JPH1111943A - 酸化物超電導体およびその製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体およびその製造方法Info
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- JPH1111943A JPH1111943A JP9161242A JP16124297A JPH1111943A JP H1111943 A JPH1111943 A JP H1111943A JP 9161242 A JP9161242 A JP 9161242A JP 16124297 A JP16124297 A JP 16124297A JP H1111943 A JPH1111943 A JP H1111943A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高磁場下においても高い臨界電流密度を示す酸
化物超電導体およびその製造する方法を提供すること。 【解決手段】ＲＥ化合物（ＲＥはＹ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選
ばれる１種又は２種以上の希土類元素）、Ｂａ化合物及
びそのＣｕ化合物を含む原料混合体に、少なくとも該原
料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含
む処理を施してＲＥーＢａーＣｕーＯ系酸化物超電導体
を製造する酸化物超電導体の製造方法において、Ｍｇ，
Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ｃ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｃｓ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｂｉ，の何れか１種ないし
２種以上の元素を０．０５ｗｔ％〜１ｗｔ％添加するこ
とで、高磁場下においても高い臨界電流密度を示す酸化
物超電導体を製造することを可能にした。
化物超電導体およびその製造する方法を提供すること。 【解決手段】ＲＥ化合物（ＲＥはＹ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選
ばれる１種又は２種以上の希土類元素）、Ｂａ化合物及
びそのＣｕ化合物を含む原料混合体に、少なくとも該原
料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含
む処理を施してＲＥーＢａーＣｕーＯ系酸化物超電導体
を製造する酸化物超電導体の製造方法において、Ｍｇ，
Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ｃ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｃｓ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｂｉ，の何れか１種ないし
２種以上の元素を０．０５ｗｔ％〜１ｗｔ％添加するこ
とで、高磁場下においても高い臨界電流密度を示す酸化
物超電導体を製造することを可能にした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に、電流リード、磁
気軸受け、磁気シールド、バルクマグネット等に用いら
れる均一で高い臨界電流密度を示す酸化物超電導体およ
びその製造方法に関するものである。
気軸受け、磁気シールド、バルクマグネット等に用いら
れる均一で高い臨界電流密度を示す酸化物超電導体およ
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電流リード、磁気軸受け、磁気シール
ド、バルクマグネット等に用いられる均一で高い臨界電
流密度を示す酸化物超電導体の製造方法としては、ＲＥ
化合物（ＲＥはＹ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる１種又は２種
以上の希土類元素）、Ｂａ化合物及びＣｕ化合物を含む
原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い
温度領域における焼成工程を含む処理を施してＲＥーＢ
ａーＣｕーＯ系酸化物超電導体を製造する方法が知られ
ている（例えば、特公平７ー５１４６３号公報参照）。
ド、バルクマグネット等に用いられる均一で高い臨界電
流密度を示す酸化物超電導体の製造方法としては、ＲＥ
化合物（ＲＥはＹ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる１種又は２種
以上の希土類元素）、Ｂａ化合物及びＣｕ化合物を含む
原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い
温度領域における焼成工程を含む処理を施してＲＥーＢ
ａーＣｕーＯ系酸化物超電導体を製造する方法が知られ
ている（例えば、特公平７ー５１４６３号公報参照）。
【０００３】特公平７ー５１４６３号公報に記載の方法
は、ＲＥ、Ｂａ、Ｃｕの化合物を所定のモル比で混合し
た原料混合体を、一度溶融させた後、急冷凝固させ、こ
の凝固した原料混合体を微細に粉砕し、再び部分的に液
相を呈する高温領域に加熱してその後徐冷することによ
って、超電導相を成長させる。そしてさらに、酸素雰囲
気中でアニール処理を行なうことにより、比較的高い臨
界電流密度を示す酸化物超電導体を得るようにしたもの
である。
は、ＲＥ、Ｂａ、Ｃｕの化合物を所定のモル比で混合し
た原料混合体を、一度溶融させた後、急冷凝固させ、こ
の凝固した原料混合体を微細に粉砕し、再び部分的に液
相を呈する高温領域に加熱してその後徐冷することによ
って、超電導相を成長させる。そしてさらに、酸素雰囲
気中でアニール処理を行なうことにより、比較的高い臨
界電流密度を示す酸化物超電導体を得るようにしたもの
である。
【０００４】この手法によって、ＲＥーＢａーＣｕーＯ
系超電導体を作製すると、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中
にＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相が微細に分散した組織となり、
このＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相が磁束をピン止めするピンニ
ングセンターとして働き臨界電流密度を高める効果があ
る。
