JPH11109380A

JPH11109380A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH11109380A
Application number: JP9267188A
Authority: JP
Inventors: Hideki Matsuoka; 英樹松岡; Takao Suzuki; 崇夫鈴木; Norio Oku; 規夫奥
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1997-09-30
Filing date: 1997-09-30
Publication date: 1999-04-23

Abstract

(57)【要約】【課題】第１の透明基板上に設けられた駆動回路は、
ここの配線や電極が縦横斜めと蜘蛛の巣状に設けられ、
平坦化膜との接着性から膜剥がれを発生する問題があっ
た。【解決手段】第１の透明基板１４の側辺とドライバー
回路１６、１７、１８との間に、基板側辺と平行に配線
を延在し、配線間に露出されたＳｉ窒化膜との接着性を
利用して膜剥がれを防止し、更に電源等の幅の広い配線
には、スリットＳＬ１、ＳＬ２を設けて補強をし、膜剥
がれを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
するものであり、特にシール材が主因となる不具合を防
止した液晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、液晶表示装置は、低消費電力、薄
型軽量、高精細な画像等が着目され、ＴＦＴを採用した
液晶表示装置が盛んに研究されている。特に、ａ−Ｓ
ｉ、ポリＳｉが中心であるが、移動度、開口率、プロセ
ス工程数等の観点からポリＳｉが最近着目され、実用化
されている。

【０００３】例えば図５は、液晶表示装置の概略平面図
であり、左右に複数本延在されている配線がゲートライ
ン１０であり、上下に複数本延在されている配線がドレ
インライン１１である。そして前記ゲートライン１０と
前記ドレインライン１１によりマトリックス状に交点が
構成され、ここにそれぞれ表示電極１２、この表示電極
１２と電気的に接続されたＴＦＴ１３が対と成って表示
領域を構成している。

【０００４】一方、これらが形成されるガラス基板１４
の一側辺には、端子１５が群となって配置され、この端
子群１５・・・と表示領域との間には、液晶表示装置を
駆動するドライバー回路、ここではプリチャージドライ
バー１６が形成され、対向する側辺にはドレインドライ
バー１７が形成されている。更に、左右の側辺には、ゲ
ートドライバー１８が形成されている。

【０００５】そしてゲートドライバ１８には、水平クロ
ック信号と水平スタート信号が入力される配線１９、２
０が、ドレインドライバー１７には、水平クロック信
号、水平スタート信号およびビデオ信号が入力される配
線２１、２２、２３が、プリチャージドライバー１６に
は、水平クロック信号および水平スタート信号が入力さ
れる配線２４、２５が、基板１４の周囲を延在して端子
１５と接続されている。またこれ以外にも端子が設けら
れているがここでは説明を省略する。

【０００６】また表示領域内の一画素の断面図を図６で
説明する。第１の透明基板として無アルカリガラス５０
（図５の符号１４に対応する）が採用され、この上に
は、トランジスタのゲート５１およびこれと一体のゲー
トラインが形成され、また同一材料の補助容量電極５２
が形成されている。ここでは耐食性と抵抗値が考慮さ
れ、Ｃｒが採用され、この上の膜切れが考慮されてテー
パー構造が採用されている。

【０００７】また全面には、プラズマＣＶＤによりＳｉ
酸化膜５３とＳｉ窒化膜５４が形成され、トランジスタ
領域と補助容量領域に延在されるようにパターニングさ
れたポリＳｉ５５が設けられている。ここでポリＳｉに
は不純物Ｐが導入され、低濃度Ｎ−型のソース・ドレイ
ン領域５７、５８、高濃度Ｎ＋型のコンタクト領域５
９、６０が形成されている。またトランジスタのチャン
ネル領域５６は、この不純物を阻止するために、Ｓｉ酸
化膜のマスク６１が設けられている。

【０００８】ここで補助容量は、補助容量電極５２まで
延在されているポリＳｉのＮ＋型のコンタクト領域６
０、Ｃｒからなる補助容量電極５２および絶縁層５３、
５４で構成されている。更には、全面にプラズマＣＶＤ
法によりＳｉ酸化膜６２、Ｓｉ窒化膜６３が被覆され、
コンタクト領域５９の一部が開口されてコンタクト孔が
形成され、Ａｌのドレイン電極６４が設けられている。
また全面には、今までの構成で成る凹凸を埋める平坦化
膜６５が設けられ、コンタクト領域６０の一部が露出さ
れたコンタクト孔を介してＩＴＯから成る表示電極６６
が設けられている。

