残留樹脂と反応させて残留樹脂の除去の効果を高める
ことができるものである（請求項４２）。
【００９５】また上記のようにサンドブラスト処理し
て、開口部３ａ，４の側面及び開口部３ａ，４の底部の
樹脂を除去する洗浄を行なうにあたって、砥粒２４を開
口部３ａ，４の底面の金属箔９の表面に衝突させること
によって、開口部３ａ，４の底面の金属箔９の粗面を平
滑化し、また清浄化することができる。この場合、砥粒
２４の粒径が小さい程、金属箔９の表面の平滑化の効果
が大きく、砥粒２４の粒径は５μｍ以下が好ましい。
【００９６】しかし、図２２（ａ）のように角張った形
状の砥粒２４を用いてサンドブラスト処理を行なう場
合、金属箔９の表面の粗面の凹凸は図２２（ｂ）のよう
に小さくなるが、平滑面にすることは難しい。そこで図
２３の実施の形態では、図２３（ａ）のように球形の砥
粒２４を用いてサンドブラスト処理を行なうようにして
いる。このように球形の砥粒２４を用いてサンドブラス
ト処理を行なうと、金属箔９の表面の粗面の凹凸が潰
れ、図２３（ｂ）のように金属箔９の表面を平滑化する
ことができるものである。この砥粒２４の材質はガラス
ビーズが好ましく、粒径は５μｍ以下が好ましい（請求
項４３）。
【００９７】また、開口部３ａ，４の側面及び開口部３
ａ，４の底部の残留樹脂を除去する洗浄は、開口部３
ａ，４をフッ化アンモニウム処理することによっても行
なうことができるものであり、開口部３ａ，４を加工し
た基材１を図１５のように籠２０等に入れてフッ化アン
モニウム液２５に浸漬することによってこの処理を行な
うことができる。フッ化アンモニウム処理することによ
って、開口部３ａ，４の内周に突出しているガラス繊維
を除去することもできるものである（請求項４４）。
【００９８】尚、基材１の開口部３ａ，４の側面及び開
口部３ａ，４の底部の残留樹脂を除去する洗浄を、エキ
シマレーザの照射、サンドブラスト処理、フッ化アンモ
ニウム処理で行なう場合は、これらの処理で同時に、開
口部３ａ，４の底面の金属箔９の粗面を平滑化すること
が可能であるが、過マンガン酸カリウム液で処理する場
合や、プラズマ処理で行なう場合は、開口部３ａ，４の
底面の金属箔９の粗面を平滑化することはできない。そ
こで、開口部３ａ，４の側面及び開口部３ａ，４の底部
の残留樹脂を除去する洗浄を、過マンガン酸カリウム液
による処理や、プラズマ処理で行なう場合は、これらの
処理で残留樹脂を除去した後、図２４に示すように、プ
レス処理して開口部３ａ，４の底面の金属箔９の粗面を
平滑化するのが好ましい。プレス処理は、基材１を押さ
え台６１の上に置き、プレス型６２で開口部３ａ，４の
底面の金属箔９をプレスすることによって、行なうこと
ができる。このようにプレスすることによって、上記の
各場合よりも、開口部３ａ，４の底面の金属箔９の表面
をより平滑化することができ、ワイヤーボンディングの
信頼性が一層高まるものである（請求項４５）。
【００９９】また、基材１の開口部３ａ，４の残留樹脂
を除去する洗浄したり、金属箔９の平滑化や清浄化をす
るにあたっては、上記の各処理の他に、機械的切削等に
よってもよい。
【０１００】上記のように基材１に開口部３ａ，４を加
工した後、開口部３ａ，４の残留樹脂を洗浄したり金属
箔９の平滑化や清浄化をする他、開口部３ａ，４の底面
に面するコンタクト端子２の表面を塩酸等の酸で酸洗
し、コンタクト端子２のこの部分の粗度をさらに下げて
平滑化するようにするのが好ましい。開口部３ａ，４の
底面に面するコンタクト端子２の表面の粗度をこのよう
にさらに下げることによって、後述のように開口部４を
通してコンタクト端子２にボンディングワイヤー６をボ
ンディングする際の接続信頼性を高め、また部品実装部
３となる開口部３ａに電子部品を実装する際の実装信頼
性を高めることができるものである（請求項１３）。
【０１０１】このように酸洗を行なった後、コンタクト
端子２の露出する外面にメッキレジストを貼着し、開口
部３ａ，４の底部に面する部分のコンタクト端子２に仕
上げメッキ１０ｂを図２（ｅ）のように形成する。この
仕上げメッキ１０ｂはＮｉメッキを施した後にこの上に
さらに無光沢Ａｕメッキを施すことによって形成するこ
とができる。仕上げメッキ１０ｂを形成した後、メッキ
レジストを除去する。ここで、コンタクト端子２の露出
する外面に設ける既述の仕上げメッキ１０ａと、このコ
ンタクト端子２の開口部３ａ，４の底部に面する部分に
設ける仕上げメッキ１０ｂとは、別の工程で形成するこ
とができるものであり、従って、コンタクト端子２の露
出する外面に設ける仕上げメッキ１０ａはＮｉメッキと
光沢Ａｕメッキで施し、またコンタクト端子２の開口部
３ａ，４の底部に面する部分に設ける仕上げメッキ１０
ｂはＮｉメッキと無光沢Ａｕメッキで施すというよう
に、異なる種類のメッキに形成することが可能になるも
のである（請求項９）。尚、仕上げメッキ１０ａ，１０
ｂで異なるメッキを施す必要がない場合には、開口部３
ａ，４を形成した後、コンタクト端子２の開口部３ａ，
４の底部に面する部分とコンタクト端子２の露出する外
面に、同時に同じ種類（例えばＮｉメッキと無光沢Ａｕ
メッキ）のメッキを施すようにしてもよい。
【０１０２】上記のようにして本発明に係るプリント配
線板Ａを作製することができるものであり、部品実装部
３を構成する開口部３ａにＩＣ等の電子部品５を納めて
開口部３ａの底面のコンタクト端子２に接着し（従って
このコンタクト端子２は電子部品５を保持する機能を有
する）、そしてボンディングワイヤー用の開口部４を通
してボンディングワイヤー６で電子部品５とコンタクト
端子２を接続し、さらに封止樹脂７をポッティングして
封止することによって、図１（ａ）のようなＩＣカード
用モジュールとして仕上げることができるものである。
尚、上記の実施の形態では、基材１に開口部３ａを設け
てキャビティとして部品実装部３を形成するようにした
が、このような開口部３ａを設けず、図１（ｂ）のよう
に基材１の表面を部品実装部３として電子部品５を実装
するようにしてもよい。
【０１０３】そしてこのように電子部品５を実装したＩ
Ｃカード用のプリント配線板Ａを、カード本体１の凹部
２６にはめ込んで取り付けることによって、図２５に示
すようなＩＣカードＢを作製することができるものであ
る（請求項５）。
【０１０４】尚、図２６（ａ）は、光ビームとして炭酸
ガスレーザを用いて、加工エネルギー１６．７ｍＪ／
Ｐ、発振電流値１３．０Ａ、パルス幅１６μｓ、ショッ
ト数３の条件で、基材１に開口部３ａ，４を加工した状
態を示すものであり、開口部３ａ，４の底部には樹脂６
７が残留している。ここで基材１は厚み７０μｍのガラ
スエポキシ積層板で形成してあり、金属箔９は厚み１８
μｍの銅箔で形成してある。図２７（ａ）は図２６
（ａ）の開口部３ａ，４を撮影した走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）写真を示すものであり、図２７（ｂ）はさら
に拡大して開口部３ａ，４の底面を撮影したＳＥＭ写真
である。図２６（ｂ）は開口部３ａ，４にエキシマレー
ザを照射して開口部３ａ，４の底面の残留樹脂６７を除
去した状態を示すものであり、図２８（ａ）はこのとき
の開口部３ａ，４の底面を撮影したＳＥＭ写真である。
図２６（ｃ）は開口部３ａ，４を塩酸で酸洗して開口部
３ａ，４の底面の金属箔９の表面を平滑化した状態を示
すものであり、図２８（ｂ）はこのときの開口部３ａ，
４の底面を撮影したＳＥＭ写真である。図２６（ｄ）は
開口部３ａ，４の底面の金属箔９の表面に厚み１μｍの
Ｎｉめっきと厚み０．３μｍのＡｕめっきからなる仕上
げめっき１０ｂを施した状態を示すものであり、図２８
（ｃ）はこのときの開口部３ａ，４の底面を撮影したＳ
ＥＭ写真である。図２８のＳＥＭ写真にみられるよう
に、エキシマレーザの照射によって開口部３ａ，４の底
面の残留樹脂６７を除去することができ、酸洗によって
開口部３ａ，４の底面の金属箔９の表面を平滑化するこ
とができるとともに、仕上げめっき１０ｂの状態が良好
になることが確認される。
【０１０５】また図２９及び図３０は、エキシマレーザ
の照射条件を変えて基材１の開口部３ａ，４に図１６の
ようにエキシマレーザを照射したときの、開口部３ａ，
４の底面の金属箔９の表面の状態を撮影したＳＥＭ写真
を示すものであり、図２９の左側は５ショットで上から
１．１Ｊ／ｃｍ2、１．８Ｊ／ｃｍ2、２．５Ｊ／ｃ
ｍ2、３．２Ｊ／ｃｍ2、３．９Ｊ／ｃｍ2、４．６Ｊ／
ｃｍ2、５．３Ｊ／ｃｍ2の条件でエキシマレーザを照射
したときの状態を、図２９の右側は１０ショットで上か
ら１．１Ｊ／ｃｍ2、１．８Ｊ／ｃｍ2、２．５Ｊ／ｃｍ
2、３．２Ｊ／ｃｍ2、３．９Ｊ／ｃｍ2、４．６Ｊ／ｃ
ｍ2、５．３Ｊ／ｃｍ2の条件でエキシマレーザを照射し
たときの状態を、図３０の左側は１５ショットで上から
１．１Ｊ／ｃｍ2、１．８Ｊ／ｃｍ2、２．５Ｊ／ｃ
ｍ2、３．２Ｊ／ｃｍ2、３．９Ｊ／ｃｍ2、４．６Ｊ／
ｃｍ2、５．３Ｊ／ｃｍ2の条件でエキシマレーザを照射
したときの状態を、図３０の右側は２０ショットで上か
ら１．１Ｊ／ｃｍ2、１．８Ｊ／ｃｍ2、２．５Ｊ／ｃｍ
2、３．２Ｊ／ｃｍ2、３．９Ｊ／ｃｍ2、４．６Ｊ／ｃ
ｍ2、５．３Ｊ／ｃｍ2の条件でエキシマレーザを照射し
たときの状態をそれぞれ示す。
【０１０６】さらに図３１及び図３２は、エキシマレー