系超電導体を作製すると、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中
にＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相が微細に分散した組織となり、
このＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相が磁束をピン止めするピンニ
ングセンターとして働き臨界電流密度を高める効果があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＲＥ2
ＢａＣｕＯ5 相によるピン止め力は磁場の存在によって
弱められてしまうため、このＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相によ
るピン止め点だけでは高磁場において十分な特性が得ら
れなかった。
ＢａＣｕＯ5 相によるピン止め力は磁場の存在によって
弱められてしまうため、このＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相によ
るピン止め点だけでは高磁場において十分な特性が得ら
れなかった。
【０００６】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、高磁場においてもより高い臨界電流
密度特性を有する酸化物超電導体及びその製造方法を提
供することを目的としている。
されたものであり、高磁場においてもより高い臨界電流
密度特性を有する酸化物超電導体及びその製造方法を提
供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する手段
として、請求項１の発明は、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相
（ＲＥはＹ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる１種又は２種以上の
希土類元素）中にＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相が微細に分散し
た酸化物超電導体において、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，
Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚ
ｎ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓ
ｂ，Ｔｃ，Ｃｓ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｂｉの何れか１種ないし２種以上の元素が０．
０５ｗｔ％〜１ｗｔ％含まれることを特徴とする酸化物
超電導体である。
として、請求項１の発明は、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相
（ＲＥはＹ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる１種又は２種以上の
希土類元素）中にＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相が微細に分散し
た酸化物超電導体において、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，
Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚ
ｎ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓ
ｂ，Ｔｃ，Ｃｓ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｂｉの何れか１種ないし２種以上の元素が０．
０５ｗｔ％〜１ｗｔ％含まれることを特徴とする酸化物
超電導体である。
【０００８】請求項２の発明は、請求項１に記載の酸化
物超電導体において、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ，Ｉｒ、
Ｏｓ、Ｒｅの各金属又は各化合物の１種又は２種以上を
０．０５〜５ｗｔ％（但し、化合物の場合は、その化合
物に含有される前記金属の量で示す）含むことを特徴と
する酸化物超電導体である。
物超電導体において、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ，Ｉｒ、
Ｏｓ、Ｒｅの各金属又は各化合物の１種又は２種以上を
０．０５〜５ｗｔ％（但し、化合物の場合は、その化合
物に含有される前記金属の量で示す）含むことを特徴と
する酸化物超電導体である。
【０００９】請求項３の発明は、請求項１又は２のいず
れかに記載の酸化物超電導体において、Ａｇを１〜３０
ｗｔ％含むことを特徴とする酸化物超電導体である。
れかに記載の酸化物超電導体において、Ａｇを１〜３０
ｗｔ％含むことを特徴とする酸化物超電導体である。
【００１０】請求項３の発明は、ＲＥ化合物（ＲＥは
Ｙ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる１種又は２種以上の希土類
元素）、Ｂａ化合物及びＣｕ化合物を含む原料混合体
に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域に
おける焼成工程を含む処理を施してＲＥーＢａーＣｕー
Ｏ系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方
法において、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｃ，Ｃ
ｓ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｂｉの
何れか１種ないし２種以上の元素を０．０５ｗｔ％〜１
ｗｔ％（但し、化合物の場合は、その化合物に含有され
る前記金属の量で示す）添加することを特徴とする酸化
物超電導体の製造方法である。
Ｙ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる１種又は２種以上の希土類
元素）、Ｂａ化合物及びＣｕ化合物を含む原料混合体
に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域に
おける焼成工程を含む処理を施してＲＥーＢａーＣｕー
Ｏ系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方
