JPH11109385A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH11109385A
JPH11109385A JP9289160A JP28916097A JPH11109385A JP H11109385 A JPH11109385 A JP H11109385A JP 9289160 A JP9289160 A JP 9289160A JP 28916097 A JP28916097 A JP 28916097A JP H11109385 A JPH11109385 A JP H11109385A
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吉晴 平形
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 シール材の下側に配線が存在する場合におい
て、シール材下の高低差を低減する。 【解決手段】 アクティブマトリクス表示回路と周辺駆
動回路が設けられた基板と、前記基板上に対向して設け
られた対向電極を有する対向基板と、前記基板と前記対
向基板との間に、前記アクティブマトリクス表示回路及
び前記周辺駆動回路を囲って配置されたシール材と、前
記シール材の内側に設けられた液晶材料と、前記基板上
の、前記シール材の下に樹脂層間膜を介して設けられ
た、前記アクティブマトリクス表示回路、前記周辺駆動
回路と、前記シール材の外側に存在する回路とを電気的
に接続する複数の外部接続配線と、前記複数の外部接続
配線と同一層に設けられた調整層とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同一基板上にアク
ティブマトリクス表示回路と周辺駆動回路を設けた周辺
回路一体型の液晶表示装置の構造に関する。特に、周辺
駆動回路を、液晶材料を封止するシール材で囲われる領
域より内側に設けられる構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】同一基板上にアクティブマトリクス表示
回路と周辺駆動回路を設けた周辺回路一体型の液晶表示
装置において、周辺駆動回路を、液晶材料を封止するシ
ール材で囲われる領域より内側に設ける構成がある。周
辺駆動回路以外に、ＣＰＵ、メモリー、制御回路、等を
設けることもできる。
【０００３】このような装置においては、シール材が設
けられる領域（以下シール領域）の下側に配線が存在す
る。この配線は、たとえば、シール材の外側とシール材
の内側とで信号を伝送するための外部接続配線や、アク
ティブマトリクス表示回路を構成するＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）の、製造工程中の静電気による破壊を防ぐた
めに、走査線と信号線を延長してシール領域の外部でシ
ョートさせておくためのショートリングなどがある。
【０００４】ところが、このシール領域の下側に存在す
る配線により、シール材の高に高低差が生じる。この高
低差は主に２種類の原因から引き起こされる。
【０００５】１つは、シール領域の下側に、配線がある
箇所とない箇所があることである。
【０００６】もう１つは、シール領域の下側に設けられ
た配線の、線幅や配線同士の間隔が異なることである。
【０００７】図１３に従来の周辺駆動回路一体型の液晶
表示装置を示す。図１３において、基板１５０１と対向
基板１５０２が、注入口１５１０を有したシール材１５
０５を介して対向して配置され、パネルを構成してい
る。基板１５０１には、アクティブマトリクス表示回路
１５０３、該回路を駆動するシフトレジスタ、デコーダ
等の周辺駆動回路１５０４、これらの回路とシール材の
外側にある回路とで電気的接続をなし、信号を伝送する
ための外部接続配線１５０８が設けられている。
【０００８】外部接続配線１５０８は、ＦＰＣ（フレキ
シブル・プリント・サーキット）を介して、外部の回路
に接続されている。
【０００９】また、走査線と信号線を延長したショート
リング１５０９が設けられている。ショートリング１５
０９は、シール領域の外部で互いにショートさせてお
き、アクティブマトリクス表示回路を構成するＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）の、製造工程中の静電気による破
壊を防ぐためのものである。図１５のショートリング１
５０９の構成は、１枚の基板から複数のパネルを得る多
面取り製造する際の構成で、図ではショートされていな
いが、製造工程中には隣接するパネルのショートリング
と電気的に接続され、走査線と信号線がショートされて
おり、図のように一つの独立したパネルとして分断され
たときに、ショートリングも切断されるものである。
【００１０】ここで、シール材１５０５下の外部接続配
線１５０８が設けられた領域と、何も配線が設けられて
いない領域の断面図を図１４（Ａ）に示す。図１６
（Ａ）において、基板１５０１上には、酸化珪素膜など
の下地膜１５１１、酸化珪素、窒化珪素、あるいはその
積層膜で構成される第１層間膜１５１２、外部接続配線
１５０８、ポリイミド、アクリルなどの樹脂でなる樹脂
層間膜１５１３が設けられている。
【００１１】外部接続配線１５０８は、２００ｎｍ〜７
００ｎｍ程度の金属膜、例えばアルミニウム膜でなる。
外部接続配線１５０８は、用途にもよるが、幅５０μｍ
〜３００μｍ、間隔３０μｍ〜１００μｍを有して、複
数の配線が群となって設けられている。
【００１２】このような構成において、樹脂層間膜１５
１３は１μｍ程度の厚さを有し、平坦性を付与する目的
で設けられている。にも関わらず、樹脂層間膜１５１３
上において、外部接続配線１５０８が設けられている領
域は、何も設けられていない領域に比較して高低差d を
有して高くなる。この段差は、外部接続配線１５０８の
高さ（厚さ）よりは低いものの、数１００ｎｍ〜５００
ｎｍ有することもある。
【００１３】また、図１４（Ｂ）には、シール材１５０
５下の外部接続配線１５０８と、同一層、同一材料に
て、ショートリング１５０９が設けられた領域の断面図
を示す。したがって、ショートリング１５０９の厚さ
（高さ）は、外部接続配線１５０８と同一である。ショ
ートリングは、信号線や走査線の延長である。幅２μｍ
〜１０μｍ、間隔２０μｍ〜１００μｍ程度を有し、複
数の配線が群となって設けられている。
【００１４】このショートリング１５０９が設けられた
領域と外部接続配線１５０８が設けられた領域とでは、
高低差ｄ２が生じる。この高低差も数１００ｎｍ〜５０
０ｎｍ程度有することがある。特に、樹脂層間膜を複数
積層して設けることで、高低差がさらに大きくなり、積
層して２μｍ程度の厚さになると、１０００ｎｍ程度の
段差を有する場合がある。
【００１５】また、ショートリング１５０９が設けられ
た領域と、何も配線が設けられていない領域とにおいて
も、樹脂層間膜上において段差を生じる。
【００１６】アクティブマトリクス表示回路が設けられ
た基板と対向基板は、スペーサ（基板間隔を維持するた
めの、球状または筒状の微粒子）を含んだシール材を介
して対向して設けられている。そのために、シール材が
設けられるシール領域に、不均一な高低差があると、対
向基板に撓み、捻れなどの歪みが生じてしまい、基板間
隔が不均一となる。その結果、表示状態が一画面内で均
一とならず、色や明るさにムラが生じてしまう。
【００１７】シール領域下に高低差が存在したとして
も、高低差がシール領域下に均一に分布していれば、基
板が歪むという問題は発生ない。しかし、シール領域を
横断する配線は、配線の群として部分的に集中して配置
されるため、高低差がシール領域下で均一な分布とはな
らないのが一般的である。そのため、上記のような基板
の歪みが生じてしまう。
【００１８】シール領域下の高低差の許容幅（表示ムラ
が生じない範囲）は、TN（ツイステッドネマチック）型
の液晶表示装置で、わずか１０００ｎｍ程度である。特
にネマチック液晶を用いたＥＣＢ（電圧制御複屈折率）
モードでは、わずか２００ｎｍぐらいの高低差があるだ
けで、これによる基板の歪みにより表示ムラが生じ、色
が変化してしまう。たとえば、外部接続配線上とショー
トリング上で２００ｎｍの高低差があるとすると、ショ
ートリング付近での基板間隔が、外部接続配線付近の基
板間隔より狭くなり、基板が歪み、表示が不均一とな
る。従って、液晶表示装置において、シール領域下の高
低差が少ないことは、一画面内において均一な表示する
ための極めて重要な要素である。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】本明細書で開示する発
明は、シール領域（シール材）の下側に配線が存在する
場合において、シール領域下の高低差を低減することを
課題とする。特に、シール領域の下側に配線が存在し、
該配線上に樹脂材料でなる層間膜を一層以上設ける構成
において、シール領域下の高低差を低減することを課題
とする。特に、シール領域の下側に、線幅の異なる配線
が存在し、かつ、これらの配線の上方に樹脂材料でなる
層間絶縁膜を一層以上設ける構成にて、シール領域下側
の高低差を低減することを課題とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
【００２１】本明細書で開示する発明は、アクティブマ
トリクス表示回路と周辺駆動回路が設けられた基板と、
前記基板上に対向して設けられた対向電極を有する対向
基板と、前記基板と前記対向基板との間に、前記アクテ
ィブマトリクス表示回路及び前記周辺駆動回路を囲って
配置されたシール材と、前記シール材の内側に設けられ
た液晶材料と、前記基板上の、前記シール材の下に樹脂
層間膜を介して設けられた、前記アクティブマトリクス
表示回路、前記周辺駆動回路と、前記シール材の外側に
存在する回路とを電気的に接続する複数の外部接続配線
と、前記複数の外部接続配線と同一層に設けられた調整
層とを有することを特徴とする液晶表示装置である。
【００２２】上記構成において、前記調整層は、前記複
数の外部接続配線と同一の厚さを有して設けられていて
もよい。
【００２３】上記いずれの構成において、前記調整層
は、前記複数の外部接続配線の幅および間隔と、同一の