【０００９】また図５に於けるドライバー回路１６、１
７、１８は、図６の構成要素を活用し、例えばボトムゲ
ートトランジスタ、ポリＳｉによる抵抗体、配線等から
構成されている。前記ボトムゲートトランジスタと画素
に形成されているトランジスタは、ほぼ同一工程でな
り、抵抗体は、トランジスタの半導体層であるポリＳｉ
５５に不純物が導入されて形成され、配線は、ドレイン
電極６４のＡｌ電極で形成されている。また配線同士の
交差部分には、ゲートのＣｒが活用されて形成されてい
る。またこれらを絶縁するのは、ゲート５１と半導体層
との間に形成される絶縁層５３、５４、半導体層の上に
形成される絶縁層６２、６３が主に使用される。従って
ドライバー回路が形成された最上面には、前記平坦化膜
６５が塗布され、硬化されている。

【００１０】一方、第２の透明基板７０の上には、ＩＴ
Ｏからなる対向電極６７が設けられている。またここで
はカラー表示のため、Ｒ・Ｇ・Ｂのカラーフィルター６
８が表示電極６６に対応した領域に設けられると共にそ
の周囲には遮光膜６９が設けられている。また必要によ
っては、凹凸を平坦化するために対向電極６７が設けら
れる前に設けられても良い。

【００１１】以上の構成を有した透明基板５０、７０に
は、配向膜７２、７１が設けられ、この透明基板が対向
配置される。その後、この間に液晶を封入するため、図
７のようにシール材７３が設けられ、このシール材の一
部で成る注入孔７４を介して液晶が注入され、シール材
端部７６に封止材７６が塗布されて液晶表示装置として
完了される。

【００１２】図７は、図５のシール材の位置を説明する
ものであり、一点鎖線で示す領域が前述した表示領域７
７である。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】この構成に於いて、図
５を見ると判るように、シール材７３は、ドライバー回
路１６、１７、１８と重畳している。ここの断面を考え
ると、図６のＴＦＴのようにドライバー回路のトランジ
スタも形成され、Ｓｉ窒化膜６３と同一材料の絶縁層が
覆われた後、ドレイン電極材料のＡｌにより形成された
ドライバトランジスタのソース、ドレイン電極および配
線１９〜２３が形成され、更にその上には平坦化膜６５
が形成されている。

【００１４】ところがＳｉ窒化膜と平坦化膜であるアク
リル樹脂との接着性は良好であるが、アクリル樹脂とＡ
ｌの接着性はこれと比べると悪い。またアクリル樹脂と
シール材は、同じ高分子材料であるため接着性が良好で
ある。そのためＡｌ配線やＡｌ電極が縦横斜めとまるで
蜘蛛の巣のように非常に密に形成されたドライバー回路
の上にシール材７３があると、シール材の硬化時に発生
する収縮により、シール材とアクリル樹脂の接着性が良
好であることから、アクリル樹脂とＡｌ配線、アクリル
樹脂とＡｌ電極との界面が剥がれてしまい、その結果Ａ
ｌに歪みや断線を発生させ、結局トランジスタの劣化、
不良につながる問題があった。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みてなされ、第１に、透明基板の側辺と平行に延在さ
れるシール材の下層に、前記トランジスタ駆動用の配線
を配置し、前記配線にスリットを形成することで解決す
るものである。第２に、前記スリットは、前記配線の角
部を成す領域に設けることで解決するものである。