法において、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｃ，Ｃ
ｓ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｂｉの
何れか１種ないし２種以上の元素を０．０５ｗｔ％〜１
ｗｔ％（但し、化合物の場合は、その化合物に含有され
る前記金属の量で示す）添加することを特徴とする酸化
物超電導体の製造方法である。
【００１１】請求項５の発明は、請求項４に記載の酸化
物超電導体の製造方法において、前記原料混合体に、さ
らに、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅの各
金属又は各化合物の１種又は２種以上を０．０５〜５ｗ
ｔ％（但し、化合物の場合は、その化合物に含有される
前記金属の量で示す）添加することを特徴とする酸化物
超電導体の製造方法である。
物超電導体の製造方法において、前記原料混合体に、さ
らに、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅの各
金属又は各化合物の１種又は２種以上を０．０５〜５ｗ
ｔ％（但し、化合物の場合は、その化合物に含有される
前記金属の量で示す）添加することを特徴とする酸化物
超電導体の製造方法である。
【００１２】請求項６の発明は、請求項４又は５に記載
の酸化物超電導体の製造方法において、前記原料混合体
に、さらに、Ａｇを１〜３０ｗｔ％添加することを特徴
とする酸化物超電導体の製造方法である。
の酸化物超電導体の製造方法において、前記原料混合体
に、さらに、Ａｇを１〜３０ｗｔ％添加することを特徴
とする酸化物超電導体の製造方法である。
【００１３】ＲＥ化合物（ＲＥはＹ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選
ばれる１種又は２種以上の希土類元素）、Ｂａ化合物及
びＣｕ化合物を含む原料混合体に、少なくとも該原料混
合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処
理を施してＲＥーＢａーＣｕーＯ系酸化物超電導体を製
造すると、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中に０．１〜３０
μｍ程度のＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相が微細に分散し、臨界
電流密度を高めることができる。
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選
ばれる１種又は２種以上の希土類元素）、Ｂａ化合物及
びＣｕ化合物を含む原料混合体に、少なくとも該原料混
合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処
理を施してＲＥーＢａーＣｕーＯ系酸化物超電導体を製
造すると、ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中に０．１〜３０
μｍ程度のＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相が微細に分散し、臨界
電流密度を高めることができる。
【００１４】さらに、前記原料混合体にＭｇ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｉｎ，Ｓ
ｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｃｓ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｂｉ，の何れか１種ないし２種以上の元
素を０．０５ｗｔ％〜１ｗｔ％添加すると、これらの元
素が超電導性を示すＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中のＲ
Ｅ、ＢａないしＣｕサイトに一部置換され、微細且つ部
分的に超電導性が弱い部分ができる。このような部分は
高磁場下において超電導状態から常電導状態になり、新
たなピンニングセンターとして働くことになる。よっ
て、高磁場下においてもこのような新たなピンニングセ
ンターが発生するため、高磁場下においても高い臨界電
流密度が得られる。
ｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｉｎ，Ｓ
ｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｃｓ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｂｉ，の何れか１種ないし２種以上の元
素を０．０５ｗｔ％〜１ｗｔ％添加すると、これらの元
素が超電導性を示すＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相中のＲ
Ｅ、ＢａないしＣｕサイトに一部置換され、微細且つ部
分的に超電導性が弱い部分ができる。このような部分は
高磁場下において超電導状態から常電導状態になり、新
たなピンニングセンターとして働くことになる。よっ
て、高磁場下においてもこのような新たなピンニングセ
ンターが発生するため、高磁場下においても高い臨界電
流密度が得られる。
【００１５】この添加量は０．０５ｗｔ％以下では効果
が薄く、１ｗｔ％以上では超電導特性の低い部分が多く
なりすぎるために、全体の特性も劣化させてしまう。
が薄く、１ｗｔ％以上では超電導特性の低い部分が多く
なりすぎるために、全体の特性も劣化させてしまう。
【００１６】なお、Ｐｔは、超電導体を形成するための
原料混合体を作製する処理を行なう際に、白金坩堝など
から混入することがあるが、これは０．０５〜５ｗｔ％
の範囲で含まれていても、同様に高特性を示すことが確
認されている。また、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、
Ｏｓ、Ｒｅの金属もしくは化合物粉末を０．０５〜５ｗ
ｔ％の範囲で添加しても、同様に高特性を示すことが確
認されている。
原料混合体を作製する処理を行なう際に、白金坩堝など
から混入することがあるが、これは０．０５〜５ｗｔ％
の範囲で含まれていても、同様に高特性を示すことが確
認されている。また、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、
Ｏｓ、Ｒｅの金属もしくは化合物粉末を０．０５〜５ｗ
ｔ％の範囲で添加しても、同様に高特性を示すことが確
認されている。
【００１７】さらにＡｇの金属もしくは化合物粉末を１