幅および間隔を有して設けられていてもよい。
【００２４】上記いずれの構成において、前記複数の外
部接続配線のうちの少なくとも１つは、該外部接続配線
とは異なる層に設けられた複数の補助配線の一つに、電
気的に並列に接続されて電気抵抗が低減され、前記補助
配線と同一層に設けられた調整層を有していてもよ
い。、
【００２５】また、前記複数の外部接続配線とは異なる
層に、前記複数の外部接続配線の各々より幅が小さく、
かつ該幅より大きい間隔で配置された、前記シール材下
を横断する複数の配線が設けられ、前記複数の配線は、
前記アクティブマトリクス表示回路を構成する走査線ま
たは信号線を延長したものを含んでいてもよい。
【００２６】また、前記複数の外部接続配線と同一層
に、前記複数の外部接続配線の各々より幅が小さく、か
つ該幅より大きい間隔で配置された、前記シール材下を
横断する複数の配線が設けられ、前記複数の配線は、前
記アクティブマトリクス表示回路を構成する走査線また
は信号線を延長したものを含み、前記複数の配線は、前
記シール材下において、前記幅が大きくされている部分
を有していてもよい。
【００２７】上記の、前記複数の外部接続配線のうちの
少なくとも１つは、該外部接続配線とは異なる層に設け
られた複数の補助配線の一つに、電気的に並列に接続さ
れて電気抵抗が低減され、前記補助配線と同一層に設け
られた調整層を有している構成において、前記複数の補
助配線と同一層に、前記複数の補助配線の各々より幅が
小さく、かつ該幅より大きい間隔で配置された、前記シ
ール材下を横断する第１の複数の配線が設けられ、前記
第１の複数の配線は、前記アクティブマトリクス表示回
路を構成する走査線及び信号線の一方を延長したものを
含み、前記第１の複数の配線は、前記シール材下におい
て、前記幅が大きくされている部分を有し、前記複数の
外部接続配線と同一層に、前記複数の外部接続配線の各
々より幅が小さく、かつ該幅より大きい間隔で配置され
た、前記シール材下を横断する第２の複数の配線が設け
られ、前記第２の複数の配線は、前記アクティブマトリ
クス表示回路を構成する走査線及び信号線の他方を延長
したものを含み、前記複数の配線は、前記シール材下に
おいて、前記幅が大きくされている部分を有していても
よい。
【００２８】上記構成において、前記アクティブマトリ
クス表示回路を構成する走査線及び信号線の一方を延長
したものは、前記走査線及び信号線の一方とは異なる層
に設けられた調整層に対向して配置されていてもよい。
【００２９】さらに、前記調整層は、前記走査線及び信
号線の一方を延長したものに対向した領域が、隣接する
他の領域から電気的に分断されてもよい。
【００３０】さらに、前記調整層は、前記走査線及び信
号線の一方を延長したものに対向した領域において、複
数の領域に電気的に分割されていてもよい。示装置。
【００３１】また、前記アクティブマトリクス表示回路
を構成する走査線及び信号線の他方を延長したものは、
前記走査線及び信号線の他方とは異なる層に設けられた
調整層に対向して配置されていてもよい。
【００３２】さらに、前記調整層は、前記走査線及び信
号線の他方を延長したものに対向した領域が、隣接する
他の領域から電気的に分断されていてもよい。
【００３３】さらに、前記調整層は、前記走査線及び信
号線の他方を延長したものに対向した領域において、複
数の領域に電気的に分割されていてもよい。
【００３４】本明細書で開示する発明は、基本的には、
シール領域下において最も高くなる箇所に合わせて、他
の箇所において同等な高さを実現するものである。・
【００３５】
【発明の実施の形態】以下に本明細書で開示する発明を
実施例を用いて説明する。
【実施例】
【００３６】〔実施例１〕本実施例では、外部接続配線
がシール領域下に設けられた構成において、シール領域
の高低差を平坦化した例を示す。
【００３７】図１に本実施例で示すアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の構成を示す。
【００３８】図１において、基板１０１と対向基板１０
２が、注入口１１０を有したシール材１０５を介して対
向して配置され、パネルを構成している。基板１０１に
は、アクティブマトリクス表示回路１０３、該回路を駆
動するシフトレジスタ、デコーダ等の周辺駆動回路１０
４、これらの回路とシール材の外側にある回路（図示せ
ず）とで電気的接続をなし、信号を伝送するための外部
接続配線１０８が設けられている。外部接続配線１０８
は、ＦＰＣ（フレキシブル・プリント・サーキット）を
介して、外部の回路に接続されている。
【００３９】図１において、周辺駆動回路１０４は、信
号線、走査線のそれぞれに対し２つづつ駆動回路を設け
た冗長構成としている。
【００４０】図１において樹脂層間膜（図示せず）介し
たシール材１０５の下であって、外部接続配線１０８が
設けられた層と同一層の、外部接続配線１０８が存在し
ない領域には、シール材１０５に沿って調整層１０６が
連続して設けられている。
【００４１】図１の領域Ａ１０９の拡大図を図２（Ａ）
に、図２（Ａ）のＡ−Ａ’断面での断面図を図２（Ｂ）
に示す。
【００４２】図２（Ａ）に示すように、外部接続配線１
０８は、所定の幅ｗ１と、所定の間隔ｗ２を有して複数
本、群として集中して配置されている。幅ｗ１は、本実
施例においては、５０μｍ〜３００μｍ、例えば２００
μｍ有する。また、その間隔ｗ２は、３０μｍ〜１００
μｍ、ここでは５０μｍ有する。
【００４３】図２（Ｂ）に示すように、ガラス、石英、
シリコンウエハー等の基板１０１上に、酸化珪素膜等の
下地膜１１１を介して第１層間膜１１２、樹脂層間膜１
１３が設けられ、その上にシール材１０５が設けられ
る。シール材１０５と樹脂層間膜１１３との間には、配
向膜（図示せず）が設けられていても良い。
【００４４】図２（Ｂ）にて明らかなように、第１層間
膜１１２と樹脂層間膜１１３との間に、外部接続配線１
０８と調整層１０６が、同一層、同一材料たとえばアル
ミニウムにて設けられている。したがって、調整層１０
６は、外部接続配線１０８と同一の厚さ（高さ）を有し
ており、樹脂層間膜１１３下の、外部接続配線１０８が
設けられていない領域の高さを、外部接続配線１０８と
同一になるようにしている。
【００４５】かかる構成により、すなわちシール材１０
５が設けられる領域の下側であって、樹脂層間膜１１３
の上面における、外部接続配線１０８が設けられている
領域と設けられていない領域との高低差が低減される。
その結果、対向基板を張り合わせた際の対向基板の歪み
も低減される。そして、一画面内において均一でムラの
ない表示を行うことが出来る。
【００４６】なお、調整層１０６が連続した配線のごと
き構成を有するのに対し、外部接続配線１０８は、間隔
ｗ２を有している。そのため、樹脂層間膜１１３上、シ
ール材下の領域であって、外部接続配線１０８が設けら
れた領域は、調整層１０６が設けられた領域より、若干
低くなり、高低差が生じる可能性がある。しかし、外部
接続配線１０８は、配線の幅ｗ１が、配線の間隔ｗ２に
比べて十分大きいため、この高低差は極めて小さく、表
示ムラを引き起こすまでにはいたらない。
【００４７】本実施例においては、外部接続配線１０８
と調整層１０６は、アクティブマトリクス表示回路や周
辺駆動回路を構成するＴＦＴの信号線（ソース配線）と
も同一層に設けられている構成としたが、異なる層に設
けてもよい。
【００４８】また、外部接続配線１０８と調整層１０６
を異なる層に同一の厚さに設けても同一層に設けた場合
に近い効果が得られる。例えば、調整層１０６を第１層
間膜１１２の下に設け、外部接続配線を第１層間膜１１
２の上に設けても良いし、その逆でもよい。外部接続配
線１０８と調整層１０６を同一層に設けた方が、設計段
階でのシール領域下の高低差を予測しやすく、高低差を
制御しやすい。
【００４９】第１層間膜１１２は、酸化珪素膜、窒化珪
素膜、またはこれらの積層膜であってもよい。樹脂層間
膜１１３は、アクリル、ポリイミドなどの有機樹脂でな
り、スピンコート法などにより塗布して形成されたもの
である。
【００５０】なお、調整層１０６を、同一層の他の配線
と別工程で作製すると、工程数は増えるが、より微妙な
高低差の調整ができる。
【００５１】調整層１０６は、本実施例においてはシー
ル材１０５に沿って、シール材１０５よりも、シール材
１０５の幅（シール材を横断する方向の大きさ）より大
きくなるようにして設けたが、シール材幅より小さくて
もよい。また、必ずしもシール材１０５に沿って設けな
くても、高低差が低減されるのであれば、シール材が設
けられる領域の下の任意の位置に設けられる。
【００５２】図１においては、注入口１１０が設けられ
た領域において、シール材１０５に沿って調整層１０６
が設けられているが、点線１２０で示したように、注入
口が設けられた領域でも連続して設けられていても良
い。このように、周辺駆動回路やアクティブマトリクス
表示回路を囲うように、調整層１０６を連続して設ける
と、基板面内において概略等電位とすることができる。
もちろん、調整層１０６が導電性を有している場合にお
いてのみである。
【００５３】基板としてガラスや石英などの絶縁基板を
用いると、基板面内で静電荷の偏在が生じやすい。その
結果、ラビング工程などにおいて、偏在した静電荷によ
りＴＦＴの静電破壊が起こることがある。周辺駆動回路
やアクティブマトリクス表示回路を囲うように、調整層
１０６を連続して設けて基板面内を概略等電位とするこ
とができ、このような静電破壊を防ぐことができる。
【００５４】また、完成後の液晶表示装置において、表
示した際にラビング筋が現れる場合があるが、上記した
ように調整層１０６を連続して設けることで、表示され
るラビング筋が低減する効果も得られている。この理由
はわかっていない。
【００５５】また、上記したように調整層１０６を連続
して設けることで、注入口１１０の位置は調整層１０６
の形状に束縛されず、任意の位置に設けることができ
る。ただし、注入口１１０は調整層１０６が存在する
分、シール領域内部への経路の高さが高くなり、注入口
の開口面積は狭くなってしまい、液晶の注入時間が長く
なる可能性がある。言い換えれば、図１のような注入口
１１０の形状に沿って調整層１０６を設けた方が、注入
口の開口面積が広くなり、液晶の注入時間は短くて澄
む。
【００５６】調整層１０６は、外部接続配線１０８が存
在するため、基板の周囲を完全に連続に設けることは出
来ないが、完全に連続でなくとも、基板面内を等電位と
する効果は得られる。また、より完全な等電位状態を得
るには、例えば、調整層１０８は図１、図２で示した構
成とし、等電位を形成する基板周囲に沿った導電配線
を、調整層１０８とは別の層、例えば図２（Ｂ）第１層
間膜１１２の下側に設けることで実現できる。
【００５７】なお、実施例１において、外部接続配線１
０８および調整層１０６を、樹脂層間膜１１３の下側、
すなわち、第１層間膜の上側の層に設けたが、第１層間
膜の下側に設けてもよい。
【００５８】〔実施例２〕実施例２では、実施例１の調
整層１０６の他の構成を示す。図３に、実施例２の調整
層１０６の構成を示す。
【００５９】図３（Ａ）において、調整層３０１は、外
部接続配線１０８と同様な幅ｗ１、間隔ｗ２を有して、
区切られて設けられており、実施例１の調整層１０６の
ように連続に設けられてはいない。すなわち、シール材
１０５の下側においては、外部接続配線１０８が設けら
れた領域と、調整層３０１が設けられた領域とでは、同
様の構造となる。
【００６０】かかる構成により、外部接続配線１０８が
設けられた領域と、調整層３０１が設けられた領域とに
おいて、その上に形成される樹脂層間膜１１２の高さは
ほぼ完全に同一とすることができる。その結果、実施例
１の構成に比較して、シール材１０５の下の領域をより
平坦化でき、高さの均一化を図ることができる。従っ
て、対向基板１０２の歪みは最小となり、極めて面内均
一性が高く、ムラのない良好な表示が得られる。
【００６１】〔実施例３〕実施例３では、実施例１で示
した構成において、外部接続配線を低抵抗化した構成を
示す。図４に実施例３の構成を示す。
【００６２】図４（Ａ）は、実施例１の構成において実
施例３の構成を適用した際の、図１のＸ−Ｘ’断面の概
略図である。
【００６３】実施例１において外部接続配線は、第１層
間膜１１２と樹脂層間膜１１３との間に設けれられてい
たが、実施例３では、図４（Ａ）に示すように、外部接
続配線４０３に沿った補助配線４０１を、第１層間膜１
１２の下側に設け、外部接続配線４０３と補助配線４０
１とを、第１層間膜にコンタクトホールを設けて電気的
に並列に接続して、電気抵抗の低減を図っている。補助
配線を他の層に形成して、電気抵抗のさらなる低減を図
ってもよい。
【００６４】図４（Ａ）において、外部接続配線４０３
は、ＩＴＯ（酸化インジューム・スズ）膜１１４を介し
て、樹脂層間膜１１３に設けられたコンタクトホールに
てＦＰＣ（フレキシブル・プリント・サーキット）１０
７に電気的に接続されている。なお、このＩＴＯ膜１１
４は、本実施例いおいては、アクティブマトリクス表示
回路のＴＦＴに接続された画素電極を構成するＩＴＯ膜
と同一工程で作製されたものである。そしてＦＰＣ１０
７を介して外部回路に電気的に接続される。
【００６５】外部接続配線には、外部回路からの信号が
印加されるが、その中でもクロック信号やビデオ信号は
極めて周波数が高い。他方、アクティブマトリクス型液
晶表示装置は、表示するために大きな面積を有するた
め、必然的に回路を構成する配線も数ｃｍ以上の長さを
有する。しかし、配線自体は一般には数１００ｎｍ〜７
００ｎｍ程度の厚さしか有しないため、配線材料として
アルミニウム等の導電性の高い金属を用いても、配線全
体としての電気抵抗が大きくなる。配線の電気抵抗が高
いと、クロック信号やビデオ信号等の高周波信号の伝達
遅延や劣化が生じ、良好な表示ができなくなる。
【００６６】本実施例で示す構成により、外部接続配線
の電気抵抗を大幅に低減できる。これにより、周辺駆動
回路一体型のアクティブマトリクス型液晶表示装置でこ
のような高周波、高速で駆動するに際し、良好な表示を
可能とする。
【００６７】しかし、このような異なる層に設けられた
複数の配線を並列に接続する構成とすると、１層にのみ
配線を形成した場合に比較して、シール材の下側におけ
る配線が設けられた領域の、配線が設けられていない領
域対する高低差はさらに大きくなる。
【００６８】すなわち、電気抵抗が低減されても、シー
ル材下の領域における高低差は大きくなってしまい、良
好な表示が得られなくなってしまう。
【００６９】そこで、本実施例で示す構成は、電気抵抗
を低減する目的で設けられる補助配線４０１と同一層に
も、補助配線と同一の厚さ（高さ）を有する調整膜を設
け、第１層間膜１１２の下側の層に補助配線４０１およ
び第１調整膜４０２を設ける。そして、実施例１と同様
に、第１層間膜１１２の上側、つまり樹脂層間膜１１３
の下側に、外部接続配線４０３および第２調整層４０３
を設ける。
【００７０】このようにして、補助配線４０１を設けて
電気抵抗を低減する構成において、シール領域下の高低
差を低減でき、高速、高周波駆動する場合であっても、
一画面内においてムラのない均一な表示が出来る。
【００７１】本実施例において、第１調整層４０２、第
２調整層４０４のいずれか一方、または双方を、実施例
２で示した、外部接続配線と同一の幅、間隔を有する構
成としてもよい。かかる構成により、シール領域下の高
低差をより低減、均一化できる。なお、この場合、補助
配線４０１と外部接続配線４０３とにおいて、線の幅や
間隔が異なっている場合、第１調整層４０２は補助配線
４０１と、第２調整層４０４は外部接続配線４０３と、
それぞれ同一の線の幅や間隔とすることで、シール領域
下の高低差をさらに低減、均一化でき、良好な表示が可
能となる。
【００７２】また、本実施例において、補助配線と外部
接続配線を入れ替え、第１層間膜の下側の層に設けられ
た配線を外部接続配線とし、ＦＰＣと電気的接続をさせ
てもよい。
【００７３】〔実施例４〕実施例４では、一つの層にお
いて、異なる線幅、間隔の配線が存在する場合に、シー
ル領域下の高低差を低減し、高さを均一化する構成を示
す。図５に、実施例４で示すアクティブマトリクス型液
晶表示装置の構成を示す。図５において、図１と同符号
のものは図１と同一のものを差す。
【００７４】図５において、アクティブマトリクス表示
回路１０３は、図１のものと異なり、アクティブマトリ
クス表示回路１０３を駆動するシフトレジスタ、デコー
ダ等の周辺駆動回路５０９は、信号線、走査線の駆動用
にそれぞれ１つずつ設けられている。
【００７５】そして、周辺駆動回路５０９が設けられて
いない側には、走査線を延長している走査線ショートリ
ング５０３、信号線を延長している信号線ショートリン
グ５０４が設けられている。このショートリング５０
３、５０４は、多面取り製造工程において、各パネルに
分断されるまでは互いに電気的に接続されており、ラビ
ング工程等の静電気の発生する工程における、アクティ
ブマトリクス表示回路１０３を構成するＴＦＴの静電破
壊を防ぐ機能を果たす。
【００７６】ショートリング５０３、５０４は、それぞ
れ、走査線、信号線を延長したものであるため、配線
（ショートリングは液晶表示装置内では何ら電気的信号
を伝送しないが、本明細書では、ショートリングも配線
の一つとして記す。）の幅、間隔も走査線、信号線と同
一である。したがって、配線の幅は２μｍ〜１０μｍ、
間隔は画素ピッチと等しい２０μｍ〜１００μｍ程度を
有している。もちろん、用途に応じてこれらの値は変化
する。また、一般には、走査線ショートリング５０３
は、アクティブマトリクス表示回路１０２を構成するＴ
ＦＴのゲイトに、信号線ショートリング５０４は、ＴＦ
Ｔのソースに接続される。
【００７７】ここで言えることは、ショートリング５０
３、５０４は、配線の幅に対し、配線同士の間隔が極め
て大きいことである。この点、外部接続配線１０８とは
全く逆である。
【００７８】図５の領域Ｂ５０５の拡大図を図６（Ａ）
に、図６（Ａ）のＢ−Ｂ’断面での断面図を図６（Ｂ）
に示す。
【００７９】また、図５の領域Ｃ５０６の拡大図を図７
（Ａ）に、図７（Ａ）のＣ−Ｃ’断面での断面図を図７
（Ｂ）に示す。さらに、図５の領域Ｄ５０７の拡大図を
図８（Ａ）に、図８（Ａ）のＤ−Ｄ’断面での断面図を
図８（Ｂ）に示す。
【００８０】図６（Ａ）に示すように、外部接続配線１
０８は、所定の幅ｗ１と、所定の間隔ｗ２を有して複数
本、群として集中して配置されている。幅ｗ１は、本実
施例においては、５０μｍ〜３００μｍ、例えば２００
μｍ有する。また、その間隔ｗ２は、３０μｍ〜１００
μｍ、ここでは５０μｍ有する。
【００８１】また、図６（Ｂ）に示すように、ガラス、
石英、シリコンウエハー等の基板１０１上に、酸化珪素
膜等の下地膜１１１を介して第１層間膜１１２、樹脂層
間膜１１３が設けられ、その上にシール材１０５が設け
られる。シール材１０５と樹脂層間膜１１３との間に
は、配向膜（図示せず）が設けられていても良い。
【００８２】図６（Ｂ）にて明らかなように、そして、
下地膜１１１と第１層間膜１１２との間には、第１調整
層５０１が設けられている。この点については後述す
る。
【００８３】そして、図７（Ｂ）にて明らかなように、
シール材１０５下の、第１層間膜１１２と樹脂層間膜１
１３との間に、外部接続配線１０８と第２調整層５０２
が、同一層、同一材料たとえばアルミニウムにて設けら
れている。
【００８４】したがって、第２調整層５０２は、外部接
続配線１０８と同一の厚さ（高さ）を有しており、樹脂
層間膜１１３下の、外部接続配線１０８が設けられてい
ない領域の高さを、外部接続配線１０８と同一になるよ
うにしている。
【００８５】かかる構成により、シール材１０５が設け
られる領域の下側であって、樹脂層間膜１１３の上面に
おける、外部接続配線１０８が設けられている領域と設
けられていない領域との高低差が低減される。その結
果、対向基板を張り合わせた際の対向基板の歪みも低減
される。
【００８６】なお、第２調整層５０２が連続した配線の
ごとき構成を有するのに対し、外部接続配線１０８は、
間隔ｗ２を有している。そのため、樹脂層間膜１１３
上、シール材下の領域であって、外部接続配線１０８が
設けられた領域は、第２調整層５０２が設けられた領域
より、若干低くなり、高低差が生じる可能性がある。し
かし、外部接続配線１０８は、配線の幅ｗ１が、配線の
間隔ｗ２に比べて十分大きいため、この高低差は極めて
小さい。ここまでの点、実施例１と同一である。
【００８７】次に、領域Ｃ５０６の拡大図である図７
（Ａ）示すように、本実施例においては、外部接続配線
１０８と、第２調整層５０２と同一層に、信号線ショー
トリング５０４が設けられている。
【００８８】そして、信号線ショートリング５０４は、
本来幅ｗ３、間隔ｗ４を有しているのであるが、シール
材１０５下の領域において、幅ｗ３より大きい幅ｗ５を
有し、幅ｗ５より小さい間隔ｗ６を有している。この幅
ｗ５は、間隔ｗ６より大きいことが望ましい。そして、
幅ｗ５を極力大きくすることが望ましい。
【００８９】かかる構成により、信号線ショートリング
５０４が複数、群として設けられている領域と、外部接
続配線１０８が複数、群として設けられている領域とに
おいて、シール材１０５下の領域であって、樹脂層間膜
１１３の上面での高低差を低減できる。
【００９０】かかる構成は、言い換えれば、シール材１
０５下の領域において、信号線ショートリング５０４が
複数、群として設けられた領域において、ショートリン
グ５０４が存在する領域と存在しない領域の、単位面積
当たりの割合を、外部接続配線１０８が複数、群として
設けられた領域における、外部接続配線１０８が存在す
る領域と存在しない領域の、単位面積当たりの割合に極
力近づけている。
【００９１】次に、領域Ｄ５０７の拡大図である図８
（Ａ）、及びそのＤ−Ｄ’断面である（Ｂ）に示すよう
に、第１調整層５０１は、走査線ショートリング５０３
と同一層に設けられており、両者は同一の厚さ（高さ）
を有する。そして、走査線ショートリング５０３と、第
１調整層５０１は、線の幅ｗ３と間隔ｗ４を同一にして
設けられている。すなわち、本実施例においては、第１
調整層５０１は、走査線ショートリング５０３とは、配
線長が異なる以外は同一である。
【００９２】かかる構成により、第１層間膜１１２の上
面で、シール材１０５下の領域であって、走査線ショー
トリング５０３が設けられている領域と設けられていな
い領域との高低差が低減され、均一な高さとすることが
できる。すなわち、ショートリング５０３を設けても、
第１層間膜１１２の、シール材１０５下の高低差がほと
んど問題にならなくなる。この点は、実施例２と共通の
効果である。
【００９３】走査線ショートリング５０３は、線の幅ｗ
３に比較して線の間隔ｗ４が極めて大きいので、第１調
整層５０１を、実施例１の調整層１０６のような連続し
た構成とすると、第１層間膜１１２上面において、走査
線ショートリング５０３が設けられている領域の上方
は、第１調整層５０１が設けられている領域の上方より
低くなってしまう。
【００９４】本実施例において、第２調整層５０２を、
同一層の他の配線と別工程で作製すると、工程数は増え
るが、より微妙な高低差の調整ができる。
【００９５】第１調整層５０１、第２調整層５０２は、
本実施例においてはシール材１０５に沿って、シール材
１０５よりも、シール材１０５の幅（シール材を横断す
る方向の大きさ）より大きくなるようにして設けたが、
シール材幅より小さくてもよい。また、必ずしもシール
材１０５に沿って設けなくても、高低差が低減されるの
であれば、シール材が設けられる領域の下の任意の位置
に設けられる。
【００９６】なお、本実施例において、第２調整層５０
２を、連続したものではなく、実施例２の調整層１０６
と同一の構成とし、より高低差を低減することは有効で
ある。
【００９７】また、本実施例において、外部接続配線１
０８を、第１調整層５０１及び走査線ショートリング５
０３と同一層に設けた場合、対応する調整層、ショート
リングの幅、間隔を本実施例のものと入れ替えればよ
い。
【００９８】〔実施例５〕実施例５では、実施例４で示
した構成において、実施例３で示した外部接続配線を低
抵抗化した構成とした例を示す。この際、実施例３にお
ける外部接続配線４０３、補助配線４０１と同一の構成
を、本実施例においても有する。
【００９９】図９（Ａ）、（Ｂ）は、本実施例におけ
る、図５、領域Ｄ５０７の拡大図及びそのＤ−Ｄ’断面
図である。本実施例が実施例４と異なる点は、図９
（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１層間膜１１２の下側
の走査線ショートリング５０３においても、実施例４、
図７の信号線ショートリング５０４と同じく、シール材
下の領域において、幅を大きく、間隔を小さくされてい
ることである。（なお、図９（Ａ）では、シール材１０
５を図示していないが、これまでの図面に準じる。）
【０１００】理由は、実施例４の信号線ショートリング
５０４と同じく、走査線ショートリング５０３が複数、
群として設けられている領域と、外部接続配線の補助配
線４０１が複数、群として設けられている領域とにおい
て、シール材１０５下の領域であって、樹脂層間膜１１
３の上面での高低差を低減できるからである。
【０１０１】〔実施例６〕実施例６では、ショートリン
グと調整層が対向する領域において、両者間に生じる容
量を低減する構成を示す。
【０１０２】図１０（Ａ）、（Ｂ）は、本実施例におけ
る、図５、領域Ｄ５０７の拡大図およびＤ−Ｄ’断面図
である。
【０１０３】実施例５、図９（Ａ）においては、電気的
及び物理的に連続した第２調整層が、走査線ショートリ
ング５０３に対向している。両者の間には、第１層間膜
１１２が存在する。この第１層間膜１１２は、酸化珪素
膜、窒化珪素膜、あるいはこれらの積層膜でなる絶縁膜
であるため、第２調整層５０２が、導電体である以上、
走査線ショートリング５０３と第２調整層５０２との間
で容量が形成される。しかし、走査線ショートリング５
０３が、アクティブマトリクス表示回路１０２の走査線
の延長であるため、先の容量が存在することによって、
走査線駆動に必要な負荷が大きくなり、表示に影響を与
える。
【０１０４】このような問題を解決するため、本実施例
においては、図１０に示すように、第２調整層５０２
を、ショートリング５０３のそれぞれと対向する位置に
おいて独立して存在するように分断して配置し、電気的
に分離させる。すなわち、第２調整層５０２を、ショー
トリング５０３のそれぞれと対向する位置において、対
向するショートリングと概略同一形状に分断する。その
結果、シール材下の高低差を増やすことなく、容量を低
減することができる。
【０１０５】かかる構成は、信号線ショートリング５０
４と対向する第１調整層５０１においても適用でき、同
様の効果を得られる。
【０１０６】また、効果は小さくなるが、かかる構成
は、走査線ショートリング５０３の幅を大きくしていな
い実施例４の構成にも適用できる。
【０１０７】〔実施例７〕実施例７は、実施例６の構成
の他の例である。実施例７の構成を図１１（Ａ）、
（Ｂ）に示す。本実施例では、１つの走査線ショートリ
ング５０３の形状を、シール材を横断する方向におい
て、面積が異なるようにしている。このような構成にお
いても、シール材下の高低差を増やすことなく、容量を
低減することができる。
【０１０８】かかる構成は、信号線ショートリング５０
４と対向する第１調整層５０１においても適用でき、同
様の効果を得られる。
【０１０９】〔実施例８〕実施例８は、実施例６、７の
他の構成の例である。実施例８の構成を図１２に示す。
【０１１０】実施例６、７の構成では、容量は低減でき
るが、もしスペーサなどが加圧されて樹脂層間膜を突き
抜けて来た場合、第２調整層５０２と１つの走査線ショ
ートリング５０３が短絡してしまった際、他の走査線シ
ョートリングと、容量の大きさに差が生じ、駆動負荷が
他の走査線と異なってしまい、短絡した配線だけ表示特
性が異なってしまう。
【０１１１】実施例８において、走査線ショートリング
５０３に対向する第２調整層５０２を、１つの走査線シ
ョートリング５０３に対向する領域内において、さらに
複数に分離している。そのため、１つの走査線ショート
リング５０３に対向する複数に分離された第２調整層の
うちの一つが短絡しても、第２調整層は短絡されず、他
の走査線ショートリングに比較した容量の差を小さくで
き、表示特性の変化、差異を小さくできる。
【０１１２】〔実施例９〕本実施例は、上記実施例で示
したアクティブマトリクス型液晶表示装置を用いた応用
製品を説明する。本発明を応用した電子機器として、ビ
デオカメラ、スチルカメラ、プロジェクタ、ヘッドマウ
ントディスプレイ、カーナビゲイション、パーソナルコ
ンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携
帯電話）等が挙げられる。図１５は本実施例の電子機器
の概略外観図である。
【０１１３】図１５（Ａ）はモバイルコンピュータ（モ
ービルコンピュータ）であり、本体２００１、カメラ部
２００２、受像部２００３、操作スイッチ２００４、液
晶表示装置２００５で構成される。
【０１１４】図１５（Ｂ）はヘッドマウントディスプレ
イであり、本体２１０１、一対の液晶表示装置２１０
２、本体を頭部に固定するためのバンド部２１０３で構
成される。一対の液晶表示装置は左眼用の画像、右眼用
の画像をそれぞれ表示される。使用者はこの画像を光学
系を介して視覚する。すると目前に大画面が表示されて
いるように視覚することができる。
【０１１５】図１５（Ｃ）は携帯電話であり、本体２２
０１、音声出力部２２０２、音声入力部２２０３、液晶
表示装置２２０４、操作スイッチ２２０５、アンテナ２
２０６で構成される。
【０１１６】図１５（Ｄ）はビデオカメラであり、本体
２３０１、反射型液晶表示装置２３０２、音声入力部２
３０３、操作スイッチ２３０４、バッテリー２３０５、
受像部２３０６で構成される。
【０１１７】図１５（Ｅ）はリア型プロジェクタであ
り、本体２４０１内部に配置された光源２４０２から出
射した光は、反射型液晶表示装置２４０３の画素部で反
射・変調される。この反射光は偏光ビームスプリッタ２
５０４、リフレクタ２５０５、２５０６を経て、スクリ
ーン２５０７に投影され、画像として表示される。
【０１１８】図１５（Ｆ）はフロント型プロジェクタで
あり、本体２５０１において、光源２５０２からの光は
透過型液晶表示装置２５０３で変調されて透過する。透
過光は光学系２５０４によってスクリーン２５０５に投
影され、画像が表示される。
【０１１９】
【発明の効果】本明細書に開示した発明により、シール
領域の下側に配線が存在する場合において、シール領域
の高低差を低減することができ、対向基板の歪みを解消
し、表示の面内均一性に優れた液晶表示装置を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例の構成を示す図。
【図２】 実施例の構成を示す図。
【図３】 実施例の構成を示す図。
【図４】 実施例の構成を示す図。
【図５】 実施例の構成を示す図。
【図６】 実施例の構成を示す図。
【図７】 実施例の構成を示す図。
【図８】 実施例の構成を示す図。
【図９】 実施例の構成を示す図。
【図１０】 実施例の構成を示す図。
【図１１】 実施例の構成を示す図。
【図１２】 実施例の構成を示す図。
【図１３】 従来の構成を示す図。
【図１４】 従来の構成を示す図。
【図１５】 応用例を示す図。
【符号の説明】
１０１ 基板 １０２ 対向基板 １０３ アクティブマトリクス表示回路 １０４ 周辺駆動回路 １０５ シール材 １０６ 調整層 １０７ ＦＰＣ １０８ 外部接続配線 ５０３ 走査線ショートリング ５０４ 信号線ショートリング

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】アクティブマトリクス表示回路と周辺駆動
    回路が設けられた基板と、 前記基板上に対向して設けられた対向電極を有する対向
    基板と、 前記基板と前記対向基板との間に、前記アクティブマト
    リクス表示回路及び前記周辺駆動回路を囲って配置され
    たシール材と、 前記シール材の内側に設けられた液晶材料と、 前記基板上の、前記シール材の下に樹脂層間膜を介して
    設けられた、前記アクティブマトリクス表示回路、前記
    周辺駆動回路と、前記シール材の外側に存在する回路と
    を電気的に接続する複数の外部接続配線と、 前記複数の外部接続配線と同一層に設けられた調整層と
    を有することを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】請求項１において、前記調整層は、前記複
    数の外部接続配線と同一の厚さを有して設けられたこと
    を有することを特徴とする液晶表示装置。
  3. 【請求項３】請求項１、２において、前記調整層は、前
    記複数の外部接続配線の幅および間隔と、同一の幅およ
    び間隔を有して設けられていることを特徴とする液晶表
    示装置。
  4. 【請求項４】請求項１〜３において、前記複数の外部接
    続配線のうちの少なくとも１つは、該外部接続配線とは
    異なる層に設けられた複数の補助配線の一つに、電気的
    に並列に接続されて電気抵抗が低減され、 前記補助配線と同一層に設けられた調整層を有すること
    を特徴とする液晶表示装置。
  5. 【請求項５】請求項１〜３において、前記複数の外部接
    続配線とは異なる層に、前記複数の外部接続配線の各々
    より幅が小さく、かつ該幅より大きい間隔で配置され
    た、前記シール材下を横断する複数の配線が設けられ、 前記複数の配線は、前記アクティブマトリクス表示回路
    を構成する走査線または信号線を延長したものを含むこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
  6. 【請求項６】請求項１〜４において、前記複数の外部接
    続配線と同一層に、前記複数の外部接続配線の各々より
    幅が小さく、かつ該幅より大きい間隔で配置された、前
    記シール材下を横断する複数の配線が設けられ、 前記複数の配線は、前記アクティブマトリクス表示回路
    を構成する走査線または信号線を延長したものを含み、 前記複数の配線は、前記シール材下において、前記幅が
    大きくされている部分を有することを特徴とする液晶表
    示装置。
  7. 【請求項７】請求項４において、前記複数の補助配線と
    同一層に、前記複数の補助配線の各々より幅が小さく、
    かつ該幅より大きい間隔で配置された、前記シール材下
    を横断する第１の複数の配線が設けられ、 前記第１の複数の配線は、前記アクティブマトリクス表
    示回路を構成する走査線及び信号線の一方を延長したも
    のを含み、 前記第１の複数の配線は、前記シール材下において、前
    記幅が大きくされている部分を有し、 前記複数の外部接続配線と同一層に、前記複数の外部接
    続配線の各々より幅が小さく、かつ該幅より大きい間隔
    で配置された、前記シール材下を横断する第２の複数の
    配線が設けられ、 前記第２の複数の配線は、前記アクティブマトリクス表
    示回路を構成する走査線及び信号線の他方を延長したも
    のを含み、 前記複数の配線は、前記シール材下において、前記幅が
    大きくされている部分を有することを特徴とする液晶表
    示装置。
  8. 【請求項８】請求項７において、前記アクティブマトリ
    クス表示回路を構成する走査線及び信号線の一方を延長
    したものは、前記走査線及び信号線の一方とは異なる層
    に設けられた調整層に対向して配置されていることを特
    徴とする液晶表示装置。
  9. 【請求項９】請求項８において、前記調整層は、前記走
    査線及び信号線の一方を延長したものに対向した領域
    が、隣接する他の領域から電気的に分断されていること
    を特徴とする液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】請求項９において、前記調整層は、前記
    走査線及び信号線の一方を延長したものに対向した領域
    において、複数の領域に電気的に分割されていることを
    特徴とする液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】請求項７において、前記アクティブマト
    リクス表示回路を構成する走査線及び信号線の他方を延
    長したものは、前記走査線及び信号線の他方とは異なる
    層に設けられた調整層に対向して配置されていることを
    特徴とする液晶表示装置。
  12. 【請求項１２】請求項１１において、前記調整層は、前
    記走査線及び信号線の他方を延長したものに対向した領
    域が、隣接する他の領域から電気的に分断されているこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
  13. 【請求項１３】請求項１２において、前記調整層は、前
    記走査線及び信号線の他方を延長したものに対向した領
    域において、複数の領域に電気的に分割されていること
    を特徴とする液晶表示装置。
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US09/165,628 US6072556A (en) 1997-10-06 1998-10-01 Liquid crystal display with an adjustment layer to even out height difference in the sealant region
US09/481,278 US6239854B1 (en) 1997-10-06 2000-01-11 Liquid crystal display device with an adjustment layer not connected to driving circuit to even out height difference in the sealant region
US09/865,081 US6567146B2 (en) 1997-10-06 2001-05-24 Liquid crystal display device having external connecting wirings and auxiliary wirings
US10/384,943 US7268851B2 (en) 1997-10-06 2003-03-10 Electronic appliance attached with a flexible printed circuit and a transparent conductive layer
US11/837,588 US7440068B2 (en) 1997-10-06 2007-08-13 Electronic apparatus with a flexible printed circuit and a transparent conductive layer
US12/252,793 US7876413B2 (en) 1997-10-06 2008-10-16 Electronic apparatus with a flexible printed circuit and a transparent conductive layer
US13/009,980 US8068204B2 (en) 1997-10-06 2011-01-20 Electronic apparatus with a flexible printed circuit and a transparent conductive layer
US13/304,660 US8675166B2 (en) 1997-10-06 2011-11-27 Display device having an improved sealant thickness homogencity
US14/215,455 US9285618B2 (en) 1997-10-06 2014-03-17 Liquid crystal display device comprising two overlapping conductive lines under a sealant

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008139604A (ja) * 2006-12-02 2008-06-19 Infovision Optoelectronics Holdings Ltd 液晶表示装置用の液晶パネル
JP2009205122A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機電界発光表示装置
KR101333609B1 (ko) * 2006-12-26 2013-11-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP2014030023A (ja) * 1999-03-26 2014-02-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6011607A (en) * 1995-02-15 2000-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Active matrix display with sealing material
JPH09171192A (ja) * 1995-12-19 1997-06-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方 法
JP3737176B2 (ja) 1995-12-21 2006-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH09311342A (ja) * 1996-05-16 1997-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US6288764B1 (en) * 1996-06-25 2001-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device or electronic device having liquid crystal display panel
JPH10198292A (ja) 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP3907804B2 (ja) 1997-10-06 2007-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US6563482B1 (en) 1999-07-21 2003-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4627843B2 (ja) 1999-07-22 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2001053283A (ja) 1999-08-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR100315208B1 (ko) * 1999-12-17 2001-11-26 구본준, 론 위라하디락사 액정표시소자 및 그 제조방법
US7023021B2 (en) 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4118484B2 (ja) 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4118485B2 (ja) * 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US6789910B2 (en) 2000-04-12 2004-09-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Illumination apparatus
JP4785229B2 (ja) 2000-05-09 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7019718B2 (en) * 2000-07-25 2006-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
GB0029427D0 (en) * 2000-12-02 2001-01-17 Koninkl Philips Electronics Nv Pixellated devices such as active matrix liquid crystal displays
KR100386458B1 (ko) * 2000-12-20 2003-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR100755645B1 (ko) * 2000-12-29 2007-09-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그의 제조방법
US7071037B2 (en) 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3705184B2 (ja) * 2001-10-24 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器
US7098069B2 (en) 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
US6791660B1 (en) * 2002-02-12 2004-09-14 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing electrooptical device and apparatus for manufacturing the same, electrooptical device and electronic appliances
KR100480332B1 (ko) * 2002-04-08 2005-04-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 액정패널
US7361027B2 (en) * 2002-12-25 2008-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Contact structure, display device and electronic device
KR100911470B1 (ko) * 2003-01-30 2009-08-11 삼성전자주식회사 액정표시장치
US7250720B2 (en) 2003-04-25 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7538488B2 (en) * 2004-02-14 2009-05-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display
US7183147B2 (en) 2004-03-25 2007-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method for manufacturing thereof and electronic appliance
KR100681022B1 (ko) * 2004-06-16 2007-02-09 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법
KR101075599B1 (ko) * 2004-06-23 2011-10-20 삼성전자주식회사 표시장치
US7916263B2 (en) * 2004-12-02 2011-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7529925B2 (en) 2005-03-15 2009-05-05 Trapeze Networks, Inc. System and method for distributing keys in a wireless network
US7710739B2 (en) 2005-04-28 2010-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
KR101146533B1 (ko) * 2005-07-08 2012-05-25 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이의 제조 방법과, 이를 갖는 액정 표시패널
US7573859B2 (en) 2005-10-13 2009-08-11 Trapeze Networks, Inc. System and method for remote monitoring in a wireless network
US7724703B2 (en) 2005-10-13 2010-05-25 Belden, Inc. System and method for wireless network monitoring
US8638762B2 (en) 2005-10-13 2014-01-28 Trapeze Networks, Inc. System and method for network integrity
WO2007044986A2 (en) 2005-10-13 2007-04-19 Trapeze Networks, Inc. System and method for remote monitoring in a wireless network
US20070091218A1 (en) * 2005-10-25 2007-04-26 Chin-Hai Huang Electrostatic discharge protection structure and thin film transistor substrate including the same
EP1793266B1 (en) 2005-12-05 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration
KR100688792B1 (ko) * 2006-01-27 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 및 그의 제조방법
KR100759667B1 (ko) * 2006-01-27 2007-09-17 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 및 그의 제조방법
KR100759666B1 (ko) * 2006-01-27 2007-09-17 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 및 그의 제조방법
US7558266B2 (en) 2006-05-03 2009-07-07 Trapeze Networks, Inc. System and method for restricting network access using forwarding databases
US8966018B2 (en) 2006-05-19 2015-02-24 Trapeze Networks, Inc. Automated network device configuration and network deployment
US9258702B2 (en) 2006-06-09 2016-02-09 Trapeze Networks, Inc. AP-local dynamic switching
US9191799B2 (en) 2006-06-09 2015-11-17 Juniper Networks, Inc. Sharing data between wireless switches system and method
US8818322B2 (en) 2006-06-09 2014-08-26 Trapeze Networks, Inc. Untethered access point mesh system and method
US8340110B2 (en) 2006-09-15 2012-12-25 Trapeze Networks, Inc. Quality of service provisioning for wireless networks
KR101326594B1 (ko) * 2006-12-15 2013-11-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US7873061B2 (en) 2006-12-28 2011-01-18 Trapeze Networks, Inc. System and method for aggregation and queuing in a wireless network
JP4413935B2 (ja) * 2007-02-13 2010-02-10 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
US8902904B2 (en) 2007-09-07 2014-12-02 Trapeze Networks, Inc. Network assignment based on priority
US8509128B2 (en) * 2007-09-18 2013-08-13 Trapeze Networks, Inc. High level instruction convergence function
JP5131525B2 (ja) * 2007-11-16 2013-01-30 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
US8238942B2 (en) 2007-11-21 2012-08-07 Trapeze Networks, Inc. Wireless station location detection
US8150357B2 (en) 2008-03-28 2012-04-03 Trapeze Networks, Inc. Smoothing filter for irregular update intervals
US20090287816A1 (en) * 2008-05-14 2009-11-19 Trapeze Networks, Inc. Link layer throughput testing
US8978105B2 (en) 2008-07-25 2015-03-10 Trapeze Networks, Inc. Affirming network relationships and resource access via related networks
US8238298B2 (en) 2008-08-29 2012-08-07 Trapeze Networks, Inc. Picking an optimal channel for an access point in a wireless network
KR100959106B1 (ko) 2008-11-05 2010-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
CA2769018A1 (en) * 2009-07-23 2011-01-27 Planar Systems, Inc. Field serviceable display device
TWI439756B (zh) * 2010-11-17 2014-06-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 面板導電膜配置系統及其方法
KR101945948B1 (ko) * 2011-12-30 2019-02-12 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
KR102205402B1 (ko) 2014-02-05 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102439308B1 (ko) * 2015-10-06 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN107390440B (zh) * 2017-07-18 2020-12-01 昆山龙腾光电股份有限公司 显示装置
CN113260148B (zh) * 2020-02-13 2022-11-08 群创光电股份有限公司 电子装置
EP4507182A1 (en) 2023-08-11 2025-02-12 Differential Power, SL An ac-dc switch mode electrical power converter

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2620240B2 (ja) 1987-06-10 1997-06-11 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US5187604A (en) * 1989-01-18 1993-02-16 Hitachi, Ltd. Multi-layer external terminals of liquid crystal displays with thin-film transistors
EP0400953A3 (en) * 1989-05-31 1992-01-08 Seiko Epson Corporation Input device
JP3009438B2 (ja) 1989-08-14 2000-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US5148301A (en) * 1990-02-27 1992-09-15 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device having a driving circuit inside the seal boundary
US5200847A (en) 1990-05-01 1993-04-06 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device having driving circuit forming on a heat-resistant sub-substrate
KR960014823B1 (ko) 1991-03-15 1996-10-21 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 액정표시장치
JP2650543B2 (ja) * 1991-11-25 1997-09-03 カシオ計算機株式会社 マトリクス回路駆動装置
JPH05203966A (ja) * 1992-01-29 1993-08-13 Seiko Instr Inc カラー液晶電気光学装置
JP3205373B2 (ja) * 1992-03-12 2001-09-04 株式会社日立製作所 液晶表示装置
EP0603420B1 (en) 1992-07-15 2001-06-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display
JP3136200B2 (ja) * 1992-07-22 2001-02-19 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH06138488A (ja) 1992-10-29 1994-05-20 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
JPH06138487A (ja) 1992-10-29 1994-05-20 Hitachi Ltd 半導体装置と液晶表示装置
JP3200481B2 (ja) * 1992-11-18 2001-08-20 ナミックス株式会社 液晶表示パネル用シール材及びそれを用いた液晶表示パネル
US5403762A (en) * 1993-06-30 1995-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a TFT
JP3098345B2 (ja) * 1992-12-28 2000-10-16 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
JPH06250221A (ja) 1993-03-01 1994-09-09 Hitachi Ltd 液晶表示基板の製造方法
JP3208909B2 (ja) 1993-04-06 2001-09-17 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JPH081502B2 (ja) * 1993-06-21 1996-01-10 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置
JPH07146481A (ja) * 1993-11-25 1995-06-06 Hitachi Ltd 液晶表示基板
TW340192B (en) 1993-12-07 1998-09-11 Sharp Kk A display board having wiring with three-layered structure and a display device including the display board
KR100356973B1 (ko) * 1994-01-01 2003-01-24 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 액정디스플레이장치및복수의액정디스플레이장치제조방법
US5517344A (en) * 1994-05-20 1996-05-14 Prime View Hk Limited System for protection of drive circuits formed on a substrate of a liquid crystal display
JP2555987B2 (ja) * 1994-06-23 1996-11-20 日本電気株式会社 アクティブマトリクス基板
US5684547A (en) * 1994-08-05 1997-11-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display panel and method for fabricating the same
US5936693A (en) * 1994-09-27 1999-08-10 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device having a wide view angle
JP3086606B2 (ja) * 1994-11-14 2000-09-11 シャープ株式会社 液晶表示装置
FR2727216B1 (fr) * 1994-11-18 1996-12-20 Asulab Sa Cellule electrique du type comprenant deux lames-supports paralleles, en matiere plastique, ecartees l'une de l'autre, portant des electrodes sur leurs faces
JPH08160446A (ja) 1994-12-08 1996-06-21 Hitachi Ltd テープキャリアとその製造方法およびこのテープキャリアを用いた液晶表示装置
JPH08171086A (ja) * 1994-12-15 1996-07-02 Sharp Corp 液晶表示素子およびその製造方法
US5684555A (en) * 1994-12-19 1997-11-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display panel
JPH08179302A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Seiko Instr Inc 多色液晶表示装置の製造方法
US6011607A (en) * 1995-02-15 2000-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Active matrix display with sealing material
US5757456A (en) 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
TW354380B (en) * 1995-03-17 1999-03-11 Hitachi Ltd A liquid crystal device with a wide visual angle
JPH0990397A (ja) * 1995-09-28 1997-04-04 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびそれを用いた表示装置
US5835177A (en) 1995-10-05 1998-11-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers
JP3663261B2 (ja) 1995-10-05 2005-06-22 株式会社東芝 表示装置用アレイ基板及びその製造方法
JP3281791B2 (ja) 1995-12-15 2002-05-13 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP3963974B2 (ja) * 1995-12-20 2007-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶電気光学装置
JP3737176B2 (ja) * 1995-12-21 2006-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP3647542B2 (ja) * 1996-02-20 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH09311342A (ja) * 1996-05-16 1997-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3640224B2 (ja) * 1996-06-25 2005-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示パネル
JP2850870B2 (ja) * 1996-08-20 1999-01-27 日本電気株式会社 液晶表示パネル
JPH10161142A (ja) * 1996-11-28 1998-06-19 Sharp Corp 液晶表示装置
TW542933B (en) * 1996-12-19 2003-07-21 Sharp Kk Liquid crystal display device and process for producing the same
JPH10198292A (ja) * 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US6088070A (en) * 1997-01-17 2000-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix liquid crystal with capacitor between light blocking film and pixel connecting electrode
KR100244447B1 (ko) * 1997-04-03 2000-02-01 구본준 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
JPH11143379A (ja) * 1997-09-03 1999-05-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置補正システムおよび半導体表示装置の補正方法
JP3907804B2 (ja) * 1997-10-06 2007-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US6037005A (en) * 1998-05-12 2000-03-14 3M Innovative Properties Company Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014030023A (ja) * 1999-03-26 2014-02-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9105523B2 (en) 1999-03-26 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and a method of manufacturing the same
US9620573B2 (en) 1999-03-26 2017-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including light-emitting element
US9876033B2 (en) 1999-03-26 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP2008139604A (ja) * 2006-12-02 2008-06-19 Infovision Optoelectronics Holdings Ltd 液晶表示装置用の液晶パネル
KR101333609B1 (ko) * 2006-12-26 2013-11-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP2009205122A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機電界発光表示装置
US8049412B2 (en) 2008-02-28 2011-11-01 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device

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