JPH11111496A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH11111496A JPH11111496A JP9266828A JP26682897A JPH11111496A JP H11111496 A JPH11111496 A JP H11111496A JP 9266828 A JP9266828 A JP 9266828A JP 26682897 A JP26682897 A JP 26682897A JP H11111496 A JPH11111496 A JP H11111496A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマ室と処理室とを備えた２室構造のプ
ラズマ処理装置において、プラズマが生成されるプラズ
マ室から処理室に高密度プラズマを導き、被処理物の高
速処理を実現する。 【解決手段】 ガスを用い、プラズマ室２の周囲に配置
されたＲＦコイル２２によって供給されるＲＦ電力によ
りプラズマを生成する。この際、試料室１のステージ６
に載置される試料７から遠い位置にあるＲＦコイル２２
のコイル端をアース電位に接続する。
ラズマ処理装置において、プラズマが生成されるプラズ
マ室から処理室に高密度プラズマを導き、被処理物の高
速処理を実現する。 【解決手段】 ガスを用い、プラズマ室２の周囲に配置
されたＲＦコイル２２によって供給されるＲＦ電力によ
りプラズマを生成する。この際、試料室１のステージ６
に載置される試料７から遠い位置にあるＲＦコイル２２
のコイル端をアース電位に接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマ処理装
置に関し、より特定的には、プラズマを利用して被処理
物の表面に薄膜を形成したり、被処理物の表面をエッチ
ングするプラズマ処理装置に関する。
置に関し、より特定的には、プラズマを利用して被処理
物の表面に薄膜を形成したり、被処理物の表面をエッチ
ングするプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、プラズマ処理装置により処理する
被処理物の大口径化が進み、この大口径の被処理物を均
一に処理する技術が要望されている。この要望に応える
ためには、プラズマの大面積化、高密度化が必要とされ
る。
被処理物の大口径化が進み、この大口径の被処理物を均
一に処理する技術が要望されている。この要望に応える
ためには、プラズマの大面積化、高密度化が必要とされ
る。
【０００３】図４は、特開平７−２６３３５３号公報に
記載された従来のプラズマ処理装置を示す概略断面構成
図であり、このプラズマ処理装置は例えば電子サイクロ
トロン共鳴プラズマを用いたドライエッチング装置であ
る。図において、１はチャンバーの下方の空間である処
理室、２はチャンバーの上方の空間であるプラズマ室、
３はチャンバー内の処理室１とプラズマ室２とを仕切る
隔壁板、４は隔壁板３に設けられた孔、５は排気口、６
はステージ、７は試料、８はパルスガスバルブ、９は駆
動装置、１０はガス導入管、１１は導波管、１２はマイ
クロ波導入窓、１３は磁場コイルである。処理室１には
試料７を載置したステージ６が設置されている。プラズ
マ室２には処理室１の上方に設置されており、導波管１
１からマイクロ波導入窓１２を介してマイクロ波が導入
される。
記載された従来のプラズマ処理装置を示す概略断面構成
図であり、このプラズマ処理装置は例えば電子サイクロ
トロン共鳴プラズマを用いたドライエッチング装置であ
る。図において、１はチャンバーの下方の空間である処
理室、２はチャンバーの上方の空間であるプラズマ室、
３はチャンバー内の処理室１とプラズマ室２とを仕切る
隔壁板、４は隔壁板３に設けられた孔、５は排気口、６
はステージ、７は試料、８はパルスガスバルブ、９は駆
動装置、１０はガス導入管、１１は導波管、１２はマイ
クロ波導入窓、１３は磁場コイルである。処理室１には
試料７を載置したステージ６が設置されている。プラズ
マ室２には処理室１の上方に設置されており、導波管１
１からマイクロ波導入窓１２を介してマイクロ波が導入
される。
【０００４】プラズマ室２にはガス導入管１０及びパル
スガスバルブ８を介してエッチングガスが供給される。
パルスガスバルブ８は駆動装置９により制御され、パル
ス的にエッチングガスをプラズマ室２に供給する。
スガスバルブ８を介してエッチングガスが供給される。
パルスガスバルブ８は駆動装置９により制御され、パル
ス的にエッチングガスをプラズマ室２に供給する。
【０００５】隔壁板３はプラズマ室２と処理室１とを隔
てており、孔４を有している。また排気口５は図示しな
い排気系に接続されており、処理室１を真空排気する。
プラズマ室２近傍にはプラズマ室２に磁界を印加する磁
場コイル１３が設けられている。
てており、孔４を有している。また排気口５は図示しな
い排気系に接続されており、処理室１を真空排気する。
プラズマ室２近傍にはプラズマ室２に磁界を印加する磁
場コイル１３が設けられている。
【０００６】上記のように構成されたプラズマ処理装置
においては、パルスガスバルブ８からプラズマ室２に導
入されたエッチングガスは、隔壁板３の孔４から処理室
１を経て、排気口５より排気される。
においては、パルスガスバルブ８からプラズマ室２に導
入されたエッチングガスは、隔壁板３の孔４から処理室
１を経て、排気口５より排気される。
【０００７】この時、プラズマ室２に２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を導入し、磁場コイル１３によりプラズマ室
２内に８７５ガウスの磁界を形成すると、電子サイクロ
トロン共鳴プラズマが生成される。生成されたプラズマ
は隔壁板３の孔４から処理室１に輸送され、試料をエッ
チングしたり、ＣＶＤ（Chemical Vapor Decompositio
n）処理などを行う。
マイクロ波を導入し、磁場コイル１３によりプラズマ室
２内に８７５ガウスの磁界を形成すると、電子サイクロ
トロン共鳴プラズマが生成される。生成されたプラズマ
は隔壁板３の孔４から処理室１に輸送され、試料をエッ
チングしたり、ＣＶＤ（Chemical Vapor Decompositio
n）処理などを行う。
【０００８】パルスガスバルブ８は駆動部９からの信号
によりＯＮ、ＯＦＦ動作する。パルスガスバルブ８がＯ
Ｎ状態で開いている間はエッチングガスが導入され、Ｏ
ＦＦ状態で閉じている間はエッチングガスの供給がスト
ップされる。
によりＯＮ、ＯＦＦ動作する。パルスガスバルブ８がＯ
Ｎ状態で開いている間はエッチングガスが導入され、Ｏ
ＦＦ状態で閉じている間はエッチングガスの供給がスト
ップされる。
【０００９】排気系の真空排気能力が一定であれば、パ
ルスガスバルブ８の動作に伴って、プラズマ室２と処理
室１の圧力は時間的に変化する。パルスガスバルブ８が
ＯＮ状態となってエッチングガスが導入されると、プラ
ズマ室２の圧力は一時的に上昇し、処理室１との圧力差
が大きくなる状態が実現される。
ルスガスバルブ８の動作に伴って、プラズマ室２と処理
室１の圧力は時間的に変化する。パルスガスバルブ８が
ＯＮ状態となってエッチングガスが導入されると、プラ
ズマ室２の圧力は一時的に上昇し、処理室１との圧力差
が大きくなる状態が実現される。
【００１０】従って大口径の試料に対応して大面積のプ
ラズマを処理室１に導くために隔壁板３の孔４を大きく
し、且つ孔４を広い範囲に多数設けた場合でも、定常的
なガス供給に比べると、プラズマ室２と処理室１との圧
力差を大きく保つことができる。
ラズマを処理室１に導くために隔壁板３の孔４を大きく
し、且つ孔４を広い範囲に多数設けた場合でも、定常的
なガス供給に比べると、プラズマ室２と処理室１との圧
力差を大きく保つことができる。
【００１１】図５は、他の従来例のプラズマ処理装置を
示す概略断面構成図であり、図４に示されたエッチング
装置と同様の構成をしているが、導波管１１、マイクロ
波導入窓１２及び磁場コイル１３が省かれ、高周波（以
下ＲＦと略記する）電力印加手段２０が設けられてい
る。また、プラズマ室２の側壁２１は、例えば石英等の
誘電体で形成されている。
示す概略断面構成図であり、図４に示されたエッチング
装置と同様の構成をしているが、導波管１１、マイクロ
波導入窓１２及び磁場コイル１３が省かれ、高周波（以
下ＲＦと略記する）電力印加手段２０が設けられてい
る。また、プラズマ室２の側壁２１は、例えば石英等の
誘電体で形成されている。
【００１２】ＲＦ電力印加手段２０はＲＦコイル２２に
ＲＦ電力を印加するＲＦ電源２３を備え、ＲＦコイル２
２は側壁２１の周囲に配置されている。パルスガスバル
ブ８からプラズマ室２にエッチングガスが導入され、Ｒ
Ｆコイル２２にＲＦ電力を印加すると、プラズマ室２内
にプラズマが生成される。生成されたプラズマは、前記
装置と同様、隔壁板３の孔４から処理室１に輸送され、
試料をエッチングしたり、ＣＶＤ処理などを行う。この
ＲＦ電力印加手段の場合は、プラズマ室２内にはＲＦ印
加電極が存在しないので金属汚染のない清浄なプラズマ
が生成される。
ＲＦ電力を印加するＲＦ電源２３を備え、ＲＦコイル２
２は側壁２１の周囲に配置されている。パルスガスバル
ブ８からプラズマ室２にエッチングガスが導入され、Ｒ
Ｆコイル２２にＲＦ電力を印加すると、プラズマ室２内
にプラズマが生成される。生成されたプラズマは、前記
装置と同様、隔壁板３の孔４から処理室１に輸送され、
試料をエッチングしたり、ＣＶＤ処理などを行う。この
ＲＦ電力印加手段の場合は、プラズマ室２内にはＲＦ印
加電極が存在しないので金属汚染のない清浄なプラズマ
が生成される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマ処理装
置は、以上のように構成されており、隔壁板を設け、プ
ラズマ室と処理室とを備えた２室構造となっており、処
理室に高密度プラズマを導くことができず、処理速度が
不十分で、更なる高速処理が望まれている。
置は、以上のように構成されており、隔壁板を設け、プ
ラズマ室と処理室とを備えた２室構造となっており、処
理室に高密度プラズマを導くことができず、処理速度が
不十分で、更なる高速処理が望まれている。
【００１４】この発明は、上記課題を解決するためにな
されたもので、被処理物を高速処理できるプラズマ処理
装置を提供することを目的とする。
されたもので、被処理物を高速処理できるプラズマ処理
装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明に係るプラズマ
処理装置は、ガスを用いて、その周囲に配置された高周
波コイルにより供給される高周波電力によりプラズマが
生成されるプラズマ室と、試料が配置され、プラズマ処
理が施される試料室と、前記プラズマ室と前記処理室と
の間に設けられ、前記プラズマ室から処理室に連通する
孔を有する隔壁板と、前記処理室を排気する真空排気手
段と、前記プラズマ室へガスを供給するガス供給手段と
を備えるもので、前記高周波コイルの前記試料から遠い
位置にあるコイル端をアース電位に接続したものであ
る。
処理装置は、ガスを用いて、その周囲に配置された高周
波コイルにより供給される高周波電力によりプラズマが
生成されるプラズマ室と、試料が配置され、プラズマ処
理が施される試料室と、前記プラズマ室と前記処理室と
の間に設けられ、前記プラズマ室から処理室に連通する
孔を有する隔壁板と、前記処理室を排気する真空排気手
段と、前記プラズマ室へガスを供給するガス供給手段と
を備えるもので、前記高周波コイルの前記試料から遠い
位置にあるコイル端をアース電位に接続したものであ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
一実施の形態のプラズマ処理装置を示す概略断面構成図
である。図において、２４はプラズマ室２を構成する、
その上方に位置するベルジャーで、この場合は石英ガラ
ス製である。そして、この周囲に５ターンのＲＦコイル
２２が設置されており、試料７（即ちステージ６）から
遠い位置にあるコイル端がアース電位に接続され、近い
他端がＲＦ電源２３に接続されている。なお、ベルジャ
ー２４の他の部品もセラミクス等の高周波損失の少ない
材料で形成されている。
一実施の形態のプラズマ処理装置を示す概略断面構成図
である。図において、２４はプラズマ室２を構成する、
その上方に位置するベルジャーで、この場合は石英ガラ
ス製である。そして、この周囲に５ターンのＲＦコイル
２２が設置されており、試料７（即ちステージ６）から
遠い位置にあるコイル端がアース電位に接続され、近い
他端がＲＦ電源２３に接続されている。なお、ベルジャ
ー２４の他の部品もセラミクス等の高周波損失の少ない
材料で形成されている。
【００１７】上記構成の装置をエッチング装置として用
いる場合について説明する。ガス導入口１４からプラズ
マ室２に供給されたエッチングガスは、隔壁板３の孔４
から処理室１へ噴出し、処理室１の排気口５から排気さ
れる。ここでＲＦコイル２２にＲＦ電源２３から高周波
を印加するとベルジャー２４内にプラズマが生成され
る。生成されたプラズマはプラズマ室２と処理室１との
圧力差により隔壁板３の孔４から処理室１へ噴出し、処
理室１へ輸送される。輸送されたプラズマはステージ６
に載置された試料７であるウエハをエッチングする。
いる場合について説明する。ガス導入口１４からプラズ
マ室２に供給されたエッチングガスは、隔壁板３の孔４
から処理室１へ噴出し、処理室１の排気口５から排気さ
れる。ここでＲＦコイル２２にＲＦ電源２３から高周波
を印加するとベルジャー２４内にプラズマが生成され
る。生成されたプラズマはプラズマ室２と処理室１との
圧力差により隔壁板３の孔４から処理室１へ噴出し、処
理室１へ輸送される。輸送されたプラズマはステージ６
に載置された試料７であるウエハをエッチングする。
【００１８】次いで、この装置を用いた場合、即ち、こ
の一実施の形態に示すＲＦコイル２２への高周波の印加
方法（ＲＦコイル２２への給電方法）をとった場合のエ
ッチング速度について検討した。比較のため、図２の概
略断面構成図に示す、ＲＦコイル２２の試料７から近い
位置にあるコイル端をアース電位に接続し、遠い他端を
ＲＦ電源２３に接続した、高周波の印加方法のみを変え
た装置におけるエッチング速度についても同様に計測し
た。処理室１の圧力とＰｏｌｙ−Ｓｉのエッチング速度
との関係について調べた。以下、具体的な実験条件を示
し、詳細に説明する。エッチングガスとして塩素ガスを
用い、毎分１００ｃｃの流量でガス導入口１４からプラ
ズマ室２にパルス的に（６０ｍｓｅｃ開、２４０ｍｓｅ
ｃ閉）ガスを供給した。この場合、プラズマ室２の平均
圧力は約２０ｍＴｏｒｒ、処理室１の平均圧力は約２ｍ
Ｔｏｒｒとなる。ＲＦ電源２３の周波数は１３．５６
(ＭＨｚ)、電力は２ｋＷである。ガス条件は一定にし
て、排気条件を変えることにより処理室１の圧力を変化
させた。
の一実施の形態に示すＲＦコイル２２への高周波の印加
方法（ＲＦコイル２２への給電方法）をとった場合のエ
ッチング速度について検討した。比較のため、図２の概
略断面構成図に示す、ＲＦコイル２２の試料７から近い
位置にあるコイル端をアース電位に接続し、遠い他端を
ＲＦ電源２３に接続した、高周波の印加方法のみを変え
た装置におけるエッチング速度についても同様に計測し
た。処理室１の圧力とＰｏｌｙ−Ｓｉのエッチング速度
との関係について調べた。以下、具体的な実験条件を示
し、詳細に説明する。エッチングガスとして塩素ガスを
用い、毎分１００ｃｃの流量でガス導入口１４からプラ
ズマ室２にパルス的に（６０ｍｓｅｃ開、２４０ｍｓｅ
ｃ閉）ガスを供給した。この場合、プラズマ室２の平均
圧力は約２０ｍＴｏｒｒ、処理室１の平均圧力は約２ｍ
Ｔｏｒｒとなる。ＲＦ電源２３の周波数は１３．５６
(ＭＨｚ)、電力は２ｋＷである。ガス条件は一定にし
て、排気条件を変えることにより処理室１の圧力を変化
させた。
【００１９】図３はＲＦコイル２２への高周波の印加方
法（給電方法）の違いによるエッチング速度の違いを示
すグラフである。(ｉ)はこの実施の形態１における処理
室１の圧力とＰｏｌｙ−Ｓｉのエッチング速度との関係
を示す特性曲線、(ii)は比較例における処理室１の圧力
とＰｏｌｙ−Ｓｉのエッチング速度との関係を示す特性
曲線である。処理室１の圧力が１〜５ｍＴｏｒｒの範囲
において、この実施の形態１の給電方法の場合は、比較
例に比べてエッチング速度が３〜５割増加していること
がわかる。
法（給電方法）の違いによるエッチング速度の違いを示
すグラフである。(ｉ)はこの実施の形態１における処理
室１の圧力とＰｏｌｙ−Ｓｉのエッチング速度との関係
を示す特性曲線、(ii)は比較例における処理室１の圧力
とＰｏｌｙ−Ｓｉのエッチング速度との関係を示す特性
曲線である。処理室１の圧力が１〜５ｍＴｏｒｒの範囲
において、この実施の形態１の給電方法の場合は、比較
例に比べてエッチング速度が３〜５割増加していること
がわかる。
【００２０】この有意差は以下の理由により説明され
る。図２に示す比較例のように、試料７から近い位置に
あるＲＦコイル２２のコイル端をアース電位に接続し、
遠い他端をＲＦ電源２３に接続した場合、アース電位に
あるコイル端は同じくアース電位に設置されているプラ
ズマ室２壁の近傍に位置することになる。従って、ＲＦ
コイル２２の試料７から遠い端からみた電位は、ＲＦコ
イル２２の試料７に近い端の付近から隔壁板３までの領
域においておなじレベルとなる。そのため、ベルジャー
２４内で生成されたプラズマを隔壁板３に向かわせる電
気的なエネルギーが小さいため、プラズマのプラズマ室
２から処理室１への輸送は二室の圧力差のみになる。従
って、処理室１へのプラズマの輸送が少なく、試料であ
るウエハのエッチング速度が遅くなる。これに対して、
図１に示すこの実施の形態のように、試料７から遠い位
置にあるＲＦコイル２２のコイル端をアース電位に接続
し、近い他端をＲＦ電源２３に接続した場合は、ＲＦ電
源２３に接続されているコイル端付近とプラズマ室２壁
から隔壁板３までの領域に電位が生じる。この電位はベ
ルジャー２４内で生成されたプラズマを隔壁板３に向か
わせるエネルギーとなるため、効率よくプラズマが処理
室１へ噴出することになる。その結果、高密度のプラズ
マが処理室１のステージ６上に輸送され、試料（ウエ
ハ）７が高速でエッチングされる。また、ガスのパルス
的供給により、ＲＦコイル２２付近で生成されるプラズ
マがベルジャー２４の上下方向に発散し、処理室１へ効
率よく輸送される効果もある。
る。図２に示す比較例のように、試料７から近い位置に
あるＲＦコイル２２のコイル端をアース電位に接続し、
遠い他端をＲＦ電源２３に接続した場合、アース電位に
あるコイル端は同じくアース電位に設置されているプラ
ズマ室２壁の近傍に位置することになる。従って、ＲＦ
コイル２２の試料７から遠い端からみた電位は、ＲＦコ
イル２２の試料７に近い端の付近から隔壁板３までの領
域においておなじレベルとなる。そのため、ベルジャー
２４内で生成されたプラズマを隔壁板３に向かわせる電
気的なエネルギーが小さいため、プラズマのプラズマ室
２から処理室１への輸送は二室の圧力差のみになる。従
って、処理室１へのプラズマの輸送が少なく、試料であ
るウエハのエッチング速度が遅くなる。これに対して、
図１に示すこの実施の形態のように、試料７から遠い位
置にあるＲＦコイル２２のコイル端をアース電位に接続
し、近い他端をＲＦ電源２３に接続した場合は、ＲＦ電
源２３に接続されているコイル端付近とプラズマ室２壁
から隔壁板３までの領域に電位が生じる。この電位はベ
ルジャー２４内で生成されたプラズマを隔壁板３に向か
わせるエネルギーとなるため、効率よくプラズマが処理
室１へ噴出することになる。その結果、高密度のプラズ
マが処理室１のステージ６上に輸送され、試料（ウエ
ハ）７が高速でエッチングされる。また、ガスのパルス
的供給により、ＲＦコイル２２付近で生成されるプラズ
マがベルジャー２４の上下方向に発散し、処理室１へ効
率よく輸送される効果もある。
【００２１】さらに、前記で説明したように、プラズマ
室２にエッチングガスをパルス的に供給しているので、
大口径の被処理物を均一に処理できる。この実施の形態
１によれば、大面積にわたって均一なプラズマを形成で
き、大口径の被処理物を均一に高速処理できるという効
果がある。
室２にエッチングガスをパルス的に供給しているので、
大口径の被処理物を均一に処理できる。この実施の形態
１によれば、大面積にわたって均一なプラズマを形成で
き、大口径の被処理物を均一に高速処理できるという効
果がある。
【００２２】なお、ステージ６にはエッチングの条件に
より、図示しない第２のＲＦ電源によりＲＦバイアスを
印加するようにしてもよい。
より、図示しない第２のＲＦ電源によりＲＦバイアスを
印加するようにしてもよい。
【００２３】また、図５に示すベルジャー２４がない構
成において、同様に試料７から遠い位置にあるＲＦコイ
ル２２のコイル端をアース電位に接続し、近い他端をＲ
Ｆ電源２３に接続した場合も、同様に処理室１，隔壁板
３がアース電位になっているので、上記実施の形態１と
同様、処理室１へのプラズマ輸送効率が良くなる。従っ
て大口径の被処理物を均一に高速処理できる。
成において、同様に試料７から遠い位置にあるＲＦコイ
ル２２のコイル端をアース電位に接続し、近い他端をＲ
Ｆ電源２３に接続した場合も、同様に処理室１，隔壁板
３がアース電位になっているので、上記実施の形態１と
同様、処理室１へのプラズマ輸送効率が良くなる。従っ
て大口径の被処理物を均一に高速処理できる。
【００２４】さらに、ガスを定常的に供給する場合にも
同様にＲＦ電源２３に接続されているコイル端付近とプ
ラズマ室２壁から隔壁板３までの領域に電位が生じ、プ
ラズマを隔壁板３に向かわせるエネルギーが生じるた
め、同様にプラズマ輸送効率が良くなり、プラズマ処理
が高速に行える。
同様にＲＦ電源２３に接続されているコイル端付近とプ
ラズマ室２壁から隔壁板３までの領域に電位が生じ、プ
ラズマを隔壁板３に向かわせるエネルギーが生じるた
め、同様にプラズマ輸送効率が良くなり、プラズマ処理
が高速に行える。
【００２５】上記実施の形態ではプラズマ処理としてエ
ッチングの場合を例に説明したが、ＣＶＤ等の他のプラ
ズマ処理においても、同様、高速に処理できるという効
果を奏する。
ッチングの場合を例に説明したが、ＣＶＤ等の他のプラ
ズマ処理においても、同様、高速に処理できるという効
果を奏する。
【００２６】
【発明の効果】この発明に係るプラズマ処理装置によれ
ば、ガスを用いて、その周囲に配置された高周波コイル
により供給される高周波電力によりプラズマが生成され
るプラズマ室と、試料が配置され、プラズマ処理が施さ
れる試料室と、前記プラズマ室と前記処理室との間に設
けられ、前記プラズマ室から処理室に連通する孔を有す
る隔壁板と、前記処理室を排気する真空排気手段と、前
記プラズマ室へガスを供給するガス供給手段とを備える
プラズマ処理装置において、前記高周波コイルの前記試
料から遠い位置にあるコイル端をアース電位に接続した
ので、プラズマ室から処理室へのプラズマ輸送効率が良
くなり、高速でプラズマ処置が行えるという効果があ
る。
ば、ガスを用いて、その周囲に配置された高周波コイル
により供給される高周波電力によりプラズマが生成され
るプラズマ室と、試料が配置され、プラズマ処理が施さ
れる試料室と、前記プラズマ室と前記処理室との間に設
けられ、前記プラズマ室から処理室に連通する孔を有す
る隔壁板と、前記処理室を排気する真空排気手段と、前
記プラズマ室へガスを供給するガス供給手段とを備える
プラズマ処理装置において、前記高周波コイルの前記試
料から遠い位置にあるコイル端をアース電位に接続した
ので、プラズマ室から処理室へのプラズマ輸送効率が良
くなり、高速でプラズマ処置が行えるという効果があ
る。
【図１】 本発明の一実施の形態のプラズマ処理装置を
示す概略断面構成図である。
示す概略断面構成図である。
【図２】 本発明の比較例のプラズマ処理装置を示す概
略断面構成図である。
略断面構成図である。
【図３】 本発明の一実施の形態のプラズマ処理装置に
よるエッチング速度を比較例とともに示すグラフであ
る。
よるエッチング速度を比較例とともに示すグラフであ
る。
【図４】 従来例のプラズマ処理装置を示す概略断面構
成図である。
成図である。
【図５】 他の従来例のプラズマ処理装置を示す概略断
面構成図である。
面構成図である。
１ 処理室、２ プラズマ室、３ 隔壁板、４ 孔、６
ステージ、７ 試料、２０ ＲＦ電力印加手段、２２
ＲＦコイル、２３ ＲＦ電源、２４ ベルジャー。
ステージ、７ 試料、２０ ＲＦ電力印加手段、２２
ＲＦコイル、２３ ＲＦ電源、２４ ベルジャー。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 友久 伸吾 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 新谷 賢治 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 大森 達夫 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 ガスを用いて、その周囲に配置された高
周波コイルにより供給される高周波電力によりプラズマ
が生成されるプラズマ室と、試料が配置され、プラズマ
処理が施される試料室と、前記プラズマ室と前記処理室
との間に設けられ、前記プラズマ室から処理室に連通す
る孔を有する隔壁板と、前記処理室を排気する真空排気
手段と、前記プラズマ室へガスを供給するガス供給手段
とを備えるプラズマ処理装置において、前記高周波コイ
ルの前記試料から遠い位置にあるコイル端をアース電位
に接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9266828A JPH11111496A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9266828A JPH11111496A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111496A true JPH11111496A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17436224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9266828A Pending JPH11111496A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111496A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030046189A (ko) * | 2001-12-05 | 2003-06-12 | 변홍식 | 플라즈마 발생장치 |
| KR100734778B1 (ko) | 2005-08-25 | 2007-07-03 | 세메스 주식회사 | 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치 및 방법 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP9266828A patent/JPH11111496A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030046189A (ko) * | 2001-12-05 | 2003-06-12 | 변홍식 | 플라즈마 발생장치 |
| KR100734778B1 (ko) | 2005-08-25 | 2007-07-03 | 세메스 주식회사 | 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치 및 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040316 |