JPH11116702A - 蒸着用ポリエチレンテレフタレートフィルム - Google Patents
蒸着用ポリエチレンテレフタレートフィルムInfo
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- JPH11116702A JPH11116702A JP9288895A JP28889597A JPH11116702A JP H11116702 A JPH11116702 A JP H11116702A JP 9288895 A JP9288895 A JP 9288895A JP 28889597 A JP28889597 A JP 28889597A JP H11116702 A JPH11116702 A JP H11116702A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂フィルムとその上に積層した金属又は金
属化合物の蒸着薄膜とからなる蒸着フィルムの当該樹脂
フィルムと蒸着薄膜との密着性を向上させる。 【解決手段】 金属又は金属化合物の蒸着薄膜11が積
層される蒸着用ポリエチレンテレフタレートフィルム1
0において、金属又は金属化合物の蒸着薄膜11と接す
る蒸着用ポリエチレンテレフタレートフィルム10の表
面2が、X線光電子分光測定(測定条件:X線源MgK
α、出力100W)した場合に、C1s波形分離におけ
るベンゼン環のC−C結合の半値幅として1.225〜
1.554eVをもつようにする。
属化合物の蒸着薄膜とからなる蒸着フィルムの当該樹脂
フィルムと蒸着薄膜との密着性を向上させる。 【解決手段】 金属又は金属化合物の蒸着薄膜11が積
層される蒸着用ポリエチレンテレフタレートフィルム1
0において、金属又は金属化合物の蒸着薄膜11と接す
る蒸着用ポリエチレンテレフタレートフィルム10の表
面2が、X線光電子分光測定(測定条件:X線源MgK
α、出力100W)した場合に、C1s波形分離におけ
るベンゼン環のC−C結合の半値幅として1.225〜
1.554eVをもつようにする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリエチレンテレ
フタレートフィルム(以下、PETフィルムと称する)
上に金属又は金属化合物の蒸着薄膜を積層し、ガスバリ
アー性フィルムとして有用な蒸着フィルムを得る場合に
使用する当該蒸着用PETフィルムに関する。さらに詳
しくは、かかる蒸着フィルムに使用される蒸着用PET
フィルムであって、特定の表面特性を有するために金属
又は金属化合物の蒸着薄膜との剥離防止性能が向上して
いる蒸着用PETフィルムに関する。また、この蒸着用
PETフィルムと金属又は金属化合物の蒸着薄膜からな
る積層フィルムに関する。
フタレートフィルム(以下、PETフィルムと称する)
上に金属又は金属化合物の蒸着薄膜を積層し、ガスバリ
アー性フィルムとして有用な蒸着フィルムを得る場合に
使用する当該蒸着用PETフィルムに関する。さらに詳
しくは、かかる蒸着フィルムに使用される蒸着用PET
フィルムであって、特定の表面特性を有するために金属
又は金属化合物の蒸着薄膜との剥離防止性能が向上して
いる蒸着用PETフィルムに関する。また、この蒸着用
PETフィルムと金属又は金属化合物の蒸着薄膜からな
る積層フィルムに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、食品、医療品等の包装に用いられ
る包装材料には、内容物の変質を抑制し、その効能が維
持されるように、酸素、水蒸気、その他内容物を変質さ
せる気体(ガス)の通過を遮断するガスバリアー性を備
えることが求められている。特に、食品の包装材料に
は、蛋白質や油脂等の酸化や変質を抑制し、また、味や
鮮度を保持するため、このようなガスバリアー性が必要
とされている。また、医薬品の包装材料には、無菌状態
を維持すると共に、有効成分の変質を抑制し、効能を維
持するために、ガスバリアー性が必要とされている。
る包装材料には、内容物の変質を抑制し、その効能が維
持されるように、酸素、水蒸気、その他内容物を変質さ
せる気体(ガス)の通過を遮断するガスバリアー性を備
えることが求められている。特に、食品の包装材料に
は、蛋白質や油脂等の酸化や変質を抑制し、また、味や
鮮度を保持するため、このようなガスバリアー性が必要
とされている。また、医薬品の包装材料には、無菌状態
を維持すると共に、有効成分の変質を抑制し、効能を維
持するために、ガスバリアー性が必要とされている。
【0003】ガスバリアー性を有する包装材料として
は、その使用目的等に応じて種々の樹脂フィルムが使用
されているが、例えば、ポリビニルアルコールフィル
ム、ポリ塩化ビニリデンフィルム等の高分子樹脂フィル
ムあるいはこれらの積層フィルムが使用されている。
は、その使用目的等に応じて種々の樹脂フィルムが使用
されているが、例えば、ポリビニルアルコールフィル
ム、ポリ塩化ビニリデンフィルム等の高分子樹脂フィル
ムあるいはこれらの積層フィルムが使用されている。
【0004】また、包装材料に対する高度なガスバリア
ー性の要求、特に、高温高湿度環境下でのガスバリアー
性の維持や、近年の環境保護の点からの包装材料に対す
る脱塩素や脱アルミニウム箔の要求に対し、一酸化ケイ
素(SiO)等のケイ素酸化物(SiOx)、酸化アル
ミニウム(AlOx)、アルミニウム(Al)等の金属
又は金属化合物の薄膜をPETフィルムを代表とする樹
脂フィルム上に蒸着等の形成手段により成膜した蒸着フ
ィルムが開発されている。
ー性の要求、特に、高温高湿度環境下でのガスバリアー
性の維持や、近年の環境保護の点からの包装材料に対す
る脱塩素や脱アルミニウム箔の要求に対し、一酸化ケイ
素(SiO)等のケイ素酸化物(SiOx)、酸化アル
ミニウム(AlOx)、アルミニウム(Al)等の金属
又は金属化合物の薄膜をPETフィルムを代表とする樹
脂フィルム上に蒸着等の形成手段により成膜した蒸着フ
ィルムが開発されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
金属又は金属化合物を樹脂フィルム上に成膜した蒸着フ
ィルムは、蒸着薄膜が無機化合物であり、その蒸着薄膜
の下地となる樹脂フィルムが有機化合物であるために、
両者の機械的性質、化学的性質、熱的性質、電気的性質
等の諸物性が非常に異なっている。
金属又は金属化合物を樹脂フィルム上に成膜した蒸着フ
ィルムは、蒸着薄膜が無機化合物であり、その蒸着薄膜
の下地となる樹脂フィルムが有機化合物であるために、
両者の機械的性質、化学的性質、熱的性質、電気的性質
等の諸物性が非常に異なっている。
【0006】従って、蒸着加工、印刷加工、ラミネート
加工等の包装材料に一般に施される加工工程や、包装袋
や包装容器等の包装材料の最終形態での使用時に、蒸着
薄膜に機械的ストレス、熱的ストレス等の負荷がかか
り、金属又は金属化合物の蒸着薄膜と樹脂フィルムとの
界面付近で剥離や欠陥(クラック、ピンホール等)が生
じ、その剥離あるいは欠陥部分から酸素、水蒸気等の気
体が通過し、本来有しているはずの高いガスバリアー性
が低下するという問題がある。
加工等の包装材料に一般に施される加工工程や、包装袋
や包装容器等の包装材料の最終形態での使用時に、蒸着
薄膜に機械的ストレス、熱的ストレス等の負荷がかか
り、金属又は金属化合物の蒸着薄膜と樹脂フィルムとの
界面付近で剥離や欠陥(クラック、ピンホール等)が生
じ、その剥離あるいは欠陥部分から酸素、水蒸気等の気
体が通過し、本来有しているはずの高いガスバリアー性
が低下するという問題がある。
【0007】このような問題に対して、蒸着薄膜の下地
となる樹脂フィルムと蒸着薄膜との密着性を改善するた
め、例えば、樹脂フィルムの表面をコロナ放電処理、紫
外線照射処理、プラズマ処理、火炎処理、または熱やア
ルカリ等の薬品等で表面処理し、樹脂フィルム表面を活
性化してから金属または金属化合物の蒸着を行う方法
(表面活性化処理法)がある。
となる樹脂フィルムと蒸着薄膜との密着性を改善するた
め、例えば、樹脂フィルムの表面をコロナ放電処理、紫
外線照射処理、プラズマ処理、火炎処理、または熱やア
ルカリ等の薬品等で表面処理し、樹脂フィルム表面を活
性化してから金属または金属化合物の蒸着を行う方法
(表面活性化処理法)がある。
【0008】ところがこの表面活性化処理法によると、
樹脂フィルム表面が過度に活性化されることにより樹脂
フィルム表面の分子構造の破壊が進行しすぎ、このため
にかえって蒸着薄膜と樹脂フィルムとの密着強度が低下
したり、樹脂フィルム表面の活性化状態の経時的変化に
より樹脂フィルムと蒸着薄膜との密着性が安定しないと
いう問題が生じる。さらに、上述の各種表面活性化処理
法は、得られる樹脂フィルム表面の分子状態のコントロ
ールが非常に難しいため、樹脂フィルムと蒸着薄膜との
密着強度にもバラツキが生じるという問題がある。
樹脂フィルム表面が過度に活性化されることにより樹脂
フィルム表面の分子構造の破壊が進行しすぎ、このため
にかえって蒸着薄膜と樹脂フィルムとの密着強度が低下
したり、樹脂フィルム表面の活性化状態の経時的変化に
より樹脂フィルムと蒸着薄膜との密着性が安定しないと
いう問題が生じる。さらに、上述の各種表面活性化処理
法は、得られる樹脂フィルム表面の分子状態のコントロ
ールが非常に難しいため、樹脂フィルムと蒸着薄膜との
密着強度にもバラツキが生じるという問題がある。
【0009】別な方法として、蒸着薄膜の下地となる樹
脂フィルムとして、樹脂フィルムの構成成分とその他の
樹脂成分等とを共重合させた共重合樹脂フィルムや、樹
脂フィルムの成膜時に他の樹脂を共押出しさせた共押出
多層樹脂フィルムを用いる方法があり、また、樹脂フィ
ルムの成膜時に、その樹脂フィルムの表面にオフライン
またはインラインで、エチレンイミン系、アミン系、エ
ポキシ系、ウレタン系またはポリエステル系等のコーテ
ィング剤を塗布したものを使用する方法がある。
脂フィルムとして、樹脂フィルムの構成成分とその他の
樹脂成分等とを共重合させた共重合樹脂フィルムや、樹
脂フィルムの成膜時に他の樹脂を共押出しさせた共押出
多層樹脂フィルムを用いる方法があり、また、樹脂フィ
ルムの成膜時に、その樹脂フィルムの表面にオフライン
またはインラインで、エチレンイミン系、アミン系、エ
ポキシ系、ウレタン系またはポリエステル系等のコーテ
ィング剤を塗布したものを使用する方法がある。
【0010】しかし、これらの方法によると、いずれも
蒸着薄膜と樹脂フィルムとの密着性は向上するが、樹脂
フィルムの耐熱性が劣るために熱寸法安定性が悪く、蒸
着、印刷、ラミネート等の包装材料に一般に施される加
工工程等において蒸着フィルムに熱負荷がかかった時に
蒸着薄膜が機械的ストレスを受け、それにより蒸着薄膜
にクラック、ピンホール等が発生し、十分なガスバリア
ー性が得られないという問題がある。
蒸着薄膜と樹脂フィルムとの密着性は向上するが、樹脂
フィルムの耐熱性が劣るために熱寸法安定性が悪く、蒸
着、印刷、ラミネート等の包装材料に一般に施される加
工工程等において蒸着フィルムに熱負荷がかかった時に
蒸着薄膜が機械的ストレスを受け、それにより蒸着薄膜
にクラック、ピンホール等が発生し、十分なガスバリア
ー性が得られないという問題がある。
【0011】本発明は以上のような従来技術の課題を解
決しようとするものであり、金属又は金属化合物の蒸着
薄膜と樹脂フィルムとから蒸着フィルムを製造するにあ
たり、蒸着薄膜に対して優れた密着性を有する樹脂フィ
ルムを得、それにより蒸着、印刷、ラミネート等の蒸着
フィルムの製造工程や蒸着フィルムを包装材料として成
形する際の製袋等の加工工程において、また蒸着フィル
ムを種々の包装形態で使用する場合において、金属又は
金属化合物の蒸着薄膜と樹脂フィルムとの剥離を防止
し、高いガスバリアー性が維持できるようにすることを
目的とする。
決しようとするものであり、金属又は金属化合物の蒸着
薄膜と樹脂フィルムとから蒸着フィルムを製造するにあ
たり、蒸着薄膜に対して優れた密着性を有する樹脂フィ
ルムを得、それにより蒸着、印刷、ラミネート等の蒸着
フィルムの製造工程や蒸着フィルムを包装材料として成
形する際の製袋等の加工工程において、また蒸着フィル
ムを種々の包装形態で使用する場合において、金属又は
金属化合物の蒸着薄膜と樹脂フィルムとの剥離を防止
し、高いガスバリアー性が維持できるようにすることを
目的とする。
【0012】また、そのような樹脂フィルムと金属又は
金属化合物の蒸着薄膜とからなるガスバリアー性の高い
蒸着フィルムの製造方法を提供する。
金属化合物の蒸着薄膜とからなるガスバリアー性の高い
蒸着フィルムの製造方法を提供する。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明者は、特定の表面
特性を有するPETフィルムを使用することにより上記
の目的が達成できることを見出し、本発明を完成させる
に至った。
特性を有するPETフィルムを使用することにより上記
の目的が達成できることを見出し、本発明を完成させる
に至った。
【0014】即ち、本発明は、第1に、金属又は金属化
合物の蒸着薄膜が積層されるPETフィルムであって、
金属又は金属化合物の蒸着薄膜と接する表面をX線光電
子分光測定(測定条件:X線源MgKα、出力100
W)した場合に、C1s波形分離におけるベンゼン環の
C−C結合の半値幅が1.225〜1.554eVであ
ることを特徴とする蒸着用PETフィルムを提供する。
合物の蒸着薄膜が積層されるPETフィルムであって、
金属又は金属化合物の蒸着薄膜と接する表面をX線光電
子分光測定(測定条件:X線源MgKα、出力100
W)した場合に、C1s波形分離におけるベンゼン環の
C−C結合の半値幅が1.225〜1.554eVであ
ることを特徴とする蒸着用PETフィルムを提供する。
【0015】また、このような蒸着用PETフィルムと
して、その表面が低温プラズマ処理されているものを提
供する。
して、その表面が低温プラズマ処理されているものを提
供する。
【0016】第2に、本発明は、かかる蒸着用PETフ
ィルム上に金属又は金属化合物の蒸着薄膜が積層されて
いる蒸着フィルムを提供する。
ィルム上に金属又は金属化合物の蒸着薄膜が積層されて
いる蒸着フィルムを提供する。
【0017】第3に、そのような蒸着フィルムの製造方
法として、金属又は金属化合物の蒸着薄膜が積層される
蒸着用PETフィルムの表面に低温プラズマ処理し、次
いで低温プラズマ処理したPETフィルム表面に金属又
は金属化合物の蒸着薄膜を積層し、かつ該低温プラズマ
処理と蒸着薄膜の積層とをインライン処理により行うこ
とを特徴とする方法を提供する。
法として、金属又は金属化合物の蒸着薄膜が積層される
蒸着用PETフィルムの表面に低温プラズマ処理し、次
いで低温プラズマ処理したPETフィルム表面に金属又
は金属化合物の蒸着薄膜を積層し、かつ該低温プラズマ
処理と蒸着薄膜の積層とをインライン処理により行うこ
とを特徴とする方法を提供する。
【0018】かかる本発明の蒸着用PETフィルムは、
本発明者の次の知見に基づくものである。即ち、一般
に、X線光電子分光測定(XPS測定)によれば、被測
定物質の表面から数nm程度の原子の種類やその原子と
結合している原子の種類やそれらの結合状態を分析で
き、PETフィルムは、プラズマ処理などの表面処理が
施こされない未処理状態において、C1s波形分離にお
けるPET分子構造内のベンゼン環のC−C結合の半値
幅が1.220程度となる(XPS測定条件:X線源M
gKα、出力100W)。このような半値幅を有するP
ETフィルムは、金属又は金属化合物の蒸着薄膜との密
着性が低い。
本発明者の次の知見に基づくものである。即ち、一般
に、X線光電子分光測定(XPS測定)によれば、被測
定物質の表面から数nm程度の原子の種類やその原子と
結合している原子の種類やそれらの結合状態を分析で
き、PETフィルムは、プラズマ処理などの表面処理が
施こされない未処理状態において、C1s波形分離にお
けるPET分子構造内のベンゼン環のC−C結合の半値
幅が1.220程度となる(XPS測定条件:X線源M
gKα、出力100W)。このような半値幅を有するP
ETフィルムは、金属又は金属化合物の蒸着薄膜との密
着性が低い。
【0019】これに対して、表面処理を施すことにより
C1s波形分離におけるPET分子構造内のベンゼン環
のC−C結合の半値幅が1.225〜1.554eVを
示すものは、その表面処理の方法や条件などによらず金
属又は金属化合物の蒸着薄膜と極めて良好な密着性を示
すのである。
C1s波形分離におけるPET分子構造内のベンゼン環
のC−C結合の半値幅が1.225〜1.554eVを
示すものは、その表面処理の方法や条件などによらず金
属又は金属化合物の蒸着薄膜と極めて良好な密着性を示
すのである。
【0020】したがって、本発明の蒸着用PETフィル
ムによれば、その表面に積層された金属又は金属化合物
の蒸着薄膜が高い密着性を示し、蒸着、印刷、ラミネー
ト等の蒸着フィルムの製造工程や蒸着フィルムを包装材
料として成形する際の製袋等の加工工程において、また
蒸着フィルムを種々の包装形態で使用する場合におい
て、金属又は金属化合物の蒸着薄膜の剥離が防止され
る。よって、本発明の蒸着用PETフィルム上に金属又
は金属化合物の蒸着薄膜を積層することにより得られる
本発明の蒸着フィルムは、高いガスバリアー性を維持す
るものとなる。
ムによれば、その表面に積層された金属又は金属化合物
の蒸着薄膜が高い密着性を示し、蒸着、印刷、ラミネー
ト等の蒸着フィルムの製造工程や蒸着フィルムを包装材
料として成形する際の製袋等の加工工程において、また
蒸着フィルムを種々の包装形態で使用する場合におい
て、金属又は金属化合物の蒸着薄膜の剥離が防止され
る。よって、本発明の蒸着用PETフィルム上に金属又
は金属化合物の蒸着薄膜を積層することにより得られる
本発明の蒸着フィルムは、高いガスバリアー性を維持す
るものとなる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に基づいて詳
細に説明する。なお、各図中、同一符号は同一又は同等
の構成要素を表している。
細に説明する。なお、各図中、同一符号は同一又は同等
の構成要素を表している。
【0022】図1は、本発明の蒸着用PETフィルム1
0の断面図であり、図2は蒸着用PETフィルム10に
金属又は金属化合物の蒸着薄膜11を積層した蒸着フィ
ルム20であり、図3は、基材となるPETフィルム1
に表面処理を施して本発明の蒸着用PETフィルム10
を製造し、さらに金属又は金属化合物の蒸着薄膜11を
積層して本発明の蒸着フィルム20を製造する真空蒸着
兼表面処理装置30の模式説明図である。
0の断面図であり、図2は蒸着用PETフィルム10に
金属又は金属化合物の蒸着薄膜11を積層した蒸着フィ
ルム20であり、図3は、基材となるPETフィルム1
に表面処理を施して本発明の蒸着用PETフィルム10
を製造し、さらに金属又は金属化合物の蒸着薄膜11を
積層して本発明の蒸着フィルム20を製造する真空蒸着
兼表面処理装置30の模式説明図である。
【0023】図1の蒸着用PETフィルム10におい
て、1は基材となるPETフィルムであり、2は金属及
び金属化合物の蒸着薄膜11(図2参照)が形成される
側の表面である。
て、1は基材となるPETフィルムであり、2は金属及
び金属化合物の蒸着薄膜11(図2参照)が形成される
側の表面である。
【0024】このPETフィルム1としては、シート状
またはフィルム状のPETを使用するが、特に、熱寸法
安定性及び耐熱性の点から二軸延伸されたPETフィル
ムを使用することが好ましい。
またはフィルム状のPETを使用するが、特に、熱寸法
安定性及び耐熱性の点から二軸延伸されたPETフィル
ムを使用することが好ましい。
【0025】また、PETフィルム1は、例えば帯電防
止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤、着色剤等公知の添
加剤を含有することができるが、その表面には、後述す
るように、XPS(測定条件:X線源MgKα、出力1
00W)のC1s波形分離におけるベンゼン環のC−C
結合の半値幅を1.225〜1.554eVに調整する
ために行う表面処理以外には、コロナ処理、コーティン
グ処理等の施されていない、プレーンな表面をもつもの
が好ましい。このようなプレーンな表面は、XPS(測
定条件:X線源MgKα、出力100W)のC1s波形
分離におけるベンゼン環のC−C結合の半値幅が1.2
25よりも小さく、通常、1.220程度を示す。
止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、滑剤、着色剤等公知の添
加剤を含有することができるが、その表面には、後述す
るように、XPS(測定条件:X線源MgKα、出力1
00W)のC1s波形分離におけるベンゼン環のC−C
結合の半値幅を1.225〜1.554eVに調整する
ために行う表面処理以外には、コロナ処理、コーティン
グ処理等の施されていない、プレーンな表面をもつもの
が好ましい。このようなプレーンな表面は、XPS(測
定条件:X線源MgKα、出力100W)のC1s波形
分離におけるベンゼン環のC−C結合の半値幅が1.2
25よりも小さく、通常、1.220程度を示す。
【0026】PETフィルム1の厚さは特に制限されな
いが、蒸着工程の加工適性などを考慮すると2〜400
μmの範囲が好ましい。
いが、蒸着工程の加工適性などを考慮すると2〜400
μmの範囲が好ましい。
【0027】本発明の蒸着用PETフィルム10におい
ては、以上のようなPETフィルム1の表面2のPET
分子の結合状態につき、XPSのC1s波形分離にて、
PET分子構造内のベンゼン環のC−C結合の半値幅
(FWHM)の値が1.225evから1.554eV
の範囲となるようにする。
ては、以上のようなPETフィルム1の表面2のPET
分子の結合状態につき、XPSのC1s波形分離にて、
PET分子構造内のベンゼン環のC−C結合の半値幅
(FWHM)の値が1.225evから1.554eV
の範囲となるようにする。
【0028】PETフィルム1の表面2の分子結合状態
が上述のようなベンゼン環のC−C結合の半値幅を示す
ように制御する方法、つまり、PETフィルム表面の処
理方法には制限はない。低温プラズマ、コロナ放電、大
気圧プラズマ等を利用する方法をあげることができる。
なかでも再現性、安定性など制御しやすさの点からの低
温プラズマを利用する方法が最も好ましい。この場合、
プラズマの発生方法には特に制限はなく、高周波放電方
式(RF法)も直流放電方式(DC法)も使用すること
ができる。また、プラズマ発生に用いるガスは、プラズ
マを安定的に発生させ、かつ、そのガスをもととする析
出物ができないものを使用することが好ましく、具体的
には、例えば、アルゴン(Ar)、酸素(O2)等の無
機ガスが好ましい。
が上述のようなベンゼン環のC−C結合の半値幅を示す
ように制御する方法、つまり、PETフィルム表面の処
理方法には制限はない。低温プラズマ、コロナ放電、大
気圧プラズマ等を利用する方法をあげることができる。
なかでも再現性、安定性など制御しやすさの点からの低
温プラズマを利用する方法が最も好ましい。この場合、
プラズマの発生方法には特に制限はなく、高周波放電方
式(RF法)も直流放電方式(DC法)も使用すること
ができる。また、プラズマ発生に用いるガスは、プラズ
マを安定的に発生させ、かつ、そのガスをもととする析
出物ができないものを使用することが好ましく、具体的
には、例えば、アルゴン(Ar)、酸素(O2)等の無
機ガスが好ましい。
【0029】本発明のガスバリアー性蒸着フィルムは、
以上のような蒸着用PETフィルム10上の表面2側に
金属又は金属化合物の蒸着薄膜11を積層したものであ
る。
以上のような蒸着用PETフィルム10上の表面2側に
金属又は金属化合物の蒸着薄膜11を積層したものであ
る。
【0030】ここで、蒸着用PETフィルム10の表面
2上の蒸着薄膜11を構成する金属又は金属化合物とし
ては、アルミニウム、シリカ、チタニウム、亜鉛、ジル
コニウム、マグネシウム、錫、銅、鉄などの金属やこれ
らの金属の酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物等、例え
ば酸化アルミニウム(Al2O3)、一酸化ケイ素(Si
O)、二酸化ケイ素(SiO2)、酸化チタニウム(T
iO2)、酸化亜鉛(ZnS)、酸化ジルコニウム(Z
rO2)、酸化マグネシウム(MgO)、フッ化マグネ
シウム(MgF2)、酸化錫(SnO2)、酸化銅(Cu
O)、酸化鉄(Fe2O3)等があげられる。中でも、ガ
スバリアー性の点から一酸化ケイ素、二酸化ケイ素など
の酸化ケイ素や、一酸化アルミニウム、二酸化アルミニ
ウム、三酸化アルミニウム等の酸化アルミニウムが好ま
しい。また、蒸着薄膜は、上述の金属又は金属化合物の
単一種からなるものに限らず、複数種を用いて多層の蒸
着薄膜としてもよい。
2上の蒸着薄膜11を構成する金属又は金属化合物とし
ては、アルミニウム、シリカ、チタニウム、亜鉛、ジル
コニウム、マグネシウム、錫、銅、鉄などの金属やこれ
らの金属の酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物等、例え
ば酸化アルミニウム(Al2O3)、一酸化ケイ素(Si
O)、二酸化ケイ素(SiO2)、酸化チタニウム(T
iO2)、酸化亜鉛(ZnS)、酸化ジルコニウム(Z
rO2)、酸化マグネシウム(MgO)、フッ化マグネ
シウム(MgF2)、酸化錫(SnO2)、酸化銅(Cu
O)、酸化鉄(Fe2O3)等があげられる。中でも、ガ
スバリアー性の点から一酸化ケイ素、二酸化ケイ素など
の酸化ケイ素や、一酸化アルミニウム、二酸化アルミニ
ウム、三酸化アルミニウム等の酸化アルミニウムが好ま
しい。また、蒸着薄膜は、上述の金属又は金属化合物の
単一種からなるものに限らず、複数種を用いて多層の蒸
着薄膜としてもよい。
【0031】金属又は金属化合物から蒸着薄膜11を形
成する方法は、真空蒸着、イオンプレーティング、スパ
ッタリングなどの物理蒸着法をあげることができる。
成する方法は、真空蒸着、イオンプレーティング、スパ
ッタリングなどの物理蒸着法をあげることができる。
【0032】また、蒸着薄膜11の膜厚は5〜500n
mが好ましい。膜厚が薄すぎると抜けが生じ、ガスバリ
アー性にバラツキが生じ易く、また、厚すぎると蒸着薄
膜のフレキシビリティーが損なわれ、クラック、ピンホ
ールが発生し、ガスバリアー性が低下しやすくなる。
mが好ましい。膜厚が薄すぎると抜けが生じ、ガスバリ
アー性にバラツキが生じ易く、また、厚すぎると蒸着薄
膜のフレキシビリティーが損なわれ、クラック、ピンホ
ールが発生し、ガスバリアー性が低下しやすくなる。
【0033】以上のような金属又は金属化合物の蒸着薄
膜11を蒸着用PETフィルム10の表面2に積層し、
本発明のガスバリアー性蒸着フィルムを得るに際して
は、蒸着用PETフィルム10の基材となるPETフィ
ルム1への低温プラズマ処理と、その低温プラズマ処理
した表面への金属又は金属化合物の蒸着薄膜の積層と
を、同一バッチ内で、低温プラズマ処理の直後に蒸着薄
膜の積層を行うインライン処理により行うことが好まし
い。このためには、例えば、図3に示す真空蒸着兼表面
処理装置30を使用することが好ましい。
膜11を蒸着用PETフィルム10の表面2に積層し、
本発明のガスバリアー性蒸着フィルムを得るに際して
は、蒸着用PETフィルム10の基材となるPETフィ
ルム1への低温プラズマ処理と、その低温プラズマ処理
した表面への金属又は金属化合物の蒸着薄膜の積層と
を、同一バッチ内で、低温プラズマ処理の直後に蒸着薄
膜の積層を行うインライン処理により行うことが好まし
い。このためには、例えば、図3に示す真空蒸着兼表面
処理装置30を使用することが好ましい。
【0034】図3の真空蒸着兼表面処理装置30は、ロ
ール室31内に、巻出ロール32、低温プラズマ処理ユ
ニット33、冷却ドラム34、巻取ロール35及びガイ
ドロール36を有している。また、ロール室31に隣接
して真空蒸着ユニット37を有している。ここで、巻出
ロール32は、表面処理を受けるPETフィルム1を巻
き出すものであり、冷却ドラム34は、低温プラズマ処
理ユニット33で低温プラズマ処理を受けるPETフィ
ルム1を支持すると共に必要に応じて冷却し、さらに低
温プラズマ処理を受けることによりその表面が所定の分
子結合状態となった蒸着用PETフィルム10を直ちに
真空蒸着ユニット37に案内する金属製のドラムであ
る。真空蒸着ユニット37は、金属又は金属化合物から
なる蒸着源38を設置しそれを真空下で加熱できるよう
になっている。巻取ロール35は、蒸着用PETフィル
ム10の表面に金属又は金属化合物の蒸着薄膜11が形
成された蒸着フィルム20を巻き取るものであり、ガイ
ドロール36は、巻出ロール32、冷却ドラム34及び
巻取ロール35の間のPETフィルム1、蒸着用PET
フィルム10又は蒸着フィルム20の走行を案内するも
のである。
ール室31内に、巻出ロール32、低温プラズマ処理ユ
ニット33、冷却ドラム34、巻取ロール35及びガイ
ドロール36を有している。また、ロール室31に隣接
して真空蒸着ユニット37を有している。ここで、巻出
ロール32は、表面処理を受けるPETフィルム1を巻
き出すものであり、冷却ドラム34は、低温プラズマ処
理ユニット33で低温プラズマ処理を受けるPETフィ
ルム1を支持すると共に必要に応じて冷却し、さらに低
温プラズマ処理を受けることによりその表面が所定の分
子結合状態となった蒸着用PETフィルム10を直ちに
真空蒸着ユニット37に案内する金属製のドラムであ
る。真空蒸着ユニット37は、金属又は金属化合物から
なる蒸着源38を設置しそれを真空下で加熱できるよう
になっている。巻取ロール35は、蒸着用PETフィル
ム10の表面に金属又は金属化合物の蒸着薄膜11が形
成された蒸着フィルム20を巻き取るものであり、ガイ
ドロール36は、巻出ロール32、冷却ドラム34及び
巻取ロール35の間のPETフィルム1、蒸着用PET
フィルム10又は蒸着フィルム20の走行を案内するも
のである。
【0035】また、真空蒸着兼表面処理装置30の内部
は、低温プラズマ処理ユニット33による低温プラズマ
処理や、真空蒸着ユニット37における蒸着薄膜の形成
に当たり、1×10-5〜1×10-6Torr程度の真空
に引けるようになっている。
は、低温プラズマ処理ユニット33による低温プラズマ
処理や、真空蒸着ユニット37における蒸着薄膜の形成
に当たり、1×10-5〜1×10-6Torr程度の真空
に引けるようになっている。
【0036】以上、図示した本発明の蒸着用PETフィ
ルム10、及びその蒸着用PETフィルム10に金属又
は金属化合物の蒸着薄膜11が形成された蒸着フィルム
20について、具体的に説明したが、本発明はこれに限
定されることなく種々の態様をとることができる。
ルム10、及びその蒸着用PETフィルム10に金属又
は金属化合物の蒸着薄膜11が形成された蒸着フィルム
20について、具体的に説明したが、本発明はこれに限
定されることなく種々の態様をとることができる。
【0037】また、本発明の蒸着フィルム20には、さ
らに必要に応じて蒸着工程、印刷工程、ラミネート工
程、製袋工程等を施し、所望の形態に成形することがで
きる。
らに必要に応じて蒸着工程、印刷工程、ラミネート工
程、製袋工程等を施し、所望の形態に成形することがで
きる。
【0038】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。
明する。
【0039】実施例1 図3に示した真空蒸着兼表面処理装置30を用いて、本
発明の蒸着用PETフィルム及びそれに酸化ケイ素の蒸
着薄膜を積層した蒸着フィルムを次のようにして製造し
た。
発明の蒸着用PETフィルム及びそれに酸化ケイ素の蒸
着薄膜を積層した蒸着フィルムを次のようにして製造し
た。
【0040】PETフィルム1には、一般包装用グレー
ドの片面コロナ処理を施した厚み12μmのものを使用
した。予め、このPETフィルム1の非コロナ処理面の
XPS(日本電子(株)社製、X線源=MgKα、出力
100W)を測定したところ、C1s波形分離にて、ベ
ンゼン環のC−C結合の半値幅(FWHM)の値は1.
22eVであった。ここで、標準物質としての分解能が
銀(Ag)の3d5/2ピークで0.8〜1.0eVで
あったことから、このPETフィルム1の非コロナ処理
面は、何ら表面処理が施されていないPET分子構造で
あることが確認できた。
ドの片面コロナ処理を施した厚み12μmのものを使用
した。予め、このPETフィルム1の非コロナ処理面の
XPS(日本電子(株)社製、X線源=MgKα、出力
100W)を測定したところ、C1s波形分離にて、ベ
ンゼン環のC−C結合の半値幅(FWHM)の値は1.
22eVであった。ここで、標準物質としての分解能が
銀(Ag)の3d5/2ピークで0.8〜1.0eVで
あったことから、このPETフィルム1の非コロナ処理
面は、何ら表面処理が施されていないPET分子構造で
あることが確認できた。
【0041】また、真空蒸着兼表面処理装置30の低温
プラズマ処理ユニット33として、チタン(Ti)をカ
ソードとしたDCマグネトロン放電方式のものを用意し
た。そして、真空蒸着兼表面処理装置30全体を真空度
1.5×10-5Torrとした後、低温プラズマ処理ユ
ニット33内に、その真空度が5.0×10-3となるよ
うにアルゴン(Ar)にてプラズマを発生させ、上述の
PETフィルム1の非コロナ処理面に対して低温プラズ
マ処理を行い、本発明の蒸着用PETフィルム10を得
た。
プラズマ処理ユニット33として、チタン(Ti)をカ
ソードとしたDCマグネトロン放電方式のものを用意し
た。そして、真空蒸着兼表面処理装置30全体を真空度
1.5×10-5Torrとした後、低温プラズマ処理ユ
ニット33内に、その真空度が5.0×10-3となるよ
うにアルゴン(Ar)にてプラズマを発生させ、上述の
PETフィルム1の非コロナ処理面に対して低温プラズ
マ処理を行い、本発明の蒸着用PETフィルム10を得
た。
【0042】この低温プラズマ処理におけるプラズマ処
理パラメーター(Pe値)は50(W・min/m2)
であり、得られた蒸着用PETフィルム10の低温プラ
ズマ処理面のXPS測定をしたところ、そのC1s波形
分離にて、ベンゼン環のC−C結合の半値幅(FWH
M)の値は1.23eVであった。
理パラメーター(Pe値)は50(W・min/m2)
であり、得られた蒸着用PETフィルム10の低温プラ
ズマ処理面のXPS測定をしたところ、そのC1s波形
分離にて、ベンゼン環のC−C結合の半値幅(FWH
M)の値は1.23eVであった。
【0043】次に、冷却ドラム34を抱くように走行し
ている、低温プラズマ処理されたPETフィルム1(即
ち、本発明の蒸着用PETフィルム10)の表面2の上
に、酸化ケイ素SiOを膜厚500オングストローム蒸
着して蒸着フィルム20を形成した。次いで蒸着フィル
ム20が冷却ドラム34を離れ、ガイドロール36を経
て巻取ロール35に案内されてきたところで、その巻取
ロール35に蒸着フィルム20を連続的に巻き取った。
ている、低温プラズマ処理されたPETフィルム1(即
ち、本発明の蒸着用PETフィルム10)の表面2の上
に、酸化ケイ素SiOを膜厚500オングストローム蒸
着して蒸着フィルム20を形成した。次いで蒸着フィル
ム20が冷却ドラム34を離れ、ガイドロール36を経
て巻取ロール35に案内されてきたところで、その巻取
ロール35に蒸着フィルム20を連続的に巻き取った。
【0044】得られた蒸着フィルム20の酸化ケイ素S
iOの蒸着面に、熱接着性樹脂として厚さ30μmの未
延伸ポリプロピレンフィルムをドライラミネート法によ
り貼り合せ、ラミネート層付蒸着フィルムを得た。
iOの蒸着面に、熱接着性樹脂として厚さ30μmの未
延伸ポリプロピレンフィルムをドライラミネート法によ
り貼り合せ、ラミネート層付蒸着フィルムを得た。
【0045】実施例2 低温プラズマ処理ユニット33にて低温プラズマ処理し
た時のプラズマ処理パラメータ−(Pe値)を500
(W・min/m2)とし、それにより得られた蒸着用
PETフィルム10の低温プラズマ処理面のXPS測定
におけるC1s波形分離のベンゼン環のC−C結合の半
値幅(FWHM)の値が1.42eVであった以外は、
実施例1と同様にしてラミネート層付蒸着フィルムを得
た。
た時のプラズマ処理パラメータ−(Pe値)を500
(W・min/m2)とし、それにより得られた蒸着用
PETフィルム10の低温プラズマ処理面のXPS測定
におけるC1s波形分離のベンゼン環のC−C結合の半
値幅(FWHM)の値が1.42eVであった以外は、
実施例1と同様にしてラミネート層付蒸着フィルムを得
た。
【0046】実施例3 低温プラズマ処理ユニット33にて低温プラズマ処理し
た時のプラズマ処理パラメータ−(Pe値)を1000
(W・min/m2)とし、それにより得られた蒸着用
PETフィルム10の低温プラズマ処理面のXPS測定
におけるC1s波形分離のベンゼン環のC−C結合の半
値幅(FWHM)の値が1.55eVであった以外は、
実施例1と同様にしてラミネート層付蒸着フィルムを得
た。
た時のプラズマ処理パラメータ−(Pe値)を1000
(W・min/m2)とし、それにより得られた蒸着用
PETフィルム10の低温プラズマ処理面のXPS測定
におけるC1s波形分離のベンゼン環のC−C結合の半
値幅(FWHM)の値が1.55eVであった以外は、
実施例1と同様にしてラミネート層付蒸着フィルムを得
た。
【0047】実施例4 低温プラズマ処理ユニット33にて使用するガスをアル
ゴン(Ar)に代えて二酸化炭素(CO2)とし、それ
により得られた蒸着用PETフィルム10の低温プラズ
マ処理面のXPS測定におけるC1s波形分離のベンゼ
ン環のC−C結合の半値幅(FWHM)の値が1.30
eVであった以外は、実施例1と同様にしてラミネート
層付蒸着フィルムを得た。
ゴン(Ar)に代えて二酸化炭素(CO2)とし、それ
により得られた蒸着用PETフィルム10の低温プラズ
マ処理面のXPS測定におけるC1s波形分離のベンゼ
ン環のC−C結合の半値幅(FWHM)の値が1.30
eVであった以外は、実施例1と同様にしてラミネート
層付蒸着フィルムを得た。
【0048】実施例5 酸化ケイ素SiOの蒸着薄膜(膜厚500オングストロ
ーム)に代えて、酸化アルミニウムの蒸着薄膜(膜厚5
00オングストローム)を形成する以外は実施例1と同
様にしてラミネート層付蒸着フィルムを得た。
ーム)に代えて、酸化アルミニウムの蒸着薄膜(膜厚5
00オングストローム)を形成する以外は実施例1と同
様にしてラミネート層付蒸着フィルムを得た。
【0049】実施例6 酸化ケイ素SiOの蒸着薄膜(膜厚500オングストロ
ーム)に代えて、アルミニウムの蒸着薄膜(膜厚500
オングストローム)を形成する以外は実施例1と同様に
してラミネート層付蒸着フィルムを得た。
ーム)に代えて、アルミニウムの蒸着薄膜(膜厚500
オングストローム)を形成する以外は実施例1と同様に
してラミネート層付蒸着フィルムを得た。
【0050】比較例1 低温プラズマ処理ユニット33にてプラズマを発生させ
ず、プラズマ処理パラメータ−(Pe値)を0(W・m
in/m2)とし、低温プラズマ処理ユニット33を経
たPETフィルム1の非コロナ処理面(蒸着膜形成面)
のXPS測定におけるC1s波形分離のベンゼン環のC
−C結合の半値幅(FWHM)の値が1.22eVであ
った以外は、実施例1と同様にしてラミネート層付蒸着
フィルムを得た。
ず、プラズマ処理パラメータ−(Pe値)を0(W・m
in/m2)とし、低温プラズマ処理ユニット33を経
たPETフィルム1の非コロナ処理面(蒸着膜形成面)
のXPS測定におけるC1s波形分離のベンゼン環のC
−C結合の半値幅(FWHM)の値が1.22eVであ
った以外は、実施例1と同様にしてラミネート層付蒸着
フィルムを得た。
【0051】比較例2 低温プラズマ処理ユニット33にて低温プラズマ処理し
た時のプラズマ処理パラメータ−(Pe値)を5000
(W・min/m2)とし、それにより得られた蒸着用
PETフィルム10の低温プラズマ処理面のXPS測定
におけるC1s波形分離のベンゼン環のC−C結合の半
値幅(FWHM)の値が1.58eVであった以外は、
実施例1と同様にしてラミネート層付蒸着フィルムを得
た。
た時のプラズマ処理パラメータ−(Pe値)を5000
(W・min/m2)とし、それにより得られた蒸着用
PETフィルム10の低温プラズマ処理面のXPS測定
におけるC1s波形分離のベンゼン環のC−C結合の半
値幅(FWHM)の値が1.58eVであった以外は、
実施例1と同様にしてラミネート層付蒸着フィルムを得
た。
【0052】比較例3 低温プラズマ処理ユニット33にてプラズマを発生させ
ず、プラズマ処理パラメータ−(Pe値)を0(W・m
in/m2)とし、低温プラズマ処理ユニット33を経
たPETフィルム1のコロナ処理面に酸化ケイ素SiO
の蒸着薄膜を積層した以外は、実施例1と同様にしてラ
ミネート層付蒸着フィルムを得た。この場合、 PET
フィルム1のコロナ処理面(蒸着膜形成面)のXPS測
定におけるC1s波形分離のベンゼン環のC−C結合の
半値幅(FWHM)は1.60eVであった 比較例4 低温プラズマ処理ユニット33にてプラズマを発生させ
ず、プラズマ処理パラメータ−(Pe値)を0(W・m
in/m2)とし、低温プラズマ処理ユニット33を経
たPETフィルム1の非コロナ処理面(蒸着膜形成面)
のXPS測定におけるC1s波形分離のベンゼン環のC
−C結合の半値幅(FWHM)の値が1.22eVであ
り、かつ、蒸着薄膜として、酸化ケイ素SiOの蒸着薄
膜(膜厚500オングストローム)に代えて、酸化アル
ミニウムの蒸着薄膜(膜厚500オングストローム)を
形成する以外は実施例1と同様にしてラミネート層付蒸
着フィルムを得た。
ず、プラズマ処理パラメータ−(Pe値)を0(W・m
in/m2)とし、低温プラズマ処理ユニット33を経
たPETフィルム1のコロナ処理面に酸化ケイ素SiO
の蒸着薄膜を積層した以外は、実施例1と同様にしてラ
ミネート層付蒸着フィルムを得た。この場合、 PET
フィルム1のコロナ処理面(蒸着膜形成面)のXPS測
定におけるC1s波形分離のベンゼン環のC−C結合の
半値幅(FWHM)は1.60eVであった 比較例4 低温プラズマ処理ユニット33にてプラズマを発生させ
ず、プラズマ処理パラメータ−(Pe値)を0(W・m
in/m2)とし、低温プラズマ処理ユニット33を経
たPETフィルム1の非コロナ処理面(蒸着膜形成面)
のXPS測定におけるC1s波形分離のベンゼン環のC
−C結合の半値幅(FWHM)の値が1.22eVであ
り、かつ、蒸着薄膜として、酸化ケイ素SiOの蒸着薄
膜(膜厚500オングストローム)に代えて、酸化アル
ミニウムの蒸着薄膜(膜厚500オングストローム)を
形成する以外は実施例1と同様にしてラミネート層付蒸
着フィルムを得た。
【0053】比較例5 低温プラズマ処理ユニット33にてプラズマを発生させ
ず、プラズマ処理パラメータ−(Pe値)を0(W・m
in/m2)とし、低温プラズマ処理ユニット33を経
たPETフィルム1の非コロナ処理面(蒸着膜形成面)
のXPS測定におけるC1s波形分離のベンゼン環のC
−C結合の半値幅(FWHM)の値が1.22eVであ
り、かつ、蒸着薄膜として、酸化ケイ素SiOの蒸着薄
膜(膜厚500オングストローム)に代えて、アルミニ
ウムの蒸着薄膜(膜厚500オングストローム)を形成
する以外は実施例1と同様にしてラミネート層付蒸着フ
ィルムを得た。
ず、プラズマ処理パラメータ−(Pe値)を0(W・m
in/m2)とし、低温プラズマ処理ユニット33を経
たPETフィルム1の非コロナ処理面(蒸着膜形成面)
のXPS測定におけるC1s波形分離のベンゼン環のC
−C結合の半値幅(FWHM)の値が1.22eVであ
り、かつ、蒸着薄膜として、酸化ケイ素SiOの蒸着薄
膜(膜厚500オングストローム)に代えて、アルミニ
ウムの蒸着薄膜(膜厚500オングストローム)を形成
する以外は実施例1と同様にしてラミネート層付蒸着フ
ィルムを得た。
【0054】評価 以上のようにして作製した実施例1〜6及び比較例1〜
5の合計11例のラミネート層付蒸着フィルムの密着特
性を評価するため、剥離強度を以下に示す測定条件に従
って測定した。その結果を表1に示す。
5の合計11例のラミネート層付蒸着フィルムの密着特
性を評価するため、剥離強度を以下に示す測定条件に従
って測定した。その結果を表1に示す。
【0055】剥離強度測定条件:インストロン型引張試
験機、試料15mm幅、剥離角度90度、剥離速度30
0mm/min.
験機、試料15mm幅、剥離角度90度、剥離速度30
0mm/min.
【0056】
【表1】 フ゜ラス゛マ処理度 ガス種 C-C結合 蒸着薄膜 剥離強度 (Pe) Wmin/m2 (FWHM)eV gf/15mm 実施例1 50 Ar 1.23 SiO 500 実施例2 500 Ar 1.42 SiO 600 実施例3 1000 Ar 1.55 SiO 800 実施例4 50 CO2 1.30 SiO 550 実施例5 50 Ar 1.23 AlOx 850 実施例6 50 Ar 1.23 Al 200 比較例1 0 Ar 1.22 SiO 250 比較例2 5000 Ar 1.58 SiO 250 比較例3 0(*1) − 1.60 SiO 250 比較例4 0 Ar 1.22 AlOx 300 比較例5 0 Ar 1.22 Al 50 表1注 (*1)PETフィルムのコロナ処理面に蒸着薄膜を積層
【0057】表1から、実施例1〜6の蒸着フィルム
は、いずれも蒸着薄膜を積層するPETフィルムの表面
のXPS測定のC1s波形分離におけるベンゼン環のC
−C結合の半値幅(FWHM)の値が1.225〜1.
554eVの範囲にあることがわかる。そして、PET
フィルム上に酸化珪素の蒸着薄膜を形成した実施例1〜
4の蒸着フィルムにおいては、PETフィルム上に酸化
珪素の蒸着薄膜を形成した比較例1〜3の蒸着フィルム
に比して剥離強度が高く、また、酸化アルミニウム又は
アルミニウムの蒸着薄膜を形成した実施例5、実施例6
の蒸着フィルムも、酸化アルミニウム又はアルミニウム
の蒸着薄膜を形成した比較例4、比較例5の蒸着フィル
ムに比して剥離強度が高く、したがって、蒸着薄膜を形
成するPETフィルム表面を、本発明が限定する特定の
分子結合状態にすることにより蒸着フィルムの密着性を
向上できることがわかる。
は、いずれも蒸着薄膜を積層するPETフィルムの表面
のXPS測定のC1s波形分離におけるベンゼン環のC
−C結合の半値幅(FWHM)の値が1.225〜1.
554eVの範囲にあることがわかる。そして、PET
フィルム上に酸化珪素の蒸着薄膜を形成した実施例1〜
4の蒸着フィルムにおいては、PETフィルム上に酸化
珪素の蒸着薄膜を形成した比較例1〜3の蒸着フィルム
に比して剥離強度が高く、また、酸化アルミニウム又は
アルミニウムの蒸着薄膜を形成した実施例5、実施例6
の蒸着フィルムも、酸化アルミニウム又はアルミニウム
の蒸着薄膜を形成した比較例4、比較例5の蒸着フィル
ムに比して剥離強度が高く、したがって、蒸着薄膜を形
成するPETフィルム表面を、本発明が限定する特定の
分子結合状態にすることにより蒸着フィルムの密着性を
向上できることがわかる。
【0058】
【発明の効果】本発明によれば、蒸着用PETフィルム
の表面の分子結合状態を、XPSのC1s波形分離に
て、PET分子構造内のベンゼン環のC−C結合の半値
幅(FWHM)の値が1.225〜1.554eVとな
る範囲に限定する。したがって、この表面の上に成膜さ
れる金属又は金属化合物蒸着薄膜との密着性が向上す
る。よって、この特定の表面を有する蒸着用PETフィ
ルムと金属又は金属化合物の蒸着薄膜からなる蒸着フィ
ルムは、その蒸着フィルムの製造工程や蒸着フィルムを
包装材料として成形する際の製袋等の加工工程におい
て、また蒸着フィルムを種々の包装形態で使用する場合
において、金属又は金属化合物の蒸着薄膜とPETフィ
ルムとの剥離が防止され、高いガスバリアー性が維持で
きるようになる。
の表面の分子結合状態を、XPSのC1s波形分離に
て、PET分子構造内のベンゼン環のC−C結合の半値
幅(FWHM)の値が1.225〜1.554eVとな
る範囲に限定する。したがって、この表面の上に成膜さ
れる金属又は金属化合物蒸着薄膜との密着性が向上す
る。よって、この特定の表面を有する蒸着用PETフィ
ルムと金属又は金属化合物の蒸着薄膜からなる蒸着フィ
ルムは、その蒸着フィルムの製造工程や蒸着フィルムを
包装材料として成形する際の製袋等の加工工程におい
て、また蒸着フィルムを種々の包装形態で使用する場合
において、金属又は金属化合物の蒸着薄膜とPETフィ
ルムとの剥離が防止され、高いガスバリアー性が維持で
きるようになる。
【図1】本発明の蒸着用PETフィルムの断面図であ
る。
る。
【図2】本発明の蒸着フィルムの断面図である。
【図3】真空蒸着兼表面処理装置の模式説明図である。
1 PETフィルム 2 PETフィルム表面 10 蒸着用PETフィルム 11 金属又は金属化合物の蒸着薄膜 20 蒸着フィルム 30 真空蒸着兼表面処理装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // C08J 7/00 306 C08J 7/00 306
Claims (7)
- 【請求項1】 金属又は金属化合物の蒸着薄膜が積層さ
れるポリエチレンテレフタレートフィルムであって、金
属又は金属化合物の蒸着薄膜と接する表面をX線光電子
分光測定(測定条件:X線源MgKα、出力100W)
した場合に、C1s波形分離におけるベンゼン環のC−
C結合の半値幅が1.225〜1.554eVであるこ
とを特徴とする蒸着用ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム。 - 【請求項2】 ポリエチレンテレフタレートフィルム表
面が、低温プラズマ処理されている請求項1記載の蒸着
用ポリエチレンテレフタレートフィルム。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載の蒸着用ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム上に金属又は金属化合物の蒸
着薄膜が積層されていることを特徴とする蒸着フィル
ム。 - 【請求項4】 蒸着薄膜を形成する金属又は金属化合物
が、酸化珪素からなる請求項3記載の蒸着フィルム。 - 【請求項5】 蒸着薄膜を形成する金属又は金属化合物
が、酸化アルミニウムからなる請求項3記載の蒸着フィ
ルム。 - 【請求項6】 金属又は金属化合物の蒸着薄膜が積層さ
れる蒸着用ポリエチレンテレフタレートフィルムの表面
に低温プラズマ処理し、次いで低温プラズマ処理したポ
リエチレンテレフタレートフィルム表面に金属又は金属
化合物の蒸着薄膜を積層し、かつ該低温プラズマ処理と
蒸着薄膜の積層とをインライン処理により行うことを特
徴とする蒸着フィルムの製造方法。 - 【請求項7】 金属又は金属化合物の蒸着薄膜として、
酸化珪素又は酸化アルミニウムの蒸着薄膜を積層する請
求項6記載の蒸着フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9288895A JPH11116702A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 蒸着用ポリエチレンテレフタレートフィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9288895A JPH11116702A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 蒸着用ポリエチレンテレフタレートフィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11116702A true JPH11116702A (ja) | 1999-04-27 |
Family
ID=17736180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9288895A Pending JPH11116702A (ja) | 1997-10-21 | 1997-10-21 | 蒸着用ポリエチレンテレフタレートフィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11116702A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008006747A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | 蒸着フィルムと該蒸着フィルムを用いた積層体 |
| JP2008049576A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Toppan Printing Co Ltd | ガスバリア性積層体 |
| WO2019003809A1 (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | 凸版印刷株式会社 | フィルムの処理方法及びフィルムの製造方法 |
-
1997
- 1997-10-21 JP JP9288895A patent/JPH11116702A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN110832108A (zh) * | 2017-06-30 | 2020-02-21 | 凸版印刷株式会社 | 膜处理方法及膜制造方法 |
| JPWO2019003809A1 (ja) * | 2017-06-30 | 2020-04-23 | 凸版印刷株式会社 | フィルムの処理方法及びフィルムの製造方法 |
| CN110832108B (zh) * | 2017-06-30 | 2023-03-31 | 凸版印刷株式会社 | 膜处理方法及膜制造方法 |
| US11651944B2 (en) | 2017-06-30 | 2023-05-16 | Toppan Printing Co., Ltd. | Film processing method and film manufacturing method |
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