JPH11103108A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 所定の基準電圧を基準として安定化電圧を発生する安定化電圧発生回路と、
   前記基準電圧を分圧する分圧回路と、
   前記分圧回路の分圧出力端にベースまたはゲートが接続され、エミッタまたはソースが接地されたトランジスタを含む電流増幅回路と、
   前記電流増幅回路から出力される電流と逆向きの電流を出力するカレントミラー回路と、
   前記安定化電圧発生回路の出力端に一端が接続され、前記カレントミラー回路の出力端に他端が接続された電流−電圧変換抵抗と、
   前記電流−電圧変換抵抗の前記他端に発生した電圧がベースまたはゲートに入力されるトランジスタおよび該トランジスタのエミッタまたはソースに接続された電流帰還抵抗からなり、該トランジスタのコレクタまたはドレインが負荷に接続される出力段増幅回路とを備えたことを特徴とする温度依存型定電流発生回路。
2. 前記電流−電圧変換抵抗の前記他端と前記出力段増幅回路のベースまたはゲートとの間に挿入されたバッファ増幅回路をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の温度依存型定電流発生回路。
3. 所定の基準電圧を基準として安定化電圧を発生する安定化電圧発生回路と、
   前記基準電圧を分圧する分圧回路と、
   前記分圧回路の分圧出力端にベースまたはゲートが接続され、エミッタまたはソースが接地されたトランジスタを含む電流増幅回路と、
   前記安定化電圧発生回路の出力端に一端が接続され、前記電流増幅回路の出力端に他端が接続された電流−電圧変換抵抗と、
   前記電流−電圧変換抵抗の前記他端に発生した電圧がベースまたはゲートに入力されるトランジスタおよび該トランジスタのエミッタまたはソースに接続された電流帰還抵抗からなり、該トランジスタのコレクタまたはドレインが負荷に接続される出力段増幅回路と、
   前記電流一電圧変換抵抗の前記他端と前記出力段増幅回路のベースまたはゲートとの間に挿入されたバッファ増幅回路とを備えたことを特徴とする温度依存型定電流発生回路。
4. ベースまたはゲートが前記バッファ増幅回路の出力端に接続され、エミッタまたはソースが前記出力段増幅回路のトランジスタのベースまたはゲートに接続されたトランジスタを有する増幅回路をさらに備えたことを特徴とする請求項２または３のいずれか１項に記載の温度依存型定電流発生回路。
5. 前記電流−電圧変換抵抗の抵抗値および前記分圧回路の分圧比の少なくとも一方を可変としたことを特徴とする請求項１または３のいずれか１項に記載の温度依存型定電流発生回路。
6. 前記負荷として光半導体素子が接続された請求項１〜５のいずれか１項記載の温度依存型定電流発生回路と、
   差動入力信号を増幅するリミット型差動増幅回路と、
   前記リミット型差動増幅回路の二つの出力をそれぞれ入力とするコレクタまたはドレインが接地された一対のトランジスタを含む一対の中間増幅回路と、
   前記一対の中間増幅回路の出力がそれぞれのベースまたはゲートに入力され、一方のコレクタまたはドレインが前記光半導体素子に接続される一対のトランジスタからなる電流スイッチ回路とを備えたことを特徴とする光半導体素子の駆動回路。
7. 前記リミット型差動増幅回路は、エミッタまたはソースが共通に接続された差動対トランジスタと、この差動対トランジスタのエミッタまたはソースの共通接続点に接続された第１の定電流源と、前記差動対トランジスタのコレクタまたはドレインにそれぞれの一端が接続された二つの負荷抵抗と、前記負荷抵抗と電源との間に接続されたレベルシフト抵抗と、このレベルシフト抵抗と前記負荷抵抗との接続点に接続された温度依存性を持つ第２の定電流源とを有することを特徴とする請求項６記載の光半導体素子の駆動回路。
8. 前記リミット型差動増幅回路は、エミッタまたはソースが共通に接続された差動対トランジスタと、前記差動対トランジスタのエミッタまたはソースの共通接続点に接続された温度依存性を持つ定電流源と、前記差動対トランジスタのコレクタまたはドレインにそれぞれの一端が接続された二つの負荷抵抗と、前記負荷抵抗と電源との間に接続されたレベルシフト抵抗とを有することを特徴とする請求項６記載の光半導体素子の駆動回路。
9. 前記リミット型差動増幅回路は、エミッタまたはソースが共通に接続された差動対トランジスタと、前記差動対トランジスタのエミッタまたはソースの共通接続点に接続された電流源と、前記差動対トランジスタのコレクタまたはドレインにそれぞれの一端が接続された二つの負荷抵抗と、前記負荷抵抗と電源との間に接続され、ダイオード２個分の電圧降下を生じるように抵抗値が設定された正の温度係数を持つ感温抵抗素子からなるレベルシフト抵抗とを有することを特徴とする請求項６記載の光半導体素子の駆動回路。