JPH1112375A - 防汚性薄膜の形成方法 - Google Patents
防汚性薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH1112375A JPH1112375A JP9167073A JP16707397A JPH1112375A JP H1112375 A JPH1112375 A JP H1112375A JP 9167073 A JP9167073 A JP 9167073A JP 16707397 A JP16707397 A JP 16707397A JP H1112375 A JPH1112375 A JP H1112375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- fluoroalkylsilane
- substrate
- forming
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 防汚性薄膜を制御性よく安定的に形成する。
また、反射防止膜等の光学部材を被処理基材とした場合
でも、その光学部材の光学的性質が損なわれないように
均一な薄膜に形成する。 【解決手段】 防汚性薄膜を、被処理基材１の表面をフ
ルオロアルキルシラン２のモノマー蒸気に曝し、該表面
に真空紫外光Ｌを照射し、フルオロアルキルシラン２の
薄膜を形成することにより形成する。
また、反射防止膜等の光学部材を被処理基材とした場合
でも、その光学部材の光学的性質が損なわれないように
均一な薄膜に形成する。 【解決手段】 防汚性薄膜を、被処理基材１の表面をフ
ルオロアルキルシラン２のモノマー蒸気に曝し、該表面
に真空紫外光Ｌを照射し、フルオロアルキルシラン２の
薄膜を形成することにより形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、防汚性を必要とす
る各種基材の表面に、防汚性薄膜を形成する方法に関す
る。特に、光学部材（例えば、反射防止膜、光学フィル
ター、光学レンズ、液晶ディスプレー、テレビモニター
等）の表面に、各光学部材の光学性能を損なわせること
なく、防汚性薄膜を形成する方法に関する。
る各種基材の表面に、防汚性薄膜を形成する方法に関す
る。特に、光学部材（例えば、反射防止膜、光学フィル
ター、光学レンズ、液晶ディスプレー、テレビモニター
等）の表面に、各光学部材の光学性能を損なわせること
なく、防汚性薄膜を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】反射防止膜、光学フィルター、光学レン
ズ、液晶ディスプレー、テレビモニター等の光学部材に
は、汗や指紋等による汚れが付着する場合が多い。その
ような汚れは、一度付着すると除去することは容易でな
く、特に、反射防止膜付き光学部材では、付着した汚れ
が目立つために問題となる。
ズ、液晶ディスプレー、テレビモニター等の光学部材に
は、汗や指紋等による汚れが付着する場合が多い。その
ような汚れは、一度付着すると除去することは容易でな
く、特に、反射防止膜付き光学部材では、付着した汚れ
が目立つために問題となる。
【０００３】そこで、これら汚れの問題を解決する手段
として、防汚性あるいは撥水性のあるフルオロアルキル
シランの薄膜を、光学部材の表面に形成する方法が考案
されている。
として、防汚性あるいは撥水性のあるフルオロアルキル
シランの薄膜を、光学部材の表面に形成する方法が考案
されている。
【０００４】例えば、特開平６−１２２７７８号公報に
は、プラズマＣＶＤ法を用いてフルオロアルキルシラン
の撥水性薄膜を形成する方法が開示されている。それに
よれば、次式（１）で表されるフルオロアルキルシラン
が重合するための反応促進のエネルギーとしてプラズマ
が用いられている。ここでプラズマが使用される理由と
しては、プラズマを使用しなければ、気化したフルオロ
アルキルシランのモノマー分子が被処理基材表面に単に
入射するだけであり、再蒸発はおこるが重合反応は起こ
らないと考えられているためである。
は、プラズマＣＶＤ法を用いてフルオロアルキルシラン
の撥水性薄膜を形成する方法が開示されている。それに
よれば、次式（１）で表されるフルオロアルキルシラン
が重合するための反応促進のエネルギーとしてプラズマ
が用いられている。ここでプラズマが使用される理由と
しては、プラズマを使用しなければ、気化したフルオロ
アルキルシランのモノマー分子が被処理基材表面に単に
入射するだけであり、再蒸発はおこるが重合反応は起こ
らないと考えられているためである。
【０００５】
