JPH11111647A - Method and device for cutting semiconductor wafer - Google Patents
Method and device for cutting semiconductor waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ上に
行列状に形成された複数の半導体素子を個々の半導体素
子に分割するための半導体ウェハの切断方法及びその切
断装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for cutting a semiconductor wafer for dividing a plurality of semiconductor elements formed in a matrix on a semiconductor wafer into individual semiconductor elements.
【０００２】[0002]
【従来の技術】通常、固体撮像素子等の半導体素子は、
半導体ウエハ上に行列状に複数個形成され、半導体ウエ
ハのスクライブラインに沿って切断することにより、個
々の素子に分割される。2. Description of the Related Art Normally, semiconductor devices such as solid-state imaging devices are
A plurality of semiconductor elements are formed in rows and columns on the semiconductor wafer, and are cut into individual elements by cutting along scribe lines of the semiconductor wafer.
【０００３】以下、従来技術における半導体ウエハの切
断装置について、図面を参照しながら説明する。図６は
従来技術における半導体ウエハの切断装置の構成を示す
断面図である。図６に示すように、円錐台状のテーブル
１０の上には、テーブル１０の上面よりも広い面積を有
する孔１１ａが開口されたドーナツ状のフレーム１１が
配置されており、フレーム１１の下面には孔１１ａを被
覆した状態で伸縮性を有するダイシングテープ１２が張
られている。ここで、フレーム１１は、上下方向に移動
可能な状態にされている。テーブル１０上のダイシング
テープ１２の上には、半導体ウエハ１３がセットされ
る。ここで、半導体ウエハ１３上には、複数の半導体素
子１４が行列状に形成されている（図５参照）。テーブ
ル１０の上方には、半導体ウエハ１３をスクライブライ
ン１５（図５参照）に沿って切断して、個々の半導体素
子１４に分割するためのダイシングブレード１６が配置
されている。ダイシングブレード１６の支持体（図示せ
ず）には、ダイシングブレード１６の刃先に向けて冷却
水を噴射するためのノズル１７が一体的に設けられてい
る。Hereinafter, a conventional semiconductor wafer cutting apparatus will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of a conventional semiconductor wafer cutting apparatus. As shown in FIG. 6, a donut-shaped frame 11 having a hole 11 a having an area larger than the upper surface of the table 10 is arranged on the frustum-shaped table 10. A dicing tape 12 having elasticity is stretched while covering the hole 11a. Here, the frame 11 is movable in the up-down direction. On the dicing tape 12 on the table 10, a semiconductor wafer 13 is set. Here, a plurality of semiconductor elements 14 are formed in a matrix on the semiconductor wafer 13 (see FIG. 5). Above the table 10, a dicing blade 16 for cutting the semiconductor wafer 13 along a scribe line 15 (see FIG. 5) and dividing the semiconductor wafer 13 into individual semiconductor elements 14 is arranged. A nozzle 17 for injecting cooling water toward the cutting edge of the dicing blade 16 is integrally provided on a support (not shown) of the dicing blade 16.
【０００４】次に、上記のように構成された切断装置を
用いて、半導体ウエハを切断し、個々の半導体素子に分
割する方法について、図面を参照しながら説明する。図
７は従来技術における半導体ウエハの切断方法を示す工
程図である。まず、図７（ａ）に示すように、テーブル
１０上のダイシングテープ１２の上に半導体ウエハ１３
をセットする。次いで、図７（ｂ）に示すように、フレ
ーム１１を押し下げると共に、ダイシングブレード１６
を、その下端がテーブル１０上のダイシングテープ１２
の高さ位置にくるまで降下させる。次いで、図７（ｃ）
に示すように、テーブル１０上のダイシングテープ１２
の上でダイシングブレード１６を半導体ウエハ１３のス
クライブライン１５（図５参照）に沿って縦横に走らせ
ることにより、半導体ウエハ１３をスクライブライン１
５に沿って切断して、個々の半導体素子１４に分割す
る。この場合、ダイシングブレード１６と半導体ウエハ
１３との間の摩擦熱の発生を抑えるために、ノズル１７
からダイシングブレード１６の刃先に向けて冷却水が連
続的に噴射されており、これによって生じた切削汚水は
テーブル１０の上からダイシングテープ１２を伝って外
部に排出される。尚、フレーム１１を押し下げた状態と
しているのは、ダイシングブレード１６によってフレー
ム１１を傷付けてしまうことを防止するためである。Next, a method of cutting a semiconductor wafer and dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor elements by using the cutting apparatus configured as described above will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a process chart showing a method for cutting a semiconductor wafer in the prior art. First, as shown in FIG. 7A, the semiconductor wafer 13 is placed on the dicing tape 12 on the table 10.
Is set. Next, as shown in FIG. 7B, the frame 11 is pushed down and the dicing blade 16 is pressed.
And the lower end thereof is a dicing tape 12 on the table 10.
Lower until it reaches the height position. Next, FIG.
As shown in FIG.
The semiconductor wafer 13 along the scribe line 15 (see FIG. 5) of the semiconductor wafer 13 vertically and horizontally.
5, and divided into individual semiconductor elements 14. In this case, in order to suppress the generation of frictional heat between the dicing blade 16 and the semiconductor wafer 13, the nozzle 17
The cooling water is continuously sprayed toward the cutting edge of the dicing blade 16, and the resulting cutting wastewater is discharged from the table 10 along the dicing tape 12 to the outside. Note that the reason why the frame 11 is pressed down is to prevent the frame 11 from being damaged by the dicing blade 16.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の切断方法には、以下のような問題点があった。す
なわち、多数のスクライブラインに沿って半導体ウエハ
を切断するものであるため、切断作業が完了するまでに
ある程度の時間を要する。このため、切断工程中に半導
体ウエハの表面の一部（既に切断されている部分）が乾
いた状態となり、そこを流れる切削汚水中の異物や飛散
異物が半導体ウエハの表面に付着して汚染される虞れが
あった。その結果、特に、複数の固体撮像素子が行列状
に形成された半導体ウエハを切断する場合には、一部の
固体撮像素子の光電変換部が汚染されて変換率が低下
し、切断後に得られる個々の固体撮像素子の特性にばら
つきが生じてしまう。However, the conventional cutting method as described above has the following problems. That is, since the semiconductor wafer is cut along a large number of scribe lines, it takes a certain amount of time to complete the cutting operation. Therefore, during the cutting process, a part of the surface of the semiconductor wafer (the part that has already been cut) is in a dry state, and foreign matter and scattered foreign matter in the cutting wastewater flowing therethrough adhere to the surface of the semiconductor wafer and become contaminated. There was a possibility that. As a result, in particular, when cutting a semiconductor wafer in which a plurality of solid-state imaging devices are formed in a matrix, the photoelectric conversion units of some solid-state imaging devices are contaminated, the conversion rate is reduced, and the solid-state imaging device is obtained after cutting Variations occur in the characteristics of the individual solid-state imaging devices.
【０００６】この問題を解決するために、従来において
は、半導体ウエハ上に複数の半導体素子を形成した後、
その上に樹脂製の保護フィルムを貼り付け、この状態で
半導体ウエハを切断して個々の半導体素子に分割した後
に、保護フィルムを剥がすようにされていた。In order to solve this problem, conventionally, after forming a plurality of semiconductor elements on a semiconductor wafer,
A protective film made of resin is adhered on the protective film, and in this state, the semiconductor wafer is cut and divided into individual semiconductor elements, and then the protective film is peeled off.
【０００７】しかし、この方法では、保護フィルムを貼
り付ける工程と、保護フィルムを剥がす工程とが必要と
なり、半導体素子の製造工程が複雑になるという問題点
がある。However, this method requires a step of attaching a protective film and a step of peeling off the protective film, and has a problem that the manufacturing process of the semiconductor element becomes complicated.
【０００８】本発明は、従来技術における前記課題を解
決するためになされたものであり、複数の半導体素子が
形成された半導体ウエハ上に保護フィルムを貼り付ける
ことなく、切断工程中に半導体ウエハの表面が汚染され
ることを防止することのできる半導体ウエハの切断方法
及びその切断装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the prior art, and does not attach a protective film onto a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed, and allows a semiconductor wafer to be cut during a cutting step. It is an object of the present invention to provide a method for cutting a semiconductor wafer and a cutting device for the same, which can prevent the surface from being contaminated.
【０００９】[0009]
【問題点を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体ウエハの切断方法は、複数の半
導体素子が行列状に形成された半導体ウエハをスクライ
ブラインに沿って切断して、個々の半導体素子に分割す
る半導体ウエハの切断方法であって、前記半導体ウエハ
を水中で切断することを特徴とする。この半導体ウエハ
の切断方法によれば、切断工程中に半導体ウエハの表面
が乾いてしまうことを防止することができるので、従来
のように切削汚水中の異物や飛散異物が半導体ウエハの
表面に付着して汚染されることはない。その結果、従来
のような、複数の半導体素子が形成された半導体ウエハ
の上に樹脂製の保護フィルムを貼り付ける工程と、個々
の半導体素子に分割した後に保護フィルムを剥がす工程
とが不要となるので、半導体素子の製造工程を簡素化す
ることができる。In order to achieve the above object, a method for cutting a semiconductor wafer according to the present invention comprises cutting a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor elements formed in a matrix along a scribe line. A method of cutting a semiconductor wafer into individual semiconductor elements, wherein the semiconductor wafer is cut in water. According to this method of cutting a semiconductor wafer, it is possible to prevent the surface of the semiconductor wafer from drying during the cutting process, so that foreign matter and scattered foreign matter in the cutting wastewater adhere to the surface of the semiconductor wafer as in the related art. And will not be contaminated. As a result, the step of attaching a protective film made of resin on a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed and the step of peeling the protective film after dividing the semiconductor element into individual semiconductor elements, which are required in the related art, become unnecessary. Therefore, the manufacturing process of the semiconductor element can be simplified.
【００１０】また、前記本発明の半導体ウエハの切断方
法においては、半導体ウエハを凹所にセットし、前記凹
所内に水を注入しながら前記半導体ウエハを切断するの
が好ましい。この好ましい例によれば、凹所に満たされ
た水の中に半導体ウエハの表面に付着した異物を浮遊さ
せ、凹所の外部に流してしまうことができるので、半導
体ウエハひいては半導体素子の洗浄効果を向上させるこ
とができる。In the method for cutting a semiconductor wafer according to the present invention, it is preferable that the semiconductor wafer is set in a recess, and the semiconductor wafer is cut while pouring water into the recess. According to this preferred example, the foreign matter adhering to the surface of the semiconductor wafer can be floated in the water filled in the recess and allowed to flow out of the recess, so that the cleaning effect of the semiconductor wafer and thus the semiconductor element can be achieved. Can be improved.
【００１１】また、前記本発明の半導体ウエハの切断方
法においては、半導体素子が固体撮像素子であるのが好
ましい。この好ましい例によれば、半導体ウエハ上の一
部の固体撮像素子の光電変換部が汚染されて変換率が低
下し、切断後に得られる個々の固体撮像素子の特性にば
らつきが生じることを防止することができる。In the method for cutting a semiconductor wafer according to the present invention, it is preferable that the semiconductor element is a solid-state image sensor. According to this preferred example, it is possible to prevent the photoelectric conversion portions of some of the solid-state imaging devices on the semiconductor wafer from being contaminated, thereby reducing the conversion rate, and preventing the characteristics of the individual solid-state imaging devices obtained after cutting from being varied. be able to.
【００１２】また、本発明に係る半導体ウエハの切断装
置の構成は、複数の半導体素子が行列状に形成された半
導体ウエハをスクライブラインに沿って切断して、個々
の半導体素子に分割するための半導体ウエハの切断装置
であって、前記半導体ウエハをセットする凹所と、前記
凹所内に水を注入する手段と、前記半導体ウエハを切断
するダイシングブレードとを備えたことを特徴とする。
この半導体ウエハの切断装置の構成によれば、半導体ウ
エハを水中で切断することができるので、切断工程中に
半導体ウエハの表面が乾いてしまうことを防止すること
ができる。従って、従来のように切削汚水中の異物や飛
散異物が半導体ウエハの表面に付着して汚染されること
はない。その結果、従来のような、複数の半導体素子が
形成された半導体ウエハの上に樹脂製の保護フィルムを
貼り付ける工程と、個々の半導体素子に分割した後に保
護フィルムを剥がす工程とが不要となるので、半導体素
子の製造工程を簡素化することができる。Further, the configuration of the semiconductor wafer cutting apparatus according to the present invention is for cutting a semiconductor wafer having a plurality of semiconductor elements formed in a matrix along a scribe line and dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor elements. An apparatus for cutting a semiconductor wafer, comprising: a recess for setting the semiconductor wafer; means for injecting water into the recess; and a dicing blade for cutting the semiconductor wafer.
According to the configuration of the semiconductor wafer cutting device, since the semiconductor wafer can be cut in water, it is possible to prevent the surface of the semiconductor wafer from drying during the cutting process. Therefore, unlike the related art, there is no possibility that foreign matter and scattered foreign matter in the cutting wastewater adhere to the surface of the semiconductor wafer and become contaminated. As a result, the step of attaching a protective film made of resin on a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed and the step of peeling the protective film after dividing the semiconductor element into individual semiconductor elements, which are required in the related art, become unnecessary. Therefore, the manufacturing process of the semiconductor element can be simplified.
【００１３】また、前記本発明の半導体ウエハの切断装
置の構成においては、凹所が、半導体ウエハの厚みより
も厚く、前記半導体ウエハよりも広い面積を有する孔が
開口されたフレームと、前記孔を被覆した状態で前記フ
レームの下面に張られたダイシングテープとで形成され
るのが好ましい。Further, in the configuration of the apparatus for cutting a semiconductor wafer according to the present invention, the frame in which the recess is thicker than the thickness of the semiconductor wafer and has an opening larger in area than the semiconductor wafer is provided; And a dicing tape stretched on the lower surface of the frame.
【００１４】また、前記本発明の半導体ウエハの切断装
置の構成においては、ダイシングブレードは、通常、凹
所の外側に退避しており、半導体ウエハを切断する際に
前記凹所内に移動するのが好ましい。Further, in the configuration of the semiconductor wafer cutting apparatus of the present invention, the dicing blade is usually retracted to the outside of the recess, and when the semiconductor wafer is cut, it moves into the recess. preferable.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、実施の形態を用いて本発明
をさらに具体的に説明する。図１は本発明の実施の形態
における半導体ウエハの切断装置の構成を示す断面図で
ある。図１に示すように、円錐台状のテーブル１の上に
は、テーブル１の上面よりも広い面積を有する孔２ａが
開口された厚さ約１２００μｍのドーナツ状のフレーム
２が配置されており、フレーム２の下面には孔２ａを被
覆した状態でダイシングテープ３が張られている。テー
ブル１上のダイシングテープ３の上には、厚さ約６２５
μｍの半導体ウエハ４がセットされる。ここで、半導体
ウエハ４上には、複数の固体撮像素子５が行列状に形成
されている（図５参照）。テーブル１の上方には、半導
体ウエハ４をスクライブライン８（図５参照）に沿って
切断して、個々の固体撮像素子５に分割するためのダイ
シングブレード６が配置されている。ダイシングブレー
ド６の支持体（図示せず）には、ダイシングブレード６
の刃先に向けて冷却水を噴射するためのノズル７が一体
的に設けられている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to embodiments. FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a semiconductor wafer cutting apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a donut-shaped frame 2 having a thickness of about 1200 μm and having a hole 2 a having an area larger than the upper surface of the table 1 is arranged on a frustum-shaped table 1. A dicing tape 3 is stretched on the lower surface of the frame 2 so as to cover the holes 2a. On the dicing tape 3 on the table 1, a thickness of about 625
A μm semiconductor wafer 4 is set. Here, a plurality of solid-state imaging devices 5 are formed in a matrix on the semiconductor wafer 4 (see FIG. 5). Above the table 1, a dicing blade 6 for cutting the semiconductor wafer 4 along a scribe line 8 (see FIG. 5) and dividing the semiconductor wafer 4 into individual solid-state imaging devices 5 is arranged. The support (not shown) of the dicing blade 6 includes a dicing blade 6
The nozzle 7 for injecting cooling water toward the cutting edge is integrally provided.
【００１６】次に、上記のように構成された切断装置を
用いて、半導体ウエハを切断し、個々の固体撮像素子に
分割する方法について、図面を参照しながら説明する。
図２は本発明の実施の形態における半導体ウエハの切断
方法を示す工程図である。まず、図２（ａ）に示すよう
に、テーブル１上のダイシングテープ３の上に半導体ウ
エハ４をセットする。このとき、ダイシングブレード６
は、高速回転した状態でフレーム２の上方でかつ孔２ａ
の外側（初期位置）に位置している。次いで、図２
（ｂ）に示すように、ダイシングブレード６を水平方向
に移動させ、半導体ウエハ４のエッジ部の上方に位置さ
せる。次いで、図２（ｃ）に示すように、ダイシングブ
レード６を、その下端がテーブル１上のダイシングテー
プ３の高さ位置にくるまで降下させて、半導体ウエハ４
のエッジ部に位置させる。次いで、テーブル１上のダイ
シングテープ３の上でダイシングブレード６を半導体ウ
エハ４のスクライブライン８（図５参照）に沿って縦横
に走らせることにより、半導体ウエハ４をスクライブラ
イン８に沿って切断して、個々の固体撮像素子５に分割
する。この切断工程の間、ダイシングブレード６は、図
３に示すように、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの順番で各位置を移動
し、切断作業が完了した後、図２（ａ）に示す初期位置
（フレーム２の上方でかつ孔２ａの外側）に戻る。Next, a method for cutting a semiconductor wafer and dividing the semiconductor wafer into individual solid-state imaging devices by using the cutting apparatus having the above-described configuration will be described with reference to the drawings.
FIG. 2 is a process chart showing a method for cutting a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 2A, a semiconductor wafer 4 is set on a dicing tape 3 on a table 1. At this time, the dicing blade 6
Above the frame 2 and the hole 2a
Outside (initial position). Then, FIG.
As shown in (b), the dicing blade 6 is moved in the horizontal direction and positioned above the edge of the semiconductor wafer 4. Next, as shown in FIG. 2C, the dicing blade 6 is lowered until the lower end thereof comes to the level of the dicing tape 3 on the table 1, and the semiconductor wafer 4
At the edge of Next, the semiconductor wafer 4 is cut along the scribe line 8 by running the dicing blade 6 vertically and horizontally on the dicing tape 3 on the table 1 along the scribe line 8 (see FIG. 5) of the semiconductor wafer 4. Then, it is divided into individual solid-state imaging devices 5. During this cutting step, the dicing blade 6 moves in each position in the order of A, B, C, and D as shown in FIG. 3, and after the cutting operation is completed, the initial position shown in FIG. (Above the frame 2 and outside the hole 2a).
【００１７】また、図４に示すように、上記切断工程の
間、ダイシングブレード６の支持体に一体的に設けられ
たノズル７からは冷却水が連続的に噴射しており、孔２
ａが開口されたドーナツ状のフレーム２とフレーム２の
下面に張られたダイシングテープ３とで形成される凹所
９は、常に新しい水で満たされた状態となっている。す
なわち、半導体ウエハ４上には、フレーム２の厚みと半
導体ウエハ４の厚みの差分の厚さを有する水の保護膜が
形成された状態となっている。その結果、切断工程中に
半導体ウエハ４の表面が乾いてしまうことはないので、
従来のように切削汚水中の異物や飛散異物が半導体ウエ
ハ４の表面に付着して汚染されることはない。このた
め、従来のような、複数の固体撮像素子（半導体素子）
５が形成された半導体ウエハ４の上に樹脂製の保護フィ
ルムを貼り付ける工程と、個々の固体撮像素子（半導体
素子）５に分割した後に保護フィルムを剥がす工程とが
不要となるので、固体撮像素子５の製造工程を簡素化す
ることができる。特に、本実施の形態のように、複数の
固体撮像素子５が行列状に形成された半導体ウエハ４を
切断する場合にあっては、半導体ウエハ４上の一部の固
体撮像素子５の光電変換部が汚染されて変換率が低下
し、切断後に得られる個々の固体撮像素子５の特性にば
らつきが生じることを防止することができる。また、孔
２ａが開口されたドーナツ状のフレーム２とフレーム２
の下面に張られたダイシングテープ３とで形成される凹
所９に満たされた水の中に半導体ウエハ４の表面に付着
した異物を浮遊させ、フレーム２の外部（凹所９の外
部）に流してしまうことができるので、半導体ウエハ４
ひいては固体撮像素子（半導体素子）５の洗浄効果を向
上させることができる。As shown in FIG. 4, during the above cutting step, cooling water is continuously jetted from a nozzle 7 provided integrally with the support of the dicing blade 6, and
The recess 9 formed by the donut-shaped frame 2 having the opening a and the dicing tape 3 stretched on the lower surface of the frame 2 is always filled with fresh water. That is, on the semiconductor wafer 4, a state is formed in which a protective film of water having a difference between the thickness of the frame 2 and the thickness of the semiconductor wafer 4 is formed. As a result, the surface of the semiconductor wafer 4 does not dry during the cutting process.
As in the conventional case, foreign matter or scattered foreign matter in the cutting wastewater does not adhere to and contaminate the surface of the semiconductor wafer 4. Therefore, a plurality of solid-state imaging devices (semiconductor devices) as in the related art
Since a step of attaching a protective film made of resin on the semiconductor wafer 4 on which the semiconductor film 5 is formed and a step of separating the protective film after dividing into individual solid-state imaging elements (semiconductor elements) 5 become unnecessary, the solid-state imaging becomes unnecessary. The manufacturing process of the element 5 can be simplified. In particular, in the case where a plurality of solid-state imaging devices 5 are cut into a semiconductor wafer 4 formed in a matrix as in this embodiment, photoelectric conversion of a part of the solid-state imaging devices 5 on the semiconductor wafer 4 is performed. It is possible to prevent the conversion rate from lowering due to the contamination of the portion and the occurrence of variations in the characteristics of the individual solid-state imaging devices 5 obtained after cutting. Further, a donut-shaped frame 2 having an opening 2a and a frame 2
The foreign matter adhering to the surface of the semiconductor wafer 4 is floated in the water filled in the recess 9 formed by the dicing tape 3 stretched on the lower surface of the semiconductor wafer 4, and the foreign matter adheres to the outside of the frame 2 (outside the recess 9). Semiconductor wafer 4
As a result, the effect of cleaning the solid-state imaging device (semiconductor device) 5 can be improved.
【００１８】尚、上記実施の形態においては、複数の固
体撮像素子５が形成された半導体ウエハ４をスクライブ
ライン８に沿って切断して、個々の固体撮像素子５に分
割する場合を例に挙げて説明しているが、本発明は必ず
しもこの場合だけに適用されるものではなく、他の半導
体素子、例えばメモリー素子が形成された半導体ウエハ
を切断する場合にも適用することができる。このよう
に、固体撮像素子５以外の他の半導体素子が形成された
半導体ウエハを切断する場合に本発明を適用すれば、切
断工程における切削汚水中の異物によって半導体素子の
表面が汚染されることはない。従来技術における半導体
ウエハの切断方法では、切断工程中に半導体素子の表面
に異物が付着するため、その半導体素子をパッケージに
樹脂封止して半導体装置を製造する場合に、樹脂パッケ
ージにクラックが入ったり、あるいは、異物の部分の樹
脂厚が不足して耐湿性に問題が生じる等の信頼性を低下
させる原因となる。本発明では、そのような問題が生じ
ることはなく、信頼性の高い半導体装置を実現すること
ができる。また、本発明によれば、半導体素子をパッケ
ージのリードとワイヤーボンド接続するために半導体素
子の表面に形成した金属パッド部表面に異物が付着する
ことはないので、ワイヤーボンド接続を良好に行うこと
ができる。In the above embodiment, an example is given in which the semiconductor wafer 4 on which the plurality of solid-state imaging devices 5 are formed is cut along the scribe lines 8 and divided into individual solid-state imaging devices 5. Although the present invention has been described, the present invention is not necessarily applied only to this case, but can also be applied to a case where another semiconductor element, for example, a semiconductor wafer on which a memory element is formed is cut. As described above, if the present invention is applied to cutting a semiconductor wafer on which semiconductor elements other than the solid-state imaging element 5 are formed, the surface of the semiconductor element is contaminated by foreign matter in the cutting wastewater in the cutting step. There is no. In the conventional method of cutting a semiconductor wafer, foreign substances adhere to the surface of the semiconductor element during the cutting process. Therefore, when a semiconductor device is manufactured by sealing the semiconductor element with a resin, a crack is formed in the resin package. Or the thickness of the resin at the portion of the foreign matter is insufficient, which causes a problem in the moisture resistance and causes a decrease in reliability. In the present invention, such a problem does not occur, and a highly reliable semiconductor device can be realized. Further, according to the present invention, since the foreign matter does not adhere to the surface of the metal pad portion formed on the surface of the semiconductor element for connecting the semiconductor element to the lead of the package by wire bonding, the wire bonding connection can be performed well. Can be.
【００１９】また、上記実施の形態においては、孔２ａ
が開口されたドーナツ状のフレーム２とフレーム２の下
面に張られたダイシングテープ３とで形成される凹所９
に水を注入する手段として、ダイシングブレード６の支
持体に一体的に設けられたノズル７を用いているが、必
ずしもこの構成に限定されるものではない。凹所９に水
を注入する手段としては、ノズル以外の他の手段を用い
ることもでき、これらの手段はダイシングブレード６と
は無関係に設けてもよい。In the above embodiment, the hole 2a
A recess 9 formed by a donut-shaped frame 2 having an opening and a dicing tape 3 stretched on the lower surface of the frame 2
Although the nozzle 7 provided integrally with the support of the dicing blade 6 is used as a means for injecting water into the nozzle, it is not necessarily limited to this configuration. As means for injecting water into the recess 9, other means than the nozzle may be used, and these means may be provided independently of the dicing blade 6.
【００２０】また、上記実施の形態においては、切断工
程中に凹所９内に連続的に水を注入しているが、凹所９
に水を溜めた状態（新たに水を注入しない状態）で、半
導体ウエハを切断した場合にも、所期の効果を達成する
ことができる。In the above embodiment, water is continuously injected into the recess 9 during the cutting step.
The desired effect can be achieved even when the semiconductor wafer is cut in a state where water is stored in the semiconductor wafer (a state in which water is not newly injected).
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
切断工程中に半導体ウエハの表面が乾いてしまうことを
防止することができるので、従来のように切削汚水中の
異物や飛散異物が半導体ウエハの表面に付着して汚染さ
れることはない。その結果、従来のような、複数の半導
体素子が形成された半導体ウエハの上に樹脂製の保護フ
ィルムを貼り付ける工程と、個々の半導体素子に分割し
た後に保護フィルムを剥がす工程とが不要となるので、
半導体素子の製造工程を簡素化することができる。特
に、半導体素子が固体撮像素子の場合には、半導体ウエ
ハ上の一部の固体撮像素子の光電変換部が汚染されて変
換率が低下し、切断後に得られる個々の固体撮像素子の
特性にばらつきが生じることを防止することができる。As described above, according to the present invention,
Since it is possible to prevent the surface of the semiconductor wafer from drying during the cutting process, there is no possibility that foreign matter or scattered foreign matter in the cutting wastewater adheres to the surface of the semiconductor wafer and is contaminated as in the related art. As a result, the step of attaching a protective film made of resin on a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed and the step of peeling the protective film after dividing the semiconductor element into individual semiconductor elements, which are required in the related art, become unnecessary. So
The manufacturing process of the semiconductor element can be simplified. In particular, when the semiconductor device is a solid-state imaging device, the photoelectric conversion portions of some of the solid-state imaging devices on the semiconductor wafer are contaminated, the conversion rate is reduced, and the characteristics of individual solid-state imaging devices obtained after cutting vary. Can be prevented from occurring.
【図１】本発明の実施の形態における半導体ウエハの切
断装置の構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a semiconductor wafer cutting device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態における半導体ウエハの切
断方法を示す工程図である。FIG. 2 is a process chart showing a method for cutting a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施の形態の半導体ウエハの切断方法
におけるダイシングブレードの移動を示す図である。FIG. 3 is a view showing a movement of a dicing blade in a method of cutting a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施の形態における半導体ウエハの切
断方法及び切断装置の効果を説明するための断面図であ
る。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the effect of the method and apparatus for cutting a semiconductor wafer according to the embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施の形態及び従来技術における半導
体ウエハを示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention and a conventional technique.
【図６】従来技術における半導体ウエハの切断装置の構
成を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of a semiconductor wafer cutting device according to a conventional technique.
【図７】従来技術における半導体ウエハの切断方法を示
す工程図である。FIG. 7 is a process chart showing a method for cutting a semiconductor wafer in the prior art.
１ テーブル ２ フレーム ２ａ 孔 ３ ダイシングテープ ４ 半導体ウエハ ５ 固体撮像素子（半導体素子） ６ ダイシングブレード ７ ノズル ８ スクライブライン ９ 凹所 Reference Signs List 1 table 2 frame 2a hole 3 dicing tape 4 semiconductor wafer 5 solid-state imaging device (semiconductor device) 6 dicing blade 7 nozzle 8 scribe line 9 recess
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷内 智也 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Tomoya Taniuchi 1-1, Sachimachi, Takatsuki-shi, Osaka Matsushita Electronics Corporation
Claims (6)
半導体ウエハをスクライブラインに沿って切断して、個
々の半導体素子に分割する半導体ウエハの切断方法であ
って、前記半導体ウエハを水中で切断することを特徴と
する半導体ウエハの切断方法。1. A method for cutting a semiconductor wafer in which a plurality of semiconductor elements are formed in rows and columns along a scribe line to divide the semiconductor wafer into individual semiconductor elements, wherein the semiconductor wafer is immersed in water. A method for cutting a semiconductor wafer, comprising cutting.
所内に水を注入しながら前記半導体ウエハを切断する請
求項１に記載の半導体ウエハの切断方法。2. The method according to claim 1, wherein the semiconductor wafer is set in a recess, and the semiconductor wafer is cut while pouring water into the recess.
１に記載の半導体ウエハの切断方法。3. The method according to claim 1, wherein the semiconductor device is a solid-state image sensor.
半導体ウエハをスクライブラインに沿って切断して、個
々の半導体素子に分割するための半導体ウエハの切断装
置であって、前記半導体ウエハをセットする凹所と、前
記凹所内に水を注入する手段と、前記半導体ウエハを切
断するダイシングブレードとを備えたことを特徴とする
半導体ウエハの切断装置。4. A semiconductor wafer cutting apparatus for cutting a semiconductor wafer in which a plurality of semiconductor elements are formed in a matrix along a scribe line and dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor elements. An apparatus for cutting a semiconductor wafer, comprising: a recess for setting; a means for injecting water into the recess; and a dicing blade for cutting the semiconductor wafer.
く、前記半導体ウエハよりも広い面積を有する孔が開口
されたフレームと、前記孔を被覆した状態で前記フレー
ムの下面に張られたダイシングテープとで形成された請
求項４に記載の半導体ウエハの切断装置。5. A frame in which a recess is thicker than a thickness of a semiconductor wafer and has an opening having an area larger than that of the semiconductor wafer, and dicing which is stretched on a lower surface of the frame while covering the hole. The apparatus for cutting a semiconductor wafer according to claim 4, wherein the apparatus is formed with a tape.
側に退避しており、半導体ウエハを切断する際に前記凹
所内に移動する請求項４に記載の半導体ウエハの切断装
置。6. The semiconductor wafer cutting apparatus according to claim 4, wherein the dicing blade is normally retracted outside the recess, and moves into the recess when cutting the semiconductor wafer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27306197A JPH11111647A (en) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | Method and device for cutting semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27306197A JPH11111647A (en) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | Method and device for cutting semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111647A true JPH11111647A (en) | 1999-04-23 |
Family
ID=17522613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27306197A Pending JPH11111647A (en) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | Method and device for cutting semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111647A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007059829A (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | Adhesive tape used for wafer processing method and wafer processing method |
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| JP2017094455A (en) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 株式会社ディスコ | Cutting device |
| US20240055297A1 (en) * | 2022-08-10 | 2024-02-15 | Fu-Chiang Liao | Manufacturing method of semiconductor |
-
1997
- 1997-10-06 JP JP27306197A patent/JPH11111647A/en active Pending
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