JPH11116775A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法

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JPH11116775A
JPH11116775A JP28709797A JP28709797A JPH11116775A JP H11116775 A JPH11116775 A JP H11116775A JP 28709797 A JP28709797 A JP 28709797A JP 28709797 A JP28709797 A JP 28709797A JP H11116775 A JPH11116775 A JP H11116775A
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epoxy resin
component
resin composition
semiconductor encapsulation
components
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JP28709797A
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Hideyuki Usui
英之 薄井
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】熱伝導性および成形時の流れ性に優れた半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】下記の(A)〜(E)成分を含有する半導
体封止用エポキシ樹脂組成物である。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フェノール樹脂。 (C)アルミナ粉末。 (D)球状溶融シリカ粉末。 (E)ブタジエン系ゴム粒子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱伝導性,流動性
および低応力性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成
物およびその製法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】トランジスタ,IC等の半導体装置は、
外部環境からの保護および素子のハンダリングを可能に
する観点から、セラミックパッケージやプラスチックパ
ッケージにより封止され半導体装置化されている。上記
セラミックパッケージは、構成材料そのものが耐湿性に
優れ、しかも中空パッケージのため半導体素子にかかる
応力を無視することができる。このため、信頼性の高い
封止が可能であるが、構成材料が高価であり、量産性に
劣るという問題を有している。
【0003】このようなことから、最近ではエポキシ樹
脂組成物を用いたプラスチックパッケージが主流となっ
ている。このエポキシ樹脂組成物による樹脂封止では、
量産性に優れ安価に作製することができるものの、半導
体素子に比べて大きい線膨張係数を有するため、低応力
性の改良が大きな課題であった。このような課題を解決
すべく、例えば、上記エポキシ樹脂組成物中に、無機質
充填剤としてシリカ粉末を多量に配合することが行われ
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、無機質
充填剤として上記シリカ粉末を用いたエポキシ樹脂組成
物は、熱伝導率が小さく熱放散性に劣るという欠点を有
していた。しかも、エポキシ樹脂組成物自身の流動性が
低下して成形性に劣るという欠点も有していた。
【0005】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、低応力性,熱伝導性および成形時の流れ性に優
れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法の
提供をその目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、下記の(A)〜(E)成分を含有する半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を第1の要旨とする。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フェノール樹脂。 (C)アルミナ粉末。 (D)球状溶融シリカ粉末。 (E)ブタジエン系ゴム粒子。
【0007】また、このような半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を得るため、本発明は、下記の(A)〜(E)
成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法
であって、予め下記(B)成分の少なくとも一部に
(E)成分の少なくとも一部を配合して溶融混合し、つ
いで、この溶融混合物に、下記(A)成分,(C)成
分,(D)成分を含む残余成分を配合して溶融混合する
半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法を第2の要旨と
する。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フェノール樹脂。 (C)アルミナ粉末。 (D)球状溶融シリカ粉末。 (E)ブタジエン系ゴム粒子。
【0008】すなわち、本発明者らは、熱伝導性および
流動性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得る
ために一連の研究を重ねた。その結果、従来のように、
無機質充填剤としてシリカ粉末のみを用いるのではな
く、アルミナ粉末を併用するとともに、シリカ粉末とし
て球状の溶融シリカ粉末を用いることにより、良好な熱
伝導性とともに流動性にも優れたエポキシ樹脂組成物が
得られることを突き止めた。しかも、ブタジエン系ゴム
粒子を配合することにより、上記特性に加えて低応力の
向上が図られるようになる。
【0009】そして、上記アルミナ粉末〔(C)成分〕
の含有割合を、充填剤である(C)成分および(D)成
分の合計量中50〜90体積%(=65〜95重量%)
の範囲の特定量に設定することにより、良好な熱伝導性
および流動性の双方のバランスがとれた、より優れた半
導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られる。
【0010】さらに、上記(A)〜(E)成分に加えて
シランカップリング剤を用いることにより、優れた耐湿
性が得られ、また、上記エポキシ樹脂〔(A)成分〕と
して、ビフェニル型エポキシ樹脂およびクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂の少なくとも一方を用いることに
より、優れた反応硬化性を有し、良好な成形性を示す半
導体封止用エポキシ樹脂組成物となる。
【0011】そして、このような半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を製造する場合、例えば、上記(A)〜
(E)成分を同時に配合し混合すると、上記ブタジエン
系ゴム粒子〔(E)成分〕が2次凝集物を形成して均一
に分散されたエポキシ樹脂組成物を得ることができなか
った。このようなことから、本発明者らは、充填剤成分
およびブタジエン系ゴムが均一分散されたエポキシ樹脂
組成物を得るためにさらに研究を重ねた。その結果、予
め上記フェノール樹脂〔(B)成分〕の少なくとも一部
に、ブタジエン系ゴム〔(E)成分〕の少なくとも一部
を配合して溶融混合し、ついで、この溶融混合物に、エ
ポキシ樹脂〔(A)成分〕,アルミナ粉末〔(C)成
分〕,球状溶融シリカ粉末〔(D)成分〕を含む残余成
分を配合して溶融混合すると、上記のように、ブタジエ
ン系ゴム粒子が2次凝集物を形成せず均一に分散された
エポキシ樹脂組成物を得ることができることを見出し本
発明に到達した。
【0012】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を詳
しく説明する。
【0013】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、エポキシ樹脂(A成分)と、フェノール樹脂(B成
分)と、アルミナ粉末(C成分)と、球状溶融シリカ粉
末(D成分)と、ブタジエン系ゴム粒子(E成分)とを
用いて得られるものであって、通常、粉末状もしくはそ
れを打錠したタブレット状になっている。
【0014】上記エポキシ樹脂(A成分)としては、特
に限定するものではなく各種のエポキシ樹脂が用いられ
る。例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型
エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等があげられ
る。これらエポキシ樹脂のなかでも、特に融点が室温を
超えており、室温下では固形状を示すものを用いること
が好ましい。なかでも、成形作業性向上のために、反応
硬化性を向上安定化させるという点から、ビフェニル型
エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂が
特に好ましく用いられる。
【0015】上記ビフェニル型エポキシ樹脂としては、
下記の一般式(1)で表されるものがあげられる。
【0016】
【化1】
【0017】上記一般式(1)中のR1 〜R4 で表され
る、−H(水素)または炭素数1〜4のアルキル基のう
ち、この炭素数1〜4のアルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチ
ル基等の直鎖状または分岐状の低級アルキル基があげら
れ、特にメチル基が好ましく、上記R1 〜R4 は互いに
同一であっても異なっていてもよい。なかでも、上記R
1 〜R4 が全てメチル基である下記の式(2)で表され
る構造のビフェニル型エポキシ樹脂を用いることが特に
好適である。
【0018】
【化2】
【0019】また、上記クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂としては、エポキシ当量100〜250、軟化点
50〜150℃のものが好適に用いられる。
【0020】上記エポキシ樹脂(A成分)とともに用い
られるフェノール樹脂(B成分)は、上記エポキシ樹脂
(A成分)の硬化剤として作用するものであり、特に限
定するものではなく、フェノールノボラック、クレゾー
ルノボラック等があげられる。これらフェノール樹脂と
しては、水酸基当量が70〜200、軟化点が50〜1
10℃のものを用いることが好ましい。
【0021】上記エポキシ樹脂(A成分)とフェノール
樹脂(B成分)の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキ
シ基1当量あたり、フェノール樹脂中の水酸基当量が
0.5〜2.0当量となるように配合することが好まし
い。より好ましくは0.8〜1.2当量である。
【0022】上記A成分およびB成分とともに用いられ
るアルミナ粉末(C成分)としては、得られる樹脂組成
物の充填性および流動特性の低下防止、反応性のバラン
スという観点から、平均粒径が0.2〜60μmの球状
を有し、比表面積が0.7〜50m2 /gのものを用い
るのが好ましい。
【0023】上記A〜C成分とともに用いられる球状溶
融シリカ粉末(D成分)としては、流動特性の低下を防
止し、さらにバリの発生防止、ゲート詰まりの発生防止
という観点から、平均粒径が1.5〜70μmのものが
好ましく、より好ましくは2〜50μmの球状溶融シリ
カ粉末が望ましい。
【0024】そして、上記無機質充填剤成分となるアル
ミナ粉末(C成分)および球状溶融シリカ粉末(D成
分)において、アルミナ粉末(C成分)の含有割合は、
アルミナ粉末(C成分)および球状溶融シリカ粉末(D
成分)の合計量中50〜90体積%に設定することが好
ましく、より好ましくは70〜80体積%である。すな
わち、アルミナ粉末(C成分)の含有割合が、アルミナ
粉末(C成分)および球状溶融シリカ粉末(D成分)の
合計量中50体積%未満では、アルミナ粉末の配合量が
少な過ぎて所望の熱伝導性効果を得ることができず、9
0体積%を超えると、所望の流動特性が得られ難く、ま
た成形作業性に劣るとともに、線膨張係数が下がらない
という傾向がみられるからである。なお、上記アルミナ
粉末(C成分)の含有割合がアルミナ粉末(C成分)お
よび球状溶融シリカ粉末(D成分)の合計量中50〜9
0体積%とあるが、これを重量換算すると、アルミナ粉
末(C成分)の含有割合はアルミナ粉末(C成分)およ
び球状溶融シリカ粉末(D成分)の合計量中65〜95
重量%となる。
【0025】さらに、上記アルミナ粉末(C成分)およ
び球状溶融シリカ粉末(D成分)の総量(全無機質充填
剤量)が、半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体中85
重量%以上となるように設定することが好ましく、より
好ましくは85〜95重量%である。すなわち、上記C
成分およびD成分の総量が85重量%未満では、樹脂強
度が不足し、また線膨張係数が大きくなり応力性に関し
て不利となる傾向がみられる。また、耐半田特性の低下
をもたらし、さらに所望する熱伝導性の効果が得られ難
くなる。逆に95重量%を超えると、流動特性が得られ
ず、成形マージンの低下を示す傾向がみられるからであ
る。
【0026】上記A〜D成分とともに用いられるブタジ
エン系ゴム粒子(E成分)は、メタクリル酸アルキル、
アクリル酸アルキル、ブタジエン、スチレン等の共重合
反応によって得られるものが用いられる。好適には、メ
タクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体が用
いられ、ブタジエンの組成比率が70重量%以下、メタ
クリル酸メチルの組成比率が15重量%以上のものが好
ましい。さらに、ブタジエン系ゴム粒子としては、アク
リル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリ
ル酸メチル−ブタジエン−ビニルトルエン共重合体、ブ
タジエン−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−ブ
タジエン−ビニルトルエン共重合体、ブタジエン−ビニ
ルトルエン共重合体等をあげることができる。
【0027】また、上記ブタジエン系ゴム粒子として
は、コア−シェル構造を有するものが好ましい。このコ
ア−シェル構造を有するブタジエン系ゴム粒子は、核と
なるコア部分がブタジエン系ゴム類からなる粒子で形成
され、この核を被覆するよう核の外表面に、重合体樹脂
からなるシェル部分(外層)が形成されたゴム粒子であ
る。上記核の形成材料であるブタジエン系ゴム類として
は、スチレン−ブタジエン共重合体ラテックス、アクリ
ロニトリル−ブタジエン共重合体ラテックス等があげら
れる。また、上記核を被覆する外層の形成材料となる重
合体樹脂としては、例えば、ガラス転移温度が70℃以
上となる重合体樹脂があげられ、この重合体樹脂は不飽
和二重結合を有する不飽和単量体の重合によって得られ
る。上記不飽和単量体としては、メタクリル酸メチル、
アクリロニトリル、スチレン等があげられる。このよう
なコア−シェル構造を有するブタジエン系ゴム粒子は、
例えば、水媒体重合法によって得られる。詳しく述べる
と、上記核の形成材料であるブタジエン系ゴム類と水を
配合し重合させて核となるブタジエン系ゴム粒子を調製
する。ついで、この水媒体中に、外層の形成材料となる
不飽和単量体を添加して上記核であるブタジエン系ゴム
類の表面に不飽和単量体を重合させ、重合体樹脂を上記
核の外周面上に積層形成することによってコア−シェル
構造を有するブタジエン系ゴム粒子が得られる。このよ
うなコア−シェル構造を有するブタジエン系ゴム粒子と
しては、コア(核)部分がスチレン−ブタジエン共重合
体からなり、シェル部分がメタクリル酸メチルからなる
ものが特に好ましく、その組成比は、前述のように、ブ
タジエンの組成比率が70%以下、メタクリル酸メチル
の組成比率が15%以上のものが好ましい。
【0028】上記ブタジエン系ゴム粒子(E成分)の配
合量は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体の0.1
〜5重量%の割合に設定することが好ましく、より好ま
しくは0.1〜2重量%である。すなわち、0.1重量
%未満では、エポキシ樹脂組成物の充分な低応力化効果
が得られず、5重量%を超えると、粘度が上昇し成形作
業性が低下する傾向がみられるからである。
【0029】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
には、上記A〜E成分に加えて、さらにシランカップリ
ング剤を用いてもよい。このシランカップリング剤を用
いることにより、半導体素子と封止樹脂の接着性の向
上、リードフレームとの接着性の向上、樹脂強度の向上
という効果が得られ、より一層好ましい。上記シランカ
ップリング剤としては、例えば、N−β(アミノエチ
ル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン等のア
ミノ系シランカップリング剤、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン等のエポキシ系シランカップリン
グ剤、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等の
メルカプト系シランカップリング剤等があげられる。上
記シランカップリング剤の配合量は、半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物全体の0.1〜1重量%の範囲に設定す
ることが好ましく、より好ましくは0.2〜0.5重量
%である。すなわち、0.1重量%未満では、接着力の
向上効果が乏しく、1重量%を超えると、粘度の上昇や
ゲル化物の発生等がみられる傾向があるからである。
【0030】また、上記A〜E成分およびシランカップ
リング剤に、さらに、必要に応じて、硬化促進剤、難燃
剤、難燃助剤、カーボンブラック等の顔料等、他の添加
剤を適宜に用いることができる。
【0031】上記硬化促進剤としては、アミン系、リン
系等があげられ、例えば、アミン系硬化促進剤として
は、2−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリ
エタノールアミン、ジアザビシクロウンデセン等の三級
アミン類等があげられる。また、リン系硬化促進剤とし
ては、トリフェニルホスフィン等があげられる。これら
は単独でもしくは2種以上併せて用いられる。そして、
この硬化促進剤の配合割合は、エポキシ樹脂組成物全体
の0.05〜0.5重量%の割合に設定することが好ま
しく、特にエポキシ樹脂組成物の流動性等を考慮すると
特に好ましくは0.05〜0.3重量%である。
【0032】上記難燃剤としては、ブロム化エポキシ樹
脂等のハロゲン系難燃剤等があげられ、難燃助剤として
は、三酸化アンチモン等があげられる。
【0033】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
において、高熱伝導性を有し、かつ高い流動性および高
信頼性を有するという点を考慮した場合、各成分として
つぎのような組み合わせが特に好ましい。すなわち、エ
ポキシ樹脂(A成分)として、o−クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂を、フェノール樹脂(B成分)とし
て、フェノールノボラック樹脂を、アルミナ粉末(C成
分)として、平均粒径20〜30μmの球状アルミナ粉
末を、球状溶融シリカ粉末(D成分)として、平均粒径
5〜20μmの球状溶融シリカ粉末を、ブタジエン系ゴ
ム粒子(E成分)として、メタクリル酸メチル−ブタジ
エン−スチレン共重合物をそれぞれ用い、さらに、これ
にシランカップリング剤として、γ−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシランを、そして、これに他の添加剤と
して、硬化促進剤,難燃剤,三酸化アンチモン,カーボ
ンブラックを用いた組み合わせが上記に述べた理由から
特に好適である。
【0034】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、例えば、つぎのようにして得ることができる。すな
わち、予めフェノール樹脂(B成分)の一部または全部
にブタジエン系ゴム粒子(E成分)の一部または全部
を、ミキシングロール機等の混練機に投入し加熱状態で
溶融混合する。ついで、この溶融混合物に、エポキシ樹
脂(A成分),アルミナ粉末(C成分),球状溶融シリ
カ粉末(D成分),他の添加剤を含む残余成分の全てを
配合して溶融混合する。これを室温に冷却した後、公知
の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠することによ
り得ることができる。
【0035】さらに、上記各成分に加えてシランカップ
リング剤を配合する場合は、予めフェノール樹脂(B成
分)の一部または全部に、ブタジエン系ゴム粒子(E成
分)の一部または全部とシランカップリング剤の一部ま
たは全部を、ミキシングロール機等の混練機に投入し加
熱状態で溶融混合する。ついで、この溶融混合物に、エ
ポキシ樹脂(A成分),アルミナ粉末(C成分),球状
溶融シリカ粉末(D成分),他の添加剤を含む残余成分
の全てを配合して溶融混合する。これを室温に冷却した
後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠する
ことにより半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ること
ができる。
【0036】上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製
造工程の、予めフェノール樹脂(B成分)の一部または
全部にブタジエン系ゴム粒子(E成分)の一部または全
部を配合して溶融混合物を作製する工程において、フェ
ノール樹脂(B成分)とブタジエン系ゴム粒子(E成
分)の好ましい使用量は、フェノール樹脂(B成分)は
その全配合量の50〜100重量%である。また、ブタ
ジエン系ゴム粒子(E成分)はその全配合量の100重
量%に設定することが好ましい。とともに、シランカッ
プリング剤の一部または全部を配合する場合の好ましい
使用量は、シランカップリング剤の全配合量の100重
量%に設定することが好ましい。
【0037】なお、上記製造工程において、予めフェノ
ール樹脂(B成分)の一部または全部にブタジエン系ゴ
ム粒子(E成分)の一部または全部を溶融混合し、つい
で、この溶融混合物に、エポキシ樹脂(A成分),アル
ミナ粉末(C成分),球状溶融シリカ粉末(D成分)を
含む残余成分を配合するとあるが、この残余成分とは、
上記A成分,C成分,D成分および他の添加剤はもちろ
ん、予めフェノール樹脂にブタジエン系ゴム粒子を溶融
混合する際に、このフェノール樹脂の使用量が全使用量
の一部であった場合は、残りのフェノール樹脂を含み、
上記ブタジエン系ゴム粒子の使用量が全使用量の一部で
あった場合は、残りのブタジエン系ゴム粒子を含む。さ
らに、予めブタジエン系ゴム粒子(E成分)とともにシ
ランカップリング剤の一部または全部を溶融混合する
際、シランカップリング剤の使用量が全使用量の一部で
あった場合は、上記残余成分には、上記残りのフェノー
ル樹脂、残りのブタジエン系ゴムとともに、残りのシラ
ンカップリング剤を含む。
【0038】このような製造工程を経由して得られる半
導体封止用エポキシ樹脂組成物は、上記ブタジエン系ゴ
ム粒子(E成分)が2次凝集物を形成せず、系内に均一
に分散されたエポキシ樹脂組成物が得られる。
【0039】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
半導体素子の封止は、特に制限するものではなく、通常
のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行
うことができる。
【0040】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
【0041】下記に示す成分を準備した。 〔エポキシ樹脂a1〕下記の構造式(3)で表されるビ
フェニル型エポキシ樹脂
【0042】
【化3】
【0043】〔エポキシ樹脂a2〕クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂(エポキシ当量200、軟化点85
℃)
【0044】〔フェノール樹脂b〕フェノールノボラッ
ク樹脂(水酸基当量105、軟化点85℃)
【0045】〔アルミナ粉末〕平均粒径20μmの球状
アルミナ粉末
【0046】〔球状溶融シリカ粉末〕平均粒径25μm
の球状溶融シリカ粉末
【0047】〔結晶性シリカ粉末〕平均粒径15μmの
結晶性シリカ粉末
【0048】〔ブタジエン系ゴム粒子e〕平均粒径0.
2μmのメタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共
重合物
【0049】〔シランカップリング剤〕γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシラン
【0050】〔硬化促進剤〕1,8−ジアザビシクロ
(5,4,0)ウンデセン−7
【0051】〔難燃剤〕ビスフェノールA型ブロム化エ
ポキシ樹脂
【0052】〔難燃助剤〕三酸化アンチモン
【0053】〔離型剤〕カルナバワックス
【0054】まず、実施例に先立って、下記の方法にし
たがって予備混練による溶融混合物を作製した。
【0055】〔溶融混合物〕下記の表1に示す各成分を
同表に示す割合で用い、つぎのようにして予備混練を行
った。すなわち、フェノール樹脂をミキシングロール機
(温度150℃)上で溶融し、これに他の成分を順次添
加し、30分間溶融混合した。つぎに、これを冷却した
後粉砕することにより溶融混合物を得た。
【0056】
【表1】
【0057】
【実施例1〜13、比較例1〜3】下記の表2〜表4に
示す各成分を、同表に示す割合で配合し、ミキシングロ
ール機(温度110℃)にかけて10分間溶融混練し
た。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタ
ブレット状に打錠することにより半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を得た。
【0058】
【表2】
【0059】
【表3】
【0060】
【表4】
【0061】このようにして得られた実施例品および比
較例品について、つぎのような測定を行った。まず、ゴ
ム粒子の凝集物形成の有無の確認および計測をするた
め、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、28ピン
−スモールアウトラインJリードパッケージ(SOJ−
28p)の半導体パッケージを成形した。このパッケー
ジを超音波探傷装置を用いてスキャンした。そして、ゴ
ム粒子の凝集体が形成されていると、それが黒点として
観察されるが、この黒点の個数をカウントした。
【0062】さらに、半導体封止用エポキシ樹脂組成物
の硬化体の線膨張係数(α1 )と弾性率(E)、ならび
に熱伝導率を、つぎのようにして測定した。JIS K
−6911に準じた曲げ試験片を成形温度175℃×成
形時間120秒で成形し、さらに175℃×5時間のポ
ストキュアを行った。このようにして得られた試験片を
用いて、オートグラフ(島津製作所社製)により曲げ試
験を行い、その傾きから弾性率(E)を求めた。また、
TMA(理学電機社製)を用いて線膨張係数(α1 )を
求めた。さらに、低応力指数としてα1 ×Eを求めた。
【0063】つぎに、半導体封止用エポキシ樹脂組成物
の流動性を、EMMI−1−66に基づきスパイラルフ
ローを測定し評価した。
【0064】これらの結果を下記の表5〜表8に併せて
示した。
【0065】
【表5】
【0066】
【表6】
【0067】
【表7】
【0068】
【表8】
【0069】上記表5〜表8から、実施例品はゴム粒子
の凝集物が極僅か、もしくは殆ど確認されなかった。ま
た、線膨張係数が小さく弾性率が低かった。従って、低
応力指数も小さく低応力性に優れていることがわかる。
また、熱伝導率が高く流動性にも優れていることがわか
る。さらに、実施例12〜13品に関しては、実施例1
2品は、他の実施例より熱伝導率が低下しており、また
実施例13品では低応力指数が大きくなる傾向がみられ
た。これらに対して、比較例品のなかでも、熱伝導率の
高い比較例2,3品では、流動性が低く低応力指数が高
い。また、低応力指数の小さい比較例1品では、熱伝導
率が低かった。これらのことからバランスのとれたもの
が得られなかったことがわかる。
【0070】
【発明の効果】以上のように、本発明は、前記A成分お
よびB成分とともに、アルミナ粉末(C成分),球状溶
融シリカ粉末(D成分)およびブタジエン系ゴム粒子
(E成分)を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物
である。このように、無機質充填剤としてシリカ粉末の
みを用いるのではなく、アルミナ粉末を併用するととも
に、シリカ粉末として球状の溶融シリカ粉末を用いた結
果、良好な熱伝導性および低応力性と流動性に優れたも
のとなる。
【0071】そして、上記アルミナ粉末(C成分)の含
有割合を、充填剤であるC成分およびD成分の合計量中
50〜90体積%(=65〜95重量%)の範囲の特定
量に設定することにより、熱伝導性と流動性と低応力性
のバランスがとれた、より一層優れた半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物が得られる。
【0072】さらに、上記A〜E成分に加えてシランカ
ップリング剤を用いることにより、優れた耐湿性が得ら
れ、また、上記エポキシ樹脂(A成分)として、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂およびクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂の少なくとも一方を用いることにより、優れた
反応硬化性を示し、良好な成形作業性を示す半導体封止
用エポキシ樹脂組成物となる。
【0073】そして、本発明では、予め上記フェノール
樹脂(B成分)の少なくとも一部に、ブタジエン系ゴム
(E成分)の少なくとも一部を配合して溶融混合し、つ
いで、この溶融混合物に、エポキシ樹脂(A成分),ア
ルミナ粉末(C成分),球状溶融シリカ粉末(D成分)
を含む残余成分を配合して溶融混合することにより半導
体封止用エポキシ樹脂組成物が得られる。このような製
法を経由することにより、ブタジエン系ゴム粒子(E成
分)が2次凝集物を形成せず均一に分散されたエポキシ
樹脂組成物が得られる。
【0074】このような特性を備えた半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物は、特に、熱放散性が必要な表面実装型
パッケージのような半導体装置の封止用樹脂として最適
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C08K 3/36 C08K 3/36 5/54 5/54 C08L 9/00 C08L 9/00 H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記の(A)〜(E)成分を含有するこ
    とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フェノール樹脂。 (C)アルミナ粉末。 (D)球状溶融シリカ粉末。 (E)ブタジエン系ゴム粒子。
  2. 【請求項2】 上記(C)成分および(D)成分の合計
    量が、半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体の85重量
    %以上に設定されている請求項1記載の半導体封止用エ
    ポキシ樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 上記(C)成分の含有割合が、(C)成
    分および(D)成分の合計量中50〜90体積%に設定
    されている請求項1または2記載の半導体封止用エポキ
    シ樹脂組成物。
  4. 【請求項4】 上記(A)〜(E)成分とともに、さら
    にシランカップリング剤が配合されている請求項1〜3
    のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
    物。
  5. 【請求項5】 上記(A)成分であるエポキシ樹脂が、
    ビフェニル型エポキシ樹脂およびクレゾールノボラック
    型エポキシ樹脂の少なくとも一方である請求項1〜4の
    いずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
    物。
  6. 【請求項6】 下記の(A)〜(E)成分を含有する半
    導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法であって、予め下
    記(B)成分の少なくとも一部に(E)成分の少なくと
    も一部を配合して溶融混合し、ついで、この溶融混合物
    に、下記(A)成分,(C)成分,(D)成分を含む残
    余成分を配合して溶融混合することを特徴とする半導体
    封止用エポキシ樹脂組成物の製法。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フェノール樹脂。 (C)アルミナ粉末。 (D)球状溶融シリカ粉末。 (E)ブタジエン系ゴム粒子。
  7. 【請求項7】 上記(A)〜(E)成分とともに、さら
    にシランカップリング剤を含有する半導体封止用エポキ
    シ樹脂組成物の製法であって、予め上記(B)成分の少
    なくとも一部に(E)成分の少なくとも一部およびシラ
    ンカップリング剤の少なくとも一部を配合して溶融混合
    し、ついで、この溶融混合物に、上記(A)成分,
    (C)成分,(D)成分を含む残余成分を配合して溶融
    混合する請求項6記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
    物の製法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001059010A (ja) * 1999-06-18 2001-03-06 Nippon Kayaku Co Ltd 高軟化点o−クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂、これを含むエポキシ樹脂溶液、エポキシ樹脂組成物及びエポキシ樹脂の製造法
JP2002128991A (ja) * 2000-10-27 2002-05-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
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