JPH11111458A - 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH11111458A JPH11111458A JP9264468A JP26446897A JPH11111458A JP H11111458 A JPH11111458 A JP H11111458A JP 9264468 A JP9264468 A JP 9264468A JP 26446897 A JP26446897 A JP 26446897A JP H11111458 A JPH11111458 A JP H11111458A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高輝度・高発光効率、発光劣化が少なく信頼性
の高いエレクトロルミネッセンス素子材料、および有機
エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 【解決手段】下記一般式[1]からなる有機エレクトロ
ルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレ
クトロルミネッセンス素子。 一般式[1] 【化1】 [式中、A1 〜A2 は、アルキル基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、縮合多環基、アルキルアミノ基、アリ
ールアミノ基を表す。R1 〜R16は、水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、ニトロ基、置アルキル基、アルコキ
シ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基、環基、アミノ基を表す。]
の高いエレクトロルミネッセンス素子材料、および有機
エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 【解決手段】下記一般式[1]からなる有機エレクトロ
ルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレ
クトロルミネッセンス素子。 一般式[1] 【化1】 [式中、A1 〜A2 は、アルキル基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、縮合多環基、アルキルアミノ基、アリ
ールアミノ基を表す。R1 〜R16は、水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、ニトロ基、置アルキル基、アルコキ
シ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基、環基、アミノ基を表す。]
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は平面光源や表示に使用さ
れる有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子用発光
材料および高輝度の発光素子に関するものである。
れる有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子用発光
材料および高輝度の発光素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】有機物質を使用したEL素子は、固体発
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にEL
は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構
成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入
される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結
合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際に
エネルギーを光として放出する現象である。
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にEL
は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構
成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入
される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結
合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際に
エネルギーを光として放出する現象である。
【0003】従来の有機EL素子は、無機EL素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法は、金属キレート錯体を発光層、アミ
ン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発光
を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は数1000c
d/m2 、最大発光効率は1.5lm/Wを達成して、
実用領域に近い性能を持っている。
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法は、金属キレート錯体を発光層、アミ
ン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発光
を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は数1000c
d/m2 、最大発光効率は1.5lm/Wを達成して、
実用領域に近い性能を持っている。
【0004】しかしながら、現在までの有機EL素子
は、構成の改善により発光強度は改良されているが、未
だ充分な発光輝度は有していない。また、繰り返し使用
時の安定性に劣るという大きな問題を持っている。これ
は、例えば、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)ア
ルミニウム錯体等の金属キレート錯体が、電界発光時に
化学的に不安定であり、陰極との密着性も悪く、短時間
の発光で大きく劣化していた。以上の理由により、高い
発光輝度、発光効率を持ち、繰り返し使用時での安定性
の優れた有機EL素子の開発のために、優れた発光能力
を有し、耐久性のある発光材料の開発が望まれている。
は、構成の改善により発光強度は改良されているが、未
だ充分な発光輝度は有していない。また、繰り返し使用
時の安定性に劣るという大きな問題を持っている。これ
は、例えば、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)ア
ルミニウム錯体等の金属キレート錯体が、電界発光時に
化学的に不安定であり、陰極との密着性も悪く、短時間
の発光で大きく劣化していた。以上の理由により、高い
発光輝度、発光効率を持ち、繰り返し使用時での安定性
の優れた有機EL素子の開発のために、優れた発光能力
を有し、耐久性のある発光材料の開発が望まれている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、発光輝度が
高く、繰り返し使用時での安定性の優れた有機EL素子
の提供にある。本発明者らが鋭意検討した結果、一般式
[1]ないし一般式[5]で示される有機EL素子用発
光材料を発光層に使用した有機EL素子の発光輝度およ
び発光効率が高く、繰り返し使用時での安定性も優れて
いることを見いだし本発明を成すに至った。
高く、繰り返し使用時での安定性の優れた有機EL素子
の提供にある。本発明者らが鋭意検討した結果、一般式
[1]ないし一般式[5]で示される有機EL素子用発
光材料を発光層に使用した有機EL素子の発光輝度およ
び発光効率が高く、繰り返し使用時での安定性も優れて
いることを見いだし本発明を成すに至った。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
[1]で示される有機エレクトロルミネッセンス素子用
発光材料に関する。 一般式[1]
[1]で示される有機エレクトロルミネッセンス素子用
発光材料に関する。 一般式[1]
【化6】 [式中、A1 〜A2 は、それぞれ独立に、置換もしくは
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ
基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もし
くは未置換の縮合多環基、置換もしくは未置換のアルキ
ルアミノ基、置換もしくは未置換のアリールアミノ基を
表す。R1 〜R16は、それぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換の
アルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換
もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置
換のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチ
オ基、置換もしくは未置換の環基、置換もしくは未置換
のアミノ基を表す(隣接した基同士でそれぞれ互いに結
合して新たな環を形成してもよい。)。]
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ
基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もし
くは未置換の縮合多環基、置換もしくは未置換のアルキ
ルアミノ基、置換もしくは未置換のアリールアミノ基を
表す。R1 〜R16は、それぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換の
アルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換
もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置
換のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチ
オ基、置換もしくは未置換の環基、置換もしくは未置換
のアミノ基を表す(隣接した基同士でそれぞれ互いに結
合して新たな環を形成してもよい。)。]
【0007】更に本発明は、下記一般式[2]で示され
る有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料に関す
る。 一般式[2]
る有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料に関す
る。 一般式[2]
【0008】
【化7】
【0009】[式中、A3 〜A6 は、それぞれ独立に、
置換もしくは未置換の炭素数6〜16のアリール基を表
す。R1 〜R16は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換のア
ルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換も
しくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置換
のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチオ
基、置換もしくは未置換の環基、置換もしくは未置換の
アミノ基を表す(隣接した基同士でそれぞれ互いに結合
して新たな環を形成してもよい。)。]
置換もしくは未置換の炭素数6〜16のアリール基を表
す。R1 〜R16は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換のア
ルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換も
しくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置換
のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチオ
基、置換もしくは未置換の環基、置換もしくは未置換の
アミノ基を表す(隣接した基同士でそれぞれ互いに結合
して新たな環を形成してもよい。)。]
【0010】更に本発明は、下記一般式[3]で示され
る有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料に関す
る。 一般式[3]
る有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料に関す
る。 一般式[3]
【0011】
【化8】
【0012】[式中、R1 〜R36は、それぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換も
しくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアル
コキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置
換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置
換のアリールチオ基、置換もしくは未置換の環基、置換
もしくは未置換のアミノ基を表す(R1 〜R16は、隣接
した基同士でそれぞれ互いに結合して新たな環を形成し
てもよい。)。]
水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換も
しくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアル
コキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置
換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置
換のアリールチオ基、置換もしくは未置換の環基、置換
もしくは未置換のアミノ基を表す(R1 〜R16は、隣接
した基同士でそれぞれ互いに結合して新たな環を形成し
てもよい。)。]
【0013】更に本発明は、下記一般式[4]で示され
る有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料に関す
る。 一般式[4]
る有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料に関す
る。 一般式[4]
【0014】
【化9】
【0015】[式中、R1 〜R16およびR37〜R56は、
それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、
