JPH11105796A - 超小型人工衛星用の組込みパルス推進システム - Google Patents

超小型人工衛星用の組込みパルス推進システム

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JPH11105796A
JPH11105796A JP22670398A JP22670398A JPH11105796A JP H11105796 A JPH11105796 A JP H11105796A JP 22670398 A JP22670398 A JP 22670398A JP 22670398 A JP22670398 A JP 22670398A JP H11105796 A JPH11105796 A JP H11105796A
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    • F15BSYSTEMS ACTING BY MEANS OF FLUIDS IN GENERAL; FLUID-PRESSURE ACTUATORS, e.g. SERVOMOTORS; DETAILS OF FLUID-PRESSURE SYSTEMS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • F15B15/1423Component parts; Constructional details
    • F15B15/1471Guiding means other than in the end cap
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 推進システム、特に超小型人工衛星用のマイ
クロスラスタを得る。 【解決手段】 マイクロスラスタはブロ−アウトディス
クとして働くダイアフラムに閉ざされたチャンバ持つ抵
抗ジェット型スラスタとして形成されてもよい。流体
は、例えば不活性ガスをチャンバ内に配置する。ガスを
加熱しガス圧を上昇させダイアフラムを破裂させると、
ガスはチャンバから流れ出し、推進薬として作用し、小
単位の力が得られる。本マイクロスラスタは、既知のバ
ッチ加工方法で形成されるのに適応しており、104
106 個のマイクロスラスタがウェーハ毎に形成され
る。力の大きさは、チャンバ内で用いる流体の種類は勿
論、装置に使うマイクロスラスタの個数、チャンバの形
状の変更で、超小型人工衛星の用途に適するよう、簡単
に変えられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術的分野】本発明は超小型人工衛星の
ための推進システム、特に微細加工された推進システム
に関するもので、小容積の液体又は気体、例えば不活性
ガスを入れる小チャンバが形成されダイアフラムで閉じ
られている。流体を加熱し流体の圧力を上昇させるとブ
ロ−アウトディスクすなわちダイアフラムが破裂し、流
体は順次チャンバから流れ出て推進薬として作用する。
【0002】
【従来技術】超小型人工衛星とは、質量が1キログラム
(kg)から約10kgの範囲の人工衛星である。ナノ
人工衛星は質量が1kg未満の人工衛星である。以後本
文献で述べる衛星は全て、超小型人工衛星を指すものと
する。超小型人工衛星は無数の応用がなされており、よ
り大型の宇宙船と編隊で飛行するセンサ−モジュ−ルを
はじめとして、例えば放射線モニタ−、分光計、表面電
荷モニタ−、ブーム展開撮影及び/又は地表汚染モニタ
−のCCDカメラ、通信システムの人工衛星群、地球観
測衛星群、熱圏の特性を感知する分布観測センサ−、気
象観測分布衛星、兵器システム迎撃用の監視衛星、その
他の応用等がある。様々な超小型人工衛星が技術的に知
られている。こうした超小型人工衛星の例として、S.
W.ジャンソン著の「ナノ人工衛星のための化学的及び
電気的な微小推進力の概念」、版権1994年アメリカ
航空宇宙研究所所有、S.W.ジャンソンとH.ヘルバ
ジャン共著の「バッチ製作マイクロスラスタ:初期の結
果」版権1996年アメリカ航空宇宙研究所所有、が開
示されている。
【0003】従来の推進システムは重すぎしかも力が大
きすぎて、こうした超小型人工衛星に使えない。別の推
進システムがこうした用途に使われることが知られてい
る。例えば、こうした用途目的の既知の推進システム
は、軌道修正や衛星姿勢制御に主として使われるが、推
進薬をスラスタチャンバに導入し、反応させ、ノズルを
通して押し出すことにより衛星に動力を与える。こうし
たシステムは最も少なくても12個のスラスタと多数の
バルブ、タンク、配管、センサ−で構成されている。こ
うした構成は、比較的複雑となり製作コストも比較的高
い。上述のように、マイクロエレクトロニクスでの類似
の方法でバッチベースでの製作に適応した新しいマイク
ロスラスタが開発されてきている。化学マイクロスラス
タと電気マイクロスラスタの双方が知られている。化学
マイクロスラスタにはコ−ルドガススラスタとヒドラジ
ン単元推進薬スラスタがある。コ−ルドガススラスタは
先細/末広ノズルを有し、このノズルで水素、窒素、な
いしヘリウムといった推進薬を膨張させ推進力を得る。
残念ながら水素の貯蔵密度は、超小型人工衛星で使用に
際の実際の気圧、実効温度で、実用的でない。
【0004】ヒドラジン単元推進薬のマイクロスラスタ
もよく知られている。ヒドラジン単元推進薬マイクロス
ラスタは比較的複雑であり、ノズル、マイクロバルブア
レイといった多数の可動部品を有する。こうした単元型
推進薬マイクロスラスタではマイクロコントロ−ラ−も
必要である。上述のように、電気マイクロスラスタも知
られている。こうした電気マイクロスラスタには静電気
スラスタと並んで抵抗ジェットがある。上述の「衛星の
ための化学的及び電気的微小推進力の概念」の中で一般
的に述べられているように、抵抗ジェットでは電気ヒー
ターを使って推進薬の圧力を高めて膨張させ、順次排気
ノズルを通って排出させ、動力を発生させる。既知の抵
抗ジェット型マイクロスラスタが抱える問題は推進薬に
必要な貯蔵スペースの容積である。一方、静電気マイク
ロスラスタでは溶融状態の金属を必要とする。
【0005】
【発明の概要】本発明の目的は先行技術の様々な問題点
を解決することにある。本発明の更に別の目的は超小型
衛星用の推進システムを提供することにある。本発明の
更に別の目的は、既知の推進薬型システムよりも比較的
簡単で複雑でない推進システムを超小型衛星用に提供す
ることにある。本発明の更なる目的は、マイクロエレク
トロニクスに似たバッチ加工によって製作可能なマイク
ロスラスタを提供することにある。要約すれば、本発明
は推進システム、特に超小型衛星用のマイクロスラスタ
に関する。本マイクロスラスタは、チャンバを有する抵
抗ジェット型スラスタとして形成されてもよく、チャン
バーはブロ−アウトディスクとして働くダイアフラムで
閉ざされている。不活性ガスといった流体をチャンバ内
に配置する。ガスを加熱するとガス圧が上昇し、ブロ−
アウトディスクが破裂しガスが順次チャンバの外へ流れ
出すと、推進薬として作用しインパルスビットに相当す
る小さな力を与える。本マイクロスラスタは、集積回路
と似た方式のバッチ加工で形成されるのに適しており、
104 −106 (ないし以上)個のマイクロスラスタが
ウェ−ハ毎に形成される。従って超小型衛星の用途に合
うよう、推進力を比較的容易に小さくできる。
【0006】
【実施例】本発明の目的は、明細書と添付図面を参照す
れば直ちに理解されよう。本発明は超小型衛星のための
マイクロスラスタに関する。本マイクロスラスタを図1
に一般的に示し参照番号20を与える。本発明によるマ
イクロスラスタ20は既知のマイクロスラスタに対し多
くの有利な点を有している。例えばマイクロスラスタ2
0は可動部品がなく、幾何学的構成を変えれば簡単に変
更できる。以下に述べるようにマイクロスラスタ20
は、マイクロエレクトロニクスに通常使われるバッチ加
工技術と同様に、レ−ザ−機械加工技術で製造されるの
に適応している。本発明の重要な点は、マイクロスラス
タ20が比較的正確なコントロ−ルを提供できることで
ある。上述のように、各マイクロスラスタ20は、デジ
タルロジックシステムのビットに類似した単位量の力を
提供するように適応されるので、デジタル推進システム
として考えてもよい。単位量の力の大きさは、特定の用
途に用いられるマイクロスラスタ20の数同様、チャン
バ22の形状で制御してもよい。更に特定すると既述の
ようにマイクロスラスタ20は、例えば、マイクロエレ
クトロニクスに用いられる既知のバッチ加工技術を用い
て製作されるのに適応している。そのようにマイクロス
ラスタ20のアレーは、例えばウェ−ハ毎に104 −1
6 (ないし以上)個のマイクロスラスタを形成するこ
とが可能である。こうした構成であれば、チャンバ22
のサイズやアレー上のマイクロスラスタ20の数などの
様々な要因によって、力の大きさを比較的正確に制御で
きる。以下で述べるようにその他の要素、例えばチャン
バ内で用いられる気体の種類なども単位量の力の大きさ
に影響する。
【0007】図1に関しては、マイクロスラスタ20は
液体ないし不活性ガスといったガスを運ぶチャンバ22
を有し、チャンバーは形状が一般的には立方体である
が、その他に、例えば6角形、8角形、ピラミッド形、
円筒形、半球形、球形、円錐形等に形成されており、ダ
イアフラム24で閉ざされているか、あるいは流体の圧
力上昇で破裂するよう前記チャンバ22の一部分を前記
チャンバ22の他の部分より抵抗を小さくしてある。ダ
イアフラム24はブロ−アウトディスクとして働く。ダ
イアフラム24はチャンバ22の上部の中央部に位置さ
せてもよく、チャンバの最上部と同サイズないし図1が
示すように小さくてもよい。電気抵抗素子26をチャン
バ22に隣接させるか中に配置する。図1に示すよう
に、電気抵抗素子26はチャンバ22の一つの面に隣接
(あるいは内側に)させ、ダイアフラム24の反対側に
配置してもよい。流体をチャンバ22内に置いた時、電
気抵抗素子26により流体に加えられた熱エネルギ−
が、流体を膨張させる。電気抵抗素子26は図示のよう
にチャンバ22の底部あるいは内側に置かれてもよい。
ダイアフラム24の破裂圧に相当する値まで流体の気圧
が高まると、ダイアフラム24は破裂し、順次流体がチ
ャンバ22から流れ出し、穴をあけた風船と同じ意味の
推進薬として働く。図1は末広ノズルを示しているが、
必ずしもその必要はない。
【0008】チャンバ22の上部30と底部28はシリ
コンウェ−ハ、又はその他の適した材質で形成されても
よい。チャンバ22の側壁は、シリコンあるいはガラス
のスペ−サ−32、34又は他の適した材料で作られて
もよい。マイクロスラスタ20を比較的正確に制御する
ため、参照番号36で一般的に表したアドレスアンドセ
ンサ−電子素子をマイクロスラスタ20に組み込むこと
が可能で、これを図1に一般的に示す。このように超小
型人工衛星に適用する場合、力の量を制御するため、ス
ラスト量を電子技術により比較的正確に制御できる。上
述のように電気抵抗素子26はチャンバ22内の流体を
膨張させダイアフラム24を破裂させる。ダイアフラム
24の破片が特定の超小型人工衛星を損傷させないよう
に、金属トレ−ス38をシリコン30の最上部層に隣接
させて配置してもよい。
【0009】不活性ガスを始めとする様々なガス、例え
ば窒素、アルゴン、キセノン、ヘリウム、二酸化炭素な
どがチャンバ22内での使用に適している。図2はヘリ
ウムと二酸化炭素の性能を示す。縦軸はマイクロスラス
タのアレーの全体の力を単位ナノニュ−トン秒で、ヘリ
ウムと二酸化炭素の双方について、マイクロスラスタの
要素のサイズとアレー中のマイクロスラスタの数と関数
として示す。図2に示すように二酸化炭素ガスはヘリウ
ムより大きな力を与える。またどちらのガスの場合で
も、全体の力は各マイクロスラスタ20の要素サイズの
関数として減少する。図3はマイクロスラスタを、絶対
温度300度、10気圧から絶対温度1500度、50
気圧まで加熱するのに必要な熱量を、ヘリウムと二酸化
炭素の双方について示すグラフである。縦軸は熱要素に
成るまでの要素加熱を単位ナノジュ−ルで示し、横軸は
単位マイクロメ−タ−で10から1,000へと変化す
る要素サイズを示す。図3で示すように、二酸化炭素ガ
スではヘリウムガスより多くの加熱する必要がある。さ
らに予測通り、加熱量はマイクロスラスタのサイズの関
数として変化する。
【0010】図4はヘリウムガスや二酸化炭素ガスを用
いたマイクロスラスタに関して予測されるブロ−ダウン
タイムを、マイクロスラスタ20のサイズの関数として
示すグラフである。縦軸はエンプティングタイムを単位
ミリセカンドで表し、横軸はマイクロスラスタのサイズ
を単位マイクロメ−タ−で示している。図4に示すよう
にヘリウムガスは二酸化炭素よりも速く空になり、予測
通り大きいサイズのマイクロスラスタ20ではエンプテ
ィングタイムが延びる。マイクロスラスタ20は、マイ
クロエレクトロニクスで普通に使われているバッチ加工
技術と同様、レ−ザ−微細機械加工技術を始めとする様
々な微細機械加工技術を用いて製作されてよい。特に、
マイクロスラスタ20は、単結晶シリコン(又は他の基
板)のバルク異方性エッチングあるいはプラズマエッチ
ング、反応性イオンエッチング、基板に施された層の堆
積・パタ−ン化・除去、レ−ザ−機械加工といった小型
電子機械システム(MEMS)の技術を用いて製作され
るのに適応している。
【0011】上記の教示に鑑みて、本発明に対し多くの
修正と変更が可能なことは明白である。それ故本発明
は、上記に特定して記載した形よりもむしろ添付の請求
項の範囲内で実施されると、理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるマイクロスラスタの断面図であ
る。
【図2】本発明によるマイクロスラスタの推進力を、ガ
スとマイクロスラスタのサイズの関数として示したグラ
フである。
【図3】本発明によるマイクロスラスタの破裂に必要な
熱を、マイクロスラスタのサイズの関数として示したグ
ラフである。
【図4】本発明によるマイクロスラスタのブロ−アウト
タイムを、チャンバのサイズの関数として示したグラフ
である。
【符号の説明】
20 マイクロスラスタ 22 チャンバ 24 ダイアフラム 26 電気抵抗素子 28、30 シリコンウェ−ハ 32、34 シリコン又はガラスのスペ−サ− 36 アドレスアンドセンサ−電子素子 38 金属トレ−ス

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 流体を運ぶチャンバと、前記チャンバを
    閉ざすダイアフラムと、前記チャンバに対して配置され
    前記チャンバ内の流体に熱エネルギ−を伝える電気抵抗
    素子から成ることを特徴とした超小型人工衛星用の推進
    装置として使われるマイクロスラスタ。
  2. 【請求項2】 前記チャンバが、一般的な立方体に形成
    されていることを特徴とした請求の範囲第1項に記載の
    マイクロスラスタ。
  3. 【請求項3】 前記ダイアフラムが、前記チャンバに対
    して一般的に中央に置かれることを特徴とした請求の範
    囲第1項に記載のマイクロスラスタ。
  4. 【請求項4】 前記電気抵抗素子が、前記チャンバに対
    して一般的に中央に置かれることを特徴とした請求の範
    囲第1項で述べたマイクロスラスタ。
  5. 【請求項5】 前記電気抵抗素子が、前記チャンバの一
    側面上でしかも前記ダイアフラムの反対側に置かれるこ
    とを特徴とした請求の範囲第1項に記載のマイクロスラ
    スタ。
  6. 【請求項6】 前記チャンバが、立方体とは異なる形状
    で形成されることを特徴とした請求の範囲第1項に記載
    のマイクロスラスタ。
  7. 【請求項7】 前記チャンバ、が一般的な6角形に形成
    されることを特徴とした請求の範囲第6項に記載のマイ
    クロスラスタ。
  8. 【請求項8】 前記チャンバが、一般的なピラミッド形
    に形成されることを特徴とした請求の範囲第6項に記載
    のマイクロスラスタ。
  9. 【請求項9】 前記チャンバが、一般的な8角形に形成
    されることを特徴とした請求の範囲第6項に記載のマイ
    クロスラスタ。
  10. 【請求項10】 前記チャンバが、一般的な円筒形に形
    成されることを特徴とした請求の範囲第6項に記載のマ
    イクロスラスタ。
  11. 【請求項11】 前記チャンバが、一般的な半球体に形
    成されることを特徴とした請求の範囲第6項に記載のマ
    イクロスラスタ。
  12. 【請求項12】 前記チャンバが、一般的な球形に形成
    されることを特徴とした請求の範囲第6項に記載のマイ
    クロスラスタ。
  13. 【請求項13】 前記チャンバが、一般的な円錐形に形
    成されることを特徴とした請求の範囲第6項に記載のマ
    イクロスラスタ。
  14. 【請求項14】 前記ダイアフラムが、前記チャンバの
    最上部よりも小さく形成される請求の範囲第1項に記載
    のマイクロスラスタ。
  15. 【請求項15】 前記ダイアフラムが、前記チャンバの
    最上部と同じサイズで形成されることを特徴とした請求
    の範囲第1項に記載のマイクロスラスタ。
  16. 【請求項16】 前記流体が、ガスであることを特徴と
    した請求の範囲第1項に記載のマイクロスラスタ。
  17. 【請求項17】 前記流体が、液体であることを特徴と
    した請求の範囲第1項に記載のマイクロスラスタ。
  18. 【請求項18】 流体を運ぶための閉ざされたチャンバ
    の一部分が前記チャンバの他の部分より上昇した流体圧
    力による破裂に対し抵抗が少なくなっているチャンバ
    と、前記チャンバ内の前記流体に熱エネルギ−を伝達す
    る手段とから成ることを特徴としたマイクロスラスタ。
  19. 【請求項19】 前記マイクロスラスタが、バッチマイ
    クロエレクトロニクス製作方法で製作されていることを
    特徴とした請求の範囲第18項に記載のマイクロスラス
    タ。
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