JPH11112108A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH11112108A JPH11112108A JP9284353A JP28435397A JPH11112108A JP H11112108 A JPH11112108 A JP H11112108A JP 9284353 A JP9284353 A JP 9284353A JP 28435397 A JP28435397 A JP 28435397A JP H11112108 A JPH11112108 A JP H11112108A
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- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の異なる波長のレーザ光を使用する際の
装置構成を簡略化して、その小型化を図ることができる
半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 第１レーザ部５０上には第２レーザ部６
０が形成されている。第１レーザ部５０を駆動するとき
は、電極３４，３６間に駆動電圧を印加して電流を注入
する。第２レーザ部６０を駆動するときは、電極３２，
３４間に駆動電圧を印加して電流を注入する。第１レー
ザ部５０のコンタクト層１８と、第２レーザ部６０のク
ラッド層２２とがいずれもｐ型となっている。このた
め、駆動電圧は良好に第２レーザ部６０に印加され、レ
ーザ光が発振される。第２レーザ部６０を逆の導電型と
すると、コンタクト層１８とクラッド層２２との間にｐ
−ｎ接合が形成され、第２レーザ部６０の発振が妨げら
れてしまう。
装置構成を簡略化して、その小型化を図ることができる
半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 第１レーザ部５０上には第２レーザ部６
０が形成されている。第１レーザ部５０を駆動するとき
は、電極３４，３６間に駆動電圧を印加して電流を注入
する。第２レーザ部６０を駆動するときは、電極３２，
３４間に駆動電圧を印加して電流を注入する。第１レー
ザ部５０のコンタクト層１８と、第２レーザ部６０のク
ラッド層２２とがいずれもｐ型となっている。このた
め、駆動電圧は良好に第２レーザ部６０に印加され、レ
ーザ光が発振される。第２レーザ部６０を逆の導電型と
すると、コンタクト層１８とクラッド層２２との間にｐ
−ｎ接合が形成され、第２レーザ部６０の発振が妨げら
れてしまう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、複数の異なる波
長のレーザ光を出力する半導体レーザ素子にかかり、例
えば、ＣＤ及びＤＶＤ用の光ピックアップに好適な半導
体レーザ素子の改良に関する。
長のレーザ光を出力する半導体レーザ素子にかかり、例
えば、ＣＤ及びＤＶＤ用の光ピックアップに好適な半導
体レーザ素子の改良に関する。
【０００２】
【背景技術と発明が解決しようとする課題】ＣＤやＤＶ
Ｄなどのディスクプレーヤにおける光ピックアップの光
源としては、一般に半導体レーザ素子が用いられてい
る。ここで、ＣＤ用とＤＶＤ用では、レーザ素子の発光
波長が異なり、ＣＤでは７８０nm，ＤＶＤでは６５０nm
となっている。第一世代のＤＶＤプレーヤでは、発光波
長が６５０nmのレーザ素子しか組み込まれていなかった
ため、ＣＤ−Ｒの再生は不可能であった。しかし、一つ
のプレーヤでＣＤ，ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤなどの各種のディ
スクを再生することができると好都合である。そこで、
それらのディスクの再生を可能にするため、６５０nm／
７８０nmの二波長の光源を内蔵した光ピックアップが検
討されている。
Ｄなどのディスクプレーヤにおける光ピックアップの光
源としては、一般に半導体レーザ素子が用いられてい
る。ここで、ＣＤ用とＤＶＤ用では、レーザ素子の発光
波長が異なり、ＣＤでは７８０nm，ＤＶＤでは６５０nm
となっている。第一世代のＤＶＤプレーヤでは、発光波
長が６５０nmのレーザ素子しか組み込まれていなかった
ため、ＣＤ−Ｒの再生は不可能であった。しかし、一つ
のプレーヤでＣＤ，ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤなどの各種のディ
スクを再生することができると好都合である。そこで、
それらのディスクの再生を可能にするため、６５０nm／
７８０nmの二波長の光源を内蔵した光ピックアップが検
討されている。
【０００３】図７には、かかる二波長レーザ装置の背景
技術が示されている。まず、同図(A)に示すものは、Ｃ
Ｄ用とＤＶＤ用のそれぞれを別個に構成するもので、Ｄ
ＶＤ９００のために、波長６５０nmで発光するレーザ素
子９０２，ＤＶＤ用光学系９０４が設けられており、Ｃ
Ｄ９１０のために、波長７８０nm発光するレーザ素子９
１２，ＣＤ用光学系９１４が設けられている。この方式
は、レーザ素子からディスクに至る光路が、ＤＶＤ，Ｃ
Ｄで独立している。
技術が示されている。まず、同図(A)に示すものは、Ｃ
Ｄ用とＤＶＤ用のそれぞれを別個に構成するもので、Ｄ
ＶＤ９００のために、波長６５０nmで発光するレーザ素
子９０２，ＤＶＤ用光学系９０４が設けられており、Ｃ
Ｄ９１０のために、波長７８０nm発光するレーザ素子９
１２，ＣＤ用光学系９１４が設けられている。この方式
は、レーザ素子からディスクに至る光路が、ＤＶＤ，Ｃ
Ｄで独立している。
【０００４】図７(B)に示すものは、ＤＶＤ用のレーザ
素子９０２とＣＤ用のレーザ素子９１２は別々のパッケ
ージとなっているが、それらの出力レーザ光が波長フィ
ルタ（ダイクロイックミラー）９２０によって合成され
ている。このような手法は、水野定夫他「集積型ＤＶＤ
用光ヘッド」(National Technical Report Vol.43 No.3
Jun.p.275(1997))に開示されている。この方法では、
波長フィルタ９２０からディスク９００，９１０に至る
光学系９２２が、ＣＤ及びＤＶＤで共用化されている。
素子９０２とＣＤ用のレーザ素子９１２は別々のパッケ
ージとなっているが、それらの出力レーザ光が波長フィ
ルタ（ダイクロイックミラー）９２０によって合成され
ている。このような手法は、水野定夫他「集積型ＤＶＤ
用光ヘッド」(National Technical Report Vol.43 No.3
Jun.p.275(1997))に開示されている。この方法では、
波長フィルタ９２０からディスク９００，９１０に至る
光学系９２２が、ＣＤ及びＤＶＤで共用化されている。
【０００５】しかしながら、このような背景技術では、
次のような不都合がある。(1)図７(A)の方法では、ＤＶ
Ｄ用及びＣＤ用のピックアップが単に並列的に設けられ
ているのみで、小型化や部品点数の削減を図ることはで
きない。(2)図７(B)の方法では、(A)と比較すれば共用
部分が増えるものの、新たに波長フィルタを必要とし、
部品数が増えて装置構成が複雑化するなど、必ずしも満
足し得るものとは言えない。
次のような不都合がある。(1)図７(A)の方法では、ＤＶ
Ｄ用及びＣＤ用のピックアップが単に並列的に設けられ
ているのみで、小型化や部品点数の削減を図ることはで
きない。(2)図７(B)の方法では、(A)と比較すれば共用
部分が増えるものの、新たに波長フィルタを必要とし、
部品数が増えて装置構成が複雑化するなど、必ずしも満
足し得るものとは言えない。
【０００６】本発明は、以上の点に着目したもので、複
数の異なる波長のレーザ光を使用する際の装置構成を簡
略化して、その小型化を図ることができる半導体レーザ
素子を提供することを、その目的とするものである。
数の異なる波長のレーザ光を使用する際の装置構成を簡
略化して、その小型化を図ることができる半導体レーザ
素子を提供することを、その目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、この発明は、第１の波長のレーザ光を出力する第１
のレーザ部；この第１のレーザ部上の一部に連続して形
成されており、異なる第２の波長のレーザ光を出力する
第２の半導体レーザ部；を少なくとも含み、前記第２の
レーザ部を構成する各層を、前記第１のレーザ部の対応
する層と逆の導電型としたことを特徴とする。
め、この発明は、第１の波長のレーザ光を出力する第１
のレーザ部；この第１のレーザ部上の一部に連続して形
成されており、異なる第２の波長のレーザ光を出力する
第２の半導体レーザ部；を少なくとも含み、前記第２の
レーザ部を構成する各層を、前記第１のレーザ部の対応
する層と逆の導電型としたことを特徴とする。
【０００８】この発明の前記及び他の目的，特徴，利点
は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一形態について詳
細に説明する。本形態では、まず、図２に示すように、
ｎ−ＧａＡｓ基板（導電型がｎ型のＧａＡｓ基板である
ことを表わす。以下同様である。）１１上にＭＯＣＶＤ
法により６５０nmの発振波長を有する第１のレーザ部１
２〜１８を形成する。詳述すると、前記ｎ−ＧａＡｓ基
板１１上に、以下の各層が順に形成される。
細に説明する。本形態では、まず、図２に示すように、
ｎ−ＧａＡｓ基板（導電型がｎ型のＧａＡｓ基板である
ことを表わす。以下同様である。）１１上にＭＯＣＶＤ
法により６５０nmの発振波長を有する第１のレーザ部１
２〜１８を形成する。詳述すると、前記ｎ−ＧａＡｓ基
板１１上に、以下の各層が順に形成される。
【００１０】(1)ｎ−クラッド層１２：（Ａｌx1c Ｇａ
1-x1c）y1cＩｎ1-y1cＰ (2)３Ｗｅｌｌ ＳＭＱＷ（Strained Multiple Quantum
Well）−ＳＣＨ（Separate Confinement Heterostruct
ure）活性層１３：ＷｅｌｌはＧａＩｎＰ，Ｂａｒｒｉ
ｅｒ及びＧｕｉｄｅは(Ａｌx1aＧａ1-x1a）y1aＩｎ
1-y1aＰ (3)第１ｐ−クラッド層１４：（Ａｌx1cＧａ1-x1c）y1c
Ｉｎ1-y1cＰ (4)エッチングストップ層１５：（Ａｌx1sＧａ1-x1s）
y1sＩｎ1-y1sＰ (5)第２ｐ−クラッド層１６：（Ａｌx1cＧａ1-x1c）y1c
Ｉｎ1-y1cＰ (6)ｎ−ブロック層１７：ＧａＡｓ (7)ｐ−コンタクト層１８：ＧａＡｓ
1-x1c）y1cＩｎ1-y1cＰ (2)３Ｗｅｌｌ ＳＭＱＷ（Strained Multiple Quantum
Well）−ＳＣＨ（Separate Confinement Heterostruct
ure）活性層１３：ＷｅｌｌはＧａＩｎＰ，Ｂａｒｒｉ
ｅｒ及びＧｕｉｄｅは(Ａｌx1aＧａ1-x1a）y1aＩｎ
1-y1aＰ (3)第１ｐ−クラッド層１４：（Ａｌx1cＧａ1-x1c）y1c
Ｉｎ1-y1cＰ (4)エッチングストップ層１５：（Ａｌx1sＧａ1-x1s）
y1sＩｎ1-y1sＰ (5)第２ｐ−クラッド層１６：（Ａｌx1cＧａ1-x1c）y1c
Ｉｎ1-y1cＰ (6)ｎ−ブロック層１７：ＧａＡｓ (7)ｐ−コンタクト層１８：ＧａＡｓ
【００１１】これらのうち、活性層１３は、例えば図３
(A)に示すように、厚さ５０nmのガイド１３Ａの間に、
厚さ５nmのウエル１３Ｂを３層，厚さ７nmのバリア１３
Ｃを２層，交互に形成した構成となっている。これらの
組成は、例えば以下の通りとなっている。
(A)に示すように、厚さ５０nmのガイド１３Ａの間に、
厚さ５nmのウエル１３Ｂを３層，厚さ７nmのバリア１３
Ｃを２層，交互に形成した構成となっている。これらの
組成は、例えば以下の通りとなっている。
【００１２】(1)ガイド１３Ａ：（Ａｌ0.4Ｇａ0.6）
0.516Ｉｎ0.484Ｐ (2)ウエル１３Ｂ：Ｇａ0.482Ｉｎ0.518Ｐ (3)バリア１３Ｃ：（Ａｌ0.4Ｇａ0.6）0.516Ｉｎ0.484
Ｐ
0.516Ｉｎ0.484Ｐ (2)ウエル１３Ｂ：Ｇａ0.482Ｉｎ0.518Ｐ (3)バリア１３Ｃ：（Ａｌ0.4Ｇａ0.6）0.516Ｉｎ0.484
Ｐ
【００１３】次に，図４に示すように、前記第１のレー
ザ部のｐ−コンタクト層１８上に、７８０nmの発振波長
を有する第２のレーザ部２２〜２８を形成する。この第
２のレーザ部は、前記第１のレーザ部と比較して、クラ
ッド層２２，２４，２６，エッチングストップ層２５，
ブロック層２７，コンタクト層２８が、導電型が反対と
なるようにそれぞれ形成されており、以下の各層によっ
て構成されている。
ザ部のｐ−コンタクト層１８上に、７８０nmの発振波長
を有する第２のレーザ部２２〜２８を形成する。この第
２のレーザ部は、前記第１のレーザ部と比較して、クラ
ッド層２２，２４，２６，エッチングストップ層２５，
ブロック層２７，コンタクト層２８が、導電型が反対と
なるようにそれぞれ形成されており、以下の各層によっ
て構成されている。
【００１４】(1)ｐ−クラッド層２２：Ａｌx2cＧａ
1-x2cＡｓ (2)活性層２３ (3)第１ｎ−クラッド層２４：Ａｌx2cＧａ1-x2cＡｓ (4)エッチングストップ層２５：Ａｌx2sＧａ1-x2sＡｓ (5)第２ｎ−クラッド層２６：Ａｌx2cＧａ1-x2cＡｓ (6)ｐ−ブロック層２７：ＧａＡｓ (7)ｎ−コンタクト層２８：ＧａＡｓ
1-x2cＡｓ (2)活性層２３ (3)第１ｎ−クラッド層２４：Ａｌx2cＧａ1-x2cＡｓ (4)エッチングストップ層２５：Ａｌx2sＧａ1-x2sＡｓ (5)第２ｎ−クラッド層２６：Ａｌx2cＧａ1-x2cＡｓ (6)ｐ−ブロック層２７：ＧａＡｓ (7)ｎ−コンタクト層２８：ＧａＡｓ
【００１５】これらのうち、活性層２３は、例えば図３
(B)に示すように、厚さ７００nmのＡｌ0.13Ｇａ0.87Ａ
ｓによる層２３Ａによって形成されている。
(B)に示すように、厚さ７００nmのＡｌ0.13Ｇａ0.87Ａ
ｓによる層２３Ａによって形成されている。
【００１６】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
ＳｉＯ2３０（図５参照）によるマスクを形成した後、
エッチャントを変更しながら第２のレーザ部の各層を、
２８→２７→２５→２４→２３→２２の順に選択的にエ
ッチングする。これによって、図５に示すように、部分
的に第１のレーザ部のコンタクト層１８が露出するよう
になる。
ＳｉＯ2３０（図５参照）によるマスクを形成した後、
エッチャントを変更しながら第２のレーザ部の各層を、
２８→２７→２５→２４→２３→２２の順に選択的にエ
ッチングする。これによって、図５に示すように、部分
的に第１のレーザ部のコンタクト層１８が露出するよう
になる。
【００１７】次に、ＳｉＯ2マスク３０を除去した後、
図１に示すように、フォトリソグラフィ技術とエッチン
グ技術を用いて、第２のレーザ部のコンタクト層２８上
には例えばＡｕＧｅＮｉ／Ａｕによる電極３２を形成
し、第１のレーザ部のコンタクト層１８上には例えばＡ
ｕＢｅ／Ａｕによる電極３４を形成する。最後に、ｎ−
ＧａＡｓ基板１１側に、例えばＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ電極
３６を形成して、本形態にかかるレーザ素子を得る。
図１に示すように、フォトリソグラフィ技術とエッチン
グ技術を用いて、第２のレーザ部のコンタクト層２８上
には例えばＡｕＧｅＮｉ／Ａｕによる電極３２を形成
し、第１のレーザ部のコンタクト層１８上には例えばＡ
ｕＢｅ／Ａｕによる電極３４を形成する。最後に、ｎ−
ＧａＡｓ基板１１側に、例えばＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ電極
３６を形成して、本形態にかかるレーザ素子を得る。
【００１８】図６には、上述した半導体レーザ素子の概
略が斜視図として示されている。同図に示すように、第
１レーザ部５０上には第２レーザ部６０が形成されてい
る。これらレーザ部５０，６０の発光点５２，６２は、
クラッド層１６，２６の直下の活性層部分に対応してい
る。第１レーザ部５０を駆動するときは、電極３４，３
６間に駆動電圧を印加して電流を注入する。第２レーザ
部６０を駆動するときは、電極３２，３４間に駆動電圧
を印加して電流を注入する。このように、本形態によれ
ば、レーザ部５０，６０に対して、独立して電流を注入
することができる。
略が斜視図として示されている。同図に示すように、第
１レーザ部５０上には第２レーザ部６０が形成されてい
る。これらレーザ部５０，６０の発光点５２，６２は、
クラッド層１６，２６の直下の活性層部分に対応してい
る。第１レーザ部５０を駆動するときは、電極３４，３
６間に駆動電圧を印加して電流を注入する。第２レーザ
部６０を駆動するときは、電極３２，３４間に駆動電圧
を印加して電流を注入する。このように、本形態によれ
ば、レーザ部５０，６０に対して、独立して電流を注入
することができる。
【００１９】なお、この場合において、第１レーザ部５
０のコンタクト層１８と、第２レーザ部６０のクラッド
層２２に着目すると、いずれも導電型はｐ型となってい
る。これは、第２レーザ部６０の各層の導電型を第１レ
ーザ部５０の各層の導電型と反対となるように形成した
ためである。このため、駆動電圧は良好に第２レーザ部
６０に印加され、レーザ光が発振される。これに対し、
仮に両者の導電型を同じにしたとすると、クラッド層２
２の導電型はｎ型となる。一方、コンタクト層１８はｐ
型であるため、このコンタクト層１８とクラッド層２２
との間にｐ−ｎ接合が形成されることになる。この接合
は、電極３２，３４間の駆動電圧に対して障壁（ダイオ
ードの逆バイアス）として作用するようになり、第２レ
ーザ部６０の発振が妨げられてしまう。
０のコンタクト層１８と、第２レーザ部６０のクラッド
層２２に着目すると、いずれも導電型はｐ型となってい
る。これは、第２レーザ部６０の各層の導電型を第１レ
ーザ部５０の各層の導電型と反対となるように形成した
ためである。このため、駆動電圧は良好に第２レーザ部
６０に印加され、レーザ光が発振される。これに対し、
仮に両者の導電型を同じにしたとすると、クラッド層２
２の導電型はｎ型となる。一方、コンタクト層１８はｐ
型であるため、このコンタクト層１８とクラッド層２２
との間にｐ−ｎ接合が形成されることになる。この接合
は、電極３２，３４間の駆動電圧に対して障壁（ダイオ
ードの逆バイアス）として作用するようになり、第２レ
ーザ部６０の発振が妨げられてしまう。
【００２０】ここで、第１レーザ部５０の発光点５２
と、第２レーザ部６０の発光点６２に着目すると、両者
の間には、クラッド層１４，エッチングストップ層１
５，クラッド層１６，ブロック層１７，コンタクト層１
８，クラッド層２２が存在するのみである。このため、
発光点５２，６２の間隔を、１００μm以下まで非常に
近接させることが可能となる。すなわち、本形態によれ
ば、異なる波長のレーザ光を、非常に近接した位置から
独立に発光させることが可能になる。従って、ＤＶＤと
ＣＤあるいはＣＤ−Ｒの光学系を同一光軸上において設
計が可能となる。これにより、ＤＶＤとＣＤあるいはＣ
Ｄ−Ｒの互換再生を行う際に、集積ユニットの単一化に
よる大幅なコストの削減や小型軽量化を図ることが可能
となる。
と、第２レーザ部６０の発光点６２に着目すると、両者
の間には、クラッド層１４，エッチングストップ層１
５，クラッド層１６，ブロック層１７，コンタクト層１
８，クラッド層２２が存在するのみである。このため、
発光点５２，６２の間隔を、１００μm以下まで非常に
近接させることが可能となる。すなわち、本形態によれ
ば、異なる波長のレーザ光を、非常に近接した位置から
独立に発光させることが可能になる。従って、ＤＶＤと
ＣＤあるいはＣＤ−Ｒの光学系を同一光軸上において設
計が可能となる。これにより、ＤＶＤとＣＤあるいはＣ
Ｄ−Ｒの互換再生を行う際に、集積ユニットの単一化に
よる大幅なコストの削減や小型軽量化を図ることが可能
となる。
【００２１】この発明には数多くの実施形態があり、以
上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。
例えば、次のようなものも含まれる。 (1)前記形態においては、ＭＯＣＶＤ法によって製造で
きる発振波長６５０nm付近（650nm±20nm）と７８０nm
付近（780nm±20nm）のリッジ導波型レーザを用いた
が、製造方法，発振波長，素子構造などは各種のものが
知られており、前記形態に限定されるものではない。使
用する半導体材料，電極材料なども同様である。
上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。
例えば、次のようなものも含まれる。 (1)前記形態においては、ＭＯＣＶＤ法によって製造で
きる発振波長６５０nm付近（650nm±20nm）と７８０nm
付近（780nm±20nm）のリッジ導波型レーザを用いた
が、製造方法，発振波長，素子構造などは各種のものが
知られており、前記形態に限定されるものではない。使
用する半導体材料，電極材料なども同様である。
【００２２】(2)本発明は、ＤＶＤ，ＣＤ，ＣＤ−Ｒの
互換再生が好適な適用例の一つであるが、波長が異なる
複数のレーザ光を得る場合であれば、一般的に適用可能
である。
互換再生が好適な適用例の一つであるが、波長が異なる
複数のレーザ光を得る場合であれば、一般的に適用可能
である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
各層が第１のレーザ部の対応する層と反対の導電型の層
によって、第１のレーザ部上に第２のレーザ部を形成す
ることとしたので、複数の異なる波長のレーザ光を使用
する際の装置構成を簡略化して、その小型化を図ること
ができるという効果がある。
各層が第１のレーザ部の対応する層と反対の導電型の層
によって、第１のレーザ部上に第２のレーザ部を形成す
ることとしたので、複数の異なる波長のレーザ光を使用
する際の装置構成を簡略化して、その小型化を図ること
ができるという効果がある。
【図１】本発明の一形態にかかる半導体レーザ素子を示
す図である。
す図である。
【図２】第１のレーザ部を示す図である。
【図３】各レーザ部の活性層の例を示す図である。
【図４】第１のレーザ部上に第２のレーザ部を形成した
状態を示す図である。
状態を示す図である。
【図５】第２のレーザ部の一部を第１のレーザ部のコン
タクト層までエッチングした状態を示す図である。
タクト層までエッチングした状態を示す図である。
【図６】図１の形態の半導体レーザ素子の外観を示す斜
視図である。
視図である。
【図７】背景技術を示す図である。
１１…ｎ−ＧａＡｓ基板 １２…ｎ−クラッド層 １３…３Ｗｅｌｌ ＳＭＱＷ−ＳＣＨ活性層 １４…第１ｐ−クラッド層 １５…エッチングストップ層 １６…第２ｐ−クラッド層 １７…ｎ−ブロック層 １８…ｐ−コンタクト層 ２２…ｐ−クラッド層 ２３…活性層 ２４…第１ｎ−クラッド層 ２５…エッチングストップ層 ２６…第２ｎ−クラッド層 ２７…ｐ−ブロック層 ２８…ｎ−コンタクト層 ３０…マスク ３２，３４，３６…電極 ５０，６０…レーザ部 ５２，６２…発光点
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の波長のレーザ光を出力する第１の
レーザ部；この第１のレーザ部上の一部に連続して形成
されており、異なる第２の波長のレーザ光を出力する第
２の半導体レーザ部；を少なくとも含み、 前記第２のレーザ部を構成する各層を、前記第１のレー
ザ部の対応する層と逆の導電型としたことを特徴とする
半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 前記第１のレーザ部上の一部に、前記第
１及び第２のレーザ部をそれぞれ独立して駆動するため
の電極を形成したことを特徴とする請求項１記載の半導
体レーザ素子。 - 【請求項３】 波長７８０nm付近のレーザ発光が可能な
レーザ部と、波長６４０nm付近のレーザ発光が可能なレ
ーザ部を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の半
導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9284353A JPH11112108A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9284353A JPH11112108A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112108A true JPH11112108A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17677498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9284353A Pending JPH11112108A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11112108A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000004614A1 (en) * | 1998-07-14 | 2000-01-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JP2001236675A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置 |
| US6771586B2 (en) | 2001-01-19 | 2004-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element, method for manufacturing the same, and optical pickup using the same |
| US7374959B2 (en) | 2004-03-31 | 2008-05-20 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Two-wavelength semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP9284353A patent/JPH11112108A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000004614A1 (en) * | 1998-07-14 | 2000-01-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US6456635B1 (en) | 1998-07-14 | 2002-09-24 | Sharp Kabushiki Kaishiki | Semiconductor laser device |
| JP2001236675A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置 |
| US6771586B2 (en) | 2001-01-19 | 2004-08-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element, method for manufacturing the same, and optical pickup using the same |
| US7374959B2 (en) | 2004-03-31 | 2008-05-20 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Two-wavelength semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
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