〜３０ｗｔ％添加すると、機械強度、耐水性が向上す
る。
〜３０ｗｔ％添加すると、機械強度、耐水性が向上す
る。
【００１８】
（実施例１）Ｙ2 Ｏ3 、ＢａＣＯ3 、ＣｕＯの各原料粉
末をＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１８：２４：３４になるように秤
量した後、ＢａＣＯ3 、ＣｕＯのみを大気中、８８０℃
で３０時間焼成してＢａＣｕＯ2 とＣｕＯの仮焼粉を得
た（モル比でＢａＣｕＯ2 ：ＣｕＯ＝２４：１０）。次
に、この仮焼粉をポットミルを使用して粉砕することに
よって平均粒径を約２μｍとした後、あらかじめ秤量し
ておいた平均粒径約１μｍのＹ2 Ｏ3 と平均粒径約０．
０２μｍのＰｔ粉末を０．５ｗｔ％添加した。次に、こ
うして作製される混合物を必要な数だけ用意し、各々
に、さらなる添加物として、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，
Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚ
ｎ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓ
ｂ，Ｔｅ，Ｃｓ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｂｉをそれぞれ０．４ｗｔ％添加して混合した
ものをそれぞれ作製した。次に、これらの混合粉をそれ
ぞれ大気中、室温から９３０℃まで１０時間で昇温し、
３０時間保持した後、１０時間かけて室温まで降温する
ことにより焼成した。この仮焼されたそれぞれの混合粉
をライカイ機により粉砕し、平均粒径を約５μｍとし
た。次に、これらそれぞれを外径５０ｍｍ厚さ２０ｍｍ
のディスク状にプレス成形して成形体を作製した。
末をＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１８：２４：３４になるように秤
量した後、ＢａＣＯ3 、ＣｕＯのみを大気中、８８０℃
で３０時間焼成してＢａＣｕＯ2 とＣｕＯの仮焼粉を得
た（モル比でＢａＣｕＯ2 ：ＣｕＯ＝２４：１０）。次
に、この仮焼粉をポットミルを使用して粉砕することに
よって平均粒径を約２μｍとした後、あらかじめ秤量し
ておいた平均粒径約１μｍのＹ2 Ｏ3 と平均粒径約０．
０２μｍのＰｔ粉末を０．５ｗｔ％添加した。次に、こ
うして作製される混合物を必要な数だけ用意し、各々
に、さらなる添加物として、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，
Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚ
ｎ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓ
ｂ，Ｔｅ，Ｃｓ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｂｉをそれぞれ０．４ｗｔ％添加して混合した
ものをそれぞれ作製した。次に、これらの混合粉をそれ
ぞれ大気中、室温から９３０℃まで１０時間で昇温し、
３０時間保持した後、１０時間かけて室温まで降温する
ことにより焼成した。この仮焼されたそれぞれの混合粉
をライカイ機により粉砕し、平均粒径を約５μｍとし
た。次に、これらそれぞれを外径５０ｍｍ厚さ２０ｍｍ
のディスク状にプレス成形して成形体を作製した。
【００１９】これらそれぞれの成形体をアルミナ基板上
に乗せて、大気中、１１３０℃で５０時間で昇温した
後、３０分間保持して半溶融状態にした後、成形体の上
部が低温側となるように上下に５℃／ｃｍの温度勾配が
加わるように成形上の上部温度が約１０００℃となるま
で急降温（約１０℃／min ）し、予め作製しておいたＮ
ｄＢａＣｕＯ系溶融体の種結晶を成長方向がｃ軸と平行
になるように成形体の上部に接触させ、結晶化が始まる
９９５℃付近で約６０時間温度保持を行なった後、１℃
／ｈｒの速度で９００℃まで徐冷し、そこから室温まで
１０℃／ｈで降温することによって結晶化を行なった。
図１は実施例１の焼成温度パターンを示した図である。
に乗せて、大気中、１１３０℃で５０時間で昇温した
後、３０分間保持して半溶融状態にした後、成形体の上
部が低温側となるように上下に５℃／ｃｍの温度勾配が
加わるように成形上の上部温度が約１０００℃となるま
で急降温（約１０℃／min ）し、予め作製しておいたＮ
ｄＢａＣｕＯ系溶融体の種結晶を成長方向がｃ軸と平行
になるように成形体の上部に接触させ、結晶化が始まる
９９５℃付近で約６０時間温度保持を行なった後、１℃
／ｈｒの速度で９００℃まで徐冷し、そこから室温まで
１０℃／ｈで降温することによって結晶化を行なった。
図１は実施例１の焼成温度パターンを示した図である。
【００２０】結晶化したそれぞれの成形体はガス置換を
行える炉の中に設置される。すなわち、まず、ロータリ
ーポンプで０．１Torrまで炉内を排気した後、酸素ガス
を流し込んで酸素分圧が９５％以上である大気圧の雰囲
気にする。その後も０．５Ｌ／min の流量で酸素ガスを
炉内に流しながら、室温から４５０℃まで１０時間で昇
温し、４５０℃から２５０℃まで２００時間かけて徐冷
し、２５０℃から室温まで１０時間で降温させる。
行える炉の中に設置される。すなわち、まず、ロータリ
ーポンプで０．１Torrまで炉内を排気した後、酸素ガス
を流し込んで酸素分圧が９５％以上である大気圧の雰囲
気にする。その後も０．５Ｌ／min の流量で酸素ガスを
炉内に流しながら、室温から４５０℃まで１０時間で昇
温し、４５０℃から２５０℃まで２００時間かけて徐冷
し、２５０℃から室温まで１０時間で降温させる。
【００２１】得られたそれぞれの材料を切断して断面を
光学顕微鏡で観察したところ、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相
中に０．１〜３０μｍのＹ2 ＢａＣｕＯ5 相が微細に分
散していた。また、種結晶を反映して材料全体がｃ軸に
配向し、実質的に単結晶状の材料が得られた。
光学顕微鏡で観察したところ、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相
中に０．１〜３０μｍのＹ2 ＢａＣｕＯ5 相が微細に分
散していた。また、種結晶を反映して材料全体がｃ軸に
配向し、実質的に単結晶状の材料が得られた。
【００２２】得られたデイスク状試料から約２×２×
１．５ｍｍ程度の単一結晶を切り出し、試料振動型磁力
計によりｃ軸に平行に磁場を加えて温度７７〔Ｋ〕にお
いて磁化率の測定を行なった。この磁化率の測定結果か