【化１】 ＣＦ3（ＣＦ2）n（ＣＨ2）mＳｉＡ3 （１） （ｎは正の整数、ｍは０以上の整数、Ａは加水分解可能
な置換基を表す。）
な置換基を表す。）
【０００６】このプラズマＣＶＤ法は、より具体的に
は、図２に示すようなプラズマＣＶＤ装置２０を使用し
て次のように行われる。即ち、プラズマＣＶＤ装置２０
の反応室２１内に被処理基材１を載置し、反応室２１内
を真空ポンプで矢印Ａのように排気する。次に、蒸着源
であるフルオロアルキルシラン２を充填したボトル２２
をボトルヒーター２３で加熱し、別の配管ヒーター２４
でボトル２２よりも高温に加熱した配管２５を通してフ
ルオロアルキルシラン２の蒸気を反応室２１内に導入す
る。一方、被処理基材１の上方に配されているコイル２
６にＲＦ電源２７から高周波を印加し、反応室２１内に
プラズマを発生させる。そしてこのプラズマの作用によ
り、被処理基材１上に、フルオロアルキルシラン２の重
合による薄膜を形成する。
は、図２に示すようなプラズマＣＶＤ装置２０を使用し
て次のように行われる。即ち、プラズマＣＶＤ装置２０
の反応室２１内に被処理基材１を載置し、反応室２１内
を真空ポンプで矢印Ａのように排気する。次に、蒸着源
であるフルオロアルキルシラン２を充填したボトル２２
をボトルヒーター２３で加熱し、別の配管ヒーター２４
でボトル２２よりも高温に加熱した配管２５を通してフ
ルオロアルキルシラン２の蒸気を反応室２１内に導入す
る。一方、被処理基材１の上方に配されているコイル２
６にＲＦ電源２７から高周波を印加し、反応室２１内に
プラズマを発生させる。そしてこのプラズマの作用によ
り、被処理基材１上に、フルオロアルキルシラン２の重
合による薄膜を形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のプラズマを用い
てフルオロアルキルシランの薄膜を形成する方法では、
プラズマ自身がフルオロアルキルシランのモノマー蒸気
の電解・解離等のメカニズムで維持される。このプラズ
マ中の電子エネルギーは、平均で一般に５ｅＶ程度であ
る。しかし、そのエネルギー分布が広いため、プラズマ
中の電子には１０ｅＶを超える高エネルギーのものも相
当量含まれている。この高エネルギー電子が有するエネ
ルギー値は、フルオロアルキルシランのモノマー分子内
の化学結合エネルギーよりもはるかに高い。
てフルオロアルキルシランの薄膜を形成する方法では、
プラズマ自身がフルオロアルキルシランのモノマー蒸気
の電解・解離等のメカニズムで維持される。このプラズ
マ中の電子エネルギーは、平均で一般に５ｅＶ程度であ
る。しかし、そのエネルギー分布が広いため、プラズマ
中の電子には１０ｅＶを超える高エネルギーのものも相
当量含まれている。この高エネルギー電子が有するエネ
ルギー値は、フルオロアルキルシランのモノマー分子内
の化学結合エネルギーよりもはるかに高い。
【０００８】そのため、フルオロアルキルシランの重合
と共にそのモノマー自身の破壊や分解も同時に進行す
る。したがって、この方法では制御性よくフルオロアル
キルシランを成膜することが困難であり、得られた薄膜
には予期できない不均一性が生じ、被処理基材の光学的
性質が損なわれたり、この蒸着材料が本来有する防汚性
や撥水性が発現しないという問題があった。
と共にそのモノマー自身の破壊や分解も同時に進行す
る。したがって、この方法では制御性よくフルオロアル
キルシランを成膜することが困難であり、得られた薄膜
には予期できない不均一性が生じ、被処理基材の光学的
性質が損なわれたり、この蒸着材料が本来有する防汚性
や撥水性が発現しないという問題があった。
【０００９】本発明は以上のような従来技術の課題を解
決しようとするものであり、被処理基材の光学的性質を
損なうことなく、制御性よく、安定的に防汚性薄膜を形
成できるようにすることを目的とする。
決しようとするものであり、被処理基材の光学的性質を
損なうことなく、制御性よく、安定的に防汚性薄膜を形
成できるようにすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成するため、被処理基材の表面をフルオロアルキル
シランのモノマー蒸気に曝しながら該表面に真空紫外光
を照射し、フルオロアルキルシランの薄膜を形成するこ
とを特徴とする防汚性薄膜の形成方法を提供する。
を達成するため、被処理基材の表面をフルオロアルキル
シランのモノマー蒸気に曝しながら該表面に真空紫外光
を照射し、フルオロアルキルシランの薄膜を形成するこ
とを特徴とする防汚性薄膜の形成方法を提供する。
【００１１】特に、この方法において、フルオロアルキ
ルシランのモノマー蒸気温度を７０〜２００℃とし、照
射する真空紫外光の中心波長を１００ｎｍ〜２００ｎｍ
とする方法を提供する。
ルシランのモノマー蒸気温度を７０〜２００℃とし、照
射する真空紫外光の中心波長を１００ｎｍ〜２００ｎｍ
とする方法を提供する。
【００１２】また、被処理基材として、反射防止膜など
の光学部材に上述の薄膜を形成する方法を提供する。
の光学部材に上述の薄膜を形成する方法を提供する。
【００１３】さらに、このような方法で形成した防汚性
薄膜それ自体や、このような防汚性薄膜を表面に有する
反射防止膜等の光学部材を提供する。
薄膜それ自体や、このような防汚性薄膜を表面に有する
反射防止膜等の光学部材を提供する。
【００１４】本発明の防汚性薄膜の形成方法によれば、
被処理基材の表面をフルオロアルキルシランのモノマー
蒸気に曝し、そこに真空紫外光を照射するので、この被
処理基材の表面では、フルオロアルキルシランの重合が
進行し、フルオロアルキルシランの薄膜が形成される。
被処理基材の表面をフルオロアルキルシランのモノマー
蒸気に曝し、そこに真空紫外光を照射するので、この被
処理基材の表面では、フルオロアルキルシランの重合が
進行し、フルオロアルキルシランの薄膜が形成される。
【００１５】この被処理基材へのフルオロアルキルシラ
ンのモノマーの蒸着と真空紫外光の照射により薄膜を形
成する方法は、所謂光ＣＶＤ法に属する方法であり、こ
の薄膜の形成工程においてプラズマは使用しない。した
がって、フルオロアルキルシランの重合時にそのモノマ
ー自身の破壊や分解が生じることはなく、制御性よく、
均一な薄膜を形成することができる。
ンのモノマーの蒸着と真空紫外光の照射により薄膜を形
成する方法は、所謂光ＣＶＤ法に属する方法であり、こ
の薄膜の形成工程においてプラズマは使用しない。した
がって、フルオロアルキルシランの重合時にそのモノマ
ー自身の破壊や分解が生じることはなく、制御性よく、
均一な薄膜を形成することができる。
【００１６】一方、フルオロアルキルシランの薄膜は、
汗、指紋、油性ペン等の汚れに対して優れた防汚効果を
発揮する。
汗、指紋、油性ペン等の汚れに対して優れた防汚効果を
発揮する。
【００１７】よって、本発明の防汚性薄膜の形成方法に
よれば、反射防止膜等の光学部材を被処理基材とした場
合でも、その光学部材の光学的性質を損なうことなく、
防汚性を付与することが可能となる。
よれば、反射防止膜等の光学部材を被処理基材とした場
合でも、その光学部材の光学的性質を損なうことなく、
防汚性を付与することが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１９】図１は、本発明の実施に好適に使用するこ
とのできる光ＣＶＤ装置１０の構成図である。本発明の
方法は、同図のような光ＣＶＤ装置１０を使用する場
合、次のように行うことができる。
とのできる光ＣＶＤ装置１０の構成図である。本発明の
方法は、同図のような光ＣＶＤ装置１０を使用する場
合、次のように行うことができる。
【００２０】まず、被処理基材１をその反応室１１内に
載置し、真空ポンプで矢印Ａのように排気する。次い
で、蒸着源とするフルオロアルキルシラン２をボトルヒ
ーター１３付のボトル１２に充填し、配管ヒーター１４
付の配管１５で反応室１１内にそのモノマーの加熱蒸気
を導入し、このモノマー蒸気に被蒸着基材１の表面を曝
す。そして、光源１６から光学窓１７を通して真空紫外
線Ｌを照射する。なお、この光学窓１７としては、照射
波長に対して透過率の高い光学材料から形成されている
ものを使用する。例えば、波長１００〜２００ｎｍの真
空紫外光Ｌに対しては合成石英製のものを使用すること
ができる。
載置し、真空ポンプで矢印Ａのように排気する。次い
で、蒸着源とするフルオロアルキルシラン２をボトルヒ
ーター１３付のボトル１２に充填し、配管ヒーター１４
付の配管１５で反応室１１内にそのモノマーの加熱蒸気
を導入し、このモノマー蒸気に被蒸着基材１の表面を曝
す。そして、光源１６から光学窓１７を通して真空紫外
線Ｌを照射する。なお、この光学窓１７としては、照射
波長に対して透過率の高い光学材料から形成されている
ものを使用する。例えば、波長１００〜２００ｎｍの真
空紫外光Ｌに対しては合成石英製のものを使用すること
ができる。
【００２１】このような操作により被処理基材１の表面
にフルオロアルキルシランの重合による薄膜を形成する
ことができる。
にフルオロアルキルシランの重合による薄膜を形成する
ことができる。
【００２２】ここで、使用するフルオロアルキルシラン
としては、従来のプラズマＣＶＤ法により防汚性薄膜を
形成する場合と同様の、次式（１）
としては、従来のプラズマＣＶＤ法により防汚性薄膜を
形成する場合と同様の、次式（１）
【００２３】
【化２】 ＣＦ3（ＣＦ2）n（ＣＨ2）mＳｉＡ3 （１） （ｎは正の整数、ｍは０以上の整数、Ａは加水分解可能
な置換基を表す。）
な置換基を表す。）
【００２４】で表される化合物を使用することができ
る。
る。
【００２５】式中、Ａの置換基としては、具体的には、
エトキシ基、メトキシ基等をあげることができる。
エトキシ基、メトキシ基等をあげることができる。
【００２６】式（１）で表されるフルオロアルキルシラ
ンの中でも、ｎ＝５〜１０、ｍ＝２〜５、Ａがメトキシ
基である化合物を使用することが好ましい。
ンの中でも、ｎ＝５〜１０、ｍ＝２〜５、Ａがメトキシ
基である化合物を使用することが好ましい。
【００２７】また、被処理基材１に供給するフルオロア
ルキルシランのモノマー蒸気温度は、低すぎると蒸気圧
が不足であり、高すぎると蒸気圧過剰となり、分解の可
能性が生じるため、蒸気圧が１Ｔｏｒｒ程度となる温度
が好ましい。このような温度は、材料によっても異なる
が、通常７０〜２００℃である。
ルキルシランのモノマー蒸気温度は、低すぎると蒸気圧
が不足であり、高すぎると蒸気圧過剰となり、分解の可
能性が生じるため、蒸気圧が１Ｔｏｒｒ程度となる温度
が好ましい。このような温度は、材料によっても異なる
が、通常７０〜２００℃である。
【００２８】真空紫外光Ｌとしては、その中心波長が１
００ｎｍ〜２００ｎｍにあり、この範囲に強度をもつも
のが好ましい。真空紫外光Ｌの波長が長すぎるとフルオ
ロアルキルシランの重合膜が形成されにくく、短すぎる
とプラズマを使用した場合と同様に分解が起こるので好
ましくない。また、上記の波長よりも短い短波長の光を
発する実用的な光源は入手できないことからも真空紫外
光Ｌの好ましい波長範囲は上記の通り、１００ｎｍ〜２
００ｎｍとすることが好ましい。、この他、この薄膜形
成時の条件としては、反応室１１内を１×１０-5Ｔｏｒ
ｒ〜１×１０-2Ｔｏｒｒ程度の真空とすることが好まし
く、特に、５×１０-4Ｔｏｒｒ程度とすることが好まし
い。
００ｎｍ〜２００ｎｍにあり、この範囲に強度をもつも
のが好ましい。真空紫外光Ｌの波長が長すぎるとフルオ
ロアルキルシランの重合膜が形成されにくく、短すぎる
とプラズマを使用した場合と同様に分解が起こるので好
ましくない。また、上記の波長よりも短い短波長の光を
発する実用的な光源は入手できないことからも真空紫外
光Ｌの好ましい波長範囲は上記の通り、１００ｎｍ〜２
００ｎｍとすることが好ましい。、この他、この薄膜形
成時の条件としては、反応室１１内を１×１０-5Ｔｏｒ
ｒ〜１×１０-2Ｔｏｒｒ程度の真空とすることが好まし
く、特に、５×１０-4Ｔｏｒｒ程度とすることが好まし
い。
【００２９】反応時間としては、材料の種類、圧力、真
空紫外光の強度にもよるが、通常、１０秒〜６００秒と
することが好ましい。
空紫外光の強度にもよるが、通常、１０秒〜６００秒と
することが好ましい。
【００３０】このような方法でフルオロアルキルシラン
の薄膜を形成する被処理基材１自体には特に制限はない
が、所期の設計通りの厳密な表面性が必要とされる反射
防止膜を被処理基材とする場合に、本発明の効果を顕著
に得ることができる。このような反射防止膜としては、
例えば、ＭｇＦ2、ＬｉＦ2、ＴｈＦ4、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2、ＣｅＯ2、ＡＩ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ3Ｏ6
などのフッ化物、酸化物を単層で、あるいは積層したも
のをあげることができる。この他、本発明を適用する好
ましい被処理基材１としては、偏光板、あるいはこれら
を貼り付けたメガネ等の光学レンズや液晶ディスプレイ
等の光学部材をあげることができる。
の薄膜を形成する被処理基材１自体には特に制限はない
が、所期の設計通りの厳密な表面性が必要とされる反射
防止膜を被処理基材とする場合に、本発明の効果を顕著
に得ることができる。このような反射防止膜としては、
例えば、ＭｇＦ2、ＬｉＦ2、ＴｈＦ4、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2、ＣｅＯ2、ＡＩ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ3Ｏ6
などのフッ化物、酸化物を単層で、あるいは積層したも
のをあげることができる。この他、本発明を適用する好
ましい被処理基材１としては、偏光板、あるいはこれら
を貼り付けたメガネ等の光学レンズや液晶ディスプレイ
等の光学部材をあげることができる。
【００３１】以上、図１に示した光ＣＶＤ装置１０を使
用して本発明を実施する場合について詳細に説明した
が、本発明はこれに限定されない。例えば、被処理基材
１がフィルム状である場合には、巻き取り式真空成膜装
置を使用し、その成膜室を１０Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に排
気し、次いで加熱気化したフルオロアルキルシランのモ
ノマー蒸気を導入し、その成膜室にフィルム状被処理基
材を走行させながら光学窓を通して真空紫外光を照射す
ることが好ましい。
用して本発明を実施する場合について詳細に説明した
が、本発明はこれに限定されない。例えば、被処理基材
１がフィルム状である場合には、巻き取り式真空成膜装
置を使用し、その成膜室を１０Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に排
気し、次いで加熱気化したフルオロアルキルシランのモ
ノマー蒸気を導入し、その成膜室にフィルム状被処理基
材を走行させながら光学窓を通して真空紫外光を照射す
ることが好ましい。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。
明する。
【００３３】実施例１ 図１の光ＣＶＤ装置１０を使用し、次のようにフルオロ
アルキルシランの薄膜を被処理基材１に形成した。
アルキルシランの薄膜を被処理基材１に形成した。
【００３４】まず、被処理基材１として、１００ｍｍ角
で厚さ８０μｍのトリアセチルセルロースフィルム上
に、アクリル樹脂からなるハードコート層と無機酸化物
の積層体からなる反射防止膜とを積層した光学部材を反
応室１１内に設置した。このときの設置位置は、光源１
６のランプ面から３０ｍｍの距離とした。そして反応室
１１内を真空排気した。
で厚さ８０μｍのトリアセチルセルロースフィルム上
に、アクリル樹脂からなるハードコート層と無機酸化物
の積層体からなる反射防止膜とを積層した光学部材を反
応室１１内に設置した。このときの設置位置は、光源１
６のランプ面から３０ｍｍの距離とした。そして反応室
１１内を真空排気した。
【００３５】一方、式（１）のフルオロアルキルシラン
（信越化学製：ＫＢＭ７８０３）をステンレス製のボト
ル１２に５００ｃｃ仕込み、これをボトルヒーター１３
で９０℃に加熱し、気化させてモノマー蒸気とした。別
の配管ヒーター１４で配管１５を１１０℃に加熱保温
し、この配管１５を通して上述のモノマー蒸気を反応室
１１に導入した。このとき、反応室１１の内圧力はダイ
ヤフラム式圧力計ではかったところ１Ｅ−３Ｔｏｒｒで
あった。
（信越化学製：ＫＢＭ７８０３）をステンレス製のボト
ル１２に５００ｃｃ仕込み、これをボトルヒーター１３
で９０℃に加熱し、気化させてモノマー蒸気とした。別
の配管ヒーター１４で配管１５を１１０℃に加熱保温
し、この配管１５を通して上述のモノマー蒸気を反応室
１１に導入した。このとき、反応室１１の内圧力はダイ
ヤフラム式圧力計ではかったところ１Ｅ−３Ｔｏｒｒで
あった。
【００３６】次に、光源１６としてキセノンエキシマラ
ンプ（ウシオ電機製：ＵＥＲ２０−１７２）を使用し、
中心波長１７２ｎｍ、半値幅１４ｎｍの真空紫外光源Ｌ
を合成石英製の光学窓１７を通して１０分間照射し、こ
れにより被処理基材１の表面に防汚性薄膜を形成した。
ンプ（ウシオ電機製：ＵＥＲ２０−１７２）を使用し、
中心波長１７２ｎｍ、半値幅１４ｎｍの真空紫外光源Ｌ
を合成石英製の光学窓１７を通して１０分間照射し、こ
れにより被処理基材１の表面に防汚性薄膜を形成した。
【００３７】薄膜形成後、被処理基材１を取り出してそ
の被処理基材１表面の水に対する接触角を協和界面科学
製ＦＡＣＥ ＣＡ−Ｚ型試験器を用いて測定した。この
場合、測定は５回繰り返し、その５回の測定値の最高値
と最低値を除去した残り３つの測定値の平均を当該被処
理基材１の接触角とした。その結果、表１に示すよう
に、水の接触角は１１５．８度であった。
の被処理基材１表面の水に対する接触角を協和界面科学
製ＦＡＣＥ ＣＡ−Ｚ型試験器を用いて測定した。この
場合、測定は５回繰り返し、その５回の測定値の最高値
と最低値を除去した残り３つの測定値の平均を当該被処
理基材１の接触角とした。その結果、表１に示すよう
に、水の接触角は１１５．８度であった。
【００３８】次に、薄膜形成した被処理基材１の表面を
クリーニングペーパー（旭化成社製、ベンコットンＣＴ
−８）を用いて軽く１００往復拭き取り、その後上記と
同様に接触角を測定した。その結果、表１に示すように
接触角の低下はほとんど無く、耐久性のある良好な撥水
性が確認された。また、被処理基材１の上につけた指紋
をクリーニングペーパーで拭き取る指紋の拭き取り試験
ったところ、指紋を完全に拭き取ることができ、被処理
基材１の表面に形成された薄膜の良好な防汚性が確認で
きた。
クリーニングペーパー（旭化成社製、ベンコットンＣＴ
−８）を用いて軽く１００往復拭き取り、その後上記と
同様に接触角を測定した。その結果、表１に示すように
接触角の低下はほとんど無く、耐久性のある良好な撥水
性が確認された。また、被処理基材１の上につけた指紋
をクリーニングペーパーで拭き取る指紋の拭き取り試験
ったところ、指紋を完全に拭き取ることができ、被処理
基材１の表面に形成された薄膜の良好な防汚性が確認で
きた。
【００３９】比較例１ 実施例１と同様の被処理基材１をプラズマＣＶＤ装置の
反応室に設置し、その反応室内を真空排気してそこにフ
ルオロアルキルシラン（信越化学製：ＫＢＭ７８０３）
のモノマーを導入し、その反応室に設置した電極に１
３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を５０Ｗ印加してプラズマを
発生させ、そのプラズマを１分間維持させることにより
被処理基材１の表面に薄膜を形成した。
反応室に設置し、その反応室内を真空排気してそこにフ
ルオロアルキルシラン（信越化学製：ＫＢＭ７８０３）
のモノマーを導入し、その反応室に設置した電極に１
３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を５０Ｗ印加してプラズマを
発生させ、そのプラズマを１分間維持させることにより
被処理基材１の表面に薄膜を形成した。
【００４０】その後、実施例１と同様に、被処理基材１
の表面をクリーニングペーパーで１００往復拭き取る前
後の水の接触角をそれぞれ測定した。この結果を表１に
示す。
の表面をクリーニングペーパーで１００往復拭き取る前
後の水の接触角をそれぞれ測定した。この結果を表１に
示す。
【００４１】表１の結果から、比較例１の薄膜はクリー
ニングペーパーで拭き取った後の水の接触角が大きく低
下し、初期撥水性においても耐久性においても、上記実
施例１の薄膜より劣っていることが確認できた。また、
実施例１と同様に指紋の拭き取り試験を行ったところ、
比較例１の薄膜では拭き残りが生じ、指紋を完全に拭き
取ることはできなかった。
ニングペーパーで拭き取った後の水の接触角が大きく低
下し、初期撥水性においても耐久性においても、上記実
施例１の薄膜より劣っていることが確認できた。また、
実施例１と同様に指紋の拭き取り試験を行ったところ、
比較例１の薄膜では拭き残りが生じ、指紋を完全に拭き
取ることはできなかった。
【００４２】
【表１】 薄膜 拭取前の 拭取後の 指紋の 形成方法 接触角 接触角 拭取試験 実施例１ 光CVD法 115.8度 110.6度 拭き残りなし 比較例１ フ゜ラス゛マCVD法 106.5度 85.3度 拭き残りあり
【００４３】
【発明の効果】本発明の防汚性薄膜の形成方法によれ
ば、制御性よく安定的に、耐久性、撥水性に優れた防汚
性薄膜を形成することができる。また、この方法により
形成される防汚性薄膜は均一性に優れた薄膜となるの
で、反射防止膜等の光学部材を被処理基材とした場合
に、その光学部材の光学的性質が損なわれることを防止
できる。
ば、制御性よく安定的に、耐久性、撥水性に優れた防汚
性薄膜を形成することができる。また、この方法により
形成される防汚性薄膜は均一性に優れた薄膜となるの
で、反射防止膜等の光学部材を被処理基材とした場合
に、その光学部材の光学的性質が損なわれることを防止
できる。
【図１】本発明の実施に使用する光ＣＶＤ装置の説明図
である。
である。
【図２】従来のプラズマＣＶＤ装置の説明図である。
１ 被処理基材 ２ フルオロアルキルシラン １０ 光ＣＶＤ装置 １１ 反応室 １２ ボトル １３ ボトルヒーター １４ 配管ヒーター １５ 配管 １６ 光源 １７ 光学窓 Ｌ 真空紫外光
Claims (9)
- 【請求項１】 被処理基材の表面をフルオロアルキルシ
ランのモノマー蒸気に曝しながら該表面に真空紫外光を
照射し、フルオロアルキルシランの薄膜を形成すること
を特徴とする防汚性薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 フルオロアルキルシランのモノマー蒸気
温度が７０〜２００℃である請求項１記載の防汚性薄膜
の形成方法。 - 【請求項３】 真空紫外光の中心波長が１００ｎｍ〜２
００ｎｍである請求項１又は２に記載の防汚性薄膜の形
成方法。 - 【請求項４】 被処理基材が光学部材である請求項１〜
３のいずれかに記載の防汚性薄膜の形成方法。 - 【請求項５】 光学部材が反射防止膜である請求項４記
載の防汚性薄膜の形成方法。 - 【請求項６】 被処理基材がフィルム状である場合に、
巻き取り式真空成膜装置の成膜室を排気し、次いで加熱
気化したフルオロアルキルシランのモノマー蒸気を導入
し、その成膜室にフィルム状被処理基材を走行させなが
ら光学窓を通して真空紫外光を照射する請求項１〜５の
いずれかに記載の防汚性薄膜の形成方法。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の方法で
形成された防汚性薄膜。 - 【請求項８】 表面に請求項１〜６のいずれかに記載の
方法で形成された防汚性薄膜を有する光学部材。 - 【請求項９】 表面に請求項１〜６のいずれかに記載の
方法で形成された防汚性薄膜を有する反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16707397A JP3760570B2 (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 防汚性薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16707397A JP3760570B2 (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 防汚性薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1112375A true JPH1112375A (ja) | 1999-01-19 |
| JP3760570B2 JP3760570B2 (ja) | 2006-03-29 |
Family
ID=15842910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16707397A Expired - Fee Related JP3760570B2 (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 防汚性薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3760570B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6235340B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-05-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Biopolymer-resistant coatings |
| KR100538016B1 (ko) * | 2002-03-18 | 2005-12-21 | 호야 가부시키가이샤 | 광학부재, 광학부재의 제조방법 및 박막의 제조방법 |
| WO2009125803A1 (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | 株式会社 アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1997
- 1997-06-24 JP JP16707397A patent/JP3760570B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6235340B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-05-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Biopolymer-resistant coatings |
| KR100538016B1 (ko) * | 2002-03-18 | 2005-12-21 | 호야 가부시키가이샤 | 광학부재, 광학부재의 제조방법 및 박막의 제조방법 |
| WO2009125803A1 (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | 株式会社 アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
| KR101174377B1 (ko) | 2008-04-09 | 2012-08-16 | 가부시키가이샤 알박 | 막 증착 장치 및 막 증착 방법 |
| JP5101690B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2012-12-19 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
