JPH11114340A - 半導体装備の空気流入装置及びこれを用いた化学物汚染除去方法 - Google Patents
半導体装備の空気流入装置及びこれを用いた化学物汚染除去方法Info
- Publication number
- JPH11114340A JPH11114340A JP10144819A JP14481998A JPH11114340A JP H11114340 A JPH11114340 A JP H11114340A JP 10144819 A JP10144819 A JP 10144819A JP 14481998 A JP14481998 A JP 14481998A JP H11114340 A JPH11114340 A JP H11114340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- air
- filter
- chemical
- contaminants
- suction means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
- B01D53/04—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography with stationary adsorbents
- B01D53/0407—Constructional details of adsorbing systems
- B01D53/0446—Means for feeding or distributing gases
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
- B01D46/0027—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with additional separating or treating functions
- B01D46/0036—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with additional separating or treating functions by adsorption or absorption
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
- B01D46/54—Particle separators, e.g. dust precipitators, using ultra-fine filter sheets or diaphragms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
- B01D46/56—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition
- B01D46/62—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition connected in series
- B01D46/64—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition connected in series arranged concentrically or coaxially
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/02—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography
- B01D53/04—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by adsorption, e.g. preparative gas chromatography with stationary adsorbents
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2253/00—Adsorbents used in seperation treatment of gases and vapours
- B01D2253/10—Inorganic adsorbents
- B01D2253/102—Carbon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/10—Single element gases other than halogens
- B01D2257/106—Ozone
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2273/00—Operation of filters specially adapted for separating dispersed particles from gases or vapours
- B01D2273/30—Means for generating a circulation of a fluid in a filtration system, e.g. using a pump or a fan
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
- Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｏ3のような化学物の汚染が、半導体装備に
流入されることを抑制しうる半導体装備の空気流入装置
及びこれを用いた化学物汚染除去方法を提供する。 【解決手段】 プリフィルター１００と、空気吸入手段
１０２のファンと、ＨＥＰＡフィルター１０８とで構成
された空気流入装置に炭素よりなる活性炭を胴体とする
化学フィルター１０４をさらに構成して、空気流入装置
を通して流入される空気中の化学物の汚染成分を除去す
る。このような半導体装置の空気流入装置を自然酸化膜
に敏感な工程、例えば、ＨＳＧ形成工程に使われるＣＶ
Ｄ装備に設けるとＯ3濃度を減少させて高いキャパシタ
ンスが得られる。
流入されることを抑制しうる半導体装備の空気流入装置
及びこれを用いた化学物汚染除去方法を提供する。 【解決手段】 プリフィルター１００と、空気吸入手段
１０２のファンと、ＨＥＰＡフィルター１０８とで構成
された空気流入装置に炭素よりなる活性炭を胴体とする
化学フィルター１０４をさらに構成して、空気流入装置
を通して流入される空気中の化学物の汚染成分を除去す
る。このような半導体装置の空気流入装置を自然酸化膜
に敏感な工程、例えば、ＨＳＧ形成工程に使われるＣＶ
Ｄ装備に設けるとＯ3濃度を減少させて高いキャパシタ
ンスが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装備に
係り、特に半導体製造装備に設けられる空気流入装置
(Air intake apparatus) に関する。
係り、特に半導体製造装備に設けられる空気流入装置
(Air intake apparatus) に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細粒子または化学物による汚染等は、
高集積化された半導体素子の製造工程で半導体素子の品
質に悪影響を及ぼす。特に、デザインルールが０．１８
μｍの１Ｇ ＤＲＡＭのような超集積化された半導体素
子においては、微細粒子または化学物汚染の影響は従来
に考えられなかった部門でも発生し、これを抑制するた
めに細かく検討して注意すべきである。このような観点
から、既存の超集積化された半導体素子を製造するため
に使われた半導体装備に対する再評価が行われるべきで
あり、特に、微細粒子または化学物汚染のような環境要
因によって工程変数を有しうる工程及び半導体装備に対
する細密な検討が必要である。一般の半導体素子を製造
するための半導体装備には、半導体装備 (equipment fo
r semiconductor fabrication) の内部に流入される粒
子を遮断するために多種のフィルターが使われている。
しかし、大部のフィルターは固体粒子、即ち粒子汚染成
分のみを除去でき、化学的汚染成分は除去できない。こ
れにより、空気中に存在するオゾン（Ｏ3）、酸素と窒
素との化合物（ＮＯX）、及び酸素と硫黄との化合物
（ＳＯX）等は、半導体装備に設置されたフィルターで
除去されることなくフィルターを通過して半導体装備内
に流入される。流入されたＯ3、ＮＯX、及びＳＯX等
は、加工中のウェハに化学的反応を起こして品質に悪影
響をおよぼす。このような、化学物汚染成分が半導体素
子の品質に影響を及ぼす半導体装備は数多くあるが、自
然酸化膜に敏感なＨＳＧ (Hemispherical poly Silicon
Grain) 工程に使用されるＣＶＤ半導体装備ではさらに
激しい。
高集積化された半導体素子の製造工程で半導体素子の品
質に悪影響を及ぼす。特に、デザインルールが０．１８
μｍの１Ｇ ＤＲＡＭのような超集積化された半導体素
子においては、微細粒子または化学物汚染の影響は従来
に考えられなかった部門でも発生し、これを抑制するた
めに細かく検討して注意すべきである。このような観点
から、既存の超集積化された半導体素子を製造するため
に使われた半導体装備に対する再評価が行われるべきで
あり、特に、微細粒子または化学物汚染のような環境要
因によって工程変数を有しうる工程及び半導体装備に対
する細密な検討が必要である。一般の半導体素子を製造
するための半導体装備には、半導体装備 (equipment fo
r semiconductor fabrication) の内部に流入される粒
子を遮断するために多種のフィルターが使われている。
しかし、大部のフィルターは固体粒子、即ち粒子汚染成
分のみを除去でき、化学的汚染成分は除去できない。こ
れにより、空気中に存在するオゾン（Ｏ3）、酸素と窒
素との化合物（ＮＯX）、及び酸素と硫黄との化合物
（ＳＯX）等は、半導体装備に設置されたフィルターで
除去されることなくフィルターを通過して半導体装備内
に流入される。流入されたＯ3、ＮＯX、及びＳＯX等
は、加工中のウェハに化学的反応を起こして品質に悪影
響をおよぼす。このような、化学物汚染成分が半導体素
子の品質に影響を及ぼす半導体装備は数多くあるが、自
然酸化膜に敏感なＨＳＧ (Hemispherical poly Silicon
Grain) 工程に使用されるＣＶＤ半導体装備ではさらに
激しい。
【０００３】図１及び図２は、従来の半導体装備の空気
流入装置を示す概略図である。図１は、空気流入経路が
比較的に長い所で主に使われる空気流入装置であり、図
２は、空気流入経路の短い所で用いられる空気流入装置
である。このような空気流入装置は、外部の空気を半導
体装備内に吸入するためのファン１０，２０と、吸入さ
れた空気の粒子、即ち粒子汚染成分を除去するためのＨ
ＥＰＡフィルター (High Efficiency Particle Air Fil
ter) １２，２２とで構成される。即ち、外部の空気を
ファン１０，２０を通して吸入した後、空気中の粒子汚
染成分をＨＥＰＡフィルター１２，２２を用いて除去す
る方式である。ここで、図１の部材番号１４は、プリフ
ィルター (Pre-filter) であって、ファン１０を通して
流入される空気の粒子汚染成分をファン１０の前で先に
除去する機能を行う。
流入装置を示す概略図である。図１は、空気流入経路が
比較的に長い所で主に使われる空気流入装置であり、図
２は、空気流入経路の短い所で用いられる空気流入装置
である。このような空気流入装置は、外部の空気を半導
体装備内に吸入するためのファン１０，２０と、吸入さ
れた空気の粒子、即ち粒子汚染成分を除去するためのＨ
ＥＰＡフィルター (High Efficiency Particle Air Fil
ter) １２，２２とで構成される。即ち、外部の空気を
ファン１０，２０を通して吸入した後、空気中の粒子汚
染成分をＨＥＰＡフィルター１２，２２を用いて除去す
る方式である。ここで、図１の部材番号１４は、プリフ
ィルター (Pre-filter) であって、ファン１０を通して
流入される空気の粒子汚染成分をファン１０の前で先に
除去する機能を行う。
【０００４】しかし、前述した半導体装備の空気流入装
置の問題点は、空気中に残留する化学物汚染成分の
Ｏ3、ＮＯX、及びＳＯXなどを除去できないために、こ
のような化学物汚染成分が半導体装備内に流入されて加
工中の半導体素子の品質に悪影響を及ぼす問題点があ
る。特に、自然酸化膜に敏感なＨＳＧ工程のためのＣＶ
Ｄ装備では、半導体素子の性能が劣る問題点がさらに激
しい。
置の問題点は、空気中に残留する化学物汚染成分の
Ｏ3、ＮＯX、及びＳＯXなどを除去できないために、こ
のような化学物汚染成分が半導体装備内に流入されて加
工中の半導体素子の品質に悪影響を及ぼす問題点があ
る。特に、自然酸化膜に敏感なＨＳＧ工程のためのＣＶ
Ｄ装備では、半導体素子の性能が劣る問題点がさらに激
しい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する技術的課題は、半導体装備に設けられる空気流入装
置に化学物汚染を除去するための化学フィルターを設
け、半導体装備内に流入される化学物汚染を除去して半
導体装備で加工される半導体素子の性能を向上させうる
半導体装備の空気流入装置を提供することにある。
する技術的課題は、半導体装備に設けられる空気流入装
置に化学物汚染を除去するための化学フィルターを設
け、半導体装備内に流入される化学物汚染を除去して半
導体装備で加工される半導体素子の性能を向上させうる
半導体装備の空気流入装置を提供することにある。
【０００６】本発明が解決しようとする他の技術的課題
は、前記空気流入装置を用いて化学物汚染を除去しうる
化学物汚染除去方法を提供することにある。
は、前記空気流入装置を用いて化学物汚染を除去しうる
化学物汚染除去方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記技術的課題を達成す
るための本発明の一側面によれば、外部の空気を流入す
るための空気吸入手段と、前記空気吸入手段を通過した
空気の化学物汚染成分を除去する化学フィルターと、前
記化学フィルターを通過した空気の粒子汚染成分を除去
するＨＥＰＡフィルターと、を順次に具備することを特
徴とする半導体装備の空気流入装置を提供する。
るための本発明の一側面によれば、外部の空気を流入す
るための空気吸入手段と、前記空気吸入手段を通過した
空気の化学物汚染成分を除去する化学フィルターと、前
記化学フィルターを通過した空気の粒子汚染成分を除去
するＨＥＰＡフィルターと、を順次に具備することを特
徴とする半導体装備の空気流入装置を提供する。
【０００８】また、本発明の他の側面によれば、外部の
空気を流入するための空気吸入手段と、前記空気吸入手
段を通過した空気の粒子汚染成分を除去するＨＥＰＡフ
ィルターと、前記ＨＥＰＡフィルターを通過した空気の
化学物汚染成分を除去する化学フィルターと、を順次に
具備することを特徴とする半導体装備の空気流入装置を
提供する。
空気を流入するための空気吸入手段と、前記空気吸入手
段を通過した空気の粒子汚染成分を除去するＨＥＰＡフ
ィルターと、前記ＨＥＰＡフィルターを通過した空気の
化学物汚染成分を除去する化学フィルターと、を順次に
具備することを特徴とする半導体装備の空気流入装置を
提供する。
【０００９】本発明の望ましい実施の形態によれば、前
記空気吸入手段の前にプリフィルターをさらに具備し、
前記化学フィルターとＨＥＰＡフィルターとの間に、圧
損を補充するためのファンをさらに具備することが望ま
しい。また、前記空気吸入手段は、ファンであることが
望ましく、前記プリフィルターの空気流入孔は、前記Ｈ
ＥＰＡフィルターの空気流入孔より大径であることが好
適である。
記空気吸入手段の前にプリフィルターをさらに具備し、
前記化学フィルターとＨＥＰＡフィルターとの間に、圧
損を補充するためのファンをさらに具備することが望ま
しい。また、前記空気吸入手段は、ファンであることが
望ましく、前記プリフィルターの空気流入孔は、前記Ｈ
ＥＰＡフィルターの空気流入孔より大径であることが好
適である。
【００１０】望ましくは、前記化学フィルターは、活性
炭を含む構造であって、活性炭を含む胴体に空気流入孔
が形成された構造であることが好適である。
炭を含む構造であって、活性炭を含む胴体に空気流入孔
が形成された構造であることが好適である。
【００１１】前記他の技術的課題を達成するための本発
明の一側面によれば、外部の空気を流入するための空気
吸入手段と、前記空気の化学物汚染成分を除去する化学
フィルターと、前記空気の粒子汚染成分を除去するＨＥ
ＰＡフィルターと、を順次に具備する半導体装備の空気
流入装置を用いた化学物汚染の除去方法において、大気
中の空気を前記空気吸入手段を用いて装備中に吸入する
段階と、前記吸入された空気中の化学物汚染成分を前記
化学フィルターを用いて除去する段階と、前記化学物汚
染成分の除去された空気中の粒子汚染成分を前記ＨＥＰ
Ａフィルターを用いて除去する段階と、を具備すること
を特徴とする化学物汚染除去方法を提供する。
明の一側面によれば、外部の空気を流入するための空気
吸入手段と、前記空気の化学物汚染成分を除去する化学
フィルターと、前記空気の粒子汚染成分を除去するＨＥ
ＰＡフィルターと、を順次に具備する半導体装備の空気
流入装置を用いた化学物汚染の除去方法において、大気
中の空気を前記空気吸入手段を用いて装備中に吸入する
段階と、前記吸入された空気中の化学物汚染成分を前記
化学フィルターを用いて除去する段階と、前記化学物汚
染成分の除去された空気中の粒子汚染成分を前記ＨＥＰ
Ａフィルターを用いて除去する段階と、を具備すること
を特徴とする化学物汚染除去方法を提供する。
【００１２】また、本発明の他の側面によれば、空気吸
入手段と、ＨＥＰＡフィルターと、化学フィルターとを
含んで構成される半導体装備の空気流入装置を用いた化
学物汚染の除去方法において、大気中の空気を前記空気
吸入手段を用いて装備中に吸入する段階と、前記吸入さ
れた空気中の粒子汚染成分を前記ＨＥＰＡフィルターを
用いて除去する段階と、前記粒子汚染成分の除去された
空気中の化学物汚染成分を前記化学フィルターを用いて
除去する段階と、を具備することを特徴とする化学物汚
染除去方法を提供する。
入手段と、ＨＥＰＡフィルターと、化学フィルターとを
含んで構成される半導体装備の空気流入装置を用いた化
学物汚染の除去方法において、大気中の空気を前記空気
吸入手段を用いて装備中に吸入する段階と、前記吸入さ
れた空気中の粒子汚染成分を前記ＨＥＰＡフィルターを
用いて除去する段階と、前記粒子汚染成分の除去された
空気中の化学物汚染成分を前記化学フィルターを用いて
除去する段階と、を具備することを特徴とする化学物汚
染除去方法を提供する。
【００１３】本発明の望ましい実施の形態によれば、前
記空気吸入手段の前にプリフィルターをさらに具備し、
前記空気吸入手段を用いて大気中の空気を吸入する段階
の前にプリフィルターを用いて吸入される空気の粒子汚
染成分を先に除去する段階をさらに具備し、前記ＨＥＰ
Ａフィルターと化学フィルターとの間にファンをさらに
設けて空気の圧損を補充する段階をさらに具備すること
が望ましい。
記空気吸入手段の前にプリフィルターをさらに具備し、
前記空気吸入手段を用いて大気中の空気を吸入する段階
の前にプリフィルターを用いて吸入される空気の粒子汚
染成分を先に除去する段階をさらに具備し、前記ＨＥＰ
Ａフィルターと化学フィルターとの間にファンをさらに
設けて空気の圧損を補充する段階をさらに具備すること
が望ましい。
【００１４】望ましくは、前記プリフィルターの空気流
入孔は、ＨＥＰＡフィルターの空気流入孔より大径なも
のを使用し、前記空気吸入手段としてファンを使用し、
前記化学フィルターを用いて化学物汚染成分を除去する
段階は、化学フィルターの表面の活性炭成分が空気中の
オゾンを吸着して化学反応を起こすことが適合である。
入孔は、ＨＥＰＡフィルターの空気流入孔より大径なも
のを使用し、前記空気吸入手段としてファンを使用し、
前記化学フィルターを用いて化学物汚染成分を除去する
段階は、化学フィルターの表面の活性炭成分が空気中の
オゾンを吸着して化学反応を起こすことが適合である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付された図面に基づき本
発明の望ましい実施の形態を詳しく説明する。本明細書
における化学フィルターとは広義の化学フィルターを意
味し、特定形態や構造を限定することではない。前記望
ましい実施の形態では四角形の構造を持ち、活性炭を含
む胴体に空気流入孔が形成されているが、これを円状、
楕円状、及び多角状等の他の構造に変形可能である。ま
た、化学フィルターの空気流入孔が、‘Ｓ’字を連続に
配列した間に空気が流入されるが、これは容易に変形し
うる。従って、下記の望ましい実施の形態の内容は例示
的なものに過ぎなく、限定することではない。
発明の望ましい実施の形態を詳しく説明する。本明細書
における化学フィルターとは広義の化学フィルターを意
味し、特定形態や構造を限定することではない。前記望
ましい実施の形態では四角形の構造を持ち、活性炭を含
む胴体に空気流入孔が形成されているが、これを円状、
楕円状、及び多角状等の他の構造に変形可能である。ま
た、化学フィルターの空気流入孔が、‘Ｓ’字を連続に
配列した間に空気が流入されるが、これは容易に変形し
うる。従って、下記の望ましい実施の形態の内容は例示
的なものに過ぎなく、限定することではない。
【００１６】〔第１実施形態〕図３乃至図５は、本発明
の第１実施形態による半導体装備の空気流入装置及びこ
れを用いた化学物汚染除去方法を説明するために示す概
略図である。
の第１実施形態による半導体装備の空気流入装置及びこ
れを用いた化学物汚染除去方法を説明するために示す概
略図である。
【００１７】図３は、空気の流入経路の長い場合に使用
される本発明による半導体装備の空気流入装置を示す側
面概略図である。まず、外部から半導体装備（図示せ
ず）の空気流入装置に流入される空気は、プリフィルタ
ー１００を通って比較的に大きな粒子汚染成分が１次的
に除去される。次いで、空気吸入手段１０２の第１ファ
ンを通ってフィルタリングのために空気流入装置内に流
入される。
される本発明による半導体装備の空気流入装置を示す側
面概略図である。まず、外部から半導体装備（図示せ
ず）の空気流入装置に流入される空気は、プリフィルタ
ー１００を通って比較的に大きな粒子汚染成分が１次的
に除去される。次いで、空気吸入手段１０２の第１ファ
ンを通ってフィルタリングのために空気流入装置内に流
入される。
【００１８】流入された空気は、化学フィルター１０４
を経ながら空気中に残留する化学物汚染、例えばＯ3が
除去される。この際、空気の流入経路が長い場合には、
前記空気吸入手段１０２の第１ファンを通して吸入され
た空気の圧力が化学フィルター１０４を通過しながら減
少されることがある。従って、減少された圧力を補充す
るために第２ファン１０６を用いて化学フィルター１０
４を通過した空気が粒子汚染成分を除去するためのＨＥ
ＰＡフィルター１０８に到達させる。従って、ＨＥＰＡ
フィルター１０８では、空気汚染粒子を最終的に除去す
る。よって、本発明による半導体装備の空気流入装置
は、外部から供給される空気の粒子汚染成分のみなら
ず、化学物汚染成分も共に除去することにより半導体装
備で加工される半導体素子の性能を向上させうる。
を経ながら空気中に残留する化学物汚染、例えばＯ3が
除去される。この際、空気の流入経路が長い場合には、
前記空気吸入手段１０２の第１ファンを通して吸入され
た空気の圧力が化学フィルター１０４を通過しながら減
少されることがある。従って、減少された圧力を補充す
るために第２ファン１０６を用いて化学フィルター１０
４を通過した空気が粒子汚染成分を除去するためのＨＥ
ＰＡフィルター１０８に到達させる。従って、ＨＥＰＡ
フィルター１０８では、空気汚染粒子を最終的に除去す
る。よって、本発明による半導体装備の空気流入装置
は、外部から供給される空気の粒子汚染成分のみなら
ず、化学物汚染成分も共に除去することにより半導体装
備で加工される半導体素子の性能を向上させうる。
【００１９】ここで、プリフィルター１００は、ＨＥＰ
Ａフィルター１０８と同様に空気中の粒子を除去する機
能をするが、プリフィルター１００に形成された空気流
入孔がＨＥＰＡフィルター１０８に形成された空気流入
孔より大径である。従って、プリフィルター１００で
は、ＨＥＰＡフィルター１０８より大きな粒子が主に除
去される。
Ａフィルター１０８と同様に空気中の粒子を除去する機
能をするが、プリフィルター１００に形成された空気流
入孔がＨＥＰＡフィルター１０８に形成された空気流入
孔より大径である。従って、プリフィルター１００で
は、ＨＥＰＡフィルター１０８より大きな粒子が主に除
去される。
【００２０】図４は、空気の流入経路が短い場合に使用
される本発明による半導体装備の空気流入装置を示す側
面概略図である。図３に比べると、プリフィルター１０
０、空気吸入手段１０２の第１ファン、化学フィルター
１０４及びＨＥＰＡフィルター１０８は同一であるが、
化学フィルター１０４とＨＥＰＡフィルター１０８との
間には、第２ファンが設置されていない。これは、空気
の流入経路が短いために、空気が化学フィルター１０４
を通過した後に圧損が発生されないからである。即ち、
全体空気の流入経路が短くて圧損がほとんど発生されな
い場合に有効である。
される本発明による半導体装備の空気流入装置を示す側
面概略図である。図３に比べると、プリフィルター１０
０、空気吸入手段１０２の第１ファン、化学フィルター
１０４及びＨＥＰＡフィルター１０８は同一であるが、
化学フィルター１０４とＨＥＰＡフィルター１０８との
間には、第２ファンが設置されていない。これは、空気
の流入経路が短いために、空気が化学フィルター１０４
を通過した後に圧損が発生されないからである。即ち、
全体空気の流入経路が短くて圧損がほとんど発生されな
い場合に有効である。
【００２１】図５は、前記図３及び図４で使用される化
学フィルターの拡大斜視図である。詳しく説明すれば、
一般のフィルターの表面に化学処理を行うことにより通
過する気体、即ち空気中に残留する化学的な汚染成分を
吸着して化学反応を起こすフィルターである。本発明で
使用される化学フィルターは、空気中のＯ3成分を除去
するためのフィルターであって、化学フィルター胴体１
１０の表面は活性炭を含む。そして、化学フィルター胴
体１１０には、空気流入孔１１２が形成されている。
学フィルターの拡大斜視図である。詳しく説明すれば、
一般のフィルターの表面に化学処理を行うことにより通
過する気体、即ち空気中に残留する化学的な汚染成分を
吸着して化学反応を起こすフィルターである。本発明で
使用される化学フィルターは、空気中のＯ3成分を除去
するためのフィルターであって、化学フィルター胴体１
１０の表面は活性炭を含む。そして、化学フィルター胴
体１１０には、空気流入孔１１２が形成されている。
【００２２】ここで、化学フィルターの胴体１１０の最
上層１１４には、‘Ｓ’字形に反復配列されて活性炭成
分が最大に広く形成されるようになっている。従って、
空気流入孔１１２を通過するＯ3、ＮＯX、及びＳＯXな
どの化学物汚染成分に含まれた酸素が活性炭の炭素に吸
着されてＣＯ2を形成するようになっている。つまり、
酸素と炭素とが相互吸着してＣＯ2を形成することによ
り、化学フィルターを通過するＯ3成分が除去される。
このような‘Ｓ’字形が反復配列された化学フィルター
の胴体１１０は、複数層で構成することが望ましい。最
上層１１４の下部層１１６では、空気流入孔が‘Ｓ’字
形に反復配列された形態を９０度回転させた‘∽’字形
が反復配列された形にする。従って、化学フィルターを
通過する間に、空気中にある化学物汚染成分中の酸素が
活性炭の炭素と反応しうる機会を増加させることによ
り、Ｏ3除去が効率よく行われる。従って、前述した化
学フィルターは、胴体が‘Ｓ’字形に反復配列された形
態の層と、‘∽’字形に反復配列された形態の層とを交
番に積層された形で構成してＯ3除去効果が高められ
る。ここで、部材番号１１８は、前記化学フィルターを
半導体装備に装着する時使用される化学フィルター装着
部を示す。
上層１１４には、‘Ｓ’字形に反復配列されて活性炭成
分が最大に広く形成されるようになっている。従って、
空気流入孔１１２を通過するＯ3、ＮＯX、及びＳＯXな
どの化学物汚染成分に含まれた酸素が活性炭の炭素に吸
着されてＣＯ2を形成するようになっている。つまり、
酸素と炭素とが相互吸着してＣＯ2を形成することによ
り、化学フィルターを通過するＯ3成分が除去される。
このような‘Ｓ’字形が反復配列された化学フィルター
の胴体１１０は、複数層で構成することが望ましい。最
上層１１４の下部層１１６では、空気流入孔が‘Ｓ’字
形に反復配列された形態を９０度回転させた‘∽’字形
が反復配列された形にする。従って、化学フィルターを
通過する間に、空気中にある化学物汚染成分中の酸素が
活性炭の炭素と反応しうる機会を増加させることによ
り、Ｏ3除去が効率よく行われる。従って、前述した化
学フィルターは、胴体が‘Ｓ’字形に反復配列された形
態の層と、‘∽’字形に反復配列された形態の層とを交
番に積層された形で構成してＯ3除去効果が高められ
る。ここで、部材番号１１８は、前記化学フィルターを
半導体装備に装着する時使用される化学フィルター装着
部を示す。
【００２３】次いで、前記図３乃至図５に基づき前記半
導体装備の空気流入装置を用いた化学物汚染除去方法を
説明する。
導体装備の空気流入装置を用いた化学物汚染除去方法を
説明する。
【００２４】まず、図３の空気吸入手段１０２の第１フ
ァンを稼動させて外部から空気を吸入する。この際、空
気吸入手段１０２の前にはプリフィルター１００が設け
られ、吸入される空気の粒子汚染成分のうち大きなもの
１次除去する。次いで、前記吸入された空気が、化学フ
ィルター１０４の空気流入孔１１２（図５）を通過す
る。この際、空気中の化学物汚染成分、即ちＯ3、Ｎ
ＯX、及びＳＯX等にある酸素が化学フィルターの胴体１
１０を構成する活性炭内の炭素と結合してＣＯ2を生成
することにより空気中のＯ3が除去される。この際、空
気の流入経路が長い場合には、化学フィルター１０４を
通過しながら圧損が発生されるが、この圧損は、化学フ
ィルター１０４とＨＥＰＡフィルター１０８との間の第
２ファン１０６を稼動させることにより補充される。も
し、空気の流入経路が短い場合には、化学フィルター１
０４を通過しながら圧損がほとんど発生しないので、第
２ファン１０６を使用しなくても良い。最終的に、前記
第２ファン１０６の作動によりＨＥＰＡフィルター１０
８に到達した空気中の微細粒子汚染成分を２次除去す
る。ここで、ＨＥＰＡフィルター１０８にある空気流入
孔をプリフィルター１００より小径にし、微細粒子汚染
成分の２次除去を行う。
ァンを稼動させて外部から空気を吸入する。この際、空
気吸入手段１０２の前にはプリフィルター１００が設け
られ、吸入される空気の粒子汚染成分のうち大きなもの
１次除去する。次いで、前記吸入された空気が、化学フ
ィルター１０４の空気流入孔１１２（図５）を通過す
る。この際、空気中の化学物汚染成分、即ちＯ3、Ｎ
ＯX、及びＳＯX等にある酸素が化学フィルターの胴体１
１０を構成する活性炭内の炭素と結合してＣＯ2を生成
することにより空気中のＯ3が除去される。この際、空
気の流入経路が長い場合には、化学フィルター１０４を
通過しながら圧損が発生されるが、この圧損は、化学フ
ィルター１０４とＨＥＰＡフィルター１０８との間の第
２ファン１０６を稼動させることにより補充される。も
し、空気の流入経路が短い場合には、化学フィルター１
０４を通過しながら圧損がほとんど発生しないので、第
２ファン１０６を使用しなくても良い。最終的に、前記
第２ファン１０６の作動によりＨＥＰＡフィルター１０
８に到達した空気中の微細粒子汚染成分を２次除去す
る。ここで、ＨＥＰＡフィルター１０８にある空気流入
孔をプリフィルター１００より小径にし、微細粒子汚染
成分の２次除去を行う。
【００２５】〔第２実施形態〕図６及び図７は、本発明
の第２実施形態による半導体装備の空気流入装置及びこ
れを用いた化学物汚染除去方法を説明するために示す概
略図である。
の第２実施形態による半導体装備の空気流入装置及びこ
れを用いた化学物汚染除去方法を説明するために示す概
略図である。
【００２６】第１実施形態では、空気吸入手段、即ち第
１ファンの次に化学フィルターを設けたが、第２実施形
態では、第１ファンの次にＨＥＰＡフィルターを先に設
置してから化学フィルターを設けるという点で差があ
る。この際、化学フィルターの活性炭成分が空気流入装
置内で新たな汚染源とならないように作られた化学フィ
ルターを使用することが望ましい。
１ファンの次に化学フィルターを設けたが、第２実施形
態では、第１ファンの次にＨＥＰＡフィルターを先に設
置してから化学フィルターを設けるという点で差があ
る。この際、化学フィルターの活性炭成分が空気流入装
置内で新たな汚染源とならないように作られた化学フィ
ルターを使用することが望ましい。
【００２７】図６は、本発明の第２実施形態による半導
体装備の空気流入装置の側面概略図であって、主に空気
の流入経路が長い所に適する。このような空気流入装置
の構成は、空気が外部から流入される経路の前端にある
プリフィルター２００と、空気吸入手段２０２の第１フ
ァンと、前記空気吸入手段２０２の次に設けられたＨＥ
ＰＡフィルター２０８と、圧損を補充するための第２フ
ァン２０６と、後端にある化学フィルター２０４とで構
成される。前記空気流入装置を構成する構成部材の構造
と役割は、第１実施形態と重複されるので説明を略す。
体装備の空気流入装置の側面概略図であって、主に空気
の流入経路が長い所に適する。このような空気流入装置
の構成は、空気が外部から流入される経路の前端にある
プリフィルター２００と、空気吸入手段２０２の第１フ
ァンと、前記空気吸入手段２０２の次に設けられたＨＥ
ＰＡフィルター２０８と、圧損を補充するための第２フ
ァン２０６と、後端にある化学フィルター２０４とで構
成される。前記空気流入装置を構成する構成部材の構造
と役割は、第１実施形態と重複されるので説明を略す。
【００２８】図７は、本発明の第２実施形態による半導
体装備の空気流入装置の側面概略図であって、主に空気
流入経路が短い所に適する。図６との差は、空気の流入
される経路が短くてＨＥＰＡフィルター２０８を通過し
た後にも圧損の影響がほとんどないので、第２ファンを
さらに構成しなかったという点である。それ以外は、図
６と同一である。
体装備の空気流入装置の側面概略図であって、主に空気
流入経路が短い所に適する。図６との差は、空気の流入
される経路が短くてＨＥＰＡフィルター２０８を通過し
た後にも圧損の影響がほとんどないので、第２ファンを
さらに構成しなかったという点である。それ以外は、図
６と同一である。
【００２９】次いで、前記図６及び図７に基づき本発明
の第２実施形態による半導体装備の空気流入装置を用い
た化学物汚染除去方法を説明する。
の第２実施形態による半導体装備の空気流入装置を用い
た化学物汚染除去方法を説明する。
【００３０】まず、図６の空気吸入手段２０２の第１フ
ァンを稼動させて半導体装備の外部から空気を吸入す
る。この際、空気吸入手段２０２の前には、プリフィル
ター２００が設けられて吸入される空気の粒子汚染成分
のうち大きなものを１次除去する。次いで、前記吸入さ
れた空気をＨＥＰＡフィルター２０８に通過させて微細
粒子汚染成分を２次除去する。ここで、空気の流入経路
が長い場合にはＨＥＰＡフィルター２０８を通過しなが
ら圧損が発生されるが、これをＨＥＰＡフィルター２０
８と化学フィルター２０４との間の第２ファン２０６を
稼動させて圧損を補充する。もし、空気の流入経路が短
いためＨＥＰＡフィルター２０８を通過しながら圧損が
あまり発生されない場合には、第２ファン２０６を使用
しなくても良い。最終的に、前記第２ファン２０６によ
り化学フィルター２０４に到達した空気中の化学物汚染
成分、即ちＯ3、ＮＯX、及びＳＯX等にある酸素が化学
フィルターの空気流入孔を通過しながら胴体を構成する
活性炭内の炭素と結合してＣＯ2を生成して空気中のＯ3
を除去する。
ァンを稼動させて半導体装備の外部から空気を吸入す
る。この際、空気吸入手段２０２の前には、プリフィル
ター２００が設けられて吸入される空気の粒子汚染成分
のうち大きなものを１次除去する。次いで、前記吸入さ
れた空気をＨＥＰＡフィルター２０８に通過させて微細
粒子汚染成分を２次除去する。ここで、空気の流入経路
が長い場合にはＨＥＰＡフィルター２０８を通過しなが
ら圧損が発生されるが、これをＨＥＰＡフィルター２０
８と化学フィルター２０４との間の第２ファン２０６を
稼動させて圧損を補充する。もし、空気の流入経路が短
いためＨＥＰＡフィルター２０８を通過しながら圧損が
あまり発生されない場合には、第２ファン２０６を使用
しなくても良い。最終的に、前記第２ファン２０６によ
り化学フィルター２０４に到達した空気中の化学物汚染
成分、即ちＯ3、ＮＯX、及びＳＯX等にある酸素が化学
フィルターの空気流入孔を通過しながら胴体を構成する
活性炭内の炭素と結合してＣＯ2を生成して空気中のＯ3
を除去する。
【００３１】〔実験例〕図８乃至図１０は、本発明によ
る空気流入装置をＨＳＧ工程に使用されるＣＶＤ装備に
適用した結果を説明するために示すグラフである。
る空気流入装置をＨＳＧ工程に使用されるＣＶＤ装備に
適用した結果を説明するために示すグラフである。
【００３２】ＨＳＧ工程は、ＤＲＡＭを構成するキャパ
シタの下部電極の表面積を増加させてキャパシタンスを
増加させる工程であって、集積度の高いＤＲＡＭの製造
工程で採択されている。このような表面積を増加させる
方法は、下部電極の表面に半球状のグレーンを形成する
ことでなされる。このようなＨＳＧの形成メカニズム
は、キャパシタの下部電極を構成するポリシリコン上に
