JPH10294199A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPH10294199A JPH10294199A JP9102932A JP10293297A JPH10294199A JP H10294199 A JPH10294199 A JP H10294199A JP 9102932 A JP9102932 A JP 9102932A JP 10293297 A JP10293297 A JP 10293297A JP H10294199 A JPH10294199 A JP H10294199A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマを安定かつ均一に生成し、再現性良
く、均一なプラズマ処理を行なう。 【解決手段】真空排気装置(図示省略)が接続され内部を
減圧保持される処理室1と、前記処理室1内へガスを供給
するガス供給装置(図示省略)とマイクロ波を利用して前
記処理室1内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手
段からなるマイクロ波プラズマ処理装置において、前記
処理室1の一部である誘電体窓2にマイクロ波を供給する
ための同軸線路8を垂直に設け、該同軸線路8の外周に前
記マイクロ波を伝播させるための導体板10および内部導
体板11を誘電体窓2の上部及び下部に設置する。
く、均一なプラズマ処理を行なう。 【解決手段】真空排気装置(図示省略)が接続され内部を
減圧保持される処理室1と、前記処理室1内へガスを供給
するガス供給装置(図示省略)とマイクロ波を利用して前
記処理室1内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手
段からなるマイクロ波プラズマ処理装置において、前記
処理室1の一部である誘電体窓2にマイクロ波を供給する
ための同軸線路8を垂直に設け、該同軸線路8の外周に前
記マイクロ波を伝播させるための導体板10および内部導
体板11を誘電体窓2の上部及び下部に設置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波プラズマ
処理装置に係り、特に半導体素子基板等の試料を、プラ
ズマを用いて表面処理を施すのに好適なマイクロ波プラ
ズマ処理装置に関するものである。
処理装置に係り、特に半導体素子基板等の試料を、プラ
ズマを用いて表面処理を施すのに好適なマイクロ波プラ
ズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波を用い、プラズマ生成
のための外部磁場を設けない無磁場マイクロ波プラズマ
処理装置は、特開平3-83337号公報に記載のように矩
形、または円形の断面形状を有する導波管をマイクロ波
が導入される石英等の誘電体窓に対し垂直に配置してい
た。
のための外部磁場を設けない無磁場マイクロ波プラズマ
処理装置は、特開平3-83337号公報に記載のように矩
形、または円形の断面形状を有する導波管をマイクロ波
が導入される石英等の誘電体窓に対し垂直に配置してい
た。
【０００３】一般に無磁場ではプラズマ中に導入された
角周波数ωのマイクロ波は「プラズマ物理入門」F.F.Ch
en著、内田岱二郎訳、丸善1977に記載のように、次に示
す臨界電子密度nc以上のプラズマ中を伝播できないこと
が知られている。
角周波数ωのマイクロ波は「プラズマ物理入門」F.F.Ch
en著、内田岱二郎訳、丸善1977に記載のように、次に示
す臨界電子密度nc以上のプラズマ中を伝播できないこと
が知られている。
【０００４】nc=mω2/4πe2 ここでω=2πf、fは周波数、mは電子の質量、eは電荷素
量である。周波数2.45GHzのマイクロ波の場合には、7×
107ケ/cm3以上の臨界電子密度ncを有するプラズマ中で
は伝播することができず、マイクロ波エネルギーはプラ
ズマ表面から数mm程度で吸収される。従って、誘電体窓
を介してマイクロ波を導入し、プラズマを生成した場
合、プラズマは誘電体窓近傍（数mm程度）に生成され
る。
量である。周波数2.45GHzのマイクロ波の場合には、7×
107ケ/cm3以上の臨界電子密度ncを有するプラズマ中で
は伝播することができず、マイクロ波エネルギーはプラ
ズマ表面から数mm程度で吸収される。従って、誘電体窓
を介してマイクロ波を導入し、プラズマを生成した場
合、プラズマは誘電体窓近傍（数mm程度）に生成され
る。
【０００５】従来のように導波管を垂直に配置した構成
の場合には、マイクロ波の電界の波面が、誘電体窓近傍
に生成されたプラズマに対してほぼ平行に、マイクロ波
を導入するようになっていた。
の場合には、マイクロ波の電界の波面が、誘電体窓近傍
に生成されたプラズマに対してほぼ平行に、マイクロ波
を導入するようになっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、導
波管のサイズ及び形状に応じてマイクロ波はある固有モ
ードの定在波を形成し、プラズマの分布はそのモードに
起因して不均一になるという問題があった。
波管のサイズ及び形状に応じてマイクロ波はある固有モ
ードの定在波を形成し、プラズマの分布はそのモードに
起因して不均一になるという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、プラズマを安定かつ均一
に生成し、均一なプラズマ処理が可能なマイクロ波プラ
ズマ処理装置を提供することにある。
に生成し、均一なプラズマ処理が可能なマイクロ波プラ
ズマ処理装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波プラ
ズマ処理装置では、処理室の一部であるドーナツ状の誘
電体窓に対し、マイクロ波を供給するための同軸線路を
誘電体窓中心に垂直に設け、その内部導体は誘電体窓を
貫くように設置され、Si製の内部円板導体に接続されて
いる。該内部円板導体は誘電体窓下に接触するよう設置
されている。また導体板は、該同軸線路の外周に位置す
る該誘電体窓上に接触し、誘電体窓の反処理室側の面を
覆って設置してある。
ズマ処理装置では、処理室の一部であるドーナツ状の誘
電体窓に対し、マイクロ波を供給するための同軸線路を
誘電体窓中心に垂直に設け、その内部導体は誘電体窓を
貫くように設置され、Si製の内部円板導体に接続されて
いる。該内部円板導体は誘電体窓下に接触するよう設置
されている。また導体板は、該同軸線路の外周に位置す
る該誘電体窓上に接触し、誘電体窓の反処理室側の面を
覆って設置してある。
【０００９】同軸線路を介して処理室内に導入されたマ
イクロ波は、内部円板導体と導体板で誘電体内に形成さ
れた伝送路内を中央部から外周部に向かって伝播する。
さらに誘電体内を伝播したマイクロ波により生成された
プラズマと、誘電体窓上の処理室の反対側に設置された
導体板によって誘電体窓内に形成された伝送路内を、マ
イクロ波は誘電体窓に沿って中央部から外周部に向かっ
て伝播する。このとき、生成されたプラズマはマイクロ
波の伝送路（導波路）の一部として作用し、マイクロ波
は該プラズマを反射端としたある固有モードの定在波を
誘電体窓の処理室側に形成しない。従ってマイクロ波の
モードによらず安定で均一なプラズマを生成することが
できる。
イクロ波は、内部円板導体と導体板で誘電体内に形成さ
れた伝送路内を中央部から外周部に向かって伝播する。
さらに誘電体内を伝播したマイクロ波により生成された
プラズマと、誘電体窓上の処理室の反対側に設置された
導体板によって誘電体窓内に形成された伝送路内を、マ
イクロ波は誘電体窓に沿って中央部から外周部に向かっ
て伝播する。このとき、生成されたプラズマはマイクロ
波の伝送路（導波路）の一部として作用し、マイクロ波
は該プラズマを反射端としたある固有モードの定在波を
誘電体窓の処理室側に形成しない。従ってマイクロ波の
モードによらず安定で均一なプラズマを生成することが
できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施例を図1
により説明する。
により説明する。
【００１１】図1は、本発明のマイクロ波プラズマ処理
装置の一実施例である無磁場マイクロ波アッシング装置
を示す。上部が開放された真空容器1aの上部にドーナツ
状の誘電体窓(例えば、石英窓、アルミナセラミックス
窓)、この場合、石英窓2を設置し、また、石英窓2の下
面にSi, SiC, カーボン製、ここではSi製の内部円板導
体11を設置し、密封する。これにより処理室1が形成さ
れる。また真空容器1aには真空排気装置(図示省略)に接
続された真空排気口3、およびガス供給装置(図示省略)
に接続されたガス供給口4が、内部導体12、内部円板導
体11を介して装置中央部上部に接続されている。石英窓
2の上部には導体板10が設置されている。導体板10はス
テップ形状を有する変換コーナー9を介して同軸線路8に
接続されている。また該同軸線路8の内部導体12は、石
英窓2の下面に設置され円板状の形状を有する内部導体
板11に垂直に、接続されている。さらに同軸線路8の上
部には同軸導波管変換器7が接続されている。同軸導波
管変換器7は矩形導波管6を介してマグネトロン5に接続
されている。処理室1の下部には温度制御装置15により
温度調節可能な試料台14が設置してある。被処理材13は
試料台14に載置可能である。
装置の一実施例である無磁場マイクロ波アッシング装置
を示す。上部が開放された真空容器1aの上部にドーナツ
状の誘電体窓(例えば、石英窓、アルミナセラミックス
窓)、この場合、石英窓2を設置し、また、石英窓2の下
面にSi, SiC, カーボン製、ここではSi製の内部円板導
体11を設置し、密封する。これにより処理室1が形成さ
れる。また真空容器1aには真空排気装置(図示省略)に接
続された真空排気口3、およびガス供給装置(図示省略)
に接続されたガス供給口4が、内部導体12、内部円板導
体11を介して装置中央部上部に接続されている。石英窓
2の上部には導体板10が設置されている。導体板10はス
テップ形状を有する変換コーナー9を介して同軸線路8に
接続されている。また該同軸線路8の内部導体12は、石
英窓2の下面に設置され円板状の形状を有する内部導体
板11に垂直に、接続されている。さらに同軸線路8の上
部には同軸導波管変換器7が接続されている。同軸導波
管変換器7は矩形導波管6を介してマグネトロン5に接続
されている。処理室1の下部には温度制御装置15により
温度調節可能な試料台14が設置してある。被処理材13は
試料台14に載置可能である。
【００１２】上記のように構成された装置において、処
理室1の内部を真空排気装置(図示省略)により減圧した
後、ガス供給口4からガス供給装置(図示省略)によりア
ッシングガスを処理室1内に導入し、所望の圧力に調整
する。マグネトロン5により励振された、例えば2.45GHz
のマイクロ波は矩形導波管内6内を矩形TE01モードで伝
播し、同軸導波管変換器7を介して同軸線路8に導入され
る。同軸線路8内に導入されたマイクロ波は、軸対称な
放射状の電界分布を有する同軸TEMモードで伝播する。
同軸線路8および変換コーナ9を伝播し、石英窓2の中央
部に導入されたマイクロ波は、内部円板導体11の効果に
より、石英窓2内を中心から、外周に向かって伝播し、
処理室1内に導入される。処理室1内に導入されたマイク
ロ波は、石英窓2直下数mmの領域に臨界電子密度nc以上
の密度を有するドーナツ状のプラズマ16を生成する。生
成されたプラズマ16は臨界電子密度nc以上の密度を有し
ているの、マイクロ波の伝播に対して導体として作用を
する。マイクロ波の波面は、変換コーナ9の下部のエッ
ジを中心として90度曲げられ、マイクロ波は導体板10と
内部円板導体11で形成された石英窓2内の伝送路を伝播
し、さらにプラズマ16と導体板10で形成された石英窓2
内の領域を、石英窓2の中心から、外周に向かって伝播
する。同軸線路8に導入するマイクロ波出力を増大させ
ると、生成されているプラズマ16よりさらに前方(外周
方向)にマイクロ波が放射され、その放射されたマイク
ロ波によりさらにプラズマが生成される。従って、マイ
クロ波出力の増加とともにプラズマ16は石英窓2に沿っ
て同心円状に拡大される。このプラズマ16中の電子によ
りガスが解離、励起され活性なラジカルが多量に広範囲
で生成される。温度調節された被処理材13は、ラジカル
との反応によってプラズマ処理、この場合、アッシング
処理される。また、内部円板導体11は同軸線路8から垂
直に導入されたマイクロ波を効率良く、石英窓2内を中
央部から外周部に向かって進行するように作用する。こ
のように本実施例では、生成されるプラズマの分布がマ
イクロ波の固有モードに依存しないことから、同心円状
のプラズマを安定に生成することができる。従ってアッ
シング処理を安定かつ均一に行なうことができるという
効果がある。一方、内部円板導体よりアッシングガス
を、径方向に対して斜めにプラズマ16中に供給すること
により、アッシングガスを効率良くプラズマ中に導入す
ることにより、ラジカルの生成効率を向上するように作
用する。従ってアッシング処理を高速で行なうことがで
きるという効果がある。
理室1の内部を真空排気装置(図示省略)により減圧した
後、ガス供給口4からガス供給装置(図示省略)によりア
ッシングガスを処理室1内に導入し、所望の圧力に調整
する。マグネトロン5により励振された、例えば2.45GHz
のマイクロ波は矩形導波管内6内を矩形TE01モードで伝
播し、同軸導波管変換器7を介して同軸線路8に導入され
る。同軸線路8内に導入されたマイクロ波は、軸対称な
放射状の電界分布を有する同軸TEMモードで伝播する。
同軸線路8および変換コーナ9を伝播し、石英窓2の中央
部に導入されたマイクロ波は、内部円板導体11の効果に
より、石英窓2内を中心から、外周に向かって伝播し、
処理室1内に導入される。処理室1内に導入されたマイク
ロ波は、石英窓2直下数mmの領域に臨界電子密度nc以上
の密度を有するドーナツ状のプラズマ16を生成する。生
成されたプラズマ16は臨界電子密度nc以上の密度を有し
ているの、マイクロ波の伝播に対して導体として作用を
する。マイクロ波の波面は、変換コーナ9の下部のエッ
ジを中心として90度曲げられ、マイクロ波は導体板10と
内部円板導体11で形成された石英窓2内の伝送路を伝播
し、さらにプラズマ16と導体板10で形成された石英窓2
内の領域を、石英窓2の中心から、外周に向かって伝播
する。同軸線路8に導入するマイクロ波出力を増大させ
ると、生成されているプラズマ16よりさらに前方(外周
方向)にマイクロ波が放射され、その放射されたマイク
ロ波によりさらにプラズマが生成される。従って、マイ
クロ波出力の増加とともにプラズマ16は石英窓2に沿っ
て同心円状に拡大される。このプラズマ16中の電子によ
りガスが解離、励起され活性なラジカルが多量に広範囲
で生成される。温度調節された被処理材13は、ラジカル
との反応によってプラズマ処理、この場合、アッシング
処理される。また、内部円板導体11は同軸線路8から垂
直に導入されたマイクロ波を効率良く、石英窓2内を中
央部から外周部に向かって進行するように作用する。こ
のように本実施例では、生成されるプラズマの分布がマ
イクロ波の固有モードに依存しないことから、同心円状
のプラズマを安定に生成することができる。従ってアッ
シング処理を安定かつ均一に行なうことができるという
効果がある。一方、内部円板導体よりアッシングガス
を、径方向に対して斜めにプラズマ16中に供給すること
により、アッシングガスを効率良くプラズマ中に導入す
ることにより、ラジカルの生成効率を向上するように作
用する。従ってアッシング処理を高速で行なうことがで
きるという効果がある。
【００１３】次に本発明の第2の実施例を図2により説明
する。本図において図1と同符号は同一部材とし、説明
を省略する。本図が図1と異なる点を以下説明する。
する。本図において図1と同符号は同一部材とし、説明
を省略する。本図が図1と異なる点を以下説明する。
【００１４】上部が開放された真空容器1aの上部にドー
ナツ状の石英窓2aを設置する。また石英窓2a中心の下面
には内部円板導体11aを設置する。また内部導体12を内
部円板導体11aに垂直に接続する。ここで内部導体12と
ドーナツ状の石英窓2a内側側面が接触せず設置してあ
る。また石英窓2aの上部には導体板10が接続されてお
り、その中心に同軸線路8が接続されている。本実施例
では、同軸線路8より石英窓2aに対して垂直に導入した
マイクロ波を、変換コーナ9aにてその進行方向を径方向
に変換し、さらに石英窓2aの側面から導入する。石英窓
窓2aに導入されたマイクロ波は石英窓2直下にプラズマ1
6を生成し、プラズマ16と導体板10で形成された伝送路
を伝播する。従って、マイクロ波出力の増加とともに、
生成されているプラズマ16よりさらに前方(外周方向)に
マイクロ波が放射され、その放射されたマイクロ波によ
りさらにプラズマが生成される。従って、本実施例で
は、第1の実施例と同様の作用により、同心円状のプラ
ズマを安定に生成できるので、アッシング処理を均一、
安定に行なうことができるという効果がある。一方内部
円板導体11aには多数のガス導入用の穴が設置してあ
る。そのガス導入用穴よりガスをシャワー状に導入する
ことにより均一に処理材にラジカルを供給することがで
きるという効果がある。
ナツ状の石英窓2aを設置する。また石英窓2a中心の下面
には内部円板導体11aを設置する。また内部導体12を内
部円板導体11aに垂直に接続する。ここで内部導体12と
ドーナツ状の石英窓2a内側側面が接触せず設置してあ
る。また石英窓2aの上部には導体板10が接続されてお
り、その中心に同軸線路8が接続されている。本実施例
では、同軸線路8より石英窓2aに対して垂直に導入した
マイクロ波を、変換コーナ9aにてその進行方向を径方向
に変換し、さらに石英窓2aの側面から導入する。石英窓
窓2aに導入されたマイクロ波は石英窓2直下にプラズマ1
6を生成し、プラズマ16と導体板10で形成された伝送路
を伝播する。従って、マイクロ波出力の増加とともに、
生成されているプラズマ16よりさらに前方(外周方向)に
マイクロ波が放射され、その放射されたマイクロ波によ
りさらにプラズマが生成される。従って、本実施例で
は、第1の実施例と同様の作用により、同心円状のプラ
ズマを安定に生成できるので、アッシング処理を均一、
安定に行なうことができるという効果がある。一方内部
円板導体11aには多数のガス導入用の穴が設置してあ
る。そのガス導入用穴よりガスをシャワー状に導入する
ことにより均一に処理材にラジカルを供給することがで
きるという効果がある。
【００１５】次に本発明の第3の実施例を図3により説明
する。本図において、図2と同符号は同一部材とし、説
明を省略する。本図が、図2と異なる点は、変換コーナ9
bの形状である。内部導体12と内部円板導体11がテーパ
状に接合することにより変換コーナ9bを形成する。変換
コーナ9bは、同軸線路8より石英窓2aに対して、垂直に
導入されたマイクロ波を効率良く、径方向に伝播させる
ように作用する。従って、本実施例では、第2の実施例
と同様の作用により、同心円状のプラズマを安定に生成
できるので、アッシング処理を均一、安定に行なうこと
ができるという効果ある。
する。本図において、図2と同符号は同一部材とし、説
明を省略する。本図が、図2と異なる点は、変換コーナ9
bの形状である。内部導体12と内部円板導体11がテーパ
状に接合することにより変換コーナ9bを形成する。変換
コーナ9bは、同軸線路8より石英窓2aに対して、垂直に
導入されたマイクロ波を効率良く、径方向に伝播させる
ように作用する。従って、本実施例では、第2の実施例
と同様の作用により、同心円状のプラズマを安定に生成
できるので、アッシング処理を均一、安定に行なうこと
ができるという効果ある。
【００１６】次に本発明の第4の実施例を図4により説明
する。本図において図1と同符号は同一部材とし、説明
を省略する。本図が図1と異なる点を以下説明する。上
部が開放された真空容器1bの上部に、片側をドーナツ状
の板で塞いだ円筒状の石英窓2bおよび、内部円板導体11
bを設置し密封する。これにより処理室1が形成される。
同軸線路8から導入されたマイクロ波は変換コーナ9aに
より径方向にその伝播方向が変化し、石英窓2bを伝播す
る。マイクロ波が、装置側面まで達すると、マイクロ波
は90°その進行方向を変えて下方向に伝播し、円筒状の
プラズマ16aを生成する。マイクロ波はプラズマ16aと導
体板10により形成された石英窓2中の伝送路を上から、
下方向に伝播する。従ってマイクロ波出力の増加ととも
に、生成されているプラズマ16aよりさらに前方(下方
向)にマイクロ波が放射され、その放射されたマイクロ
波によりさらにプラズマが生成される。このように、本
実施例では、マイクロ波モードに依存せず円筒状のプラ
ズマを安定に生成できるので、アッシング処理を均一、
安定に行なうことができるという効果がある。また、内
部円板導体11a外周より下向きにアッシングガスを供給
することにより、プラズマ中に効率よくアッシングガス
を導入できることから、ラジカルの生成効率を向上する
ように作用する。従って、アッシング処理を高速で行な
うことができるという効果がある。
する。本図において図1と同符号は同一部材とし、説明
を省略する。本図が図1と異なる点を以下説明する。上
部が開放された真空容器1bの上部に、片側をドーナツ状
の板で塞いだ円筒状の石英窓2bおよび、内部円板導体11
bを設置し密封する。これにより処理室1が形成される。
同軸線路8から導入されたマイクロ波は変換コーナ9aに
より径方向にその伝播方向が変化し、石英窓2bを伝播す
る。マイクロ波が、装置側面まで達すると、マイクロ波
は90°その進行方向を変えて下方向に伝播し、円筒状の
プラズマ16aを生成する。マイクロ波はプラズマ16aと導
体板10により形成された石英窓2中の伝送路を上から、
下方向に伝播する。従ってマイクロ波出力の増加ととも
に、生成されているプラズマ16aよりさらに前方(下方
向)にマイクロ波が放射され、その放射されたマイクロ
波によりさらにプラズマが生成される。このように、本
実施例では、マイクロ波モードに依存せず円筒状のプラ
ズマを安定に生成できるので、アッシング処理を均一、
安定に行なうことができるという効果がある。また、内
部円板導体11a外周より下向きにアッシングガスを供給
することにより、プラズマ中に効率よくアッシングガス
を導入できることから、ラジカルの生成効率を向上する
ように作用する。従って、アッシング処理を高速で行な
うことができるという効果がある。
【００１７】次に本発明の第5の実施例を図5により説明
する。本図において図4と同符号は同一部材とし、説明
を省略する。本図が図4と異なる点を以下に説明する。
真空容器1bの上部に、円筒状の石英窓2cおよび内部円板
導体11bを設置し密封する。これにより処理室1が形成さ
れる。同軸線路より供給され、変換コーナ9aによりその
進行方向を径方向に曲げられたマイクロ波は、内部円板
導体11bと導体板10とで形成された伝送路を伝播する。
さらに、装置外周にマイクロ波が達すると、マイクロ波
の進行方向を下方向に変え、石英窓2c内に導入され、石
英窓2cを伝播する。そこで、装置側面に円筒状のプラズ
マが生成される。本実施例では第4の実施例と同様の作
用により円筒状のプラズマを安定に生成できるので、ア
ッシング処理を均一、安定に行なうことができるという
効果がある。
する。本図において図4と同符号は同一部材とし、説明
を省略する。本図が図4と異なる点を以下に説明する。
真空容器1bの上部に、円筒状の石英窓2cおよび内部円板
導体11bを設置し密封する。これにより処理室1が形成さ
れる。同軸線路より供給され、変換コーナ9aによりその
進行方向を径方向に曲げられたマイクロ波は、内部円板
導体11bと導体板10とで形成された伝送路を伝播する。
さらに、装置外周にマイクロ波が達すると、マイクロ波
の進行方向を下方向に変え、石英窓2c内に導入され、石
英窓2cを伝播する。そこで、装置側面に円筒状のプラズ
マが生成される。本実施例では第4の実施例と同様の作
用により円筒状のプラズマを安定に生成できるので、ア
ッシング処理を均一、安定に行なうことができるという
効果がある。
【００１８】以上の実施例では、内部円板導体がある場
合について述べたが、前述のように、生成されるプラズ
マ自身が導体として作用し、マイクロ波の伝送路の1部
となるため、図6に示す実施例のように、ドーナツ状の
石英板に同軸線路の内部導体を配置するだけでも良い。
本実施例では構造が簡素化できるという効果がある。
合について述べたが、前述のように、生成されるプラズ
マ自身が導体として作用し、マイクロ波の伝送路の1部
となるため、図6に示す実施例のように、ドーナツ状の
石英板に同軸線路の内部導体を配置するだけでも良い。
本実施例では構造が簡素化できるという効果がある。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマを安定かつ均
一に生成し、均一なプラズマ処理が可能なマイクロ波プ
ラズマ処理装置が得られる効果がある。
一に生成し、均一なプラズマ処理が可能なマイクロ波プ
ラズマ処理装置が得られる効果がある。
【図１】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置の第１の
実施例であるアッシング装置を示す縦断面図である。
実施例であるアッシング装置を示す縦断面図である。
【図２】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置の第２の
実施例であるアッシング装置を示す縦断面図である。
実施例であるアッシング装置を示す縦断面図である。
【図３】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置の第３の
実施例であるアッシング装置を示す縦断面図である。
実施例であるアッシング装置を示す縦断面図である。
【図４】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置の第４の
実施例であるアッシング装置を示す縦断面図である。
実施例であるアッシング装置を示す縦断面図である。
【図５】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置の第５の
実施例であるアッシング装置を示す縦断面図である。
実施例であるアッシング装置を示す縦断面図である。
【図６】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置の第６の
実施例であるアッシング装置を示す縦断面図である。
実施例であるアッシング装置を示す縦断面図である。
１…処理室、１ａ，１ｂ…真空容器、２，２ａ，２ｂ，
２ｃ…石英窓、３…真空排気口、４…ガス導入口、５…
マグネトロン、６…矩形導波管、７…同軸導波管変換
器、８…同軸線路、９，９ａ…変換コーナー、１０，１
０ａ…導体板、１１，１１ａ，１１ｂ…内部円板導体、
１２…内部導体、１３…被処理材、１４…試料台、１５
…温度制御装置、１６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ…プラ
ズマ。
２ｃ…石英窓、３…真空排気口、４…ガス導入口、５…
マグネトロン、６…矩形導波管、７…同軸導波管変換
器、８…同軸線路、９，９ａ…変換コーナー、１０，１
０ａ…導体板、１１，１１ａ，１１ｂ…内部円板導体、
１２…内部導体、１３…被処理材、１４…試料台、１５
…温度制御装置、１６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ…プラ
ズマ。
Claims (11)
- 【請求項１】真空排気装置が接続され内部を減圧可能な
処理室と、前記処理室内へガスを供給するガス供給装置
とマイクロ波を利用して前記処理室内部にプラズマを発
生させるプラズマ発生手段からなるマイクロ波プラズマ
処理装置において、前記処理室の一部である誘電体窓に
マイクロ波を供給する同軸線路を直角に貫くように設け
たことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 - 【請求項２】真空排気装置が接続され内部を減圧可能な
処理室と、前記処理室内へガスを供給するガス供給装置
とマイクロ波を利用して前記処理室内部にプラズマを発
生させるプラズマ発生手段からなるマイクロ波プラズマ
処理装置において、前記処理室の一部である誘電体窓に
マイクロ波を供給する同軸線路を直角に貫くように設
け、該同軸線路の外周の誘電体窓上部および下部に円形
の導体板および内部円板導体を設置したことを特徴とす
るマイクロ波プラズマ処理装置。 - 【請求項３】請求項2記載のマイクロ波プラズマ処理装
置において、内部導体および内部円板導体内にガス配管
を設置し、ガスを導入することを特徴とするマイクロ波
プラズマ処理装置。 - 【請求項４】請求項2,3いずれかに記載のマイクロ波プ
ラズマ処理装置において、内部円板導体より径方向にガ
スを導入することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項５】請求項2,3,4いずれかに記載のマイクロ波
プラズマ処理装置において、内部円板導体より中心に向
かって斜めに旋回流を用いてガスを導入することを特徴
とするプラズマ処理装置。 - 【請求項６】請求項2,3いずれかに記載のマイクロ波プ
ラズマ処理装置において、内部円板導体に多数の穴を設
置しガスを導入することを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 【請求項７】真空排気装置が接続され内部を減圧可能な
処理室と、前記処理室内へガスを供給するガス供給装置
とマイクロ波を利用して前記処理室内部にプラズマを発
生させるプラズマ発生手段からなるマイクロ波プラズマ
処理装置において、前記処理室の一部であるドーナツ状
の誘電体窓の中心に棒状の内部導体と誘電体窓下部に設
置された円形の内部円板導体を直角に接合することによ
り形成される変換コーナーを設置したことを特徴とする
マイクロ波プラズマ処理装置。 - 【請求項８】請求項7記載のマイクロ波プラズマ処理装
置において、変換コーナの接合部の形状をテーパ状にし
たことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 - 【請求項９】真空排気装置が接続され内部を減圧可能な
処理室と、前記処理室内へガスを供給するガス供給装置
とマイクロ波を利用して前記処理室内部にプラズマを発
生させるプラズマ発生手段からなるマイクロ波プラズマ
処理装置において、前記処理室の一部である、片側がド
ーナツ状の誘電体板で覆われた円筒状の誘電体を設置
し、片側の前記ドーナツ状誘電体窓の中心に、棒状の内
部導体と誘電体窓下部に設置された内部円板導体を直角
に接合することにより形成される変換コーナを設置した
ことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 - 【請求項１０】真空排気装置が接続され内部を減圧可能
な処理室と、前記処理室内へガスを供給するガス供給装
置とマイクロ波を利用して前記処理室内部にプラズマを
発生させるプラズマ発生手段からなるマイクロ波プラズ
マ処理装置において、前記処理室の一部である、円筒状
の誘電体窓の上部に円板状の２つの導体板で挟まれた伝
送路を形成し、さらにその中心に同軸線路を設置したこ
とを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 - 【請求項１１】請求項2,7,9,10いずれかに記載のプラズ
マ処理装置において、誘電体がマイクロ波の伝送路とな
ることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9102932A JPH10294199A (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9102932A JPH10294199A (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294199A true JPH10294199A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14340625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9102932A Pending JPH10294199A (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10294199A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004017684A1 (ja) * | 2002-08-14 | 2004-02-26 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置 |
| JP2007109670A (ja) * | 2006-12-22 | 2007-04-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2009021220A (ja) * | 2007-06-11 | 2009-01-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、アンテナおよびプラズマ処理装置の使用方法 |
| JP2010140681A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Tohoku Univ | プラズマ処理装置 |
| WO2013105358A1 (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 表面波プラズマ処理装置 |
| JP2023083731A (ja) * | 2021-12-06 | 2023-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
1997
- 1997-04-21 JP JP9102932A patent/JPH10294199A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004017684A1 (ja) * | 2002-08-14 | 2004-02-26 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置 |
| US7779783B2 (en) | 2002-08-14 | 2010-08-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
| JP2007109670A (ja) * | 2006-12-22 | 2007-04-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2009021220A (ja) * | 2007-06-11 | 2009-01-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、アンテナおよびプラズマ処理装置の使用方法 |
| JP2010140681A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Tohoku Univ | プラズマ処理装置 |
| WO2013105358A1 (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 表面波プラズマ処理装置 |
| JP2023083731A (ja) * | 2021-12-06 | 2023-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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