【００１６】第３に、前記配線は部分的に配置され、空
きスペースにダミー配線が設けられ、前記配線および前
記ダミー配線に、スリットを形成することで解決するも
のである。本来配線１９〜２３の全くない部分にシール
材を設ければ良いが、ガラス基板サイズが大きくなって
しまう問題がある。しかし駆動回路が形成されている領
域と透明基板側辺との間のＡｌ配線は、一定方向に形成
され、両側にはＳｉ窒化膜が同一方向で露出されてい
る。つまりドライバー回路のＡｌ配線や電極よりも疎に
形成されている。従ってこの部分に、シール材を設けれ
ば、Ａｌ配線の両側辺には平坦化膜との接着性の良好な
Ｓｉ窒化膜が存在し、この両側辺のＳｉ窒化膜と平坦化
膜の接着性でＡｌの剥離を防止することができる。しか
も幅の広い配線に於いては、スリットを設け、Ｓｉ窒化
膜を露出させれば、更に接着性を向上させることができ
る。

【００１７】またＡｌの上に発生する平坦化膜の盛り上
がり幅、この盛り上がりに設けられるスペーサの量が、
シール材の側辺の中で、またシール材４辺で変動するた
め、ギャップが均一にならないが、ダミーパターンを設
けることで解決され、そのダミーパターンにスリットを
設けることで更に剥離性を抑えることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて説明する。まず従来例でも説明したが、図１を参照
して平面的な配置について再度説明する。左右に複数本
延在されている配線がＣｒより成るゲートライン１０で
あり、上下に複数本延在されている配線がＡｌより成る
ドレインライン１１である。そして２種のライン１０、
１１によりマトリックス状に交点が構成され、ここにそ
れぞれＩＴＯより成る表示電極１２、この表示電極１２
と電気的に接続されたＴＦＴ１３が対と成って表示領域
を構成している。

【００１９】一方、これらが形成されるガラス基板１４
の一側辺には、端子１５が群となって配置され、この端
子群１５・・・と表示領域との間には、液晶表示装置を
駆動するドライバー回路、ここではプリチャージドライ
バー１６が形成され、対向する側辺にはドレインドライ
バー１７が形成されている。更に、左右の側辺には、ゲ
ートドライバー１８が形成されている。ただしドレイン
ドライバーとプリチャージドライバーの位置を交換して
も良いし、ゲートドライバーを一方の側辺にまとめて形
成しても良い。

【００２０】そしてゲートドライバ１８には、水平クロ
ック信号と水平スタート信号が入力されるＡｌ配線１
９、２０が、ドレインドライバー１７には、水平クロッ
ク信号、水平スタート信号およびビデオ信号が入力され
るＡｌ配線２１、２２、２３が、プリチャージドライバ
ー１６には、水平クロック信号および水平スタート信号
が入力されるＡｌ配線２４、２５が、基板１４の周囲を
回りながら端子１５と接続されている。

【００２１】続いて、画素部分の断面構造を説明する。
第１の透明基板として無アルカリガラス５０（図１の符
号１４に対応する）が採用され、この上には、トランジ
スタのゲート５１およびこれと一体のゲートライン１０
が形成され、また同一材料の補助容量電極５２が形成さ
れている。ここでは耐食性と抵抗値が考慮され、Ｃｒが
採用され、この上の膜切れが考慮されてテーパー構造が
採用されている。

【００２２】また全面には、プラズマＣＶＤによりＳｉ
酸化膜５３とＳｉ窒化膜５４が形成され、トランジスタ
領域と補助容量領域に延在されるようにパターニングさ
れたポリＳｉ５５が設けられている。ここでポリＳｉに
は不純物Ｐが導入され、低濃度Ｎ−型のソース・ドレイ
ン領域５７、５８、高濃度Ｎ＋型のコンタクト領域５
９、６０が形成されている。またトランジスタのチャン
ネル領域５６は、この不純物を阻止するために、Ｓｉ酸
化膜のマスク６１が設けられている。

【００２３】ここで補助容量は、補助容量電極５２まで
延在されているポリＳｉのＮ＋型のコンタクト領域６
０、Ｃｒからなる補助容量電極５２および絶縁層５３、
５４で構成されている。更には、全面にプラズマＣＶＤ
法によりＳｉ酸化膜６２、Ｓｉ窒化膜６３が被覆され、
コンタクト領域５９の一部が開口されてコンタクト孔が
形成され、Ａｌのドレイン電極６４が設けられている。
また全面には、今までの構成で成る凹凸を埋めるアクリ
ル系樹脂より成る平坦化膜６５が設けられ、コンタクト
領域６０の一部が露出されたコンタクト孔を介してＩＴ
Ｏから成る表示電極６６が設けられている。