| TWI402364B (zh) * | 2008-04-09 | 2013-07-21 | Ulvac Inc | 成膜裝置及成膜方法 |
| US9310524B2 (en) | 2008-04-09 | 2016-04-12 | Ulvac, Inc. | Film deposition apparatus and film deposition method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3760570B2 (ja) | 2006-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7880966B2 (en) | Optical article including a layer siox as main component and manufacturing method of the same | |
| CN100339740C (zh) | 防污性眼镜镜片及其制造方法 | |
| JP4672095B2 (ja) | 反射防止膜の製造方法 | |
| JP2610394B2 (ja) | プラスチック製品のバリアコーティング方法 | |
| CN102046552B (zh) | 用于金属氟化物光学元件的粘性气密性氧化物膜 | |
| CN100378925C (zh) | 真空装置、其颗粒监控方法、程序以及颗粒监控用窗口部件 | |
| EP1286184A2 (en) | Half mirror film producing method and optical element comprising a half mirror film | |
| JP2006126782A (ja) | 光学物品の防汚層処理方法 | |
| CN100492056C (zh) | 光学物品及其制造方法 | |
| JP3760570B2 (ja) | 防汚性薄膜の形成方法 | |
| CN108349792A (zh) | 复合光学涂层及其制造方法（变型） | |
| JPH11320743A (ja) | 透明部材 | |
| JP2006175438A (ja) | 防汚層の形成方法 | |
| TW202208652A (zh) | 附防污層之光學膜 | |
| KR100693656B1 (ko) | 방오성 안경 렌즈 및 그 제조방법 | |
| JP2006039007A (ja) | 反射防止部材 | |
| JP2004037881A (ja) | 親水性を有する光学機器の光学窓及びその製造方法 | |
| US20250306247A1 (en) | Metal fluoride and plasma assisted atomic layer deposition coating | |
| JP3689923B2 (ja) | 反射防止膜を有するプラスチックフィルムの製造方法 | |
| JPH08304614A (ja) | 合成樹脂製反射鏡、その製造方法および製造装置 | |
| JP2025156392A (ja) | 反射防止フィルム | |
| JPH11264067A (ja) | 不活性化された酸化ケイ素系薄膜の製造方法 | |
| WO2024100886A1 (ja) | ケイ素と酸素を含有する薄膜 | |
| WO2006092927A1 (ja) | 防汚膜及び、防汚膜の製造装置 | |
| WO2024131325A1 (zh) | 制备涂层的方法、涂层、以及器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040318 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050812 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050817 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051005 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051129 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051220 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060102 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |