JPH11126762A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH11126762A JPH11126762A JP29271697A JP29271697A JPH11126762A JP H11126762 A JPH11126762 A JP H11126762A JP 29271697 A JP29271697 A JP 29271697A JP 29271697 A JP29271697 A JP 29271697A JP H11126762 A JPH11126762 A JP H11126762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- backing sheet
- die
- dies
- kerf
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置を製造する際に複数のダイを支持
体に容易に載置する。 【解決手段】 半導体ウエハ１の裏面に裏当てシート２
を貼着し、裏当てシート２を切断せずに半導体ウエハ１
に互いに交差する複数本の切溝５、７、９を半導体ウエ
ハ１の厚さ方向に形成して、互いに分離された複数個の
多角形のダイ１０を半導体ウエハ１から切り出し、次に
酸系エッチング液を使用して裏当てシート２に貼着され
たダイ１０の側面にエッチングを行った後、裏当てシー
ト２から除去したダイ１０をヘッダ１７ｂに固着する。
裏当てシート２に貼着した状態で複数のダイ１０を迅速
且つ容易に取り扱うことができる。
体に容易に載置する。 【解決手段】 半導体ウエハ１の裏面に裏当てシート２
を貼着し、裏当てシート２を切断せずに半導体ウエハ１
に互いに交差する複数本の切溝５、７、９を半導体ウエ
ハ１の厚さ方向に形成して、互いに分離された複数個の
多角形のダイ１０を半導体ウエハ１から切り出し、次に
酸系エッチング液を使用して裏当てシート２に貼着され
たダイ１０の側面にエッチングを行った後、裏当てシー
ト２から除去したダイ１０をヘッダ１７ｂに固着する。
裏当てシート２に貼着した状態で複数のダイ１０を迅速
且つ容易に取り扱うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハをブ
レードによって切断分離するダイシング方法を使用する
半導体装置の製造方法に関する。
レードによって切断分離するダイシング方法を使用する
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一対の棒状リード部材の径大部（ヘッ
ダ）間に半導体素子（チップ）をろう付し、一対の棒状
リードの先端側を除いて樹脂モールド体で封止したダイ
オード装置は公知である。この種のダイオード装置で
は、電界集中を良好に緩和できる等の理由から円形の平
面形状に半導体チップを形成するのが一般的である。円
形の平面形状の半導体チップを製造する際に、周知のケ
ミカルエッチング方法によって半導体ウエハを切断す
る。即ち、円盤形状の半導体ウエハの裏面に樹脂製の裏
当てシートを貼着し、半導体ウエハの他方の主面には形
成すべき半導体チップの平面形状に対応した平面円形状
のフォトレジスト膜を島状に多数形成する。次に、裏当
てシートとフォトレジストとを貼着した半導体ウエハを
エッチング液中に浸漬して、フォトレジスト膜で被覆さ
れていない半導体ウエハの部分を選択的にエッチングす
る。このため、半導体ウエハは、裏当てシートに貼着さ
れた状態で円形の島状に分離された複数のダイに分割さ
れる。その後、ダイに分割された半導体ウエハを別のエ
ッチング液に浸漬して、エッチング液中で裏当てシート
からダイを剥離し、個別化した多数の半導体チップを得
る。
ダ）間に半導体素子（チップ）をろう付し、一対の棒状
リードの先端側を除いて樹脂モールド体で封止したダイ
オード装置は公知である。この種のダイオード装置で
は、電界集中を良好に緩和できる等の理由から円形の平
面形状に半導体チップを形成するのが一般的である。円
形の平面形状の半導体チップを製造する際に、周知のケ
ミカルエッチング方法によって半導体ウエハを切断す
る。即ち、円盤形状の半導体ウエハの裏面に樹脂製の裏
当てシートを貼着し、半導体ウエハの他方の主面には形
成すべき半導体チップの平面形状に対応した平面円形状
のフォトレジスト膜を島状に多数形成する。次に、裏当
てシートとフォトレジストとを貼着した半導体ウエハを
エッチング液中に浸漬して、フォトレジスト膜で被覆さ
れていない半導体ウエハの部分を選択的にエッチングす
る。このため、半導体ウエハは、裏当てシートに貼着さ
れた状態で円形の島状に分離された複数のダイに分割さ
れる。その後、ダイに分割された半導体ウエハを別のエ
ッチング液に浸漬して、エッチング液中で裏当てシート
からダイを剥離し、個別化した多数の半導体チップを得
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記のように、エッチ
ング液中で裏当てシートからダイを剥離すると、多数の
極小のダイがエッチング液中に散乱して、半導体チップ
を棒状リードに接着するために、エッチング液中で散乱
したダイを個別に収集することが困難となる。
ング液中で裏当てシートからダイを剥離すると、多数の
極小のダイがエッチング液中に散乱して、半導体チップ
を棒状リードに接着するために、エッチング液中で散乱
したダイを個別に収集することが困難となる。
【０００４】本発明は、複数のダイを支持体に容易に載
置できる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
置できる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を達成するための手段】本発明による半導体装置
の製造方法は、半導体ウエハの裏面に裏当てシートを貼
着する工程と、裏当てシートを切断せずに半導体ウエハ
に互いに交差する複数本の切溝を半導体ウエハの厚さ方
向に形成して、互いに分離された複数個の多角形のダイ
を半導体ウエハから切り出す工程と、酸系エッチング液
を使用して裏当てシートに貼着されたダイの側面にエッ
チングを行う工程と、裏当てシートから除去したダイを
支持体に固着する工程とを含む。半導体ウエハを裏当て
シートに貼着した状態でダイシングを行うと共に、分割
された複数のダイを裏当てシートに貼着した状態でエッ
チングを行った後、裏当てシートから各ダイを個別に分
離して支持体に移動するので、複数のダイを迅速且つ容
易に取り扱うことができる。また、支持体に移動する直
前でダイを裏当てシートから分離するので、支持体に接
着すべきダイの裏面への異物の付着を防止できる。
の製造方法は、半導体ウエハの裏面に裏当てシートを貼
着する工程と、裏当てシートを切断せずに半導体ウエハ
に互いに交差する複数本の切溝を半導体ウエハの厚さ方
向に形成して、互いに分離された複数個の多角形のダイ
を半導体ウエハから切り出す工程と、酸系エッチング液
を使用して裏当てシートに貼着されたダイの側面にエッ
チングを行う工程と、裏当てシートから除去したダイを
支持体に固着する工程とを含む。半導体ウエハを裏当て
シートに貼着した状態でダイシングを行うと共に、分割
された複数のダイを裏当てシートに貼着した状態でエッ
チングを行った後、裏当てシートから各ダイを個別に分
離して支持体に移動するので、複数のダイを迅速且つ容
易に取り扱うことができる。また、支持体に移動する直
前でダイを裏当てシートから分離するので、支持体に接
着すべきダイの裏面への異物の付着を防止できる。
【０００６】本発明の実施の形態では、裏当てシートは
可撓性を有する樹脂により形成される。多角形形状は、
例えば平面正六角形又は正八角形である。支持体はヘッ
ダ、支持板又は回路基板である。弾性を有する裏当てシ
ートを平面方向に引き延ばして、ダイを互いに離間させ
て間隙を形成した後、ダイの表面を吸着治具により吸着
して前記ダイを選択的にピックアップする。
可撓性を有する樹脂により形成される。多角形形状は、
例えば平面正六角形又は正八角形である。支持体はヘッ
ダ、支持板又は回路基板である。弾性を有する裏当てシ
ートを平面方向に引き延ばして、ダイを互いに離間させ
て間隙を形成した後、ダイの表面を吸着治具により吸着
して前記ダイを選択的にピックアップする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、ダイオード装置の製造に適
用した本発明による半導体装置の製造方法の実施の形態
を図１〜図９について説明する。
用した本発明による半導体装置の製造方法の実施の形態
を図１〜図９について説明する。
【０００８】ダイオード装置を製造する本実施の形態で
は、まず図１に示すように、一方の主面側にＮ形半導体
領域（１ａ）を有し、他方の主面側にＰ形半導体領域
（１ｂ）を有する円盤状の半導体ウエハ（１）を用意す
る。Ｎ形半導体領域（１ａ）とＰ形半導体領域（１ｂ）
との界面には、半導体ウエハ（１）の一方の主面及び他
方の主面に平行する平面となるＰＮ接合（１Ｃ）が形成
されている。また、図示を省略するがＮ形半導体領域
（１ａ）の外面とＰ形半導体領域（１ｂ）の外面には、
カソード電極とアノード電極が形成されている。
は、まず図１に示すように、一方の主面側にＮ形半導体
領域（１ａ）を有し、他方の主面側にＰ形半導体領域
（１ｂ）を有する円盤状の半導体ウエハ（１）を用意す
る。Ｎ形半導体領域（１ａ）とＰ形半導体領域（１ｂ）
との界面には、半導体ウエハ（１）の一方の主面及び他
方の主面に平行する平面となるＰＮ接合（１Ｃ）が形成
されている。また、図示を省略するがＮ形半導体領域
（１ａ）の外面とＰ形半導体領域（１ｂ）の外面には、
カソード電極とアノード電極が形成されている。
【０００９】次に、図２に示すように、半導体ウエハ
（１）のＮ形半導体領域（１ａ）の外面である裏面に可
撓性を有する円形の樹脂製の裏当てシート（２）を接着
剤（３）を介して貼着する。半導体ウエハ（１）よりも
大きな平面形状を有する裏当てシート（２）の中心側に
半導体ウエハ（１）を貼着するため、半導体ウエハ
（１）の外縁から外側に裏当てシート（２）が環状に延
伸する。
（１）のＮ形半導体領域（１ａ）の外面である裏面に可
撓性を有する円形の樹脂製の裏当てシート（２）を接着
剤（３）を介して貼着する。半導体ウエハ（１）よりも
大きな平面形状を有する裏当てシート（２）の中心側に
半導体ウエハ（１）を貼着するため、半導体ウエハ
（１）の外縁から外側に裏当てシート（２）が環状に延
伸する。
【００１０】次に、図３に示すように、裏当てシート
（２）を貼着した半導体ウエハ（１）をダイシング装置
の支持台（３０）上に配置した後、半導体ウエハ（１）
の一方の主面にダイシング装置の高速で回転するブレー
ド（４）を当接させ、半導体ウエハ（１）を帯状に切断
する第１のダイシング工程を行う。第１のダイシング工
程では、半導体ウエハ（１）の一方の主面にブレード
（４）を繰り返して第１の方向に操作し、図４に示すよ
うに、互いに平行な直線状の複数の切溝（５）を形成し
て、細長く区画された帯状領域（６）に半導体ウエハ
（１）を分離する。隣り合う切溝（５）の間隔は均等で
帯状領域（６）は長さ方向の全長にわたって均一な幅を
有する。半導体ウエハ（１）の全厚さにわたって切溝
（５）を形成するので、帯状領域（６）は均等な幅で分
割されるが、帯状領域（６）は切断されない裏当てシー
ト（２）によって互いに連結されている。
（２）を貼着した半導体ウエハ（１）をダイシング装置
の支持台（３０）上に配置した後、半導体ウエハ（１）
の一方の主面にダイシング装置の高速で回転するブレー
ド（４）を当接させ、半導体ウエハ（１）を帯状に切断
する第１のダイシング工程を行う。第１のダイシング工
程では、半導体ウエハ（１）の一方の主面にブレード
（４）を繰り返して第１の方向に操作し、図４に示すよ
うに、互いに平行な直線状の複数の切溝（５）を形成し
て、細長く区画された帯状領域（６）に半導体ウエハ
（１）を分離する。隣り合う切溝（５）の間隔は均等で
帯状領域（６）は長さ方向の全長にわたって均一な幅を
有する。半導体ウエハ（１）の全厚さにわたって切溝
（５）を形成するので、帯状領域（６）は均等な幅で分
割されるが、帯状領域（６）は切断されない裏当てシー
ト（２）によって互いに連結されている。
【００１１】次に、半導体ウエハ（１）をその中心を軸
として時計方向に６０°の角度で回転させた後、再び半
導体ウエハ（１）の一方の主面に高速で回転するブレー
ド（４）を当接させ、半導体ウエハ（１）を采の目状に
切断する第２のダイシング工程を行う。第２のダイシン
グ工程では、半導体ウエハ（１）の一方の主面にブレー
ド（４）を繰り返して前記第１の方向に対して６０°の
角度をもって交差する第２の方向に操作し、第２の方向
に延伸する複数の第２の切溝（７）を形成すると、図５
に示すように、半導体ウエハ（１）は第１の切溝（５）
と第２の切溝（７）とによって区画された複数の島状領
域（８）に分離される。隣り合う第２の切溝（７）の間
隔は、隣り合う第１の切溝（５）の間隔に等しく、第１
の切溝（５）と第２の切溝（７）とは６０°で交差する
ので、図５に示すように島状領域（８）は平行四辺形の
平面形状を有する。第２のダイシング工程を行う際に、
半導体ウエハ（１）を回転させる代わりに、相対的にブ
レード（４）を６０°回転させてもよい。
として時計方向に６０°の角度で回転させた後、再び半
導体ウエハ（１）の一方の主面に高速で回転するブレー
ド（４）を当接させ、半導体ウエハ（１）を采の目状に
切断する第２のダイシング工程を行う。第２のダイシン
グ工程では、半導体ウエハ（１）の一方の主面にブレー
ド（４）を繰り返して前記第１の方向に対して６０°の
角度をもって交差する第２の方向に操作し、第２の方向
に延伸する複数の第２の切溝（７）を形成すると、図５
に示すように、半導体ウエハ（１）は第１の切溝（５）
と第２の切溝（７）とによって区画された複数の島状領
域（８）に分離される。隣り合う第２の切溝（７）の間
隔は、隣り合う第１の切溝（５）の間隔に等しく、第１
の切溝（５）と第２の切溝（７）とは６０°で交差する
ので、図５に示すように島状領域（８）は平行四辺形の
平面形状を有する。第２のダイシング工程を行う際に、
半導体ウエハ（１）を回転させる代わりに、相対的にブ
レード（４）を６０°回転させてもよい。
【００１２】次に、半導体ウエハ（１）をその中心を軸
として時計回りに６０°回転させた後、再び半導体ウエ
ハ（１）の一方の主面に高速で回転するブレード（４）
を当接させ、半導体ウエハ（１）を切断する第３のダイ
シング工程を行う。第３のダイシング工程では、半導体
ウエハ（１）の一方の主面にブレード（４）を繰り返し
て前記第２の方向に対して６０°、第１の方向に対して
は１２０°の角度をもって交差して複数の島状領域
（８）を横切る第３の方向に操作し、第３の方向に延伸
する複数の第３の切溝（９）を形成する。互いに交差す
る第１の切溝（５）と第２の切溝（７）との間の第３の
切溝（９）の長さと、互いに交差する第１の切溝（５）
と第３の切溝（９）との間の第２の切溝（７）の長さ
と、互いに交差する第２の切溝（７）と第３の切溝
（９）の間の第１の切溝（５）の長さは等しい。この結
果、図６に示すように、半導体ウエハ（１）は、第１の
切溝（５）と第２の切溝（７）と第３の切溝（９）によ
って区画された平面正六角形のダイ（１０）と平面三角
形の島状領域（１１）に分離され、半導体ウエハ（１）
は正六角形のさいの目状に切断される。第３の切溝
（９）は半導体ウエハ（１）の全厚さにわたって形成さ
れるが、裏当てシート（２）は切断されないので、ダイ
（１０）及び島状領域（１１）は裏当てシート（２）に
貼着された状態に保持されている。
として時計回りに６０°回転させた後、再び半導体ウエ
ハ（１）の一方の主面に高速で回転するブレード（４）
を当接させ、半導体ウエハ（１）を切断する第３のダイ
シング工程を行う。第３のダイシング工程では、半導体
ウエハ（１）の一方の主面にブレード（４）を繰り返し
て前記第２の方向に対して６０°、第１の方向に対して
は１２０°の角度をもって交差して複数の島状領域
（８）を横切る第３の方向に操作し、第３の方向に延伸
する複数の第３の切溝（９）を形成する。互いに交差す
る第１の切溝（５）と第２の切溝（７）との間の第３の
切溝（９）の長さと、互いに交差する第１の切溝（５）
と第３の切溝（９）との間の第２の切溝（７）の長さ
と、互いに交差する第２の切溝（７）と第３の切溝
（９）の間の第１の切溝（５）の長さは等しい。この結
果、図６に示すように、半導体ウエハ（１）は、第１の
切溝（５）と第２の切溝（７）と第３の切溝（９）によ
って区画された平面正六角形のダイ（１０）と平面三角
形の島状領域（１１）に分離され、半導体ウエハ（１）
は正六角形のさいの目状に切断される。第３の切溝
（９）は半導体ウエハ（１）の全厚さにわたって形成さ
れるが、裏当てシート（２）は切断されないので、ダイ
（１０）及び島状領域（１１）は裏当てシート（２）に
貼着された状態に保持されている。
【００１３】次に、図７に示すようにダイ（１０）及び
島状領域（１１）が形成された半導体ウエハ（１）を裏
当てシート（２）と共に、容器（１３）内の酸系のエッ
チング液（１２）中に浸漬して、ダイ（１０）及び島状
領域（１１）の側面にエッチングを施す。本実施の形態
では、アルカリ系のエッチング液では、歪みを良好に除
去できないことが判明した。これにより、ダイシング時
にダイ（１０）及び島状領域（１１）の側面に生じた歪
みが除去される。半導体ウエハ（１）をエッチング液
（１２）中に浸漬しても、ダイ（１０）及び島状領域
（１１）の上面は電極により被覆され、下面は裏当てシ
ート（２）によって被覆されているので、エッチングの
影響を受けない。
島状領域（１１）が形成された半導体ウエハ（１）を裏
当てシート（２）と共に、容器（１３）内の酸系のエッ
チング液（１２）中に浸漬して、ダイ（１０）及び島状
領域（１１）の側面にエッチングを施す。本実施の形態
では、アルカリ系のエッチング液では、歪みを良好に除
去できないことが判明した。これにより、ダイシング時
にダイ（１０）及び島状領域（１１）の側面に生じた歪
みが除去される。半導体ウエハ（１）をエッチング液
（１２）中に浸漬しても、ダイ（１０）及び島状領域
（１１）の上面は電極により被覆され、下面は裏当てシ
ート（２）によって被覆されているので、エッチングの
影響を受けない。
【００１４】次に、樹脂の弾性を有する裏当てシート
（２）を平面方向に引き延ばして、ダイ（１０）及び島
状領域（１１）を互いに離間させて間隙を形成した後、
ダイオードチップとなるべき平面正六角形状のダイ（１
０）を選択的に吸着治具（コレット）によってピックア
ップして組立治具（１４）に配置する。
（２）を平面方向に引き延ばして、ダイ（１０）及び島
状領域（１１）を互いに離間させて間隙を形成した後、
ダイオードチップとなるべき平面正六角形状のダイ（１
０）を選択的に吸着治具（コレット）によってピックア
ップして組立治具（１４）に配置する。
【００１５】図８に示すように治具（１４）は一対の第
１の型（１５）と第２の型（１６）とから成り、第１の
型（１５）と第２の型（１６）にはそれぞれ凹部（１５
ａ）（１６ａ）が形成されている。凹部（１５ａ）（１
６ａ）の底面には、棒状リード（１７）のリード状部分
（１７ａ）が装着される孔（１５ｃ）（１６ｃ）が設け
られている。第１の型（１５）と第２の型（１６）にそ
れぞれ図８に示すように、支持体としてのヘッダ（１７
ｂ）が凹部（１５ａ）（１６ａ）の底面に配置され、リ
ード部分（１７ａ）が孔（１５ｃ）（１６ｃ）に挿入さ
れるように棒状リード（１７）を配置する。また、各棒
状リード（１７）のヘッダ（１７ｂ）の上面に半田箔
（１８）を配置する。
１の型（１５）と第２の型（１６）とから成り、第１の
型（１５）と第２の型（１６）にはそれぞれ凹部（１５
ａ）（１６ａ）が形成されている。凹部（１５ａ）（１
６ａ）の底面には、棒状リード（１７）のリード状部分
（１７ａ）が装着される孔（１５ｃ）（１６ｃ）が設け
られている。第１の型（１５）と第２の型（１６）にそ
れぞれ図８に示すように、支持体としてのヘッダ（１７
ｂ）が凹部（１５ａ）（１６ａ）の底面に配置され、リ
ード部分（１７ａ）が孔（１５ｃ）（１６ｃ）に挿入さ
れるように棒状リード（１７）を配置する。また、各棒
状リード（１７）のヘッダ（１７ｂ）の上面に半田箔
（１８）を配置する。
【００１６】続いて、凹部（１５ａ）（１６ａ）内のヘ
ッダ（１７ｂ）上に半田箔（１８）を配置してから、コ
レット（吸着治具）によって選択的にピックアップした
ダイ（１０）を、第１の型（１５）の凹部（１５ａ）内
に配置されたヘッダ（１７ｂ）上の半田箔（１８）の上
に配置する。その後、第１の型（１５）と第２の型（１
６）とを閉じて、ダイオードチップとなるダイ（１０）
を半田箔（１８）を介して一対のリード（１７）のヘッ
ダ部分（１７ｂ）で挟持した状態とする。次に、半田箔
（１８）を加熱して、第１の型（１５）と第２の型（１
６）によって支持された一対のヘッダ部分（１７ｂ）の
間にダイ（１０）を半田付けする。これにより、一対の
リード（１７）間にダイ（１０）が半田付けされたダイ
オード組立体を得る。次に、このダイオード組立体に対
して周知のトランスファモールドを施し、図９に示すよ
うにダイ（１０）、ヘッダ部分（１７ｂ）及びリード状
部分（１７ａ）のヘッダ部分（１７ｂ）側を被覆する樹
脂封止体（１９）を形成して、樹脂封止形ダイオード
（２０）を完成させる。
ッダ（１７ｂ）上に半田箔（１８）を配置してから、コ
レット（吸着治具）によって選択的にピックアップした
ダイ（１０）を、第１の型（１５）の凹部（１５ａ）内
に配置されたヘッダ（１７ｂ）上の半田箔（１８）の上
に配置する。その後、第１の型（１５）と第２の型（１
６）とを閉じて、ダイオードチップとなるダイ（１０）
を半田箔（１８）を介して一対のリード（１７）のヘッ
ダ部分（１７ｂ）で挟持した状態とする。次に、半田箔
（１８）を加熱して、第１の型（１５）と第２の型（１
６）によって支持された一対のヘッダ部分（１７ｂ）の
間にダイ（１０）を半田付けする。これにより、一対の
リード（１７）間にダイ（１０）が半田付けされたダイ
オード組立体を得る。次に、このダイオード組立体に対
して周知のトランスファモールドを施し、図９に示すよ
うにダイ（１０）、ヘッダ部分（１７ｂ）及びリード状
部分（１７ａ）のヘッダ部分（１７ｂ）側を被覆する樹
脂封止体（１９）を形成して、樹脂封止形ダイオード
（２０）を完成させる。
【００１７】本発明の前記実施の形態は変更が可能であ
る。例えば、棒状リード（１７）を配置する治具とは別
の治具に半導体チップ（１０）を配置してもよい。治具
（１４）を使用せずに、裏当てシート（２）からピック
アップした半導体チップ（１０）を板状の支持板又は回
路基板に直接に半田付けしてもよい。半導体チップ
（１）の平面形状は、他の多角形、例えば正八角形とし
てもよい。エッチング処理は、裏当てシート（２）に貼
着したダイ（１０）を複数のエッチング液に順次浸漬し
てもよい。
る。例えば、棒状リード（１７）を配置する治具とは別
の治具に半導体チップ（１０）を配置してもよい。治具
（１４）を使用せずに、裏当てシート（２）からピック
アップした半導体チップ（１０）を板状の支持板又は回
路基板に直接に半田付けしてもよい。半導体チップ
（１）の平面形状は、他の多角形、例えば正八角形とし
てもよい。エッチング処理は、裏当てシート（２）に貼
着したダイ（１０）を複数のエッチング液に順次浸漬し
てもよい。
【００１８】
【発明の効果】前記のように、本発明では、裏当てシー
トに貼着された複数のダイを一体に運搬し、生産性良く
エッチング処理及び治具等への組込作業が可能となる。
半導体ウエハをダイシングした後に、酸系のエッチング
液によってダイの側面にエッチング処理を施すので、半
導体チップの側面にダイシング時に生じた歪みを良好に
除去でき、半導体チップの特性及び信頼性の向上が図ら
れる。円形状の半導体チップに近似する耐圧特性等を有
する多角形（正六角形又は正八角形）の半導体チップが
得られる。更に、支持体に移動する直前でダイを裏当て
シートから分離するので、支持体に接着すべきダイの裏
面への異物の付着を防止できる。
トに貼着された複数のダイを一体に運搬し、生産性良く
エッチング処理及び治具等への組込作業が可能となる。
半導体ウエハをダイシングした後に、酸系のエッチング
液によってダイの側面にエッチング処理を施すので、半
導体チップの側面にダイシング時に生じた歪みを良好に
除去でき、半導体チップの特性及び信頼性の向上が図ら
れる。円形状の半導体チップに近似する耐圧特性等を有
する多角形（正六角形又は正八角形）の半導体チップが
得られる。更に、支持体に移動する直前でダイを裏当て
シートから分離するので、支持体に接着すべきダイの裏
面への異物の付着を防止できる。
【図１】 本発明による半導体装置の製造方法に使用す
る半導体ウエハの斜視図
る半導体ウエハの斜視図
【図２】 裏当てシートを貼着した半導体ウエハの側面
図
図
【図３】 半導体ウエハにダイシングを行う場合の斜視
図
図
【図４】 第１の切溝を形成した半導体ウエハの平面図
【図５】 第１の切溝及び第２の切溝を形成した半導体
ウエハの平面図
ウエハの平面図
【図６】 第１の切溝、第２の切溝及び第３の切溝を形
成した半導体ウエハの平面図
成した半導体ウエハの平面図
【図７】 エッチング処理を示す断面図
【図８】 治具に支持されたリード上にダイを配置する
状態を示す断面図
状態を示す断面図
【図９】 本発明により製造された樹脂封止形ダイオー
ドの断面図
ドの断面図
１・・半導体ウエハ、 １ａ・・Ｎ形半導体領域、 １
ｂ・・Ｐ形半導体領域、 ２・・裏当てシート、 ３・
・接着剤、 ４・・ブレード、 ５・・第１の切溝、
６・・帯状領域、 ７・・第２の切溝、 ８・・島状領
域、 ９・・第３の切溝、 １０・・ダイ、 １１・・
島状領域、 １４・・治具、 １５・・第１の型、 １
５ａ・・凹部、 １６・・第２の型、 １６ａ・・凹
部、 １７・・棒状リード、 １８・・半田箔、 １９
・・樹脂封止体、 ２０・・樹脂封止形ダイオード、
ｂ・・Ｐ形半導体領域、 ２・・裏当てシート、 ３・
・接着剤、 ４・・ブレード、 ５・・第１の切溝、
６・・帯状領域、 ７・・第２の切溝、 ８・・島状領
域、 ９・・第３の切溝、 １０・・ダイ、 １１・・
島状領域、 １４・・治具、 １５・・第１の型、 １
５ａ・・凹部、 １６・・第２の型、 １６ａ・・凹
部、 １７・・棒状リード、 １８・・半田箔、 １９
・・樹脂封止体、 ２０・・樹脂封止形ダイオード、
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウエハの裏面に裏当てシートを貼
着する工程と、 該裏当てシートを切断せずに前記半導体ウエハに互いに
交差する複数本の切溝を前記半導体ウエハの厚さ方向に
形成して、互いに分離された複数個の多角形のダイを前
記半導体ウエハから切り出す工程と、 前記裏当てシートに貼着された前記ダイの側面にエッチ
ングを行う工程と、 前記裏当てシートから除去した前記ダイを支持体に固着
する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 前記裏当てシートは可撓性を有する樹脂
により形成された請求項１に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 前記多角形は、平面正六角形又は正八角
形である請求項１又は２のいずれかに記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項４】 前記支持体はヘッダ、支持板又は回路基
板である請求項１又は２のいずれかに記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項５】 酸系エッチング液を使用して前記エッチ
ングを行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 弾性を有する前記裏当てシートを平面方
向に引き延ばして、ダイを互いに離間させて間隙を形成
した後、前記ダイの表面を吸着治具により吸着して前記
ダイを選択的にピックアップする工程を含む請求項１〜
５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29271697A JPH11126762A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29271697A JPH11126762A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11126762A true JPH11126762A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17785397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29271697A Pending JPH11126762A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11126762A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335456A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Denso Corp | センサ装置の製造方法 |
| JP2012064961A (ja) * | 2011-11-08 | 2012-03-29 | Panasonic Corp | 電子部品の製造方法 |
-
1997
- 1997-10-24 JP JP29271697A patent/JPH11126762A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335456A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Denso Corp | センサ装置の製造方法 |
| JP2012064961A (ja) * | 2011-11-08 | 2012-03-29 | Panasonic Corp | 電子部品の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100606254B1 (ko) | 반도체장치및그제조방법 | |
| JPH025447A (ja) | 半導体デバイスの製造方法並びにその製造方法に使用する可撓性ウエファ構造 | |
| EP2701188A2 (en) | A method of singulating semiconductor die from a semiconductor wafer | |
| US20140134828A1 (en) | Semiconductor die singulation method | |
| TWI720936B (zh) | 化合物半導體元件及其背面銅製程方法 | |
| US6582223B2 (en) | Pickup apparatus for semiconductor chips | |
| US6974721B2 (en) | Method for manufacturing thin semiconductor chip | |
| JP4566626B2 (ja) | 半導体基板の分断方法および半導体チップの選択転写方法 | |
| JP3344056B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2000173952A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3461449B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2000294521A (ja) | 電子素子の製造方法 | |
| JPH07297210A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH06112312A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP7857245B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2665062B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20070082463A1 (en) | Semiconductor device with semiconductor chip and adhesive film and method for producing the same | |
| JP2001196396A (ja) | 半導体装置およびその製造方法並びに基板 | |
| JPH0974076A (ja) | 発光半導体ウエハの個別分離方法 | |
| TWI509739B (zh) | 半導體裝置的製造方法 | |
| KR200363934Y1 (ko) | 다이 본더의 백업 홀더 구조 | |
| JP2858309B1 (ja) | 半導体ウエハの可撓性シート貼着方法 | |
| JP2017228567A (ja) | 半導体ウェーハ用治具及びその取扱方法 | |
| JPS59134849A (ja) | ダイシング方法および粘着シ−ト | |
| KR100378571B1 (ko) | 웨이퍼 마운팅 테이프의 분리 방법 |