ザの照射条件を変えて基材１の開口部３ａ，４に図１６
のようにエキシマレーザを照射し、さらに開口部３ａ，
４の底面の金属箔９の表面にＮｉめっきとＡｕめっきか
らなる仕上げメッキ１０ｂを施したときの、開口部３
ａ，４の底面の金属箔９の断面の状態を撮影したＳＥＭ
写真を示すものであり、図３１の左側は５ショットで上
から１．１Ｊ／ｃｍ2、１．８Ｊ／ｃｍ2、２．５Ｊ／ｃ
ｍ2、３．２Ｊ／ｃｍ2、３．９Ｊ／ｃｍ2、４．６Ｊ／
ｃｍ2、５．３Ｊ／ｃｍ2の条件でエキシマレーザを照射
したときの状態を、図３１の右側は１０ショットで上か
ら１．１Ｊ／ｃｍ2、１．８Ｊ／ｃｍ2、２．５Ｊ／ｃｍ
2、３．２Ｊ／ｃｍ2、３．９Ｊ／ｃｍ2、４．６Ｊ／ｃ
ｍ2、５．３Ｊ／ｃｍ2の条件でエキシマレーザを照射し
たときの状態を、図３２の左側は１５ショットで上から
１．１Ｊ／ｃｍ2、１．８Ｊ／ｃｍ2、２．５Ｊ／ｃ
ｍ2、３．２Ｊ／ｃｍ2、３．９Ｊ／ｃｍ2、４．６Ｊ／
ｃｍ2、５．３Ｊ／ｃｍ2の条件でエキシマレーザを照射
したときの状態を、図３２の右側は２０ショットで上か
ら１．１Ｊ／ｃｍ2、１．８Ｊ／ｃｍ2、２．５Ｊ／ｃｍ
2、３．２Ｊ／ｃｍ2、３．９Ｊ／ｃｍ2、４．６Ｊ／ｃ
ｍ2、５．３Ｊ／ｃｍ2の条件でエキシマレーザを照射し
たときの状態をそれぞれ示す。
【０１０７】図２９、図３０、図３１、図３２にみられ
るように、３〜１０Ｊ／ｃｍ2、１０〜３０ショットの
条件でエキシマレーザを照射することによって、開口部
３ａ，４内の残留樹脂の除去に加えて、開口部３ａ，４
底面の金属箔９の平滑化を行なうことができ、さらに仕
上げめっき１０ｂの状態も良好になることが確認される
（請求項３６）。
【０１０８】図３３は開口部４の底面の金属箔９の表面
に厚み５μｍのＮｉめっきと厚み０．３μｍのＡｕめっ
きからなる仕上げめっき１０ｂを施した後に、ボンディ
ングワイヤー６をボンディングした状態を示すものであ
り、左の開口部４にはキャピラリで第１接点に行なうフ
ァーストボンディング７０ａをワーク表面温度１５０
℃、超音波時間５０ｍｓｅｃの条件で施し、右の開口部
４ｂにはキャピラリで第２接点に行なうセカンドボンデ
ィング７０ｂをワーク表面温度１５０℃、超音波時間５
０ｍｓｅｃの条件で施すようにしてある。図３４は開口
部４の底面の金属箔９に施したボンディング７０ａ，７
０ｂの状態を撮影したＳＥＭ写真であり、図３４（ａ）
は開口部４の底面の金属箔９の表面状態が良い（凹凸が
小さい）ときのファーストボンディング７０ａの状態
を、図３４（ｂ）は開口部４の底面の金属箔９の表面状
態が良いときのセカンドボンディング７０ｂの状態を、
図３４（ｃ）は開口部４の底面の金属箔９の表面状態が
悪い（凹凸が大きい）ときのファーストボンディング７
０ａの状態を、図３４（ｄ）は開口部４の底面の金属箔
９の表面状態が悪いときのセカンドボンディング７０ｂ
の状態を示すものである。
【０１０９】上記の図２の態様では、基材１の一方の片
面の金属箔９を回路形成加工してコンタクト端子２を形
成すると共に基材１の他方の片面の金属箔９をエッチン
グ除去した後に、基材１の金属箔９をエッチング除去し
た面において開口部３ａ，４を加工するようにしている
が、図３５に示す態様では、図３５（ａ）のように両面
に金属箔９，９を張った基材１を用い、そして各金属箔
９，９にエッチングレジストの貼着、露光・現像を行な
った後にエッチング処理することによって、図３５
（ｂ）に示すように、基材１の一方の片面の金属箔９を
回路形成加工してコンタクト端子２を形成すると共に基
材１の他方の片面の金属箔９に開口孔１４をエッチング
で形成するようにしてある。開口孔１４は開口部３ａ，
４を基材１に加工する位置において、開口部３ａ，４の
径と等しい開口径で形成してある。そしてこのように開
口孔１４によって露出する基材１に炭酸ガスレーザを照
射することによって、図３５（ｃ）のように基材１に開
口部３ａ，４を加工するようにしてある。
【０１１０】ここで、炭酸ガスレーザＬはビームの光束
の径Ｄ2が、開口部３ａ，４の径Ｄ1（開口孔１４の径も
Ｄ1）よりも大き目のものを用いるものであり、図３６
に示すように光束の径Ｄ2が開口部３ａ，４の径Ｄ1より
も大きい炭酸ガスレーザＬを照射しても、炭酸ガスレー
ザＬの周部は金属箔９がマスクとなって遮られて開口孔
１４を通過する炭酸ガスレーザＬのみが基材１に照射さ
れ、開口孔１４の径Ｄ2と同じ大きさの径に開口部３
ａ，４を形成することができる。このようにして、炭酸
ガスレーザＬとして光束の径が開口部３ａ，４の径と正
確に同じものを用いる必要なく、また炭酸ガスレーザＬ
の照射位置を正確に設定する必要なく、金属箔９に形成
した開口孔１４の位置に、開口孔１４と同じ径で、精度
の高い開口部３ａ，４を形成することができるものであ
る（請求項１９）。
【０１１１】また、炭酸ガスレーザＬとして、図３７の
ように直線状のビームに形成されたものを用い、ビーム
の長手方向と垂直な方向で基材１の上に沿って炭酸ガス
レーザＬを走査させながら、基材１の全面に炭酸ガスレ
ーザＬを照射するようにしてもよい。このように基材１
の全面に炭酸ガスレーザＬを照射しても、金属箔９がマ
スクとなって炭酸ガスレーザＬは開口孔１４を通しての
み基材１に作用し、開口孔１４を設けた部分に開口部３
ａ，４を形成することができるものである。そしてこの
ように、直線状のビームに形成された炭酸ガスレーザＬ
を走査させて基材１に炭酸ガスレーザを照射することに
よって、開口部３ａ，４を形成することができるので、
開口部３ａ，４の加工を生産性高く行なうことができる
ものである（請求項２０）。
【０１１２】また上記のように金属箔９をマスクとして
用いて炭酸ガスレーザを照射して開口部３ａ，４を加工
するにあたって、図３８（ａ）のように、金属箔９に形
成した開口孔１４の周囲の金属箔９をエッチング除去し
て、絶縁部１５を形成しておくのがよい。この絶縁部１
５は基材１の開口部４の全周を囲むと共に、開口部４と
開口部３ａとの間の部分にも設け、さらに開口部３ａの
周囲の全周を囲むように設けるのが好ましい。このよう
に開口孔１４の周囲に絶縁部１５を形成しておくと、こ
の金属箔９を残したままプリント配線板Ａを作製する場
合、図３８（ｂ）に示すように、開口部４の周囲の金属
箔９にボンディングワイヤー６が接触しても、絶縁部１
５によって短絡が発生することを防止することができる
ものである（請求項２１）。
【０１１３】開口部３ａ，４を加工する光ビームとして
は、高調波ＹＡＧレーザを用いることもできる。高調波
ＹＡＧレーザを用いることによって、基材１の絶縁層を
除去して開口部３ａ，４を加工することができると共
に、開口部３ａ，４内の残留樹脂の除去や、開口部３
ａ，４の底部の金属箔９の表面の平滑化や清浄化を同時
に行なうことができるものである。特にＹＡＧ第３高調
波（波長３５５ｎｍ）は基材１の絶縁層や銅箔などの金
属箔９の吸収率が良く、発振パワーが比較的高いため、
この加工に適しているものであり、またビーム集光性も
良いために、小径の開口部３ａ，４の加工に適している
ものである。照射条件は、１０〜５０Ｊ／ｃｍ2、１０
〜５０ショット程度が好ましい。
【０１１４】また、上記の実施の形態では、光ビームと
して炭酸ガスレーザ等を用いるようにしたが、光ビーム
としてＳＨＧ（ｓｅｃｏｎｄ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅ
ｎｅｒａｔｉｏｎ）−ＹＡＧレーザ、ＴＨＧ（ｔｈｉｒ
ｄ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）−ＹＡ
Ｇレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、ＴＨＧ−ＹＬＦレー
ザを用いることもできる。これらのＳＨＧ−ＹＡＧレー
ザ、ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、Ｔ
ＨＧ−ＹＬＦレーザは銅箔などの金属箔９にも作用させ
ることができるので、基材１から金属箔９を除去する必
要なく、金属箔９の上から基材１に開口部３ａ，４を形
成することが可能になるものである（請求項４６）。ま
たエッチング加工等をする必要なく、ＳＨＧ−ＹＡＧレ
ーザやＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、
ＴＨＧ−ＹＬＦレーザのうち一つ以上の照射で金属箔９
に回路形成加工を行なってコンタクト端子２を形成する
ことができるものである（請求項４７）。
【０１１５】すなわち、図３９（ａ）のように両面に金
属箔９，９を張った基材１を用い、そして図３９（ｂ）
のように各金属箔９，９にＳＨＧ−ＹＡＧレーザＬやＴ
ＨＧ−ＹＡＧレーザＬ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザＬ、ＴＨ
Ｇ−ＹＬＦレーザＬを照射することによって、一方の金
属箔９の不要部分を消失させてコンタクト端子２を形成
すると共に、他方の金属箔９とともに基材１を消失させ
ることによって、金属箔９を通して基材１に開口部３
ａ，４を形成することができるものである。
【０１１６】また、このようにしてＳＨＧ−ＹＡＧレー
ザやＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、Ｔ
ＨＧ−ＹＬＦレーザの照射で金属箔９を回路形成加工し
