JPH11109923A

JPH11109923A - 液晶表示装置の駆動方法

Info

Publication number: JPH11109923A
Application number: JP26635497A
Authority: JP
Inventors: Hajime Sato; 藤肇佐
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1997-09-30
Filing date: 1997-09-30
Publication date: 1999-04-23

Abstract

(57)【要約】【課題】消費電力を増やすことなく、印刷物と同程度
の高精細表示を行うことができる液晶表示装置および液
晶駆動方法を提供する。【解決手段】本発明の液晶表示装置は、走査線Ｇおよ
び信号線Ｓがマトリクス状に列設された画素アレイ部１
と、各走査線Ｇを駆動する走査線駆動回路２と、各信号
線Ｓを駆動する信号線駆動回路３と、走査線駆動回路２
および信号線駆動回路３の動作タイミングを制御する制
御回路４とを備える。動画像を表示する際に選択される
通常表示モード時は、ＸＹ方向４個ずつの計16個の画素
電極６で１画素の表示を行い、静止画像を表示する際に
選択される高精細表示モード時は、１個の画素電極６で
１画素の表示を行う。高精細表示モード時は、通常表示
モード時の16倍の駆動周波数で画素表示を行う代わり
に、表示更新周期を通常表示モード時の16倍の長さにし
て、消費電力低減を図る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス状に配
置された信号線および走査線を駆動して液晶表示を行う
液晶表示装置に関し、特に、高精細表示を行う技術に関
する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置のパネルサイズは、大型パ
ネルに分類される中では12.1インチが主流であり、この
サイズでの最大解像度は、最も高精細なXGA(eXtended G
raphics Array;1024×768 画素) 用のパネルでも、106d
pi(dot per inch)程度である。これに対して、印刷物
は、300 〜400dpi程度の解像度が現在主流であり、液晶
表示装置を印刷物の代わりに使用するには、まだ解像度
が不足している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】液晶パネルの解像度を
印刷物と同程度にするのが困難な理由は、解像度を上げ
るにつれて画素数が増え、画素数が増えると駆動周波数
も高くなり、その結果、消費電力が増えるためである。

【０００４】例えば、ＸＧＡ規格のパネルの場合、パネ
ルを駆動する駆動系の電力は全体の消費電力の約４割
で、残りの６割はバックライトを含む照明系で消費され
る。このため、パネルサイズが同一で解像度を３倍の30
0dpiにすると、画素数は９倍になり、駆動系の消費電力
も約９倍になる。このとき、照明系を含めた全体の消費
電力は、開口率低下による照明系の輝度増加分を考慮に
入れなくても約４倍になり、バッテリ寿命が1/4 程度に
低下してしまう。

【０００５】本発明は、このような点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、消費電力を増やすことなく、
印刷物と同程度の高精細表示を行うことができる液晶表
示装置の駆動方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１の発明は、マトリクス状に配置された
複数の信号線および走査線と、これら信号線および走査
線の異なる組み合わせごとに設けられた画素電極と、前
記信号線に映像信号を供給する信号線駆動回路と、任意
の前記走査線に対しフレーム周期で走査パルスを供給す
る走査線駆動回路と、を備えた液晶表示装置の駆動方法
において、前記走査線駆動回路は、隣接する所定行の走
査線に対し同一タイミングで走査パルスを供給する第一
の動作モードと、前記所定行の走査線に対し線順次に走
査パルスを供給する第二の動作モードとを有し、かつ、
前記第一動作モードにおける表示更新周期を第二の動作
モードにおける表示更新周期よりも短くしたものであ
る。

【０００７】請求項１の第一の動作モードは、例えば動
画像を表示する際に選択され、第二の動作モードは、例
えば静止画像を表示する際に選択される。

【０００８】請求項２の発明は、請求項１に記載の液晶
表示装置の駆動方法において、前記第二の動作モード時
の解像度は、前記第一の動作モード時の解像度のｍ（ｍ
は２以上の整数）倍に設定され、前記走査線駆動回路
は、前記第二の動作モードが選択されると、前記第二の
動作モードのフレーム周期を前記第一の動作モードのフ
レーム周期と同じにし、かつ、１フレーム分の表示を行
った後、次の（ｍ−１）フレーム分は表示更新を行わな
いようにする。

【０００９】請求項３の発明は、請求項１に記載の液晶
表示装置の駆動方法において、前記第二の動作モード時
の解像度は、前記第一の動作モード時の解像度のｍ（ｍ
は２以上の整数）倍に設定され、前記走査線駆動回路
は、前記第二の動作モード時の１フレーム周期を、前記
第一の動作モード時の１フレーム周期のｍ倍にする。

【００１０】請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれ
かに記載の液晶表示装置の駆動方法において、前記信号
線駆動回路は、前記信号線のそれぞれに対応して設けら
れ、デジタル映像信号を１水平周期にそれぞれ１回ずつ
ラッチする複数の第１のラッチ回路と、前記第１のラッ
チ回路のそれぞれに対応して設けられ、前記第１のラッ
チ回路でラッチされた１水平周期分のデジタル映像信号
を同時にラッチする複数の第２のラッチ回路と、前記第
２のラッチ回路のそれぞれに対応して設けられ、前記第
２のラッチ回路でラッチされた各デジタル映像信号をア
ナログ信号に変換するＤ／Ａコンバータと、を備え、前
記第二の動作モード時には、前記前記複数の第１のラッ
チ回路の各ラッチタイミングを所定時間ずつずらし、前
記第一の動作モード時には、前記複数の第１のラッチ回
路を２以上の組に分け、各組に属する前記第１のラッチ
回路のラッチタイミングを同じにする。

【００１１】請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれ
かに記載の液晶表示装置の駆動方法において、前記画素
電極のそれぞれに対応して、薄膜トランジスタ(Thin Fi
lm Transistor)が設けられ、これら薄膜トランジスタの
活性層はポリシリコン層で形成される。

【００１２】請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれ
かに記載の液晶表示装置の駆動方法において、前記信号
線、前記走査線、および前記画素電極が形成された第１
の電極基板と、前記画素電極に対向配置される対向電極
が形成された第２の電極基板と、前記第１および第２の
電極基板の間に挟持される液晶層とを有し、前記液晶層
は、強誘電または反強誘電の液晶で形成される。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した液晶表示
装置について、図面を参照しながら具体的に説明する。
図１は本発明に係る液晶表示装置の一実施形態のブロッ
ク図である。図１の液晶表示装置は、走査線Ｇおよび信
号線Ｓがマトリクス状に列設された画素アレイ部１と、
各走査線Ｇを駆動する走査線駆動回路２と、各信号線Ｓ
を駆動する信号線駆動回路３と、走査線駆動回路２およ
び信号線駆動回路３の動作タイミングを制御する制御回
路４とを備える。

【００１４】画素アレイ部１内の走査線Ｇと信号線Ｓの
各交点付近には、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Tra
nsistor)５が形成され、これらＴＦＴ５のドレイン／ソ
ース端子には、それぞれ画素電極６が接続されている。
これら画素電極６には対向電極が対向配置され、これら
電極の間には液晶が挿入されている。また、各ＴＦＴ５
には、画素電極６の電圧を保持するために、補助容量７
が接続されている。

【００１５】図１の液晶表示装置は、動画像を表示する
場合に選択される通常表示モードと、静止画像を表示す
る場合に選択される高精細表示モードとを有する。通常
表示モードが選択されると、ＸＹ方向４個ずつの計16個
の画素電極６で１画素の表示を行い、高精細表示モード
が選択されると、１個の画素電極６で１画素の表示を行
う。

【００１６】なお、図１では省略しているが、画素アレ
イ部１には、画素ごとに、Ｒ( 赤)、Ｇ( 緑) 、Ｂ( 青)
用の３本の信号線Ｓが設けられ、通常表示モード時
は、これら３本の信号線Ｓを４組、すなわち計12本の信
号線Ｓで１画素の表示を行う。以下では、説明を簡略化
するために、各画素ごとに１本の信号線Ｓが設けられて
いる例を説明する。

【００１７】信号線駆動回路３は、各信号線Ｓごとに、
第１のラッチ回路１１と、第２のラッチ回路１２と、Ｄ
／Ａコンバータ１３と、極性反転回路１４とを備える。
第１および第２のラッチ回路１１，１２のラッチタイミ
ングと、極性反転回路１４の極性反転タイミングは、タ
イミング信号供給回路１５からの信号により制御され
る。

【００１８】第１のラッチ回路１１のそれぞれは、制御
回路４から出力されたデジタル映像データを、水平画素
位置に応じたタイミングで、１水平周期に１回ラッチす
る。第２のラッチ回路１２のそれぞれは、第１のラッチ
回路１１で１水平ライン分のデータがラッチされた時点
で、これらラッチデータすべてを同時にラッチする。Ｄ
／Ａコンバータ１３は、第２のラッチ回路１２でラッチ
されたデータをアナログ信号にＤ／Ａ変換する。極性反
転回路１４は、液晶の分極を防止するために、１フレー
ム（１画面）ごとに、各信号線Ｓに供給する電圧レベル
を反転する。

【００１９】図２は極性反転回路１４の内部構成を示す
回路図である。極性反転回路１４は、Ｄ／Ａコンバータ
１３の出力信号が入力される２つの演算増幅器２１，２
２と、各演算増幅器２１，２２の出力端子に接続される
２つのスイッチ素子２３，２４とを有する。演算増幅器
２１は、Ｄ／Ａコンバータ１３の出力と同極性の信号を
出力し、演算増幅器２２は、Ｄ／Ａコンバータ１３の出
力と逆極性の信号を出力する。スイッチ素子２３，２４
は、制御回路４からの信号に応じていずれか一方がオン
する。

【００２０】一方、図１に示す走査線駆動回路２は、タ
イミング信号供給回路１６とバッファ１７とを有する。
タイミング信号供給回路１６から出力されたパルス信号
は、バッファ１７を介して各走査線Ｇに供給される。

【００２１】ところで、静止画像が表示されている場合
には、画像中の一部分に着目して画面を眺めることが多
く、一般に視距離が短くなるため、なるべく高解像度で
表示するのが望ましい。これに対して、動画像が表示さ
れている場合には、画像全体を眺めることが多く、一般
に視距離が長くなるため、静止画像を表示する場合ほど
の解像度は不要である。また、動画像は、静止画像に比
べて情報量が格段に多く、伝送帯域の点からも、印刷物
と同程度の解像度の動画像を得るのは難しい。そこで、
本実施形態は、静止画像を表示する場合には高精細表示
モードを選択して高精細表示を行い、動画像を表示する
場合には通常表示モードを選択して通常の解像度で表示
を行うようにしている。

【００２２】図３は通常表示モード時の信号線駆動回路
３の動作タイミング図、図４は通常表示モード時の液晶
画面表示例を示す図である。通常表示モード時には、図
１に示す第１のラッチ回路１１を４個ずつ組にして、各
組に属する第１のラッチ回路１１には同一の映像データ
を入力する。これにより、隣接する４本の信号線Ｓに
は、同一の映像データが同時に供給される。図３，４
は、液晶画面の左端から４本の信号線Ｓに映像データ「1
1A」を、次の４本の信号線Ｓに映像データ「12A」を供給
する例を示している。

【００２３】一方、走査線駆動回路２は、隣接する４本
の走査線Ｇを同タイミングで駆動する。図３は、液晶画
面の上端から４本の走査線Ｇに同時にパルスを供給した
後、少し時間をずらして、その下の４本の走査線Ｇに同
時にパルスを供給する例を示している。この結果、図４
に示すように、パネル内の隣接する４×４画素には同一
のデータが表示される。

【００２４】本実施形態では、細密文字を含んだ文書や
図面など、高精細表示を行う必要がある場合には、通常
表示モードから高精細表示モードに切り換える。モード
の切り換えは、例えば、制御回路４に外部からモード切
換信号を入力することにより行う。より具体的には、フ
レームメモリに格納された画像データ量に基づいて、通
常表示モードと高精細表示モードの選択を行う。あるい
は、手動でモードの切り換えを行ってもよい。

【００２５】図５は高精細表示モード時の信号線駆動回
路３の動作タイミング図、図６は高精細表示モード時の
液晶画面表示例を示す図である。

【００２６】高精細表示モード時には、通常表示モード
と同一の駆動周波数で各駆動回路２，３を動作させる
と、１フレーム周期が通常表示モード時の16倍になる。
これは、画素数が通常表示モードの16倍に増えるためで
ある。一方、１フレーム周期の長さを通常表示モード時
と同じにするには、駆動周波数を16倍にする必要があ
る。ところが、駆動周波数と消費電力はほぼ比例関係に
あり、駆動周波数を16倍にすると、消費電力もほぼ16倍
に増えてしまう。

【００２７】このため、本実施形態では、高精細表示モ
ード時の表示更新周期を通常表示モード時の表示更新周
期よりも遅くすることで、低消費電力化を図っている。
以下、本実施形態の表示更新周期の設定方法を詳述す
る。

【００２８】ブラウン管を電子銃で走査して表示を行う
ＣＲＴ(Cathode Ray Tube)では、一定周期で走査し続け
なければ画像を表示できないが、液晶表示装置にはその
ような制限はなく、図１に示す画素電極６にいったん画
素電圧を印加すれば、その後しばらくは、その電圧が保
持され、その電圧に応じた表示が継続される。このよう
な性質を利用して、本実施形態では、高精細表示モード
時には、１フレーム周期の長さを従来と同じ1/60(sec)
に設定し、１フレーム分の表示を行った後、続く15フレ
ームは表示の更新を行わないようにしている。すなわ
ち、本実施形態では、表示の更新周期を、従来の16倍の
長さである16/60(sec)に設定することにより、消費電力
の低減を図っている。

【００２９】ところで、パーソナルコンピュータ等の表
示装置では、静止画像を表示している最中に、その画像
の一部にマウスカーソル等の動画像を表示する場合があ
る。この場合、動画像の動きが遅くなってもよければ高
精細表示モードで表示を行い、動画像を滑らかに( リア
ルタイムに) 表示する必要があれば、通常表示モードで
表示を行うのが望ましい。例えば、マウスカーソルを表
示する場合を例にとると、マウスカーソルが移動する時
間は、パーソナルコンピュータ等の使用時間に対してわ
ずかなため、マウスカーソルが移動している時間だけ通
常表示モードに変更して、マウスカーソルの動きを滑ら
かにするのが望ましい。

【００３０】また、静止画像と動画像が混在している画
像を表示する場合には、通常表示モードで表示を行うの
が望ましい。この場合、液晶画面内の静止画像について
は解像度が落ちるが、動画像の動きを滑らかにすること
ができ、消費電力を上げることなく動画像と静止画像を
同時に表示できる。

【００３１】なお、上述した実施形態では、高精細表示
モードでの駆動周波数を通常表示モード時の16倍の周波
数に設定する例を説明したが、液晶画面の駆動周波数を
速くするのが困難な場合には、駆動周波数を遅くしても
よい。駆動周波数を遅くすると、１フレームを表示する
のに時間がかかるが、静止画像を表示する場合はあまり
影響がない。駆動周波数を遅くすると、フレーム周期が
長くなるため、結果として表示更新周期が長くなり、消
費電力を低減できる。

【００３２】ところで、従来の液晶表示装置は、ＴＦＴ
５や画素電極６等が形成されたガラス基板と、ＬＳＩ等
で構成された駆動回路とをＴＡＢ(Tape Automated Bond
ing)方式で接続していたが、ＴＡＢ方式による接続ピッ
チは60μm 程度が限度であり、300dpi以上の解像度を得
るには、ＲＧＢストライプ配列の場合で接続ピッチを28
μm 以下にする必要があり、ＴＡＢ方式は本実施形態の
ような高解像度パネルには利用できない。

【００３３】このため、本実施形態では、ＴＦＴ５や画
素電極６等が形成されたガラス基板上に駆動回路を一体
に形成し、信号線Ｓ等と駆動回路との接続をガラス基板
上で行っている。また、従来は駆動回路内部のスイッチ
素子として、アモルファスシリコン型ＴＦＴ(a-Si 型Ｔ
ＦＴ）を用いることが多かったが、a-Si型ＴＦＴは移動
度が１[cm ²/Vs]以下しかなく、駆動周波数をあまり向
上できない。このため、本実施形態では、移動度がa-Si
型ＴＦＴ５よりも２桁程度高いポリシリコン型ＴＦＴ(p
-Si 型TFT)を用いて駆動回路を構成した。

【００３４】なお、本実施形態では、高精細表示モード
が選択されると、画面の表示更新周期を長くして消費電
力の低減を図っているが、表示更新周期が長くなるほ
ど、フリッカが発生しやすくなる。フリッカは、各画素
の光強度がフレーム間で変化するときに発生し、フリッ
カが発生すると表示品質が低下する。光強度が変化する
主な原因は、スイッチ素子のスイッチングノイズによる
画素電圧変動や、リーク電流による画素電圧変動であ
る。

【００３５】スイッチングノイズとリーク電流による画
素電圧変動をともに抑制するには、補助容量７を含めた
画素容量値を大きくするのが効果的である。補助容量７
の容量値を増やすには、補助容量７の面積を増やす方
法、誘電体厚を薄くする方法、Ta₂O ₅等の高誘電率誘
電体を用いる方法、トレンチ型の容量を形成する方法等
が考えられる。また、補助容量７の面積を増やすには、
酸化インジウムスズ(ITO:Indium Tin Oxide)等を用いて
透明容量を形成するのが望ましい。また、画素電極６の
容量（液晶容量）自体を増やすことで画素容量値を大き
くすることもできる。通常のＴＮ(Twisted Nematic) 液
晶は比誘電率が10程度であるが、強誘電または反誘電液
晶材料では、比誘電率が100 〜1000であり、画素容量値
を大きくすることができる。

【００３６】この他、スイッチングノイズによる画素電
圧変動を抑えるには、スイッチ素子の端子間容量を小さ
くする、スイッチ素子のサイズを小さくする等の方法が
考えられ、また、リーク電流による画素電圧変動を抑え
るにはスイッチ素子のリーク電流自体を小さくするのが
有効である。

【００３７】図７は図１に示した画素アレイ部１の平面
図、図８は図７のＡ−Ａ′線断面図である。これらの図
に示すように、第１の電極基板５１上には、複数の信号
線Ｓおよび走査線Ｇがマトリクス状に形成され、信号線
Ｓと走査線Ｇとの各交点付近には、p-Si型ＴＦＴからな
るスイッチ素子５が形成されている。これらスイッチ素
子５のゲート端子は走査線Ｇに接続され、ドレイン／ソ
ース端子は信号線Ｓに接続されている。

【００３８】映像データは、信号線Ｓとコンタクトホー
ル５２を介してp-Si型ＴＦＴ５のドレイン／ソース端子
に供給され、p-Si型ＴＦＴ４がオンすると、映像データ
はコンタクトホール５２を介して透明導電膜で形成され
た画素電極６に供給される。第２の電極基板５３上には
対向電極５４が形成され、画素電極６と対向電極５４と
は対向配置されて、その間に液晶５５が挿入される。

【００３９】また、走査線Ｇの一部５６は、図７に示す
ように幅広に形成され、この部分５６には、画素電極６
と層間絶縁膜を介して補助容量７が形成されている。画
素電極６の一部は、信号線Ｓおよび走査線Ｇと重なって
おり、画素電極６以外の部分を透過した光は信号線Ｓと
走査線Ｇによって遮光される。また、画素電極６の下部
には、カラー表示を行うために、Ｒ( 赤) 、Ｇ( 緑) 、
Ｂ( 青) 用のカラーフィルタ５７ｒ，５７ｇ，５７ｂが
形成されている。

【００４０】ところで、画素アレイ部１のスイッチ素子
５としては、駆動回路内のスイッチ素子と同様に、p-Si
型ＴＦＴを用いるのが望ましい。a-Si型ＴＦＴは、画素
容量に対する充電時定数が大きいため、駆動周波数が高
くなると画素容量への充電が間に合わない可能性がある
が、p-Si型ＴＦＴはa-Si型ＴＦＴよりも時定数が２桁程
度小さいため、画素容量への充電が間に合わなくなるお
それはない。

【００４１】本実施形態では、一例として、シランガス
を用いたプラズマＣＶＤ法でa-Si膜を堆積し、このa-Si
膜にエキシマレーザを照射して溶融および再結晶化させ
るという工程により、p-Si型ＴＦＴ５の活性層を形成し
た。活性層の膜厚は、500 オンク゛ストローム程度にした。な
お、p-Si型ＴＦＴ５のポリシリコン膜は、上述した方法
の他に、低圧ＣＶＤ法を用いて直接ポリシリコン膜を成
膜する方法や、600 ℃前後の熱処理炉中でa-Si膜を固相
成長される方法等によっても形成することができる。

【００４２】また、本実施形態では、プラズマＣＶＤ法
で形成したシリコン酸化膜により、p-Si型ＴＦＴ５のゲ
ート絶縁膜を形成した。また、ゲート電極は、大型液晶
パネルにおいても走査線Ｇの信号遅延による画質の劣化
が起きないように、低抵抗のモリブデン−タングステン
合金を用いて形成し、このモリブデン−タングステン合
金はスパッタ法で形成した。

【００４３】さらに、p-Si型ＴＦＴ５のソース／ドレイ
ン領域は、ゲート電極をマスクにしてイオンドーピング
法でリンを打ち込むことにより形成した。また、層間絶
縁膜には、プラズマＣＶＤ法によるシリコン酸化膜を用
い、ドライエッチング法によりコンタクトホールを形成
した後、Mo/Al/Mo膜からなるソース／ドレイン電極をス
パッタ法で形成した。ここで、モリブデン膜を用いたの
は、ITO 膜を用いて形成された画素電極６とオーミック
接合を取るためである。

【００４４】p-Si型ＴＦＴ５は、a-Si薄膜トランジスタ
に比べて２桁程度移動度が大きいため、周辺駆動回路も
同時にガラス基板上に形成することができる。周辺回路
については、高速化および低消費電力化を図るためにCM
OS構成にするのが望ましい。このため、本実施形態で
は、不純物ドーピング工程を、レジスタマスクを用いて
Ｐ型およびＮ型不純物ドーピング工程の２回に分けて行
った。

【００４５】また、p-Si型ＴＦＴからなるスイッチ素子
５は、フレーム周期を通常の16倍にしても画素電位を保
持できるように、低リークＴＦＴにした。このような低
リークＴＦＴにするために、水素プラズマ処理を用い
てポリシリコン膜中のダングリングボンドを終端させて
バンド内準位密度を下げ、サイドウォールプロセスや
レジストマスクによりＬＤＤ(Lightly Doped Drain) 構
造を形成してドレイン電界によるトンネル電流を防止
し、活性層膜厚を500 オンク゛ストローム以下としてカットオ
フ時にチャネルを完全空乏化し、ＴＦＴ５のチャネル
幅を設計ルールで決まる最小値( 本実施形態では１μm
ルールを用いた) にした。

【００４６】このように、本実施形態では、チャネル幅
を最小値まで小さくしたため、ゲート容量に依存するス
イッチング時の画素電圧変動についても、フリッカとし
て検出されない程度にまで小さくすることができた。

【００４７】上述したように、本実施形態では、フレー
ム周期を長くしてもフリッカが起きないように低リーク
ＴＦＴを用いたが、画素容量を増やすことでも、フリッ
カを防止できる。これは、フリッカの原因となる画素電
圧変動が、画素容量に反比例して小さくなることによ
る。画素容量を大きくする方法としては、画素電極６の
容量（液晶容量）自体を大きくする方法や、補助容量７
を大きくする方法などがある。

【００４８】液晶容量を大きくする方法としては、セル
ギャップを小さくする方法、誘電率の高い液晶材料を用
いる方法などがある。後者については、強誘電液晶、反
強誘電液晶等の強誘電性の材料を用いる方が効果が大き
い。強誘電性液晶材料の比誘電率は100 〜1000であり、
上記実施形態で用いているネマティック液晶の比誘電率
(10 程度) に対して１〜２桁大きくなるので、同一駆動
条件でのフリッカ量を１〜２桁小さくできる。特に、ヒ
ステリシスを持たない反強誘電液晶材料を用いると、上
記実施形態と画素構成および回路構成が同一の液晶表示
装置を構成できる。

【００４９】また、補助容量７の容量値を大きくする方
法としては、補助容量７の面積を大きくする方法、補助
容量７の誘電体膜厚を薄くする方法、誘電体膜に比誘電
率の大きな材料を用いる方法などがある。補助容量７の
面積を大きくする方法としては、ＩＴＯ等の透明導電膜
を電極材料とし、SiO ₂等の透明誘電体を誘電体材料と
した透明補助容量を用いる方法が開口率の低下を防ぐ上
で効果がある。比誘電率を大きくする方法としては、チ
タン酸バリウム(BaTiO₃) やチタン酸ストロンチウム(S
rTiO₃) 等のペロブスカイト結晶系の高、強誘電体材料
を用いるのが効果がある。

【００５０】なお、上述した実施形態では、第１の電極
基板側から照明光を照射して第２の電極基板側から眺め
る、いわゆる透過型の液晶表示装置の例を説明したが、
本発明は照明光の有無にかかわらず構成でき、また、照
明光がない場合には電力を消費しないため、消費電力を
効率よく低減できる。

【００５１】上述した実施形態では、画素ごとにスイッ
チ素子５を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装
置について説明したが、本発明は、ＳＴＮ型の液晶表示
装置にも適用できる。

【００５２】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、走査線を駆動するモードとして、動画像の表示が
可能な第一の動作モードと、高解像度の表示が可能な第
二の動作モードを設け、第一動作モードにおける表示更
新期間を第二の動作モードにおける表示更新期間よりも
短くしたため、印刷物と同程度の高精細表示を行って
も、消費電力が増えるおそれがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液晶表示装置の一実施形態のブロ
ック図。

【図２】極性反転回路の内部構成を示す回路図。

【図３】通常表示モード時の信号線駆動回路の動作タイ
ミング図。

【図４】通常表示モード時の液晶画面表示例を示す図。

【図５】高精細表示モード時の信号線駆動回路の動作タ
イミング図。

【図６】高精細表示モード時の液晶画面表示例を示す
図。

【図７】図１に示した画素アレイ部の平面図。

【図８】図７のＡ−Ａ′線断面図。

【符号の説明】

１画素アレイ部２走査線駆動回路３信号線駆動回路４制御回路５ p-型ＴＦＴ６画素電極７補助容量１１第１のラッチ回路１２第２のラッチ回路１３Ｄ／Ａコンバータ１４極性反転回路１５，１６タイミング信号供給回路１７バッファ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マトリクス状に配置された複数の信号線お
よび走査線と、これら信号線および走査線の異なる組み合わせごとに設
けられた画素電極と、前記信号線に映像信号を供給する信号線駆動回路と、任意の前記走査線に対しフレーム周期で走査パルスを供
給する走査線駆動回路と、を備えた液晶表示装置の駆動
方法において、前記走査線駆動回路は、隣接する所定行の走査線に対し
同一タイミングで走査パルスを供給する第一の動作モー
ドと、前記所定行の走査線に対し線順次に走査パルスを
供給する第二の動作モードとを有し、かつ、前記第一動
作モードにおける表示更新周期を第二の動作モードにお
ける表示更新周期よりも短くしたことを特徴とする液晶
表示装置の駆動方法。
【請求項２】前記第二の動作モード時の解像度は、前記
第一の動作モード時の解像度のｍ（ｍは２以上の整数）
倍に設定され、前記走査線駆動回路は、前記第二の動作モードが選択さ
れると、前記第二の動作モードのフレーム周期を前記第
一の動作モードのフレーム周期と同じにし、かつ、１フ
レーム分の表示を行った後、次の（ｍ−１）フレーム分
は表示更新を行わないようにすることを特徴とする請求
項１に記載の液晶表示装置の駆動方法。
【請求項３】前記第二の動作モード時の解像度は、前記
第一の動作モード時の解像度のｍ（ｍは２以上の整数）
倍に設定され、前記走査線駆動回路は、前記第二の動作モード時の１フ
レーム周期を、前記第一の動作モード時の１フレーム周
期のｍ倍に設定することを特徴とする請求項１に記載の
液晶表示装置の駆動方法。
【請求項４】前記信号線駆動回路は、前記信号線のそれ
ぞれに対応して設けられ、デジタル映像信号を１水平周
期にそれぞれ１回ずつラッチする複数の第１のラッチ回
路と、前記第１のラッチ回路のそれぞれに対応して設け
られ、前記第１のラッチ回路でラッチされた１水平周期
分のデジタル映像信号を同時にラッチする複数の第２の
ラッチ回路と、前記第２のラッチ回路のそれぞれに対応
して設けられ、前記第２のラッチ回路でラッチされた各
デジタル映像信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａコン
バータと、を備え、前記第二の動作モード時には、前記
前記複数の第１のラッチ回路の各ラッチタイミングを所
定時間ずつずらし、前記第一の動作モード時には、前記
複数の第１のラッチ回路を２以上の組に分け、各組に属
する前記第１のラッチ回路のラッチタイミングを同じに
することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
液晶表示装置の駆動方法。
【請求項５】前記画素電極のそれぞれに対応して、薄膜
トランジスタ(Thin Film Transistor)が設けられ、これ
ら薄膜トランジスタの活性層はポリシリコン層で形成さ
れることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の
液晶表示装置の駆動方法。
【請求項６】前記信号線、前記走査線、および前記画素
電極が形成された第１の電極基板と、前記画素電極に対
向配置される対向電極が形成された第２の電極基板と、
前記第１および第２の電極基板の間に挟持される液晶層
とを有し、前記液晶層は、強誘電または反強誘電の液晶
で形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか
に記載の液晶表示装置の駆動方法。