JPH11119698A - Ｖｒａｍ機能内蔵のｌｅｄパネル - Google Patents

Ｖｒａｍ機能内蔵のｌｅｄパネル

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JPH11119698A JP9287284A JP28728497A JPH11119698A JP H11119698 A JPH11119698 A JP H11119698A JP 9287284 A JP9287284 A JP 9287284A JP 28728497 A JP28728497 A JP 28728497A JP H11119698 A JPH11119698 A JP H11119698A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＶＲＡＭや表示コントローラが不要でシステ
ム全体でロウコスト、面積縮小に貢献し、描画が高速に
なるＶＲＡＭ機能内蔵のＬＥＤパネルを提供する。 【解決手段】 外部システムからビット線１０、ワード
線１１で選択されたＬＥＤ３に関し、まず記憶素子１に
対し書き込み可能となる。記憶素子１内で書き込まれた
データを外に引き出し、これをトランジスタ（“１”で
スイッチＯｎ，“０”でスイッチＯｆｆする特性をもた
せるためＰＮＰ型バイポーラトランジスタあるいはＮ型
ＭＯＳＦＥＴ（エンハンスメント）を想定する）２のベ
ースあるいはゲートに接続されているため、この記憶素
子１内で書き込まれたデータの電圧変移によるＬＥＤ３
の発光スイッチングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】コンピュータのグラフィック
ス等の画像データ記憶及び表示機能を有するＶＲＡＭ機
能内蔵のＬＥＤパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】グラフィックス等のパネル表示装置にお
いてパネルとは独立してＶＲＡＭを配し、表示コントロ
ーラがＶＲＡＭから表示用データ読み出し＆パネル用信
号に変換し、プロセッサ等からの描画の際は、表示コン
トローラがＶＲＡＭへの直接アクセスを制御して高速化
を行い、常に表示コントローラを介して画像データの書
込と読み込みを行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来の技術には
以下の問題点がある。
【０００４】第１の問題点は、Ｖｓｙｎｃ毎に新たな画
像データを更新するため、ＶＲＡＭから画像データを定
期的に読み込む作業が発生し、描画時間を圧迫し性能低
下させてしまう。
【０００５】その理由は、描画データと表示データをＶ
ｓｙｎｃ毎に一致させるため、常に描画データを格納し
ているＶＲＡＭから最新情報を読み出すことが必要なた
め、この時間分描画性能低下につながるためである。
【０００６】第２の問題点は、表示デバイス専用の表示
コントローラを開発する必要があり、コスト高につなが
る。
【０００７】その理由は、表示デバイス毎に規格が異な
り、特に液晶パネルでは標準規格がないため、フレキシ
ブルな表示回路を必要とするため、コストアップとなる
ためである。
【０００８】本発明の目的は、ＶＲＡＭや表示コントロ
ーラが不要でシステム全体でロウコスト、面積縮小に貢
献し、描画が高速になるＶＲＡＭ機能内蔵のＬＥＤパネ
ルを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のＶＲＡＭ機能内
蔵のＬＥＤパネルは、アドレス又はアドレス制御信号の
入力ポートとしての入力アドレスポートと、アドレス入
力ポートに入力されたアドレス又はアドレス制御信号に
対し、ロウアドレスをデコードするロウアドレスデコー
ダと、カラムアドレスをデコードするカラムアドレスデ
コーダと、ロウアドレスデコーダのデコーダ線と、カラ
ムアドレスデコーダのデコーダ線とが格子状配置された
ＬＥＤメモリセルアレイと、データポート側への書き込
み又は読み込み制御信号によりバッファ方向制御される
入出力バッファとから構成される。
【００１０】また、ＬＥＤメモリセルアレイは、ＬＥＤ
の１素子のＭ×Ｎ分（Ｍ、Ｎは任意の自然数）のセルア
レイから構成されてもよい。
【００１１】また、ＬＥＤメモリセルアレイは、格子状
配置の交点にＬＥＤの１素子が対応して配置されたＬＥ
Ｄメモリセルアレイであってもよい。
【００１２】また、ＬＥＤの１素子は、ＬＥＤと記憶素
子とトランジスタとから構成されてもよい。
【００１３】また、トランジスタは、記憶素子に格納さ
れているデータ値で反応するスイッチング回路であって
もよい。
【００１４】また、トランジスタは、ＰＮＰ型バイポー
ラトランジスタ又はＮ型ＭＯＳＦＥＴであってもよい。
【００１５】即ち、本発明は、以上の構成により、ＤＲ
ＡＭと同じ構成になるため、ページアクセスも可能で、
メモリセルと１対１でＬＥＤを配しているため、表示パ
ネルにもなる。
【００１６】又、表示用コントローラからの表示リフレ
ッシュが不要となり、性能向上に寄与する。
【００１７】さらに、表示パネル用表示回路が不要にな
るため、コストダウンの効果もある。
【００１８】従って記憶素子は、ＤＲＡＭのメモリセル
構成をとることでＤＲＡＭと同じアクセス動作が可能に
なり、データ格納と高速描画作用が可能になる。
【００１９】又、ＬＥＤは記憶素子との接続により記憶
素子の格納データによりＯｎ／Ｏｆｆ制御ができ、記憶
素子の格納データを反映した表示が可能になる。
【００２０】以上のようにして描画性能向上と、表示コ
ントローラ不要にすることが可能になる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の構成を図面
を用いて説明する。
【００２２】ＬＥＤ（発光ダイオード）３と記憶素子１
とトランジスタ２とを図１のように接続した１素子（こ
れを以降ＬＥＤ記憶素子１５とする）として構成し、こ
のＬＥＤ記憶素子１５を図２のようにＭ×Ｎ分（Ｍ，Ｎ
は任意の自然数）のセルアレイ（ＬＥＤメモリセルアレ
イ７）を構成する。
【００２３】図３においてアドレス入力ポート４に入力
されたアドレス／アドレス制御信号１２に対し、ロウア
ドレスをデコードするロウアドレスデコーダ５と、カラ
ムアドレスをデコードするカラムアドレスデコーダ６を
配し、双方のデコーダ線を格子状配置する。この格子状
配置の交点にＬＥＤメモリアレイ７を対応させ、データ
ポート側に書き込み／読み込み制御信号１３によりバッ
ファ方向制御される入出力バッファ８を配して、ＶＲＡ
Ｍ機能内蔵のＬＥＤパネルを構成する。
【００２４】次に、本発明の実施の形態の動作を図面を
用いて説明する。
【００２５】まず、図１を使用して動作原理を説明す
る。
【００２６】ＬＥＤ記憶素子１５に対する書き込み時の
ＬＥＤ発光の動作原理を説明する。
【００２７】最初に、外部システムからビット線１０、
ワード線１１で選択されたＬＥＤ３に関し、まず記憶素
子１に対し書き込み可能となる。記憶素子１内で書き込
まれたデータを外に引き出し、これをトランジスタ
（“１”でスイッチＯｎ，“０”でスイッチＯｆｆする
特性をもたせるためＰＮＰ型バイポーラトランジスタあ
るいはＮ型ＭＯＳＦＥＴ（エンハンスメント）を想定す
る）２のベースあるいはゲートに接続されているため、
この記憶素子１内で書き込まれたデータの電圧変移によ
るＬＥＤ３の発光スイッチングを行う。
【００２８】次に図２及び図３を使用して動作原理を説
明する。
【００２９】本ＬＥＤ記憶素子１５は、従来メモリのよ
うに図２のメモリセル構成をとり、図３のようにブロッ
ク構成にすることで従来メモリと同じアクセス動作が可
能になる。
【００３０】まず、システムから本パネルに対する表示
データ書き込みに関し説明する。
【００３１】システムから指定されたＶＲＡＭアドレス
がアドレス入力ポート４に入力され、その後ロウアドレ
スデコーダ５でＬＥＤメモリセルアレイ７のロウアドレ
スがでコードされ、カラムアドレスデコーダ６でＬＥＤ
メモリセルアレイ７のカラムアドレスがデコードされ、
この２つのデコード線の交点に配されたワード線１１を
介してＬＥＤ記憶素子１５が指定される。
【００３２】一方、システムから書き込むデータは、入
出力バッファ８に入力され、書き込み制御信号１３によ
り入出力バッファ８は入力側に制御され、ビット線１０
を介して上述で指定されたＬＥＤ記憶素子１５内の記憶
素子１に書き込まれる。
【００３３】このとき、“１”で書き込まれると、トラ
ンジスタの特性によりＬＥＤ発光し、“０”が書き込ま
れると同様にＬＥＤは発光しない。
【００３４】また、本パネルからの表示データ読み込み
は、上述と同様にＬＥＤ記憶素子１５を指定し、読み込
み制御信号１３により入出力バッファ８は出力側に制御
され、ＬＥＤ記憶素子１５に接続されているビット線１
０を通してデータ読み込みが行われる。
【００３５】以上のようにして表示データの書き込み／
読み込みが可能で、書き込んだデータ値によりＬＥＤ発
光制御できる。
【００３６】なお、表示データ記憶と表示素子が１対１
接続されているため、従来表示方式である表示リフレッ
シュ（表示データ読み込み制御）が不要となる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、以下の効
果がある。
【００３８】第１の効果は、本パネル内に記憶素子内蔵
や、これが表示素子（発光素子）であるＬＥＤに直結し
ているため、外部に表示用メモリや表示制御回路を必要
としないため、グラフィックサブシステムでＶＲＡＭや
表示コントローラが不要でシステム全体でロウコスト、
面積縮小に貢献することである。
【００３９】第２の効果は、第一の効果により表示制御
回路が必要なく、描画専用回路のみでよいため、従来の
表示リフレッシュがない分、描画に時間を掛けられるた
め、描画が高速になることである。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＬＥＤ記憶素子の構成図である。
【図２】ＬＥＤメモリセルアレイの構造図である。
【図３】ＬＥＤパネルのブロック構成図である。
【符号の説明】
１ 記憶素子 ２ トランジスタ ３ ＬＥＤ（発光ダイオード） ４ アドレス入力ポート ５ ロウアドレスデコーダ ６ カラムアドレスデコーダ ７ ＬＥＤメモリセルアレイ ８ 入出力バッファ ９ 定電圧 １０ ビット線 １１ ワード線 １２ アドレス／アドレス制御信号 １３ 書き込み／読み込み制御信号 １４ 描画データ １５ ＬＥＤ記憶素子

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 アドレス又はアドレス制御信号の入力ポ
    ートとしての入力アドレスポートと、 該アドレス入力ポートに入力された前記アドレス又はア
    ドレス制御信号に対し、ロウアドレスをデコードするロ
    ウアドレスデコーダと、カラムアドレスをデコードする
    カラムアドレスデコーダと、 前記ロウアドレスデコーダのデコーダ線と、前記カラム
    アドレスデコーダのデコーダ線とが格子状配置されたＬ
    ＥＤメモリセルアレイと、 データポート側への書き込み又は読み込み制御信号によ
    りバッファ方向制御される入出力バッファとから構成さ
    れる、ＶＲＡＭ機能内蔵のＬＥＤパネル。
  2. 【請求項２】 前記ＬＥＤメモリセルアレイは、ＬＥＤ
    の１素子のＭ×Ｎ分（Ｍ、Ｎは任意の自然数）のセルア
    レイから構成される、請求項１に記載のＶＲＡＭ機能内
    蔵のＬＥＤパネル。
  3. 【請求項３】 前記ＬＥＤメモリセルアレイは、前記格
    子状配置の交点に前記ＬＥＤの１素子が対応して配置さ
    れたＬＥＤメモリセルアレイである請求項２に記載のＶ
    ＲＡＭ機能内蔵のＬＥＤパネル。
  4. 【請求項４】 前記ＬＥＤの１素子は、ＬＥＤと記憶素
    子とトランジスタとから構成される請求項２又は請求項
    ３に記載のＶＲＡＭ機能内蔵のＬＥＤパネル。
  5. 【請求項５】 前記トランジスタは、前記記憶素子に格
    納されているデータ値で反応するスイッチング回路であ
    る請求項４に記載のＶＲＡＭ機能内蔵のＬＥＤパネル。
  6. 【請求項６】 前記トランジスタは、ＰＮＰ型バイポー
    ラトランジスタ又はＮ型ＭＯＳＦＥＴである請求項５に
    記載のＶＲＡＭ機能内蔵のＬＥＤパネル。
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