らＢｅａｎモデルを適用して臨界電流密度を求めた。
１．５ｍｍ程度の単一結晶を切り出し、試料振動型磁力
計によりｃ軸に平行に磁場を加えて温度７７〔Ｋ〕にお
いて磁化率の測定を行なった。この磁化率の測定結果か
らＢｅａｎモデルを適用して臨界電流密度を求めた。
【００２３】Ｓｒを添加した試料と無添加の試料の臨界
電流密度の磁場依存性を図２に示す。 Ｓｒを添加した
試料では０〔Ｔ〕付近の低磁場では臨界電流密度が低い
が、磁場の増加に対して減衰が少なく、０．２〔Ｔ〕以
上では無添加のものより高くなっている。
電流密度の磁場依存性を図２に示す。 Ｓｒを添加した
試料では０〔Ｔ〕付近の低磁場では臨界電流密度が低い
が、磁場の増加に対して減衰が少なく、０．２〔Ｔ〕以
上では無添加のものより高くなっている。
【００２４】またその他の添加元素を添加した試料の外
部磁場１〔Ｔ〕における臨界電流密度を図３にそれぞれ
示す。高磁場下においても高い臨界電流密度を示してい
ることがわかる。
部磁場１〔Ｔ〕における臨界電流密度を図３にそれぞれ
示す。高磁場下においても高い臨界電流密度を示してい
ることがわかる。
【００２５】電流リード、磁気軸受け、磁気シールド、
及びバルクマグネット等の応用の際には試料に実質的に
加わる外部磁場は０．５Ｔ以上となる。よって、高磁場
下での臨界電流密度が高められたことで、前記応用技術
の特性値を著しく向上させることが可能となった。
及びバルクマグネット等の応用の際には試料に実質的に
加わる外部磁場は０．５Ｔ以上となる。よって、高磁場
下での臨界電流密度が高められたことで、前記応用技術
の特性値を著しく向上させることが可能となった。
【００２６】（実施例２）Ｈｏ2 Ｏ3 、ＢａＣＯ3 、Ｃ
ｕＯの各原料粉末をＨｏ：Ｂａ：Ｃｕ＝１８：２４：３
４になるように秤量した後、ＢａＣＯ3 、ＣｕＯのみを
大気中、８８０℃で３０時間焼成してＢａＣｕＯ2 とＣ
ｕＯの仮焼粉を得た（モル比でＢａＣｕＯ2 ：ＣｕＯ＝
２４：１０）。次に、この仮焼粉をポットミルを利用し
て粉砕することによって平均粒径を約２μｍとした後、
あらかじめ秤量しておいた平均粒径約１μｍのＨｏ2 Ｏ
3 と平均粒径約０．０２μｍのＰｔ粉末を０．５ｗｔ％
添加した。次に、こうして作製される混合物を必要な数
だけ用意し、各々に、さらなる添加物として、Ａｌを
０．１ｗｔ％及びＣａを０．３ｗｔ％、Ｓｒを０．１ｗ
ｔ％及びＭｇを０．２ｗｔ％、Ｚｎを０．２ｗｔ％及び
Ｎｂを０．３ｗｔ％、Ｉｎを０．１ｗｔ％及びＳｎを
０．５ｗｔ％、Ｔｉを０．３ｗｔ％及びＬａを０．４ｗ
ｔ％、Ｃｅを０．３ｗｔ％及びＰｒ０．３をｗｔ％、Ｎ
ｄを０．１ｗｔ％及びＢｉを０．５ｗｔ％、それぞれ添
加して混合したものを作製した。次に、これらの混合粉
をそれぞれ大気中、室温から９３０℃まで１０時間で昇
温し、３０時間保持した後、１０時間かけて室温まで降
温することにより焼成した。これら仮焼されたそれぞれ
の混合粉をライカイ機により粉砕し、平均粒径を約５μ
ｍとした。次に、これらをそれぞれ外径５０ｍｍ厚さ２
０ｍｍのディスク状にプレス成形して成形体を作製し
た。
ｕＯの各原料粉末をＨｏ：Ｂａ：Ｃｕ＝１８：２４：３
４になるように秤量した後、ＢａＣＯ3 、ＣｕＯのみを
大気中、８８０℃で３０時間焼成してＢａＣｕＯ2 とＣ
ｕＯの仮焼粉を得た（モル比でＢａＣｕＯ2 ：ＣｕＯ＝
２４：１０）。次に、この仮焼粉をポットミルを利用し
て粉砕することによって平均粒径を約２μｍとした後、
あらかじめ秤量しておいた平均粒径約１μｍのＨｏ2 Ｏ
3 と平均粒径約０．０２μｍのＰｔ粉末を０．５ｗｔ％
添加した。次に、こうして作製される混合物を必要な数
だけ用意し、各々に、さらなる添加物として、Ａｌを
０．１ｗｔ％及びＣａを０．３ｗｔ％、Ｓｒを０．１ｗ
ｔ％及びＭｇを０．２ｗｔ％、Ｚｎを０．２ｗｔ％及び
Ｎｂを０．３ｗｔ％、Ｉｎを０．１ｗｔ％及びＳｎを
０．５ｗｔ％、Ｔｉを０．３ｗｔ％及びＬａを０．４ｗ
ｔ％、Ｃｅを０．３ｗｔ％及びＰｒ０．３をｗｔ％、Ｎ
ｄを０．１ｗｔ％及びＢｉを０．５ｗｔ％、それぞれ添
加して混合したものを作製した。次に、これらの混合粉
をそれぞれ大気中、室温から９３０℃まで１０時間で昇
温し、３０時間保持した後、１０時間かけて室温まで降
温することにより焼成した。これら仮焼されたそれぞれ
の混合粉をライカイ機により粉砕し、平均粒径を約５μ
ｍとした。次に、これらをそれぞれ外径５０ｍｍ厚さ２
０ｍｍのディスク状にプレス成形して成形体を作製し
た。
【００２７】こうして作製したそれぞれの成形体をアル
ミナ基板上に乗せて、大気中、１１３０℃で半溶融状態
にした後、成形体の上部が低温側となるように上下に５
℃／cmの温度勾配が加わるように成形体の上部温度が約
１０００℃となるまで急降温（約１０℃／min ）し、予
め作製しておいたＮｄＢａＣｕＯ系溶融体の種結晶を成
長方向がc 軸と平行になるように成形体の上部に接触さ
せ結晶化が始まる９９５℃付近で約６０時間温度保持を
行なった後、１℃／ｈｒの速度で９００℃まで徐冷し、
そこから室温まで１０℃／ｈで降温することによって結
晶化を行なった。
ミナ基板上に乗せて、大気中、１１３０℃で半溶融状態
にした後、成形体の上部が低温側となるように上下に５
℃／cmの温度勾配が加わるように成形体の上部温度が約
１０００℃となるまで急降温（約１０℃／min ）し、予
め作製しておいたＮｄＢａＣｕＯ系溶融体の種結晶を成
長方向がc 軸と平行になるように成形体の上部に接触さ
せ結晶化が始まる９９５℃付近で約６０時間温度保持を
行なった後、１℃／ｈｒの速度で９００℃まで徐冷し、
そこから室温まで１０℃／ｈで降温することによって結
晶化を行なった。
【００２８】これら結晶化した成形体をガス置換を行え
る炉の中に設置した。すなわち、まず、ロータリーボン
プで０．１Torrまで炉内を排気した後、酸素ガスを流し
込んで酸素分圧が９５％以上である大気圧の雰囲気にす
る。その後も０．５Ｌ／minの流量で酸素ガスを炉内に
流しながら、室温から４５０℃まで１０時間で昇温し、
４５０℃から２５０℃まで２００時間かけて徐冷し、２
５０℃から室温まで１０時間で降温させる。
る炉の中に設置した。すなわち、まず、ロータリーボン
プで０．１Torrまで炉内を排気した後、酸素ガスを流し
込んで酸素分圧が９５％以上である大気圧の雰囲気にす
る。その後も０．５Ｌ／minの流量で酸素ガスを炉内に
流しながら、室温から４５０℃まで１０時間で昇温し、
４５０℃から２５０℃まで２００時間かけて徐冷し、２
５０℃から室温まで１０時間で降温させる。
【００２９】こうして得られたそれぞれの材料を切断し
て断面を光学顕微鏡で観察したところ、ＹＢａ2 Ｃｕ3
Ｏ7- X相中に０．１〜３０μｍのＹ2 ＢａＣｕＯ5 相が
微細に分散していた。また、種結晶を反映して材料全体
がｃ軸に配向し、実質的に単結晶状の材料が得られた。
て断面を光学顕微鏡で観察したところ、ＹＢａ2 Ｃｕ3
Ｏ7- X相中に０．１〜３０μｍのＹ2 ＢａＣｕＯ5 相が
微細に分散していた。また、種結晶を反映して材料全体
がｃ軸に配向し、実質的に単結晶状の材料が得られた。
【００３０】得られたディスク状試料から約２×２×
１．５mm程度の単一結晶を切り出し、試料振動型磁力計
によりｃ軸に平行に磁場を加えて温度７７〔Ｋ〕におい
て磁化率の測定を行なった。この磁化率の測定結果から
Ｂｅａｎモデルを適用して臨界電流密度を求めた。
１．５mm程度の単一結晶を切り出し、試料振動型磁力計
によりｃ軸に平行に磁場を加えて温度７７〔Ｋ〕におい
て磁化率の測定を行なった。この磁化率の測定結果から
Ｂｅａｎモデルを適用して臨界電流密度を求めた。
【００３１】外部磁場１〔Ｔ〕における臨界電流密度を
図４にそれぞれ示す。高磁場下においても高い臨界電流
密度を示していた。
図４にそれぞれ示す。高磁場下においても高い臨界電流
密度を示していた。
【００３２】（実施例３）Ｙ2 Ｏ3 、ＢａＣＯ3 、Ｃｕ
Ｏの各原料粉末をＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１８：２４：３４に
なるように秤量混合した後、Ｐｔ坩堝中で、大気中、１
４００℃で３０分間溶融して、銅板に流し込み急冷し
た。こうして得られる凝固物を必要な数だけ作製し、各
々に、Ｍｇ，Ａｌ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｓ
ｎ，Ｓｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｂｉ，をそれぞれ０．１ｗｔ％
添加し、それぞれをポットミルを使用して粉砕及び混合
することによって平均粒径を約２μｍとした。次に、こ
れらを外径５０ｍｍ厚さ２０ｍｍのディスク状にそれぞ
れプレス成形して成形体を作製した。
Ｏの各原料粉末をＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１８：２４：３４に
なるように秤量混合した後、Ｐｔ坩堝中で、大気中、１
４００℃で３０分間溶融して、銅板に流し込み急冷し
た。こうして得られる凝固物を必要な数だけ作製し、各
々に、Ｍｇ，Ａｌ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｓ
ｎ，Ｓｂ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｂｉ，をそれぞれ０．１ｗｔ％
添加し、それぞれをポットミルを使用して粉砕及び混合
することによって平均粒径を約２μｍとした。次に、こ
れらを外径５０ｍｍ厚さ２０ｍｍのディスク状にそれぞ
れプレス成形して成形体を作製した。
【００３３】これら成形体をそれぞれアルミナ基板上に
乗せて、大気中、１１３０℃で半溶融状態にした 後、
成形体の上部が低温側となるように上下に５℃／cmの温
度勾配が加わるように成形体の上部温度が１０００℃と
なるまで急降温（約１０℃／min ）し、予め作製してお
いたＮｄＢａＣｕＯ系溶融体の種結晶を成長方向がc軸
と平行になるように成形体の上部に接触させ結晶化が始
まる９９５℃付近で約６０時間温度保持を行なった後、
１℃／ｈｒの速度で９００℃まで徐冷し、そこから室温
まで１０℃／h で降温することによって結晶化を行なっ
た。
乗せて、大気中、１１３０℃で半溶融状態にした 後、
成形体の上部が低温側となるように上下に５℃／cmの温
度勾配が加わるように成形体の上部温度が１０００℃と
なるまで急降温（約１０℃／min ）し、予め作製してお
いたＮｄＢａＣｕＯ系溶融体の種結晶を成長方向がc軸
と平行になるように成形体の上部に接触させ結晶化が始
まる９９５℃付近で約６０時間温度保持を行なった後、
１℃／ｈｒの速度で９００℃まで徐冷し、そこから室温
まで１０℃／h で降温することによって結晶化を行なっ
た。
【００３４】結晶化した成形体をガス置換が行える炉の
中に設置した。すなわち、まず、ロータリーポンプで
０．１Torrまで炉内を排気した後、酸素ガスを流し込ん
で酸素分圧が９５％である大気圧の雰囲気にする。その
後も０．５Ｌ／min の流量で酸素ガスを炉内に流しなが
ら、室温から４５０℃まで１０時間で昇温し、４５０℃
から２５０℃まで２００時間かけて徐冷し、２５０℃か
ら室温まで１０時間で降温させる。
中に設置した。すなわち、まず、ロータリーポンプで
０．１Torrまで炉内を排気した後、酸素ガスを流し込ん
で酸素分圧が９５％である大気圧の雰囲気にする。その
後も０．５Ｌ／min の流量で酸素ガスを炉内に流しなが
ら、室温から４５０℃まで１０時間で昇温し、４５０℃
から２５０℃まで２００時間かけて徐冷し、２５０℃か
ら室温まで１０時間で降温させる。
【００３５】得られた材料を切断して断面を光学顕微鏡
で観察したところ、ＹＢａ2 Ｃｕ3Ｏ7- X相中に０．１
〜３０μｍのＹ2 ＢａＣｕＯ5 相が微細に分散してた。
また、種結晶を反映して材料全体がｃ軸に配向し、実質
的に単結晶状の材料が得られた。
で観察したところ、ＹＢａ2 Ｃｕ3Ｏ7- X相中に０．１
〜３０μｍのＹ2 ＢａＣｕＯ5 相が微細に分散してた。
また、種結晶を反映して材料全体がｃ軸に配向し、実質
的に単結晶状の材料が得られた。
【００３６】得られたディスク状試料から約２×２×
１．５mm程度の単一結晶を切り出し、試料振動型磁力計
によりｃ軸に平行に磁場を加えて温度７７〔Ｋ〕におい
て磁化率の測定を行なった。この磁化率の測定結果から
Ｂｅａｎモデルを適用して臨界電流密度を求めた。
１．５mm程度の単一結晶を切り出し、試料振動型磁力計
によりｃ軸に平行に磁場を加えて温度７７〔Ｋ〕におい
て磁化率の測定を行なった。この磁化率の測定結果から
Ｂｅａｎモデルを適用して臨界電流密度を求めた。
【００３７】外部磁場１〔Ｔ〕における限界電流密度を
図５にそれぞれ示す。高磁場下においても高い臨界電流
密度を示していた。
図５にそれぞれ示す。高磁場下においても高い臨界電流
密度を示していた。
【００３８】（比較例１）Ｙ2 Ｏ3 、ＢａＣＯ3 、Ｃｕ
Ｏの各原料粉末をＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１８：２４：３４に
なるように秤量した後、ＢａＣＯ3 、ＣｕＯのみを大気
中、８８０℃で３０時間焼成してＢａＣｕＯ2 とＣｕＯ
の仮焼粉を得た（モル比でＢａＣｕＯ2 ：ＣｕＯ＝２
４：１０）。次に、この仮焼粉をポットミルを使用して
粉砕することによって平均粒径を約２μｍとした後、あ
らかじめ秤量しておいた平均粒径約１μｍのＹ2 Ｏ3 と
平均粒径約０．０２μｍのＰｔ粉末を０．５ｗｔ％添加
し混合する。次に、この混合紛を大気中、室温から９３
０℃まで１０時間で昇温し、３０時間保持した後、１０
時間かけて室温まで降温することにより焼成した。この
仮焼された混合紛をライカイ機により粉砕し平均粒径を
約５μｍとした。次に、これを外径５０mm厚さ２０ｍｍ
のディスク状にプレス成形して成形体を作製した。
Ｏの各原料粉末をＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１８：２４：３４に
なるように秤量した後、ＢａＣＯ3 、ＣｕＯのみを大気
中、８８０℃で３０時間焼成してＢａＣｕＯ2 とＣｕＯ
の仮焼粉を得た（モル比でＢａＣｕＯ2 ：ＣｕＯ＝２
４：１０）。次に、この仮焼粉をポットミルを使用して
粉砕することによって平均粒径を約２μｍとした後、あ
らかじめ秤量しておいた平均粒径約１μｍのＹ2 Ｏ3 と
平均粒径約０．０２μｍのＰｔ粉末を０．５ｗｔ％添加
し混合する。次に、この混合紛を大気中、室温から９３
０℃まで１０時間で昇温し、３０時間保持した後、１０
時間かけて室温まで降温することにより焼成した。この
仮焼された混合紛をライカイ機により粉砕し平均粒径を
約５μｍとした。次に、これを外径５０mm厚さ２０ｍｍ
のディスク状にプレス成形して成形体を作製した。
【００３９】この成形体をアルミナ基板に乗せて、大気
中、１１３０℃で半溶融状態にした後、成形体の上部が
低温側となるように上下に５℃／cmの温度勾配が加わる
ように成 形体の上部温度が約１０００℃となるまで急
降温（約１０℃／min ）し、予め作製しておいたＮｄＢ
ａＣｕＯ系溶融体の種結晶を成長方向がc 軸と平行にな
るように成形体の上部に接触させ結晶化が始まる９９５
℃付近で約６０時間温度保持を行なった後、１℃／ｈｒ
の速度で９００℃まで徐冷し、そこから室温まで１０℃
／ｈで降温することによって結晶化を行なった。
中、１１３０℃で半溶融状態にした後、成形体の上部が
低温側となるように上下に５℃／cmの温度勾配が加わる
ように成 形体の上部温度が約１０００℃となるまで急
降温（約１０℃／min ）し、予め作製しておいたＮｄＢ
ａＣｕＯ系溶融体の種結晶を成長方向がc 軸と平行にな
るように成形体の上部に接触させ結晶化が始まる９９５
℃付近で約６０時間温度保持を行なった後、１℃／ｈｒ
の速度で９００℃まで徐冷し、そこから室温まで１０℃
／ｈで降温することによって結晶化を行なった。
【００４０】結晶化した成形体をガス置換が行える炉の
中に設置した。すなわち、まず、ロータリーポンプで
０．１Torrまで炉内を排気した後、酸素ガスを流し込ん
で酸素分圧が９５％以上である大気圧の雰囲気にする。
その後も０．５Ｌ／min の流量で酸素ガスを炉内に流し
ながら、室温から４５０℃まで１０時間で昇温し、４５
０℃から２５０℃まで２００時間かけて徐冷し、２５０
℃から室温まで１０時間かけて降温させる。
中に設置した。すなわち、まず、ロータリーポンプで
０．１Torrまで炉内を排気した後、酸素ガスを流し込ん
で酸素分圧が９５％以上である大気圧の雰囲気にする。
その後も０．５Ｌ／min の流量で酸素ガスを炉内に流し
ながら、室温から４５０℃まで１０時間で昇温し、４５
０℃から２５０℃まで２００時間かけて徐冷し、２５０
℃から室温まで１０時間かけて降温させる。
【００４１】得られた材料を切断して断面を光学顕微鏡
で観察したところ、ＹＢａ2 Ｃｕ3Ｏ7- X相中に０．１
〜３０μｍのＹ2 ＢａＣｕＯ5 相が微細に分散してい
た。また、種結晶を反映して材料全体がｃ軸に配向し、
実質的に単結晶状の材料が得られた。
で観察したところ、ＹＢａ2 Ｃｕ3Ｏ7- X相中に０．１
〜３０μｍのＹ2 ＢａＣｕＯ5 相が微細に分散してい
た。また、種結晶を反映して材料全体がｃ軸に配向し、
実質的に単結晶状の材料が得られた。
【００４２】得られたディスク状試料から約２×２×
１．５mm程度の単一結晶を切り出し、試料振動型磁力計
によりｃ軸に平行に磁場を加えて温度７７〔Ｋ〕におい
て磁化率の測定を行なった。この磁化率の測定結果から
Ｂｅａｎモデルを適用して臨界電流密 度を求めた。
１．５mm程度の単一結晶を切り出し、試料振動型磁力計
によりｃ軸に平行に磁場を加えて温度７７〔Ｋ〕におい
て磁化率の測定を行なった。この磁化率の測定結果から
Ｂｅａｎモデルを適用して臨界電流密 度を求めた。
【００４３】臨界電流密度の磁場依存性をＳｒを添加し
た試料と共に図２に示す。磁場に対して減衰が大きく、
高磁場下においては臨界電流密度が低かった。
た試料と共に図２に示す。磁場に対して減衰が大きく、
高磁場下においては臨界電流密度が低かった。
【００４４】なお、上述した実施例では、ＲＥとして
Ｙ、Ｈｏをそれぞれの例として示したが、ＲＥとして
は、Ｙ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる１種ないし２種以上の元
素を用いても同様な効果が得られることを確認してい
る。
Ｙ、Ｈｏをそれぞれの例として示したが、ＲＥとして
は、Ｙ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる１種ないし２種以上の元
素を用いても同様な効果が得られることを確認してい
る。
【００４５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、酸化物
超電導体の製造方法の一つであるいわゆる溶融法を用い
てＲＥーＢａーＣｕーＯ系超電導体（ＲＥはＹ，Ｓｍ，
Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌ
ｕから選ばれる１種又は２種以上の希土類元素）を製造
する際に、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｃｓ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｂｉ，の何れ
か１種ないし２種以上の元素を０．０５ｗｔ％〜１ｗｔ
％添加することで、高磁場下でも臨界電流密度を示す酸
化物超電導体の製造を可能としたものである。
超電導体の製造方法の一つであるいわゆる溶融法を用い
てＲＥーＢａーＣｕーＯ系超電導体（ＲＥはＹ，Ｓｍ，
Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌ
ｕから選ばれる１種又は２種以上の希土類元素）を製造
する際に、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｃｓ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｂｉ，の何れ
か１種ないし２種以上の元素を０．０５ｗｔ％〜１ｗｔ
％添加することで、高磁場下でも臨界電流密度を示す酸
化物超電導体の製造を可能としたものである。
【図１】実施例１の溶融結晶化の温度パターン模式図で
ある。
ある。
【図２】実施例１のＳｒを添加した試料と比較例１で作
製した材料の温度７７〔Ｋ〕における臨界電流密度の磁
場依存性を測定した結果を示す図である。
製した材料の温度７７〔Ｋ〕における臨界電流密度の磁
場依存性を測定した結果を示す図である。
【図３】実施例１で製造した材料の温度７７〔Ｋ〕外部
磁場１〔Ｔ〕における臨界電流密度を測定した結果を示
す図である。
磁場１〔Ｔ〕における臨界電流密度を測定した結果を示
す図である。
【図４】実施例２で製造した材料の温度７７〔Ｋ〕外部
磁場１〔Ｔ〕における臨界電流密度を測定した結果を示
す図である。
磁場１〔Ｔ〕における臨界電流密度を測定した結果を示
す図である。
【図５】実施例３で製造した材料の温度７７〔Ｋ〕外部
磁場１〔Ｔ〕における臨界電流密度を測定した結果を示
す図である。
磁場１〔Ｔ〕における臨界電流密度を測定した結果を示
す図である。
Claims (6)
- 【請求項１】 ＲＥＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-X 相（ＲＥはＹ，
Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙ
ｂ，Ｌｕから選ばれる１種又は２種以上の希土類元素）
中にＲＥ2 ＢａＣｕＯ5 相が微細に分散した酸化物超電
導体において、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｃ，Ｃ
ｓ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｂｉの
何れか１種ないし２種以上の元素が０．０５ｗｔ％〜１
ｗｔ％含まれることを特徴とする酸化物超電導体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の酸化物超電導体におい
て、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ，Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅの各金
属又はこれら金属の化合物の１種又は２種以上を０．０
５〜５ｗｔ％（但し、化合物の場合は、その化合物に含
有される前記金属の量で示す）含むことを特徴とする酸
化物超電導体。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の酸化物超電導体
において、Ａｇを１〜３０ｗｔ％含むことを特徴とする
酸化物超電導体。 - 【請求項４】 ＲＥ化合物（ＲＥはＹ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選
ばれる１種又は２種以上の希土類元素）、Ｂａ化合物及
びＣｕ化合物を含む原料混合体に、少なくとも該原料混
合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処
理を施してＲＥーＢａーＣｕーＯ系酸化物超電導体を製
造する酸化物超電導体の製造方法において、 Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍ
ｏ，Ｔｃ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｃ，Ｃｓ，Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｂｉの何れか１種な
いし２種以上の元素を０．０５ｗｔ％〜１ｗｔ％（但
し、化合物の場合は、その化合物に含有される前記金属
の量で示す）添加することを特徴とする酸化物超電導体
の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載の酸化物超電導体の製造
方法において、 前記原料混合体に、さらに、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅの各金属又は各化合物の１種又は２種
以上を０．０５〜５ｗｔ％添加することを特徴とする酸
化物超電導体の製造方法。 - 【請求項６】 請求項４又は５に記載の酸化物超電導体
の製造方法において、 前記原料混合体に、さらに、Ａｇを１〜３０ｗｔ％添加
することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16124297A JP3242350B2 (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16124297A JP3242350B2 (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1111943A true JPH1111943A (ja) | 1999-01-19 |
| JP3242350B2 JP3242350B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=15731358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16124297A Expired - Fee Related JP3242350B2 (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3242350B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2757450C1 (ru) * | 2020-09-09 | 2021-10-15 | Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий" | Высокотемпературный сверхпроводящий гидрид и способ его получения |
-
1997
- 1997-06-18 JP JP16124297A patent/JP3242350B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3242350B2 (ja) | 2001-12-25 |
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