JPH11121361A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH11121361A JPH11121361A JP9303327A JP30332797A JPH11121361A JP H11121361 A JPH11121361 A JP H11121361A JP 9303327 A JP9303327 A JP 9303327A JP 30332797 A JP30332797 A JP 30332797A JP H11121361 A JPH11121361 A JP H11121361A
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- exposure
- pattern
- wafer
- light projection
- projection exposure
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70458—Mix-and-match, i.e. multiple exposures of the same area using a similar type of exposure apparatus, e.g. multiple exposures using a UV apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ミックスアンドマッチ法における重ね合わせ
精度を向上させる。 【解決手段】 光投影露光によりウエハ上に形成された
第１のパターンと整合するように第２のパターンを荷電
ビームで該ウエハ上に描画して露光するために、第１の
パターンの理想パターンに対するずれを示す歪み補正マ
ップを作成し、第２のパターンの描画情報を該マップに
示された歪み情報に基づき補正しながら前記荷電ビーム
で露光する露光方法において、前記歪み補正マップを、
前記光投影露光を行なう装置が有する、前記第１のパタ
ーンを光投影露光した際の露光情報に基づいて修正す
る。
精度を向上させる。 【解決手段】 光投影露光によりウエハ上に形成された
第１のパターンと整合するように第２のパターンを荷電
ビームで該ウエハ上に描画して露光するために、第１の
パターンの理想パターンに対するずれを示す歪み補正マ
ップを作成し、第２のパターンの描画情報を該マップに
示された歪み情報に基づき補正しながら前記荷電ビーム
で露光する露光方法において、前記歪み補正マップを、
前記光投影露光を行なう装置が有する、前記第１のパタ
ーンを光投影露光した際の露光情報に基づいて修正す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ステッパ等の光投
影露光装置と電子ビーム露光装置等の荷電ビーム露光装
置とを併用して半導体デバイス等の微細パターンを形成
する露光方法に関する。
影露光装置と電子ビーム露光装置等の荷電ビーム露光装
置とを併用して半導体デバイス等の微細パターンを形成
する露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路に対する高密度
化、高集積度化に対する要求はますます高まっている。
特に線幅０．１５μｍ以下の高集積度を目指すとなる
と、従来の光を用いる露光装置では対応できず、電子ビ
ームやイオンビームを用いて露光する必要性が増す。し
かし、このような荷電ビーム露光装置は光露光装置に比
べてスループットが極めて低いという問題がある。そこ
で、比較的低い解像度が許されるレイヤの露光には光露
光装置を用い、高解像度または高精度を要するレイヤの
みを荷電ビームで描画して露光する、ミックスアンドマ
ッチ（またはハイブリッド露光）と呼ばれる方法が提案
されている（特許第２６２５１２４号、特開昭６２−５
８６２１号、特開昭６２−１４９１２７号等）。
化、高集積度化に対する要求はますます高まっている。
特に線幅０．１５μｍ以下の高集積度を目指すとなる
と、従来の光を用いる露光装置では対応できず、電子ビ
ームやイオンビームを用いて露光する必要性が増す。し
かし、このような荷電ビーム露光装置は光露光装置に比
べてスループットが極めて低いという問題がある。そこ
で、比較的低い解像度が許されるレイヤの露光には光露
光装置を用い、高解像度または高精度を要するレイヤの
みを荷電ビームで描画して露光する、ミックスアンドマ
ッチ（またはハイブリッド露光）と呼ばれる方法が提案
されている（特許第２６２５１２４号、特開昭６２−５
８６２１号、特開昭６２−１４９１２７号等）。
【０００３】ところで、このようなミックスアンドマッ
チ法において、光投影露光装置では、レチクルのパター
ンをウエハ上に結像する投影光学系の癖（主に収差）に
より露光されたパターンに歪みを生じる。一方、荷電ビ
ーム露光装置はそのビームの位置を電磁気的な場によっ
て比較的自由に制御することができる。そこで、従来は
ミックスアンドマッチにおける光投影露光装置の投影レ
ンズの持つ倍率やディストーションについて、そのデー
タを予め知っておき、荷電ビーム露光装置での露光時に
その補正を加えることによって、位置合わせの高精度化
を図っていた。
チ法において、光投影露光装置では、レチクルのパター
ンをウエハ上に結像する投影光学系の癖（主に収差）に
より露光されたパターンに歪みを生じる。一方、荷電ビ
ーム露光装置はそのビームの位置を電磁気的な場によっ
て比較的自由に制御することができる。そこで、従来は
ミックスアンドマッチにおける光投影露光装置の投影レ
ンズの持つ倍率やディストーションについて、そのデー
タを予め知っておき、荷電ビーム露光装置での露光時に
その補正を加えることによって、位置合わせの高精度化
を図っていた。
【０００４】例えば前記特開昭６２−５８６２１号にお
いては、ミックスアンドマッチに用いる光投影露光装置
を用い、ウエハのほぼ中央部の、その露光装置の最大露
光領域に相当する正方形のエリア内に露光歪み測定用マ
ークをマトリックス状に多数形成し、このマーク位置を
実測して、前記エリア内の例えば２５０μｍ□の補正フ
ィールド（補正格子）ごとに露光歪み量を求め、この露
光歪み量のマップを歪み補正マップとして荷電ビーム露
光装置のメモリに記憶させ、荷電ビーム露光装置では、
この露光歪み量にしたがって露光データを補正して露光
する。このように、前記光投影露光装置で露光して形成
されたパターンの、該露光装置の投影光学系の癖に起因
する歪みに合わせて露光パターンを歪ませることによ
り、該露光パターン上に高精度に整合させたパターンを
露光するようにしている。
いては、ミックスアンドマッチに用いる光投影露光装置
を用い、ウエハのほぼ中央部の、その露光装置の最大露
光領域に相当する正方形のエリア内に露光歪み測定用マ
ークをマトリックス状に多数形成し、このマーク位置を
実測して、前記エリア内の例えば２５０μｍ□の補正フ
ィールド（補正格子）ごとに露光歪み量を求め、この露
光歪み量のマップを歪み補正マップとして荷電ビーム露
光装置のメモリに記憶させ、荷電ビーム露光装置では、
この露光歪み量にしたがって露光データを補正して露光
する。このように、前記光投影露光装置で露光して形成
されたパターンの、該露光装置の投影光学系の癖に起因
する歪みに合わせて露光パターンを歪ませることによ
り、該露光パターン上に高精度に整合させたパターンを
露光するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
ミックスアンドマッチ法における重ね合わせ精度をさら
に向上させることを目的とする。
ミックスアンドマッチ法における重ね合わせ精度をさら
に向上させることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明では、光投影露光によりウエハ上に形成された
第１のパターンと整合するように第２のパターンを荷電
ビームで該ウエハ上に描画して露光するために、第１の
パターンの理想パターンに対するずれを示す歪み補正マ
ップを作成し、第２のパターンの描画情報を該マップに
示された歪み情報に基づき補正しながら前記荷電ビーム
で露光する露光方法において、前記歪み補正マップを、
前記光投影露光を行なう装置が有する、前記第１のパタ
ーンを光投影露光した際の露光情報に基づいて修正する
ことを特徴とする。
め本発明では、光投影露光によりウエハ上に形成された
第１のパターンと整合するように第２のパターンを荷電
ビームで該ウエハ上に描画して露光するために、第１の
パターンの理想パターンに対するずれを示す歪み補正マ
ップを作成し、第２のパターンの描画情報を該マップに
示された歪み情報に基づき補正しながら前記荷電ビーム
で露光する露光方法において、前記歪み補正マップを、
前記光投影露光を行なう装置が有する、前記第１のパタ
ーンを光投影露光した際の露光情報に基づいて修正する
ことを特徴とする。
【０００７】本発明の好ましい実施の一形態では、前記
歪み補正マップの修正を、前記第１のパターンを光投影
露光する際のショット領域ごと、ウエハごとおよび／ま
たはロットごとに行なう。また、前記歪み補正マップの
修正を、前記光投影露光を行なう装置が有する、前記第
１のパターンを光投影露光する際の露光情報に基づいて
行なう。第１のパターンを光投影露光する際の露光情報
としては、ショットレイアウト、ショット順序、各ショ
ットの露光量、ショット間およびウエハ間の露光休止時
間、ならびにロット開始前条件（例えば露光休止時間）
等がある。
歪み補正マップの修正を、前記第１のパターンを光投影
露光する際のショット領域ごと、ウエハごとおよび／ま
たはロットごとに行なう。また、前記歪み補正マップの
修正を、前記光投影露光を行なう装置が有する、前記第
１のパターンを光投影露光する際の露光情報に基づいて
行なう。第１のパターンを光投影露光する際の露光情報
としては、ショットレイアウト、ショット順序、各ショ
ットの露光量、ショット間およびウエハ間の露光休止時
間、ならびにロット開始前条件（例えば露光休止時間）
等がある。
【０００８】
【作用および効果】光投影露光装置は、露光による投影
レンズの熱吸収により、倍率やディストーションが変化
する。この変化を抑えるべく光投影露光装置の露光時
に、一次の倍率変化については補正を行なっているが、
非対称な倍率やディストーションが変化した場合、この
ような変化は、補正できず野放しとなってしまう。
レンズの熱吸収により、倍率やディストーションが変化
する。この変化を抑えるべく光投影露光装置の露光時
に、一次の倍率変化については補正を行なっているが、
非対称な倍率やディストーションが変化した場合、この
ような変化は、補正できず野放しとなってしまう。
【０００９】本発明では、光投影露光装置と荷電ビーム
露光装置とのミックスアンドマッチを行なう際、前工程
の光投影露光装置が持つ、露光条件と露光履歴情報から
各ショットの倍率およびディストーション変化を予測
し、荷電ビーム露光装置で重ね焼き（描画）するとき
に、ビーム照射位置座標を補正する。
露光装置とのミックスアンドマッチを行なう際、前工程
の光投影露光装置が持つ、露光条件と露光履歴情報から
各ショットの倍率およびディストーション変化を予測
し、荷電ビーム露光装置で重ね焼き（描画）するとき
に、ビーム照射位置座標を補正する。
【００１０】これにより、荷電ビーム露光装置で露光す
る際の重ね合わせ精度を向上させることができる。ま
た、アライメント検出ポイントを少なくしたとしても高
精度の重ね合わせが可能になる。
る際の重ね合わせ精度を向上させることができる。ま
た、アライメント検出ポイントを少なくしたとしても高
精度の重ね合わせが可能になる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。第１の実施例 図１は本発明の一実施例に係るミックスアンドマッチシ
ステムの構成を示す。同図において、１は縮小投影露光
装置（ステッパ）等の光投影露光装置、２は光投影露光
装置１によりパターンを露光された基準ウエハについて
そのパターンの理想パターン（設計上のパターン）に対
するずれ（歪み）を計測する重ね合わせ誤差測定器、３
は光投影露光装置１により焼き付けられたパターン上
に、所定の描画パターンを整合して描画する電子ビーム
露光装置（以下、ＥＢ装置という）、４は重ね合わせ誤
差測定器２による測定結果に基づいてディストーション
補正マップを作成するとともに光投影露光装置１が持つ
露光情報に基づきこのディストーション補正マップを修
正してＥＢ装置３に与えるディストーション管理ＣＰ
Ｕ、５はバスライン６を介してオンライン接続された光
投影露光装置１、重ね合わせ誤差測定器２、ＥＢ装置３
およびディストーション管理ＣＰＵ４の間の通信および
動作の調和を図るオンライン機能ＣＰＵである。ディス
トーション管理ＣＰＵ４とオンライン機能ＣＰＵとは単
一のＣＰＵであってもよい。４１はディストーション管
理ＣＰＵ４により作成されたディストーション補正マッ
プを格納するメモリである。
る。第１の実施例 図１は本発明の一実施例に係るミックスアンドマッチシ
ステムの構成を示す。同図において、１は縮小投影露光
装置（ステッパ）等の光投影露光装置、２は光投影露光
装置１によりパターンを露光された基準ウエハについて
そのパターンの理想パターン（設計上のパターン）に対
するずれ（歪み）を計測する重ね合わせ誤差測定器、３
は光投影露光装置１により焼き付けられたパターン上
に、所定の描画パターンを整合して描画する電子ビーム
露光装置（以下、ＥＢ装置という）、４は重ね合わせ誤
差測定器２による測定結果に基づいてディストーション
補正マップを作成するとともに光投影露光装置１が持つ
露光情報に基づきこのディストーション補正マップを修
正してＥＢ装置３に与えるディストーション管理ＣＰ
Ｕ、５はバスライン６を介してオンライン接続された光
投影露光装置１、重ね合わせ誤差測定器２、ＥＢ装置３
およびディストーション管理ＣＰＵ４の間の通信および
動作の調和を図るオンライン機能ＣＰＵである。ディス
トーション管理ＣＰＵ４とオンライン機能ＣＰＵとは単
一のＣＰＵであってもよい。４１はディストーション管
理ＣＰＵ４により作成されたディストーション補正マッ
プを格納するメモリである。
【００１２】次に図２および図３を参照しながら図１の
システムの動作を説明する。まず、ステップＳ２１で
は、第１レイヤを露光する１ロット中の基準ウエハに対
して、光投影露光装置１で第１レイヤパターンを露光す
る。ステップＳ２２では、その基準ウエハを現像する。
ステップＳ２３では、重ね合わせ測定器２により、基準
ウエハ上に形成されたパターンの所定のサンプル点につ
いて基準格子からのずれを計測する。ステップＳ２４で
は、これらの計測結果とステップＳ２１の露光処理にお
ける露光条件とに基づいて誤差成分の解析を行なう。こ
の誤差成分解析においては、ショット間の誤差成分
（ウエハ倍率、ウエハ回転、弓なり、走り方向差）の算
出、およびショット内の誤差成分（チップ回転、チッ
プ倍率、ディストーション）の算出を行なう。ショット
内の誤差成分は、(2-1) 一律に補正できる成分、(2-2)
ウエハ内の座標に依存して補正できる成分、および(2-
3) 露光履歴等露光順に依存して補正できる成分に分け
て算出する。以上により、光投影露光装置１のオフセッ
トが算出される。ステップＳ２５では、算出された「誤
差情報」と基準ウエハの「露光条件」をＣＰＵ４に送
る。
システムの動作を説明する。まず、ステップＳ２１で
は、第１レイヤを露光する１ロット中の基準ウエハに対
して、光投影露光装置１で第１レイヤパターンを露光す
る。ステップＳ２２では、その基準ウエハを現像する。
ステップＳ２３では、重ね合わせ測定器２により、基準
ウエハ上に形成されたパターンの所定のサンプル点につ
いて基準格子からのずれを計測する。ステップＳ２４で
は、これらの計測結果とステップＳ２１の露光処理にお
ける露光条件とに基づいて誤差成分の解析を行なう。こ
の誤差成分解析においては、ショット間の誤差成分
（ウエハ倍率、ウエハ回転、弓なり、走り方向差）の算
出、およびショット内の誤差成分（チップ回転、チッ
プ倍率、ディストーション）の算出を行なう。ショット
内の誤差成分は、(2-1) 一律に補正できる成分、(2-2)
ウエハ内の座標に依存して補正できる成分、および(2-
3) 露光履歴等露光順に依存して補正できる成分に分け
て算出する。以上により、光投影露光装置１のオフセッ
トが算出される。ステップＳ２５では、算出された「誤
差情報」と基準ウエハの「露光条件」をＣＰＵ４に送
る。
【００１３】図６および図７は光投影露光装置により１
ロット２５枚のウエハに露光されたパターンにおけるデ
ィストーションおよび倍率の変化の様子を示す。図にお
いて、点線は理想パターン、実線が焼きつけられたパタ
ーンである。１枚のウエハ内でもショットの位置により
回転や倍率変化が生じている。例えば、倍率は露光順が
遅くなるほど、大きくなっている。また、１ロットの中
では露光順が遅いウエハ程、全体的な倍率が大きくなっ
ている。一方、回転はウエハ内でのショットの位置（座
標）に依存して変化している。
ロット２５枚のウエハに露光されたパターンにおけるデ
ィストーションおよび倍率の変化の様子を示す。図にお
いて、点線は理想パターン、実線が焼きつけられたパタ
ーンである。１枚のウエハ内でもショットの位置により
回転や倍率変化が生じている。例えば、倍率は露光順が
遅くなるほど、大きくなっている。また、１ロットの中
では露光順が遅いウエハ程、全体的な倍率が大きくなっ
ている。一方、回転はウエハ内でのショットの位置（座
標）に依存して変化している。
【００１４】光投影露光装置１による第１レイヤのロッ
トの露光は上記の基準ウエハの現像処理および誤差成分
解析処理と並行して実行されている。ステップＳ３１
で、そのロット全体の第１レイヤの露光を完了すると、
ステップＳ３２で、そのロットの露光条件をＣＰＵ４に
送る。ＣＰＵ４は、ステップＳ３３で、光投影露光装置
１による露光の誤差予測を行ない、ＥＢ装置３に送信す
る。ステップＳ３４で、ＥＢ装置３は、ウエハの位置合
わせを行ない、描画位置を誤差予測値で補正しながら、
ロット全体の描画露光を行なう。
トの露光は上記の基準ウエハの現像処理および誤差成分
解析処理と並行して実行されている。ステップＳ３１
で、そのロット全体の第１レイヤの露光を完了すると、
ステップＳ３２で、そのロットの露光条件をＣＰＵ４に
送る。ＣＰＵ４は、ステップＳ３３で、光投影露光装置
１による露光の誤差予測を行ない、ＥＢ装置３に送信す
る。ステップＳ３４で、ＥＢ装置３は、ウエハの位置合
わせを行ない、描画位置を誤差予測値で補正しながら、
ロット全体の描画露光を行なう。
【００１５】第２の実施例 図４は、本発明の第２の実施例に係るミックスアンドマ
ッチ動作を示すフローチャートである。光投影露光装置
１のオフセット算出処理は、第１の実施例と同じ図２に
示すとおりであり、図４は、そのオフセット算出処理後
の動作を示す。
ッチ動作を示すフローチャートである。光投影露光装置
１のオフセット算出処理は、第１の実施例と同じ図２に
示すとおりであり、図４は、そのオフセット算出処理後
の動作を示す。
【００１６】第２の実施例においては、図２のステップ
Ｓ２５の処理に続いて図４のステップＳ４１以下の処理
を実行する。ステップＳ４１で、そのロット全体の第１
レイヤの露光を完了すると、ステップＳ３２で、そのロ
ットの露光条件をＣＰＵ４に送る。ＣＰＵ４は、ステッ
プＳ４３で、光投影露光装置１による露光の誤差予測を
行ない、ＥＢ装置３に送信する。ステップＳ４４では、
ＥＢ装置３で、先行ウエハ（１枚程度）について、ウエ
ハの位置合わせを行ない、描画位置を誤差予測値で補正
しながら描画露光を行なう。ステップＳ４５では、重ね
合わせ誤差測定器２にてずれ量を計測し、ステップＳ４
６で、補正値を更新して、残りのウエハの位置合わせを
行ない、描画位置を誤差予測値で補正しながら描画露光
を行なう。
Ｓ２５の処理に続いて図４のステップＳ４１以下の処理
を実行する。ステップＳ４１で、そのロット全体の第１
レイヤの露光を完了すると、ステップＳ３２で、そのロ
ットの露光条件をＣＰＵ４に送る。ＣＰＵ４は、ステッ
プＳ４３で、光投影露光装置１による露光の誤差予測を
行ない、ＥＢ装置３に送信する。ステップＳ４４では、
ＥＢ装置３で、先行ウエハ（１枚程度）について、ウエ
ハの位置合わせを行ない、描画位置を誤差予測値で補正
しながら描画露光を行なう。ステップＳ４５では、重ね
合わせ誤差測定器２にてずれ量を計測し、ステップＳ４
６で、補正値を更新して、残りのウエハの位置合わせを
行ない、描画位置を誤差予測値で補正しながら描画露光
を行なう。
【００１７】第３の実施例 図５は、本発明の第３の実施例に係るミックスアンドマ
ッチ動作を示すフローチャートである。光投影露光装置
１のオフセット算出処理は、第１の実施例と同じ図２に
示すとおりであり、図５は、そのオフセット算出処理後
の動作を示す。
ッチ動作を示すフローチャートである。光投影露光装置
１のオフセット算出処理は、第１の実施例と同じ図２に
示すとおりであり、図５は、そのオフセット算出処理後
の動作を示す。
【００１８】第３の実施例においては、図２のステップ
Ｓ２５の処理に続いて図５のステップＳ５０以下の処理
を実行する。ステップＳ５０では、識別番号付きのウエ
ハを準備する。そして、ステップＳ５１で、光投影露光
装置１による第１レイヤの露光を行なう。その時、使用
したウエハの番号を検出しておく。ステップＳ５２で
は、そのロットのウエハ番号と露光条件をＣＰＵ４に送
る。ステップＳ５３で、ＣＰＵ４は、光投影露光装置１
による露光の誤差予測を行なう。ステップＳ５４で、Ｅ
Ｂ装置３は、搬入されたウエハの番号を検出する。ステ
ップＳ５５で、ＣＰＵ４は、ＥＢ装置３からのウエハ番
号通知に応じて、対応する番号のウエハの誤差予測値を
ＥＢ装置３に送信する。ステップＳ５６で、ＥＢ装置３
は、搬入されたウエハの位置合わせを行ない、描画位置
を誤差予測値で補正しながら描画露光を行なう。
Ｓ２５の処理に続いて図５のステップＳ５０以下の処理
を実行する。ステップＳ５０では、識別番号付きのウエ
ハを準備する。そして、ステップＳ５１で、光投影露光
装置１による第１レイヤの露光を行なう。その時、使用
したウエハの番号を検出しておく。ステップＳ５２で
は、そのロットのウエハ番号と露光条件をＣＰＵ４に送
る。ステップＳ５３で、ＣＰＵ４は、光投影露光装置１
による露光の誤差予測を行なう。ステップＳ５４で、Ｅ
Ｂ装置３は、搬入されたウエハの番号を検出する。ステ
ップＳ５５で、ＣＰＵ４は、ＥＢ装置３からのウエハ番
号通知に応じて、対応する番号のウエハの誤差予測値を
ＥＢ装置３に送信する。ステップＳ５６で、ＥＢ装置３
は、搬入されたウエハの位置合わせを行ない、描画位置
を誤差予測値で補正しながら描画露光を行なう。
【図１】 本発明の一実施例に係るミックスアンドマッ
チシステムの構成を示す図である。
チシステムの構成を示す図である。
【図２】 図１のシステムのオフセット算出動作を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
【図３】 図１のシステムのＥＢ露光動作を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図４】 図３のＥＢ露光動作の変形例を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図５】 図３のＥＢ露光動作の他の変形例を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図６】 光投影露光装置により露光されたウエハの露
光履歴によるパターンの変化を示す。
光履歴によるパターンの変化を示す。
【図７】 光投影露光装置により露光されたウエハの露
光履歴によるパターンの変化を示す。
光履歴によるパターンの変化を示す。
１：光投影露光装置、２：重ね合わせ誤差測定器、３：
ＥＢ装置、４：ディストーション管理ＣＰＵ、５：オン
ライン機能ＣＰＵ、６：バスライン、４１：メモリ。
ＥＢ装置、４：ディストーション管理ＣＰＵ、５：オン
ライン機能ＣＰＵ、６：バスライン、４１：メモリ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｊ
Claims (4)
- 【請求項１】 光投影露光によりウエハ上に形成された
第１のパターンと整合するように第２のパターンを荷電
ビームで該ウエハ上に描画して露光するために、第１の
パターンの理想パターンに対するずれを示す歪み補正マ
ップを作成し、第２のパターンの描画情報を該マップに
示された歪み情報に基づき補正しながら前記荷電ビーム
で露光する露光方法において、 前記歪み補正マップを、前記光投影露光を行なう装置が
有する、前記第１のパターンを光投影露光した際の露光
情報に基づいて修正することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 前記歪み補正マップの修正を、前記第１
のパターンを光投影露光する際のショット領域ごと、ウ
エハごとおよび／またはロットごとに行なうことを特徴
とする請求項１記載の露光方法。 - 【請求項３】 前記歪み補正マップの修正を、前記光投
影露光を行なう装置が有する、前記第１のパターンを光
投影露光する際の露光情報に基づいて行なうことを特徴
とする請求項１または２記載の露光方法。 - 【請求項４】 前記露光情報が、ショットレイアウト、
ショット順序、各ショットの露光量、ならびにショット
間、ウエハ間およびロット開始前の露光休止時間を含む
ことを特徴とする請求項３記載の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9303327A JPH11121361A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9303327A JPH11121361A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121361A true JPH11121361A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17919648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9303327A Withdrawn JPH11121361A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121361A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005286064A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置、荷電粒子ビーム露光装置の基準用基板、荷電粒子ビーム露光装置の補正方法、及び電子装置の製造方法 |
| US7856606B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-12-21 | Asml Masktools B.V. | Apparatus, method and program product for suppressing waviness of features to be printed using photolithographic systems |
| JP2013219085A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Canon Inc | 描画装置、描画方法、および、物品の製造方法 |
-
1997
- 1997-10-20 JP JP9303327A patent/JPH11121361A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005286064A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置、荷電粒子ビーム露光装置の基準用基板、荷電粒子ビーム露光装置の補正方法、及び電子装置の製造方法 |
| US7856606B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-12-21 | Asml Masktools B.V. | Apparatus, method and program product for suppressing waviness of features to be printed using photolithographic systems |
| JP2013219085A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Canon Inc | 描画装置、描画方法、および、物品の製造方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060112 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070207 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070404 |