小さなポリシリコンシードを先に形成する。次いで、小
さなポリシリコンシードの形成されたキャパシタの下部
電極に適当な温度と真空の環境を設定した後、小さなポ
リシリコンシードを中心に周辺の下部電極のポリシリコ
ン原子をマイグレーションさせて小さなポリシリコンシ
ードをキャパシタの下部電極の表面にグレーンのように
成長させることである。
シタの下部電極の表面積を増加させてキャパシタンスを
増加させる工程であって、集積度の高いＤＲＡＭの製造
工程で採択されている。このような表面積を増加させる
方法は、下部電極の表面に半球状のグレーンを形成する
ことでなされる。このようなＨＳＧの形成メカニズム
は、キャパシタの下部電極を構成するポリシリコン上に
小さなポリシリコンシードを先に形成する。次いで、小
さなポリシリコンシードの形成されたキャパシタの下部
電極に適当な温度と真空の環境を設定した後、小さなポ
リシリコンシードを中心に周辺の下部電極のポリシリコ
ン原子をマイグレーションさせて小さなポリシリコンシ
ードをキャパシタの下部電極の表面にグレーンのように
成長させることである。
【００３３】しかし、ＨＳＧを形成する工程に使用され
るＣＶＤ装備の空気流入装置において、化学物汚染源、
例えばＯ3がフィルタリングされなく装備内に流入され
ると、下部電極のポリシリコンの表面に自然酸化膜（Ｓ
ｉＯ2）が形成される。このようなＳｉＯ2は、小さなポ
リシリコンシードの周辺にあるポリシリコン原子がマイ
グレーションされることを妨害する障害要因と作用す
る。これによりＨＳＧの大きさを縮少させることにより
ＤＲＡＭの性能が劣る原因となる。
るＣＶＤ装備の空気流入装置において、化学物汚染源、
例えばＯ3がフィルタリングされなく装備内に流入され
ると、下部電極のポリシリコンの表面に自然酸化膜（Ｓ
ｉＯ2）が形成される。このようなＳｉＯ2は、小さなポ
リシリコンシードの周辺にあるポリシリコン原子がマイ
グレーションされることを妨害する障害要因と作用す
る。これによりＨＳＧの大きさを縮少させることにより
ＤＲＡＭの性能が劣る原因となる。
【００３４】図８は、ＨＳＧ成長工程でＣＶＤ装備内の
Ｏ3濃度を変化させながら下部電極のポリシリコン表面
における反射率を測定した結果を示すグラフである。一
般にＯ3が半導体装備内に流入されると、自然酸化膜を
形成させて反射率を増加させる。グラフでＸ軸はＯ3濃
度（ｐｐｂ）を、Ｙ軸は反射率を各々示す。グラフから
わかるようにＯ3濃度と反射率（ＲＩ）との関係は正比
例の関係を示す。即ち、Ｏ3濃度が増加すると、反射率
はＯ3により形成された自然酸化膜の影響で高まること
がわかる。
Ｏ3濃度を変化させながら下部電極のポリシリコン表面
における反射率を測定した結果を示すグラフである。一
般にＯ3が半導体装備内に流入されると、自然酸化膜を
形成させて反射率を増加させる。グラフでＸ軸はＯ3濃
度（ｐｐｂ）を、Ｙ軸は反射率を各々示す。グラフから
わかるようにＯ3濃度と反射率（ＲＩ）との関係は正比
例の関係を示す。即ち、Ｏ3濃度が増加すると、反射率
はＯ3により形成された自然酸化膜の影響で高まること
がわかる。
【００３５】図９は、ＨＳＧ成長工程でキャパシタの下
部電極の表面反射率とキャパシタの最小容量値 (Cmin：
minimum capacitance) との相関関係を測定した結果を
示すグラフである。グラフでＸ軸は反射率を、Ｙ軸は最
小容量値 (Cmin) を示す。ここで、反射率と最小容量値
(Cmin) とは反比例の関係を示すために反射率が大きく
なるほど最小容量値 (Cmin) は減少する。即ち、高い反
射率はＨＳＧ成長を阻害して高いキャパシタンスを具現
するに障害要因として作用することが分かる。即ち、図
８及び図９の結果から導出しうる結論は、Ｏ3濃度が増
加するほどキャパシタの下部電極の半球状のグレーン
(HSG) 構造は小さくなり、かつキャパシタンスが劣る。
部電極の表面反射率とキャパシタの最小容量値 (Cmin：
minimum capacitance) との相関関係を測定した結果を
示すグラフである。グラフでＸ軸は反射率を、Ｙ軸は最
小容量値 (Cmin) を示す。ここで、反射率と最小容量値
(Cmin) とは反比例の関係を示すために反射率が大きく
なるほど最小容量値 (Cmin) は減少する。即ち、高い反
射率はＨＳＧ成長を阻害して高いキャパシタンスを具現
するに障害要因として作用することが分かる。即ち、図
８及び図９の結果から導出しうる結論は、Ｏ3濃度が増
加するほどキャパシタの下部電極の半球状のグレーン
(HSG) 構造は小さくなり、かつキャパシタンスが劣る。
【００３６】図１０は、本発明による半導体装備の空気
流入装置をＨＳＧ工程に使用されるＣＤＶ装備の上面と
側面に設置した後、Ｏ3の除去能力を点検したグラフで
ある。ここで、‘○’で表された線は装備内におけるＯ
3濃度であって、本発明による空気流入装置で化学物汚
染成分、例えばＯ3が除去された状態である。そして
‘□’で表された線は装備外部のＯ3濃度であって化学
物汚染及び粒子汚染成分がフィルタリングされる前の状
態である。ここで、Ｘ軸は測定した時間帯を示し、Ｙ軸
はＯ3の濃度（ｐｐｂ）を各々示す。
流入装置をＨＳＧ工程に使用されるＣＤＶ装備の上面と
側面に設置した後、Ｏ3の除去能力を点検したグラフで
ある。ここで、‘○’で表された線は装備内におけるＯ
3濃度であって、本発明による空気流入装置で化学物汚
染成分、例えばＯ3が除去された状態である。そして
‘□’で表された線は装備外部のＯ3濃度であって化学
物汚染及び粒子汚染成分がフィルタリングされる前の状
態である。ここで、Ｘ軸は測定した時間帯を示し、Ｙ軸
はＯ3の濃度（ｐｐｂ）を各々示す。
【００３７】グラフから分かるように、本発明による半
導体装備の空気流入装置をＨＳＧ工程に使用されるＣＶ
Ｄ装備に設置する場合、装備内のＯ3濃度は半導体装備
の外部のＯ3濃度より大きく減少された。このような結
果を百分率で換算すると平均５７．３％が減少したこと
が分かる。つまり、減少されたＯ3濃度はＨＳＧ工程で
半球状のグレーン構造をさらに大きく成長させて狭い面
積でもキャパシタンスを高く増加させうる手段となるこ
とが分かる。
導体装備の空気流入装置をＨＳＧ工程に使用されるＣＶ
Ｄ装備に設置する場合、装備内のＯ3濃度は半導体装備
の外部のＯ3濃度より大きく減少された。このような結
果を百分率で換算すると平均５７．３％が減少したこと
が分かる。つまり、減少されたＯ3濃度はＨＳＧ工程で
半球状のグレーン構造をさらに大きく成長させて狭い面
積でもキャパシタンスを高く増加させうる手段となるこ
とが分かる。
【００３８】
【発明の効果】従って、前述した本発明によれば、半導
体素子の製造工程に使用される半導体装備の空気流入装
置に化学物汚染成分を除去しうる化学フィルターをさら
に構成して半導体装備内に流入される空気中の化学物汚
染成分を除去して化学物の汚染による半導体素子の特性
が低下される問題を改善しうる。
体素子の製造工程に使用される半導体装備の空気流入装
置に化学物汚染成分を除去しうる化学フィルターをさら
に構成して半導体装備内に流入される空気中の化学物汚
染成分を除去して化学物の汚染による半導体素子の特性
が低下される問題を改善しうる。
【００３９】本発明は、前記実施の形態に限定されず、
本発明が属する技術的思想内で当業者により多くの変形
が可能なのは明白である。
本発明が属する技術的思想内で当業者により多くの変形
が可能なのは明白である。
【図１】 従来の半導体装備の空気流入装置を示す概略
図である。
図である。
【図２】 従来の半導体装備の空気流入装置を示す概略
図である。
図である。
【図３】 本発明の第１実施形態による半導体装備の空
気流入装置及びこれを用いた化学物の汚染除去方法を説
明するために示す概略図である。
気流入装置及びこれを用いた化学物の汚染除去方法を説
明するために示す概略図である。
【図４】 本発明の第１実施形態による半導体装備の空
気流入装置及びこれを用いた化学物の汚染除去方法を説
明するために示す概略図である。
気流入装置及びこれを用いた化学物の汚染除去方法を説
明するために示す概略図である。
【図５】 図３及び図４で使用される化学フィルターの
拡大斜視図である。
拡大斜視図である。
【図６】 本発明の第２実施形態による半導体装備の空
気流入装置及びこれを用いた化学物の汚染除去方法を説
明するために示す概略図である。
気流入装置及びこれを用いた化学物の汚染除去方法を説
明するために示す概略図である。
【図７】 本発明の第２実施形態による半導体装備の空
気流入装置及びこれを用いた化学物の汚染除去方法を説
明するために示す概略図である。
気流入装置及びこれを用いた化学物の汚染除去方法を説
明するために示す概略図である。
【図８】 本発明による空気流入装置をＨＳＧ工程に使
用されるＣＶＤ半導体装備に適用した結果を説明するた
めに示すグラフである。
用されるＣＶＤ半導体装備に適用した結果を説明するた
めに示すグラフである。
【図９】 本発明による空気流入装置をＨＳＧ工程に使
用されるＣＶＤ半導体装備に適用した結果を説明するた
めに示すグラフである。
用されるＣＶＤ半導体装備に適用した結果を説明するた
めに示すグラフである。
【図１０】 本発明による空気流入装置をＨＳＧ工程に
使用されるＣＶＤ半導体装備に適用した結果を説明する
ために示すグラフである。
使用されるＣＶＤ半導体装備に適用した結果を説明する
ために示すグラフである。
【符号の説明】 １００ プリフィルター １０２ 空気吸入手段 １０４ 化学フィルター １０６ 第２ファン １０８ ＨＥＰＡフィルター １１０ 化学フィルター胴体 １１２ 空気流入孔 ２００ プリフィルター ２０２ 空気吸入手段 ２０４ 化学フィルター ２０６ 第２ファン ２０８ ＨＥＰＡフィルター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朴 榮奎 大韓民国ソウル特別市松坡區新川洞20−４ 番地眞珠アパート８棟1001號
Claims (22)
- 【請求項１】 外部の空気を流入するための空気吸入手
段と、 前記空気吸入手段を通過した空気の化学物汚染成分を除
去する化学フィルターと、 前記化学フィルターを通過した空気の粒子汚染成分を除
去するＨＥＰＡフィルターと、を順次に具備することを
特徴とする半導体装備の空気流入装置。 - 【請求項２】 前記空気吸入手段は、ファンであること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装備の空気流入装
置。 - 【請求項３】 前記半導体装備の空気流入装置は、前記
空気吸入手段の前に空気粒子汚染成分を除去しうるプリ
フィルターをさらに具備することを特徴とする請求項１
に記載の半導体装備の空気流入装置。 - 【請求項４】 前記プリフィルターの空気流入孔は、前
記ＨＥＰＡフィルターの空気流入孔より大径であること
を特徴とする請求項３に記載の半導体装備の空気流入装
置。 - 【請求項５】 前記化学フィルターとＨＥＰＡフィルタ
ーとの間に、圧損を補充するためのファンをさらに具備
することを特徴とする請求項１に記載の半導体装備の空
気流入装置。 - 【請求項６】 前記化学フィルターは、活性炭を含んで
いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装備の空
気流入装置。 - 【請求項７】 前記化学フィルターは、活性炭を含む胴
体に空気流入孔が形成された構造であることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体装備の空気流入装置。 - 【請求項８】 外部の空気を流入するための空気吸入手
段と、 前記空気吸入手段を通過した空気の粒子汚染成分を除去
するＨＥＰＡフィルターと、 前記ＨＥＰＡフィルターを通過した空気の化学物汚染成
分を除去する化学フィルターと、を順次に具備すること
を特徴とする半導体装備の空気流入装置。 - 【請求項９】 前記化学フィルターは、活性炭を含む胴
体に空気流入孔が形成された構造であることを特徴とす
る請求項８に記載の半導体装備の空気流入装置。 - 【請求項１０】 前記空気吸入手段は、ファンであるこ
とを特徴とする請求項８に記載の半導体装備の空気流入
装置。 - 【請求項１１】 外部の空気を流入するための空気吸入
手段と、 前記空気の化学物汚染成分を除去する化学フィルター
と、 前記空気の粒子汚染成分を除去するＨＥＰＡフィルター
と、を順次に具備する半導体装備の空気流入装置を用い
た化学物汚染の除去方法において、 大気中の空気を前記空気吸入手段を用いて装備中に吸入
する段階と、 前記吸入された空気中の化学物汚染成分を前記化学フィ
ルターを用いて除去する段階と、 前記化学物汚染成分の除去された空気中の粒子汚染成分
を前記ＨＥＰＡフィルターを用いて除去する段階と、を
具備することを特徴とする化学物汚染除去方法。 - 【請求項１２】 前記空気吸入手段を用いて大気中の空
気を吸入する段階は、前記空気吸入手段の前にプリフィ
ルターをさらに具備することにより、プリフィルターを
用いて吸入される空気の粒子汚染成分を除去する段階と
同時に進行されることを特徴とする請求項１１に記載の
化学物汚染除去方法。 - 【請求項１３】 前記プリフィルターの空気流入孔は、
ＨＥＰＡフィルターの空気流入孔より大径であることを
特徴とする請求項１２に記載の化学物汚染除去方法。 - 【請求項１４】 前記空気吸入手段としてファンを使用
することを特徴とする請求項１１に記載の化学物汚染除
去方法。 - 【請求項１５】 前記化学フィルターとＨＥＰＡフィル
ターとの間にファンをさらに具備して前記ＨＥＰＡフィ
ルターを用いて空気中の粒子汚染成分を除去する段階の
前に前記化学フィルターを通過した空気の圧損を補充す
る段階をさらに具備することを特徴とする請求項１１に
記載の化学物汚染除去方法。 - 【請求項１６】 前記化学フィルターを用いて化学物汚
染成分を除去する段階は、化学フィルターの表面の活性
炭成分が空気中のオゾンを吸着して化学反応を起こすこ
とを特徴とする請求項１１に記載の化学物汚染除去方
法。 - 【請求項１７】 外部の空気を流入するための空気吸入
手段と、 前記空気の粒子汚染成分を除去するＨＥＰＡフィルター
と、 前記空気の化学物汚染成分を除去する化学フィルター
と、を順次に具備する半導体装備の空気流入装置を用い
た化学物汚染の除去方法において、 大気中の空気を前記空気吸入手段を用いて装備中に吸入
する段階と、 前記吸入された空気中の粒子汚染成分を前記ＨＥＰＡフ
ィルターを用いて除去する段階と、 前記粒子汚染成分の除去された空気中の化学物汚染成分
を前記化学フィルターを用いて除去する段階と、を具備
することを特徴とする化学物汚染除去方法。 - 【請求項１８】 前記空気吸入手段の前にプリフィルタ
ーをさらに具備し、前記空気吸入手段を用いて大気中の
空気を吸入する段階の前にプリフィルターを用いて吸入
される空気の粒子汚染成分を先に除去する段階をさらに
具備することを特徴とする請求項１７に記載の化学物汚
染除去方法。 - 【請求項１９】 前記プリフィルターの空気流入孔は、
ＨＥＰＡフィルターの空気流入孔より大径であることを
特徴とする請求項１８に記載の化学物汚染除去方法。 - 【請求項２０】 前記空気吸入手段としてファンを使用
することを特徴とする請求項１７に記載の半導体装備の
空気流入装置。 - 【請求項２１】 前記ＨＥＰＡフィルターと化学フィル
ターとの間にファンをさらに具備し、前記化学フィルタ
ーを用いて空気中の化学物汚染成分を除去する段階の前
に空気の圧損を補充する段階をさらに具備することを特
徴とする請求項１７に記載の化学物汚染除去方法。 - 【請求項２２】 前記化学フィルターを用いて化学物汚
染成分を除去する段階は、化学フィルターの表面の活性
炭成分が空気中のオゾンを吸着して化学反応を起こすこ
とを特徴とする請求項１７に記載の化学物汚染除去方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970050374A KR19990027844A (ko) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 반도체장비의 공기유입장치 및 이를 이용한 화학물 오염 제거방법 |
| KR199750374 | 1997-09-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11114340A true JPH11114340A (ja) | 1999-04-27 |
| JP4184478B2 JP4184478B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=19522033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14481998A Expired - Fee Related JP4184478B2 (ja) | 1997-09-30 | 1998-05-26 | 半導体装備の空気流入装置及びこれを用いた化学物汚染除去方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6090188A (ja) |
| EP (1) | EP0904826B1 (ja) |
| JP (1) | JP4184478B2 (ja) |
| KR (2) | KR19990027844A (ja) |
| DE (1) | DE69827734T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001135697A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Sony Corp | 基板移載装置および基板の搬送方法 |
| JP2007122914A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及びそれに用いる製造装置 |
| JP2008093507A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ファンフィルターユニット |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6440190B1 (en) * | 2000-08-16 | 2002-08-27 | Michael E. Goyetche | Portable exhaust fan for removing airborne hazardous materials |
| KR100373843B1 (ko) * | 2000-11-02 | 2003-02-26 | (주)영인테크 | 챔버내 오염물 포집장치 |
| KR20030029247A (ko) * | 2001-10-05 | 2003-04-14 | 엘지전자 주식회사 | Ｉｓ-95ｃ 이중 모드 단말기에서의 루프 필터 회로 |
| KR100437471B1 (ko) * | 2002-05-28 | 2004-06-23 | 삼성전자주식회사 | 가스 스크러버 |
| KR100749772B1 (ko) * | 2002-12-23 | 2007-08-17 | 삼성전자주식회사 | 공기 정화기 |
| US7531017B2 (en) * | 2003-07-28 | 2009-05-12 | Flow Sciences, Inc. | Lateral-flow biohazard safety enclosure |
| US20050108996A1 (en) | 2003-11-26 | 2005-05-26 | Latham Steven R. | Filter system for an electronic equipment enclosure |
| US20050229562A1 (en) * | 2004-04-16 | 2005-10-20 | Dallas Andrew J | Chemical filtration unit incorporating air transportation device |
| USD526397S1 (en) | 2005-06-20 | 2006-08-08 | Sharper Image Corporation | Air system attachment |
| USD527087S1 (en) | 2005-06-20 | 2006-08-22 | Sharper Image Corporation | Air system attachment |
| USD526398S1 (en) | 2005-06-20 | 2006-08-08 | Sharper Image Corporation | Air system attachment |
| CA2526367A1 (en) | 2005-10-19 | 2007-04-19 | Ozone Nation Inc. | Ozone distribution system for sports equipment |
| KR100900406B1 (ko) * | 2007-09-12 | 2009-06-02 | 호서대학교 산학협력단 | 케미컬 필터 |
| WO2009108145A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-09-03 | Hewlett-Packard Development Company L.P. | Improved fan and cooling device |
| KR100941666B1 (ko) * | 2009-02-18 | 2010-02-11 | 주식회사 지티사이언 | 유해 가스 정화 및 중화 장치 |
| US20100132320A1 (en) * | 2010-01-27 | 2010-06-03 | Ali Sharifi | Air pollution dry cleaning apparatus |
| US8404023B1 (en) | 2010-06-08 | 2013-03-26 | Aaf-Mcquay Inc. | Air handling filtration equipment with adjustable media bed and method of use |
| US20150375602A1 (en) * | 2014-06-27 | 2015-12-31 | Gerald A. Fields | Air Filtration Assembly |
| US20160016102A1 (en) * | 2014-07-15 | 2016-01-21 | Charles Weldon Maddox | Filtration apparatus for contaminant emitting electronics |
| KR102488260B1 (ko) * | 2016-03-07 | 2023-01-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| US11493212B1 (en) * | 2018-03-27 | 2022-11-08 | Clark N. Harper | Air filtration and cooling system |
| KR102151420B1 (ko) | 2018-11-27 | 2020-09-03 | 주식회사 에코프로 | 케미컬 필터 |
| CN114481312A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-13 | 武汉劲野科技有限公司 | 一种用于cvd设备的多面漏斗型进气装置及cvd设备 |
| KR102893475B1 (ko) * | 2022-03-18 | 2025-11-28 | 가부시키가이샤 아루박 | 진공 처리 장치, 파티클 제거기구, 및 파티클 제거방법 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56168816A (en) * | 1980-05-29 | 1981-12-25 | Nippon Soken Inc | Device for preventing evaporation of fuel |
| JPS5737704U (ja) * | 1980-07-31 | 1982-02-27 | ||
| JPS57148694U (ja) * | 1982-02-25 | 1982-09-18 | ||
| JPS5974825U (ja) * | 1982-11-11 | 1984-05-21 | 株式会社大林組 | 移動可能な空気浄化装置 |
| JPS63209722A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-31 | Hitachi Ltd | 薬品処理装置 |
| JPH03109619U (ja) * | 1990-02-21 | 1991-11-11 | ||
| JPH059624U (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-09 | 日立プラント建設株式会社 | クリーンルームのフアンフイルタユニツト |
| JPH0766165A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-10 | Sony Corp | 洗浄装置 |
| JPH08168628A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-07-02 | Piyuaretsukusu:Kk | 多機能エアフィルター及び該フィルターが組込まれた空気循環式クリーンユニット |
| JPH0938449A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 装置本体部取付け型空調装置 |
| JPH09220425A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Takasago Thermal Eng Co Ltd | ケミカルフィルタ |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3577710A (en) * | 1968-09-30 | 1971-05-04 | Elliot I Feldman | Air-treatment apparatus |
| JP2736662B2 (ja) * | 1988-11-04 | 1998-04-02 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体ウェーハの曇防止装置 |
| JPH02126912A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-15 | Shimizu Corp | 空気清浄装置及びこれを用いたクリーンルーム |
| US5626820A (en) * | 1988-12-12 | 1997-05-06 | Kinkead; Devon A. | Clean room air filtering |
| US5772738A (en) * | 1993-11-30 | 1998-06-30 | Purex Co., Ltd. | Multifunctional air filter and air-circulating clean unit with the same incorporated therein |
| JP3519212B2 (ja) * | 1995-06-13 | 2004-04-12 | 高砂熱学工業株式会社 | 清浄な資材用保管庫 |
| US5681364A (en) * | 1995-08-03 | 1997-10-28 | Fortune; William S. | Rotating element fume collection apparatus |
| JPH09153533A (ja) * | 1995-12-01 | 1997-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ保管システムおよびそのシステムを使用した半導体装置の製造方式 |
| JP3654612B2 (ja) * | 1996-09-24 | 2005-06-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | クリーンルーム |
| JPH10106908A (ja) * | 1996-10-01 | 1998-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | ケミカルフリー乾燥空気の発生装置 |
-
1997
- 1997-09-30 KR KR1019970050374A patent/KR19990027844A/ko active Pending
-
1998
- 1998-05-26 JP JP14481998A patent/JP4184478B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-26 KR KR1019980034680A patent/KR100311037B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-23 DE DE69827734T patent/DE69827734T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-23 EP EP98307710A patent/EP0904826B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-29 US US09/161,980 patent/US6090188A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56168816A (en) * | 1980-05-29 | 1981-12-25 | Nippon Soken Inc | Device for preventing evaporation of fuel |
| JPS5737704U (ja) * | 1980-07-31 | 1982-02-27 | ||
| JPS57148694U (ja) * | 1982-02-25 | 1982-09-18 | ||
| JPS5974825U (ja) * | 1982-11-11 | 1984-05-21 | 株式会社大林組 | 移動可能な空気浄化装置 |
| JPS63209722A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-31 | Hitachi Ltd | 薬品処理装置 |
| JPH03109619U (ja) * | 1990-02-21 | 1991-11-11 | ||
| JPH059624U (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-09 | 日立プラント建設株式会社 | クリーンルームのフアンフイルタユニツト |
| JPH0766165A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-10 | Sony Corp | 洗浄装置 |
| JPH08168628A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-07-02 | Piyuaretsukusu:Kk | 多機能エアフィルター及び該フィルターが組込まれた空気循環式クリーンユニット |
| JPH0938449A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 装置本体部取付け型空調装置 |
| JPH09220425A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Takasago Thermal Eng Co Ltd | ケミカルフィルタ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001135697A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Sony Corp | 基板移載装置および基板の搬送方法 |
| JP2007122914A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及びそれに用いる製造装置 |
| JP2008093507A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ファンフィルターユニット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990027844A (ko) | 1999-04-15 |
| JP4184478B2 (ja) | 2008-11-19 |
| EP0904826A3 (en) | 1999-05-12 |
| KR100311037B1 (ko) | 2001-12-17 |
| EP0904826A2 (en) | 1999-03-31 |
| DE69827734T2 (de) | 2005-12-15 |
| KR19990029349A (ko) | 1999-04-26 |
| DE69827734D1 (de) | 2004-12-30 |
| US6090188A (en) | 2000-07-18 |
| EP0904826B1 (en) | 2004-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4184478B2 (ja) | 半導体装備の空気流入装置及びこれを用いた化学物汚染除去方法 | |
| US7065898B2 (en) | Module for transferring a substrate | |
| TWI617368B (zh) | 循環基板容器清洗系統及其方法 | |
| CN1539027A (zh) | 具有利用氮气吹扫的顶部通气口的快速循环腔室 | |
| WO1999028968A1 (fr) | Preservation de la proprete des substrats et boite de rangement de substrats | |
| US20240384881A1 (en) | Makeup air handling unit in semiconductor fabrication building and method for cleaning air using the same | |
| JP2000299265A (ja) | マイクロエレクトロニクス製造システムのクリーニング方法およびこれを用いたマイクロエレクトロニクス製造システム | |
| JPH05251544A (ja) | 搬送装置 | |
| JP2004116987A (ja) | 空気清浄装置及び処理装置 | |
| JP3429553B2 (ja) | クリーンボックス | |
| JP4557316B2 (ja) | 半導体素子の製造方法、および半導体素子製造用処理室 | |
| JP2576409B2 (ja) | 金属不純物除去方法およびその装置 | |
| CN101321572A (zh) | 气体净化装置和半导体制造装置 | |
| JPH0766165A (ja) | 洗浄装置 | |
| GB2327534A (en) | Preventing contamination of semiconductor substrates during processing | |
| KR200243262Y1 (ko) | 반도체제조용 챔버의 오염물 포집 장치 | |
| JP3035879B2 (ja) | 真空排気管及び真空排気方法 | |
| JPH04247207A (ja) | エアフィルター | |
| JPH08276163A (ja) | 板状試料表面の処理方法 | |
| JP3511232B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20230285897A1 (en) | Gas purifying filter and substrate treatment apparatus including the same | |
| JP2000208458A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JPH06151402A (ja) | ウェット処理装置 | |
| JP2002153715A (ja) | フィルタとこれを用いたクリーンルーム | |
| JPH0824551A (ja) | フィルタ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060426 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060509 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060809 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061114 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070209 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080805 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080904 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |