JPH11111909A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH11111909A JPH11111909A JP9274287A JP27428797A JPH11111909A JP H11111909 A JPH11111909 A JP H11111909A JP 9274287 A JP9274287 A JP 9274287A JP 27428797 A JP27428797 A JP 27428797A JP H11111909 A JPH11111909 A JP H11111909A
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- JP
- Japan
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- layer
- lead frame
- intermediate layer
- thickness
- plating
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱処理によって発生するＰｄの酸化物を極端
に減少させ、また下地ＮｉのＰｄ中への拡散を防ぎ、下
地ＮｉとＡｇとの密着性に優れ、またＰｄめっき厚も薄
くて、ワイヤーボンディング性、半田濡れ性が熱処理工
程によって劣化しなくなり、経済的で信頼性の高い半導
体装置用リードフレームを提供する。 【解決手段】（１） リードフレーム素材上に、第１中
間層としてニッケル（Ｎｉ）またはニッケル合金層、第
２中間層としてパラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）または
銅（Ｃｕ）のいずれか１種のめっき層、第３中間層とし
て銀（Ａｇ）めっき層、さらに最上層としてパラジウム
（Ｐｄ）またはパラジウム合金めっき層からなることを
特徴とする半導体装置用リードフレーム。 （２） 第２中間層の厚みが０．００５〜０．１μｍで
あり、その上に設けられた第３中間層の厚みが０．００
５〜５μｍであり、さらにその上に設けられた最上層の
厚みが０．００５〜１．０μｍ。
に減少させ、また下地ＮｉのＰｄ中への拡散を防ぎ、下
地ＮｉとＡｇとの密着性に優れ、またＰｄめっき厚も薄
くて、ワイヤーボンディング性、半田濡れ性が熱処理工
程によって劣化しなくなり、経済的で信頼性の高い半導
体装置用リードフレームを提供する。 【解決手段】（１） リードフレーム素材上に、第１中
間層としてニッケル（Ｎｉ）またはニッケル合金層、第
２中間層としてパラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）または
銅（Ｃｕ）のいずれか１種のめっき層、第３中間層とし
て銀（Ａｇ）めっき層、さらに最上層としてパラジウム
（Ｐｄ）またはパラジウム合金めっき層からなることを
特徴とする半導体装置用リードフレーム。 （２） 第２中間層の厚みが０．００５〜０．１μｍで
あり、その上に設けられた第３中間層の厚みが０．００
５〜５μｍであり、さらにその上に設けられた最上層の
厚みが０．００５〜１．０μｍ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用リー
ドフレームに関するものである。
ドフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームは、ＩＣ、ＬＳＩ、個別
半導体などのリードを支えている枠構造である。図１に
示すように、ＩＣチップを搭載するパット部、ワイヤー
ボンディングをするインナーリード部、プリント配線基
板へはんだ付けをするアウターリード部を基本構成と
し、インナーリード部とアウターリード部を分けるダン
パ、リードフレームの枠であるガイドレールから成って
いる。リードフレームには、電気伝導度が高いこと、熱
伝導度が高く熱膨張率が小さいこと、機械的強度が高い
ことなどの特性が要求される。
半導体などのリードを支えている枠構造である。図１に
示すように、ＩＣチップを搭載するパット部、ワイヤー
ボンディングをするインナーリード部、プリント配線基
板へはんだ付けをするアウターリード部を基本構成と
し、インナーリード部とアウターリード部を分けるダン
パ、リードフレームの枠であるガイドレールから成って
いる。リードフレームには、電気伝導度が高いこと、熱
伝導度が高く熱膨張率が小さいこと、機械的強度が高い
ことなどの特性が要求される。
【０００３】従来、半導体装置用リードフレームには、
リードフレームのチップ搭載部とワイヤーボンディング
部の最上層にＡｇまたはＡｇ合金めっきが設けられ、ま
たアウターリード部の最上層にＳｎまたはＳｎ合金層が
設けられた構造のものがある。このような構造のリード
フレームを作るにはめっきマスクが必要であるため製造
工程が複雑になり、製造コストも高くなる。
リードフレームのチップ搭載部とワイヤーボンディング
部の最上層にＡｇまたはＡｇ合金めっきが設けられ、ま
たアウターリード部の最上層にＳｎまたはＳｎ合金層が
設けられた構造のものがある。このような構造のリード
フレームを作るにはめっきマスクが必要であるため製造
工程が複雑になり、製造コストも高くなる。
【０００４】このため、これに代るものとしてリードフ
レーム全面に中間層としてＮｉめっき、また最外層とし
てＰｄめっきを施したものが特公昭６３−４９３８２号
公報に開示されている。しかしこの構造のものも、熱処
理工程を経ると表面層のＰｄが酸化したり、中間層のＮ
ｉが最上層のＰｄめっき層に拡散し、表面にＮｉの酸化
物を作り、ワイヤーボンディング性や半田濡れ性を劣化
させる。
レーム全面に中間層としてＮｉめっき、また最外層とし
てＰｄめっきを施したものが特公昭６３−４９３８２号
公報に開示されている。しかしこの構造のものも、熱処
理工程を経ると表面層のＰｄが酸化したり、中間層のＮ
ｉが最上層のＰｄめっき層に拡散し、表面にＮｉの酸化
物を作り、ワイヤーボンディング性や半田濡れ性を劣化
させる。
【０００５】また、このＮｉの拡散防止のためにＮｉや
Ｎｉ合金層上にＡｇめっきを施し、その上にＰｄめっき
を施した構造のものもある。しかし、ＮｉやＮｉ合金層
上にＡｇめっきを施すと、密着性が悪くなり、また、熱
処理工程を経るとＮｉ、Ｎｉ合金層とＡｇ層との間で剥
離が発生し、品質上問題となる。
Ｎｉ合金層上にＡｇめっきを施し、その上にＰｄめっき
を施した構造のものもある。しかし、ＮｉやＮｉ合金層
上にＡｇめっきを施すと、密着性が悪くなり、また、熱
処理工程を経るとＮｉ、Ｎｉ合金層とＡｇ層との間で剥
離が発生し、品質上問題となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱処
理によって発生するＰｄの酸化物を極端に減少させ、ま
た下地ＮｉのＰｄ中への拡散を防ぎ、下地ＮｉとＡｇと
の密着性に優れ、またＰｄめっき厚も薄くて、ワイヤー
ボンディング性、半田濡れ性が熱処理工程によって劣化
しなくなり、経済的で信頼性の高い半導体装置用リード
フレームを提供することにある。
理によって発生するＰｄの酸化物を極端に減少させ、ま
た下地ＮｉのＰｄ中への拡散を防ぎ、下地ＮｉとＡｇと
の密着性に優れ、またＰｄめっき厚も薄くて、ワイヤー
ボンディング性、半田濡れ性が熱処理工程によって劣化
しなくなり、経済的で信頼性の高い半導体装置用リード
フレームを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記の事項を
その特徴としている。 （１） リードフレーム素材上に、第１中間層としてニ
ッケル（Ｎｉ）またはニッケル合金層、第２中間層とし
てパラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）の
いずれか１種のめっき層、第３中間層として銀（Ａｇ）
めっき層、さらに最上層としてパラジウム（Ｐｄ）また
はパラジウム合金めっき層からなることを特徴とする半
導体装置用リードフレーム。 （２） パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）または銅（Ｃ
ｕ）のいずれか１種からなる第２中間層である薄層めっ
きの厚みが０．００５〜０．１μｍであり、その上に設
けられた第３中間層である銀（Ａｇ）めっき層の厚みが
０．００５〜５μｍであり、さらにその上に設けられた
最上層であるパラジウム（Ｐｄ）又はパラジウム合金め
っき層の厚みが０．００５〜１．０μｍであることを特
徴とする前記（１）に記載の半導体装置用リードフレー
ム。 （３） 最上層であるパラジウム（Ｐｄ）合金層が、パ
ラジウム（Ｐｄ）を５０重量％以上含む合金であること
を特徴とする前記（１）に記載の半導体装置用リードフ
レーム。
その特徴としている。 （１） リードフレーム素材上に、第１中間層としてニ
ッケル（Ｎｉ）またはニッケル合金層、第２中間層とし
てパラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）の
いずれか１種のめっき層、第３中間層として銀（Ａｇ）
めっき層、さらに最上層としてパラジウム（Ｐｄ）また
はパラジウム合金めっき層からなることを特徴とする半
導体装置用リードフレーム。 （２） パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）または銅（Ｃ
ｕ）のいずれか１種からなる第２中間層である薄層めっ
きの厚みが０．００５〜０．１μｍであり、その上に設
けられた第３中間層である銀（Ａｇ）めっき層の厚みが
０．００５〜５μｍであり、さらにその上に設けられた
最上層であるパラジウム（Ｐｄ）又はパラジウム合金め
っき層の厚みが０．００５〜１．０μｍであることを特
徴とする前記（１）に記載の半導体装置用リードフレー
ム。 （３） 最上層であるパラジウム（Ｐｄ）合金層が、パ
ラジウム（Ｐｄ）を５０重量％以上含む合金であること
を特徴とする前記（１）に記載の半導体装置用リードフ
レーム。
【０００８】以下に、本発明を詳細に説明する。本発明
のリードフレームは、リードフレーム素材上全面もしく
は必要部分に、第一中間層、第二中間層、第三中間層、
最上層が順次形成されている。各々のめっき層は、電解
めっき方法、無電解めっき方法のいずれの方法によって
も良い。
のリードフレームは、リードフレーム素材上全面もしく
は必要部分に、第一中間層、第二中間層、第三中間層、
最上層が順次形成されている。各々のめっき層は、電解
めっき方法、無電解めっき方法のいずれの方法によって
も良い。
【０００９】リードフレーム素材としては、純Ｃｕ、Ｃ
ｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｚｒ合金、Ｃｕ−Ｆｅ合金、Ｃｕ
−Ｚｎ合金、純Ｆｅ、Ｆｅ−Ｎｉ合金、普通鋼、Ａｌク
ラッド材、第三元素を添加した三元合金などが用いられ
る。
ｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｚｒ合金、Ｃｕ−Ｆｅ合金、Ｃｕ
−Ｚｎ合金、純Ｆｅ、Ｆｅ−Ｎｉ合金、普通鋼、Ａｌク
ラッド材、第三元素を添加した三元合金などが用いられ
る。
【００１０】第二中間層は、第一中間層のＮｉと第三中
間層のＡｇとの密着性を向上させ、熱処理工程を経て
も、Ｎｉ層とＡｇ層との剥離発生を防止するために設定
された層である。第二中間層のＰｄ、Ａｕ、Ｃｕのいず
れか一種以上の薄層めっきの厚さは、０．００５μｍ〜
０．１μｍであり、０．００５μｍより薄いとピンホー
ルが多くなり、Ｎｉ層とＡｇ層の密着向上層として機能
が発揮されない。
間層のＡｇとの密着性を向上させ、熱処理工程を経て
も、Ｎｉ層とＡｇ層との剥離発生を防止するために設定
された層である。第二中間層のＰｄ、Ａｕ、Ｃｕのいず
れか一種以上の薄層めっきの厚さは、０．００５μｍ〜
０．１μｍであり、０．００５μｍより薄いとピンホー
ルが多くなり、Ｎｉ層とＡｇ層の密着向上層として機能
が発揮されない。
【００１１】第三中間層は、第一中間層のＮｉが熱処理
によって最上層に拡散する事を抑制し、ワイヤーボンデ
ィング性、半田濡れ性が劣化しないために設けられた層
である。第三中間層のＡｇめっき層の厚さは０．００５
μｍ〜５μｍが好適であり、０．００５μｍより薄いと
ピンホールが多くなり、Ｎｉの熱拡散バリヤー層として
の機能が発揮されない。
によって最上層に拡散する事を抑制し、ワイヤーボンデ
ィング性、半田濡れ性が劣化しないために設けられた層
である。第三中間層のＡｇめっき層の厚さは０．００５
μｍ〜５μｍが好適であり、０．００５μｍより薄いと
ピンホールが多くなり、Ｎｉの熱拡散バリヤー層として
の機能が発揮されない。
【００１２】最上層のＰｄ又はＰｄ合金めっき層の厚み
は０．００５μｍ〜１．０μｍが好適であり、０．００
５μｍより薄いとワイヤーボンディング性が劣化し、
１．０μｍ以上では非経済的である。
は０．００５μｍ〜１．０μｍが好適であり、０．００
５μｍより薄いとワイヤーボンディング性が劣化し、
１．０μｍ以上では非経済的である。
【００１３】Ｐｄ合金としては、Ｐｄ含有量が５０重量
％以上のＰｄ−Ａｕ、Ｐｄ−Ａｇ及びＰｄ含有量が９５
％以上のＰｄ−Ｂｉ、Ｐｄ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｉ、Ｐｄ−Ｂ
ｒ、Ｐｄ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｆｅ等が最適である。
％以上のＰｄ−Ａｕ、Ｐｄ−Ａｇ及びＰｄ含有量が９５
％以上のＰｄ−Ｂｉ、Ｐｄ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｉ、Ｐｄ−Ｂ
ｒ、Ｐｄ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｆｅ等が最適である。
【００１４】本発明のリードフレームは、めっき後その
まま半導体用リードフレームとしても良いし、まためっ
き後拡散のために熱処理を行なって半導体用リードフレ
ームとしても良い。
まま半導体用リードフレームとしても良いし、まためっ
き後拡散のために熱処理を行なって半導体用リードフレ
ームとしても良い。
【００１５】本発明のリードフレームは、熱処理工程を
経てもめっき密着性が良好であり、ワイヤーボンディン
グ性、半田濡れ性の劣化も少ない。その理由は、第三中
間層として設定したＡｇが第一中間層のＮｉの熱拡散を
抑制し、Ａｇが最外層のＰｄ又はＰｄ合金に熱拡散して
Ｐｄの酸化を防ぎ、また第二中間層として設定したＰ
ｄ、Ａｕ、Ｃｕのいずれか一種の薄層が第一中間層と第
三中間層の密着性を向上させるために、ワイヤーボンデ
ィング性と半田濡れ性が劣化しないためである。
経てもめっき密着性が良好であり、ワイヤーボンディン
グ性、半田濡れ性の劣化も少ない。その理由は、第三中
間層として設定したＡｇが第一中間層のＮｉの熱拡散を
抑制し、Ａｇが最外層のＰｄ又はＰｄ合金に熱拡散して
Ｐｄの酸化を防ぎ、また第二中間層として設定したＰ
ｄ、Ａｕ、Ｃｕのいずれか一種の薄層が第一中間層と第
三中間層の密着性を向上させるために、ワイヤーボンデ
ィング性と半田濡れ性が劣化しないためである。
【００１６】
【実施例】以下に、本発明を実施例および比較例に基づ
いてさらに説明する。実施例１、比較例１ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
及び活性化を行なった後、全面に第一中間層として厚さ
１μｍのＮｉめっき、次に第二中間層として厚さ０．０
３μｍのＣｕめっき、更に第三中間層として厚さ０．３
μｍのＡｇめっき、更にその上に最上層として厚さ０．
０５μｍのＰｄめっきをしてリードフレームを得た（実
施例１）。
いてさらに説明する。実施例１、比較例１ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
及び活性化を行なった後、全面に第一中間層として厚さ
１μｍのＮｉめっき、次に第二中間層として厚さ０．０
３μｍのＣｕめっき、更に第三中間層として厚さ０．３
μｍのＡｇめっき、更にその上に最上層として厚さ０．
０５μｍのＰｄめっきをしてリードフレームを得た（実
施例１）。
【００１７】ここにおいて、ＡｇおよびＰｄめっきは、
それぞれ一般に市販されている日本高純度化学株式会社
製めっき液のテンペレジストＡＧＲ、およびパラブライ
トＳＳＴを用いた。
それぞれ一般に市販されている日本高純度化学株式会社
製めっき液のテンペレジストＡＧＲ、およびパラブライ
トＳＳＴを用いた。
【００１８】また、比較例１として、実施例１における
第二中間層を設けることなく、その他は実施例１と同様
にしてリードフレームを製作した。
第二中間層を設けることなく、その他は実施例１と同様
にしてリードフレームを製作した。
【００１９】得られたリードフレームについて、ワイヤ
ーボンディング性評価と半田濡れ性評価を行った。ワイ
ヤーボンディング性評価試験は、直径２５μｍの金線を
用いて、荷重９０ｇ、温度２００℃、超音波９５０ｍＷ
（ミリワット）、３０ｍＳ（ミリ秒）にて、３５０℃で
６０秒加熱処理後のワイヤーボンディングを行ない、ピ
ールゲージで引張強度を測定した。
ーボンディング性評価と半田濡れ性評価を行った。ワイ
ヤーボンディング性評価試験は、直径２５μｍの金線を
用いて、荷重９０ｇ、温度２００℃、超音波９５０ｍＷ
（ミリワット）、３０ｍＳ（ミリ秒）にて、３５０℃で
６０秒加熱処理後のワイヤーボンディングを行ない、ピ
ールゲージで引張強度を測定した。
【００２０】半田濡れ性評価試験は、３５０℃で６０秒
の加熱処理後にメニスコグラフ法により行なった。半田
付け条件は、ロジン系非活性型のαメタル社のＲ−１０
０フラックスを浸漬塗布して２３０±１℃の６３％Ｓｎ
−３７％Ｐｂ半田浴に浸漬して、ゼロクロス時間を測定
した。
の加熱処理後にメニスコグラフ法により行なった。半田
付け条件は、ロジン系非活性型のαメタル社のＲ−１０
０フラックスを浸漬塗布して２３０±１℃の６３％Ｓｎ
−３７％Ｐｂ半田浴に浸漬して、ゼロクロス時間を測定
した。
【００２１】試験を行なったリードフレームの構成を、
表１に示す。また、ボンディング性評価試験結果及び半
田濡れ性評価試験結果を、表２に示す。評価Ａは優れた
もの、Ｂはやや良いもの、Ｃはやや悪いもの、Ｄは悪い
ものを表示する。
表１に示す。また、ボンディング性評価試験結果及び半
田濡れ性評価試験結果を、表２に示す。評価Ａは優れた
もの、Ｂはやや良いもの、Ｃはやや悪いもの、Ｄは悪い
ものを表示する。
【００２２】実施例２、比較例２ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
及び活性化を行なった後、全面に第一中間層として厚さ
０．８μｍのＮｉめっき、次に第二中間層として厚さ
０．０２μｍのＰｄめっき、更に第三中間層として厚さ
０．２μｍのＡｇめっき、その上に最上層として厚さ
０．１μｍのＰｄ（８０％）−Ａｕ（２０％）めっきを
施してリードフレームを得た（実施例２）。
及び活性化を行なった後、全面に第一中間層として厚さ
０．８μｍのＮｉめっき、次に第二中間層として厚さ
０．０２μｍのＰｄめっき、更に第三中間層として厚さ
０．２μｍのＡｇめっき、その上に最上層として厚さ
０．１μｍのＰｄ（８０％）−Ａｕ（２０％）めっきを
施してリードフレームを得た（実施例２）。
【００２３】上記においてＡｇ、Ｐｄ、Ｐｄ合金は、そ
れぞれ一般に市販されている日本高純度化学株式会社製
めっき液のテンペレジストＡＧＲ、パラブライトＳＳ
Ｔ、パラブライトＷＧＰでめっきした。
れぞれ一般に市販されている日本高純度化学株式会社製
めっき液のテンペレジストＡＧＲ、パラブライトＳＳ
Ｔ、パラブライトＷＧＰでめっきした。
【００２４】また、比較例２として、実施例２における
第二中間層を設けることなく、その他は実施例２と同様
にしてリードフレームを製作した。
第二中間層を設けることなく、その他は実施例２と同様
にしてリードフレームを製作した。
【００２５】得られたリードフレームについて、実施例
１と同様に、ワイヤーボンディング性評価と半田濡れ性
評価を行った。その結果を、表２に示す。
１と同様に、ワイヤーボンディング性評価と半田濡れ性
評価を行った。その結果を、表２に示す。
【００２６】実施例３、比較例３ 銅合金基材のリードフレームの表面に、常法により脱脂
及び活性化を行った後、全面に第一中間層として厚さ１
μｍのＮｉ−Ｓｎめっき、次に第二中間層として厚さ
０．０２μｍのＡｕめっき、更に第三中間層として厚さ
０．５μｍのＡｇめっき、その上に最上層として厚さ
０．０８μｍのＰｄ（９９．５％）−Ｉ（０．５％）め
っきをしてリードフレームを得た（実施例３）。上記に
おいてＡｇ、Ａｕ、Ｐｄ−１合金は、それぞれ一般に市
販されている日本高純度化学株式会社製めっき液のテン
ペレジストＡＧＲ、アシドストライク、パラブライトＳ
ＳＴ−Ｉを用いてめっきした。
及び活性化を行った後、全面に第一中間層として厚さ１
μｍのＮｉ−Ｓｎめっき、次に第二中間層として厚さ
０．０２μｍのＡｕめっき、更に第三中間層として厚さ
０．５μｍのＡｇめっき、その上に最上層として厚さ
０．０８μｍのＰｄ（９９．５％）−Ｉ（０．５％）め
っきをしてリードフレームを得た（実施例３）。上記に
おいてＡｇ、Ａｕ、Ｐｄ−１合金は、それぞれ一般に市
販されている日本高純度化学株式会社製めっき液のテン
ペレジストＡＧＲ、アシドストライク、パラブライトＳ
ＳＴ−Ｉを用いてめっきした。
【００２７】また、比較例３として、実施例３における
第二中間層を設けることなく、その他は実施例３と同様
にしてリードフレームを製作した。
第二中間層を設けることなく、その他は実施例３と同様
にしてリードフレームを製作した。
【００２８】得られたリードフレームについて、実施例
１と同様に、ワイヤーボンディング性評価と半田濡れ性
評価を行った。その結果を、表２に示す。
１と同様に、ワイヤーボンディング性評価と半田濡れ性
評価を行った。その結果を、表２に示す。
【００２９】実施例４、比較例４ 第二中間層の厚みを０．００１μｍ、０．００５μｍ、
０．０５μｍ、０．１μｍと変化させ、第三中間層の厚
みを０．００１μｍ、０．００５μｍ、０．０５μｍ、
０．５μｍ、５μｍ、１０μｍと変化させ、更に最上層
の厚みを０．００１μｍ、０．００５μｍ、０．０５μ
ｍ、０．５μｍ、５μｍと変化させたリードフレームを
製作し、各々を前記当該実施例及び比較例と同一の条件
でワイヤーボンディング性と半田漏れ性試験をした。そ
の結果、第二中間層０．００１μｍ、第三中間層０．０
０１μｍ、最上層０．００１μｍのものを除き実施例と
比較して性能の変化は見られなかった。
０．０５μｍ、０．１μｍと変化させ、第三中間層の厚
みを０．００１μｍ、０．００５μｍ、０．０５μｍ、
０．５μｍ、５μｍ、１０μｍと変化させ、更に最上層
の厚みを０．００１μｍ、０．００５μｍ、０．０５μ
ｍ、０．５μｍ、５μｍと変化させたリードフレームを
製作し、各々を前記当該実施例及び比較例と同一の条件
でワイヤーボンディング性と半田漏れ性試験をした。そ
の結果、第二中間層０．００１μｍ、第三中間層０．０
０１μｍ、最上層０．００１μｍのものを除き実施例と
比較して性能の変化は見られなかった。
【００３０】第三中間層及び最上層めっきは貴金属であ
り、厚みをより大きくするとコスト高になるものであ
る。
り、厚みをより大きくするとコスト高になるものであ
る。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
【発明の効果】本発明のリードフレームは、従来品に比
べ耐熱密着性があり、ワイヤーボンディング性、半田濡
れ性が優れており、かつ製造工程が単純であり、経済性
と信頼性が大きい。
べ耐熱密着性があり、ワイヤーボンディング性、半田濡
れ性が優れており、かつ製造工程が単純であり、経済性
と信頼性が大きい。
【図１】本発明の半導体リードフレームの実施例の一部
の拡大図である。
の拡大図である。
【図２】一般的なリードフレームの説明図である。
【符号の説明】 １ 素材 ２ 第一中間層 ３ 第二中間層 ４ 第三中間層 ５ 最上層 ６ パット部 ７ アウターリード部 ８ インナーリード部 ９ ダムバー １０ ガイドレール
Claims (3)
- 【請求項１】リードフレーム素材上に、第１中間層とし
てニッケル（Ｎｉ）またはニッケル合金層、第２中間層
としてパラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）または銅（Ｃ
ｕ）のいずれか１種のめっき層、第３中間層として銀
（Ａｇ）めっき層、さらに最上層としてパラジウム（Ｐ
ｄ）またはパラジウム合金めっき層からなることを特徴
とする、半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）または銅
（Ｃｕ）のいずれか１種からなる第２中間層であるめっ
き層の厚みが０．００５〜０．１μｍであり、その上に
設けられた第３中間層である銀（Ａｇ）めっき層の厚み
が０．００５〜５μｍであり、さらにその上に設けられ
た最上層であるパラジウム（Ｐｄ）又はパラジウム合金
めっき層の厚みが０．００５〜１．０μｍであることを
特徴とする請求項１に記載の半導体装置用リードフレー
ム。 - 【請求項３】最上層であるパラジウム（Ｐｄ）合金層
が、パラジウム（Ｐｄ）を５０重量％以上含む合金であ
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用リー
ドフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274287A JPH11111909A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274287A JPH11111909A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111909A true JPH11111909A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17539555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9274287A Pending JPH11111909A (ja) | 1997-10-07 | 1997-10-07 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111909A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1997
- 1997-10-07 JP JP9274287A patent/JPH11111909A/ja active Pending
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