JPH11116332A - 半導体磁器組成物及びそれを用いた半導体磁器素子 - Google Patents
半導体磁器組成物及びそれを用いた半導体磁器素子Info
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- JPH11116332A JPH11116332A JP9275810A JP27581097A JPH11116332A JP H11116332 A JPH11116332 A JP H11116332A JP 9275810 A JP9275810 A JP 9275810A JP 27581097 A JP27581097 A JP 27581097A JP H11116332 A JPH11116332 A JP H11116332A
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Landscapes
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】昇温状態での抵抗値が小さくて電力消費量を低
減でき、又、室温付近における抵抗値の上昇を小さくし
て立ち上がりがよく、かつ大電流にも対応できる負の抵
抗温度特性を有する半導体磁器組成物に関して、焼結密
度を高めて信頼性を向上させた半導体磁器組成物、及び
それを用いた半導体磁器素子を提供する。 【解決手段】ランタンコバルト系酸化物からなる主成分
に、副成分としてＳｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓ
ｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｈ及びＰの
元素のうち少なくとも１種の酸化物と、B元素の酸化物
を含有する半導体磁器組成物。
減でき、又、室温付近における抵抗値の上昇を小さくし
て立ち上がりがよく、かつ大電流にも対応できる負の抵
抗温度特性を有する半導体磁器組成物に関して、焼結密
度を高めて信頼性を向上させた半導体磁器組成物、及び
それを用いた半導体磁器素子を提供する。 【解決手段】ランタンコバルト系酸化物からなる主成分
に、副成分としてＳｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓ
ｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｈ及びＰの
元素のうち少なくとも１種の酸化物と、B元素の酸化物
を含有する半導体磁器組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、負の抵抗温度特性
を有する半導体磁器組成物、及びそれを用いた特に突入
電流防止用、モーター起動遅延用、温度補償型水晶発振
器用、温度補償用として有用な半導体磁器素子に関す
る。
を有する半導体磁器組成物、及びそれを用いた特に突入
電流防止用、モーター起動遅延用、温度補償型水晶発振
器用、温度補償用として有用な半導体磁器素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、初期の過電流を防止する素子
として、温度上昇とともに抵抗値が減少する負の抵抗温
度特性を有する半導体磁器素子（ＮＴＣサーミスタ素
子）が用いられている。この半導体磁器素子は室温での
抵抗値が高いため、初期の過電流を抑制し、その後、自
己発熱により昇温して低抵抗となり、定常状態では電力
消費量が減少する。
として、温度上昇とともに抵抗値が減少する負の抵抗温
度特性を有する半導体磁器素子（ＮＴＣサーミスタ素
子）が用いられている。この半導体磁器素子は室温での
抵抗値が高いため、初期の過電流を抑制し、その後、自
己発熱により昇温して低抵抗となり、定常状態では電力
消費量が減少する。
【０００３】例えばスイッチング電源では、スイッチを
入れた瞬間に過電流が流れることから、この初期の突入
電流を抑制する素子として、このような半導体磁器素子
を用いている。この半導体磁器素子は、室温での抵抗値
が高く、温度上昇とともに抵抗値が減少する機能を有し
ているため、初期の突入電流を抑制し、その後、自己発
熱により昇温して低抵抗となり、定常状態では電力消費
量を低減させることができる。
入れた瞬間に過電流が流れることから、この初期の突入
電流を抑制する素子として、このような半導体磁器素子
を用いている。この半導体磁器素子は、室温での抵抗値
が高く、温度上昇とともに抵抗値が減少する機能を有し
ているため、初期の突入電流を抑制し、その後、自己発
熱により昇温して低抵抗となり、定常状態では電力消費
量を低減させることができる。
【０００４】そして、この種の半導体磁器素子には、従
来からスピネル型構造を持つ遷移金属複合酸化物からな
る半導体磁器組成物が用いられている。
来からスピネル型構造を持つ遷移金属複合酸化物からな
る半導体磁器組成物が用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体磁器
素子（ＮＴＣサーミスタ素子）を突入電流防止用として
用いるためには、自己発熱による昇温状態で、抵抗値が
十分に小さくならなければならない。しかしながら、従
来のスピネル型構造を持つ半導体磁器素子では、B定数
が３２５０Ｋ以上には大きくならないため、突入電流を
防止した状態から、昇温状態の抵抗値を十分小さくでき
ず、定常時の電力消費量が大きくなるという問題点があ
った。又、従来の半導体磁器素子では、外気温度の変
化、特に０℃以下の低温環境下では、抵抗値の上昇が大
きく、電圧ドロップにより機器の立ち上がりが遅れると
いう問題点があった。これらの問題点を改善するために
は、常温付近（―１０〜６０℃）でＢ定数が小さく、高
温（１４０〜２００℃）でB定数が大きくなる特性が必
要となる。
素子（ＮＴＣサーミスタ素子）を突入電流防止用として
用いるためには、自己発熱による昇温状態で、抵抗値が
十分に小さくならなければならない。しかしながら、従
来のスピネル型構造を持つ半導体磁器素子では、B定数
が３２５０Ｋ以上には大きくならないため、突入電流を
防止した状態から、昇温状態の抵抗値を十分小さくでき
ず、定常時の電力消費量が大きくなるという問題点があ
った。又、従来の半導体磁器素子では、外気温度の変
化、特に０℃以下の低温環境下では、抵抗値の上昇が大
きく、電圧ドロップにより機器の立ち上がりが遅れると
いう問題点があった。これらの問題点を改善するために
は、常温付近（―１０〜６０℃）でＢ定数が小さく、高
温（１４０〜２００℃）でB定数が大きくなる特性が必
要となる。
【０００６】ところで、ランタンコバルト系酸化物磁器
のB定数が温度依存性を持ち、室温付近ではB定数が小さ
く、高温になるほどB定数が大きくなるような、負の抵
抗温度特性を示すことは、ブイ．ジー．ブハイデ（V.G.
Bhide）及び ディー．エス．ラジョリア（D.S.Rajori
a）による文献（Phys.Rev.B6,［3］1021(1972)）などに
記載されている。
のB定数が温度依存性を持ち、室温付近ではB定数が小さ
く、高温になるほどB定数が大きくなるような、負の抵
抗温度特性を示すことは、ブイ．ジー．ブハイデ（V.G.
Bhide）及び ディー．エス．ラジョリア（D.S.Rajori
a）による文献（Phys.Rev.B6,［3］1021(1972)）などに
記載されている。
【０００７】そして本発明者らは、ランタンコバルト系
酸化物からなる主成分に、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅからなる群の中から選
択した少なくとも１種を添加することにより、室温付近
のB定数を３０００Ｋ以下（従来、３２５０Ｋ以上）
に、高温のB定数を４０００Ｋ以上（従来、３２５０Ｋ
以下）にして、突入電流防止特性をさらに高めることが
可能であることを見出した（特開平７―１７６４０６
号）。
酸化物からなる主成分に、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅからなる群の中から選
択した少なくとも１種を添加することにより、室温付近
のB定数を３０００Ｋ以下（従来、３２５０Ｋ以上）
に、高温のB定数を４０００Ｋ以上（従来、３２５０Ｋ
以下）にして、突入電流防止特性をさらに高めることが
可能であることを見出した（特開平７―１７６４０６
号）。
【０００８】ランタンコバルト系酸化物からなる主成分
に、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｍｏ、
Ｔｅ、Ｃｅからなる群の中から選択した少なくとも１種
を添加すると、室温の比抵抗とB定数は、その添加量が
増加するとともに大きくなる。これらの添加物は、ラン
タンコバルト系酸化物中でドナーとして働き、ランタン
コバルト系酸化物中に含まれる不純物（Ｎｉ、Ｃａなど
のアクセプター群）の電荷を補償するためである。従っ
て、上記ドナー群の添加量がアクセプター群の不純物量
よりも多くなると、室温の比抵抗とB定数は、ドナー群
の添加量が増加するとともに小さくなる。
に、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｍｏ、
Ｔｅ、Ｃｅからなる群の中から選択した少なくとも１種
を添加すると、室温の比抵抗とB定数は、その添加量が
増加するとともに大きくなる。これらの添加物は、ラン
タンコバルト系酸化物中でドナーとして働き、ランタン
コバルト系酸化物中に含まれる不純物（Ｎｉ、Ｃａなど
のアクセプター群）の電荷を補償するためである。従っ
て、上記ドナー群の添加量がアクセプター群の不純物量
よりも多くなると、室温の比抵抗とB定数は、ドナー群
の添加量が増加するとともに小さくなる。
【０００９】ランタンコバルト系酸化物の室温の比抵抗
とB定数は、ドナー群の添加量がアクセプター群の不純
物量に等しくなった時に最も大きくなり、室温の比抵抗
として約２０Ω・ｃｍ、B定数（２５〜１４０℃）とし
て約４７００Ｋが得られる。
とB定数は、ドナー群の添加量がアクセプター群の不純
物量に等しくなった時に最も大きくなり、室温の比抵抗
として約２０Ω・ｃｍ、B定数（２５〜１４０℃）とし
て約４７００Ｋが得られる。
【００１０】ところで、ランタンコバルト系酸化物は非
常に焼結しにくく、焼結密度が理論密度の９０%以上に
達しないため、信頼性に劣るという問題点を有してい
る。しかしながら、ランタンコバルト系酸化物の抵抗温
度特性は、微量のドナー群やアクセプター群により制御
されるため、ＳｉＯ2などの焼結助材を添加することが
できない。
常に焼結しにくく、焼結密度が理論密度の９０%以上に
達しないため、信頼性に劣るという問題点を有してい
る。しかしながら、ランタンコバルト系酸化物の抵抗温
度特性は、微量のドナー群やアクセプター群により制御
されるため、ＳｉＯ2などの焼結助材を添加することが
できない。
【００１１】そこで本発明の目的は、昇温状態での抵抗
値が小さくて電力消費量を低減でき、又、室温付近にお
ける抵抗値の上昇を小さくして立ち上がりがよく、かつ
大電流にも対応できる負の抵抗温度特性を有する半導体
磁器組成物に関して、焼結密度を高めて信頼性を向上さ
せた半導体磁器組成物、及びそれを用いた半導体磁器素
子を提供することにある。
値が小さくて電力消費量を低減でき、又、室温付近にお
ける抵抗値の上昇を小さくして立ち上がりがよく、かつ
大電流にも対応できる負の抵抗温度特性を有する半導体
磁器組成物に関して、焼結密度を高めて信頼性を向上さ
せた半導体磁器組成物、及びそれを用いた半導体磁器素
子を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成
物は、ランタンコバルト系酸化物からなる主成分に、副
成分としてＳｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、
Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｈ及びＰの元素のう
ち少なくとも１種の酸化物と、B元素の酸化物を含有し
ていることを特徴とする。
め、本発明の負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成
物は、ランタンコバルト系酸化物からなる主成分に、副
成分としてＳｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、
Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｈ及びＰの元素のう
ち少なくとも１種の酸化物と、B元素の酸化物を含有し
ていることを特徴とする。
【００１３】又、本発明の半導体磁器素子は、負の抵抗
温度特性を有する半導体磁器と該半導体磁器に形成され
た電極を備えた半導体磁器素子において、前記半導体磁
器は、ランタンコバルト系酸化物からなる主成分に、副
成分としてＳｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、
Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｈ及びＰの元素のう
ち少なくとも１種の酸化物と、B元素の酸化物を含有し
ていることを特徴とする。
温度特性を有する半導体磁器と該半導体磁器に形成され
た電極を備えた半導体磁器素子において、前記半導体磁
器は、ランタンコバルト系酸化物からなる主成分に、副
成分としてＳｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、
Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｈ及びＰの元素のう
ち少なくとも１種の酸化物と、B元素の酸化物を含有し
ていることを特徴とする。
【００１４】そして、前記Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｈ及
びＰの元素のうち少なくとも１種の酸化物の含有量は、
前記元素に換算して全量で０．００１〜１０ｍｏｌ％で
あり、前記B元素の酸化物の含有量は、Ｂ元素に換算し
て０．０００１〜５ｍｏｌ％であることを特徴とする。
ｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｈ及
びＰの元素のうち少なくとも１種の酸化物の含有量は、
前記元素に換算して全量で０．００１〜１０ｍｏｌ％で
あり、前記B元素の酸化物の含有量は、Ｂ元素に換算し
て０．０００１〜５ｍｏｌ％であることを特徴とする。
【００１５】又、前記ランタンコバルト系酸化物が、Ｌ
ａxＣｏＯ3（但し、０．６０≦ｘ≦０．９９）であるこ
とを特徴とする。
ａxＣｏＯ3（但し、０．６０≦ｘ≦０．９９）であるこ
とを特徴とする。
【００１６】さらに、前記半導体磁器素子は突入電流防
止用、モーター起動遅延用、温度補償型水晶発振器用及
び温度補償用のうちのいずれかであることを特徴とす
る。
止用、モーター起動遅延用、温度補償型水晶発振器用及
び温度補償用のうちのいずれかであることを特徴とす
る。
【００１７】このような組成により、室温での比抵抗及
び高温でのＢ定数の変動を抑えながら焼結密度を高める
ことができるため、信頼性に優れた負の抵抗温度特性を
有する半導体磁器素子を得ることができる。
び高温でのＢ定数の変動を抑えながら焼結密度を高める
ことができるため、信頼性に優れた負の抵抗温度特性を
有する半導体磁器素子を得ることができる。
【００１８】なお、Ｂの含有量としては、元素に換算し
て０．０００１〜５ｍｏｌ％が好ましい。即ち、０．０
００１ｍｏｌ％未満の場合は、添加効果が小さすぎて焼
結密度が向上せず、５ｍｏｌ％を超える場合は、高温の
Ｂ定数が小さくなり、昇温状態での抵抗値を十分小さく
することができない。
て０．０００１〜５ｍｏｌ％が好ましい。即ち、０．０
００１ｍｏｌ％未満の場合は、添加効果が小さすぎて焼
結密度が向上せず、５ｍｏｌ％を超える場合は、高温の
Ｂ定数が小さくなり、昇温状態での抵抗値を十分小さく
することができない。
【００１９】又、ランタンコバルト系酸化物を一般式Ｌ
ａxＣｏＯ3で表したとき、ｘは０．６０≦ｘ≦０．９９
の範囲が好ましい。これは、ｘが０．６０未満又は０．
９９を超える場合には、高温でのＢ定数が３０００Ｋ以
下となり、昇温状態での抵抗値を十分に小さくすること
ができないためである。
ａxＣｏＯ3で表したとき、ｘは０．６０≦ｘ≦０．９９
の範囲が好ましい。これは、ｘが０．６０未満又は０．
９９を超える場合には、高温でのＢ定数が３０００Ｋ以
下となり、昇温状態での抵抗値を十分に小さくすること
ができないためである。
【００２０】又、本発明の負の抵抗温度特性を有する半
導体磁器素子は、突入電流防止用やモーター起動遅延
用、温度補償型水晶発振器用、温度補償用として好適に
用いられるが、これらの用途に限定されるものではな
い。
導体磁器素子は、突入電流防止用やモーター起動遅延
用、温度補償型水晶発振器用、温度補償用として好適に
用いられるが、これらの用途に限定されるものではな
い。
【００２１】
（実施例）本実施例は、ランタンコバルト系酸化物がＬ
ａ0.94ＣｏＯ3の場合である。
ａ0.94ＣｏＯ3の場合である。
【００２２】まずCoに対するLaのモル比が０．９４とな
るように、Ｌａ2Ｏ3とＣｏ3Ｏ4の粉末を秤量した。その
後、この秤量粉末に、表１に示す添加元素を酸化物など
の化合物の形で所定量秤量して添加した。なお、表１中
の添加元素の量は各元素に換算した量である。
るように、Ｌａ2Ｏ3とＣｏ3Ｏ4の粉末を秤量した。その
後、この秤量粉末に、表１に示す添加元素を酸化物など
の化合物の形で所定量秤量して添加した。なお、表１中
の添加元素の量は各元素に換算した量である。
【００２３】次に、得られた粉末に純水を加えてナイロ
ンボールを用いたボールミルで１６時間湿式混合し、乾
燥後、１０００℃で2時間仮焼した。仮焼した粉末を粉
砕した後、酢酸ビニル系のバインダーを３ｗｔ％加え、
純水を加えて再度ナイロンボールを用いたボールミルで
１６時間湿式混合した。その後、乾燥、造粒し、円板状
に加圧成形して、１３５０℃で2時間、大気中で焼成し
て半導体磁器を得た。その後、この半導体磁器の両主面
に白金ペーストをスクリーン印刷して塗布した後、１０
００℃で２時間、大気中で焼き付けて電極を形成し、半
導体磁器素子を得た。
ンボールを用いたボールミルで１６時間湿式混合し、乾
燥後、１０００℃で2時間仮焼した。仮焼した粉末を粉
砕した後、酢酸ビニル系のバインダーを３ｗｔ％加え、
純水を加えて再度ナイロンボールを用いたボールミルで
１６時間湿式混合した。その後、乾燥、造粒し、円板状
に加圧成形して、１３５０℃で2時間、大気中で焼成し
て半導体磁器を得た。その後、この半導体磁器の両主面
に白金ペーストをスクリーン印刷して塗布した後、１０
００℃で２時間、大気中で焼き付けて電極を形成し、半
導体磁器素子を得た。
【００２４】このようにして得られた負の抵抗温度特性
を有する半導体磁器素子について、比抵抗ρとB定数の
各電気特性を測定した。又、磁器の焼結密度を測定し
た。結果を表１に示す。なお、表１において、＊印を付
したものは本発明の範囲外のものであり、その他は本発
明の範囲内のものである。
を有する半導体磁器素子について、比抵抗ρとB定数の
各電気特性を測定した。又、磁器の焼結密度を測定し
た。結果を表１に示す。なお、表１において、＊印を付
したものは本発明の範囲外のものであり、その他は本発
明の範囲内のものである。
【００２５】なお、比抵抗ρは２５℃で測定した値であ
る。又、Ｂ定数は温度変化による抵抗変化を示す定数で
あり、温度T、及びT0における比抵抗を、それぞれρ
（Ｔ）、及びρ（Ｔ）、自然対数をｌｎとすると、次式
のように定義される。
る。又、Ｂ定数は温度変化による抵抗変化を示す定数で
あり、温度T、及びT0における比抵抗を、それぞれρ
（Ｔ）、及びρ（Ｔ）、自然対数をｌｎとすると、次式
のように定義される。
【００２６】 B定数 =〔lnρ(T0)−lnρ(T)〕/（1/T0−1/T） そして、このB定数の数値が大きいほど、温度による抵
抗変化が大きい。この式をもとに、今回求めたＢ定数で
あるB定数（１４０℃）は以下のように定義される。
抗変化が大きい。この式をもとに、今回求めたＢ定数で
あるB定数（１４０℃）は以下のように定義される。
【００２７】B(140℃)=[lnρ(140℃)−lnρ(25℃)]/[1/
(140+273.15)−1/(25+273.15)] B定数（１４０℃）が大きい程、昇温状態での電力消費
量を小さくできるので、大電流が流れる回路やスイッチ
ング電源などの初期の突入電流抑制用素子として優れて
いる。
(140+273.15)−1/(25+273.15)] B定数（１４０℃）が大きい程、昇温状態での電力消費
量を小さくできるので、大電流が流れる回路やスイッチ
ング電源などの初期の突入電流抑制用素子として優れて
いる。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１から明らかなように、主成分のＬａ
0.94ＣｏＯ3にＳｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｂ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ及びＣｅの元素のうち少なくとも１種の
酸化物と、B元素の酸化物を含有させることにより、室
温での比抵抗及び１４０℃でのＢ定数の変動を抑えなが
ら、焼結密度の高い負の抵抗温度特性を有する半導体磁
器組成物を得ることができる。
0.94ＣｏＯ3にＳｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｂ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ及びＣｅの元素のうち少なくとも１種の
酸化物と、B元素の酸化物を含有させることにより、室
温での比抵抗及び１４０℃でのＢ定数の変動を抑えなが
ら、焼結密度の高い負の抵抗温度特性を有する半導体磁
器組成物を得ることができる。
【００３０】なお、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓ
ｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ及びＣｅの元素のうち少なくとも１
種の酸化物の含有量が、元素に換算して全量で０．００
１〜１０ｍｏｌ％であり、Ｂ元素の酸化物の含有量が元
素に換算して０．０００１〜５ｍｏｌ％の場合には、比
抵抗ρ（２５℃）の変動を９．２〜１２．６に抑え、か
つＢ定数（１４０℃）の変動を４５２０〜４７４０に抑
えながら、焼結密度を６．９以上に高めることができて
好ましい。
ｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ及びＣｅの元素のうち少なくとも１
種の酸化物の含有量が、元素に換算して全量で０．００
１〜１０ｍｏｌ％であり、Ｂ元素の酸化物の含有量が元
素に換算して０．０００１〜５ｍｏｌ％の場合には、比
抵抗ρ（２５℃）の変動を９．２〜１２．６に抑え、か
つＢ定数（１４０℃）の変動を４５２０〜４７４０に抑
えながら、焼結密度を６．９以上に高めることができて
好ましい。
【００３１】なお、上記実施例において、ランタンコバ
ルト系酸化物がＬａ0.94ＣｏＯ3の場合について説明し
たが、一般式ＬａxＣｏＯ3（但し、０．６０≦ｘ≦０．
９９）で表される範囲の組成物について同様の効果を得
ることができる。又、Ｌａの一部をＰｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｙなどで置換したランタンコバルト系酸化物につ
いても同様の効果を得ることができる。
ルト系酸化物がＬａ0.94ＣｏＯ3の場合について説明し
たが、一般式ＬａxＣｏＯ3（但し、０．６０≦ｘ≦０．
９９）で表される範囲の組成物について同様の効果を得
ることができる。又、Ｌａの一部をＰｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｙなどで置換したランタンコバルト系酸化物につ
いても同様の効果を得ることができる。
【００３２】又、上記実施例において、 Ｓｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅの代わ
りにＮｂ、Ｍｎ、Ｔｈ又はＰを用いても同様の効果を得
ることができる。
Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅの代わ
りにＮｂ、Ｍｎ、Ｔｈ又はＰを用いても同様の効果を得
ることができる。
【００３３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、昇温状態での抵抗値が小さくて電力消費量を低
減でき、又、室温付近における抵抗値の上昇を小さくし
て立ち上がりがよく、かつ大電流にも対応できる負の抵
抗温度特性を有する半導体磁器組成物に関して、室温で
の比抵抗及び１４０℃でのＢ定数の変動を抑えながら、
磁器の焼結密度を高めることができる。
よれば、昇温状態での抵抗値が小さくて電力消費量を低
減でき、又、室温付近における抵抗値の上昇を小さくし
て立ち上がりがよく、かつ大電流にも対応できる負の抵
抗温度特性を有する半導体磁器組成物に関して、室温で
の比抵抗及び１４０℃でのＢ定数の変動を抑えながら、
磁器の焼結密度を高めることができる。
【００３４】したがって、この磁器密度を高めた半導体
磁器組成物を用いることにより、信頼性に優れた半導体
磁器素子（ＮＴＣサーミスタ素子）を得ることができ
る。
磁器組成物を用いることにより、信頼性に優れた半導体
磁器素子（ＮＴＣサーミスタ素子）を得ることができ
る。
【００３５】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂部 行雄 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (7)
- 【請求項１】 ランタンコバルト系酸化物からなる主成
分に、副成分としてＳｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓ
ｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｈ及びＰの
元素のうち少なくとも１種の酸化物と、B元素の酸化物
を含有していることを特徴とする、負の抵抗温度特性を
有する半導体磁器組成物。 - 【請求項２】 前記Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓ
ｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｈ及びＰの
元素のうち少なくとも１種の酸化物の含有量は、前記元
素に換算して全量で０．００１〜１０ｍｏｌ％であり、
前記B元素の酸化物の含有量は、Ｂ元素に換算して０．
０００１〜５ｍｏｌ％であることを特徴とする、請求項
１記載の負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物。 - 【請求項３】 前記ランタンコバルト系酸化物が、Ｌａ
xＣｏＯ3（但し、０．６０≦ｘ≦０．９９）であること
を特徴とする、請求項１又は請求項２記載の負の抵抗温
度特性を有する半導体磁器組成物。 - 【請求項４】 負の抵抗温度特性を有する半導体磁器と
該半導体磁器に形成された電極を備えた半導体磁器素子
において、前記半導体磁器は、ランタンコバルト系酸化
物からなる主成分に、副成分としてＳｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍ
ｎ、Ｔｈ及びＰの元素のうち少なくとも１種の酸化物
と、B元素の酸化物を含有していることを特徴とする、
半導体磁器素子。 - 【請求項５】 前記Ｓｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓ
ｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｔｈ及びＰの
元素のうち少なくとも１種の酸化物の含有量は、前記元
素に換算して全量で０．００１〜１０ｍｏｌ％であり、
前記B元素の酸化物の含有量は、Ｂ元素に換算して０．
０００１〜５ｍｏｌ％であることを特徴とする、請求項
４記載の半導体磁器素子。 - 【請求項６】 前記ランタンコバルト系酸化物が、Ｌａ
xＣｏＯ3（但し、０．６０≦ｘ≦０．９９）であること
を特徴とする請求項４又は請求項５記載の半導体磁器素
子。 - 【請求項７】 前記半導体磁器素子は突入電流防止用、
モーター起動遅延用、温度補償型水晶発振器用及び温度
補償用のうちのいずれかであることを特徴とする、請求
項４〜６のいずれかに記載の半導体磁器素子。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9275810A JPH11116332A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 半導体磁器組成物及びそれを用いた半導体磁器素子 |
| TW087115188A TW460429B (en) | 1997-10-08 | 1998-09-11 | Semiconductive ceramic composition and semiconductive ceramic element using the same |
| SG200203348A SG100797A1 (en) | 1997-10-08 | 1998-09-15 | Semiconductive ceramic composition and semiconductive ceramic element using the same |
| SG9803659A SG94316A1 (en) | 1997-10-08 | 1998-09-15 | Semiconductive ceramic composition and semiconductive ceramic element using the same |
| EP98118928A EP0908903B1 (en) | 1997-10-08 | 1998-10-07 | Semiconductive ceramic composition and semiconductive ceramic element using the same |
| DE69840757T DE69840757D1 (de) | 1997-10-08 | 1998-10-07 | Fern-Berichtsystem für ein Fahrzeug |
| DE69810565T DE69810565T2 (de) | 1997-10-08 | 1998-10-07 | Halbleitende keramische Zusammensetzung und halbleitendes keramisches Element damit |
| US09/167,895 US6090735A (en) | 1997-10-08 | 1998-10-07 | Semiconductive ceramic composition and semiconductive ceramic element using the same |
| EP02004742A EP1227507B1 (en) | 1997-10-08 | 1998-10-07 | Semiconductive ceramic composition and semiconductive ceramic element using the same |
| KR1019980042028A KR100306573B1 (ko) | 1997-10-08 | 1998-10-08 | 반도체자기조성물및이것을사용한반도체자기소자 |
| CN98120933A CN1091436C (zh) | 1997-10-08 | 1998-10-08 | 半导体陶瓷组合物和使用该组合物的半导体陶瓷元件 |
| CNB02106671XA CN1172324C (zh) | 1997-10-08 | 2002-03-01 | 半导体陶瓷组合物和使用该组合物的半导体陶瓷元件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9275810A JPH11116332A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 半導体磁器組成物及びそれを用いた半導体磁器素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11116332A true JPH11116332A (ja) | 1999-04-27 |
Family
ID=17560741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9275810A Pending JPH11116332A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 半導体磁器組成物及びそれを用いた半導体磁器素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11116332A (ja) |
-
1997
- 1997-10-08 JP JP9275810A patent/JPH11116332A/ja active Pending
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