ニトロ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もし
くは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリ
ールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、
置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未
置換の環基、置換もしくは未置換のアミノ基を表す(R
1 〜R16は、隣接した基同士でそれぞれ互いに結合して
新たな環を形成してもよい。)。X1 〜X4 は、それぞ
れ独立に、O、S、C=O、SO2 、(CH2 )x−O
−(CH2 )y、置換もしくは未置換のアルキレン基、
置換もしくは未置換の脂肪族環基を表す。ここで、xお
よびyは、0〜20の正の整数を表すが、x+y=0と
なることはない。]
それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、
ニトロ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もし
くは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリ
ールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、
置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未
置換の環基、置換もしくは未置換のアミノ基を表す(R
1 〜R16は、隣接した基同士でそれぞれ互いに結合して
新たな環を形成してもよい。)。X1 〜X4 は、それぞ
れ独立に、O、S、C=O、SO2 、(CH2 )x−O
−(CH2 )y、置換もしくは未置換のアルキレン基、
置換もしくは未置換の脂肪族環基を表す。ここで、xお
よびyは、0〜20の正の整数を表すが、x+y=0と
なることはない。]
【0016】更に本発明は、下記一般式[5]で示され
る有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料に関す
る。 一般式[5]
る有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料に関す
る。 一般式[5]
【0017】
【化10】
【0018】[式中、R1 〜R16およびR37〜R56は、
それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、
ニトロ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もし
くは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリ
ールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、
置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未
置換の環基、置換もしくは未置換のアミノ基を表す(R
1 〜R16は、隣接した基同士でそれぞれ互いに結合して
新たな環を形成してもよい。)。Y1 〜Y8 は、置換も
しくは未置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もし
くは未置換の炭素数6〜16のアリール基を表す。ま
た、Y1 とY2 、Y3 とY4 、Y5 とY6 、Y7 とY8
で、置換もしくは未置換の炭素数5〜7の脂肪族環基を
形成しても良い。]
それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、
ニトロ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もし
くは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリ
ールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、
置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未
置換の環基、置換もしくは未置換のアミノ基を表す(R
1 〜R16は、隣接した基同士でそれぞれ互いに結合して
新たな環を形成してもよい。)。Y1 〜Y8 は、置換も
しくは未置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もし
くは未置換の炭素数6〜16のアリール基を表す。ま
た、Y1 とY2 、Y3 とY4 、Y5 とY6 、Y7 とY8
で、置換もしくは未置換の炭素数5〜7の脂肪族環基を
形成しても良い。]
【0019】さらに、本発明は一対の電極間に発光層を
含む複数層の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、少なくとも一層が上記有
機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層であ
る有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
含む複数層の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、少なくとも一層が上記有
機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層であ
る有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【0020】さらに、本発明は一対の電極間に発光層を
含む複数層の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、発光層が上記有機エレク
トロルミネッセンス素子材料を含有する層である有機エ
レクトロルミネッセンス素子に関する。
含む複数層の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、発光層が上記有機エレク
トロルミネッセンス素子材料を含有する層である有機エ
レクトロルミネッセンス素子に関する。
【0021】さらに、本発明は一対の電極間に発光層を
含む複数層の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、発光層がホスト材料とド
ーピング材料からなり、該ドーピング材料が上記有機エ
レクトロルミネッセンス素子材料である有機エレクトロ
ルミネッセンス素子に関する。
含む複数層の有機化合物薄膜を形成した有機エレクトロ
ルミネッセンス素子において、発光層がホスト材料とド
ーピング材料からなり、該ドーピング材料が上記有機エ
レクトロルミネッセンス素子材料である有機エレクトロ
ルミネッセンス素子に関する。
【0022】
【発明の実施の形態】本発明における一般式[1]で示
される化合物のA1 〜A2 は、それぞれ独立に、置換も
しくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアル
コキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置
換もしくは未置換の縮合多環基、置換もしくは未置換の
アルキルアミノ基、置換もしくは未置換のアリールアミ
ノ基を表す。アルキル基としては、炭素数1〜20の直
鎖状又は分岐状アルキル基、シクロアルキル基があり、
直鎖状又は分岐状アルキル基の具体例としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、sec−ブチル
基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘ
プチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチ
ル基があり、、シクロアルキル基の具体例としては、シ
クロペンチル基、シクロヘキシル基等がある。
される化合物のA1 〜A2 は、それぞれ独立に、置換も
しくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアル
コキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置
換もしくは未置換の縮合多環基、置換もしくは未置換の
アルキルアミノ基、置換もしくは未置換のアリールアミ
ノ基を表す。アルキル基としては、炭素数1〜20の直
鎖状又は分岐状アルキル基、シクロアルキル基があり、
直鎖状又は分岐状アルキル基の具体例としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、sec−ブチル
基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘ
プチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチ
ル基があり、、シクロアルキル基の具体例としては、シ
クロペンチル基、シクロヘキシル基等がある。
【0023】アルコキシ基としては、炭素数1〜20の
直鎖状又は分岐状アルコキシル基があり、具体例として
は、メトキシ基、エトキシ基、n−ブトキシ基、ter
t−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロ
エトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、2,2,
3,3−テトラフルオロプロポキシ基、1,1,1,
3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロポキシ基、6−
(パーフルオロエチル)ヘキシルオキシ基等がある。ア
リールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、p−
ニトロフェノキシ基、p−tert−ブチルフェノキシ
基、3−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニ
ル基、3−トリフルオロメチルフェノキシ基等がある。
直鎖状又は分岐状アルコキシル基があり、具体例として
は、メトキシ基、エトキシ基、n−ブトキシ基、ter
t−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロ
エトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、2,2,
3,3−テトラフルオロプロポキシ基、1,1,1,
3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロポキシ基、6−
(パーフルオロエチル)ヘキシルオキシ基等がある。ア
リールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、p−
ニトロフェノキシ基、p−tert−ブチルフェノキシ
基、3−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニ
ル基、3−トリフルオロメチルフェノキシ基等がある。
【0024】縮合多環基としては、ナフチル基、アント
リル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル
基、インドール基、プリン基、キノリン基、イソキノリ
ン基、シノリン基、キノキサリン基、ベンゾキノリン
基、フルオレノン基、カルバゾール基、オキサゾール
基、オキサジアゾール基、チアゾール基、チアジアゾー
ル基、トリアゾール基、イミダゾール基、ベンゾオキサ
ゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾトリアゾール
基、ベンゾイミダゾール基、ビスベンゾオキサゾール
基、ビスベンゾチアゾール基、ビスベンゾイミダゾール
基、アントロン基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフ
ェン基、アントラキノン基、アクリドン基、フェノチア
ジン基、ピロリジン基、ジオキサン基、モルフォリン基
等がある。
リル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル
基、インドール基、プリン基、キノリン基、イソキノリ
ン基、シノリン基、キノキサリン基、ベンゾキノリン
基、フルオレノン基、カルバゾール基、オキサゾール
基、オキサジアゾール基、チアゾール基、チアジアゾー
ル基、トリアゾール基、イミダゾール基、ベンゾオキサ
ゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾトリアゾール
基、ベンゾイミダゾール基、ビスベンゾオキサゾール
基、ビスベンゾチアゾール基、ビスベンゾイミダゾール
基、アントロン基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフ
ェン基、アントラキノン基、アクリドン基、フェノチア
ジン基、ピロリジン基、ジオキサン基、モルフォリン基
等がある。
【0025】アルキルアミノ基の具体例としてはエチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジ
ブチルアミノ基、ベンジルアミノ基ジベンジルアミノ基
等がある。アリールアミノ基の具体例としては、フェニ
ルアミノ基、(3−メチルフェニル)アミノ基、(4−
メチルフェニル)アミノ基、フェニルメチルアミノ基、
ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジビフェニル
アミノ基、ジ(4−メチルビフェニル)アミノ基、ジ
(3−メチルフェニル)アミノ基、ジ(4−メチルフェ
ニル)アミノ基、ナフチルフェニルアミノ基、ビス[4
−(α,α’−ジメチルベンジル)フェニル]アミノ基
等がある。
アミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジ
ブチルアミノ基、ベンジルアミノ基ジベンジルアミノ基
等がある。アリールアミノ基の具体例としては、フェニ
ルアミノ基、(3−メチルフェニル)アミノ基、(4−
メチルフェニル)アミノ基、フェニルメチルアミノ基、
ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジビフェニル
アミノ基、ジ(4−メチルビフェニル)アミノ基、ジ
(3−メチルフェニル)アミノ基、ジ(4−メチルフェ
ニル)アミノ基、ナフチルフェニルアミノ基、ビス[4
−(α,α’−ジメチルベンジル)フェニル]アミノ基
等がある。
【0026】一般式[2]におけるA3 〜A6 は、フェ
ニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、
アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピ
レニル基等の炭素数6〜16で構成されるアリール基で
あり、それぞれのアリール基は置換基を有していても良
い。アリール基の芳香族炭素原子は窒素原子、酸素原
子、および硫黄原子に置換されていて良い。このよう
な、異種原子を含むアリール基としては、例えばフラニ
ル基、チオフェニル基、ピロニル基、ピリジン基等があ
る。又、A3 とA4 またはA5 とA6 とが一体となって
カルバゾール基のような窒素原子を含むアリール基を形
成しても良い。
ニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、
アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピ
レニル基等の炭素数6〜16で構成されるアリール基で
あり、それぞれのアリール基は置換基を有していても良
い。アリール基の芳香族炭素原子は窒素原子、酸素原
子、および硫黄原子に置換されていて良い。このよう
な、異種原子を含むアリール基としては、例えばフラニ
ル基、チオフェニル基、ピロニル基、ピリジン基等があ
る。又、A3 とA4 またはA5 とA6 とが一体となって
カルバゾール基のような窒素原子を含むアリール基を形
成しても良い。
【0027】本発明における一般式[1]〜[5]で示
される化合物の置換基R1 〜R56は、それぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換も
しくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアル
コキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置
換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置
換のアリールチオ基、置換もしくは未置換の環基、置換
もしくは未置換のアミノ基を表す。R1 〜R16の隣接す
る基同士で、それぞれ互いに結合して、フェニル環、ナ
フチル環、アントリル環、ピレニル環、カルバゾール
環、ベンゾピラニル環、シクロヘキシル環等の飽和もし
くは不飽和環を形成してもよい。
される化合物の置換基R1 〜R56は、それぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換も
しくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアル
コキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置
換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置
換のアリールチオ基、置換もしくは未置換の環基、置換
もしくは未置換のアミノ基を表す。R1 〜R16の隣接す
る基同士で、それぞれ互いに結合して、フェニル環、ナ
フチル環、アントリル環、ピレニル環、カルバゾール
環、ベンゾピラニル環、シクロヘキシル環等の飽和もし
くは不飽和環を形成してもよい。
【0028】A1 〜A6 の有する置換基、およびR1 〜
R56の具体例は、ハロゲン原子としては弗素、塩素、臭
素、ヨウ素、置換もしくは未置換のアルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、se
c−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキ
シル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基等の炭
素数1〜20の未置換のアルキル基の他、2−フェニル
イソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメ
チル基、ベンジル基、α−フェノキシベンジル基、α,
α´−ジメチルベンジル基、α,α´−メチルフェニル
ベンジル基、α,α−ジトリフルオロメチルベンジル
基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベンジ
ル基等の炭素数1〜20のアルキル基の置換体があり、
置換もしくは未置換のアルコキシ基としては、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、t−
ブトキシ基、n−オクチルオキシ基、t−オクチルオキ
シ基等の炭素数1〜20の未置換のアルコキシ基の他、
1,1,1−テトラフルオロエトキシ基、フェノキシ
基、ベンジルオキシ基、オクチルフェノキシ基等の炭素
数1〜20のアルコキシ基の置換体がある。
R56の具体例は、ハロゲン原子としては弗素、塩素、臭
素、ヨウ素、置換もしくは未置換のアルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、se
c−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキ
シル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基等の炭
素数1〜20の未置換のアルキル基の他、2−フェニル
イソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメ
チル基、ベンジル基、α−フェノキシベンジル基、α,
α´−ジメチルベンジル基、α,α´−メチルフェニル
ベンジル基、α,α−ジトリフルオロメチルベンジル
基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベンジ
ル基等の炭素数1〜20のアルキル基の置換体があり、
置換もしくは未置換のアルコキシ基としては、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、t−
ブトキシ基、n−オクチルオキシ基、t−オクチルオキ
シ基等の炭素数1〜20の未置換のアルコキシ基の他、
1,1,1−テトラフルオロエトキシ基、フェノキシ
基、ベンジルオキシ基、オクチルフェノキシ基等の炭素
数1〜20のアルコキシ基の置換体がある。
【0029】環基としては、単環基と縮合多環基があ
る。単環基としては、単環シクロアルキル基、単環アリ
ール基、単環複素環基等がある。単環シクロアルキル基
としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の
炭素数4〜8のシクロアルキル基がある。
る。単環基としては、単環シクロアルキル基、単環アリ
ール基、単環複素環基等がある。単環シクロアルキル基
としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の
炭素数4〜8のシクロアルキル基がある。
【0030】単環アリール基としては、フェニル基があ
る。単環複素環基としては、チオニル基、チオフェニル
基、フラニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾ
リル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、
ピリダジニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、オキ
サジアゾリル基、チアジアゾリル基、イミダジアゾリル
基等がある。
る。単環複素環基としては、チオニル基、チオフェニル
基、フラニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾ
リル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、
ピリダジニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、オキ
サジアゾリル基、チアジアゾリル基、イミダジアゾリル
基等がある。
【0031】縮合多環基としては、縮合多環アリール
基、縮合多環複素環基、縮合多環シクロアルキル基等が
ある。縮合多環アリール基としては、ナフチル基、アン
トラニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、ア
セナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナ
フチレニル基、ピレニル基等がある。
基、縮合多環複素環基、縮合多環シクロアルキル基等が
ある。縮合多環アリール基としては、ナフチル基、アン
トラニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、ア
セナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナ
フチレニル基、ピレニル基等がある。
【0032】縮合多環複素環基としては、インドリル
基、キノリル基、イソキノリル基、フタラジニル基、キ
ノキサリニル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、ア
クリジニル基、フェナジニル基、フルフリル基、イソチ
アゾリル基、イソキサゾリル基、フラザニル基、フェノ
キサジニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリ
ル基、ベンズイミダゾリル基等がある。その他の縮合多
環基として、1−テトラリル基、2−テトラリル基、テ
トラヒドロキノリル基等がある。
基、キノリル基、イソキノリル基、フタラジニル基、キ
ノキサリニル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、ア
クリジニル基、フェナジニル基、フルフリル基、イソチ
アゾリル基、イソキサゾリル基、フラザニル基、フェノ
キサジニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリ
ル基、ベンズイミダゾリル基等がある。その他の縮合多
環基として、1−テトラリル基、2−テトラリル基、テ
トラヒドロキノリル基等がある。
【0033】置換または未置換のアミノ基としては、ア
ミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、フェニ
ルメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミ
ノ基、ジベンジルアミノ基等がある。
ミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、フェニ
ルメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミ
ノ基、ジベンジルアミノ基等がある。
【0034】本発明における一般式[3]および一般式
[4]で示される化合物のX1〜X4は、それぞれ独立
に、O、S、C=O、SO2 、(CH2 )x −O−(C
H2)y 、置換もしくは未置換のアルキレン基、置換も
しくは未置換の脂肪族残基を表す。
[4]で示される化合物のX1〜X4は、それぞれ独立
に、O、S、C=O、SO2 、(CH2 )x −O−(C
H2)y 、置換もしくは未置換のアルキレン基、置換も
しくは未置換の脂肪族残基を表す。
【0035】置換もしくは未置換のアルキレン基として
は、炭素数1〜20のアルキレン基もしくはその置換
体、置換もしくは未置換の脂肪族残基としては、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキ
シル基、シクロヘプチル基等の炭素数5〜7の脂肪族の
二価の残基が挙げられる。X1 〜X4 の置換アルキレン
基または置換脂肪族環残基の置換基としては、R1 〜R
56で示した置換基がある。
は、炭素数1〜20のアルキレン基もしくはその置換
体、置換もしくは未置換の脂肪族残基としては、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキ
シル基、シクロヘプチル基等の炭素数5〜7の脂肪族の
二価の残基が挙げられる。X1 〜X4 の置換アルキレン
基または置換脂肪族環残基の置換基としては、R1 〜R
56で示した置換基がある。
【0036】X1 〜X4 の置換アルキレン基として好ま
しいものは、2−フェニルイソプロピレン基、ジクロロ
メチレン基、ジフルオロメチレン基、ベンジレン基、α
−フェノキシベンジレン基、α、α’−ジメチルベンジ
レン基、α、α’−メチルフェニルベンジレン基、ジフ
ェニルメチレン基、α−ベンジルオキシベンジレン基な
どが挙げられる。
しいものは、2−フェニルイソプロピレン基、ジクロロ
メチレン基、ジフルオロメチレン基、ベンジレン基、α
−フェノキシベンジレン基、α、α’−ジメチルベンジ
レン基、α、α’−メチルフェニルベンジレン基、ジフ
ェニルメチレン基、α−ベンジルオキシベンジレン基な
どが挙げられる。
【0037】本発明における一般式[5]で示される化
合物のY1 〜Y8 は、置換もしくは未置換の炭素数1〜
20のアルキル基、置換もしくは未置換の炭素数6〜1
6のアリール基を表す。また、Y1 とY2 、Y3 と
Y4 、Y5 とY6 、Y7 とY8 で、置換もしくは未置換
の炭素数5〜7の脂肪族環基を形成しても良い。アルキ
ル基および芳香族環基の具体例は、前記のR1 〜R56で
記述したアルキル基およびアリール基が挙げられる。
合物のY1 〜Y8 は、置換もしくは未置換の炭素数1〜
20のアルキル基、置換もしくは未置換の炭素数6〜1
6のアリール基を表す。また、Y1 とY2 、Y3 と
Y4 、Y5 とY6 、Y7 とY8 で、置換もしくは未置換
の炭素数5〜7の脂肪族環基を形成しても良い。アルキ
ル基および芳香族環基の具体例は、前記のR1 〜R56で
記述したアルキル基およびアリール基が挙げられる。
【0038】この化合物の中で、一般式[3]〜[5]
で表されるような芳香族環を有している置換基を持つ化
合物、もしくは一般式[1]〜[5]のR1 〜R56の隣
接する置換基同士で芳香族環を形成している化合物は、
ガラス転移点や融点が高くなり電界発光時における有機
層中、有機層間もしくは、有機層と金属電極間で発生す
るジュール熱に対する耐性(耐熱性)が向上するので、
有機EL素子の発光材料として使用した場合、高い発光
輝度を示し、長時間発光させる際にも有利である。本発
明の化合物は、これらの置換基に限定されるものではな
い。
で表されるような芳香族環を有している置換基を持つ化
合物、もしくは一般式[1]〜[5]のR1 〜R56の隣
接する置換基同士で芳香族環を形成している化合物は、
ガラス転移点や融点が高くなり電界発光時における有機
層中、有機層間もしくは、有機層と金属電極間で発生す
るジュール熱に対する耐性(耐熱性)が向上するので、
有機EL素子の発光材料として使用した場合、高い発光
輝度を示し、長時間発光させる際にも有利である。本発
明の化合物は、これらの置換基に限定されるものではな
い。
【0039】本発明において、一般式[1]〜[5]で
表される化合物は例えば次のような方法で合成すること
が出来る。ジエチルエーテル中で、下記一般式[6]の
化合物をブチルリチウムと反応させ、これを、塩化コバ
ルト、n−ブチルブロマイドの存在かで、クロスカップ
リングさせるか、N,N−ジメチルホルムアミド中、ニ
ッケル触媒を用いて、一般式[6」の化合物をクロスカ
ップリングさせるか、テトラヒドロフラン中で金属マグ
ネシウムを用いて、一般式[7]の化合物をグリニヤー
ル化し、一般式[6]の化合物と、クロスカップリング
することによって得ることが出来る。以下に、本発明の
化合物の代表例を表1に具体的に例示するが、本発明は
以下の代表例に限定されるものではない。
表される化合物は例えば次のような方法で合成すること
が出来る。ジエチルエーテル中で、下記一般式[6]の
化合物をブチルリチウムと反応させ、これを、塩化コバ
ルト、n−ブチルブロマイドの存在かで、クロスカップ
リングさせるか、N,N−ジメチルホルムアミド中、ニ
ッケル触媒を用いて、一般式[6」の化合物をクロスカ
ップリングさせるか、テトラヒドロフラン中で金属マグ
ネシウムを用いて、一般式[7]の化合物をグリニヤー
ル化し、一般式[6]の化合物と、クロスカップリング
することによって得ることが出来る。以下に、本発明の
化合物の代表例を表1に具体的に例示するが、本発明は
以下の代表例に限定されるものではない。
【0040】一般式[6]
【化11】
【0041】一般式[7]
【化12】 [式中、A1 〜A2 、R1 〜R16は、前記と同じであ
る。]
る。]
【0042】
【表1】
【0043】
【0044】
【0045】
【0046】
【0047】
【0048】
【0049】
【0050】有機EL素子は、陽極と陰極間に一層もし
くは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場
合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層
は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した
正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送
させるために正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有
しても良い。多層型は、(陽極/正孔注入層/発光層/
陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/陰極)、(陽極
/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極)の多層構成
で積層した有機EL素子がある。本発明の一般式[1]
〜[5]で示される化合物は、固体状態において強い蛍
光を持つ化合物であり電界発光性に優れているので、発
光材料として発光層内で使用することができる。また、
一般式[1]〜[5]の化合物は、発光層内においてド
ーピング材料として発光層中にて最適の割合でドーピン
グすることにより、高い発光効率および発光波長の最適
な選択が可能である。また、一般式[1]〜[5]の化
合物は、正孔もしくは電子等のキャリアを輸送すること
ができるので、有機EL素子の正孔注入層もしくは電子
注入層に使用することも可能である。
くは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場
合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層
は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した
正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送
させるために正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有
しても良い。多層型は、(陽極/正孔注入層/発光層/
陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/陰極)、(陽極
/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極)の多層構成
で積層した有機EL素子がある。本発明の一般式[1]
〜[5]で示される化合物は、固体状態において強い蛍
光を持つ化合物であり電界発光性に優れているので、発
光材料として発光層内で使用することができる。また、
一般式[1]〜[5]の化合物は、発光層内においてド
ーピング材料として発光層中にて最適の割合でドーピン
グすることにより、高い発光効率および発光波長の最適
な選択が可能である。また、一般式[1]〜[5]の化
合物は、正孔もしくは電子等のキャリアを輸送すること
ができるので、有機EL素子の正孔注入層もしくは電子
注入層に使用することも可能である。
【0051】発光層のホスト材料に、ドーピング材料
(ゲスト材料)として一般式[1]〜[5]の化合物を
使用して、発光輝度が高い有機EL素子を得ることもで
きる。一般式[1]〜[5]の化合物は、発光層内にお
いて、ホスト材料に対して0.001重量%〜50重量
%の範囲で含有されていることが望ましく、更には0.
01重量%〜10重量%の範囲が効果的である。
(ゲスト材料)として一般式[1]〜[5]の化合物を
使用して、発光輝度が高い有機EL素子を得ることもで
きる。一般式[1]〜[5]の化合物は、発光層内にお
いて、ホスト材料に対して0.001重量%〜50重量
%の範囲で含有されていることが望ましく、更には0.
01重量%〜10重量%の範囲が効果的である。
【0052】一般式[1]〜[5]の化合物と併せて使
用できるホスト材料としては、キノリン金属錯体、オキ
サジアゾール、ベンゾチアゾール金属錯体、ベンゾオキ
サゾール金属錯体、ベンゾイミダゾール金属錯体、トリ
アゾール、イミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾ
ール、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェ
ニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジ
アミン型トリフェニルアミンフルオレノン、ジアミノア
ントラセン型トリフェニルアミン、ジアミノフェナント
レン型トリフェニルアミン、アントラキノジメタン、ジ
フェノキノン、チアジアゾール、テトラゾール、ペリレ
ンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アント
ラキノジメタン、トリフェニレン、アントロン等とそれ
らの誘導体、および、ポリビニルカルバゾール、ポリシ
ラン等の導電性高分子の高分子材料等がある。
用できるホスト材料としては、キノリン金属錯体、オキ
サジアゾール、ベンゾチアゾール金属錯体、ベンゾオキ
サゾール金属錯体、ベンゾイミダゾール金属錯体、トリ
アゾール、イミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾ
ール、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェ
ニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジ
アミン型トリフェニルアミンフルオレノン、ジアミノア
ントラセン型トリフェニルアミン、ジアミノフェナント
レン型トリフェニルアミン、アントラキノジメタン、ジ
フェノキノン、チアジアゾール、テトラゾール、ペリレ
ンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アント
ラキノジメタン、トリフェニレン、アントロン等とそれ
らの誘導体、および、ポリビニルカルバゾール、ポリシ
ラン等の導電性高分子の高分子材料等がある。
【0053】一般式[1]〜[5]と共に更なるドーピ
ング材料を使用して発光色を変化させることも可能とな
る。一般式[1]〜[5]と共に使用されるドーピング
材料としては、アントラセン、ナフタレン、フェナント
レン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フル
オレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリ
レン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、
ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ク
マリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキ
サゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエ
ン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、イミ
ン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミ
ノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メ
ロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合
物、キナクリドン、ルブレン等およびそれらの誘導体が
あるが、これらに限定されるものではない。
ング材料を使用して発光色を変化させることも可能とな
る。一般式[1]〜[5]と共に使用されるドーピング
材料としては、アントラセン、ナフタレン、フェナント
レン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フル
オレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリ
レン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、
ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ク
マリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキ
サゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエ
ン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、イミ
ン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミ
ノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メ
ロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合
物、キナクリドン、ルブレン等およびそれらの誘導体が
あるが、これらに限定されるものではない。
【0054】発光層には、発光材料およびドーピング材
料に加えて、必要があれば正孔注入材料や電子注入材料
を使用することもできる。
料に加えて、必要があれば正孔注入材料や電子注入材料
を使用することもできる。
【0055】有機EL素子は、多層構造にすることによ
り、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことが
できる。また、必要があれば、発光材料、ドーピング材
料、キャリア注入を行う正孔注入材料や電子注入材料を
二種類以上組み合わせて使用することも出来る。また、
正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上
の層構成により形成されても良く、正孔もしくは電子が
効率よく電極から注入され、層中で輸送される素子構造
が選択される。
り、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことが
できる。また、必要があれば、発光材料、ドーピング材
料、キャリア注入を行う正孔注入材料や電子注入材料を
二種類以上組み合わせて使用することも出来る。また、
正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上
の層構成により形成されても良く、正孔もしくは電子が
効率よく電極から注入され、層中で輸送される素子構造
が選択される。
【0056】有機EL素子の陽極に使用される導電性材
料は、4eVより大きな仕事関数を持つものが好適であ
り、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、
ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等
およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板と称さ
れる酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらには
ポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用
いられる。陰極に使用される導電性材料は、4eVより
小さな仕事関数を持つものが好適であり、マグネシウ
ム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、
リチウム、ルテニウム、マンガン等およびそれらの合金
が用いられる。合金としては、マグネシウム/銀、マグ
ネシウム/インジウム、リチウム/アルミニウム等が代
表例として挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。合金の比率は、加熱の温度、雰囲気、真空度によ
り制御され適切な比率が選択される。陽極および陰極
は、必要があれば二層以上の層構成により形成されてい
ても良い。
料は、4eVより大きな仕事関数を持つものが好適であ
り、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、
ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等
およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板と称さ
れる酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらには
ポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用
いられる。陰極に使用される導電性材料は、4eVより
小さな仕事関数を持つものが好適であり、マグネシウ
ム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、
リチウム、ルテニウム、マンガン等およびそれらの合金
が用いられる。合金としては、マグネシウム/銀、マグ
ネシウム/インジウム、リチウム/アルミニウム等が代
表例として挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。合金の比率は、加熱の温度、雰囲気、真空度によ
り制御され適切な比率が選択される。陽極および陰極
は、必要があれば二層以上の層構成により形成されてい
ても良い。
【0057】有機EL素子では、効率良く発光させるた
めに、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明であることが望ましい。また、基板も透明である
ことが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用
して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性を
確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を
10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱
的強度を有し、透明であれば限定されるものではない
が、例示すると、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエ
ーテルサルフォン板、ポリプロピレン板等の透明性樹脂
があげられる。
めに、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明であることが望ましい。また、基板も透明である
ことが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用
して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性を
確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を
10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱
的強度を有し、透明であれば限定されるものではない
が、例示すると、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエ
ーテルサルフォン板、ポリプロピレン板等の透明性樹脂
があげられる。
【0058】本発明に係わる有機EL素子の各層の形成
は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピン
コーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの
方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるも
のではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要があ
る。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大き
な印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎ
るとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な
発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10μ
mの範囲が適しているが、10nmから0.2μmの範
囲がさらに好ましい。
は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピン
コーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの
方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるも
のではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要があ
る。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大き
な印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎ
るとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な
発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10μ
mの範囲が適しているが、10nmから0.2μmの範
囲がさらに好ましい。
【0059】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成するが、
その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの薄膜
においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため
適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。このような樹脂
としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリ
レート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポ
リスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチル
アクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポ
リチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げるこ
とができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外
線吸収剤、可塑剤等を挙げることができる。
を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成するが、
その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの薄膜
においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため
適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。このような樹脂
としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリ
レート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポ
リスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチル
アクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂、ポリ−N−
ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポ
リチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げるこ
とができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外
線吸収剤、可塑剤等を挙げることができる。
【0060】正孔注入材料としては、正孔を注入する能
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた正孔注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層ま
たは電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニ
ン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン
系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾ
ール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリ
ン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾ
ール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾ
ン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、
ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型ト
リフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等
と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、
ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、
これらに限定されるものではない。
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた正孔注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層ま
たは電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニ
ン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン
系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾ
ール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリ
ン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾ
ール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾ
ン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、
ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型ト
リフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等
と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、
ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、
これらに限定されるものではない。
【0061】本発明の有機EL素子において使用できる
正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、
芳香族三級アミン誘導体もしくはフタロシアニン誘導体
である。具体的には、トリフェニルアミン、トリトリル
アミン、トリルジフェニルアミン、N,N’−ジフェニ
ル−N,N’−(3−メチルフェニル)−1,1’−ビ
フェニル−4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’−
(4−メチルフェニル)−1,1’−フェニル−4,
4’−ジアミン、N,N,N’,N’−(4−メチルフ
ェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミ
ン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフチル−
1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’
−(メチルフェニル)−N,N’−(4−n−ブチルフ
ェニル)−フェナントレン−9,10−ジアミン、N,
N−ビス(4−ジ−4−トリルアミノフェニル)−4−
フェニル−シクロヘキサン等、もしくはこれらの芳香族
三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマー等
があるが、これらに限定されるものではない。フタロシ
アニン(Pc)誘導体としては、H2 Pc、CuPc、
CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、
MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInP
c、ClSnPc、Cl2 SiPc、(HO)AlP
c、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoO
Pc、GaPc−O−GaPc等のフタロシアニン誘導
体およびナフタロシアニン誘導体等があるが、これらに
限定されるものではない。
正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、
芳香族三級アミン誘導体もしくはフタロシアニン誘導体
である。具体的には、トリフェニルアミン、トリトリル
アミン、トリルジフェニルアミン、N,N’−ジフェニ
ル−N,N’−(3−メチルフェニル)−1,1’−ビ
フェニル−4,4’−ジアミン、N,N,N’,N’−
(4−メチルフェニル)−1,1’−フェニル−4,
4’−ジアミン、N,N,N’,N’−(4−メチルフ
ェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミ
ン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジナフチル−
1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’
−(メチルフェニル)−N,N’−(4−n−ブチルフ
ェニル)−フェナントレン−9,10−ジアミン、N,
N−ビス(4−ジ−4−トリルアミノフェニル)−4−
フェニル−シクロヘキサン等、もしくはこれらの芳香族
三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマー等
があるが、これらに限定されるものではない。フタロシ
アニン(Pc)誘導体としては、H2 Pc、CuPc、
CoPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、
MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInP
c、ClSnPc、Cl2 SiPc、(HO)AlP
c、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoO
Pc、GaPc−O−GaPc等のフタロシアニン誘導
体およびナフタロシアニン誘導体等があるが、これらに
限定されるものではない。
【0062】電子注入材料としては、電子を注入する能
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、キノリン金属錯
体、オキサジアゾール、ベンゾチアゾール金属錯体、ベ
ンゾオキサゾール金属錯体、ベンゾイミダゾール金属錯
体、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキ
ノン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、チア
ジアゾール、テトラゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物
質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加して増感さ
せることもできる。
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、キノリン金属錯
体、オキサジアゾール、ベンゾチアゾール金属錯体、ベ
ンゾオキサゾール金属錯体、ベンゾイミダゾール金属錯
体、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキ
ノン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、チア
ジアゾール、テトラゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物
質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加して増感さ
せることもできる。
【0063】本発明の有機EL素子において、さらに効
果的な電子注入材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素
五員環誘導体である。具体的には、金属錯体化合物とし
ては、8−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス(8
−ヒドロキシキノリナート)亜鉛、ビス(8−ヒドロキ
シキノリナート)銅、ビス(8−ヒドロキシキノリナー
ト)マンガン、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)
アルミニウム、トリス(2−メチル−8−ヒドロキシキ
ノリナート)アルミニウム、トリス(8−ヒドロキシキ
ノリナート)ガリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ
[h]キノリナート)ベリリウム、ビス(10−ヒドロ
キシベンゾ[h]キノリナート)亜鉛、ビス(2−メチ
ル−8−キノリナート)クロロガリウム、ビス(2−メ
チル−8−キノリナート)(o−クレゾラート)ガリウ
ム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(1−ナフ
トラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノ
リナート)(2−ナフトラート)ガリウム等があるが、
これらに限定されるものではない。また、含窒素五員誘
導体としては、オキサゾール、チアゾール、オキサジア
ゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が
好ましい。具体的には、2,5−ビス(1−フェニル)
−1,3,4−オキサゾール、ジメチルPOPOP、
2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−チアゾー
ル、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキ
サジアゾール、2−(4’−tert−ブチルフェニ
ル)−5−( 4”−ビフェニル) 1,3,4−オキサジ
アゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4
−オキサジアゾール、1,4−ビス[2−( 5−フェニ
ルオキサジアゾリル) ]ベンゼン、1,4−ビス[2−
( 5−フェニルオキサジアゾリル) −4−tert−ブ
チルベンゼン]、2−(4’−tert−ブチルフェニ
ル)−5−( 4”−ビフェニル) −1,3,4−チアジ
アゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4
−チアジアゾール、1,4−ビス[2−( 5−フェニル
チアジアゾリル) ]ベンゼン、2−(4’−tert−
ブチルフェニル)−5−( 4”−ビフェニル) −1,
3,4−トリアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)
−1,3,4−トリアゾール、1,4−ビス[2−( 5
−フェニルトリアゾリル) ]ベンゼン等があるが、これ
らに限定されるものではない。
果的な電子注入材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素
五員環誘導体である。具体的には、金属錯体化合物とし
ては、8−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス(8
−ヒドロキシキノリナート)亜鉛、ビス(8−ヒドロキ
シキノリナート)銅、ビス(8−ヒドロキシキノリナー
ト)マンガン、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)
アルミニウム、トリス(2−メチル−8−ヒドロキシキ
ノリナート)アルミニウム、トリス(8−ヒドロキシキ
ノリナート)ガリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ
[h]キノリナート)ベリリウム、ビス(10−ヒドロ
キシベンゾ[h]キノリナート)亜鉛、ビス(2−メチ
ル−8−キノリナート)クロロガリウム、ビス(2−メ
チル−8−キノリナート)(o−クレゾラート)ガリウ
ム、ビス(2−メチル−8−キノリナート)(1−ナフ
トラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノ
リナート)(2−ナフトラート)ガリウム等があるが、
これらに限定されるものではない。また、含窒素五員誘
導体としては、オキサゾール、チアゾール、オキサジア
ゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が
好ましい。具体的には、2,5−ビス(1−フェニル)
−1,3,4−オキサゾール、ジメチルPOPOP、
2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−チアゾー
ル、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキ
サジアゾール、2−(4’−tert−ブチルフェニ
ル)−5−( 4”−ビフェニル) 1,3,4−オキサジ
アゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4
−オキサジアゾール、1,4−ビス[2−( 5−フェニ
ルオキサジアゾリル) ]ベンゼン、1,4−ビス[2−
( 5−フェニルオキサジアゾリル) −4−tert−ブ
チルベンゼン]、2−(4’−tert−ブチルフェニ
ル)−5−( 4”−ビフェニル) −1,3,4−チアジ
アゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4
−チアジアゾール、1,4−ビス[2−( 5−フェニル
チアジアゾリル) ]ベンゼン、2−(4’−tert−
ブチルフェニル)−5−( 4”−ビフェニル) −1,
3,4−トリアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)
−1,3,4−トリアゾール、1,4−ビス[2−( 5
−フェニルトリアゾリル) ]ベンゼン等があるが、これ
らに限定されるものではない。
【0064】本有機EL素子においては、発光層中に、
一般式[1]〜[5]の化合物の他に、発光材料、ドー
ピング材料、正孔注入材料および電子注入材料の少なく
とも1種が同一層に含有されてもよい。また、本発明に
より得られた有機EL素子の、温度、湿度、雰囲気等に
対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設
けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護
することも可能である。
一般式[1]〜[5]の化合物の他に、発光材料、ドー
ピング材料、正孔注入材料および電子注入材料の少なく
とも1種が同一層に含有されてもよい。また、本発明に
より得られた有機EL素子の、温度、湿度、雰囲気等に
対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設
けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護
することも可能である。
【0065】以上のように、有機EL素子の発光層に本
発明の化合物を用い、更には特定の正孔注入層もしくは
電子注入層と組み合わせることにより、発光効率、最大
発光輝度等の有機EL素子特性を改良することができ
た。また、この素子は熱や電流に対して非常に安定であ
り、さらには低い駆動電圧で実用的に使用可能の発光輝
度が得られるため、従来まで大きな問題であった劣化も
大幅に低下させることができた。
発明の化合物を用い、更には特定の正孔注入層もしくは
電子注入層と組み合わせることにより、発光効率、最大
発光輝度等の有機EL素子特性を改良することができ
た。また、この素子は熱や電流に対して非常に安定であ
り、さらには低い駆動電圧で実用的に使用可能の発光輝
度が得られるため、従来まで大きな問題であった劣化も
大幅に低下させることができた。
【0066】本発明の有機EL素子は、壁掛けテレビ等
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。
【0067】本発明の材料は、有機EL素子、電子写真
感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等
の分野においても使用できる。
感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等
の分野においても使用できる。
【0068】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に
説明する。 化合物(16)の合成方法 ジエチルエーテル300mlをフラスコに入れ、窒素気
流下、9−(ジ−p−トリルアミノ)−10−ブロモ−
アントラセン4.52gを溶かした。これに、n−ブチ
ルリチウム(1.6Mヘキサン溶液)6.9mlをゆっ
くり加え、白色のリチウム化合物を作った。さらに、塩
化コバルト0.05g、n−ブチルブロマイド2mlを
加え、24時間、室温にて攪拌を行った。反応終了後、
水を加え生じた沈殿をろ過し集めた。沈殿をシリカゲル
でカラム精製を行い、黄色の粉末1.8gを得た。これ
を、昇華により精製した。NMR、FD−MS、IRに
よって化合物の生成を確認した。化合物(16)のIR
スペクトル図を図1に示す。
説明する。 化合物(16)の合成方法 ジエチルエーテル300mlをフラスコに入れ、窒素気
流下、9−(ジ−p−トリルアミノ)−10−ブロモ−
アントラセン4.52gを溶かした。これに、n−ブチ
ルリチウム(1.6Mヘキサン溶液)6.9mlをゆっ
くり加え、白色のリチウム化合物を作った。さらに、塩
化コバルト0.05g、n−ブチルブロマイド2mlを
加え、24時間、室温にて攪拌を行った。反応終了後、
水を加え生じた沈殿をろ過し集めた。沈殿をシリカゲル
でカラム精製を行い、黄色の粉末1.8gを得た。これ
を、昇華により精製した。NMR、FD−MS、IRに
よって化合物の生成を確認した。化合物(16)のIR
スペクトル図を図1に示す。
【0069】化合物(24)の合成方法 N,N−ジメチルホルムアミド20mlをフラスコに入
れ、窒素気流下、9−(ジ−p−メトキシフェニルアミ
ノ)−10−ブロモ−アントラセン10g、ビス(1,
5−シクロオクタジエン)ニッケル0.37g、2,
2’−ビピリジン0.2g、1,5−シクロオクタジエ
ン0.2mlを加え、60℃にて、24時間加熱攪拌を
行った。反応終了後、水を加え生じた沈殿をろ過し集め
た。沈殿をシリカゲルでカラム精製をおこなった後、昇
華精製し、3.5gの青色個体を得た。NMR、FD−
MS、IRスペクトルによって化合物の生成を確認し
た。
れ、窒素気流下、9−(ジ−p−メトキシフェニルアミ
ノ)−10−ブロモ−アントラセン10g、ビス(1,
5−シクロオクタジエン)ニッケル0.37g、2,
2’−ビピリジン0.2g、1,5−シクロオクタジエ
ン0.2mlを加え、60℃にて、24時間加熱攪拌を
行った。反応終了後、水を加え生じた沈殿をろ過し集め
た。沈殿をシリカゲルでカラム精製をおこなった後、昇
華精製し、3.5gの青色個体を得た。NMR、FD−
MS、IRスペクトルによって化合物の生成を確認し
た。
【0070】化合物(30)の合成方法 アルゴン気流下、THF20mlと、9−(ジ−p−フ
ェノキシフェニルアミノ)−10−ブロモ−アントラセ
ン4g、グリニヤール反応用のマグネシウム0.26g
をフラスコに入れ、一片のヨウ素を加え、グリニヤール
化した。反応溶液は、白色の乳液状になり、マグネシウ
ムが反応した事を確認した後、この反応溶液中にビス
(トリフェニルホスフィン)ニッケル(II)クロライド
0.4gと、THF50mlに溶解した、9−ブロモ−
10−(ジ−p−ビフェニルアミノフェニル)アントラ
セン5gを加え、60℃にて10時間、加熱攪拌を行っ
た。反応終了後、3%塩酸水を加え生じた沈殿をろ過し
集めた。沈殿をシリカゲルでカラム精製をおこなった。
得られた薄い黄色の個体2.5gを、昇華精製し、0.
8gの化合物(30)を得た。NMR、FD−MS、I
Rスペクトルによって化合物の生成を確認した。
ェノキシフェニルアミノ)−10−ブロモ−アントラセ
ン4g、グリニヤール反応用のマグネシウム0.26g
をフラスコに入れ、一片のヨウ素を加え、グリニヤール
化した。反応溶液は、白色の乳液状になり、マグネシウ
ムが反応した事を確認した後、この反応溶液中にビス
(トリフェニルホスフィン)ニッケル(II)クロライド
0.4gと、THF50mlに溶解した、9−ブロモ−
10−(ジ−p−ビフェニルアミノフェニル)アントラ
セン5gを加え、60℃にて10時間、加熱攪拌を行っ
た。反応終了後、3%塩酸水を加え生じた沈殿をろ過し
集めた。沈殿をシリカゲルでカラム精製をおこなった。
得られた薄い黄色の個体2.5gを、昇華精製し、0.
8gの化合物(30)を得た。NMR、FD−MS、I
Rスペクトルによって化合物の生成を確認した。
【0071】実施例1 洗浄したITO電極付きガラス板上に、発光材料として
表1の化合物(15)、2,5−ビス(1−ナフチル)
−1,3,4−オキサジアゾール、ポリカーボネート樹
脂(帝人化成:パンライトK−1300)を5:3:2
の重量比でテトラヒドロフランに溶解させ、スピンコー
ティング法により膜厚100nmの発光層を得た。その
上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜
厚150nmの電極を形成して有機EL素子を得た。こ
の素子の発光特性は、直流電圧5Vで120(cd/m
2 )、最高輝度1100(cd/m2)、発光効率0.7
0(lm/W)の緑色発光が得られた。
表1の化合物(15)、2,5−ビス(1−ナフチル)
−1,3,4−オキサジアゾール、ポリカーボネート樹
脂(帝人化成:パンライトK−1300)を5:3:2
の重量比でテトラヒドロフランに溶解させ、スピンコー
ティング法により膜厚100nmの発光層を得た。その
上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜
厚150nmの電極を形成して有機EL素子を得た。こ
の素子の発光特性は、直流電圧5Vで120(cd/m
2 )、最高輝度1100(cd/m2)、発光効率0.7
0(lm/W)の緑色発光が得られた。
【0072】実施例2 洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N' ―(3
―メチルフェニル)―N,N' ―ジフェニル―1,1―
ビフェニル- 4,4―ジアミン(TPD)を真空蒸着し
て、膜厚20nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物
(16)を蒸着し膜厚40nmの発光層を作成し、トリ
ス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体(Al
q3)を蒸着し、膜厚30nmの電子注入層を得た。そ
の上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で
膜厚100nmの電極を形成して有機EL素子を得た。
正孔注入層および発光層は10-6Torrの真空中で、
基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧
5Vで発光輝度100(cd/m2 )、最大発光輝度1
5000(cd/m2 )、5Vの時の発光効率1.5
(lm/W)の青緑色発光が得られた。
―メチルフェニル)―N,N' ―ジフェニル―1,1―
ビフェニル- 4,4―ジアミン(TPD)を真空蒸着し
て、膜厚20nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物
(16)を蒸着し膜厚40nmの発光層を作成し、トリ
ス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体(Al
q3)を蒸着し、膜厚30nmの電子注入層を得た。そ
の上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で
膜厚100nmの電極を形成して有機EL素子を得た。
正孔注入層および発光層は10-6Torrの真空中で、
基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧
5Vで発光輝度100(cd/m2 )、最大発光輝度1
5000(cd/m2 )、5Vの時の発光効率1.5
(lm/W)の青緑色発光が得られた。
【0073】実施例3 洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(25)
を塩化メチレンに溶解させ、スピンコーティング法によ
り膜厚50nmの正孔注入型発光層を得た。次いで、ビ
ス(2−メチル−8−キノリナート)(1−ナフトラー
ト)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚10nmの電子注
入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を10:1
で混合した合金で膜厚100nmの電極を形成して有機
EL素子を得た。発光層および電子注入層は10-6To
rrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。こ
の素子は、直流電圧5Vで300(cd/m2 )、最高
輝度2200(cd/m2 )、発光効率0.80(lm
/W)の青緑色発光が得られた。
を塩化メチレンに溶解させ、スピンコーティング法によ
り膜厚50nmの正孔注入型発光層を得た。次いで、ビ
ス(2−メチル−8−キノリナート)(1−ナフトラー
ト)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚10nmの電子注
入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を10:1
で混合した合金で膜厚100nmの電極を形成して有機
EL素子を得た。発光層および電子注入層は10-6To
rrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。こ
の素子は、直流電圧5Vで300(cd/m2 )、最高
輝度2200(cd/m2 )、発光効率0.80(lm
/W)の青緑色発光が得られた。
【0074】実施例4 洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(27)
真空蒸着して、膜厚50nmの正孔注入型発光層を得
た。次いで、ビス(2−メチル−8−キノリナート)
(1−ナフトラート)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚
10nmの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウ
ムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100nmの電
極を形成して有機EL素子を得た。発光層および電子注
入層は10- 6 Torrの真空中で、基板温度室温の条
件下で蒸着した。この素子は、直流電圧5Vで400
(cd/m2 )、最高輝度10200(cd/m2 )、
発光効率1.10(lm/W)の青緑色発光が得られ
た。
真空蒸着して、膜厚50nmの正孔注入型発光層を得
た。次いで、ビス(2−メチル−8−キノリナート)
(1−ナフトラート)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚
10nmの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウ
ムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100nmの電
極を形成して有機EL素子を得た。発光層および電子注
入層は10- 6 Torrの真空中で、基板温度室温の条
件下で蒸着した。この素子は、直流電圧5Vで400
(cd/m2 )、最高輝度10200(cd/m2 )、
発光効率1.10(lm/W)の青緑色発光が得られ
た。
【0075】実施例5〜40 洗浄したITO電極付きガラス板上に、下記化学構造で
示される化合物(39)を真空蒸着して、膜厚20nm
に正孔注入層を形成した。次いで、発光材料として、表
1の化合物を真空蒸着して膜厚20nmの発光層を得
た。次いで、ビス(2−メチル−8−キノリナート)
(1−ナフトラート)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚
10nmの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウ
ムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100nmの電
極を形成して有機EL素子を得た。正孔注入層および発
光層は10-6Torrの真空中で、基板温度室温の条件
下で蒸着した。この素子の発光特性を表2に示す。ここ
での発光輝度は、直流電圧5V印可時の輝度である。本
実施例の有機EL素子は、全て最高輝度10000(c
d/m2 )以上の高輝度特性を有し、また、目的の発光
色を得ることができた。
示される化合物(39)を真空蒸着して、膜厚20nm
に正孔注入層を形成した。次いで、発光材料として、表
1の化合物を真空蒸着して膜厚20nmの発光層を得
た。次いで、ビス(2−メチル−8−キノリナート)
(1−ナフトラート)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚
10nmの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウ
ムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100nmの電
極を形成して有機EL素子を得た。正孔注入層および発
光層は10-6Torrの真空中で、基板温度室温の条件
下で蒸着した。この素子の発光特性を表2に示す。ここ
での発光輝度は、直流電圧5V印可時の輝度である。本
実施例の有機EL素子は、全て最高輝度10000(c
d/m2 )以上の高輝度特性を有し、また、目的の発光
色を得ることができた。
【0076】化合物(39)
【化13】
【0077】
【表2】
【0078】実施例41 洗浄したITO電極付きガラス板上に、4、4’、4”
−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル
アミノ]トリフェニルアミンを真空蒸着して、膜厚40
nmの正孔注入層を得た。次いで、4,4’−ビス[N
−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
(α−NPD)を真空蒸着して、膜厚10nmの第二正
孔注入層を得た。さらに、化合物(31)を真空蒸着し
て、膜厚30nmの発光層を作成し、さらにビス(2−
メチル−8−ヒドロキシキノリナト)(1−フェノラー
ト)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚30nmの電子注
入層を作成し、その上に、アルミニウムとリチウムを2
5:1で混合した合金で膜厚150nmの電極を形成し
て、有機EL素子を得た。正孔注入層および発光層は1
0-6Torrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着
した。この素子は、直流電圧5Vで発光輝度310(c
d/m2 )、最大発光輝度29000(cd/m2 )、
発光効率2.8(lm/W)の青緑色発光が得られた。
−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル
アミノ]トリフェニルアミンを真空蒸着して、膜厚40
nmの正孔注入層を得た。次いで、4,4’−ビス[N
−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
(α−NPD)を真空蒸着して、膜厚10nmの第二正
孔注入層を得た。さらに、化合物(31)を真空蒸着し
て、膜厚30nmの発光層を作成し、さらにビス(2−
メチル−8−ヒドロキシキノリナト)(1−フェノラー
ト)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚30nmの電子注
入層を作成し、その上に、アルミニウムとリチウムを2
5:1で混合した合金で膜厚150nmの電極を形成し
て、有機EL素子を得た。正孔注入層および発光層は1
0-6Torrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着
した。この素子は、直流電圧5Vで発光輝度310(c
d/m2 )、最大発光輝度29000(cd/m2 )、
発光効率2.8(lm/W)の青緑色発光が得られた。
【0079】実施例42 ITO電極と化合物(33)との間に、無金属フタロシ
アニンの膜厚5nmの正孔注入層を設ける以外は、実施
例3と同様の方法で有機EL素子を作製した。この素子
は、直流電圧5Vで1200(cd/m2 )、最高輝度
19000(cd/m2 )、発光効率1.70(lm/
W)の青緑色発光が得られた。
アニンの膜厚5nmの正孔注入層を設ける以外は、実施
例3と同様の方法で有機EL素子を作製した。この素子
は、直流電圧5Vで1200(cd/m2 )、最高輝度
19000(cd/m2 )、発光効率1.70(lm/
W)の青緑色発光が得られた。
【0080】実施例43 4、4’、4”−トリス[N−(3−メチルフェニル)
−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミンの代わりに
無金属フタロシアニンの膜厚20nmの正孔注入層を設
ける以外は、実施例41と同様の方法で有機EL素子を
作製した。この素子は、直流電圧5Vで250(cd/
m2 )、最高輝度15000(cd/m 2 )、発光効率
1.30(lm/W)の青緑色発光が得られた。
−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミンの代わりに
無金属フタロシアニンの膜厚20nmの正孔注入層を設
ける以外は、実施例41と同様の方法で有機EL素子を
作製した。この素子は、直流電圧5Vで250(cd/
m2 )、最高輝度15000(cd/m 2 )、発光効率
1.30(lm/W)の青緑色発光が得られた。
【0081】実施例44 発光層として、化合物(36):化合物(40)を10
0:1の割合で蒸着した膜厚10nmの正孔注入層を設
ける以外は、実施例41と同様の方法で有機EL素子を
作製した。この素子は、直流電圧5Vで1100(cd
/m2 )、最高輝度25000(cd/m2 )、発光効
率2.10(lm/W)の青緑色発光が得られた。
0:1の割合で蒸着した膜厚10nmの正孔注入層を設
ける以外は、実施例41と同様の方法で有機EL素子を
作製した。この素子は、直流電圧5Vで1100(cd
/m2 )、最高輝度25000(cd/m2 )、発光効
率2.10(lm/W)の青緑色発光が得られた。
【0082】化合物(40)
【化14】
【0083】実施例45 発光層として、化合物(36):化合物(41)を10
0:1の割合で蒸着した膜厚10nmの正孔注入層を設
ける以外は、実施例41と同様の方法で有機EL素子を
作製した。この素子は、直流電圧5Vで600(cd/
m2 )、最高輝度12000(cd/m2 )、発光効率
1.10(lm/W)の橙色発光が得られた。
0:1の割合で蒸着した膜厚10nmの正孔注入層を設
ける以外は、実施例41と同様の方法で有機EL素子を
作製した。この素子は、直流電圧5Vで600(cd/
m2 )、最高輝度12000(cd/m2 )、発光効率
1.10(lm/W)の橙色発光が得られた。
【0084】化合物(41)
【化15】
【0085】本実施例で示された有機EL素子は、二層
型以上の素子構成において、最大発光輝度10000
(cd/m2 )以上の発光が得られ、全て高い発光効率
を得ることができた。本実施例で示された有機EL素子
について、3(mA/cm2 )で連続発光させたとこ
ろ、1000時間以上安定な発光を観測することができ
た。本発明の有機EL素子は発光効率、発光輝度の向上
と長寿命化を達成するものであり、併せて使用される発
光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、電子注入材
料、増感剤、樹脂、電極材料等および素子作製方法を限
定するものではない。
型以上の素子構成において、最大発光輝度10000
(cd/m2 )以上の発光が得られ、全て高い発光効率
を得ることができた。本実施例で示された有機EL素子
について、3(mA/cm2 )で連続発光させたとこ
ろ、1000時間以上安定な発光を観測することができ
た。本発明の有機EL素子は発光効率、発光輝度の向上
と長寿命化を達成するものであり、併せて使用される発
光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、電子注入材
料、増感剤、樹脂、電極材料等および素子作製方法を限
定するものではない。
【0086】
【発明の効果】本発明の有機EL素子材料を発光材料と
して使用した有機EL素子は、従来に比べて高い発光効
率で高輝度の発光を示し、長寿命の有機EL素子を得る
ことができた。
して使用した有機EL素子は、従来に比べて高い発光効
率で高輝度の発光を示し、長寿命の有機EL素子を得る
ことができた。
【図1】化合物(16)の赤外線吸収スペクトル図
フロントページの続き (72)発明者 奥津 聡 東京都中央区京橋二丁目3番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内 (72)発明者 榎田 年男 東京都中央区京橋二丁目3番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内
Claims (8)
- 【請求項1】下記一般式[1]で示される有機エレクト
ロルミネッセンス素子用発光材料。 一般式[1] 【化1】 [式中、A1 〜A2 は、それぞれ独立に、置換もしくは
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ
基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もし
くは未置換の縮合多環基、置換もしくは未置換のアルキ
ルアミノ基、置換もしくは未置換のアリールアミノ基を
表す。R1 〜R16は、それぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換の
アルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換
もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置
換のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチ
オ基、置換もしくは未置換の環基、置換もしくは未置換
のアミノ基を表す(隣接した基同士でそれぞれ互いに結
合して新たな環を形成してもよい。)。] - 【請求項2】下記一般式[2]で示される有機エレクト
ロルミネッセンス素子用発光材料。 一般式[2] 【化2】 [式中、A3 〜A6 は、それぞれ独立に、置換もしくは
未置換の炭素数6〜16のアリール基を表す。R1 〜R
16は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シア
ノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置
換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換
のアリールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチ
オ基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もし
くは未置換の環基、置換もしくは未置換のアミノ基を表
す(隣接した基同士でそれぞれ互いに結合して新たな環
を形成してもよい。)。] - 【請求項3】 下記一般式[3]で示される有機エレク
トロルミネッセンス素子用発光材料。 一般式[3] 【化3】 [式中、R1 〜R36は、それぞれ独立に、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換
のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置
換もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未
置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリール
チオ基、置換もしくは未置換の環基、置換もしくは未置
換のアミノ基を表す(R1 〜R16は、隣接した基同士で
それぞれ互いに結合して新たな環を形成してもよ
い。)。] - 【請求項4】 下記一般式[4]で示される有機エレク
トロルミネッセンス素子用発光材料。 一般式[4] 【化4】 [式中、R1 〜R16およびR37〜R56は、それぞれ独立
に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置
換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換の
アルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ
基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしく
は未置換のアリールチオ基、置換もしくは未置換の環
基、置換もしくは未置換のアミノ基を表す(R1 〜R16
は、隣接した基同士でそれぞれ互いに結合して新たな環
を形成してもよい。)。X1 〜X4 は、それぞれ独立
に、O、S、C=O、SO2 、(CH2 )x−O−(C
H2 )y、置換もしくは未置換のアルキレン基、置換も
しくは未置換の脂肪族環基を表す。ここで、xおよびy
は、0〜20の正の整数を表すが、x+y=0となるこ
とはない。] - 【請求項5】 下記一般式[5]で示される有機エレク
トロルミネッセンス素子用発光材料。 一般式[5] 【化5】 [式中、R1 〜R16およびR37〜R56は、それぞれ独立
に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置
換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換の
アルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ
基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしく
は未置換のアリールチオ基、置換もしくは未置換の環
基、置換もしくは未置換のアミノ基を表す(R1 〜R16
は、隣接した基同士でそれぞれ互いに結合して新たな環
を形成してもよい。)。Y1 〜Y8 は、置換もしくは未
置換の炭素数1〜20のアルキル基、置換もしくは未置
換の炭素数6〜16のアリール基を表す。また、Y1 と
Y2 、Y3 とY4 、Y5 とY6 、Y7 とY8 で、置換も
しくは未置換の炭素数5〜7の脂肪族環基を形成しても
良い。] - 【請求項6】一対の電極間に発光層を含む複数層の有機
化合物薄膜を形成した有機エレクトロルミネッセンス素
子において、少なくとも一層が請求項1〜5いずれか記
載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する
層である有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項7】一対の電極間に発光層を含む複数層の有機
化合物薄膜を形成した有機エレクトロルミネッセンス素
子において、発光層が請求項1〜5いずれか記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する層である
有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項8】一対の電極間に発光層を含む複数層の有機
化合物薄膜を形成した有機エレクトロルミネッセンス素
子において、発光層がホスト材料とドーピング材料から
なり、該ドーピング材料が請求項1〜5いずれか記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子材料である有機エレ
クトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9264468A JPH11111458A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9264468A JPH11111458A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111458A true JPH11111458A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17403648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9264468A Pending JPH11111458A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111458A (ja) |
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-
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