JPH11126366A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents
相変化型光記録媒体Info
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- JPH11126366A JPH11126366A JP9290999A JP29099997A JPH11126366A JP H11126366 A JPH11126366 A JP H11126366A JP 9290999 A JP9290999 A JP 9290999A JP 29099997 A JP29099997 A JP 29099997A JP H11126366 A JPH11126366 A JP H11126366A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】記録層に非晶質状態の記録マークを形成するこ
とにより記録を行う相変化型光記録媒体において、マー
クエッジ記録において再生信号のジッターを十分に小さ
くする。 【解決手段】記録層３は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル
（Ｔｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびインジウム
（Ｉｎ）を含み、下記の（１）式で示す組成を有するも
のとする。 （ＩｎＳｂ）a （Ｓｂ(100-x-y) Ｔｅx Ｇｅy ）
(100-a) ‥‥（１） （但し、４０＜ｘ＜６０、１０＜ｙ＜３０、２＜ａ＜３
０）
とにより記録を行う相変化型光記録媒体において、マー
クエッジ記録において再生信号のジッターを十分に小さ
くする。 【解決手段】記録層３は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル
（Ｔｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびインジウム
（Ｉｎ）を含み、下記の（１）式で示す組成を有するも
のとする。 （ＩｎＳｂ）a （Ｓｂ(100-x-y) Ｔｅx Ｇｅy ）
(100-a) ‥‥（１） （但し、４０＜ｘ＜６０、１０＜ｙ＜３０、２＜ａ＜３
０）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光照射により少な
くとも情報の記録および再生を行う相変化型光記録媒体
に関し、特に、記録密度の高いマークエッジ記録におい
て優れた特性を得るための技術に関するものである。
くとも情報の記録および再生を行う相変化型光記録媒体
に関し、特に、記録密度の高いマークエッジ記録におい
て優れた特性を得るための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光記録媒体は、高度情報化社会に
おける記録媒体の中心的役割を担うものとして注目さ
れ、積極的に研究が進められている。特に、円板状の基
板を用いる光ディスクは、今後のマルチメディアの普及
に伴い、最も有力な記録媒体として特に注目されてい
る。
おける記録媒体の中心的役割を担うものとして注目さ
れ、積極的に研究が進められている。特に、円板状の基
板を用いる光ディスクは、今後のマルチメディアの普及
に伴い、最も有力な記録媒体として特に注目されてい
る。
【０００３】このような光ディスクには、コンパクトデ
ィスクやレーザディスクに代表される再生専用型、ユー
ザーによる情報の書き込みが可能な追記型、情報の書き
換えが可能な書換可能型の三種類がある。このうち、追
記型および書換可能型の光ディスクとしては、光照射に
より結晶−非晶質間の相変化が生じる材料で記録層を形
成した相変化型光ディスクが現在特に注目されている。
ィスクやレーザディスクに代表される再生専用型、ユー
ザーによる情報の書き込みが可能な追記型、情報の書き
換えが可能な書換可能型の三種類がある。このうち、追
記型および書換可能型の光ディスクとしては、光照射に
より結晶−非晶質間の相変化が生じる材料で記録層を形
成した相変化型光ディスクが現在特に注目されている。
【０００４】相変化型光ディスクにおける記録は、結晶
状態の記録層上に強いレーザ光を照射して記録層を一旦
溶融してから急冷することにより非晶質状態の記録マー
クを形成するか、逆に、非晶質の記録層上に比較的弱い
レーザ光を照射して記録層を結晶化温度以上に昇温した
後に徐冷して結晶状態の記録マークを形成することによ
り行う。
状態の記録層上に強いレーザ光を照射して記録層を一旦
溶融してから急冷することにより非晶質状態の記録マー
クを形成するか、逆に、非晶質の記録層上に比較的弱い
レーザ光を照射して記録層を結晶化温度以上に昇温した
後に徐冷して結晶状態の記録マークを形成することによ
り行う。
【０００５】そして、記録層の光学特性が結晶状態と非
晶質状態とで異なることを利用して再生を行う。例え
ば、記録層が結晶化温度以上に昇温されない程度のかな
り弱いレーザ光を照射して、面内の反射率の変化を測定
すれば、記録マークが形成されている部分と形成されて
いない部分とで反射率が異なるため、再生信号を反射率
の変化として得ることができる。
晶質状態とで異なることを利用して再生を行う。例え
ば、記録層が結晶化温度以上に昇温されない程度のかな
り弱いレーザ光を照射して、面内の反射率の変化を測定
すれば、記録マークが形成されている部分と形成されて
いない部分とで反射率が異なるため、再生信号を反射率
の変化として得ることができる。
【０００６】相変化型光ディスクの記録層材料として
は、従来より、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金やＴｅＯｘなどが
用いられてきた。特に、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金は、Ｓ
ｂ，Ｔｅ，Ｇｅの組成比を適当に選ぶことにより、記録
特性や非晶質状態の安定性等の光ディスクの記録層とし
て求められる特性を満足できるため、これまでに広く用
いられてきた。
は、従来より、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金やＴｅＯｘなどが
用いられてきた。特に、Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金は、Ｓ
ｂ，Ｔｅ，Ｇｅの組成比を適当に選ぶことにより、記録
特性や非晶質状態の安定性等の光ディスクの記録層とし
て求められる特性を満足できるため、これまでに広く用
いられてきた。
【０００７】また、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金に種々の元素
を添加した材料で記録層を構成する提案も各種なされて
いる。例えば、特公平７−２５２００号公報には、
｛（Ｓｂx Ｔｅ(1-x) ）y Ｇｅ(1 -y) ｝(1-z) Ｍz （ｘ
は０．２〜０．７、ｙは０．４〜０．８、ｚは０．０１
〜０．５、Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉから選ばれる金
属）で表される材料を記録層材料として用いることが開
示されている。この記録層材料は、記録・再生特性や長
期保存安定性を高める目的で、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金に
特定元素Ｍが添加されたものである。
を添加した材料で記録層を構成する提案も各種なされて
いる。例えば、特公平７−２５２００号公報には、
｛（Ｓｂx Ｔｅ(1-x) ）y Ｇｅ(1 -y) ｝(1-z) Ｍz （ｘ
は０．２〜０．７、ｙは０．４〜０．８、ｚは０．０１
〜０．５、Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
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ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉから選ばれる金
属）で表される材料を記録層材料として用いることが開
示されている。この記録層材料は、記録・再生特性や長
期保存安定性を高める目的で、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金に
特定元素Ｍが添加されたものである。
【０００８】特開平７−３２３６６６号公報には、Ｓ
ｅ、またはＳｅとハロゲン元素およびアルカリ金属元素
から選ばれる少なくとも１元素とを、所定範囲内の比率
でＳｂ−Ｇｅ−Ｔｅ合金に含有させた材料を記録層材料
として用いることが開示されている。この記録層材料
は、記録・再生特性や長期保存安定性を高める目的で、
Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金に特定元素が添加されたものであ
る。
ｅ、またはＳｅとハロゲン元素およびアルカリ金属元素
から選ばれる少なくとも１元素とを、所定範囲内の比率
でＳｂ−Ｇｅ−Ｔｅ合金に含有させた材料を記録層材料
として用いることが開示されている。この記録層材料
は、記録・再生特性や長期保存安定性を高める目的で、
Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金に特定元素が添加されたものであ
る。
【０００９】特開平８−１２７１７６公報には、Ｃｒ、
Ａｇ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ａｕ、Ｃ
ｄ、Ｃｕ、Ｌｉ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｐ
ｂ、Ｎａ、Ｃｓ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｉｎ、およびランタノイド元素から選ばれる少なくとも
１つの元素を、所定範囲内の比率でＳｂ−Ｇｅ−Ｔｅ合
金に含有させた材料を記録層材料として用いることが開
示されている。この記録層材料は、記録・消去の繰り返
し特性を改善する目的で、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金に特定
元素が添加されたものである。
Ａｇ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ａｕ、Ｃ
ｄ、Ｃｕ、Ｌｉ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｐ
ｂ、Ｎａ、Ｃｓ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｉｎ、およびランタノイド元素から選ばれる少なくとも
１つの元素を、所定範囲内の比率でＳｂ−Ｇｅ−Ｔｅ合
金に含有させた材料を記録層材料として用いることが開
示されている。この記録層材料は、記録・消去の繰り返
し特性を改善する目的で、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金に特定
元素が添加されたものである。
【００１０】一方、近年では、光ディスクの大容量化に
伴い、記録方式として、従来のマークポジション記録に
代えてマークエッジ記録を採用することにより、高密度
記録を行うようになってきた。ここで、マークポジショ
ン記録では記録マークの中央に記録信号を対応させる
が、マークエッジ記録では記録マークの両端に記録信号
を対応させる。そのため、マークエッジ記録では、記録
マークの両端位置を厳密に制御する必要があり、その位
置ズレが大きいと再生信号のジッターが大きくなる。
伴い、記録方式として、従来のマークポジション記録に
代えてマークエッジ記録を採用することにより、高密度
記録を行うようになってきた。ここで、マークポジショ
ン記録では記録マークの中央に記録信号を対応させる
が、マークエッジ記録では記録マークの両端に記録信号
を対応させる。そのため、マークエッジ記録では、記録
マークの両端位置を厳密に制御する必要があり、その位
置ズレが大きいと再生信号のジッターが大きくなる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
各提案に開示された記録層材料は、記録・再生特性や長
期保存安定性を高める、または記録・消去の繰り返し特
性を改善するという点では優れているが、マークエッジ
記録を意識して開発されたものではなく、マークエッジ
記録において再生信号のジッターを十分に小さくするこ
とはできないという問題点があった。
各提案に開示された記録層材料は、記録・再生特性や長
期保存安定性を高める、または記録・消去の繰り返し特
性を改善するという点では優れているが、マークエッジ
記録を意識して開発されたものではなく、マークエッジ
記録において再生信号のジッターを十分に小さくするこ
とはできないという問題点があった。
【００１２】本発明は、このような従来技術の未解決の
問題点に着目してなされたものであり、マークエッジ記
録において再生信号のジッターを十分に小さくすること
のできる相変化型光記録媒体を提供することを課題とす
る。
問題点に着目してなされたものであり、マークエッジ記
録において再生信号のジッターを十分に小さくすること
のできる相変化型光記録媒体を提供することを課題とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、透明な基板の一方の面側に、光照射によ
り結晶−非晶質間の相変化が生じる記録層を含む一層以
上の薄膜層が積層され、記録層に非晶質状態の記録マー
クを形成することにより記録を行う相変化型光記録媒体
において、記録層は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔ
ｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびインジウム（Ｉ
ｎ）を含み、下記の（１）式で示す組成を有することを
特徴とする相変化型光記録媒体を提供する。 （ＩｎＳｂ）a （Ｓｂ(100-x-y) Ｔｅx Ｇｅy ）(100-a) ‥‥（１） （但し、４０＜ｘ＜６０、１０＜ｙ＜３０、２＜ａ＜３
０） Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金のみで構成されている記録層に対
して、記録マークの形成を記録層の非晶質化により行う
と、記録マーク（非晶質部分）の周囲に、未記録部（結
晶部分）の結晶より粒径の大きな結晶（粗大結晶粒）が
リング状に形成される。このことは、本発明者等が透過
型電子顕微鏡を用いて観察した結果、分かったことであ
る。
に、本発明は、透明な基板の一方の面側に、光照射によ
り結晶−非晶質間の相変化が生じる記録層を含む一層以
上の薄膜層が積層され、記録層に非晶質状態の記録マー
クを形成することにより記録を行う相変化型光記録媒体
において、記録層は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔ
ｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、およびインジウム（Ｉ
ｎ）を含み、下記の（１）式で示す組成を有することを
特徴とする相変化型光記録媒体を提供する。 （ＩｎＳｂ）a （Ｓｂ(100-x-y) Ｔｅx Ｇｅy ）(100-a) ‥‥（１） （但し、４０＜ｘ＜６０、１０＜ｙ＜３０、２＜ａ＜３
０） Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金のみで構成されている記録層に対
して、記録マークの形成を記録層の非晶質化により行う
と、記録マーク（非晶質部分）の周囲に、未記録部（結
晶部分）の結晶より粒径の大きな結晶（粗大結晶粒）が
リング状に形成される。このことは、本発明者等が透過
型電子顕微鏡を用いて観察した結果、分かったことであ
る。
【００１４】ここで、非晶質化による記録マークの形成
は、記録層の記録マーク形成部分を溶融した後に急冷し
て非晶質化することにより行われるが、冷却の際に、溶
融部分の縁部（非溶融部分との境界部）は非晶質化に必
要な冷却速度が得られずに再結晶化されるため、前述の
ようなリング状の粗大結晶粒が記録マークの周囲に形成
されると考えられる。
は、記録層の記録マーク形成部分を溶融した後に急冷し
て非晶質化することにより行われるが、冷却の際に、溶
融部分の縁部（非溶融部分との境界部）は非晶質化に必
要な冷却速度が得られずに再結晶化されるため、前述の
ようなリング状の粗大結晶粒が記録マークの周囲に形成
されると考えられる。
【００１５】そして、この粗大結晶粒は、記録マークの
端部の形状を凸凹にするとともに、記録マーク毎に異な
った形状で発生するため、記録マークの前端および後端
の位置ズレが大きくなる。その結果、再生信号のジッタ
ーが大きくなる。
端部の形状を凸凹にするとともに、記録マーク毎に異な
った形状で発生するため、記録マークの前端および後端
の位置ズレが大きくなる。その結果、再生信号のジッタ
ーが大きくなる。
【００１６】これに対して、本発明の相変化型光記録媒
体では、記録層をＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金とＩｎＳｂとの
混合組成とすることにより、記録マークの形成を記録層
の非晶質化により行った場合に、前述のような溶融部分
の縁部の再結晶化が生じない。そのため、記録マーク
（非晶質部分）の周囲にリング状の粗大結晶粒が形成さ
れない。その結果、前述のようなリング状の粗大結晶粒
の存在に起因する、記録マークの前端および後端の位置
ズレが生じないため、再生信号のジッターが小さくな
る。
体では、記録層をＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金とＩｎＳｂとの
混合組成とすることにより、記録マークの形成を記録層
の非晶質化により行った場合に、前述のような溶融部分
の縁部の再結晶化が生じない。そのため、記録マーク
（非晶質部分）の周囲にリング状の粗大結晶粒が形成さ
れない。その結果、前述のようなリング状の粗大結晶粒
の存在に起因する、記録マークの前端および後端の位置
ズレが生じないため、再生信号のジッターが小さくな
る。
【００１７】本発明の相変化型光記録媒体において、Ｓ
ｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金とＩｎＳｂとで構成される記録層の
組成は、下記の（１）式で示すものに限定される。 （ＩｎＳｂ）a （Ｓｂ(100-x-y) Ｔｅx Ｇｅy ）(100-a) ‥‥（１） （但し、４０＜ｘ＜６０、１０＜ｙ＜３０、２＜ａ＜３
０） ａが２以下であると、ＩｎＳｂ添加による前述の作用
（リング状の粗大結晶粒を形成させない作用）が実質的
に得られないため、ジッターが低減されない。ａが３０
以上であると、ＩｎＳｂの添加量が多すぎて、記録前に
記録層全面を結晶化することが著しく困難となるため、
非晶質の記録マークが形成できなくなる。
ｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金とＩｎＳｂとで構成される記録層の
組成は、下記の（１）式で示すものに限定される。 （ＩｎＳｂ）a （Ｓｂ(100-x-y) Ｔｅx Ｇｅy ）(100-a) ‥‥（１） （但し、４０＜ｘ＜６０、１０＜ｙ＜３０、２＜ａ＜３
０） ａが２以下であると、ＩｎＳｂ添加による前述の作用
（リング状の粗大結晶粒を形成させない作用）が実質的
に得られないため、ジッターが低減されない。ａが３０
以上であると、ＩｎＳｂの添加量が多すぎて、記録前に
記録層全面を結晶化することが著しく困難となるため、
非晶質の記録マークが形成できなくなる。
【００１８】また、ｘが４０以下である場合およびｘが
６０以上である場合は、加熱による吸収係数の変化が小
さく、結晶状態と非晶質状態とで十分なコントラストが
得られないため、信号品質が低下する。ｙが１０以下と
なると、結晶化温度が著しく低くなるため、非晶質部分
の安定性に問題を生じる。ｙが３０以上となると、記録
に必要なレーザパワーが急激に増加する。
６０以上である場合は、加熱による吸収係数の変化が小
さく、結晶状態と非晶質状態とで十分なコントラストが
得られないため、信号品質が低下する。ｙが１０以下と
なると、結晶化温度が著しく低くなるため、非晶質部分
の安定性に問題を生じる。ｙが３０以上となると、記録
に必要なレーザパワーが急激に増加する。
【００１９】本発明の相変化型光記録媒体は、記録層に
非晶質状態の記録マークを形成することにより記録を行
う相変化型光記録媒体であって、１回のみ記録可能な追
記型、および２回以上の記録や消去も可能な書換可能型
のいずれもが含まれる。
非晶質状態の記録マークを形成することにより記録を行
う相変化型光記録媒体であって、１回のみ記録可能な追
記型、および２回以上の記録や消去も可能な書換可能型
のいずれもが含まれる。
【００２０】本発明の相変化型光記録媒体において、記
録層の成膜方法は特に限定されないが、例えばＳｂ
(100-x-y) Ｔｅx Ｇｅy 合金からなるターゲットとＩｎ
Ｓｂからなるターゲットとを用い、共スパッタ法により
成膜できる。また、Ｓｂ(100-x-y ) Ｔｅx Ｇｅy 合金と
ＩｎＳｂとがａ：（１００−ａ）の比率で混合された混
合物からなるターゲットを使用したスパッタリング法に
よっても成膜できる。
録層の成膜方法は特に限定されないが、例えばＳｂ
(100-x-y) Ｔｅx Ｇｅy 合金からなるターゲットとＩｎ
Ｓｂからなるターゲットとを用い、共スパッタ法により
成膜できる。また、Ｓｂ(100-x-y ) Ｔｅx Ｇｅy 合金と
ＩｎＳｂとがａ：（１００−ａ）の比率で混合された混
合物からなるターゲットを使用したスパッタリング法に
よっても成膜できる。
【００２１】本発明の相変化型光記録媒体の記録層の膜
厚としては、５０Å以上４００Å以下が望ましい。記録
層膜厚が５０Åより薄い場合には、結晶状態と非晶質状
態との反射率差が小さくなり信号品質が低下する。記録
層膜厚が４００Åより厚い場合には、記録層を溶融する
のに要するレーザパワーが大きくなり、記録感度が低下
する。
厚としては、５０Å以上４００Å以下が望ましい。記録
層膜厚が５０Åより薄い場合には、結晶状態と非晶質状
態との反射率差が小さくなり信号品質が低下する。記録
層膜厚が４００Åより厚い場合には、記録層を溶融する
のに要するレーザパワーが大きくなり、記録感度が低下
する。
【００２２】本発明の相変化型光記録媒体に用いられる
基板材料としては、ガラス、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、塩化
ビニル樹脂エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂等の透明
材料が挙げられる。これらの中でポリカーボネート樹脂
およびアクリル樹脂が光学的特性面で好適である。
基板材料としては、ガラス、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、塩化
ビニル樹脂エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂等の透明
材料が挙げられる。これらの中でポリカーボネート樹脂
およびアクリル樹脂が光学的特性面で好適である。
【００２３】本発明の相変化型光記録媒体の薄膜層構成
としては、例えば図１に示すように、記録層３の基板１
とは反対側の面に反射層５を有し、記録層３と基板１と
の間に第１の誘電体層２、記録層３と反射層５との間に
第２の誘電体層４を有する構成（４層構造）が挙げられ
る。さらには、第１の誘電体層２と基板１との間に金属
干渉層を有する５層構造等が挙げられる。
としては、例えば図１に示すように、記録層３の基板１
とは反対側の面に反射層５を有し、記録層３と基板１と
の間に第１の誘電体層２、記録層３と反射層５との間に
第２の誘電体層４を有する構成（４層構造）が挙げられ
る。さらには、第１の誘電体層２と基板１との間に金属
干渉層を有する５層構造等が挙げられる。
【００２４】誘電体層の材料としては、公知の誘電体材
料が使用可能であり、ＺｎＳ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ，Ａｌ
Ｎ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 等の金属硫化物、金属酸化
物、金属窒化物、金属炭化物、金属セレン化物、または
これらの混合物などが挙げられる。
料が使用可能であり、ＺｎＳ，ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ，Ａｌ
Ｎ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 等の金属硫化物、金属酸化
物、金属窒化物、金属炭化物、金属セレン化物、または
これらの混合物などが挙げられる。
【００２５】反射層の材料としては、公知の材料が使用
でき、Ａｌ，Ａｕ，Ｎｉ、Ｃｒ等やこれらの合金、また
はこれらの金属や合金に少量の元素を添加したものなど
が挙げられる。
でき、Ａｌ，Ａｕ，Ｎｉ、Ｃｒ等やこれらの合金、また
はこれらの金属や合金に少量の元素を添加したものなど
が挙げられる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を、具体
的な実施例により詳細に説明する。 ［実施例１］案内溝を設けた清浄なポリカーボネート製
の基板（厚さ０．６ｍｍ、溝幅０．７５μｍ、溝深さ７
００Å）１上に、膜厚２００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ
2 （ＳｉＯ2 含有率２０ｍｏｌ％）からなる第１の誘電
体層２、膜厚２５ｎｍの（ＩｎＳｂ）8.7 （Ｓｂ25.3Ｔ
ｅ56.6Ｇｅ18.1）91.3からなる記録層３、膜厚１２ｎｍ
のＺｎＳ−ＳｉＯ2 （ＳｉＯ2 含有率２０ｍｏｌ％）か
らなる第２の誘電体層４、膜厚１００ｎｍのＡｌＴｉ合
金からなる反射層５を、スパッタリング法により順次積
層することにより、図１に示す層構造の相変化型光ディ
スクを作製した。次いで、この相変化型光ディスクの反
射層５の上面を、紫外線硬化樹脂で被覆し、紫外線を照
射することにより樹脂層を形成した。
的な実施例により詳細に説明する。 ［実施例１］案内溝を設けた清浄なポリカーボネート製
の基板（厚さ０．６ｍｍ、溝幅０．７５μｍ、溝深さ７
００Å）１上に、膜厚２００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ
2 （ＳｉＯ2 含有率２０ｍｏｌ％）からなる第１の誘電
体層２、膜厚２５ｎｍの（ＩｎＳｂ）8.7 （Ｓｂ25.3Ｔ
ｅ56.6Ｇｅ18.1）91.3からなる記録層３、膜厚１２ｎｍ
のＺｎＳ−ＳｉＯ2 （ＳｉＯ2 含有率２０ｍｏｌ％）か
らなる第２の誘電体層４、膜厚１００ｎｍのＡｌＴｉ合
金からなる反射層５を、スパッタリング法により順次積
層することにより、図１に示す層構造の相変化型光ディ
スクを作製した。次いで、この相変化型光ディスクの反
射層５の上面を、紫外線硬化樹脂で被覆し、紫外線を照
射することにより樹脂層を形成した。
【００２７】なお、記録層３の成膜は、所定組成のＳｂ
ＴｅＧｅ合金ターゲットとＩｎＳｂターゲットとを用
い、共スパッタ法により行った。先ず、この相変化型光
ディスクの全面に、波長８５０ｎｍの半導体レーザを照
射することにより記録層の全面を結晶化させた。
ＴｅＧｅ合金ターゲットとＩｎＳｂターゲットとを用
い、共スパッタ法により行った。先ず、この相変化型光
ディスクの全面に、波長８５０ｎｍの半導体レーザを照
射することにより記録層の全面を結晶化させた。
【００２８】次に、このディスクを駆動装置にかけて線
速度６ｍ／ｓで回転させながら、８−１６変調方式によ
り符号化されたランダムパターン（３Ｔ信号〜１４Ｔ信
号を含む、最短マーク長０．６１５μｍ）をマークエッ
ジ方式で記録した。使用したレーザ光の波長は６８０ｎ
ｍ、対物レンズのＮＡは０．６であり、レーザ光の強度
を、ピークパワー１０．０ｍＷとバイアスパワー１ｍＷ
との間で、図２に示すように変調させたマルチパルスを
照射した。図２に示すように、各信号毎のマルチパルス
は、パルス幅およびパルス間隔が０．５Ｔｗ（Ｔｗ：ウ
ィンドウ幅）であり、パルス発光開始の遅延が０．５Ｔ
ｗであり、発光終了が信号後端から１Ｔｗ手前である。
このように各信号毎にマルチパルスを照射することによ
り、記録マークの長さ方向における温度分布が均一にな
る。
速度６ｍ／ｓで回転させながら、８−１６変調方式によ
り符号化されたランダムパターン（３Ｔ信号〜１４Ｔ信
号を含む、最短マーク長０．６１５μｍ）をマークエッ
ジ方式で記録した。使用したレーザ光の波長は６８０ｎ
ｍ、対物レンズのＮＡは０．６であり、レーザ光の強度
を、ピークパワー１０．０ｍＷとバイアスパワー１ｍＷ
との間で、図２に示すように変調させたマルチパルスを
照射した。図２に示すように、各信号毎のマルチパルス
は、パルス幅およびパルス間隔が０．５Ｔｗ（Ｔｗ：ウ
ィンドウ幅）であり、パルス発光開始の遅延が０．５Ｔ
ｗであり、発光終了が信号後端から１Ｔｗ手前である。
このように各信号毎にマルチパルスを照射することによ
り、記録マークの長さ方向における温度分布が均一にな
る。
【００２９】次に、この記録信号をリードパワー１ｍＷ
で再生して、再生信号から両エッジのジッターを測定
し、ウィンドウ幅に対するジッターの割合を計算したと
ころ、４．０％であった。 ［実施例２］記録層３の組成を（ＩｎＳｂ）12（Ｓｂ
25.3Ｔｅ56.6Ｇｅ18.1）88としたこと以外は前記実施例
１と同じ相変化型光ディスクを、前記と同様の手順で作
製した。得られた相変化型光ディスクに対して、前記と
同様にして記録層全面の結晶化を行った後、前記と同様
にして同じランダムパターンの記録を行った。
で再生して、再生信号から両エッジのジッターを測定
し、ウィンドウ幅に対するジッターの割合を計算したと
ころ、４．０％であった。 ［実施例２］記録層３の組成を（ＩｎＳｂ）12（Ｓｂ
25.3Ｔｅ56.6Ｇｅ18.1）88としたこと以外は前記実施例
１と同じ相変化型光ディスクを、前記と同様の手順で作
製した。得られた相変化型光ディスクに対して、前記と
同様にして記録層全面の結晶化を行った後、前記と同様
にして同じランダムパターンの記録を行った。
【００３０】この記録信号をリードパワー１ｍＷで再生
して、再生信号から両エッジのジッターを測定し、ウィ
ンドウ幅に対するジッターの割合を計算したところ、
３．７％であった。 ［実施例３］記録層３の組成を（ＩｎＳｂ）6.5 （Ｓｂ
25.3Ｔｅ56.6Ｇｅ18.1）93.5としたこと以外は前記実施
例１と同じ相変化型光ディスクを、前記と同様の手順で
作製した。得られた相変化型光ディスクに対して、前記
と同様にして記録層全面の結晶化を行った後、前記と同
様にして同じランダムパターンの記録を行った。
して、再生信号から両エッジのジッターを測定し、ウィ
ンドウ幅に対するジッターの割合を計算したところ、
３．７％であった。 ［実施例３］記録層３の組成を（ＩｎＳｂ）6.5 （Ｓｂ
25.3Ｔｅ56.6Ｇｅ18.1）93.5としたこと以外は前記実施
例１と同じ相変化型光ディスクを、前記と同様の手順で
作製した。得られた相変化型光ディスクに対して、前記
と同様にして記録層全面の結晶化を行った後、前記と同
様にして同じランダムパターンの記録を行った。
【００３１】この記録信号をリードパワー１ｍＷで再生
して、再生信号から両エッジのジッターを測定し、ウィ
ンドウ幅に対するジッターの割合を計算したところ、
４．３％であった。 ［比較例１］記録層３の組成をＳｂ25.3Ｔｅ56.6Ｇｅ
18.1としたこと以外は前記実施例１と同じ相変化型光デ
ィスクを、前記と同様の手順で作製した。得られた相変
化型光ディスクに対して、前記と同様にして記録層全面
の結晶化を行った後、前記と同様にして同じランダムパ
ターンの記録を行った。
して、再生信号から両エッジのジッターを測定し、ウィ
ンドウ幅に対するジッターの割合を計算したところ、
４．３％であった。 ［比較例１］記録層３の組成をＳｂ25.3Ｔｅ56.6Ｇｅ
18.1としたこと以外は前記実施例１と同じ相変化型光デ
ィスクを、前記と同様の手順で作製した。得られた相変
化型光ディスクに対して、前記と同様にして記録層全面
の結晶化を行った後、前記と同様にして同じランダムパ
ターンの記録を行った。
【００３２】この記録信号をリードパワー１ｍＷで再生
して、再生信号から両エッジのジッターを測定し、ウィ
ンドウ幅に対するジッターの割合を計算したところ、
５．７％であった。 ［比較例２］記録層３の組成を（ＩｎＳｂ）50（Ｓｂ
25.3Ｔｅ56.6Ｇｅ18.1）50としたこと以外は前記実施例
１と同じ相変化型光ディスクを、前記と同様の手順で作
製した。得られた相変化型光ディスクの前面に波長８５
０ｎｍの半導体レーザを照射することにより、記録層の
全面を結晶化させようとしたが、半導体レーザのパワー
やディスク回転数等を調整しても、記録層の全面を均一
に結晶化させることはできなかった。
して、再生信号から両エッジのジッターを測定し、ウィ
ンドウ幅に対するジッターの割合を計算したところ、
５．７％であった。 ［比較例２］記録層３の組成を（ＩｎＳｂ）50（Ｓｂ
25.3Ｔｅ56.6Ｇｅ18.1）50としたこと以外は前記実施例
１と同じ相変化型光ディスクを、前記と同様の手順で作
製した。得られた相変化型光ディスクの前面に波長８５
０ｎｍの半導体レーザを照射することにより、記録層の
全面を結晶化させようとしたが、半導体レーザのパワー
やディスク回転数等を調整しても、記録層の全面を均一
に結晶化させることはできなかった。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の相変化型
光記録媒体によれば、記録層をＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金と
ＩｎＳｂとの所定比率での混合組成とすることにより、
記録密度の高いマークエッジ記録において、再生信号の
ジッターを十分に小さくすることができる。
光記録媒体によれば、記録層をＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金と
ＩｎＳｂとの所定比率での混合組成とすることにより、
記録密度の高いマークエッジ記録において、再生信号の
ジッターを十分に小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に相当する相変化型光記録
媒体の層構造を示す断面図である。
媒体の層構造を示す断面図である。
【図２】実施形態において記録した信号の波形と、記録
に使用したレーザ光の変調波形（マルチパルス）を示す
波形図である。
に使用したレーザ光の変調波形（マルチパルス）を示す
波形図である。
【符号の説明】 １ 基板 ２ 第１の誘電体層（薄膜層） ３ 記録層 ４ 第２の誘電体層（薄膜層） ５ 反射層（薄膜層）
Claims (1)
- 【請求項１】 透明な基板の一方の面側に、光照射によ
り結晶−非晶質間の相変化が生じる記録層を含む一層以
上の薄膜層が積層され、記録層に非晶質状態の記録マー
クを形成することにより記録を行う相変化型光記録媒体
において、 記録層は、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ）、およびインジウム（Ｉｎ）を含み、
下記の（１）式で示す組成を有することを特徴とする相
変化型光記録媒体。 （ＩｎＳｂ）a （Ｓｂ(100-x-y) Ｔｅx Ｇｅy ）(100-a) ‥‥（１） （但し、４０＜ｘ＜６０、１０＜ｙ＜３０、２＜ａ＜３
０）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9290999A JPH11126366A (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | 相変化型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9290999A JPH11126366A (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | 相変化型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11126366A true JPH11126366A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17763155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9290999A Withdrawn JPH11126366A (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | 相変化型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11126366A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2818422A1 (fr) * | 2000-12-19 | 2002-06-21 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement optique a plusieurs niveaux de lecture/ecriture par faisceau laser |
| JPWO2007058175A1 (ja) * | 2005-11-21 | 2009-04-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
| US7566523B2 (en) | 2003-02-21 | 2009-07-28 | Nec Corporation | Optical information-recording media and optical information-recording/reproduction apparatus |
-
1997
- 1997-10-23 JP JP9290999A patent/JPH11126366A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2818422A1 (fr) * | 2000-12-19 | 2002-06-21 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement optique a plusieurs niveaux de lecture/ecriture par faisceau laser |
| EP1217620A1 (fr) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | Commissariat A L'energie Atomique | Support d'enregistrement optique à plusieurs niveaux de lecture/écriture par faisceau laser |
| US7566523B2 (en) | 2003-02-21 | 2009-07-28 | Nec Corporation | Optical information-recording media and optical information-recording/reproduction apparatus |
| JPWO2007058175A1 (ja) * | 2005-11-21 | 2009-04-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
| US8513640B2 (en) | 2005-11-21 | 2013-08-20 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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