てコンタクト端子２を形成した後、このコンタクト端子
２を形成した面の基材１を液体ホーニング処理あるいは
サンドブラスト処理して、残存する金属箔を除去するの
が、コンタクト端子２の回路信頼性を高める上で好まし
い（請求項４８）。
【０１１７】また上記のようにＳＨＧ−ＹＡＧレーザや
ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、ＴＨＧ
−ＹＬＦレーザを照射することによって、金属箔９を通
して基材１に開口部３ａ，４を加工するにあたって、図
４０に示すように、同時に開口部３ａ，４の周囲の金属
箔９を除去するようにするのが好ましい。この場合、金
属箔９の除去は図３８（ａ）のように行なうようにして
もよい。このように開口部３ａ，４の周囲の金属箔９を
除去しておけば、この金属箔９を残したままＩＣカード
用プリント配線板Ａを作製する場合、開口部４の周囲の
金属箔９にボンディングワイヤー６が接触することがな
くなり、短絡が発生することを防止することができるも
のである（請求項４９）。
【０１１８】上記のようにしてＳＨＧ−ＹＡＧレーザや
ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、ＴＨＧ
−ＹＬＦレーザを照射して基材１にコンタクト端子２と
開口部３ａ，４を設けた後、コンタクト端子２の露出す
る外面にＮｉメッキ及び光沢Ａｕメッキを施して仕上げ
メッキ１０ａを形成し、次にこのコンタクト端子２の露
出する外面にメッキレジストを貼着して開口部３ａ，４
の底部に臨むコンタクト端子２の表面にＮｉメッキ及び
無光沢Ａｕメッキを施して仕上げメッキ１０ｂを形成
し、そしてメッキレジストを除去してプリント配線板Ａ
に仕上げることができるものである。
【０１１９】次に、開口部３ａ，４の加工をサンドブラ
スト処理することによって行なうようにした実施の形態
を説明する。基材１としては、既述のように図４１
（ａ）に示すような、両面に銅箔などの金属箔９，９を
張った長尺のフレキシブル両面金属張り樹脂積層板１ａ
を用いることができるものであり、既述の場合と同様に
スプロケット穴１２を形成して使用することができる。
【０１２０】そしてまず、基材１の一方の金属箔９をエ
ッチング除去して基材１の片面を露出させた後、図４１
（ｂ）のように露出させた基材１の表面と基材１の片面
の金属箔９の表面にそれぞれ感光性のブラスト用レジス
ト３０を貼着し、露光・現像する。露光・現像によっ
て、基材１の表面のブラスト用レジスト３０には開口部
３ａ，４を形成する部分に開口孔３１ａを形成し、金属
箔９の表面のブラスト用レジスト３０にはコンタクト端
子２を形成する箇所以外の部分に開口孔３１ｂを形成す
るようにしてある。
【０１２１】次に、基材１の両面に図４２のようにサン
ドブラスト処理を行なう。例えば、粒径５μｍのアルミ
ナ粉を砥粒２４として用い、サンドブラスト装置によっ
て砥粒２４をエア圧５ｋｇ／ｃｍ2で数秒間噴射するこ
とによって行なうことができる。このように砥粒２４を
噴射してサンドブラスト処理すると、図４１（ｃ）に示
すように、ブラスト用レジスト３０で被覆されていない
部分の基材１に開口孔３１ａを通して砥粒２４が作用
し、基材１に開口部３ａ，４を加工することができると
共に、ブラスト用レジスト３０で被覆されていない部分
の金属箔９に開口孔３１ｂを通して砥粒２４が作用し、
金属箔９を回路形成加工してコンタクト端子２を形成す
ることができるものである。サンドブラスト処理は、砥
粒２４が衝突する面だけが処理を受ける異方性加工であ
るので、開口部３ａ，４の内周面の樹脂にはダメージを
与えないようにすることができる。
【０１２２】このように、サンドブラスト処理で開口部
３ａ，４を加工するにあたって、ブラスト用レジスト３
０に形成する開口孔３１ａ，３１ｂの寸法や間隔に応じ
て、開口部３ａ，４を小さな径で加工することが可能に
なると共に開口部３ａ，４の間隔も小さく設定して加工
することが可能になり、小さな開口部３ａ，４を高密度
に配置して基材１に形成することができるものであり、
プリント配線板の小型化が可能になるものである（請求
項７）。
【０１２３】また、上記のように基材１の両面にサンド
ブラスト処理を行なって、基材１に開口部３ａ，４を加
工すると同時に金属箔９を回路形成加工してコンタクト
端子２を形成することができるものであり、工程を少な
くして生産性を高めることができるものである（請求項
１４）。
【０１２４】ここで、サンドブラスト処理を行なうにあ
たって、図４３に示すように、砥粒２４を噴射するブラ
ストノズル１３を両側から挟み込むように一対のエアー
ノズル３２からエアーを吹き付けることによって、砥粒
２４を扇状にブラストノズル１３から噴射させるように
することができる。このように砥粒２４を扇状に拡げて
噴射させるようにすれば、基材１に幅方向に亘って砥粒
２４を吹き付けることができるものであり、ブラストノ
ズル１３を横移動や首振りなどさせる必要がなくなっ
て、装置の構造を簡単なものにすることができるもので
ある（請求項１５）。
【０１２５】上記のように基材１の両面にサンドブラス
ト処理を行なって、一方の面に開口部３ａ，４を加工
し、他方の面に回路形成加工する場合、加工条件が異な
るために、一方の面に吹き付ける砥粒２４と、他方の面
に吹き付ける砥粒２４とで異なる種類のものを用いる必
要があるが、このように異なる種類の砥粒２４を基材１
の両面に同時に吹き付けると、異なる種類の砥粒２４が
混ざって、回収して再使用することができなくなる。
【０１２６】そこで砥粒２４を吹き付けるにあたって、
図４４のように、開口部３ａ，４を加工する側で砥粒２
４の噴射のエアー圧を高く設定して高い圧力で吹き付け
るようにすると共に、回路形成加工する側で砥粒２４の
噴射のエアー圧を低く設定して低い圧力で吹き付けるよ
うにすることによって、同じ種類の砥粒２４を用いて基
材１の両面に同時に吹き付けるようにしても、一方の面
に開口部３ａ，４を加工し、他方の面に回路形成加工す
ることができる。従って、砥粒２４を回収して再使用す
ることができるものである（請求項１６）。
【０１２７】また砥粒２４を吹き付けるにあたって、図
４５のように、開口部３ａ，４を加工する側で砥粒２４
の噴射量を多くすると共に、回路形成加工する側で砥粒
２４の噴射量を少なく設定することによって、同じ種類
の砥粒２４を用いて基材１の両面に同時に吹き付けるよ
うにしても、一方の面に開口部３ａ，４を加工し、他方
の面に回路形成加工することができる。従って、砥粒２
４を回収して再使用することができるものである（請求
項１７）。
【０１２８】上記のようにサンドブラスト処理を行なっ
て基材１にコンタクト端子２と開口部３ａ，４を設けた
後、図４１（ｄ）のようにコンタクト端子２の露出する
外面にＮｉメッキ及び光沢Ａｕメッキを施して仕上げメ
ッキ１０ａを形成し、次にこのコンタクト端子２の露出
する外面にメッキレジストを貼着して開口部３ａ，４の
底部に臨むコンタクト端子２の表面にＮｉメッキ及び無
光沢Ａｕメッキを施して図４１（ｅ）のように仕上げメ
ッキ１０ｂを形成し、そしてメッキレジストを除去して
用プリント配線板Ａに仕上げることができるものであ
る。
【０１２９】図４６は本発明の実施の形態の他の例を示
すものであり、両面銅張りガラスエポキシ樹脂積層板な
ど、ガラス繊維を含有し、表面に金属箔９を張った基材
１を用いるにあたって、コンタクト端子２を形成する金
属箔９と基材１の間に、開口部３ａ，４を形成する個所
においてマスク６４を介在させたものを使用するように
してある。すなわち、ガラスクロスなどガラス繊維基材
にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂ワニスを含浸して樹
脂含浸基材を作製し、この樹脂含浸基材を必要に応じて
複数枚重ねると共にその両側を金属箔９，９で挟み込
み、この際にコンタクト端子２を形成する金属箔９と基
材１の間にマスク６４を挟み込み、これを加熱すること
によって、コンタクト端子２を形成する金属箔９との間
にマスク６４を介在させた基材１を作製することができ
るものである。
【０１３０】マスク６４は図４６（ａ）に示すように、
コンタクト端子２を形成する金属箔９と基材１の境界部
分に介在されている。このマスク６４はドライフィルム
などで形成されるものであり、開口部３ａ，４の径とほ
ぼ同じ大きさに形成してある。そして図４６（ｂ）のよ
うに炭酸ガスレーザＬなどの光ビームを照射したり、あ
るいはサンドブラスト処理したりして、マスク６４を設
けた個所において基材１に開口部３ａ，４を加工する。
開口部３ａ，４の加工はマスク６４が露出するまで行な
うものであり、開口部３ａ，４の底部のマスク６４を除
去することによって、図４６（ｃ）のように開口部３
ａ，４の底面に金属箔９を露出させることができる。開
口部３ａ，４の底面の金属箔９の表面はマスク６４で被
覆されており、この部分において基材１の樹脂は金属箔
９に付着していないので、マスク６４を除去することに
よって、残留樹脂が残らない開口部３ａ，４を形成する
ことができるものである（請求項５０）。
【０１３１】マスク６４の除去は、化学処理によって行
なうことができる。例えば図４８に示すように、開口部
３ａ，４を加工した基材１をアンモニア水などマスク６
４を溶解させる化学薬品６５に浸漬することによって、
開口部３ａ，４の底面にマスク６４を残すことなく除去
することができるものである（請求項５１）。
【０１３２】またマスク６４の除去は、図４８に示すよ
うに、基材１に開口部３ａ，４を加工した後、開口部３
ａ，４に炭酸ガスレーザなどのレーザＬを照射して、マ
スク６４を蒸発させるようにして行なうこともできる
（請求項５２）。
【０１３３】
【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に係るプ
リント配線板は、電子部品が実装される部品実装部を有
する基材と、基材の一方の片面に設けられ表面が外部に
露出して外部接点となるコンタクト端子と、基材に形成
され部品実装部に実装される電子部品とコンタクト端子
とを接続するボンディングワイヤーを通すために基材に
他方の片面に開口させて形成される開口部とを具備して
形成されるプリント配線板において、上記コンタクト端
子は基材に直接密着して設けられた金属箔から形成され
たものであるから、コンタクト端子を構成する金属箔を
接着剤を用いて基材に貼り付けた場合のような耐熱性低
下の問題がなくなり、耐熱性の高いプリント配線板を得
ることができると共に、接着剤を用いない分、厚みを薄
くすることができ、プリント配線板の薄型化が容易にな
るものである。
【０１３４】また請求項２の発明は、上記基材として、
ガラス繊維を含有する基材を用いるようにしたので、ガ
ラス繊維を含有する基材は、強度や電気絶縁性、耐湿性
が優れており、強度や電気絶縁性、耐湿性が高いプリン
ト配線板を得ることができるものである。
【０１３５】また請求項３の発明は、上記部品実装部
を、基材に開口部として形成するようにしたので、部品
実装部に電子部品を実装するにあたって、電子部品は開
口部内に納められ、基材の表面からの電子部品の突出を
小さくすることができるものであり、電子部品を実装し
たプリント配線板を小型化することができるものであ
る。
【０１３６】また請求項４の発明は、上記部品実装用開
口部とボンディングワイヤー用開口部との間の間隔を、
ボンディングワイヤー用開口部の径よりも小さく形成す
るようにしたので、これらの開口部の配置を高密度にす
ることができ、プリント配線板を小型化することができ
るものである。
【０１３７】本発明の請求項５に係るＩＣカードは、カ
ード本体に、部分実装部に電子部品を実装した上記のプ
リント配線板を搭載して形成されるものであり、小型化
したプリント配線板の搭載が容易になり、また上記のよ
うにプリント配線板は耐熱性が高く、耐熱性の高いＩＣ
カードを得ることができるものである。
【０１３８】本発明の請求項６に係るプリント配線板の
製造方法は、電子部品が実装される部品実装部を有する
基材と、基材の一方の片面に設けられ表面が外部に露出
して外部接点となるコンタクト端子と、基材に形成され
部品実装部に実装される電子部品とコンタクト端子とを
接続するボンディングワイヤーを通すために基材に他方
の片面に開口させて形成される開口部とを具備して形成
され、上記コンタクト端子が基材に直接密着して設けら
れた金属箔から形成されたプリント配線板を製造するに
あたって、光ビームを基材に照射することによって、コ
ンタクト端子の裏面側において基材に上記開口部を加工
するようにしたので、光ビームの光束の径を小さくする
ことによって開口部を小さな径で加工することが可能に
なると共に開口部の間隔も小さく設定して加工すること
が可能なるものであり、小さな開口部を高密度に配置し
て基材に形成することができ、プリント配線板を小型化
することができるものである。
【０１３９】本発明の請求項７に係るプリント配線板の
製造方法は、電子部品が実装される部品実装部を有する
基材と、基材の一方の片面に設けられ表面が外部に露出
して外部接点となるコンタクト端子と、基材に形成され
部品実装部に実装される電子部品とコンタクト端子とを
接続するボンディングワイヤーを通すために基材に他方
の片面に開口させて形成される開口部とを具備して形成
され、上記コンタクト端子が基材に直接密着して設けら
れた金属箔から形成されたプリント配線板を製造するに
あたって、基材をサンドブラスト処理することによっ
て、コンタクト端子の裏面側において基材に上記開口部
を加工するようにしたので、サンドブラスト処理で開口
部を加工するにあたって、ブラスト用レジストに形成す
るマスク孔の寸法や間隔に応じて、開口部を小さな径で
加工することが可能になると共に開口部の間隔を小さく
設定して加工することが可能になるものであり、小さな
開口部を高密度に配置して基材に形成することができ、
プリント配線板を小型化することができるものである。
【０１４０】また請求項８の発明は、両面に金属箔を張
った基材を用い、一方の金属箔をエッチング除去すると
共に他方の金属箔を回路形成加工してコンタクト端子を
形成した後に、金属箔をエッチング除去した側の片面か
ら基材に開口部を加工するようにしたので、表面に金属
箔を積層しないで作製したものよりも基材は表面の平滑
性が高く、厚みの均一性が優れているものであり、品質
の高いプリント配線板を製造することができると共に、
基材に予め張った金属箔でコンタクト端子を形成するこ
とができるものであって、基材に予め張った金属箔を一
旦除去した後、コンタクト端子を形成するための金属箔
を基材に接着するような必要がなく、製造の工程が長く
なったり材料ロスが大きなったりすることがなくなるも
のである。
【０１４１】また請求項９の発明は、金属箔を回路形成
加工して形成したコンタクト端子の表面に仕上げメッキ
を施した後、基材に開口部を加工し、しかる後に開口部
の穴底に臨むコンタクト端子に仕上げメッキを施すよう
にしたので、コンタクト端子の表面に設ける仕上げメッ
キと、コンタクト端子の開口部の底部に臨む部分に設け
る仕上げメッキとは別の工程で形成することができるも
のであり、それぞれの仕上げメッキを異なる種類のメッ
キに形成することが容易になるものである。
【０１４２】また請求項１０の発明は、上記基材とし
て、ロール状に巻いた長尺のガラス繊維を含有するフレ
キシブル両面金属張り積層板を用いるようにしたので、
長尺のフレキシブル両面金属張り積層板を連続して送り
ながら加工をしてプリント配線板を製造することができ
るものであり、生産性を高めることができるものであ
る。
【０１４３】また請求項１１の発明は、フレキシブル両
面金属張り積層板の側端縁に沿ってスプロケット穴を形
成して用いるようにしたので、スプロケット孔にスプロ
ケットの爪を嵌合させることによって、ロール状に巻い
た長尺のフレキシブル両面金属張り積層板を位置決めし
ながら後工程に連続的に送ることができ、加工を精確に
且つ生産性高く行なうことができるものである。
【０１４４】また請求項１２の発明は、部品実装部を基
材に開口部として形成し、上記ボンディングワイヤー用
開口部と同時にこの部品実装用開口部を基材に加工する
ようにしたので、ボンディングワイヤー用開口部と部品
実装用開口部を同時に加工することで加工の工数を低減
できると共に、部品実装部に電子部品を実装するにあた
って、電子部品は開口部内に納められ、基材の表面から
の電子部品の突出を小さくすることができるものであ
り、電子部品を実装したプリント配線板を小型化するこ
とができるものである。
【０１４５】また請求項１３の発明は、開口部を加工し
た後、開口部の底部のコンタクト端子の表面を酸洗する
ようにしたので、酸洗によってコンタクト端子の開口部
の底部の部分の粗度を下げることができ、開口部を通し
てコンタクト端子にボンディングワイヤーをボンディン
グする際の接続信頼性を高めることができるものであ
る。
【０１４６】また請求項１４の発明は、サンドブラスト
処理することによって、基材に開口部を加工すると同時
に金属箔を回路形成加工してコンタクト端子を形成する
ようにしたので、工程を少なくして生産性を高めること
ができるものである。
【０１４７】また請求項１５の発明は、砥粒を噴射する
ブラストノズルを両側から挟み込むようにエアーを吹き
付けることによって、砥粒を扇状にブラストノズルから
噴射させてサンドブラスト処理を行なうようにしたの
で、砥粒を扇状に拡げて噴射して基材に幅広い範囲で吹
き付けることができるものであり、ブラストノズルを横
移動や首振りなどさせる必要がなくなって、装置の構造
を簡単なものにすることができるものである。
【０１４８】また請求項１６の発明は、金属箔が存在し
ない側の片面から基材をサンドブラスト処理して開口部
を加工すると共に金属箔を張った側の片面からサンドブ
ラスト処理して金属箔を回路形成加工するにあたって、
開口部を形成する側のサンドブラストの噴射圧力を回路
形成側のサンドブラストの噴射圧力よりも大きく設定す
るようにしたので、同じ種類の砥粒を用いて基材の両面
に同時に吹き付けるようにしても、一方の面に開口部を
加工し、他方の面に回路形成加工をすることができるも
のであり、使用した砥粒を回収して再使用することが可
能になるものである。
【０１４９】また請求項１７の発明は、金属箔が存在し
ない側の片面から基材をサンドブラスト処理して開口部
を加工すると共に金属箔を張った側の片面からサンドブ
ラスト処理して金属箔を回路形成加工するにあたって、
開口部を形成する側のサンドブラストの噴射量を回路形
成側のサンドブラストの噴射量よりも大きく設定するよ
うにしたので、同じ種類の砥粒を用いて基材の両面に同
時に吹き付けるようにしても、一方の面に開口部を加工
し、他方の面に回路形成加工をすることができるもので
あり、使用した砥粒を回収して再使用することが可能に
なるものである。
【０１５０】また請求項１８の発明は、光ビームとして
炭酸ガスレーザを用いるようにしたので、炭酸ガスレー
ザは照射エネルギーの制御が容易であって、開口部を加
工する際の深さの制御を容易に行なうことができると共
に、炭酸ガスレーザは銅箔等の金属箔に作用し難く、コ
ンタクト端子に与えるダメージを少なくして開口部を加
工することができるものである。
【０１５１】また請求項１９の発明は、両面に金属箔を
張った基材を用い、一方の金属箔にエッチングして開口
孔を設けた後に、この開口孔の箇所に開口孔よりも径の
大きなビームの炭酸ガスレーザを照射することによっ
て、基材に開口部を加工するようにしたので、金属箔に
形成した開口孔の位置に、開口孔と同じ径で、精度の高
い開口部を形成することができるものである。
【０１５２】また請求項２０の発明は、直線状のビーム
に形成された炭酸ガスレーザを、ビームの長手方向と垂
直な方向で走査させることによって、基材に炭酸ガスレ
ーザを照射するようにしたので、炭酸ガスレーザを基材
の表面に沿って走査させることによって、開口部の加工
を生産性高く行なうことができるものである。
【０１５３】また請求項２１の発明は、金属箔に設けた
上記開口孔の周囲に、金属箔を除去した絶縁部を形成す
るようにしたので、金属箔を残したままプリント配線板
を作製するにあたって、開口部の周囲の金属箔にボンデ
ィングワイヤーが接触しても、絶縁部によって短絡が発
生することを防止することができるものである。
【０１５４】また請求項２２の発明は、基材との密着面
を酸化処理した金属箔を張った基材を用いるようにした
ので、基材に炭酸ガスレーザを照射して開口部を加工す
るにあたって、コンタクト端子の酸化処理した表面での
炭酸ガスレーザの反射率が低くなり、コンタクト端子の
近傍の基材の温度を上昇させて、開口部の底部に炭酸ガ
スレーザの照射で除去されない樹脂が残存することを低
減することができるものである。
【０１５５】また請求項２３の発明は、基材との密着面
を粗面化した金属箔を張った基材を用いるようにしたの
で、基材に炭酸ガスレーザを照射して開口部を加工する
にあたって、コンタクト端子の粗面化した表面での炭酸
ガスレーザの反射率が低くなり、コンタクト端子の近傍
の基材の温度を上昇させて、開口部の底部に炭酸ガスレ
ーザの照射で除去されない樹脂が残存することを低減す
ることができるものである。
【０１５６】また請求項２４の発明は、炭酸ガスレーザ
として、ビームのエネルギー分布が開口部において均一
なものを用いるようにしたので、炭酸ガスレーザは基材
に照射される面で均一に作用し、コンタクト端子に与え
るダメージを小さくして、開口部を加工することができ
るものである。
【０１５７】また請求項２５の発明は、炭酸ガスレーザ
として、ビームのエネルギー分布が開口部の周部ほど高
くなるものを用いるようにしたので、基材としてガラス
繊維含有のものを用いる場合に、開口部の内周に突出す
るガラス繊維を炭酸ガスレーザで消失させることがで
き、開口部の内周にガラス繊維が突出することをなくし
て、内周面が平滑な開口部を形成することができるもの
である。
【０１５８】また請求項２６の発明は、炭酸ガスレーザ
を基材の片面に照射して開口部を形成するにあたって、
基材の他の片面の金属箔の表面に放熱板を設置して炭酸
ガスレーザの照射をおこなうようにしたので、炭酸ガス
レーザの照射による熱を放熱板で放熱させることがで
き、コンタクト端子となる金属箔に与える熱ダメージを
低減することができるものである。
【０１５９】また請求項２７の発明は、炭酸ガスレーザ
を基材の片面に照射して開口部を形成するにあたって、
基材の他の片面の金属箔の表面に水冷管を設置して炭酸
ガスレーザの照射をおこなうようにしたので、炭酸ガス
レーザの照射による熱を水冷管で冷却することができ、
コンタクト端子となる金属箔に与える熱ダメージを低減
することができるものである。
【０１６０】また請求項２８の発明は、炭酸ガスレーザ
を基材に照射して開口部を形成するにあたって、ビーム
光路の中心にビーム減衰用フィルターを設置するように
したので、炭酸ガスレーザのビーム径の中心部のパワー
をビーム減衰用フィルターで減衰させることができ、コ
ンタクト端子となる金属箔に開口部の中心部において熱
が集中してダメージが発生することを防ぐことができる
ものである。
【０１６１】また請求項２９の発明は、ガラス繊維を有
する基材に炭酸ガスレーザを照射して開口部を形成した
後、開口部を高圧水洗処理するようにしたので、炭酸ガ
スレーザの照射で開口部を加工するに際して開口部内に
一部のガラス繊維が残留しても、高圧水でこの残留ガラ
ス繊維を除去することができ、開口部の底面のコンタク
ト端子へのワイヤボンディングの接続信頼性を向上させ
ることができるものである。
【０１６２】また請求項３０の発明は、ガラスクロスを
有する基材に炭酸ガスレーザを照射して開口部を形成す
るにあたって、ガラスクロスの繊維の密度を疎にして開
口部を形成する個所にガラスクロスの繊維が存在しない
基材を用いるようにしたので、炭酸ガスレーザの照射で
開口部を加工するに際して開口部内にガラス繊維が残留
することがなくなり、開口部の底面のコンタクト端子へ
のワイヤボンディングの接続信頼性を向上させることが
できるものである。
【０１６３】また請求項３１の発明は、ガラスクロスを
有する基材に炭酸ガスレーザを照射して開口部を形成す
るにあたって、開口部に対応する個所を予め打ち抜いた
ガラスクロスを用いて作製した基材を用いるようにした
ので、炭酸ガスレーザの照射で開口部を加工するに際し
て開口部内にガラス繊維が残留することがなくなり、開
口部の底面のコンタクト端子へのワイヤボンディングの
接続信頼性を向上させることができるものである。
【０１６４】また請求項３２の発明は、炭酸ガスレーザ
の照射で基材に開口部を形成した後、開口部の側面及び
開口部の底部を洗浄するようにしたので、開口部の底部
のコンタクト端子の表面に残存する樹脂を洗浄によって
除去することができ、開口部を通してコンタクト端子に
ボンディングワイヤーをボンディングする際の接続信頼
性を高めることができるものである。
【０１６５】また請求項３３の発明は、開口部を過マン
ガン酸カリウム液で処理するようにしたので、開口部の
底部のコンタクト端子の表面に残存する樹脂を過マンガ
ン酸カリウム液で除去することができ、開口部を通して
コンタクト端子にボンディングワイヤーをボンディング
する際の接続信頼性を高めることができるものである。
【０１６６】また請求項３４の発明は、開口部にエキシ
マレーザを照射するようにしたので、開口部の底部のコ
ンタクト端子の表面に残存する樹脂をエキシマレーザで
除去することができ、開口部を通してコンタクト端子に
ボンディングワイヤーをボンディングする際の接続信頼
性を高めることができるものである。
【０１６７】また請求項３５の発明は、エキシマレーザ
の照射部の周辺にエキシマレーザを反射する反射板を設
置するようにしたので、開口部の底部の金属箔から反射
するエキシマレーザを反射板で反射させて再度このエキ
シマレーザが開口部に作用するようにすることができ、
残留樹脂の除去の効率を高めることができると共に、エ
キシマレーザの漏れを抑えて安全性を高めることができ
るものである。
【０１６８】また請求項３６の発明は、３〜１０Ｊ／ｃ
ｍ2、１０〜３０ショットの条件でエキシマレーザを照
射するようにしたので、エキシマレーザの照射で、開口
部内の残留樹脂の除去に加えて、開口部の底面のコンタ
クト端子を形成する金属箔の平滑化や清浄化を行なうこ
とができ、コンタクト端子へのワイヤボンディングの接
続信頼性を向上させることができるものである。
【０１６９】また請求項３７の発明は、反射光をモニタ
リングしながらエキシマレーザを照射するようにしたの
で、エキシマレーザの反射光の光量によって開口部の底
面の金属箔の平滑度を管理することができ、コンタクト
端子を形成する金属箔の平滑度のばらつきを小さくし
て、コンタクト端子へのワイヤボンディングの接続信頼
性の向上の効果を高く得ることができるものである。
【０１７０】また請求項３８の発明は、開口部に短パル
ス赤外光レーザを照射するようにしたので、短パルス赤
外光レーザは金属箔への加工が可能であり、残留樹脂の
除去と同時に開口部の底面のコンタクト端子を形成する
金属箔の平滑化や清浄化を行なうことができ、コンタク
ト端子へのワイヤボンディングの接続信頼性の向上の効
果を高く得ることができるものである。
【０１７１】また請求項３９の発明は、開口部をプラズ
マ処理するようにしたので、開口部の底部のコンタクト
端子の表面に残存する樹脂をプラズマ処理で除去するこ
とができ、開口部を通してコンタクト端子にボンディン
グワイヤーをボンディングする際の接続信頼性を高める
ことができるものである。
【０１７２】また請求項４０の発明は、開口部をサンド
ブラスト処理するようにしたので、開口部の底部のコン
タクト端子の表面に残存する樹脂をサンドブラスト処理
で除去することができ、開口部を通してコンタクト端子
にボンディングワイヤーをボンディングする際の接続信
頼性を高めることができるものである。
【０１７３】また請求項４１の発明は、サンドブラスト
処理をしながら開口部に液体を吹き付けるようにしたの
で、サンドブラスト処理で開口部内から削られた残留樹
脂を液体で洗い流すことができ、コンタクト端子へのワ
イヤボンディングの接続信頼性の向上の効果を高く得る
ことができるものである。
【０１７４】また請求項４２の発明は、液体はアルカリ
溶液であることを特徴とするものであり、アルカリ溶液
を残留樹脂と反応させて残留樹脂の除去の効果を高く得
ることができるものである。
【０１７５】また請求項４３の発明は、球形の砥粒を用
いてサンドブラスト処理をするようにしたので、球形の
砥粒によって金属箔の表面の粗面の凹凸を潰すようにす
ることができ、サンドブラスト処理によって開口部内の
残留樹脂の除去と同時に開口部の底部のコンタクト端子
を形成する金属箔の表面を平滑化することができ、コン
タクト端子へのワイヤボンディングの接続信頼性を高め
ることができるものである。
【０１７６】また請求項４４の発明は、開口部をフッ化
アンモニウム処理するようにしたので、開口部の底部の
コンタクト端子の表面に残存する樹脂をフッ化アンモニ
ウムで除去することができ、開口部を通してコンタクト
端子にボンディングワイヤーをボンディングする際の接
続信頼性を高めることができると共に、基材としてガラ
ス繊維含有のものを用いる場合に、開口部の内周に突出
するガラス繊維を除去することができるものである。
【０１７７】また請求項４５の発明は、開口部の処理後
に、開口部の底部の金属箔にプレス処理を行なうように
したので、プレスによって開口部の底面のコンタクト端
子を形成する金属箔の表面を平滑化することができ、コ
ンタクト端子へのワイヤーボンディングの接続信頼性を
高めることができるものである。
【０１７８】また請求項４６の発明は、ＳＨＧ−ＹＡＧ
レーザ、ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレー
ザ、ＴＨＧ−ＹＬＦレーザから選ばれる一つ以上のレー
ザを照射して基材に開口部を加工するようにしたので、
ＳＨＧ−ＹＡＧレーザやＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ
−ＹＬＦレーザ、ＴＨＧ−ＹＬＦレーザは銅箔などの金
属箔にも作用させることができるものであり、基材から
金属箔を除去する必要なく、金属箔の上から基材に開口
部を形成することが可能になるものである。
【０１７９】また請求項４７の発明は、金属箔を張った
基材を用い、ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＴＨＧ−ＹＡＧレ
ーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、ＴＨＧ−ＹＬＦレーザか
ら選ばれる一つ以上のレーザを照射して基材に開口部を
加工すると共に金属箔に回路形成加工してコンタクト端
子を形成するようにしたので、エッチング加工等をする
必要なく、金属箔に回路形成加工を行なってコンタクト
端子を形成することができるものである。
【０１８０】また請求項４８の発明は、回路形成加工し
た側の面に液体ホーニング処理あるいはサンドブラスト
処理を行なうようにしたので、回路形成面に残存する金
属箔を除去することができ、コンタクト端子の信頼性を
高めることができるものである。
【０１８１】また請求項４９の発明は、両面に金属箔を
張った基材を用い、一方の金属箔の表面にＳＨＧ−ＹＡ
Ｇレーザ、ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレー
ザ、ＴＨＧ−ＹＬＦレーザから選ばれる一つ以上のレー
ザを照射して、照射部分の金属箔とともに基材を除去し
て開口部を加工すると共に、開口部の周囲の金属箔を除
去するようにしたので、金属箔を残したままプリント配
線板を作製にあたって、開口部の周囲の金属箔にボンデ
ィングワイヤーが接触することがなくなり、短絡が発生
することを防止することができるものである。
【０１８２】また請求項５０の発明は、表面に金属箔を
張った基材を用いるにあたって、コンタクト端子を形成
する金属箔と基材の間に、開口部を形成する個所におい
てマスクを介在させたものを用い、開口部を形成すると
共にマスクを除去するようにしたので、開口部の底面の
金属箔の表面はマスクで被覆されていて基材の樹脂は付
着していないものであり、残留樹脂が残らないように開
口部を形成することができ、コンタクト端子へのワイヤ
ーボンディングの接続信頼性を高めることができるもの
である。
【０１８３】また請求項５１の発明は、マスクの除去を
化学処理で行なうようにしたので、開口部の底面にマス
クを残すことなく除去することができるものである。
【０１８４】また請求項５２の発明は、マスクの除去を
光ビームの照射で行なうようにしたので、開口部の底面
にマスクを残すことなく除去することができるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプリント配線板の実施の形態の一
例を示すものであり、（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図
である。
【図２】本発明に係るプリント配線板の製造方法の実施
の形態の一例を示すものであり、（ａ）乃至（ｅ）はそ
れぞれ各工程での断面図である。
【図３】同上に用いる基材の実施の形態の一例の斜視図
である。
【図４】同上に用いる基材の実施の形態の一例の斜視図
である。
【図５】同上に用いる基材の実施の形態の一例の平面図
である。
【図６】同上の開口部の形成工程の断面図である。
【図７】同上の開口部の形成工程の断面図である。
【図８】同上の開口部の形成工程を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。
【図９】同上の開口部の形成工程を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。
【図１０】同上の開口部の形成工程を示すものであり、
（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）はビーム径と
パワーの関係を示すグラフである。
【図１１】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図１２】同上の開口部の形成工程と洗浄工程を示すも
のであり、（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。
【図１３】同上の基材を形成するガラスクロスを示すも
のであり、（ａ），（ｂ）はそれぞれ平面図である。
【図１４】本発明のプリント配線板の製造の工程の一例
を示すものであり、（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ断面図
である。
【図１５】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図１６】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図１７】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図１８】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図１９】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図２０】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図２１】同上の開口部の洗浄工程の断面図である。
【図２２】同上の開口部の洗浄工程を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。
【図２３】同上の開口部の洗浄工程を示すものであり、
（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。
【図２４】同上の金属箔の平滑化の工程の断面図であ
る。
【図２５】本発明に係るＩＣカードの実施の形態の一例
を示す断面図である。
【図２６】本発明に係るプリント配線板の製造の各工程
を示すものであり、（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は
それぞれ断面図である。
【図２７】（ａ），（ｂ）はそれぞれ、図２６（ａ）の
開口部の底面を撮影したＳＥＭ写真である。
【図２８】（ａ）は図２６（ｂ）の開口部の底面を撮影
したＳＥＭ写真、（ｂ）は図２６（ｃ）の開口部の底面
を撮影したＳＥＭ写真、（ｃ）は図２６（ｄ）の開口部
の底面を撮影したＳＥＭ写真である。
【図２９】基材の開口部にエキシマレーザを照射して処
理を行なった後の、開口部の底面を撮影したＳＥＭ写真
である。
【図３０】基材の開口部にエキシマレーザを照射して処
理を行なった後の、開口部の底面を撮影したＳＥＭ写真
である。
【図３１】基材の開口部にエキシマレーザを照射すると
共に開口部の底面の銅箔に仕上げメッキをした後の、銅
箔の断面を撮影したＳＥＭ写真である。
【図３２】基材の開口部にエキシマレーザを照射すると
共に開口部の底面の銅箔に仕上げメッキをした後の、銅
箔の断面を撮影したＳＥＭ写真である。
【図３３】ワイヤーボンディングを行なった状態のプリ
ント配線板を示す断面図である。
【図３４】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）はそれぞ
れ、同上のボンディング部分を撮影したＳＥＭ写真であ
る。
【図３５】本発明に係るプリント配線板の製造方法の実
施の形態の他例を示すものであり、（ａ）乃至（ｃ）は
それぞれ各工程での断面図である。
【図３６】同上の開口部の形成工程の断面図である。
【図３７】同上の開口部の形成工程の斜視図である。
【図３８】同上のプリント配線板を示すものであり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図３９】本発明に係るプリント配線板の製造方法の実
施の形態の他例を示すものであり、（ａ），（ｂ）はそ
れぞれ各工程での断面図である。
【図４０】同上の開口部の形成工程の断面図である。
【図４１】本発明に係るプリント配線板の製造方法の実
施の形態の他例を示すものであり、（ａ）乃至（ｅ）は
それぞれ各工程での断面図である。
【図４２】同上の開口部の形成工程の断面図である。
【図４３】同上の開口部の形成工程の斜視図である。
【図４４】同上の開口部の形成工程の断面図である。
【図４５】同上の開口部の形成工程の断面図である。
【図４６】本発明のプリント配線板の製造の工程の一例
を示すものであり、（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ断面図
である。
【図４７】同上のマスクの除去工程を示す断面図であ
る。
【図４８】同上のマスクの除去工程を示す断面図であ
る。
【図４９】従来のプリント配線板の製造方法を示すもの
であり、（ａ）乃至（ｅ）はそれぞれ各工程での断面図
である。
【符号の説明】
１ 基材 １ａ 両面金属張り積層板 ２ コンタクト端子 ３ 部品実装部 ３ａ 開口部 ４ 開口部 ５ 電子部品 ６ ボンディングワイヤー ９ 金属箔 １０ａ 仕上げメッキ １０ｂ 仕上げメッキ １１ カード本体 １２ スプロケット穴 １３ ブラストノズル １４ 開口孔 １５ 絶縁部 ２４ 砥石 ４１ 反射板 ４２ 放射板 ４４ 水冷管 ４５ ビーム減衰用フィルター ４８ 液体 ５３ ガラスクロス ６４ マスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 健一郎 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内

Claims (52)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子部品が実装される部品実装部を有す
    る基材と、基材の一方の片面に設けられ表面が外部に露
    出して外部接点となるコンタクト端子と、基材に形成さ
    れ部品実装部に実装される電子部品とコンタクト端子と
    を接続するボンディングワイヤーを通すために基材に他
    方の片面に開口させて形成される開口部とを具備して形
    成されるプリント配線板において、上記コンタクト端子
    は基材に直接密着して設けられた金属箔から形成された
    ものであることを特徴とするプリント配線板。
  2. 【請求項２】 上記基材として、ガラス繊維を含有する
    基材を用いて成ることを特徴とする請求項１に記載のプ
    リント配線板。
  3. 【請求項３】 上記部品実装部を、基材に開口部として
    形成して成ることを特徴とする請求項１又は２に記載の
    プリント配線板。
  4. 【請求項４】 上記部品実装用開口部とボンディングワ
    イヤー用開口部との間の間隔を、ボンディングワイヤー
    用開口部の径よりも小さく形成して成ることを特徴とす
    る請求項１乃至３のいずれかに記載のプリント配線板。
  5. 【請求項５】 カード本体に、部品実装部に電子部品を
    実装した上記の請求項１乃至４のいずれかに記載のプリ
    ント配線板を搭載して成ることを特徴とするＩＣカー
    ド。
  6. 【請求項６】 電子部品が実装される部品実装部を有す
    る基材と、基材の一方の片面に設けられ表面が外部に露
    出して外部接点となるコンタクト端子と、基材に形成さ
    れ部品実装部に実装される電子部品とコンタクト端子と
    を接続するボンディングワイヤーを通すために基材に他
    方の片面に開口させて形成される開口部とを具備して形
    成され、上記コンタクト端子が基材に直接密着して設け
    られた金属箔から形成されたプリント配線板を製造する
    にあたって、光ビームを基材に照射することによって、
    コンタクト端子の裏面側において基材に上記開口部を加
    工することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
  7. 【請求項７】 電子部品が実装される部品実装部を有す
    る基材と、基材の一方の片面に設けられ表面が外部に露
    出して外部接点となるコンタクト端子と、基材に形成さ
    れ部品実装部に実装される電子部品とコンタクト端子と
    を接続するボンディングワイヤーを通すために基材に他
    方の片面に開口させて形成される開口部とを具備して形
    成され、上記コンタクト端子が基材に直接密着して設け
    られた金属箔から形成されたプリント配線板を製造する
    にあたって、基材をサンドブラスト処理することによっ
    て、コンタクト端子の裏面側において基材に上記開口部
    を加工することを特徴とするプリント配線板の製造方
    法。
  8. 【請求項８】 両面に金属箔を張った基材を用い、一方
    の金属箔をエッチング除去すると共に他方の金属箔を回
    路形成加工してコンタクト端子を形成した後に、金属箔
    をエッチング除去した側の片面から基材に開口部を加工
    することを特徴とする請求項６又は７に記載のプリント
    配線板の製造方法。
  9. 【請求項９】 金属箔を回路形成加工して形成したコン
    タクト端子の表面に仕上げメッキを施した後、基材に開
    口部を加工し、しかる後に開口部の穴底に臨むコンタク
    ト端子に仕上げメッキを施すことを特徴とする請求項６
    乃至８のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
  10. 【請求項１０】 上記基材として、ロール状に巻いた長
    尺のガラス繊維を含有するフレキシブル両面金属張り積
    層板を用いることを特徴とする請求項６乃至９のいずれ
    かに記載のプリント配線板の製造方法。
  11. 【請求項１１】 フレキシブル両面金属張り積層板の側
    端縁に沿ってスプロケット穴を形成したものを用いるこ
    とを特徴とする請求項１０に記載のプリント配線板の製
    造方法。
  12. 【請求項１２】 部品実装部を基材に開口部として形成
    し、上記ボンディングワイヤー用開口部と同時にこの部
    品実装用開口部を基材に加工することを特徴とする請求
    項６乃至１１のいずれかに記載のプリント配線板の製造
    方法。
  13. 【請求項１３】 開口部を加工した後、開口部の底部の
    コンタクト端子の表面を酸洗することを特徴とする請求
    項６乃至１２のいずれかに記載のプリント配線板の製造
    方法。
  14. 【請求項１４】 サンドブラスト処理することによっ
    て、基材に開口部を加工すると同時に金属箔を回路形成
    加工してコンタクト端子を形成することを特徴とする請
    求項７に記載のプリント配線板の製造方法。
  15. 【請求項１５】 砥粒を噴射するブラストノズルを両側
    から挟み込むようにエアーを吹き付けることによって、
    砥粒を扇状にブラストノズルから噴射させてサンドブラ
    スト処理を行なうことを特徴とする請求項７乃至１４の
    いずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
  16. 【請求項１６】 金属箔が存在しない側の片面から基材
    をサンドブラスト処理して開口部を加工すると共に金属
    箔を張った側の片面からサンドブラスト処理して金属箔
    を回路形成加工するにあたって、開口部を形成する側の
    サンドブラストの噴射圧力を回路形成側のサンドブラス
    トの噴射圧力よりも大きく設定することを特徴とする請
    求項７乃至１５のいずれかに記載のプリント配線板の製
    造方法。
  17. 【請求項１７】 金属箔が存在しない側の片面から基材
    をサンドブラスト処理して開口部を加工すると共に金属
    箔を張った側の片面からサンドブラスト処理して金属箔
    を回路形成加工するにあたって、開口部を形成する側の
    サンドブラストの噴射量を回路形成側のサンドブラスト
    の噴射量よりも大きく設定することを特徴とする請求項
    ７乃至１５のいずれかに記載のプリント配線板の製造方
    法。
  18. 【請求項１８】 光ビームとして炭酸ガスレーザを用い
    ることを特徴とする請求項６、８乃至１３のいずれかに
    記載のプリント配線板の製造方法。
  19. 【請求項１９】 両面に金属箔を張った基材を用い、一
    方の金属箔にエッチングして開口孔を設けた後に、この
    開口孔の箇所に開口孔よりも径の大きなビームの炭酸ガ
    スレーザを照射することによって、基材に開口部を加工
    することを特徴とする請求項１８に記載のプリント配線
    板の製造方法。
  20. 【請求項２０】 直線状のビームに形成された炭酸ガス
    レーザを、ビームの長手方向と垂直な方向で走査させる
    ことによって、基材に炭酸ガスレーザを照射することを
    特徴とする請求項１９に記載のプリント配線板の製造方
    法。
  21. 【請求項２１】 金属箔に設けた上記開口孔の周囲に、
    金属箔を除去した絶縁部を形成することを特徴とする請
    求項１９又は２０に記載のプリント配線板の製造方法。
  22. 【請求項２２】 基材との密着面を酸化処理した金属箔
    を張った基材を用いることを特徴とする請求項６乃至２
    １のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
  23. 【請求項２３】 基材との密着面を粗面化した金属箔を
    張った基材を用いることを特徴とする請求項６乃至２２
    のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
  24. 【請求項２４】 炭酸ガスレーザとして、ビームのエネ
    ルギー分布が開口部において均一なものを用いることを
    特徴とする請求項１８、１９、２１乃至２３のいずれか
    に記載のプリント配線板の製造方法。
  25. 【請求項２５】 炭酸ガスレーザとして、ビームのエネ
    ルギー分布が開口部の周部ほど高くなるものを用いるこ
    とを特徴とする請求項１８、１９、２１乃至２３のいず
    れかに記載のプリント配線板の製造方法。
  26. 【請求項２６】 炭酸ガスレーザを基材の片面に照射し
    て開口部を形成するにあたって、基材の他の片面の金属
    箔の表面に放熱板を設置して炭酸ガスレーザの照射をお
    こなうことを特徴とする請求項１８乃至２５のいずれか
    に記載のプリント配線板の製造方法。
  27. 【請求項２７】 炭酸ガスレーザを基材の片面に照射し
    て開口部を形成するにあたって、基材の他の片面の金属
    箔の表面に水冷管を設置して炭酸ガスレーザの照射をお
    こなうことを特徴とする請求項１８乃至２６のいずれか
    に記載のプリント配線板の製造方法。
  28. 【請求項２８】 炭酸ガスレーザを基材に照射して開口
    部を形成するにあたって、ビーム光路の中心にビーム減
    衰用フィルターを設置することを特徴とする請求項１８
    乃至２７のいずれかに記載のプリント配線板の製造方
    法。
  29. 【請求項２９】 ガラス繊維を有する基材に炭酸ガスレ
    ーザを照射して開口部を形成した後、開口部を高圧水洗
    処理することを特徴とする請求項１８乃至２８のいずれ
    かに記載のプリント配線板の製造方法。
  30. 【請求項３０】 ガラスクロスを有する基材に炭酸ガス
    レーザを照射して開口部を形成するにあたって、ガラス
    クロスの繊維の密度を疎にして開口部を形成する個所に
    ガラスクロスの繊維が存在しない基材を用いることを特
    徴とする請求項１８乃至２９のいずれかに記載のプリン
    ト配線板の製造方法。
  31. 【請求項３１】 ガラスクロスを有する基材に炭酸ガス
    レーザを照射して開口部を形成するにあたって、開口部
    に対応する個所を予め打ち抜いたガラスクロスを用いて
    作製した基材を用いることを特徴とする請求項１８乃至
    ２９いずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
  32. 【請求項３２】 炭酸ガスレーザの照射で基材に開口部
    を形成した後、開口部の側面及び開口部の底部を洗浄す
    ることを特徴とする請求項１８乃至３１のいずれかに記
    載のプリント配線板の製造方法。
  33. 【請求項３３】 開口部を過マンガン酸カリウム液で処
    理することを特徴とする請求項３２に記載のプリント配
    線板の製造方法。
  34. 【請求項３４】 開口部にエキシマレーザを照射するこ
    とを特徴とする請求項３２に記載のプリント配線板の製
    造方法。
  35. 【請求項３５】 エキシマレーザの照射部の周辺にエキ
    シマレーザを反射する反射板を設置することを特徴とす
    る請求項３４に記載のプリント配線板の製造方法。
  36. 【請求項３６】 ３〜１０Ｊ／ｃｍ2、１０〜３０ショ
    ットの条件でエキシマレーザを照射することを特徴とす
    る請求項３４に記載のプリント配線板の製造方法。
  37. 【請求項３７】 反射光をモニタリングしながらエキシ
    マレーザを照射することを特徴とする請求項３４乃至３
    ６のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
  38. 【請求項３８】 開口部に短パルス赤外光レーザを照射
    することを特徴とする請求項３２に記載のプリント配線
    板の製造方法。
  39. 【請求項３９】 開口部をプラズマ処理することを特徴
    とする請求項３２に記載のプリント配線板の製造方法。
  40. 【請求項４０】 開口部をサンドブラスト処理すること
    を特徴とする請求項３２に記載のプリント配線板の製造
    方法。
  41. 【請求項４１】 サンドブラスト処理をしながら開口部
    に液体を吹き付けることを特徴とする請求項４０に記載
    のプリント配線板の製造方法。
  42. 【請求項４２】 液体はアルカリ溶液であることを特徴
    とする請求項４１に記載のプリント配線板の製造方法。
  43. 【請求項４３】 球形の砥粒を用いてサンドブラスト処
    理をすることを特徴とする請求項４０乃至４２のいずれ
    かに記載のプリント配線板の製造方法。
  44. 【請求項４４】 開口部をフッ化アンモニウム処理する
    ことを特徴とする請求項３２に記載のプリント配線板の
    製造方法。
  45. 【請求項４５】 開口部の処理後に、開口部の底部の金
    属箔にプレス処理を行なうことを特徴とする請求項３３
    又は３９に記載のプリント配線板の製造方法。
  46. 【請求項４６】 ＳＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＴＨＧ−ＹＡ
    Ｇレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、ＴＨＧ−ＹＬＦレー
    ザから選ばれる一つ以上のレーザを照射して基材に開口
    部を加工することを特徴とする請求項６、８乃至１３、
    ２２、２３のいずれかに記載のプリント配線板の製造方
    法。
  47. 【請求項４７】 金属箔を張った基材を用い、ＳＨＧ−
    ＹＡＧレーザ、ＴＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦ
    レーザ、ＴＨＧ−ＹＬＦレーザから選ばれる一つ以上の
    レーザを照射して基材に開口部を加工すると共に金属箔
    に回路形成加工してコンタクト端子を形成することを特
    徴とする請求項６、８乃至１３、２２、２３、４６に記
    載のプリント配線板の製造方法。
  48. 【請求項４８】 回路形成加工した側の面に液体ホーニ
    ング処理あるいはサンドブラスト処理を行なうことを特
    徴とする請求項４７に記載のプリント配線板の製造方
    法。
  49. 【請求項４９】 両面に金属箔を張った基材を用い、一
    方の金属箔の表面にＳＨＧ−ＹＡＧレーザ、ＴＨＧ−Ｙ
    ＡＧレーザ、ＳＨＧ−ＹＬＦレーザ、ＴＨＧ−ＹＬＦレ
    ーザから選ばれる一つ以上のレーザを照射して、照射部
    分の金属箔とともに基材を除去して開口部を加工すると
    共に、開口部の周囲の金属箔を除去することを特徴とす
    る請求項４６乃至４８のいずれかに記載のプリント配線
    板の製造方法。
  50. 【請求項５０】 表面に金属箔を張った基材を用いるに
    あたって、コンタクト端子を形成する金属箔と基材の間
    に、開口部を形成する個所においてマスクを介在させた
    ものを用い、開口部を形成すると共にマスクを除去する
    ことを特徴とする請求項６乃至４９のいずれかに記載の
    プリント配線板の製造方法。
  51. 【請求項５１】 マスクの除去を化学処理で行なうこと
    を特徴とする請求項５０に記載のプリント配線板の製造
    方法。
  52. 【請求項５２】 マスクの除去を光ビームの照射で行な
    うことを特徴とする請求項５０に記載のプリント配線板
    の製造方法。
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