【００２４】また図１に於けるドライバー回路１６、１
７、１８は、図６の構成要素を活用し、例えばボトムゲ
ートトランジスタ、ポリＳｉによる抵抗体、配線等から
構成されている。前記ボトムゲートトランジスタと画素
に形成されているトランジスタは、ほぼ同一工程でな
り、抵抗体は、トランジスタの半導体層であるポリＳｉ
５５に不純物が導入されて形成され、配線およびドライ
バー回路のトランジスタのソース・ドレイン電極は、ド
レイン電極６４のＡｌ電極で形成されている。また配線
同士の交差部分には、ゲートのＣｒが活用されて形成さ
れている。またこれらを絶縁するのは、ゲート５１と半
導体層との間に形成される絶縁層５３、５４、半導体層
の上に形成される絶縁層６２、６３が主に使用される。

【００２５】従ってドライバー回路が形成された最上面
には、前記平坦化膜６５が塗布され、硬化されている。
一方、第２の透明基板７０の上には、ＩＴＯからなる対
向電極６７が設けられている。またここではカラー表示
のため、Ｒ・Ｇ・Ｂのカラーフィルター６８が表示電極
６６に対応した領域に設けられると共にその周囲には遮
光膜６９が設けられている。また必要によっては、凹凸
を平坦化するために対向電極６７が設けられる前に設け
られても良い。

【００２６】以上の構成を有した第１の透明基板５０お
よび第２の透明基板７０には、配向膜７１、７２が設け
られ、この透明基板が対向配置され、この間に液晶を封
入するためのシール材が設けられ、このシール材の一部
で成る注入孔を介して液晶が注入され液晶表示装置とし
て完了される。ここで特徴とするところは、図１で示す
シール材７３のように、ドライバー回路上を避け、ドラ
イバー回路と液晶表示装置の側辺との間に塗布する所で
ある。

【００２７】ドライバー回路１６〜１８は、Ａｌによる
配線、つまりここに形成されるトランジスタのソース・
ドレイン電極が縦横または斜めと蜘蛛の巣状に形成さ
れ、ＡｌとＡｌの間に露出されるＳｉ窒化膜は、非常に
少ないが、配線１８〜２３が形成されるドライバー回路
と液晶表示装置の側辺の間は、Ａｌ配線が疎で成り、Ｓ
ｉ窒化膜が広く形成されている。

【００２８】特に、この領域では、配線が液晶表示装置
の側辺と平行して配置されてあり、この配線の両サイド
には、あたかもＳｉ窒化膜が接着剤として露出されてい
る。つまり、平坦化膜がこの上に形成されると、Ｓｉ窒
化膜との接着性がよいことから、Ａｌの両サイドがこの
接着面で配線を全域に渡り押さえるように形成される。
従ってこの領域にシール材７３が塗布されてもＡｌ配線
の剥離が防止される。

【００２９】また、幅が２２μｍの配線を何本もシール
材の下に形成し、そのピッチを変えて配線の剥離性につ
いて調べた。その結果、Ａｌ配線幅と露出されるＳｉ窒
化膜の幅の比が１以下であると剥離し易いことが判っ
た。つまりＳｉ窒化膜の露出幅の比が１を超える値であ
れば、剥離は抑制される。続いて図２で、シール材７３
の塗布方法について簡単に説明する。ここで表したもの
は、第１の透明基板１４（または符号５０）または第２
の透明基板７０がマトリックス状に形成された大板であ
る。シール材は、どちらの基板に塗布しても良いが、図
面では第１の透明板１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄを
少なくとも有する大板に形成されている。一般に液晶表
示装置は、大板から４枚取り等、マトリックス状に形成
されたものを個々に分割して作るからである。

【００３０】つまり配向膜まで形成された大板は、続い
て個々の第１の透明基板１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４
ｄの周囲を囲むようにシール材が塗布される。そして７
４で示す注入孔のように、一部液晶のはいる入り口が形
成されている。そして第１の透明基板の大板と第２の透
明基板側の大板が貼り合わされ、この後に、ダイヤモン
ドカッタの様なスクライバーを活用し、両大板の裏面に
スクライブラインＳＲの筋が形成される。そしてこのス
クライブラインＳＲに沿って分割され、液晶が注入され
る前の液晶表示装置が形成される。最後には、この注入
孔７４を介して、液晶が注入され、封止樹脂７６が塗布
され、完成する。

【００３１】所で従来では、図７のようにシール材７３
の端部７５は、ガラス基板の側辺の手前で終端してい
た。しかしこれでは、液晶表示装置のギャップが狭いの
で、封止樹脂７６を塗布しても、シール材７３と封止材
７６の接着不良が発生していた。そのため図２のよう
に、端部７５を大幅に突出させてみたが、この場合、ス
クライブラインＳＲに沿って分割すると、分割時に分断
されたシール材の先端部７５が基板１４ｄに残ってしま
い、外観上で問題と成ったり、また分割の際、細かなガ
ラス屑がシール材と一緒に残ったり、更にはシール材が
スクライブラインと交差しているため、スクライブライ
ンから外れて分割されてしまう問題が生じた。

【００３２】そこで、シール材７３は、ディスペンサで
塗布されることから、その先端７５は、先細りの形状に
なることに着目し、図３のように、この先細りの部分が
スクライブラインＳＲを通過するように塗布した。実際
は、スクライブラインＳＲの手前で先細が始まり、スク
ライブラインＳＲから通過した先の長さは、実質１〜５
０μｍである。

【００３３】このような構造にすると、先端部７５と基
板１４ｄとの接着性が弱く成るため、スクライブライン
ＳＲに沿って分割すると、基板１４ａ側にシール材７３
と一体で残存する様になる。従って、図１のように、液
晶表示装置の側辺に若干突出した形でシール材が設けら
れる構造と成るため、封止材７６を塗布してもこの封止
材がシール材と接触するので良好に接着される。また先
端部７５が分断され、基板１４ｄに付着しても目視でき
ない程度の量であり、何ら問題は発生しない。

【００３４】一方、シール材には、第１の透明基板と第
２の透明基板のギャップを決定するために、表示領域に
散布されるスペーサよりも径が小さいスペーサ（グラス
ファイバー）が混入されている。図１で示した配線ＤＨ
を無視して見ると、図１の下側辺のシール材の左側に２
本配置されているが、それ以外の側辺は１本、または全
く配置されていない。またこの配線の上には、平坦化膜
があり、配線の本数により平坦化膜の盛り上がり幅が異
なるため、この上に配置されるスペーサの数も異なる。
その為シール材を固着する際、両透明基板を押圧して固
着させるが、スペーサで規定されるギャップが、一側辺
全域で、また側辺間でバラツキを有するため、貼り合わ
せ時の圧力によりスペーサが平坦化膜に沈み込んだり、
平坦化膜の盛り上がり幅の違いがバラツキ発生し、ギャ
ップを全域に渡り均一にできない問題があった。

【００３５】そのた本発明では、ＤＨ１〜ＤＨ３のよう
にダミー配線を設けている。本願では、シール下に最大
２本の実配線が設けられているために、全域がダミー配
線も含めて２本となるように設けられている。まず図１
の下側辺を考えると、シール材の下には、端子からポイ
ントＰまで配線１９が設けられているだけである。従っ
てＤＨ３を設けている。

【００３６】また右側辺には、全く配線が配置されてい
ないので、ＤＨ２，３が設けられている。更に上側辺に
は、ＤＨ１，４が設けられ、左側辺には、ＤＨ４が設け
られている。つまり信号の伝わる実配線は、下側辺の左
側に２本設けられているため、それ以外の側辺には、Ａ
ｌ配線が設けられていないので、ダミー配線を設け、こ
の上に設けられる平坦化膜の段差幅、およびこの上に散
布されるスペーサの数を実質同じにして、ギャップが４
つの側辺に渡り同等となるようにダミー配線を設けてい
る。従ってこのダミー配線も含めた平坦化膜の盛り上が
り部（凹凸部）は、その幅が全側辺に渡り実質均一とな
る。そしてこの上に設けられるスペーサの数も実質同じ
となる。

【００３７】従って、両基板５０、７０を一定の力で押
圧しながら貼り合わせる製法をとつても、シール材もス
ペーサも全域に渡りバランス良く配置しているので、ギ
ャップを均一に形成することができる。この説明では、
配線幅が同じで説明しているので、全ての側辺に於いて
本数が同じになるように設けられているが、更に精度を
向上させようとすれば、設けられた配線幅の合計が同じ
になるように考えなくては成らない。例えばあるシール
材下には、幅合計（２０，２０，１０μｍ）が５０μｍ
であり、別の側辺には、２０μｍの配線が一本だけ設け
られていると、３０μｍを１本、または２０μｍと１０
μｍの２本をダミー配線として設ければ、合計幅が同一
となり、前述したバランスを更に良好とできる。

【００３８】一方、シール材下にある実際に使用される
配線幅は、主として約１０μｍ〜２２μｍであるが、電
源だけは４０μｍ程度である。他の配線と比べ電源は、
幅が２倍以上であり、また電源のコーナー部は、歪みの
集中するところであり、クラックも発生しやすい部分で
ある。そのため本願では、電源ラインの角部にスリット
ＳＬ１を設け、この歪みを吸収していると共に、スリッ
トにより、露出されているＳｉ窒化膜と平坦化膜との接
着性により、配線の剥がれを防止している。また幅が広
いことで膜剥がれがコーナー以外にも発生する場合は、
スリットＳＬ２のように設けても良い。

【００３９】更に前述したが、ギャップコントロールの
ためにダミー配線を設けているが、このダミー配線にも
スリットをＳＬ１、ＳＬ２のように設けても良い。前述
したようにダミー配線は、２０μｍ以上の幅の広いもの
でも良く、その場合、電源ラインと同様に角部の歪みの
吸収、剥離防止の為の押圧が可能となる。

【００４０】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、第１
に、透明基板の側辺と平行に延在されるシール材の下層
に、前記トランジスタ駆動用の配線を配置し、前記配線
にスリットを形成することで、配線の剥離を防止でき
る。第２に、前記スリットは、前記配線の角部を成す領
域に設けることで、角部の歪みを防止できると共に、剥
離も同時に抑止できる。

【００４１】第３に、前記配線は部分的に配置され、空
きスペースにダミー配線が設けられ、前記配線および前
記ダミー配線に、スリットを形成することで、ギャップ
のバラツキも抑えることができる。特にＡｌの上に発生
する平坦化膜の盛り上がり幅、この盛り上がりに設けら
れるスペーサの量が、シール材の側辺の中で、またシー
ル材４辺で変動するため、ギャップが均一にならない
が、ダミーパターンを設けることで解決され、同時にダ
ミーパターンにスリットを設けることで更に剥離性を抑
えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示装置を説明する平面図であ
る。

【図２】シール材の塗布方法を説明する図である。

【図３】シール材の塗布方法を説明する図である。

【図４】液晶表示装置の角部を説明する平面図である。

【図５】従来の液晶表示装置を説明する平面図である。

【図６】液晶表示装置の画素部の断面図である。

【図７】従来の液晶表示装置の平面図である。

【符号の説明】

１４第１透明基板１６プリチャージドライバー１７ドレインドライバー１８ゲートドライバー１９〜２５配線７３シール材７６封止材ＤＨダミー配線ＳＬ１、ＳＬ２スリット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】トランジスタおよびこのトランジスタと
接続する表示電極を対としてマトリックス状に設けて成
る表示領域が設けられた第１の透明基板と、必要により
対向電極が設けられた第２の透明基板と、前記第１の透
明基板に設けられた第１の配向膜と、前記第２の透明基
板に設けられた第２の配向膜と、前記第１の透明基板と
前記第２の透明基板との間に設けられたスペーサが混入
されたシール材と、前記シール材を介して封入された液
晶とを有する液晶表示装置に於いて、前記透明基板の側辺と平行に延在されるシール材の下層
には、前記トランジスタ駆動用の配線が配置され、前記
配線にはスリットが形成されることを特徴とした液晶表
示装置。
【請求項２】前記スリットは、前記配線の角部を成す
領域に設けられる請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記配線は部分的に配置され、空きスペ
ースにダミー配線が設けられ、前記配線および前記ダミ
ー配線には、スリットが形成される請求項１または請求
項２記載の液晶表示装置。